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JP6798771B2 - Method for manufacturing conductive particles, method for manufacturing conductive material, and method for manufacturing connecting structure - Google Patents

Method for manufacturing conductive particles, method for manufacturing conductive material, and method for manufacturing connecting structure Download PDF

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JP6798771B2
JP6798771B2 JP2015138573A JP2015138573A JP6798771B2 JP 6798771 B2 JP6798771 B2 JP 6798771B2 JP 2015138573 A JP2015138573 A JP 2015138573A JP 2015138573 A JP2015138573 A JP 2015138573A JP 6798771 B2 JP6798771 B2 JP 6798771B2
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Description

本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されている導電性粒子及び導電性粒子の製造方法に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。 The present invention relates to a conductive particle in which a conductive portion is arranged on the surface of the base particle and a method for producing the conductive particle. The present invention also relates to a conductive material and a connecting structure using the above conductive particles.

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。 Anisotropic conductive materials such as anisotropic conductive pastes and anisotropic conductive films are widely known. In the anisotropic conductive material, a plurality of conductive particles are dispersed in the binder resin.

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続(FOG(Film on Glass))、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続(COF(Chip on Film))、半導体チップとガラス基板との接続(COG(Chip on Glass))、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続(FOB(Film on Board))等に使用されている。 In order to obtain various connection structures, the anisotropic conductive material may be used, for example, for connecting a flexible printed circuit board and a glass substrate (FOG (Film on Glass)) or connecting a semiconductor chip and a flexible printed circuit board (COF (COF). It is used for Chip on Film)), connection between a semiconductor chip and a glass substrate (COG (Chip on Glass)), and connection between a flexible printed circuit board and a glass epoxy substrate (FOB (Film on Board)).

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献1には、重合体粒子と、重合体粒子の表面に導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記重合体粒子の破壊点荷重は9.8mN(1.0gf)以下である。また、特許文献1では、上記重合体粒子の10%K値が7350N/mm(750kgf/mm)〜49000N/mm(5000kgf/mm)であってもよいことが記載されている。 As an example of the conductive particles, Patent Document 1 below discloses a polymer particle and a conductive particle having a conductive metal layer on the surface of the polymer particle. The fracture point load of the polymer particles is 9.8 mN (1.0 gf) or less. Further, Patent Document 1 describes that the 10% K value of the polymer particles may be 7350 N / mm 2 (750 kgf / mm 2 ) to 49000 N / mm 2 (5000 kgf / mm 2 ).

WO2012/020799A1WO2012 / 020799A1

異方性導電材料を用いて、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。このような方法で得られる接続構造体の一例として、液晶表示素子が挙げられる。 When using an anisotropic conductive material, for example, when electrically connecting an electrode of a semiconductor chip and an electrode of a glass substrate, an anisotropic conductive material containing conductive particles is arranged on the glass substrate. Next, the semiconductor chips are laminated and heated and pressurized. As a result, the anisotropic conductive material is cured, and the electrodes are electrically connected to each other via the conductive particles to obtain a connection structure. An example of a connection structure obtained by such a method is a liquid crystal display element.

上記液晶表示素子では、液晶パネルの狭額縁化及びガラス基板の薄型化が進行している。このため、実装部に歪みが生じて、表示むらが発生しやすくなっている。表示むらを抑えるために、圧着時に低い温度で圧着することが求められている。 In the liquid crystal display element, the frame of the liquid crystal panel is narrowed and the glass substrate is thinned. For this reason, distortion occurs in the mounting portion, and display unevenness is likely to occur. In order to suppress display unevenness, it is required to crimp at a low temperature during crimping.

しかし、低い温度での圧着では、異方性導電材料の溶融粘度が高くなる。このため、低い温度での圧着時には、ボイドを生じ難くするために、圧力を高くする必要がある。結果として、導電性粒子に大きな応力が付与される。なお、上記の接続構造体の製造方法以外の製造方法においても、また導電性粒子の使用前においても、導電性粒子に大きな応力が付与されることがある。 However, crimping at a low temperature increases the melt viscosity of the anisotropic conductive material. Therefore, when crimping at a low temperature, it is necessary to increase the pressure in order to prevent voids from being generated. As a result, a large stress is applied to the conductive particles. In addition, in a manufacturing method other than the above-mentioned manufacturing method of the connection structure, and even before the use of the conductive particles, a large stress may be applied to the conductive particles.

特許文献1に記載のような従来の導電性粒子では、導電性粒子に応力が付与されたときに、導電層に割れが生じることがある。この結果、電極間を接続して接続構造体を得た場合には、初期の接続抵抗が高くなったり、導通信頼性が低くなったりすることがある。 In the conventional conductive particles as described in Patent Document 1, cracks may occur in the conductive layer when stress is applied to the conductive particles. As a result, when the electrodes are connected to each other to obtain a connection structure, the initial connection resistance may increase or the continuity reliability may decrease.

さらに、従来の導電性粒子を用いて導電接続が行われた接続構造体が、酸の存在下に晒されたときに、電極間の接続抵抗が上昇することがある。 Furthermore, when a connection structure made of conductive connections using conventional conductive particles is exposed in the presence of an acid, the connection resistance between the electrodes may increase.

本発明の目的は、導電性粒子に応力が付与されても、導電部に割れが生じ難い導電性粒子及び導電性粒子の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for producing conductive particles and conductive particles in which the conductive portion is less likely to be cracked even when stress is applied to the conductive particles.

また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することも目的とする。 Another object of the present invention is to provide a conductive material and a connecting structure using the above conductive particles.

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm以上、25000N/mm以下であり、前記導電部の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下である、導電性粒子が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, the base particle is provided with a conductive portion arranged on the surface of the base particle, and the compressive elastic modulus when the base particle is compressed by 10% is 1000 N / mm 2. or more, 25000N / mm 2 or less, the internal stress of the conductive parts, -100N / mm 2 or more and 100 N / mm 2 or less, the conductive particles are provided.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子の粒子径が1.0μm以上、5.0μm以下である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the particle size of the base particles is 1.0 μm or more and 5.0 μm or less.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the substrate particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面に複数の突起を有する。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles are a plurality of core substances in which the outer surface of the conductive portion is raised so as to form a plurality of the protrusions in the conductive portion. To be equipped.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the Mohs hardness of the material of the core material is 5 or more.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である。 In a specific aspect of the conductive particles according to the present invention, the surface area of the portion having the protrusion is 30% or more in the total surface area of the outer surface of the conductive portion of 100%.

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。 In certain aspects of the conductive particles according to the present invention, the conductive particles include an insulating material disposed on the outer surface of the conductive portion.

本発明の広い局面によれば、基材粒子の表面上にめっき液を用いてめっき処理により導電部を形成して、前記基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える導電性粒子を得る工程を備え、前記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm以上、25000N/mm以下であり、前記めっき液を用いて、前記めっき処理と同じ条件で、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mmである板状の導電材を厚み5μmのめっき膜で被覆したときの前記めっき膜の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下である、導電性粒子の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a conductive portion is formed on the surface of the base material particles by a plating treatment using a plating solution, and the base material particles and the conductivity arranged on the surface of the base material particles. comprising the step of obtaining the conductive particles and a part, the compression modulus when the base particle is compressed 10% 1000 N / mm 2 or more and 25000N / mm 2 or less, using the plating solution, wherein Under the same conditions as the plating process, the internal stress of the plating film when a plate-shaped conductive material having a surface area of 774 mm 2 on the flat surface where the plating film is formed is coated with a plating film having a thickness of 5 μm is -100 N / mm. A method for producing conductive particles having a value of 2 or more and 100 N / mm 2 or less is provided.

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, there is provided a conductive material containing the above-mentioned conductive particles and a binder resin.

本発明の広い局面によれば、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている、接続構造体が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a connection portion connecting the first connection target member, the second connection target member, the first connection target member, and the second connection target member. Provided is a connecting structure in which the connecting portion is formed of the above-mentioned conductive particles or is formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

本発明に係る導電性粒子では、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm以上、25000N/mm以下であり、上記導電部の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下であるため、導電性粒子に応力が付与されても、導電部に割れを生じ難くすることができる。 The conductive particle according to the present invention, the conductive portion on the surface of the base particle is disposed, compression modulus when the base particle is compressed 10% 1000 N / mm 2 or more, 25000N / mm 2 or less , and the internal stress of the conductive parts, -100N / mm 2 or more, because it is 100 N / mm 2 or less, even if a stress is applied to the conductive particles can be hardly cracked in the conductive portion.

本発明に係る導電性粒子の製造方法では、基材粒子の表面上にめっき液を用いてめっき処理により導電部を形成して、導電性粒子を得る工程を備え、上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm以上、25000N/mm以下であり、上記めっき液を用いて、上記めっき処理と同じ条件で、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mmである板状の導電材を厚み5μmのめっき膜で被覆したときの上記めっき膜の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下であるので、導電部に割れを生じ難くすることができる。 The method for producing conductive particles according to the present invention includes a step of forming a conductive portion on the surface of the base material particles by a plating process using a plating solution to obtain conductive particles, and using 10% of the base material particles. compressive modulus upon compression 1000 N / mm 2 or more and 25000N / mm 2 or less, using the above plating solution under the same conditions as the plating process, the surface area of the flat portion where the plating film is formed 774Mm 2 the internal stress of the plating film when the plate-like conductive material covered with a plating film having a thickness of 5μm at that, -100N / mm 2 or more, since it is 100 N / mm 2 or less, less likely cracked the conductive portion be able to.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention. 図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention. 図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the conductive particles according to the third embodiment of the present invention. 図4は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。FIG. 4 is a front sectional view schematically showing a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

以下、本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention will be described below.

(導電性粒子)
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。
(Conductive particles)
The conductive particles according to the present invention include base particles and conductive portions arranged on the surface of the base particles.

本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)が1000N/mm以上、25000N/mm以下である。さらに、本発明に係る導電性粒子では、上記導電部の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下である。 The conductive particle according to the present invention, the compression modulus when the base particle is compressed 10% (10% K value) is 1000 N / mm 2 or more and 25000N / mm 2 or less. Furthermore, the conductive particles according to the present invention, the internal stress of the conductive parts, -100N / mm 2 or more and 100 N / mm 2 or less.

本発明に係る導電性粒子の製造方法では、基材粒子の表面上にめっき液を用いてめっき処理により導電部を形成して、上記基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された上記導電部とを備える導電性粒子を得る工程を備える。 In the method for producing conductive particles according to the present invention, a conductive portion is formed on the surface of the base material particles by a plating treatment using a plating solution, and is arranged on the base material particles and the surface of the base material particles. A step of obtaining conductive particles having the above-mentioned conductive portion is provided.

本発明に係る導電性粒子の製造方法では、上記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)が1000N/mm以上、25000N/mm以下である。さらに、本発明に係る導電性粒子の製造方法では、上記めっき液を用いて、上記めっき処理と同じ条件で、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mmである板状の導電材を厚み5μmのめっき膜で被覆したときの上記めっき膜の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下である。 The method for producing a conductive particle according to the present invention, the compression modulus when the base particle is compressed 10% (10% K value) is 1000 N / mm 2 or more and 25000N / mm 2 or less. Further, in the method for producing conductive particles according to the present invention, a plate-shaped conductive material having a flat surface portion having a surface area of 774 mm 2 on which a plating film is formed is formed by using the above plating solution under the same conditions as the above plating treatment. the internal stress of the plating film when coated with the plating film having a thickness of 5μm is, -100N / mm 2 or more and 100 N / mm 2 or less.

本発明では、上述した構成が備えられているため、導電性粒子に応力が付与されても、導電部に割れを生じ難くすることができる。特定の10%K値を有する基材粒子に対して、特定の内部応力を有する導電部を形成することによって、導電部の割れが効果的に生じ難くなる。本発明者らは、導電部の割れを生じ難くするためには、基材粒子の10%K値と導電部の内部応力との双方を制御する必要があることを見出した。さらに、本発明者らは、導電部の割れを生じ難くするためには、基材粒子の10%K値と導電部の内部応力とを上記の関係を満足するようにすればよいことを見出した。 In the present invention, since the above-described configuration is provided, even if stress is applied to the conductive particles, it is possible to prevent the conductive portion from cracking. By forming the conductive portion having a specific internal stress with respect to the base particle having a specific 10% K value, the conductive portion is less likely to be cracked effectively. The present inventors have found that it is necessary to control both the 10% K value of the substrate particles and the internal stress of the conductive portion in order to prevent the conductive portion from cracking. Furthermore, the present inventors have found that in order to make it difficult for the conductive portion to crack, the 10% K value of the base material particles and the internal stress of the conductive portion should satisfy the above relationship. It was.

また、導電部の割れを生じ難くすることによって、導電材料を比較的低温で硬化させて、導電材料の溶融粘度が高い状態で圧着を行っても、電極間の接続抵抗が十分に低く、導通信頼性に優れた接続構造体を得ることができることができる。本発明に係る導電材料の使用により、接続対象部材の狭額縁化及び薄型化に対応できる。 Further, by making the conductive portion less likely to crack, even if the conductive material is cured at a relatively low temperature and crimping is performed in a state where the melt viscosity of the conductive material is high, the connection resistance between the electrodes is sufficiently low and conduction is achieved. It is possible to obtain a connection structure having excellent reliability. By using the conductive material according to the present invention, it is possible to make the frame to be connected narrower and thinner.

さらに、本発明では、導電部の割れが生じにくいために、酸の存在下に晒された導電性粒子を用いて接続構造体を得たり、接続構造体が酸の存在下に晒されたりしても、接続抵抗を低く維持することができる。 Further, in the present invention, since the conductive portion is less likely to be cracked, the connecting structure may be obtained by using the conductive particles exposed in the presence of the acid, or the connecting structure may be exposed in the presence of the acid. However, the connection resistance can be kept low.

接続抵抗をより一層低くし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記基材粒子の上記10%K値は、好ましくは2000N/mm以上、より好ましくは3000N/mm以上であり、好ましくは23000N/mm以下、より好ましくは20000N/mm以下である。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further increasing the conduction reliability between the electrodes, the 10% K value of the base particles is preferably 2000 N / mm 2 or more, more preferably 3000 N / mm 2 or more. It is preferably 23000 N / mm 2 or less, and more preferably 20000 N / mm 2 or less.

接続抵抗をより一層低くし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の内部応力は、好ましくは−80N/mm以上、より好ましくは−50N/mm以上であり、好ましくは80N/mm以下、より好ましくは50N/mm以下である。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further increasing the conduction reliability between the electrodes, the internal stress of the conductive portion is preferably -80 N / mm 2 or more, more preferably -50 N / mm 2 or more. It is preferably 80 N / mm 2 or less, more preferably 50 N / mm 2 or less.

上記内部応力を制御する方法としては、錯化剤を調整する方法、並びに光沢剤を調整する方法等が挙げられる。 Examples of the method for controlling the internal stress include a method for adjusting a complexing agent, a method for adjusting a brightener, and the like.

上記導電部の内部応力を低減する方法としては、めっき液中への錯化剤の添加、めっき液中への有機系光沢剤の添加、並びにめっき液中への金属系光沢剤の添加等が挙げられる。 Methods for reducing the internal stress of the conductive portion include addition of a complexing agent to the plating solution, addition of an organic brightener to the plating solution, addition of a metallic brightener to the plating solution, and the like. Can be mentioned.

上記錯化剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸及びシュウ酸などのカルボン酸;乳酸、こはく酸、酒石酸、グリコール酸、リンゴ酸及びクエン酸などのヒドロキシカルボン酸;アラニン、バリン、チロシン、グリシン、アスパラギン酸及びヒスチジンなどのアミノ酸が挙げられる。上記錯化剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the complexing agent include carboxylic acids such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid and oxalic acid; hydroxycarboxylic acids such as lactic acid, oxalic acid, tartaric acid, glycolic acid, malic acid and citric acid; alanine and valine. , Tyrosine, glycine, aspartic acid and amino acids such as histidine. Only one kind of the complexing agent may be used, or two or more kinds thereof may be used in combination.

光沢剤に関しては、上記金属系光沢剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、タリウム化合が挙げられ、これらの化合物として具体的には、化合物を構成する金属(鉛、ビスマス、タリウム)の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、塩酸塩等が挙げられる。上記金属系光沢剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Regarding the brightener, examples of the metal brightener include lead compounds, bismuth compounds, and thallium compounds. Specific examples of these compounds include sulfates of metals (lead, bismuth, and thallium) constituting the compound. Examples thereof include carbonates, acetates, nitrates and hydrochlorides. Only one kind of the above metal brightener may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記有機系光沢剤としては、サッカリン、ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、1,5−ナフタレンスルホン酸ナトリウム、アリルスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルフォンアミド、プロパギルスルホン酸ナトリウム、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、エトキシ化ポリエチレンイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、ゼラチン、デキストリン、チオ尿素、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド、ケイ皮酸、ニコチン酸及びベンザルアセトン等が挙げられる。上記有機系光沢剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the organic brightener include saccharin, sodium naphthalenedisulfonate, sodium 1,5-naphthalene sulfonate, sodium allyl sulfonate, paratoluene sulphonamide, sodium propagil sulfonate, butine diol, propagyl alcohol, coumarin, and formalin. , Ethoxylated polyethyleneimine, polyalkylimine, polyethyleneimine, gelatin, dextrin, thiourea, polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, polyacrylamide, silicic acid, nicotinic acid, benzalacetone and the like. Only one kind of the organic brightener may be used, or two or more kinds may be used in combination.

特に、有機系光沢剤の添加が、金層における内部応力の低減に効果がある。上記光沢剤の好ましい例としては、1,5−ナフタレンスルホン酸ナトリウム及びパラトルエンスルフォンアミド等が挙げられる。上記光沢剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 In particular, the addition of an organic brightener is effective in reducing the internal stress in the gold layer. Preferred examples of the brightener include sodium 1,5-naphthalene sulfonate, paratoluene sulfonamide and the like. Only one kind of the brightener may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記基材粒子の上記10%K値は、以下のようにして測定できる。 The 10% K value of the base particles can be measured as follows.

微小圧縮試験機を用いて、円柱(直径50μm、ダイヤモンド製)の平滑圧子端面で、25℃、最大試験荷重90mNを30秒かけて負荷する条件下で基材粒子を圧縮する。このときの荷重値(N)及び圧縮変位(mm)を測定する。得られた測定値から、上記圧縮弾性率を下記式により求めることができる。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」等が用いられる。 Using a microcompression tester, the substrate particles are compressed on the smoothing indenter end face of a cylinder (diameter 50 μm, made of diamond) under the condition that a maximum test load of 90 mN is applied over 30 seconds at 25 ° C. The load value (N) and compressive displacement (mm) at this time are measured. From the obtained measured values, the compressive elastic modulus can be calculated by the following formula. As the microcompression tester, for example, "Fisherscope H-100" manufactured by Fisher Co., Ltd. is used.

K値(N/mm)=(3/21/2)・F・S−3/2・R−1/2
F:基材粒子が10%圧縮変形したときの荷重値(N)
S:基材粒子が10%圧縮変形したときの圧縮変位(mm)
R:基材粒子の半径(mm)
K value (N / mm 2 ) = (3/2 1/2 ) ・ F ・ S -3/2・ R- 1 / 2
F: Load value (N) when the base particle is compressed and deformed by 10%
S: Compressive displacement (mm) when the substrate particles are compressed and deformed by 10%
R: Radius of substrate particles (mm)

上記圧縮弾性率は、基材粒子の硬さを普遍的かつ定量的に表す。上記圧縮弾性率の使用により、基材粒子の硬さを定量的かつ一義的に表すことができる。 The compressive elastic modulus universally and quantitatively represents the hardness of the substrate particles. By using the compressive elastic modulus, the hardness of the base particle can be expressed quantitatively and uniquely.

上記内部応力は、以下のようにして測定できる。 The internal stress can be measured as follows.

導電部と同じ組成の板状の導電材を用意する。導電部をめっき液を用いて形成する場合に、導電部の形成時と同じめっき液を用いて同じめっき処理条件で、導電材にめっき膜を形成する。導電材は、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mmである板状の導電材とする。この導電材を用いて、25℃にて、ストリップ式電着応力試験機(藤化成社製「683ECアナライザー」)を用いて内部応力を測定する。 Prepare a plate-shaped conductive material having the same composition as the conductive part. When the conductive portion is formed by using a plating solution, a plating film is formed on the conductive material by using the same plating solution as when forming the conductive portion and under the same plating treatment conditions. The conductive material is a plate-shaped conductive material having a surface area of 774 mm 2 in a flat portion on which the plating film is formed. Using this conductive material, the internal stress is measured at 25 ° C. using a strip type electrodeposition stress tester (“683EC analyzer” manufactured by Fujikasei Co., Ltd.).

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。さらに、上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further increasing the conductivity reliability, the conductive particles preferably have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion. Further, it is preferable that the conductive particles include a plurality of core substances in which the outer surface of the conductive portion is raised so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion.

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の全表面積100%中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは10%以上、より好ましくは30%以上であり、好ましくは95%以下、より好ましくは90%以下である。 From the viewpoint of further lowering the connection resistance and further increasing the conduction reliability, the surface area of the portion having the protrusions is preferably 10% or more, more preferably 30% or more, of the total surface area of the conductive particles of 100%. It is preferably 95% or less, more preferably 90% or less.

以下、図面を参照しつつ、本発明を具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing conductive particles according to the first embodiment of the present invention.

図1に示す導電性粒子1は、基材粒子2と、導電部3とを有する。導電部3は、基材粒子2の表面上に配置されている。第1の実施形態では、導電部3は、基材粒子2の表面に接している。導電性粒子1は、基材粒子2の表面が導電部3により被覆された被覆粒子である。導電性粒子1では、導電部3は、単層の導電部(導電層)である。 The conductive particle 1 shown in FIG. 1 has a base particle 2 and a conductive portion 3. The conductive portion 3 is arranged on the surface of the base particle 2. In the first embodiment, the conductive portion 3 is in contact with the surface of the base particle 2. The conductive particles 1 are coated particles in which the surface of the base particle 2 is coated with the conductive portion 3. In the conductive particles 1, the conductive portion 3 is a single-layer conductive portion (conductive layer).

導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子1は導電性の表面に突起を有さず、導電部3の外表面に突起を有さない。導電性粒子1は球状である。 The conductive particles 1 do not have a core substance, unlike the conductive particles 11 and 21 described later. The conductive particles 1 do not have protrusions on the conductive surface and do not have protrusions on the outer surface of the conductive portion 3. The conductive particles 1 are spherical.

このように、本発明に係る導電性粒子は、導電性の表面に突起を有していなくてもよく、導電部の外表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子1は、後述する導電性粒子11,21とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子1は、導電部3の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。 As described above, the conductive particles according to the present invention may not have protrusions on the conductive surface, may not have protrusions on the outer surface of the conductive portion, and may be spherical. .. Further, the conductive particles 1 do not have an insulating substance, unlike the conductive particles 11 and 21 described later. However, the conductive particles 1 may have an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion 3.

図2は、本発明の第2の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles according to a second embodiment of the present invention.

図2に示す導電性粒子11は、基材粒子2と、導電部12と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部12は、基材粒子2の表面上に基材粒子2に接するように配置されている。導電性粒子11では、導電部12は、単層の導電部(導電層)である。 The conductive particle 11 shown in FIG. 2 has a base particle 2, a conductive portion 12, a plurality of core substances 13, and a plurality of insulating substances 14. The conductive portion 12 is arranged on the surface of the base particle 2 so as to be in contact with the base particle 2. In the conductive particles 11, the conductive portion 12 is a single-layer conductive portion (conductive layer).

導電性粒子11は、導電性の表面に、複数の突起11aを有する。導電部12は外表面に、複数の突起12aを有する。複数の芯物質13が、基材粒子2の表面上に配置されている。複数の芯物質13は導電部12内に埋め込まれている。芯物質13は、突起11a,12aの内側に配置されている。導電部12は、複数の芯物質13を被覆している。複数の芯物質13により導電部12の外表面が隆起されており、突起11a,12aが形成されている。 The conductive particles 11 have a plurality of protrusions 11a on the conductive surface. The conductive portion 12 has a plurality of protrusions 12a on the outer surface. A plurality of core substances 13 are arranged on the surface of the base particle 2. The plurality of core substances 13 are embedded in the conductive portion 12. The core material 13 is arranged inside the protrusions 11a and 12a. The conductive portion 12 covers a plurality of core substances 13. The outer surface of the conductive portion 12 is raised by the plurality of core substances 13, and protrusions 11a and 12a are formed.

導電性粒子11は、導電部12の外表面上に配置された絶縁性物質14を有する。導電部12の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質14により被覆されている。絶縁性物質14は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。 The conductive particles 11 have an insulating substance 14 arranged on the outer surface of the conductive portion 12. At least a part of the outer surface of the conductive portion 12 is covered with the insulating substance 14. The insulating substance 14 is formed of a material having an insulating property and is an insulating particle. As described above, the conductive particles according to the present invention may have an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion. However, the conductive particles according to the present invention do not necessarily have an insulating substance.

図3は、本発明の第3の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view showing the conductive particles according to the third embodiment of the present invention.

図3に示す導電性粒子21は、基材粒子2と、導電部22と、複数の芯物質13と、複数の絶縁性物質14とを有する。導電部22は全体で、基材粒子2側に第1の導電部22Aと、基材粒子2側とは反対側に第2の導電部22Bとを有する。 The conductive particle 21 shown in FIG. 3 has a base particle 2, a conductive portion 22, a plurality of core substances 13, and a plurality of insulating substances 14. As a whole, the conductive portion 22 has a first conductive portion 22A on the base particle 2 side and a second conductive portion 22B on the side opposite to the base particle 2 side.

導電性粒子11と導電性粒子21とでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子11では、1層構造の導電部22が形成されているのに対し、導電性粒子21では、2層構造の第1の導電部22A及び第2の導電部22Bが形成されている。第1の導電部22Aと第2の導電部22Bとは別の導電部として形成されている。 Only the conductive portion is different between the conductive particles 11 and the conductive particles 21. That is, in the conductive particles 11, the conductive portion 22 having a one-layer structure is formed, whereas in the conductive particles 21, the first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B having a two-layer structure are formed. ing. The first conductive portion 22A and the second conductive portion 22B are formed as separate conductive portions.

第1の導電部22Aは、基材粒子2の表面上に配置されている。基材粒子2と第2の導電部22Bとの間に、第1の導電部22Aが配置されている。第1の導電部22Aは、基材粒子2に接している。従って、基材粒子2の表面上に第1の導電部22Aが配置されており、第1の導電部22Aの表面上に第2の導電部22Bが配置されている。導電性粒子21は、導電性の表面に、複数の突起21aを有する。導電性粒子21では、導電部22は外表面に、複数の突起22aを有する。第1の導電部22Aは外表面に、突起22Aaを有する。第2の導電部22Bは外表面に、複数の突起22Baを有する。導電性粒子21では、導電部22は、2層の導電部(導電層)である。 The first conductive portion 22A is arranged on the surface of the base particle 2. The first conductive portion 22A is arranged between the base particle 2 and the second conductive portion 22B. The first conductive portion 22A is in contact with the base particle 2. Therefore, the first conductive portion 22A is arranged on the surface of the base particle 2, and the second conductive portion 22B is arranged on the surface of the first conductive portion 22A. The conductive particles 21 have a plurality of protrusions 21a on the conductive surface. In the conductive particles 21, the conductive portion 22 has a plurality of protrusions 22a on the outer surface. The first conductive portion 22A has a protrusion 22Aa on the outer surface. The second conductive portion 22B has a plurality of protrusions 22Ba on the outer surface. In the conductive particles 21, the conductive portion 22 is a two-layer conductive portion (conductive layer).

以下、導電性粒子の他の詳細について説明する。なお、以下の説明において、「(メタ)アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「(メタ)アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。 Hereinafter, other details of the conductive particles will be described. In the following description, "(meth) acrylic" means one or both of "acrylic" and "methacrylic", and "(meth) acrylate" means one or both of "acrylate" and "methacrylate". means.

[基材粒子]
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよい。上記シェルが無機シェルであってもよい。なかでも、金属粒子を除く基材粒子が好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子がより好ましい。本発明の効果により一層優れることから、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子が特に好ましい。
[Base particles]
Examples of the base material particles include resin particles, inorganic particles other than metal particles, organic-inorganic hybrid particles, and metal particles. The base particle may be a core-shell particle having a core and a shell arranged on the surface of the core. The core may be an organic core. The shell may be an inorganic shell. Of these, base particle particles excluding metal particles are preferable, and resin particles, inorganic particles excluding metal particles, or organic-inorganic hybrid particles are more preferable. Resin particles or organic-inorganic hybrid particles are particularly preferable because they are more excellent due to the effects of the present invention.

上記基材粒子は、樹脂により形成された樹脂粒子であることが好ましい。上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。上記基材粒子が樹脂粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の導通信頼性が高くなる。 The base material particles are preferably resin particles formed of a resin. When connecting the electrodes using the conductive particles, the conductive particles are placed between the electrodes and then pressure-bonded to compress the conductive particles. When the base material particles are resin particles, the conductive particles are easily deformed during the crimping, and the contact area between the conductive particles and the electrode becomes large. Therefore, the continuity reliability between the electrodes is high.

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂;ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂;ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を1種もしくは2種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を1種又は2種以上重合させた重合体であることが好ましい。 Various organic substances are preferably used as the resin for forming the resin particles. Examples of the resin for forming the resin particles include polyolefin resins such as polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyisobutylene and polybutadiene; acrylic resins such as polymethylmethacrylate and polymethylacrylate; poly. Alkylene terephthalate, polycarbonate, polyamide, phenol formaldehyde resin, melamine formaldehyde resin, benzoguanamine formaldehyde resin, urea formaldehyde resin, phenol resin, melamine resin, benzoguanamine resin, urea resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, polysulfone, polyphenylene Polymers obtained by polymerizing one or more of various polymerizable monomers having an oxide, polyacetal, polyimide, polyamideimide, polyether ether ketone, polyether sulfone, and ethylenically unsaturated group, etc. Can be mentioned. Since the hardness of the base material particles can be easily controlled within a suitable range, the resin for forming the resin particles is obtained by polymerizing one or more polymerizable monomers having a plurality of ethylenically unsaturated groups. It is preferably a polymer.

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。 When the resin particles are obtained by polymerizing a monomer having an ethylenically unsaturated group, the monomer having an ethylenically unsaturated group includes a non-crosslinkable monomer and a crosslinkable monomer. And can be mentioned.

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体;(メタ)アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体;メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、プロピル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート等のアルキル(メタ)アクリレート類;2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリセロール(メタ)アクリレート、ポリオキシエチレン(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等の酸素原子含有(メタ)アクリレート類;(メタ)アクリロニトリル等のニトリル含有単量体;メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類;酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類;エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素;トリフルオロメチル(メタ)アクリレート、ペンタフルオロエチル(メタ)アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the non-crosslinkable monomer include styrene-based monomers such as styrene and α-methylstyrene; carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid, maleic acid, and maleic anhydride; and methyl ( Meta) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) Alkyl (meth) acrylates such as meta) acrylate and isobornyl (meth) acrylate; oxygen atoms such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, polyoxyethylene (meth) acrylate and glycidyl (meth) acrylate. Contains (meth) acrylates; nitrile-containing monomers such as (meth) acrylonitrile; vinyl ethers such as methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, and propyl vinyl ether; acid vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl laurate, vinyl stearate, etc. Classes: unsaturated hydrocarbons such as ethylene, propylene, isoprene, and butadiene; halogen-containing monomers such as trifluoromethyl (meth) acrylate, pentafluoroethyl (meth) acrylate, vinyl chloride, vinyl fluoride, and chlorostyrene. Can be mentioned.

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセロールトリ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;トリアリル(イソ)シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−(メタ)アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable monomer include tetramethylol methanetetra (meth) acrylate, tetramethylol methanetri (meth) acrylate, tetramethylol methanedi (meth) acrylate, trimethyl propanetri (meth) acrylate, and dipenta. Elythritol hexa (meth) acrylate, dipenta erythritol penta (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) Polyfunctional (meth) acrylates such as acrylates, (poly) tetramethylene glycol di (meth) acrylates, 1,4-butanediol di (meth) acrylates; triallyl (iso) cyanurate, triallyl trimellitate, divinylbenzene, Examples thereof include silane-containing monomers such as diallyl phthalate, diallyl acrylamide, diallyl ether, γ- (meth) acryloxipropyltrimethoxysilane, trimethoxysilylstyrene, and vinyltrimethoxysilane.

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。 The resin particles can be obtained by polymerizing the polymerizable monomer having an ethylenically unsaturated group by a known method. Examples of this method include a method of suspension polymerization in the presence of a radical polymerization initiator, and a method of swelling and polymerizing a monomer together with a radical polymerization initiator using non-crosslinked seed particles.

上記基材粒子が金属を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合には、基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は、金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を2つ以上有するケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。 When the base material particles are inorganic particles other than metal or organic-inorganic hybrid particles, examples of the inorganic material for forming the base material particles include silica and carbon black. The inorganic substance is preferably not a metal. The particles formed of the silica are not particularly limited, but for example, after hydrolyzing a silicon compound having two or more hydrolyzable alkoxysilyl groups to form crosslinked polymer particles, firing is performed if necessary. Examples include particles obtained by doing so. Examples of the organic-inorganic hybrid particles include organic-inorganic hybrid particles formed of a crosslinked alkoxysilyl polymer and an acrylic resin.

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましく、銅粒子ではないことが好ましい。 When the base material particles are metal particles, examples of the metal as the material of the metal particles include silver, copper, nickel, silicon, gold, and titanium. However, the base material particles are preferably not metal particles and preferably not copper particles.

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは0.1μm以上、より好ましくは1.0μm以上、更に好ましくは1.5μm以上、特に好ましくは2.0μm以上であり、好ましくは1000μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは300μm以下、更に好ましくは50μm以下、更に一層好ましくは30μm以下、特に好ましくは6.0μm以下、最も好ましくは5.0μm以下である。上記基材粒子の粒子径は、4.0μm以下であってもよい。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が充分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が小さくなる。 The particle size of the base particles is preferably 0.1 μm or more, more preferably 1.0 μm or more, still more preferably 1.5 μm or more, particularly preferably 2.0 μm or more, preferably 1000 μm or less, more preferably. It is 500 μm or less, more preferably 300 μm or less, further preferably 50 μm or less, even more preferably 30 μm or less, particularly preferably 6.0 μm or less, and most preferably 5.0 μm or less. The particle size of the base particles may be 4.0 μm or less. When the particle size of the base material particles is equal to or larger than the above lower limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes large, so that the conduction reliability between the electrodes becomes even higher, and the conductive particles are connected via the conductive particles. The connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the conductive portion is formed on the surface of the base material particles by electroless plating, it becomes difficult to aggregate, and it becomes difficult to form the aggregated conductive particles. When the particle size of the base material particles is not more than the above upper limit, the conductive particles are easily sufficiently compressed, the connection resistance between the electrodes is further lowered, and the distance between the electrodes is further reduced.

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。 The particle size of the base material particles indicates the diameter when the base material particles are spherical, and indicates the maximum diameter when the base material particles are not spherical.

上記基材粒子の粒子径は、2.0μm以上、5.0μm以下であることが特に好ましい。上記基材粒子の粒子径が2.0〜5.0μmの範囲内であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。 The particle size of the base particles is particularly preferably 2.0 μm or more and 5.0 μm or less. When the particle size of the base material particles is in the range of 2.0 to 5.0 μm, small conductive particles can be obtained even if the distance between the electrodes is small and the thickness of the conductive portion is increased.

さらに、上記基材粒子の粒子径は、1.0μm以上、5.0μm以下であることが特に好ましい。この基材粒子の粒子径を満足する場合に、基材粒子の10%K値と導電部の内部応力とを上記の関係を満足するようにすれば、導電部の割れがかなり生じ難くなり、接続抵抗がより一層効果的に低くなる。また、導電部の割れがかなり生じ難いので、上記基材粒子の粒子径は4.0μm以下であってもよい。 Further, the particle size of the base particles is particularly preferably 1.0 μm or more and 5.0 μm or less. When the particle size of the base particles is satisfied, if the 10% K value of the base particles and the internal stress of the conductive portion satisfy the above relationship, cracking of the conductive portion is considerably less likely to occur. The connection resistance is reduced even more effectively. Further, since the conductive portion is less likely to be cracked, the particle size of the base material particles may be 4.0 μm or less.

[導電部]
上記導電部を形成するための金属は特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)及びはんだ等が挙げられる。なかでも、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウムが好ましい。
[Conductive part]
The metal for forming the conductive portion is not particularly limited. Examples of the metal include gold, silver, palladium, copper, platinum, zinc, iron, tin, lead, ruthenium, aluminum, cobalt, indium, nickel, chromium, titanium, antimony, bismuth, tarium, germanium, cadmium and silicon. And these alloys and the like. Examples of the metal include tin-doped indium oxide (ITO) and solder. Among them, an alloy containing tin, nickel, palladium, copper or gold is preferable, and nickel or palladium is preferable because the connection resistance between the electrodes can be further lowered.

導電性粒子1,11のように、上記導電部は、1つの層により形成されていてもよい。導電性粒子21のように、導電部は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、2層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電層である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。 Like the conductive particles 1 and 11, the conductive portion may be formed by one layer. Like the conductive particles 21, the conductive portion may be formed of a plurality of layers. That is, the conductive portion may have a laminated structure of two or more layers. When the conductive portion is formed by a plurality of layers, the outermost layer is preferably a gold layer, a nickel layer, a palladium layer, a copper layer or an alloy layer containing tin and silver, and is preferably a gold layer. Is more preferable. When the outermost layer is these preferable conductive layers, the connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the outermost layer is a gold layer, the corrosion resistance is further improved.

上記基材粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを基材粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。 The method of forming the conductive portion on the surface of the base particle is not particularly limited. Examples of the method for forming the conductive portion include a method by electroless plating, a method by electroplating, a method by physical vapor deposition, and a method of coating a metal powder or a paste containing the metal powder and a binder on the surface of the substrate particles. And so on. Among them, the method by electroless plating is preferable because the formation of the conductive portion is easy. Examples of the method by physical vapor deposition include methods such as vacuum vapor deposition, ion plating, and ion sputtering.

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは1μm以上であり、好ましくは520μm以下、より好ましくは500μm以下、より一層好ましくは100μm以下、更に好ましくは50μm以下、特に好ましくは20μm以下である。導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。また、導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を導電材料の用途に好適に使用可能である。 The particle size of the conductive particles is preferably 0.5 μm or more, more preferably 1 μm or more, preferably 520 μm or less, more preferably 500 μm or less, still more preferably 100 μm or less, still more preferably 50 μm or less, particularly preferably. Is 20 μm or less. When the particle diameter of the conductive particles is equal to or greater than the above lower limit and equal to or less than the above upper limit, the contact area between the conductive particles and the electrodes becomes sufficiently large and the conductive portion is formed when the electrodes are connected using the conductive particles. It becomes difficult for agglomerated conductive particles to be formed when the particles are formed. In addition, the distance between the electrodes connected via the conductive particles does not become too large, and the conductive portion does not easily peel off from the surface of the substrate particles. Further, when the particle diameter of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles can be suitably used for the use of the conductive material.

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には最大径を意味する。 The particle diameter of the conductive particles means the diameter when the conductive particles are spherical, and means the maximum diameter when the conductive particles have a shape other than the spherical shape.

上記導電部の厚み(導電部全体の厚み)は、好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは10μm以下、より好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.5μm以下、特に好ましくは0.3μm以下である。上記導電部の厚みは、導電部が多層である場合には導電層全体の厚みである。導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、十分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が十分に変形する。 The thickness of the conductive portion (thickness of the entire conductive portion) is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 10 μm or less, more preferably 1 μm or less, still more preferably 0.5 μm or less. Particularly preferably, it is 0.3 μm or less. The thickness of the conductive portion is the thickness of the entire conductive layer when the conductive portion has multiple layers. When the thickness of the conductive portion is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, sufficient conductivity is obtained, and the conductive particles are not too hard and the conductive particles are sufficiently deformed at the time of connection between the electrodes. ..

上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の厚みは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.01μm以上、更に好ましくは0.12μm以上であり、好ましくは0.5μm以下、より好ましくは0.1μm以下である。上記最外層の導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が十分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、上記最外層が金層である場合に、金層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。 When the conductive portion is formed of a plurality of layers, the thickness of the outermost conductive layer is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, still more preferably 0.12 μm or more, and is preferable. Is 0.5 μm or less, more preferably 0.1 μm or less. When the thickness of the conductive layer of the outermost layer is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the coating by the conductive layer of the outermost layer becomes uniform, the corrosion resistance becomes sufficiently high, and the connection resistance between the electrodes is further increased. It gets lower. Further, when the outermost layer is a gold layer, the thinner the gold layer, the lower the cost.

上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。 The thickness of the conductive portion can be measured by observing the cross section of the conductive particles, for example, using a transmission electron microscope (TEM).

導電性を効果的に高める観点からは、上記導電性粒子は、ニッケルを含む導電部を有することが好ましい。ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは50重量%以上、より好ましくは65重量%以上、より一層好ましくは70重量%以上、更に好ましくは75重量%以上、更に一層好ましくは80重量%以上、特に好ましくは85重量%以上、最も好ましくは90重量%以上である。上記ニッケルを含む導電部100重量%中、ニッケルの含有量は好ましくは100重量%(全量)以下であり、99重量%以下であってもよく、95重量%以下であってもよい。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、電極や導電部の表面における酸化被膜が少ない場合には、ニッケルの含有量が多いほど電極間の接続抵抗が低くなる傾向がある。 From the viewpoint of effectively increasing the conductivity, the conductive particles preferably have a conductive portion containing nickel. In 100% by weight of the conductive portion containing nickel, the content of nickel is preferably 50% by weight or more, more preferably 65% by weight or more, still more preferably 70% by weight or more, still more preferably 75% by weight or more, still more preferably. Is 80% by weight or more, particularly preferably 85% by weight or more, and most preferably 90% by weight or more. The nickel content is preferably 100% by weight (total amount) or less, 99% by weight or less, or 95% by weight or less in the 100% by weight of the conductive portion containing nickel. When the nickel content is at least the above lower limit, the connection resistance between the electrodes becomes even lower. Further, when the oxide film on the surface of the electrode or the conductive portion is small, the connection resistance between the electrodes tends to decrease as the nickel content increases.

上記導電部に含まれる金属の含有量の測定方法は、既知の種々の分析法を用いることができ、特に限定されない。この測定方法として、吸光分析法又はスペクトル分析法等が挙げられる。上記吸光分析法では、フレーム吸光光度計及び電気加熱炉吸光光度計等を用いることができる。上記スペクトル分析法としては、プラズマ発光分析法及びプラズマイオン源質量分析法等が挙げられる。 The method for measuring the content of the metal contained in the conductive portion can use various known analytical methods and is not particularly limited. Examples of this measuring method include an absorption analysis method and a spectrum analysis method. In the above absorption analysis method, a frame absorptiometer, an electric heating furnace absorptiometer, or the like can be used. Examples of the spectrum analysis method include a plasma emission spectrometry method and a plasma ion source mass spectrometry method.

上記導電部に含まれる金属の平均含有量を測定する際には、ICP発光分析装置を用いることが好ましい。ICP発光分析装置の市販品としては、HORIBA社製のICP発光分析装置等が挙げられる。 When measuring the average content of the metal contained in the conductive portion, it is preferable to use an ICP emission spectrometer. Examples of commercially available ICP emission spectrometers include ICP emission spectrometers manufactured by HORIBA.

上記導電部は、ニッケルに加えて、リン又はボロンを含んでいてもよい。また、上記導電部は、ニッケル以外の金属を含んでいてもよい。上記導電部において、複数の金属が含まれる場合に、複数の金属は合金化していてもよい。 The conductive portion may contain phosphorus or boron in addition to nickel. Further, the conductive portion may contain a metal other than nickel. When a plurality of metals are contained in the conductive portion, the plurality of metals may be alloyed.

ニッケルとリン又はボロンとを含む導電部100重量%中、リン又はボロンの含有量は好ましくは0.1重量%以上、より好ましくは1重量%以上であり、好ましくは10重量%以下、より好ましくは5重量%以下である。リン又はボロンの含有量が上記下限及び上記上限以下であると、導電部の抵抗がより一層低くなり、上記導電部が接続抵抗の低減に寄与する。 The content of phosphorus or boron in 100% by weight of the conductive portion containing nickel and phosphorus or boron is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more, preferably 10% by weight or less, more preferably. Is 5% by weight or less. When the content of phosphorus or boron is not more than the above lower limit and the above upper limit, the resistance of the conductive portion is further lowered, and the conductive portion contributes to the reduction of the connection resistance.

[芯物質]
上記導電性粒子は、導電性の表面に、突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に、突起を有することが好ましい。上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。さらに、上記導電性粒子の導電部の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。上記突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗を低くすることができる。さらに、上記導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合、又は導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
[Core material]
The conductive particles preferably have protrusions on the conductive surface. The conductive particles preferably have protrusions on the outer surface of the conductive portion. It is preferable that the number of the protrusions is plurality. An oxide film is often formed on the surface of the electrode connected by the conductive particles. Further, an oxide film is often formed on the surface of the conductive portion of the conductive particles. By using the conductive particles having the protrusions, the conductive particles are arranged between the electrodes and then crimped, so that the oxide film is effectively removed by the protrusions. Therefore, the electrodes and the conductive particles can be brought into contact with each other more reliably, and the connection resistance between the electrodes can be lowered. Further, when the conductive particles have an insulating substance on the surface, or when the conductive particles are dispersed in the binder resin and used as a conductive material, the protrusions of the conductive particles cause the conductive particles to be connected to the electrode. The resin in between can be effectively eliminated. Therefore, the continuity reliability between the electrodes is further increased.

上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子の導電性の表面及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。 By embedding the core substance in the conductive portion, it is easy for the conductive portion to have a plurality of protrusions on the outer surface. However, the core material does not necessarily have to be used in order to form protrusions on the conductive surface of the conductive particles and the surface of the conductive portion.

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法等が挙げられる。 As a method of forming the above-mentioned protrusions, a method of forming a conductive portion by electroless plating after adhering a core material to the surface of the base particle, and a method of forming a conductive portion by electroless plating on the surface of the base particle. , A method of adhering the core material and further forming the conductive portion by electroless plating, and a method of adding the core material in the middle of forming the conductive portion by electroless plating on the surface of the base particle.

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。 Examples of the material of the core substance include a conductive substance and a non-conductive substance. Examples of the conductive substance include metals, metal oxides, conductive non-metals such as graphite, and conductive polymers. Examples of the conductive polymer include polyacetylene and the like. Examples of the non-conductive substance include silica, alumina, barium titanate and zirconia. Among them, metal is preferable because the conductivity can be increased and the connection resistance can be effectively lowered. The core material is preferably metal particles. As the metal that is the material of the core material, the metal mentioned as the material of the conductive material can be appropriately used.

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム(モース硬度4.5)、ニッケル(モース硬度5)、シリカ(二酸化珪素、モース硬度6〜7)、酸化チタン(モース硬度7)、ジルコニア(モース硬度8〜9)、アルミナ(モース硬度9)、炭化タングステン(モース硬度9)及びダイヤモンド(モース硬度10)等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは5以上、より好ましくは6以上、更に好ましくは7以上、特に好ましくは7.5以上である。 Specific examples of the material of the core material include barium titanate (Mohs hardness 4.5), nickel (Mohs hardness 5), silica (silicon dioxide, Mohs hardness 6-7), titanium oxide (Mohs hardness 7), and zirconia. (Mohs hardness 8 to 9), alumina (Mohs hardness 9), tungsten carbide (Mohs hardness 9), diamond (Mohs hardness 10) and the like can be mentioned. The inorganic particles are preferably nickel, silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, more preferably silica, titanium oxide, zirconia, alumina, tungsten carbide or diamond, and titanium oxide or zirconia. , Alumina, Tungsten Carbide or Diamond, and particularly preferably Zirconia, Alumina, Tungsten Carbide or Diamond. The Mohs hardness of the material of the core material is preferably 5 or more, more preferably 6 or more, still more preferably 7 or more, and particularly preferably 7.5 or more.

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。 The shape of the core substance is not particularly limited. The shape of the core material is preferably lumpy. Examples of the core material include particulate lumps, agglomerates in which a plurality of fine particles are aggregated, and amorphous lumps.

上記芯物質の平均径(平均粒子径)は、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average diameter (average particle size) of the core substance is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the average diameter of the core material is at least the above lower limit and at least the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

上記芯物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質50個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。 The "average diameter (average particle diameter)" of the core substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the core material is obtained by observing 50 arbitrary core materials with an electron microscope or an optical microscope and calculating an average value.

上記導電性粒子1個当たりの上記の突起の数は、好ましくは3個以上、より好ましくは5個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。 The number of the above-mentioned protrusions per one of the above-mentioned conductive particles is preferably 3 or more, and more preferably 5 or more. The upper limit of the number of protrusions is not particularly limited. The upper limit of the number of protrusions can be appropriately selected in consideration of the particle size of the conductive particles and the like.

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは0.001μm以上、より好ましくは0.05μm以上であり、好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.2μm以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。 The average height of the plurality of protrusions is preferably 0.001 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, preferably 0.9 μm or less, and more preferably 0.2 μm or less. When the average height of the protrusions is at least the above lower limit and at least the above upper limit, the connection resistance between the electrodes is effectively lowered.

上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線(図2に示す破線L1)上における、突起が無いと想定した場合の導電部の仮想線(図2に示す破線L2)上(突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上)から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図2においては、破線L1と破線L2との交点から突起の先端までの距離を示す。 The height of the protrusion is a virtual line (broken line shown in FIG. 2) of the conductive portion on the line connecting the center of the conductive particle and the tip of the protrusion (broken line L1 shown in FIG. 2) assuming that there is no protrusion. L2) The distance from the top (on the outer surface of the spherical conductive particles assuming that there is no protrusion) to the tip of the protrusion is shown. That is, in FIG. 2, the distance from the intersection of the broken line L1 and the broken line L2 to the tip of the protrusion is shown.

[絶縁性物質]
上記導電性粒子は、上記導電部の表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡をより一層防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、2つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。上記導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質をより一層容易に排除できる。
[Insulating substance]
It is preferable that the conductive particles include an insulating substance arranged on the surface of the conductive portion. In this case, if conductive particles are used for the connection between the electrodes, short circuits between adjacent electrodes can be further prevented. Specifically, when a plurality of conductive particles come into contact with each other, an insulating substance exists between the plurality of electrodes, so that it is possible to prevent a short circuit between the electrodes adjacent to each other in the lateral direction rather than between the upper and lower electrodes. By pressurizing the conductive particles with the two electrodes at the time of connection between the electrodes, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be easily removed. When the conductive particles have a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion, the insulating substance between the conductive portion of the conductive particles and the electrodes can be more easily removed.

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。 The insulating substance is preferably insulating particles because the insulating substance can be more easily removed during pressure bonding between the electrodes.

上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、(メタ)アクリレート重合体、(メタ)アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。 Specific examples of the insulating resin that is the material of the insulating substance include polyolefins, (meth) acrylate polymers, (meth) acrylate copolymers, block polymers, thermoplastic resins, crosslinked products of thermoplastic resins, and heat. Examples thereof include curable resins and water-soluble resins.

上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径(平均粒子径)は好ましくは0.005μm以上、より好ましくは0.01μm以上であり、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.5μm以下である。上記絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。上記絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。 The average diameter (average particle diameter) of the insulating substance can be appropriately selected depending on the particle diameter of the conductive particles, the use of the conductive particles, and the like. The average diameter (average particle size) of the insulating substance is preferably 0.005 μm or more, more preferably 0.01 μm or more, preferably 1 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less. When the average diameter of the insulating substance is at least the above lower limit, it becomes difficult for the conductive portions of the plurality of conductive particles to come into contact with each other when the conductive particles are dispersed in the binder resin. When the average diameter of the insulating particles is not more than the above upper limit, it is not necessary to increase the pressure too high in order to eliminate the insulating substance between the electrodes and the conductive particles when connecting the electrodes. There is no need to heat to high temperature.

上記絶縁性物質の「平均径(平均粒子径)」は、数平均径(数平均粒子径)を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。 The "average diameter (average particle diameter)" of the insulating substance indicates a number average diameter (number average particle diameter). The average diameter of the insulating substance is determined by using a particle size distribution measuring device or the like.

(導電材料)
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電性粒子及び上記導電材料はそれぞれ、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。
(Conductive material)
The conductive material according to the present invention includes the above-mentioned conductive particles and a binder resin. The conductive particles are preferably dispersed in the binder resin and used as a conductive material. The conductive material is preferably an anisotropic conductive material. It is preferable that the conductive particles and the conductive material are used for electrical connection between the electrodes, respectively. The conductive material is preferably a circuit connection material.

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂としては、一般的には絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The binder resin is not particularly limited. As the binder resin, an insulating resin is generally used. Examples of the binder resin include vinyl resins, thermoplastic resins, curable resins, thermoplastic block copolymers, and elastomers. Only one kind of the binder resin may be used, or two or more kinds may be used in combination.

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。 Examples of the vinyl resin include vinyl acetate resin, acrylic resin, styrene resin and the like. Examples of the thermoplastic resin include polyolefin resins, ethylene-vinyl acetate copolymers, and polyamide resins. Examples of the curable resin include epoxy resin, urethane resin, polyimide resin, unsaturated polyester resin and the like. The curable resin may be a room temperature curable resin, a thermosetting resin, a photocurable resin, or a moisture curable resin. The curable resin may be used in combination with a curing agent. Examples of the thermoplastic block copolymer include a styrene-butadiene-styrene block copolymer, a styrene-isoprene-styrene block copolymer, a hydrogenated additive of a styrene-butadiene-styrene block copolymer, and a styrene-isoprene. -Hydrogen additives for styrene block copolymers and the like can be mentioned. Examples of the elastomer include styrene-butadiene copolymer rubber and acrylonitrile-styrene block copolymer rubber.

上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分又は熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分を含んでいてもよく、熱硬化性成分を含んでいてもよい。上記導電材料及び上記バインダー樹脂は、熱硬化性成分を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、加熱により硬化可能な硬化性化合物と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記熱硬化剤は、熱カチオン硬化開始剤であることが好ましい。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物と上記熱硬化剤とは、上記バインダー樹脂が硬化するように適宜の配合比で用いられる。上記バインダー樹脂が熱カチオン硬化開始剤を含むと、硬化物中に酸が含まれやすい。しかし、本発明に係る導電性粒子の使用により、電極間の接続抵抗を低く維持することができる。 The conductive material and the binder resin preferably contain a thermoplastic component or a thermosetting component. The conductive material and the binder resin may contain a thermoplastic component or may contain a thermosetting component. The conductive material and the binder resin preferably contain a thermosetting component. The thermosetting component preferably contains a curable compound that can be cured by heating and a thermosetting agent. The thermosetting agent is preferably a thermal cation curing initiator. The curable compound curable by heating and the thermosetting agent are used in an appropriate compounding ratio so that the binder resin is cured. When the binder resin contains a thermal cation curing initiator, an acid is likely to be contained in the cured product. However, by using the conductive particles according to the present invention, the connection resistance between the electrodes can be kept low.

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。 In addition to the conductive particles and the binder resin, the conductive material includes, for example, a filler, a bulking agent, a softening agent, a plasticizer, a polymerization catalyst, a curing catalyst, a colorant, an antioxidant, a heat stabilizer, and a photostabilizer. It may contain various additives such as an agent, an ultraviolet absorber, a lubricant, an antistatic agent and a flame retardant.

上記導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。上記導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。 The conductive material can be used as a conductive paste, a conductive film, or the like. When the conductive material is a conductive film, a film containing no conductive particles may be laminated on the conductive film containing the conductive particles. The conductive paste is preferably an anisotropic conductive paste. The conductive film is preferably an anisotropic conductive film.

上記導電材料100重量%中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは10重量%以上、より好ましくは30重量%以上、更に好ましくは50重量%以上、特に好ましくは70重量%以上であり、好ましくは99.99重量%以下、より好ましくは99.9重量%以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の導通信頼性がより一層高くなる。 The content of the binder resin in 100% by weight of the conductive material is preferably 10% by weight or more, more preferably 30% by weight or more, still more preferably 50% by weight or more, particularly preferably 70% by weight or more, and preferably 70% by weight or more. It is 99.99% by weight or less, more preferably 99.9% by weight or less. When the content of the binder resin is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conductive particles are efficiently arranged between the electrodes, and the conduction reliability of the connecting target member connected by the conductive material is further increased.

上記導電材料100重量%中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上であり、好ましくは80重量%以下、より好ましくは60重量%以下、更に好ましくは40重量%以下、特に好ましくは20重量%以下、最も好ましくは10重量%以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。 The content of the conductive particles in 100% by weight of the conductive material is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.1% by weight or more, preferably 80% by weight or less, and more preferably 60% by weight. Below, it is more preferably 40% by weight or less, particularly preferably 20% by weight or less, and most preferably 10% by weight or less. When the content of the conductive particles is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, the conduction reliability between the electrodes is further increased.

(接続構造体)
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
(Connection structure)
A connection structure can be obtained by connecting the members to be connected using the conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and a binder resin.

上記接続構造体は、第1の接続対象部材と、第2の接続対象部材と、第1,第2の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が本発明の導電性粒子により形成されているか、又は該導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第1,第2の接続対象部材が導電性粒子により接続される。 The connection structure includes a first connection target member, a second connection target member, and a connection portion connecting the first and second connection target members, and the connection portion is the conductive portion of the present invention. It is preferably a connection structure formed of the conductive particles or a conductive material containing the conductive particles and the binder resin. When conductive particles are used, the connecting portion itself is the conductive particles. That is, the first and second connection target members are connected by the conductive particles.

図4に、本発明の第1の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。 FIG. 4 schematically shows a connection structure using conductive particles according to the first embodiment of the present invention in a front sectional view.

図4に示す接続構造体51は、第1の接続対象部材52と、第2の接続対象部材53と、第1,第2の接続対象部材52,53を接続している接続部54とを備える。接続部54は、導電性粒子1を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図4では、導電性粒子1は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子1にかえて、導電性粒子11,21等を用いてもよい。 The connection structure 51 shown in FIG. 4 connects a first connection target member 52, a second connection target member 53, and a connection portion 54 connecting the first and second connection target members 52 and 53. Be prepared. The connecting portion 54 is formed by curing a conductive material containing the conductive particles 1. In FIG. 4, the conductive particles 1 are shown schematicly for convenience of illustration. Conductive particles 11, 21 and the like may be used instead of the conductive particles 1.

第1の接続対象部材52は表面(上面)に、複数の第1の電極52aを有する。第2の接続対象部材53は表面(下面)に、複数の第2の電極53aを有する。第1の電極52aと第2の電極53aとが、1つ又は複数の導電性粒子1により電気的に接続されている。従って、第1,第2の接続対象部材52,53が導電性粒子1により電気的に接続されている。 The first connection target member 52 has a plurality of first electrodes 52a on the surface (upper surface). The second connection target member 53 has a plurality of second electrodes 53a on the surface (lower surface). The first electrode 52a and the second electrode 53a are electrically connected by one or more conductive particles 1. Therefore, the first and second connection target members 52 and 53 are electrically connected by the conductive particles 1.

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。上記接続構造体の製造方法の一例としては、上記第1の接続対象部材と上記第2の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は9.8×10〜4.9×10Pa程度である。上記加熱の温度は、120〜220℃程度である。 The method for manufacturing the connection structure is not particularly limited. As an example of the method for manufacturing the connection structure, the conductive material is arranged between the first connection target member and the second connection target member, and after obtaining a laminate, the laminate is heated. And a method of pressurizing and the like. The pressurizing pressure is about 9.8 × 10 4 to 4.9 × 10 6 Pa. The heating temperature is about 120 to 220 ° C.

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。 Specific examples of the connection target member include electronic components such as semiconductor chips, capacitors and diodes, and electronic components such as printed circuit boards, flexible printed circuit boards, glass epoxy boards and circuit boards such as glass substrates. The connection target member is preferably an electronic component. The conductive particles are preferably used for electrical connection of electrodes in electronic components.

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、3価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び3価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記3価の金属元素としては、Sn、Al及びGa等が挙げられる。 Examples of the electrodes provided on the connection target member include metal electrodes such as gold electrodes, nickel electrodes, tin electrodes, aluminum electrodes, copper electrodes, silver electrodes, molybdenum electrodes and tungsten electrodes. When the connection target member is a flexible printed substrate, the electrode is preferably a gold electrode, a nickel electrode, a tin electrode, or a copper electrode. When the member to be connected is a glass substrate, the electrode is preferably an aluminum electrode, a copper electrode, a molybdenum electrode, or a tungsten electrode. When the electrode is an aluminum electrode, it may be an electrode formed only of aluminum, or an electrode in which an aluminum layer is laminated on the surface of a metal oxide layer. Examples of the material of the metal oxide layer include indium oxide doped with a trivalent metal element and zinc oxide doped with a trivalent metal element. Examples of the trivalent metal element include Sn, Al and Ga.

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.

参考例1)
(1)導電性粒子の作製
テトラメチロールメタンテトラアクリレート80重量部及びアクリロニトリル20重量部を含有するモノマー溶液に、重合触媒としてベンゾイルパーオキサイド1.5重量部を添加して溶解させて、モノマー溶液を得た。このモノマー溶液を、3重量%ポリビニルアルコール水溶液700mLに添加し、攪拌して懸濁させて、モノマー懸濁液を得た。
( Reference example 1)
(1) Preparation of Conductive Particles To a monomer solution containing 80 parts by weight of tetramethylolmethane tetraacrylate and 20 parts by weight of acrylonitrile, 1.5 parts by weight of benzoyl peroxide as a polymerization catalyst was added and dissolved to dissolve the monomer solution. Obtained. This monomer solution was added to 700 mL of a 3 wt% polyvinyl alcohol aqueous solution, and the mixture was stirred and suspended to obtain a monomer suspension.

次いで、このモノマー懸濁液を85℃に加熱することにより、重合反応を開始させ、そして反応が完結するまで10時間、この状態を保持した。得られた固形分をろ過し、熱水で洗浄してポリビニルアルコールを除去した後、分級を行うことにより、粒子径が2.5μmである基材粒子Aを得た。パラジウム触媒液を5重量%含むアルカリ溶液100重量部に、上記基材粒子A10重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Aを取り出した。次いで、基材粒子Aをジメチルアミンボラン1重量%溶液100重量部に添加し、基材粒子Aの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Aを十分に水洗した後、蒸留水500重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。次に、アルミナ粒子スラリー(平均粒子径150nm)1gを3分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子を含む懸濁液を得た。 The monomer suspension was then heated to 85 ° C. to initiate the polymerization reaction and hold this state for 10 hours until the reaction was complete. The obtained solid content was filtered, washed with hot water to remove polyvinyl alcohol, and then classified to obtain base particle A having a particle size of 2.5 μm. The base particle A was dispersed in 100 parts by weight of an alkaline solution containing 5% by weight of a palladium catalyst solution using an ultrasonic disperser, and then the base particle A was taken out by filtering the solution. .. Next, the base particle A was added to 100 parts by weight of a 1 wt% dimethylamine borane solution to activate the surface of the substrate particle A. The surface-activated substrate particles A were thoroughly washed with water, and then added to 500 parts by weight of distilled water and dispersed to obtain a dispersion liquid. Next, 1 g of an alumina particle slurry (average particle diameter 150 nm) was added to the dispersion over 3 minutes to obtain a suspension containing base particles to which a core substance was attached.

また、硫酸ニッケル0.23mol/L、ジメチルアミンボラン0.92mol/L及びこはく酸(錯化剤A)0.5mol/Lを含むニッケルめっき液(pH8.5)を用意した。 Further, a nickel plating solution (pH 8.5) containing 0.23 mol / L of nickel sulfate, 0.92 mol / L of dimethylamine borane and 0.5 mol / L of succinic acid (complexing agent A) was prepared.

得られた懸濁液を60℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、基材粒子Aの表面にニッケル−ボロン導電層(厚み0.1μm)を配置して、表面が導電層である導電性粒子を得た。導電部の外表面の全表面積100%中、突起がある部分の表面積は70%であった。 While stirring the obtained suspension at 60 ° C., the nickel plating solution was gradually added dropwise to the suspension to perform electroless nickel plating. Then, by filtering the suspension, the particles are taken out, washed with water, and dried to arrange a nickel-boron conductive layer (thickness 0.1 μm) on the surface of the base particle A, and the surface is a conductive layer. Conductive particles were obtained. The surface area of the portion with protrusions was 70% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion.

(2)接続構造体Aの作製
熱硬化性化合物であるエポキシ化合物(ナガセケムテックス社製「EP−3300P」)20重量部と、熱硬化性化合物であるエポキシ化合物(DIC社製「EPICLON HP−4032D」)15重量部と、熱硬化剤である熱カチオン発生剤(三新化学社製 サンエイド「SI−60」)5重量部と、フィラーであるシリカ(平均粒子径0.25μm)20重量部とを配合し、さらに得られた導電性粒子を配合物100重量%中での含有量が10重量%となるように添加した後、遊星式攪拌機を用いて2000rpmで5分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
(2) Preparation of Connection Structure A 20 parts by weight of an epoxy compound (“EP-3300P” manufactured by Nagase ChemteX Corporation) which is a thermosetting compound and an epoxy compound (“EPICLON HP-” manufactured by DIC Co., Ltd.) which is a thermosetting compound. 4032D ") 15 parts by weight, thermosetting agent thermal cation generator (Sun Aid" SI-60 "manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd.) 5 parts by weight, and filler silica (average particle size 0.25 μm) 20 parts by weight. , And the obtained conductive particles were added so that the content in 100% by weight of the compound was 10% by weight, and then the mixture was stirred at 2000 rpm for 5 minutes using a planetary stirrer. An anisotropic conductive paste was obtained.

L/Sが20μm/20μmのAl−Ti4%電極パターン(Al−Ti4%電極厚み1μm)を上面に有するガラス基板を用意した。また、L/Sが20μm/20μmの金電極パターン(金電極厚み20μm)を下面に有する半導体チップを用意した。 A glass substrate having an Al—Ti 4% electrode pattern (Al—Ti 4% electrode thickness 1 μm) having an L / S of 20 μm / 20 μm on the upper surface was prepared. Further, a semiconductor chip having a gold electrode pattern (gold electrode thickness 20 μm) having an L / S of 20 μm / 20 μm on the lower surface was prepared.

上記ガラス基板の上面に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ20μmとなるように塗工し、異方性導電材料層を形成した。次に、異方性導電材料層の上面に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電材料層の温度が170℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、150MPaの圧力をかけて、異方性導電材料層を180℃で硬化させ、接続構造体Aを得た。 An anisotropic conductive paste immediately after production was applied to the upper surface of the glass substrate so as to have a thickness of 20 μm to form an anisotropic conductive material layer. Next, the semiconductor chips were laminated on the upper surface of the anisotropic conductive material layer so that the electrodes face each other. Then, while adjusting the temperature of the head so that the temperature of the anisotropic conductive material layer becomes 170 ° C., the pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip, and a pressure of 150 MPa is applied to apply the anisotropic conductive material layer. Was cured at 180 ° C. to obtain a connection structure A.

(3)接続構造体Bの作製
半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、100MPaの圧力をかけて、異方性導電材料層を100℃で硬化させたこと以外は接続構造体Aと同様にして、接続構造体Bを得た。
(3) Preparation of Connection Structure B Similar to Connection Structure A except that a pressure heating head is placed on the upper surface of the semiconductor chip and a pressure of 100 MPa is applied to cure the anisotropic conductive material layer at 100 ° C. The connection structure B was obtained.

参考例2)
アルミナ粒子スラリーをニッケル粒子スラリーに変更したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
( Reference example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the alumina particle slurry was changed to a nickel particle slurry, and connection structures A and B were further obtained.

参考例3)
突起形成に粒子スラリーを用いずに、導電部の形成時に部分的に析出量がかわるように調整して突起を形成したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
( Reference example 3)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the protrusions were formed by adjusting the amount of precipitation to be partially changed during the formation of the conductive portion without using the particle slurry for forming the protrusions. Further, connection structures A and B were obtained.

参考例4)
ニッケルめっき液中の錯化剤Aをプロピオン酸(錯化剤B)に変更したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
( Reference example 4)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the complexing agent A in the nickel plating solution was changed to propionic acid (complexing agent B), and connection structures A and B were further obtained. ..

(実施例5)
ニッケルめっき液に、光沢剤としてパラトルエンスルフォンアミド(光沢剤A)を添加したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 5)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that paratoluene sulfonamide (brightening agent A) was added to the nickel plating solution, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例6)
アルミナ粒子スラリーをニッケル粒子スラリーに変更したこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 6)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5, except that the alumina particle slurry was changed to a nickel particle slurry, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例7)
突起形成に粒子スラリーを用いずに、導電部の形成時に部分的に析出量がかわるように調整して突起を形成したこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 7)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the protrusions were formed by adjusting the amount of precipitation to be partially changed when the conductive portion was formed without using the particle slurry for forming the protrusions. Further, connection structures A and B were obtained.

(実施例8)
ニッケルめっき液に、光沢剤として1,5−ナフタレンスルホン酸ナトリウム(光沢剤B)を添加したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 8)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that sodium 1,5-naphthalenesulfonate (brightener B) was added to the nickel plating solution as a brightener, and the connection structures A and B were further obtained. Got

(実施例9)
ニッケルめっき液中の錯化剤Aをプロピオン酸(錯化剤B)に変更し、光沢剤としてパラトルエンスルフォンアミド(光沢剤A)を添加したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 9)
Conductivity in the same manner as in Reference Example 1 except that the complexing agent A in the nickel plating solution was changed to propionic acid (complexing agent B) and paratoluene sulfonamide (glazing agent A) was added as a brightener. Sex particles were obtained, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例10)
ニッケルめっき液中の錯化剤Aをプロピオン酸(錯化剤B)に変更し、光沢剤として1,5−ナフタレンスルホン酸ナトリウム(光沢剤B)を添加したこと以外は、参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 10)
Same as Reference Example 1 except that the complexing agent A in the nickel plating solution was changed to propionic acid (complexing agent B) and sodium 1,5-naphthalenesulfonate (brightening agent B) was added as a brightener. Then, conductive particles were obtained, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例11)
導電部の厚みを0.15μmに変更したこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 11)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5, except that the thickness of the conductive portion was changed to 0.15 μm, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例12)
導電部の厚みを0.23μmに変更したこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 12)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5, except that the thickness of the conductive portion was changed to 0.23 μm, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例13)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が1.5μmである基材粒子Bを用いたこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 13)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the base particle B having a particle diameter of 1.5 μm was used by changing only the particle diameter from the base particle A, and further, a connecting structure was obtained. A and B were obtained.

(実施例14)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が3.5μmである基材粒子Cを用いたこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 14)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the base particles C having a particle diameter of 3.5 μm were used by changing only the particle diameter from the base particles A, and further, a connecting structure was obtained. A and B were obtained.

(実施例15)
基材粒子Aから粒子径のみをかえて、粒子径が6.0μmである基材粒子Dを用いたこと以外は、実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 15)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the base particle D having a particle diameter of 6.0 μm was used by changing only the particle diameter from the base particle A, and further, a connecting structure was obtained. A and B were obtained.

参考例16)
導電部の外表面の全表面積100%中、突起がある部分の表面積を25%に変更したこと以外は参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
( Reference example 16)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the surface area of the portion with protrusions was changed to 25% in the total surface area of the outer surface of the conductive portion, and the connecting structures A and B were further formed. Obtained.

(実施例17)
粒子径が2.0μmであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子(積水化学工業社製「ミクロパールSP−202」)の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル(シリカ、厚み250nm)により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子E)を得た。基材粒子Aを上記基材粒子Eに変更したこと以外は実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 17)
The surface of divinylbenzene copolymer resin particles (“Micropearl SP-202” manufactured by Sekisui Chemical Industry Co., Ltd.) having a particle size of 2.0 μm is coated with an inorganic shell (silica, thickness 250 nm) using a condensation reaction by a sol-gel reaction. A coated core-shell type organic-inorganic hybrid particle (base particle E) was obtained. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the base particle A was changed to the base particle E, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例18)
攪拌機及び温度計が取り付けられた500mLの反応容器内に、0.13重量%のアンモニア水溶液300gを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン4.1gと、ビニルトリメトキシシラン19.2gと、シリコーンアルコキシオリゴマー(信越化学工業社製「X−41−1053」)0.7gとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、25重量%アンモニア水溶液2.4mLを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧10−17atm、350℃で2時間焼成して、粒子径が2.5μmの有機無機ハイブリッド粒子(基材粒子F)を得た。基材粒子Aを上記基材粒子Fに変更したこと以外は実施例5と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Example 18)
300 g of a 0.13 wt% ammonia aqueous solution was placed in a 500 mL reaction vessel equipped with a stirrer and a thermometer. Next, in an aqueous ammonia solution in the reaction vessel, 4.1 g of methyltrimethoxysilane, 19.2 g of vinyltrimethoxysilane, and 0.7 g of silicone alkoxy oligomer (“X-41-1053” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) The mixture with was added slowly. After advancing the hydrolysis and condensation reaction with stirring, 2.4 mL of a 25 wt% aqueous ammonia solution was added, and then the particles were isolated from the aqueous ammonia solution, and the obtained particles were subjected to an oxygen partial pressure of 10-17 atm. , 350 ° C. for 2 hours to obtain organic-inorganic hybrid particles (base particle F) having a particle size of 2.5 μm. Conductive particles were obtained in the same manner as in Example 5 except that the base particle A was changed to the base particle F, and connection structures A and B were further obtained.

(実施例19)
4ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた1000mLのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル100mmolと、N,N,N−トリメチル−N−2−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド1mmolと、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)二塩酸塩1mmolとを含むモノマー組成物を固形分率が5重量%となるようにイオン交換水に秤取した後、200rpmで攪拌し、窒素雰囲気下70℃で24時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径220nm及びCV値10%の絶縁性粒子を得た。
(Example 19)
100 mmol of methyl methacrylate and N, N, N-trimethyl-N-2-methacryloyloxyethyl in a 1000 mL separable flask equipped with a 4-port separable cover, stirring blade, three-way cock, cooling tube and temperature probe. A monomer composition containing 1 mmol of ammonium chloride and 1 mmol of 2,2'-azobis (2-amidinopropane) dihydrochloride was weighed in ion-exchanged water so as to have a solid content of 5% by weight, and then at 200 rpm. The mixture was stirred and polymerized at 70 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction was freeze-dried to obtain insulating particles having an ammonium group on the surface, having an average particle diameter of 220 nm and a CV value of 10%.

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の10重量%水分散液を得た。 The insulating particles were dispersed in ion-exchanged water under ultrasonic irradiation to obtain a 10 wt% aqueous dispersion of the insulating particles.

実施例5で得られた導電性粒子10gをイオン交換水500mLに分散させ、絶縁性粒子の水分散液4gを添加し、室温で6時間攪拌した。3μmのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。 10 g of the conductive particles obtained in Example 5 was dispersed in 500 mL of ion-exchanged water, 4 g of an aqueous dispersion of insulating particles was added, and the mixture was stirred at room temperature for 6 hours. After filtering with a 3 μm mesh filter, the mixture was further washed with methanol and dried to obtain conductive particles to which insulating particles were attached, and further connected structures A and B were obtained.

走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が1層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より2.5μmの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積(即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積)を算出したところ、被覆率は30%であった。 When observed with a scanning electron microscope (SEM), only one coating layer of insulating particles was formed on the surface of the conductive particles. When the covering area of the insulating particles (that is, the projected area of the particle diameter of the insulating particles) was calculated for an area of 2.5 μm from the center of the conductive particles by image analysis, the covering ratio was 30%.

(比較例1)
ニッケルめっき液中に、錯化剤Aを添加しなかったこと以外は参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Comparative Example 1)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the complexing agent A was not added to the nickel plating solution, and connection structures A and B were further obtained.

(比較例2)
ニッケルめっき液中の錯化剤Aをアスパラギン酸(錯化剤C)に変更したこと以外は参考例1と同様にして、導電性粒子を得て、更に接続構造体A,Bを得た。
(Comparative Example 2)
Conductive particles were obtained in the same manner as in Reference Example 1 except that the complexing agent A in the nickel plating solution was changed to aspartic acid (complexing agent C), and connection structures A and B were further obtained.

(評価)
(1)基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率(10%K値)
得られた基材粒子の上記圧縮弾性率(10%K値)を、上述した方法により、微小圧縮試験機(フィッシャー社製「フィッシャースコープH−100」)を用いて測定した。
(Evaluation)
(1) Compressive modulus (10% K value) when the base particle is compressed by 10%
The compressive elastic modulus (10% K value) of the obtained substrate particles was measured by the method described above using a microcompression tester (“Fisherscope H-100” manufactured by Fisher).

(2)導電部の内部応力
導電性粒子における導電部の形成時における同じめっき液を用いて同じめっき処理条件で、導電材にめっき膜を形成した。この導電材は、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mmである板状の導電材とした。この導電材を用いて、上述した方法により、ストリップ式電着応力試験機(藤化成社製「683ECアナライザー」)を用いて、内部応力を測定した。
(2) Internal stress of the conductive portion A plating film was formed on the conductive material under the same plating treatment conditions using the same plating solution at the time of forming the conductive portion in the conductive particles. This conductive material was a plate-shaped conductive material having a surface area of 774 mm 2 in a flat portion on which a plating film was formed. Using this conductive material, the internal stress was measured using a strip-type electrodeposition stress tester (“683EC analyzer” manufactured by Fujikasei Co., Ltd.) by the method described above.

(3)導電部の割れ
得られた接続構造体A,Bにおいて、半導体チップを剥離した後に剥離面を観察した。50個の導電性粒子において、導電部に割れが生じているか否かを評価した。導電部の割れを下記の基準で判定した。
(3) Cracking of Conductive Part In the obtained connection structures A and B, the peeled surface was observed after peeling the semiconductor chip. It was evaluated whether or not the conductive portion was cracked in the 50 conductive particles. The cracks in the conductive part were judged according to the following criteria.

[導電部の割れの判定基準]
○○○:導電性粒子50個中、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が0個以上、10個未満
○○:導電性粒子50個中、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が10個以上、20個未満
○:導電性粒子50個中、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が20個以上、30個未満
△:導電性粒子50個中、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が30個以上、40個未満
×:導電性粒子50個中、導電部に割れが生じている導電性粒子の個数の割合が40個以上
[Criteria for cracking conductive parts]
○○○: The ratio of the number of conductive particles having cracks in the conductive part out of 50 conductive particles is 0 or more and less than 10 ○○: Cracks occur in the conductive part out of 50 conductive particles. The ratio of the number of conductive particles is 10 or more and less than 20. ◯: The ratio of the number of conductive particles in which the conductive portion is cracked is 20 or more and less than 30 out of 50 conductive particles. : The ratio of the number of conductive particles having cracks in the conductive portion out of 50 conductive particles is 30 or more and less than 40. ×: Conductive with cracks in the conductive portion among 50 conductive particles. The ratio of the number of particles is 40 or more

(4)初期の接続抵抗X
接続抵抗の測定:
得られた接続構造体A,Bの対向する電極間の接続抵抗Xを4端子法により測定した。また、初期の接続抵抗Xを下記の基準で判定した。
(4) Initial connection resistance X
Measurement of connection resistance:
The connection resistance X between the opposite electrodes of the obtained connection structures A and B was measured by the 4-terminal method. Further, the initial connection resistance X was determined according to the following criteria.

[初期の接続抵抗Xの評価基準]
○○○:接続抵抗Xが2.0Ω以下
○○:接続抵抗Xが2.0Ωを超え、3.0Ω以下
○:接続抵抗Xが3.0Ωを超え、5.0Ω以下
△:接続抵抗Xが5.0Ωを超え、10Ω以下
×:接続抵抗Xが10Ωを超える
[Evaluation criteria for initial connection resistance X]
○ ○ ○: Connection resistance X is 2.0Ω or less ○ ○: Connection resistance X is more than 2.0Ω and 3.0Ω or less ○: Connection resistance X is more than 3.0Ω and 5.0Ω or less △: Connection resistance X Exceeds 5.0Ω and 10Ω or less ×: Connection resistance X exceeds 10Ω

(4)酸の条件に晒された後の接続抵抗Y(長期信頼性)
得られた接続構造体A,Bを85℃及び湿度85%の高温高湿槽で、100時間放置した。接続構造体A,Bを上記条件で放置したことによって、バインダー樹脂中に浸入した水とバインダー樹脂中に含まれる酸の反応によって、接続構造体A,Bにおける電極間の接続部分が酸の存在下に一定期間晒された。放置後の接続構造体A,Bにおいて、接続構造体の対向する電極間の接続抵抗Yを4端子法により測定した。また、酸の存在下に晒された後の接続抵抗Yを下記の基準で判定した。
(4) Connection resistance Y after exposure to acid conditions (long-term reliability)
The obtained connection structures A and B were left in a high-temperature and high-humidity tank at 85 ° C. and 85% humidity for 100 hours. By leaving the connection structures A and B under the above conditions, the reaction between the water infiltrated into the binder resin and the acid contained in the binder resin causes the presence of acid in the connection portion between the electrodes in the connection structures A and B. It was exposed to the bottom for a certain period of time. In the connection structures A and B after being left to stand, the connection resistance Y between the opposing electrodes of the connection structure was measured by the four-terminal method. In addition, the connection resistance Y after exposure to the presence of acid was determined according to the following criteria.

[酸の条件に晒された後の接続抵抗Yの評価基準]
○○○:接続抵抗Yが接続抵抗Xの1倍未満
○○:接続抵抗Yが接続抵抗Xの1倍以上、1.5倍未満
○:接続抵抗Yが接続抵抗Xの1.5倍以上、2倍未満
△:接続抵抗Yが接続抵抗Xの2倍以上、5倍未満
×:接続抵抗Yが接続抵抗Xの5倍以上
[Evaluation criteria for connection resistance Y after exposure to acid conditions]
○ ○ ○: Connection resistance Y is less than 1 times the connection resistance X ○ ○: Connection resistance Y is 1 time or more and less than 1.5 times the connection resistance X ○: Connection resistance Y is 1.5 times or more the connection resistance X Less than 2 times Δ: Connection resistance Y is 2 times or more and less than 5 times the connection resistance X ×: Connection resistance Y is 5 times or more the connection resistance X

結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.

Figure 0006798771
Figure 0006798771

また、実施例5,11,12において、接続構造体A及びBの導電部の割れ、初期の接続抵抗及び信頼性試験後の接続抵抗の評価結果はいずれも「○○○」であるが、接続構造体A及びBの導電部の割れ、初期の接続抵抗及び信頼性試験後の接続抵抗の具体的な数値に関しては、実施例11,12の方が実施例5よりも優れていた。 Further, in Examples 5, 11 and 12, the evaluation results of the cracks in the conductive portions of the connection structures A and B, the initial connection resistance and the connection resistance after the reliability test are all "○○○". Examples 11 and 12 were superior to Example 5 in terms of specific numerical values of the cracks in the conductive portions of the connection structures A and B, the initial connection resistance, and the connection resistance after the reliability test.

1…導電性粒子
2…基材粒子
3…導電部
11…導電性粒子
11a…突起
12…導電部
12a…突起
13…芯物質
14…絶縁性物質
21…導電性粒子
21a…突起
22…導電部
22a…突起
22A…第1の導電部
22Aa…突起
22B…第2の導電部
22Ba…突起
51…接続構造体
52…第1の接続対象部材
52a…第1の電極
53…第2の接続対象部材
53a…第2の電極
54…接続部
1 ... Conductive particles 2 ... Base material particles 3 ... Conductive parts 11 ... Conductive particles 11a ... Protrusions 12 ... Conductive parts 12a ... Protrusions 13 ... Core material 14 ... Insulating material 21 ... Conductive particles 21a ... Protrusions 22 ... Conductive parts 22a ... Projection 22A ... First conductive part 22Aa ... Projection 22B ... Second conductive part 22Ba ... Projection 51 ... Connection structure 52 ... First connection target member 52a ... First electrode 53 ... Second connection target member 53a ... Second electrode 54 ... Connection

Claims (10)

基材粒子の表面上にめっき液を用いてめっき処理により導電部を形成して、前記基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された前記導電部とを備える導電性粒子を得る工程を備え
前記めっき液が、光沢剤を含み、
前記基材粒子を10%圧縮したときの圧縮弾性率が1000N/mm以上、25000N/mm以下であり、
前記めっき液を用いて、前記めっき処理と同じ条件で、めっき膜が形成される平面部分の表面積が774mm である板状の導電材(但し、該板状の導電材は、前記導電部と同じ組成を有する)を厚み5μmのめっき膜で被覆したときの前記めっき膜の内部応力が、−100N/mm以上、100N/mm以下である、導電性粒子の製造方法
Forming a conductive portion by plating using a plating solution on the surface of the base particle, and the base particle, the conductive particles Ru and a said conductive portion disposed on the surface of the substrate particles With the process of getting
The plating solution contains a brightener and contains
Compression modulus when the base particle is compressed 10% 1000 N / mm 2 or more and 25000N / mm 2 or less,
A plate-shaped conductive material having a surface area of 774 mm 2 on a flat surface portion on which a plating film is formed using the plating solution under the same conditions as the plating treatment (however, the plate-shaped conductive material is the same as the conductive portion. internal stress of the plating film when coated with a) the same composition in the plated film thickness 5μm is, -100N / mm 2 or more and 100 N / mm 2 or less, the production method of the conductive particles.
前記基材粒子の粒子径が1.0μm以上、5.0μm以下である、請求項1に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to claim 1, wherein the substrate particles have a particle size of 1.0 μm or more and 5.0 μm or less. 前記基材粒子が、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項1又は2に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to claim 1 or 2, wherein the base particles are resin particles or organic-inorganic hybrid particles. 前記導電部の外表面に複数の突起を有する導電性粒子を得る、請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to any one of claims 1 to 3, wherein conductive particles having a plurality of protrusions on the outer surface of the conductive portion are obtained . 前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える導電性粒子を得る、請求項4に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to claim 4, wherein conductive particles having a plurality of core substances that raise the outer surface of the conductive portion so as to form the plurality of protrusions in the conductive portion are obtained . .. 前記芯物質の材料のモース硬度が5以上である、請求項5に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to claim 5, wherein the material of the core substance has a Mohs hardness of 5 or more. 前記導電部の外表面の全表面積100%中、前記突起がある部分の表面積が30%以上である導電性粒子を得る、請求項4〜6のいずれか1項に記載の導電性粒子の製造方法 The production of conductive particles according to any one of claims 4 to 6, wherein conductive particles having a surface area of 30% or more of the portion having protrusions in 100% of the total surface area of the outer surface of the conductive portion are obtained . Method . 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える導電性粒子を得る、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性粒子の製造方法The method for producing conductive particles according to any one of claims 1 to 7, wherein conductive particles having an insulating substance arranged on the outer surface of the conductive portion are obtained . 請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性粒子の製造方法により導電性粒子を得る工程と、
前記導電性粒子とバインダー樹脂とを配合して、前記導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む導電材料を得る工程を備える、導電材料の製造方法
A step of obtaining conductive particles by the method for producing conductive particles according to any one of claims 1 to 8.
A method for producing a conductive material, comprising a step of blending the conductive particles and a binder resin to obtain a conductive material containing the conductive particles and the binder resin.
請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性粒子の製造方法により導電性粒子を得る工程と、
第1の接続対象部材と第2の接続対象部材とを接続する接続部を、前記導電性粒子により形成するか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成することにより、前記第1の接続対象部材と、前記第2の接続対象部材と、前記第1の接続対象部材と前記第2の接続対象部材とを接続している接続部とを備える接続構造体を得る工程とを備え、
得られる接続構造体において、前記接続部が、前記導電性粒子により形成されているか、又は前記導電材料により形成されている、接続構造体の製造方法
A step of obtaining conductive particles by the method for producing conductive particles according to any one of claims 1 to 8.
The connection portion for connecting the first connection target member and the second connection target member is formed of the conductive particles, or is formed of a conductive material containing the conductive particles and a binder resin. obtaining a first connection object member, wherein the second connection object member, the first connection object member and the front Stories second connection object member and the connecting structure Ru and a connecting portion connecting the body With process
In the resulting connection structure, the connecting portion, the conductive or is formed by the particles, or is formed by the front Kishirube material cost, the manufacturing method of the connection structure.
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