KR20170050900A - 유기전자장치 - Google Patents
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Abstract
본 출원은 유기전자장치 및 그 용도에 관한 것이다. 본 출원에서는, 우수한 광추출 효율 및 내구성을 나타내는 유기전자장치, 예를 들면, 플렉서블 소자가 제공될 수 있다. 이러한 유기전자장치는 조명 또는 디스플레이용 광원 등에 적용될 수 있다.
Description
본 출원은, 유기전자장치 및 그 용도에 관한 것이다.
유기발광소자(OLED, Organic Light Emitting Device), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등과 같은 유기전자장치는, 수분 등과 같은 외부 인자에 취약한 유기층을 포함한다. 이에 의해, 예를 들면, 특허문헌 1 내지 4 등은 외래 물질의 침투를 차단할 수 있는 구조들을 제안하고 있다.
외래 물질의 침투에 보다 취약한 플라스틱 기판 등이 적용되는 플렉서블(flexible) 구조에서는 배리어층과 같은 층이 추가로 포함될 수 있다. 통상 배리어층은 무기물을 사용하여 구현되고, 따라서 배리어층을 포함하는 유기전자장치는 무기층과 유기층이 혼재하는 구조를 가진다. 무기층과 유기층은 일반적으로 열팽창 특성 등이 상이하여 소자 내부에서 응력이 쉽게 발생할 수 있으며, 이러한 응력은 플렉서블 소자가 밴딩되는 경우에 더욱 크게 발생할 수 있다. 상기와 같이 발생하는 응력 등은 소자는 내구성 등에 매우 나쁜 영향을 준다.
본 출원은, 유기전자장치 및 그 용도를 제공한다.
예시적인 유기전자장치는, 도 1과 같이 상부 방향으로 순차 존재하는 기재 필름(101), 제 1 무기층(102), 제 1 전극층(103), 유기층(104), 제 2 전극층(105), 제 2 무기층(106) 및 커버 필름(107)을 포함할 수 있다. 상기 각 층들은 인접하는 층과의 사이에 다른 층이 존재하지 않은 상태로 직접 적층되어 있거나, 혹은 다른 층을 매개로 적층되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 상부 방향은 특별히 달리 규정하지 않는 한, 제 1 전극층에서 제 2 전극층을 향한 방향을 의미하고, 용어 하부 방향은 특별히 달리 규정하지 않는 한, 제 2 전극층에서 제 1 전극층을 향한 방향을 의미한다.
이하 명세서에서는 설명의 편의를 위하여 상기 구조에서 제 1 전극층의 하부에 존재하는 모든 요소(제 1 전극층은 제외)를 포함하는 영역을 기판 영역으로 호칭하고, 제 1 전극층과 제 2 전극층 및 그 사이에 존재하는 모든 요소를 포함하는 영역을 소자 영역으로 호칭하며, 제 2 전극층의 상부에 존재하는 모든 요소(제 2 전극층은 제외)를 포함하는 영역을 상부 영역으로 호칭한다.
기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 기재 필름으로 업계에서 통상 플렉서블 소자의 구현에 사용될 수 있는 것으로 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 기재 필름의 대표적인 예로는 박막 유리 필름이나 고분자 필름 등이 있다. 유리 필름으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등으로 형성된 필름이 예시될 수 있고, 고분자 필름으로는, PI(polyimide), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 필름이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
기재 필름으로는 투광성 필름을 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 투광성 필름은, 예를 들면, 가시광 영역 중 어느 하나의 광 또는 전체 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상 또는 80% 이상인 필름을 의미할 수 있다. 유기전자장치의 구조에 따라서는 기재 필름으로 투광성 필름이 아닌 필름을 사용할 수도 있으며, 필요하다면 필름의 표면 등에는 알루미늄 등의 반사성 물질을 사용하여 반사층이 형성되어 있을 수도 있다. 기재 필름은, 구동용 TFT(Thin Film Transistor)가 존재하는 TFT 기재 필름일 수도 있다.
기재 필름은 열팽창계수(CTE)가 약 5 ppm/°C 내지 70ppm/°C의 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 범위는 유기층과 무기층이 혼재되어 있는 구조에서 발생할 수 있는 층간 박리 등의 결함의 방지에 유리할 수 있다.
기재 필름은 유리전이온도가 약 200°C 이상일 수 있다. 이러한 유리전이온도는 기재 필름 자체의 유리전이온도이거나, 후술하는 버퍼층이 형성되어 있는 기재 필름의 유리전이온도일 수 있다. 이러한 범위는 유기전자장치의 제조 과정에서의 증착 또는 패턴을 위한 고온 공정에서 적합할 수 있다. 유리전이온도는, 다른 예시에서 약 210°C 이상, 약 220°C 이상, 약 230°C 이상, 약 240°C 이상 또는 약 250°C 이상일 수 있다. 유리전이온도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 400°C, 350°C 또는 300°C 정도일 수 있다.
기재 필름은 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)가 약 0.1 nm 내지 5 nm의 범위 내로 조절될 수 있다. 이러한 표면 거칠기는 기재 필름 자체의 표면에 대한 것이거나, 후술하는 버퍼층이 형성되어 있는 기재 필름의 상기 버퍼층의 표면에 대한 것일 수 있다. 이러한 표면 거칠기의 범위는 상부에 형성되는 층의 성능의 개선에 유리할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 무기층이 배리어성을 가지도록 형성되는 경우에 상기 범위의 표면 거칠기를 가지는 표면에 상기 제 1 무기층을 형성하면, 보다 탁월한 수분 차단성 등을 가지는 층을 형성할 수 있다. 표면 거칠기는, 다른 예시에서 약 4 nm 이하, 약 3 nm 이하, 약 2.5 nm 이하 또는 약 2 nm 이하일 수 있다.
기재 필름은, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률이다. 유기전자장치가 유기발광장치인 경우, 기재 필름의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 기재 필름의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.
기재 필름의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 성능, 예를 들면, 가요성이나 광추출 효율 또는 배리어성을 고려하여 적정 범위에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 기재 필름의 두께는 약 10 ㎛ 내지 약 50 ㎛의 범위 내 또는 약 20 ㎛ 내지 약 30 ㎛의 범위 내일 수 있다.
제 1 무기층은, 무기물을 포함하는 층이고, 상기 무기물의 종류는 목적하는 성능을 고려하여 선택될 수 있다. 본 명세서에서 용어 무기층은, 예를 들면, 중량을 기준으로 무기물을 50% 이상 또는 60% 포함하는 층일 수 있다. 무기층은, 무기물만을 포함하거나, 상기 범위 내로 무기물을 포함한다면 유기물과 같은 다른 성분을 포함할 수도 있다. 제 1 무기층은, 예를 들면, 배리어층일 수 있다. 본 명세서에서 용어 배리어층은, 수분 또는 습기와 같이 유기층 등의 소자의 성능에 나쁜 영향을 줄 수 있는 외부 인자의 침투를 차단, 억제 또는 완화할 수 있는 층일 수 있다. 예를 들어, 배리어층은, WVTR(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2/day 이하인 층일 수 있다. 본 명세서에서 WVTR은, 40°C 및 90% 상대 습도 조건에서 측정기(예를 들면, PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc.)를 사용하여 측정될 수치일 수 있다.
배리어층은 수분 및 산소 등의 외부 인자의 침투를 완화, 방지 또는 억제할 수 있는 것으로 알려진 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 소재로는, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3, Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; 또는 MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물 등이나 기타 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료나 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료 등으로 알려진 재료들이 포함될 수 있다.
제 1 무기층은 단층 구조이거나 다층 구조일 수 있다. 다층 구조는, 동종 또는 이종의 무기층이 적층된 구조이거나, 혹은 무기층과 유기층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 무기층을 배리어층으로서 다층 구조로 하는 경우에 각층이 모두 배리어성을 가지는 재료로 형성되어야 하는 것은 아니며, 최종적으로 형성된 다층 구조가 목적하는 배리어성을 나타낼 수 있다면, 다층 구조 중 일부의 층은 배리어성이 없는 층으로 형성될 수도 있다. 무기층의 형성 과정에서 발생할 수 있는 핀홀(pin hole) 등과 같은 결함(defect)의 증식(propargation)을 방지하는 측면에서 무기층을 다층 구조로 하는 것이 유리할 수 있다. 또한, 다층 구조의 배리어층은, 후술하는 굴절률이 확보되는 배리어층의 형성에도 유리할 수 있다.
제 1 무기층은 상기 기재 필름과의 굴절률의 차이가 가능한 작은 것이 적절할 수 있다. 예를 들면, 제 1 무기층과 기재 필름과의 굴절률의 차이의 절대값은, 약 1 이하, 약 0.7 이하, 약 0.5 이하 또는 약 0.3 이하일 수 있다. 따라서, 기재 필름이 전술한 바와 같은 높은 굴절률을 가지는 경우에는 무기층에도 그와 동등한 수준의 굴절률이 확보될 수 있다. 예를 들면, 무기층의 굴절률은, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 유기전자장치가 유기발광장치인 경우, 기재 필름의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 무기층의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.
제 1 무기층은, 예를 들면, 제 1 서브층과 제 2 서브층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 적층 구조는 2회 이상 반복될 수 있다.
하나의 예시에서 상기 제 1 서브층은 제 1 굴절률을 가지고, 제 2 서브층은 제 2 굴절률을 가질 수 있다. 이러한 층을 적층하면, 디커플링(decoupling) 효과를 확보하면서 무기층의 굴절률을 상기 언급한 범위로 조절하는 것에 유리할 수 있다. 상기 제 1 굴절률과 제 2 굴절률의 차이의 절대값은, 예를 들면, 0.1 내지 1.2의 범위 내에 있을 수 있다. 제 1 및 제 2 굴절률 각각의 범위는 상기 굴절률의 범위가 확보된다면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 제 1 서브층의 굴절률은, 1.4 내지 1.9의 범위 내이고, 제 2 서브층의 굴절률은 2.0 내지 2.6의 범위 내일 수 있다. 상기와 같은 제 1 및 제 2 서브층은, 각각 금속 산화물층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브층의 적합한 소재로는, Al2O3 등이 있고, 제 2 서브층에 적합한 소재로는 TiO2 등이 있지만, 각각 전술한 굴절률을 가지면서, 최종적인 적층 구조가 배리어성을 가질 수 있다면, 이 외에도 다양한 소재가 적용될 수 있다.
다른 예시에서 상기에서 제 1 서브층은, 금속층이고, 제 2 서브층은 유기 실리콘층일 수 있다. 본 명세서에서 용어 금속층은, 금속을 중량을 기준으로 40% 이상, 50% 이상 또는 60% 이상 포함하는 층이고, 이러한 금속은 단독으로 포함되거나, 금속 산화물 또는 합금의 형태로 포함될 수 있다. 이러한 적층 구조에 의해 적절한 디커플링 효과를 확보하여, 목적하는 성능, 예를 들면 배리어성이 우수한 층을 형성할 수 있다. 상기 금속층은, 예를 들면, 금속 산화물층일 수 있고, 굴절률은, 예를 들면, 약 1.4 내지 2.6의 범위 내에 있을 수 있다. 하나의 예시에서 금속층은, 상기 언급한 배리어층의 소재로 사용될 수 있는 금속 산화물, 예를 들면, Al2O3, TiO2 등의 소재로 형성할 수 있다.
유기 실리콘층은, 예를 들면, 하기 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물을 포함하거나, 그 화합물의 중합 단위를 포함하는 고분자를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
R1(R12SiO)nR1
[화학식 2]
화학식 1에서 R1은 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있고, n은 1 내지 10, 1 내지 8, 1 내지 6 또는 1 내지 4의 범위 내의 수일 수 있다.
화학식 2에서 Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있고, o은 3 내지 10, 3 내지 8, 3 내지 6 또는 3 내지 4의 범위 내의 수일 수 있다.
본 명세서에서 용어 「1가 탄화수소기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소와 수소로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 예를 들면, 상기 1가 탄화수소기는, 1개 내지 25개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소기로는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있다.
본 명세서에서 용어 「알킬기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 「알콕시기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알콕시기를 의미할 수 있다. 상기 알콕시기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알콕시기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 「알케닐기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 「알키닐기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알키닐기를 의미할 수 있다. 상기 알키닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.
본 명세서에서 용어 「아릴기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되는 관능기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있다.
본 명세서에서 용어 에폭시기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소 원자를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 등이 예시될 수 있다.
에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기에 임의적으로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 염소 또는 불소 등의 할로겐, 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등의 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 티올기 또는 1가 탄화수소기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
화학식 1 또는 2의 화합물로는, 트리비닐트리메틸사이클로실록산, 헥사메틸디실록산, 1,3,5-트리비닐-1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 예를 들면, 무기층의 두께는 약 5 nm 내지 약 60 nm의 범위 내 또는 약 10 nm 내지 약 55 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 다층 구조인 경우에 다층 구조 내의 각 서브층의 두께 범위는, 예를 들면 약 약 0.5 nm 내지 약 10 nm 또는 약 0.5 nm 내지 약 5 nm의 범위 내일 수 있다.
목적하는 성능, 예를 들면, 우수한 배리어성이나 굴절률의 달성을 위하여 무기층을 형성하는 조건이 조절될 수 있다. 예를 들면, 무기층은, 평탄면, 예를 들면, 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)가 5 nm 이하, 4.5 nm 이하, 4.0 nm 이하, 3.5 nm 이하, 3.0 nm 이하, 2.5 nm 이하, 2.0 nm 이하, 1.5 nm 이하, 1.0 nm 이하 또는 0.5 nm 이하인 면에 형성될 수 있다. 이러한 평탄면에 무기층을 형성하면 형성되는 층의 막질이 보다 개선될 수 있다. 상기 표면 거칠기는, 자체적으로 평탄도가 우수한 소재를 사용하여 조절하거나, 혹은 후술하는 바와 같이 버퍼층 등을 통해 조절할 수 있다. 목적 성능, 예를 들면 배리어성을 확보하는 또 다른 방식으로는 무기층의 형성 과정에서의 온도를 조절하는 방식이 있다. 일반적으로 무기층은, 물리적 또는 화학적 증착 방식을 사용하여 형성할 수 있는데, 이 과정에서 증착 온도를 고온, 예를 들면, 200°C 이상의 수준으로 조절할 경우에 우수한 배리어성이 확보될 수 있다.
무기층은, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed Laser Deposition), 전자빔 증착(Electron beam evaporation), 열증착(thermal evaporation) 또는 L-MBE(Laser Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), iCVD(initiated chemical vapor deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 등의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 방식으로 형성할 수 있다. 상기 방식 중에서 사용 소재에 따라 적절한 방식을 선택함으로써 무기층의 성능을 극대화할 수 있다. 상기 본 출원에서 기술한 재료를 사용한 층의 형성에는 CVD 방식이 적용될 수 있고, 특히 ALD 또는 iCVD 방식이 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 또는 금속 산화물로 형성되는 층은, ALD 방식으로 형성될 수 있고, 유기 실리콘층 등은 iCVD 방식으로 형성될 수 있다. 이하 본 명세서에서 용어 ALD층은 ALD 방식으로 형성된 층을 지칭하고, iCVD층은 iCVD 방식으로 형성된 층을 지칭한다.
기판 영역은, 헤이즈가 3% 내지 90%, 3% 내지 85%, 3% 내지 50% 또는 3% 내지 30%의 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 헤이즈 범위는, 예를 들어, 광추출 효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 필요하다면, 보다 높은 광추출 효율을 위하여 후술하는 바와 같이 발광 유닛의 전극층과의 간격 등 다른 요소도 조절될 수 있다. 다만, 유기층에서의 광이 상부 방향으로 방출되는 구조를 설계하는 경우에는 기판 영역의 헤이즈가 반드시 상술한 범위에 속해야 하는 것은 아니다. 기판 영역의 헤이즈를 조절하기 위하여, 기판 영역의 기재 필름의 헤이즈를 조절하거나, 후술하는 산란층이나 산란 접착제 등이 적용될 수 있다.
기판 영역의 헤이즈를 고려하여 전술한 기재 필름으로는 헤이즈(haze)가 있는 것을 사용할 수 있다. 다만, 후술하는 바와 같은 다른 층에 의해 기판 영역의 헤이즈가 확보되는 경우에 반드시 기재 필름이 헤이즈를 가져야 하는 것은 아니다. 헤이즈를 가지는 경우에 기재 필름의 헤이즈는 3% 내지 90%의 범위 내에 있을 수 있다. 헤이즈의 다른 하한은, 예를 들면, 5% 또는 10% 정도일 수 있다. 또한, 헤이즈의 다른 상한은, 예를 들면, 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35% 또는 30% 정도일 수 있다. 기판이 헤이즈를 가지도록 하는 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며, 헤이즈를 발생시키기 위해 통상 적용되고 있는 방식이 적용될 수 있다. 예를 들면, 고분자 필름의 경우, 주변 고분자 매트릭스와는 상이한 굴절률을 가지고, 적절한 평균 입경을 가지는 산란 입자를 첨가하는 방식이나, 고분자 자체에 헤이즈를 나타낼 수 있도록 하는 단량체, 예를 들면, 고분자의 주쇄와는 상이한 범위의 굴절률을 나타내는 단량체를 중합시키고, 이러한 고분자를 사용하여 필름을 형성하는 방법 등이 적용될 수 있다.
기판 영역은, 추가적인 층을 포함할 수 있다. 기판 영역에 추가적으로 존재할 수 있는 층으로는, 산란층, 버퍼층, 캐리어 기판, 배리어 필름 또는 접착층 등이 예시될 수 있다.
버퍼층은, 층간 밀착성을 확보하거나, 전술한 기재 필름의 표면 거칠기의 조절을 위해 형성될 수 있다. 버퍼층은, 예를 들면, 기재 필름의 상부, 산란층이 형성되는 경우에 그 상부 또는 배리어층과 제 1 전극층의 사이 등에 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 후술하는 바와 같이 필요한 경우에는 상부 영역도 버퍼층이 형성될 수 있으며, 본 명세서에서는 구별의 편의를 위하여 기판 영역에 형성되는 버퍼층은 제 1 버퍼층으로 호칭하고, 상부 영역에 형성되는 버퍼층은 제 2 버퍼층으로 호칭할 수 있다.
버퍼층은 고굴절층으로 형성될 수 있다. 본 명세서에서 용어 고굴절층은, 굴절률이 약 1.6 이상, 약 1.65 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상인 층을 의미할 수 있다. 고굴절층의 굴절률의 상한은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 약 2.5 또는 약 2.0 정도일 수 있다. 이러한 굴절률은, 예를 들면 광추출 효율을 개선하는 것에 유리할 수 있다.
버퍼층은, 효율적인 형성이 가능하고, 층간 밀착성이나 평탄도를 적절하게 확보할 수 있는 소재라면 특별히 제한없이 적절한 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 버퍼층은, 예를 들면, Al 등의 금속, SiOx, SiOxNv, SiNx, AlOx, ZnSnOx, ITO, ZnO, IZO, ZnS, MgO 또는 SnOx등의 무기 소재, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌이민, 폴리비닐알코올, 폴리아미드, 폴리티올, 폴리((메타)아크릴레이트) 또는 유기 실리콘 등과 같은 유기 소재 등을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 유기 실리콘으로는 상기 무기층의 항목에서 언급한 화합물 또는 그를 중합 단위로 포함하는 고분자가 예시될 수 있다. 다른 예시에서 버퍼층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다.
버퍼층을 전술한 소재 중에서 적절한 소재를 선택하여 형성할 수 있다. 버퍼층이 높은 굴절률을 가지는 것이 요구되는 경우에, 전술한 소재 중에서 자체적으로 굴절률이 높은 소재를 선택하거나, 혹은 상기에서 선택된 적절한 소재와 고굴절 입자를 배합하거나, 혹은 소재 중에 Ti 전구체(Ti precursor) 등과 같은 고굴절 물질을 도입한 소재를 사용할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.5 이상, 2.0 이상 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 목적하는 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 상대적으로 적은 비율로도 목적하는 굴절률로의 조절이 가능할 수 있다.
버퍼층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 전술한 PVD 또는 CVD 중에서 적절한 방식이 적용될 수 있고, 특히 iCVD 방식이 적합할 수 있다. 다른 예시에서 버퍼층은, 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식 등을 포함한 다양한 습식 또는 건식 코팅 방식으로도 형성할 수도 있다.
버퍼층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 버퍼층이 형성되는 위치 및 그 요구 기능 등을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층이 평탄면을 확보하기 위하여 산란층상에 형성되는 경우에는 평탄면의 확보를 위해 기재 필름상에 형성되는 경우에 비하여 다소 높은 두께가 요구될 수 있다.
기판 영역의 적절한 헤이즈의 확보를 위하여, 기판 영역은 산란층을 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 산란층은, 예를 들면, 그 층으로 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있도록 형성되는 모든 종류의 층을 의미할 수 있다. 산란층은 상기와 같은 기능이 나타나도록 구현되는 한 구현 형태는 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 산란층은, 매트릭스 물질 및 산란성 영역을 포함하는 층일 수 있다. 본 명세서에서 용어 「산란성 영역」은, 예를 들면, 매트릭스 물질 또는 상기 버퍼층 등과 같은 주위 물질과는 다른 굴절률을 가지고, 또한 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란, 굴절 또는 회절시킬 수 있는 영역를 의미할 수 있다. 산란성 영역은, 예를 들면, 입자이거나, 혹은 빈 공간일 수 있다. 예를 들면, 주위 물질과는 다르면서 주위 물질에 비하여 높거나 낮은 굴절률을 가지는 입자를 사용하여 산란성 영역을 형성할 수 있다. 산란성 입자의 굴절률은, 주위 물질, 예를 들면, 상기 매트릭스 물질 및/또는 버퍼층과의 굴절률의 차이가 0.3을 초과하거나 또는 0.3 이상일 수 있다. 예를 들면, 산란성 입자는, 1.0 내지 3.5 또는 1.0 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 산란성 입자의 굴절률은, 예를 들면, 1.0 내지 1.6 또는 1.0 내지 1.3일 수 있다. 다른 예시에서 산란성 입자의 굴절률은, 2.0 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도일 수 있다. 산란성 입자로는, 예를 들면, 평균 입경이 50 nm 이상, 100 nm 이상, 500 nm 이상 또는 1,000 nm 이상인 입자가 예시될 수 있다. 산란성 입자의 평균 입경은, 예를 들면, 10,000 nm 이하일 수 있다. 산란성 영역은, 또한 상기와 같은 크기를 가지는 빈 공간으로서 공기가 충전되어 있는 공간에 의해서 형성될 수도 있다.
산란성 입자 또는 영역은, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란성 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자 등이 예시될 수 있다. 산란성 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2종 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 산란성 입자로 중공 실리카(hollow silica) 등과 같은 중공 입자 또는 코어/셀 구조의 입자도 사용할 수 있다. 산란층은 산란성 입자 등의 산란성 영역을 유지하는 매트릭스 물질을 추가로 포함할 수 있다. 사용될 수 있는 매트릭스 물질의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 상기 버퍼층의 형성에 사용될 수 있는 것으로 언급된 소재 중에서 적절한 소재가 선택되어 사용될 수 있다.
다른 예시에서 산란층은, 요철 구조를 가지는 층일 수 있다. 산란층의 요철 구조를 적절하게 조절하고, 필요한 경우에 그 상부에 적절한 굴절률을 가지는 버퍼층을 형성할 경우에 입사되는 광을 산란시킬 수 있다. 요철 구조를 가지는 산란층은, 예를 들면, 열 또는 광 경화성 재료를 경화시키는 과정에서 목적하는 형상의 요철 구조를 전사할 수 있는 금형과 접촉시킨 상태로 상기 재료를 경화시키거나, 산란층을 형성할 재료의 층을 미리 형성한 후에 에칭 공정 등을 통해 요철 구조를 형성하여 제조할 수 있다. 다른 방식으로는 산란층을 형성하는 바인더 내에 적절한 크기 및 형상을 가지는 입자를 배합하는 방식으로 형성할 수도 있다. 이러한 경우에 상기 입자는 반드시 산란 기능을 가지는 입자일 필요는 없으나, 산란 기능을 가지는 입자를 사용하여도 무방하다.
산란층도, 예를 들면, 습식 또는 건식 코팅 등과 같은 코팅 방식, 혹은 PVD 또는 CVD와 같은 증착 방식으로 형성할 수 있으며, 다른 방법으로는 나노임프린팅 또는 마이크로엠보싱 방식 등도 적용될 수 있다.
기판 영역에 포함될 수 있는 다른 층으로는, 배리어 필름이 예시될 수 있다. 유리 기판 등과 같이 재료 속성상 배리어성이 우수한 기판이 사용되는 리지드 구조에 비하여 플렉서블 구조에서는 배리어성이 상대적으로 낮은 기재 필름이 적용되고, 이에 따라서 배리어성의 보완을 위해 추가적인 배리어 필름이 예를 들면 기재 필름의 하부에 존재할 수 있다. 배리어 필름으로는 특별한 제한 없이 적절한 배리어성과 필요한 경우에 투광성이 확보될 수 있는 것을 사용할 수 있다.
배리어 필름은 예를 들면, 접착층에 의해 기재 필름에 부착되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 용어 접착층은, 통상적으로 접착제로 호칭되고 있는 물질은 물론 소위 점착제로 호칭되는 소재 또는 점접착제로 호칭되는 소재 등을 사용하여 형성된 층도 포괄하는 용어이다. 상기 접착층을 형성하는 소재는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 아크릴 폴리머, 실리콘 폴리머, 고무계 폴리머, EVA(Ethylene vinyl acetate) 폴리머 또는 PIB(polyisobutylene) 등과 같은 올레핀 폴리머 등과 같은 공지의 점/접착 소재를 사용하여 형성할 수 있다.
접착층에는 적절한 수분 차단 소재가 배합될 수 있다. 이하, 본 명세서에서 수분 차단 소재가 배합된 접착층은 차단성 접착층으로 호칭될 수 있다. 본 명세서에서 용어 「수분 차단 소재」는 물리적 또는 화학적 반응 등을 통해, 외부로부터 유입되는 수분 또는 습기 등을 흡착 또는 제거할 수 있는 성분을 총칭하는 의미로 사용될 수 있다. 접착층에 배합될 수 있는 수분 차단 소재의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 금속 산화물, 유기금속산화물, 금속염 또는 오산화인(P2O5) 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합물을 들 수 있다. 상기에서 금속 산화물의 구체적인 예로는, 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 또는 산화마그네슘(MgO) 등을 들 수 있고, 금속염의 예로는, 황산리튬(Li2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 황산칼슘(CaSO4), 황산마그네슘(MgSO4), 황산코발트(CoSO4), 황산갈륨(Ga2(SO4)3), 황산티탄(Ti(SO4)2) 또는 황산니켈(NiSO4) 등과 같은 황산염, 염화칼슘(CaCl2), 염화마그네슘(MgCl2), 염화스트론튬(SrCl2), 염화이트륨(YCl3), 염화구리(CuCl2), 불화세슘(CsF), 불화탄탈륨(TaF5), 불화니오븀(NbF5), 브롬화리튬(LiBr), 브롬화칼슘(CaBr2), 브롬화세슘(CeBr3), 브롬화셀레늄(SeBr4), 브롬화바나듐(VBr3), 브롬화마그네슘(MgBr2), 요오드화바륨(BaI2) 또는 요오드화마그네슘(MgI2) 등과 같은 금속할로겐화물; 또는 과염소산바륨(Ba(ClO4)2) 또는 과염소산마그네슘(Mg(ClO4)2) 등과 같은 금속염소산염 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
접착층에는 적절산 산란 입자가 배합되어 있을 수 있고, 이에 따라 접착층 자체가 적절한 헤이즈를 나타낼 수도 있다. 접착층이 헤이즈를 나타내게 할 경우에 광 추출 효율이 개선될 수 있다. 접착층에 배합될 수 있는 산란 입자의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 접착층을 형성하는 수지의 굴절률을 고려하여 상기 산란층에 포함되는 산란 입자 중에서 적절한 종류가 선택되어 사용될 수 있다.
기판 영역에 존재할 수 있는 다른 층으로는 또한 상기 기재 필름의 하부에 일시적 또는 영구적으로 부착되어 있을 수 있는 캐리어 기판이 예시될 수 있다. 통상 캐리어 기판으로는 유리 기판과 같은 강성 기판이 적용될 수 있다.
기판 영역은, 다양한 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기판 영역은, 하부 방향으로 제 1 무기층과 기재 필름이 순차 형성된 구조, 상기 제 1 무기층과 기재 필름의 사이에 버퍼층 및/또는 산란층이 형성되어 있는 구조, 상기 기재 필름의 하부에 캐리어 필름 또는 배리어 필름이 필요하다면 접착제층에 의해 부착되어 있는 구조 등을 가질 수 있다.
기판 영역의 상부에 존재하는 소자 영역은 제 1 전극층과 제 2 전극층을 포함하고, 제 1 및 제 2 전극층의 사이에 존재하는 유기층을 또한 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 전극층은, 유기전자장치에서 통상 사용되는 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층일 수 있다. 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나는 정공 주입성 전극층으로 형성되고, 다른 하나는 전자 주입성 전극층으로 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나는 투명 전극층으로 형성되고, 다른 하나는 반사 전극층으로 형성될 수 있다.
정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 또는 반사 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.
정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다.
전자 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 투명 또는 반사 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다.
전극층의 두께는, 예를 들면, 약 90 nm 내지 200 nm, 90 nm 내지 180 nm 또는 약 90 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
제 1 및 제 2 전극층의 사이에는 유기층이 존재한다. 상기 유기층은 적어도 2개의 발광 유닛을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에서 발광 유닛에서 발생한 광은 반사 전극층에 의해 반사되는 과정 등을 거쳐서 투명 전극층측으로 방출될 수 있다.
광추출 효율을 고려하여 상기 투명 전극층과 반사 전극층의 간격은 약 400 nm 내지 약 2500 nm 또는 약 400 nm 내지 약 2300 nm의 범위 내에 있을 수 있다. 본 명세서에서 규정하는 어떤 대상과 다른 대상의 간격은, 상기 두 대상간의 대향하는 면을 연결하는 최단 거리를 의미할 수 잇다. 이와 같이 조절된 간격은 전술한 기판 영역의 헤이즈나 후술하는 반사 전극층과 발광 유닛간의 간격과 유기적으로 조합되어 광추출 효율을 개선할 수 있다. 광이 기판 영역으로 방출되도록 설계되는 경우에 제 1 전극층이 투명 전극층이고, 제 2 전극층이 반사 전극층일 수 있다. 기판 영역의 헤이즈와 발광 유닛과 반사 전극층간의 간격과 함께 반사 전극층과 기판의 간격을 상기와 같이 조절하여 보다 개선된 광추출 효율이 구현될 수 있다.
유기층은, 제 1 발광 중심 파장을 가지는 제 1 발광 유닛과 제 2 발광 중심 파장을 가지는 제 2 발광 유닛을 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 발광 중심 파장은 제 2 발광 중심 파장과 상이한 범위에 있을 수 있다. 예를 들면, 제 1 발광 중심 파장은 제 2 발광 중심 파장보다 장파장일 수 있다. 예를 들어, 제 1 발광 중심 파장(λ1)과 제 2 발광 중심 파장(λ2)의 비율(λ1/λ2)은 1.1 내지 2의 범위 내일 수 있다. 이러한 범위에서 각 발광 유닛의 발광의 혼합을 통해 목적하는 컬러를 구현할 수 있다. 상기 비율(λ1/λ2)은 다른 예시에서 1.2 이상, 1.3 이상 또는 1.4 이상일 수 있다. 또한, 상기 비율(λ1/λ2)은 다른 예시에서 1.9 이하 또는 1.85 이하일 수 있다. 광추출 효율을 고려하여 상기 각 발광 유닛과 반사 전극층의 간격은 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 발광 유닛과 상기 반사 전극층(예를 들면, 상기 제 2 전극층)간의 간격(L1)과 상기 제 2 발광 유닛과 상기 반사 전극층간의 간격(L2)의 비율(L1/L2)은 약 1.5 내지 20의 범위 내일 수 있다. 상기 비율(L1/L2)은 다른 예시에서 약 2 이상 또는 약 2.5 이상일 수 있다. 또한, 다른 예시에서 상기 비율(L1/L2)은 약 15 이하일 수 있다. 예를 들면, 이와 같이 조절된 간격과 각 발광 중심 파장을 가지는 각 발광 유닛을 포함하는 유기층이 상기 기술한 헤이즈를 가지는 기판 영역상에 형성되어 유기전자장치의 광추출 효율을 개선될 수 있다.
각 발광 유닛의 발광 중심 파장과 반사 전극층과의 간격은 상기 비율을 만족하도록 조절되는 한 구체적인 범위가 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 제 1 발광 중심 파장은, 약 500 내지 700 nm의 범위 내이고 제 2 발광 중심 파장은 약 380 내지 500 nm의 범위 내일 수 있다. 또한, 제 1 발광 유닛과 반사 전극층간의 간격은 150 nm 내지 200 nm의 범위 내이고, 제 2 발광 유닛과 반사 전극층간의 간격이 20 nm 내지 80 nm의 범위 내에 있을 수 있다.
적절한 발광을 위하여 제 1 발광 유닛과 제 2 발광 유닛의 사이에 중간 전극층 또는 전하발생층이 추가로 존재할 수 있다. 따라서 발광 유닛들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.
발광 유닛을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않는다. 업계에서는 다양한 발광 중심 파장을 가지는 형광 또는 인광 유기 재료가 공지되어 있으며, 이러한 공지의 재료 중에서 적절한 종류를 선택하여 상기 발광 유닛을 형성할 수 있다. 발광 유닛의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4’-bis(2,2’-diphenylyinyl)-1,1’-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5’-difluorophenyl)pyridine-C’2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’) iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광 유닛은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광 유닛은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수도 있다.
유기층은, 발광 유닛을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4’-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4’-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4’-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 주입된 정공이 발광 유닛을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광 유닛과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노페닐, N,N’-디페닐-N,N’-디(3-메틸페닐)-4,4’-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N’,N’-테트라-p-톨릴-4,4’-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N’-디페닐-N,N’-디(4-메톡시페닐)-4,4’-디아미노비페닐, N,N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노디페닐에테르, 4,4’-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4’-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4’-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4’-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4”-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4’-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4’-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4”-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4’-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4’-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4”-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4’-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4’-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4”-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.
유기층의 구체적인 구조는 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광 유닛, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.
유기전자장치의 상부 영역은 상부 방향으로 순차 형성된 제 2 무기층과 커버 필름을 포함할 수 있다.
제 2 무기층은, 외부 물질의 침투를 차단, 억제 또는 완화하여 내구성을 확보하기 위하여 존재하고, 구체적인 소재 및 형성 방식은 상기 제 1 무기층의 항목에서 언급한 것과 유사할 수 있다. 다만, 광이 기판 영역측으로 방출되도록 설계되는 경우에 제 2 무기층은 제 1 무기층과 같이 높은 굴절률을 가지도록 형성될 필요는 없다.
제 2 무기층의 상부에 존재하는 커버 필름은, 유기전자장치를 보호하는 구조로서, 예를 들면, 공지의 배리어 필름, 금속 시트 또는 전도성 필름 등이거나, 상기 중 2종 이상의 적층 구조일 수 있다. 상부 영역에서 커버 필름은, 접착층, 예를 들면, 전술한 차단성 접착층을 통하여 제 2 무기층의 상부에 부착되어 있을 수 있다.
상부 영역도 필요한 경우에 하나 이상의 버퍼층, 즉 제 2 버퍼층이 존재할 수 있다. 상부 영역에서 버퍼층이 존재할 수 있는 위치는 제 2 전극층과 제 2 무기층의 사이가 예시될 수 있다. 다른 예시에서 상부 영역은 제 2 버퍼층 및 제 2 배리어츠을 각각 2개 이상 포함하고, 상기가 교대로 반복되어 적층되어 있는 구조를 포함할 수도 있다. 이러한 버퍼층은, 상부 영역의 구조에서 발생하는 응력(strss)을 완화하는 역할, 제 2 무기층의 상부에 커버 필름이 형성될 때 소자의 눌림 등을 방지하는 역할 및/또는 제 2 무기층이 형성되는 온도의 제한을 줄이고, 또한 적절한 평탄면을 제공하여 제 2 무기층이 우수한 효과를 나타낼 수 있게 하는 역할 등을 할 수 있다. 제 2 버퍼층의 구체적인 소재 및 형성 방식은 상기 제 1 버퍼층의 항목에서 언급한 것과 유사할 수 있다. 다만, 광이 기판 영역측으로 방출되도록 설계되는 경우에 제 2 버퍼층은 반드시 제 1 무기층과 같이 높은 굴절률을 가지도록 형성될 필요는 없다.
제 2 버퍼층이 적절한 성능을 발휘하고, 또한 전체적인 소자 구조 내에서 목적하는 작용을 나타내도록 하기 위하여, 제 2 버퍼층은, iCVD 방식으로 형성된 iCVD층일 수 있다.
제 2 버퍼층은, 예를 들면, 폴리((메타)아크릴레이트) 또는 유기 실리콘 등을 포함할 수 있다.
폴리((메타)아크릴레이트는, 예를 들면, 하기 화학식 3의 화합물의 중합 단위를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 어떤 화합물의 중합 단위는 그 화합물이 중합되어 고분자에 포함되어 있는 형태를 의미할 수 있다. 폴리((메타)아크릴레이트)는 하기 화학식 3의 화합물의 단독 중합체이거나, 하기 화학식 3의 화합물과 함께 다른 공단량체를 포함하는 공중합체일 수 있다.
[화학식 3]
화학식 3에서 R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, A는 에폭시기 함유기 또는 지환식 1가 탄화수소기일 수 있다.
상기에서 에폭시기 함유기로는, 글리시딜기, 글리시딜옥시기, 글리시딜알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 또한, 상기에서 지환식 1가 탄화수소기는, 탄소 원자가 고리 모양으로 결합하고 있는 화합물로서 방향족 화합물이 아닌 화합물 또는 그 화합물의 유도체로부터 유래하는 1가의 잔기를 의미한다. 상기 지환식 1가 탄화수소기는 탄소수 3 내지 20, 탄소수 5 내지 15 또는 탄소수 5 내지 12의 지환식 1가 탄화수소기일 수 있고, 예를 들면, 이소보르닐기(isobornyl), 시클로헥실기, 노르보나닐기(norbornanyl), 노르보네닐기(norbornenyl), 디시클로펜타디에닐기, 에티닐시클로헥산기, 에티닐시클로헥센기 또는 에티닐데카히드로나프탈렌기 등이 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 유기 실리콘으로는 상기 기판 영역의 버퍼층의 항목에서 기술한 소재를 사용할 수 있다.
상기와 같은 소재를 사용하여, 예를 들어, iCVD 방식으로 형성되는 제 2 버퍼층은, 전체적인 소자 구조 내에서 우수한 기능을 수행할 수 있다. 제 2 버퍼층은, 목적하는 기능을 고려하여 적절한 두께로 형성될 수 있고, 예를 들면, 약 200 nm 내지 1,000 nm 또는 약 200 nm 내지 500 nm의 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기한 바와 같이 유기전자장치는, 기판 영역 또는 상부 영역에 형성되는 무기층 등과 소자 영역의 유기층 등이 혼재된 구조를 유기층과 무기층의 복합 구조를 가진다. 이와 같이 서로 상이한 속성을 가지는 유기층과 무기층이 혼재된 구조에서는, 예를 들면, 각 층의 수축 내지는 팽창 특성의 상이 등에 의해 내부적으로 응력이 존재할 수도 있는 구조를 가지게 된다. 특히, 사용 과정에서 구부림(bending) 등이 예정되어 있는 플렉서블 소자에서는 상기 내부적으로 존재하는 응력은 소자의 내구성 등에 영향을 주는 주요 문제가 될 수 있다.
명확한 것은 아니지만, 각 간격들이 상기와 같이 조절되면, 유기전자장치의 중심축(Neutral axis)이 적합한 위치에 형성되는 것으로 판단된다. 본 명세서에서 용어 중심축은 장치의 수평 방향으로 존재하는 가상의 축으로 예를 들어 장치가 볼록(convex)하거나, 오목(concave)하게 벤딩되었을 때에 그 축을 중심으로 상하에서 인장 응력(tensile stress) 또는 압축 응력(compression stress)이 우세하게 작용하는 축을 의미할 수 있다. 즉, 상기와 같은 간격 조정에 의해 중심축이 적정 위치에 위치하게 되고, 이에 따라서, 특히 구부림(bending) 시에 장치 내부에서의 응력 등이 최소화되고, 층간의 박리나 크렉(crack), 깨짐 등에 의해 유발될 수 있는 성능 저하가 방지되며, 보다 우수한 내구성의 장치를 제공할 수 있다. 상기 간격은, 예를 들면 장치에 형성할 층의 두께의 조절 등을 통해 조절할 수 있다.
본 출원은 또한 상기 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.
본 출원에서는, 우수한 광추출 효율 및 내구성을 나타내는 유기전자장치, 예를 들면, 플렉서블 소자가 제공될 수 있다. 이러한 유기전자장치는 조명 또는 디스플레이용 광원 등에 적용될 수 있다.
도 1은, 예시적인 유기전자장치를 나타내는 모식도이다.
101: 플렉서블 기재 필름
102: 제 1 무기층
103: 제 1 전극층
104: 유기층
105: 제 2 전극층
106: 제 2 무기층
107: 커버 필름
102: 제 1 무기층
103: 제 1 전극층
104: 유기층
105: 제 2 전극층
106: 제 2 무기층
107: 커버 필름
Claims (19)
- 기재 필름과 상기 기재 필름의 상부에 형성된 제 1 무기층을 가지는 기판 영역; 상기 기판 영역 상에 순차 존재하는 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 가지는 소자 영역; 및 상기 소자 영역 상에 순차 존재하는 제 2 무기층 및 커버 필름을 가지는 상부 영역을 포함하고,
상기 기재 필름과 제 2 전극층간의 간격(B)이 350 nm 내지 4,000 nm의 범위 내에 있으며, 상기 커버 필름과 제 1 전극층간의 간격(A)이 500 nm 내지 4,000 nm의 범위 내에 있고, 상기 간격들의 비율(A/B)이 0.5 내지 3의 범위 내에 있는 유기전자장치. - 제 1 항에 있어서, 기재 필름은, 굴절률이 1.5 이상인 유기전자장치.
- 제 2 항에 있어서, 기재 필름과 제 1 무기층의 굴절률의 차이의 절대값은 1 이하인 유기전자장치.
- 제 3 항에 있어서, 제 1 무기층은, 제 1 굴절률을 가지는 제 1 서브층과 제 2 굴절률을 가지는 제 2 서브층의 적층 구조를 포함하고, 상기 제 1 굴절률과 제 2 굴절률의 차이의 절대값은 0.1 내지 1.2의 범위 내에 있는 유기전자장치.
- 제 4 항에 있어서, 제 1 서브층은 알루미늄 산화물을 포함하고, 제 2 서브층은 티탄 산화물을 포함하는 유기전자장치.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 무기층은, 금속층 및 유기 실리콘층의 적층 구조를 포함하는 유기전자장치.
- 제 6 항에 있어서, 유기 실리콘층은, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물이나, 하기 화학식 1 또는 2의 화합물의 중합 단위를 포함하는 유기전자장치:
[화학식 1]
R1(R12SiO)nR1
[화학식 2]
화학식 1 또는 2에서 R1, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이고, n은 1 내지 10의 범위 내의 수이며, o은 3 내지 10의 범위 내의 수이다. - 제 1 항에 있어서, 기판 영역은 3% 내지 90%의 범위 내의 헤이즈를 가지는 유기전자장치.
- 제 1 항에 있어서, 기재 필름과 제 1 무기층의 사이에 버퍼층을 추가로 포함하는 유기전자장치.
- 제 9 항에 있어서, 버퍼층은 굴절률이 1.6 이상인 유기전자장치.
- 제 1 항에 있어서, 기재 필름의 하부에 배리어 필름을 추가로 포함하는 유기전자장치.
- 제 11 항에 있어서, 배리어 필름과 제 2 전극층간의 간격(C)과 커버 필름과 제1 전극층간의 간격(A)의 비율(C/A)은, 5 내지 30의 범위 내에 있는 유기전자장치.
- 제 1 항에 있어서, 유기층은, 제 1 발광 중심 파장을 가지는 제 1 발광 유닛과 상기 제 1 발광 중심 파장과는 다른 제 2 발광 중심 파장을 가지는 제 2 발광 유닛을 포함하는 유기전자장치.
- 제 13 항에 있어서, 제 1 발광 중심 파장(λ1)과 제 2 발광 중심 파장(λ2)의 비율(λ1/λ2)은 1.1 내지 2의 범위 내에 있는 유기전자장치.
- 제 13 항에 있어서, 제 1 발광 유닛과 제 2 전극층간의 간격(L1)과 제 2 발광 유닛과 상기 제 2 전극층간의 간격(L2)의 비율(L1/L2)은 1.5 내지 20의 범위 내에 있는 유기전자장치.
- 제 1 항에 있어서, 제 2 전극층과 제 2 무기층의 사이에 버퍼층을 추가로 포함하는 유기전자장치.
- 제 16 항에 있어서, 버퍼층은, 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 화합물의 중합 단위를 포함하는 유기전자장치:
[화학식 1]
R1(R12SiO)nR1
[화학식 2]
[화학식 3]
화학식 1 내지 3에서 R1, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이고, n은 1 내지 10의 범위 내의 수이며, o은 3 내지 10의 범위 내의 수이고, R1은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, A는 에폭시기 함유기 또는 지환식 1가 탄화수소기이다. - 제 1 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.
- 제 1 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기구.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150153006A KR20170050900A (ko) | 2015-11-02 | 2015-11-02 | 유기전자장치 |
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| JP2011171214A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機電子デバイス |
| JP2013065814A (ja) * | 2011-09-02 | 2013-04-11 | Fujifilm Corp | フレキシブル有機電子デバイス |
| KR20150034670A (ko) * | 2012-07-19 | 2015-04-03 | 글로브라이드 가부시키가이샤 | 낚싯줄 가이드 |
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2015
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Patent Citations (4)
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