KR20150072198A

KR20150072198A - Substrate treating apparatus and substrate treating method

Info

Publication number: KR20150072198A
Application number: KR1020130159588A
Authority: KR
Inventors: 서명훈
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2013-12-19
Filing date: 2013-12-19
Publication date: 2015-06-29

Abstract

Provided in the present invention is a substrate treating apparatus. The substrate treating apparatus comprises a housing; a support unit supporting a substrate, and rotating the substrate; and a washing unit washing the substrate supported on the support unit, wherein the washing unit comprises a roll brush member including a roll brush provided in parallel to the substrate having the longitudinal direction supported on the support unit; and a roll brush driver moving the roll brush in the direction parallel to the substrate.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate and a substrate processing method.

일반적으로 웨이퍼의 화학적 기계적 평탄화 공정 이후에는 웨이퍼를 세정 장치에 투입함으로써, 상기 웨이퍼의 표면에 묻어 있는 각종 슬러리성 컴파운드(slurry compound)를 제거한다. 이러한 세정 장치는 크게 1차 세정 공정과 2차 세정 공정을 수행하는데, 1차 세정 공정에서는 웨이퍼를 회전시키면서 상면과 하면을 세정하고, 2차 세정 공정에서는 웨이퍼를 린스 및 건조시킨다. 1차 세정 공정은 주로 롤 브러쉬, 세정용 케미컬 및 회전 부재에 의해 수행되는데, 이 때에는 롤 브러쉬와 웨이퍼가 회전되며 공정을 수행한다. 이 때, 롤 브러쉬는 웨이퍼의 지름에 대향되게 제공되는데, 롤 브러쉬는 일정하게 회전되나, 웨이퍼는 가장자리 영역에 비해 중앙 영역의 선속도가 작게 된다. 따라서, 가장자리 영역에 비해 중앙 영역의 세정 효율이 낮다. 따라서, 세정 공정 수행 후에 웨이퍼의 가장자리 영역에 비해 중앙 영역에 파티클 등의 이물질들이 잔류하게 된다.Generally, after the chemical mechanical planarization process of the wafer, the wafer is put into a cleaning device to remove various slurry compounds on the surface of the wafer. Such a cleaning apparatus largely performs a primary cleaning process and a secondary cleaning process. In the primary cleaning process, the top and bottom surfaces are cleaned while the wafer is rotated, and the wafer is rinsed and dried in the secondary cleaning process. The primary cleaning process is mainly performed by a roll brush, a cleaning chemical, and a rotating member, in which the roll brush and the wafer are rotated and the process is performed. At this time, the roll brush is provided so as to face the diameter of the wafer. The roll brush is rotated constantly, but the linear velocity of the central region is smaller than that of the edge region of the wafer. Therefore, the cleaning efficiency of the central area is lower than that of the edge area. Therefore, after the cleaning process, foreign substances such as particles remain in the central area as compared with the edge area of the wafer.

본 발명은 기판의 전 영역을 균일하게 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly cleaning an entire region of a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the description and the accompanying drawings will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징, 기판을 지지하고 상기 기판을 회전시키는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 길이 방향이 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판에 평행하게 제공되고, 그 중심축을 기준으로 회전되는 롤 브러쉬 및 상기 롤 브러쉬를 상기 기판에 평행한 방향으로 이동시키는 롤 브러쉬 구동기를 갖는 롤 브러쉬 부재를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing, a support unit for supporting the substrate and rotating the substrate, and a cleaning unit for cleaning the substrate supported by the support unit, And a roll brush member provided parallel to the substrate whose longitudinal direction is supported by the support unit and having a roll brush rotated about its central axis and a roll brush driver for moving the roll brush in a direction parallel to the substrate can do.

상기 롤 브러쉬 구동기는 상기 롤 브러쉬를 상기 지지 유닛의 중앙 영역을 중심으로 상기 지지 유닛의 가장자리 영역까지 반복 이동시킬 수 있다. The roll brush actuator may repeatedly move the roll brush to an edge region of the support unit about a central region of the support unit.

상기 세정 유닛은, 상기 지지 유닛의 일측에 제공되고 상기 지지 유닛 상의 상기 기판에 세정액을 분사하는 노즐 및 상기 노즐을 상기 기판에 평행한 방향으로 이동시키는 노즐 구동기를 더 포함할 수 있다.The cleaning unit may further include a nozzle provided at one side of the support unit and ejecting a cleaning liquid to the substrate on the support unit, and a nozzle driver for moving the nozzle in a direction parallel to the substrate.

상기 노즐 구동기는 상기 롤 브러쉬 구동기에 의해 상기 롤 브러쉬가 상기 지지 유닛의 상기 중앙 영역을 벗어나면, 상기 노즐을 상기 중앙 영역에 위치시킬 수 있다.The nozzle driver can position the nozzle in the central region when the roll brush is moved out of the central region of the support unit by the roll brush driver.

상기 노즐 구동기는 상기 롤 브러쉬 구동기에 의해 상기 롤 브러쉬가 상기 지지 유닛의 상기 가장자리 영역에 위치되면, 상기 노즐을 상기 중앙 영역에 위치시킬 수 있다. The nozzle driver may position the nozzle in the central region when the roll brush is positioned in the edge region of the support unit by the roll brush driver.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a substrate processing method.

기판을 처리하는 방법에 있어서, 그 길이방향이 기판에 평행하게 제공되고, 그 중심축을 기준으로 회전되는 롤 브러쉬를 상기 기판의 중앙 영역과 가장자리 영역 간에 이동시키며 세정할 수 있다.In a method of processing a substrate, a longitudinal direction of the roll brush is provided parallel to the substrate, and a roll brush rotated about a center axis of the roll brush can be moved and cleaned between a central region and an edge region of the substrate.

상기 롤 브러쉬는 상기 기판의 상기 중앙 영역에서 상기 가장자리 영역까지 반복 이동될 수 있다. The roll brush may be repeatedly moved from the central region of the substrate to the edge region.

상기 롤 브러쉬가 상기 중앙 영역에서 벗어나면, 상기 지지 유닛의 일측에 제공되는 노즐로 상기 기판의 상기 중앙 영역으로 상기 세정액을 분사할 수 있다.When the roll brush is out of the central region, the cleaning liquid may be injected into the central region of the substrate with a nozzle provided on one side of the support unit.

상기 롤 브러쉬가 상기 가장자리 영역에 위치되면, 상기 노즐로 상기 세정액을 분사할 수 있다.When the roll brush is positioned in the edge region, the cleaning liquid can be jetted to the nozzle.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판의 전 영역을 균일하게 세정할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.According to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of uniformly cleaning the entire area of the substrate.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and attached drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 세정 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 2의 세정 유닛을 측면에서 바라본 도면이다.
도 4와 도 5는 롤 브러쉬가 이동되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 노즐이 이동되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7 내지 도 11는 도 2의 세정 유닛을 이용하여 기판을 세정하는 과정을 보여주는 도면이다.1 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a top view of the cleaning unit of Fig. 1; Fig.
Figure 3 is a side view of the cleaning unit of Figure 2;
4 and 5 are views showing a state in which the roll brush is moved.
6 is a view showing a state in which the nozzle is moved.
FIGS. 7 to 11 are views showing a process of cleaning a substrate using the cleaning unit of FIG. 2. FIG.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시예에서 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼(W)를 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리, 대체로 원판 형상으로 제공된 다양한 종류의 기판일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S is described taking the wafer W used for manufacturing semiconductor chips as an example. Alternatively, however, it may be various types of substrates provided in a generally disc shape.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100), 반송 로봇(200), 처리 모듈(300), 그리고 세정 모듈(400)을 가진다. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus 10 according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 10 has an index module 100, a transfer robot 200, a processing module 300, and a cleaning module 400.

인덱스 모듈(100)은 복수의 웨이퍼(W)들이 수납된 카세트와 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송한다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인터페이스 로봇(120)을 가진다. 로드 포트(110)에는 웨이퍼(W)가 수납된 카세트가 안착된다. 로드 포트(110)는 복수 개 제공될 수 있다. 도 1을 참조하면, 로드 포트(112, 114, 116, 118)는 4개가 일렬로 배치된다. 로드 포트(110)의 개수는 공정 효율 및 풋 프린트 조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수 있다. 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에 놓인 카세트로부터 웨이퍼(W)를 꺼내 버퍼부(460)에 안착시킨다.The index module 100 conveys the wafer W between the cassette containing a plurality of wafers W and the cleaning module 400. The index module 100 has a load port 110 and an interface robot 120. In the load port 110, a cassette containing the wafer W is seated. A plurality of load ports 110 may be provided. Referring to FIG. 1, four load ports 112, 114, 116, and 118 are arranged in a line. The number of load ports 110 may increase or decrease depending on process efficiency, footprint conditions, and the like. The interface robot 120 takes the wafer W out of the cassette placed on the load port 110 and places it on the buffer part 460.

반송 로봇(200)은 처리 모듈(300)과 세정 모듈(400) 사이에 제공된다. 반송 로봇(200)은 처리 모듈(300) 과 세정 모듈(400) 간에 웨이퍼(W)를 반송시킨다. The transfer robot 200 is provided between the processing module 300 and the cleaning module 400. The transfer robot 200 transfers the wafer W between the processing module 300 and the cleaning module 400.

처리 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 처리한다. 이하에서는, 처리 모듈(300)이 연마 공정을 수행하는 연마 모듈(300)인 것을 예로 들어 설명한다. 연마 모듈(300)은 웨이퍼(W)를 화학적, 기계적 연마한다. 연마 모듈(300)은 익스체인져(Exchanger, 310), 로딩 컵(320), 연마 스테이션(330), 아암(340), 연마 헤드(350)를 포함한다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)과 인접하게 제공된다. 익스체인져(310)는 반송 로봇(200)으로부터 받은 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 제공한다. 로딩 컵(320)에 놓인 웨이퍼(W)는 연마 헤드(350)에 장착된다. 연마 스테이션(330)은 웨이퍼(W) 연마 공정을 수행한다. 연마 스테이션(330)은 연마 패드가 부착된 플래튼을 가진다. 연마 스테이션(330)은 복수 개 제공될 수 있다. 일 예로, 도 1과 같이, 연마 스테이션(330)은 3개가 제공된다. 복수 개의 연마 스테이션(332, 334, 336)들은 순차적으로 연마 공정을 수행할 수 있다. 연마 공정은 각각의 연마 스테이션(332, 334, 336)에서 하나의 웨이퍼(W)에 대해 부분적으로 진행될 수 있다. 아암(340)은 연마 스테이션(330) 상부에 제공된다. 도 1을 참조하면, 아암(340)의 단부에 각각 연마 헤드(350)가 고정 결합되어 제공된다. 아암(340)은 그 중심축을 기준으로, 연마 헤드(350)를 회전시킨다. 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 연마 스테이션(330)으로 이동시킨다. 연마 헤드(350)는 진공을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착한다. 연마 공정이 끝나면, 연마 헤드(350)는 웨이퍼(W)를 로딩 컵(320)에 언로딩한다. 언로딩된 웨이퍼(W)는 익스체인져(310)로부터 다시 반송 로봇(200)으로 제공된다. 또한, 도면에서는 도시되지 않았지만, 연마 모듈(300)은 슬러리 공급부 등을 포함할 수 있다.The processing module 300 processes the wafer W. [ In the following description, the processing module 300 is an abrasive module 300 that performs a polishing process. The polishing module 300 chemically and mechanically polishes the wafer W. The polishing module 300 includes an exchanger 310, a loading cup 320, a polishing station 330, an arm 340, and a polishing head 350. The exchanger 310 is provided adjacent to the conveying robot 200. The exchanger 310 provides the loading cup 320 with the wafer W received from the transfer robot 200. The wafer W placed on the loading cup 320 is mounted on the polishing head 350. The polishing station 330 performs the wafer W polishing process. The polishing station 330 has a platen to which a polishing pad is attached. A plurality of polishing stations 330 may be provided. As an example, as shown in Fig. 1, three polishing stations 330 are provided. The plurality of polishing stations 332, 334, and 336 may sequentially perform the polishing process. The polishing process can be partially performed on one wafer W at each of the polishing stations 332, 334, and 336. The arm 340 is provided on top of the polishing station 330. Referring to FIG. 1, each end of the arm 340 is provided with a polishing head 350 fixedly coupled thereto. The arm 340 rotates the polishing head 350 about the central axis thereof. The polishing head 350 moves the wafer W to the polishing station 330. The polishing head 350 sucks the wafer W using a vacuum. At the end of the polishing process, the polishing head 350 unloads the wafer W to the loading cup 320. The unloaded wafers W are supplied from the exchanger 310 to the conveying robot 200 again. Further, although not shown in the drawings, the polishing module 300 may include a slurry supply unit or the like.

세정 모듈(400)은 인덱스 모듈(100)와 연마 모듈(300) 사이에 제공된다. 도 1을 참조하면, 세정 모듈(400)는 인덱스 모듈(100)에 인접하게 제공된다. 세정 모듈(400)는 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440), 이송 유닛(450), 그리고 버퍼부(460)를 포함한다. 도 1과 같이, 세정 모듈(400)은 4개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)를 포함할 수 있다. 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 각각 순차적으로 세정 공정을 수행할 수 있다. 일 예로, 복수 개의 세정 장치(410, 420, 430, 440)는 서로 동일한 세정 공정 또는 상이한 세정 공정을 수행할 수 있다. 버퍼부(460)에는 웨이퍼(W)가 수직한 상태로 재치된다. 이 경우, 인터페이스 로봇(120)과 반송 로봇(200)은 웨이퍼(W)를 지지하는 핸드가 수평 상태와 수직 상태 간에 변환이 가능하다. 따라서, 인터페이스 로봇(120)은 로드 포트(110)에서 웨이퍼(W)를 수평 상태로 꺼낸 후, 버퍼부(460)에 수직 상태로 제공한다. 반송 로봇(400)은 버퍼부(460)에서 웨이퍼(W)를 수직 상태로 꺼낸 후, 로딩 컵(320)에 수평 상태로 제공한다. 버퍼부(460)에 웨이퍼(W)가 수직 상태로 재치됨에 따라, 세정 모듈(400)의 점유 면적(foot print)를 줄일 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(10)는 한정된 공간 내에서 공간 효율성이 높아진다. The cleaning module 400 is provided between the index module 100 and the polishing module 300. Referring to FIG. 1, a cleaning module 400 is provided adjacent to the index module 100. The cleaning module 400 includes a plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440, a transfer unit 450, and a buffer unit 460. As shown in FIG. 1, the cleaning module 400 may include four cleaning devices 410, 420, 430, and 440. The plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440 may sequentially perform a cleaning process. For example, the plurality of cleaning devices 410, 420, 430, and 440 may perform the same cleaning process or different cleaning processes. In the buffer unit 460, the wafer W is placed vertically. In this case, the interface robot 120 and the carrying robot 200 can convert the hand supporting the wafer W between the horizontal state and the vertical state. Accordingly, the interface robot 120 horizontally removes the wafer W from the load port 110, and then vertically supplies the wafer W to the buffer unit 460. The carrier robot 400 removes the wafer W vertically from the buffer unit 460 and horizontally supplies the wafer W to the loading cup 320. The footprint of the cleaning module 400 can be reduced as the wafer W is mounted on the buffer unit 460 in a vertical state. Therefore, the substrate processing apparatus 10 has high spatial efficiency within a limited space.

이하, 위 세정 장치들 중 브러쉬를 이용하여 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(410)에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(4100)를 보여주는 도면이다. 기판 처리 장치(4100)는 하우징(4110), 지지 유닛(4120), 그리고 세정 유닛(4130)을 포함한다. 하우징(4110)은 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 지지 유닛(4120)은 하우징(4110) 내 배치된다. 지지 유닛(4120)은 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 유닛(4120)은 웨이퍼(W)를 회전시킨다. Hereinafter, a substrate processing apparatus 410 for performing a cleaning process using a brush among the above cleaning apparatuses will be described. 2 is a view showing a substrate processing apparatus 4100 according to a preferred embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 4100 includes a housing 4110, a supporting unit 4120, and a cleaning unit 4130. The housing 4110 provides space in which the process is performed. The support unit 4120 is disposed in the housing 4110. The support unit 4120 supports the wafer W. [ The supporting unit 4120 rotates the wafer W.

도 2는 도 1의 세정 유닛(4130)을 상부에서 바라본 도면이다. 도 3은 도 2의 세정 유닛(4130)을 측면에서 바라본 도면이다. 도 4와 도 5는 롤 브러쉬(4140)가 이동하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6은 노즐(4150)이 이동되는 모습을 보여주는 도면이다. 세정 유닛(4130)은 지지 유닛(4120)에 지지된 웨이퍼(W)를 세정한다. 세정 유닛(4130)은 롤 브러쉬(4140), 롤 브러쉬 구동기(4145), 노즐(4150), 노즐 구동기(4155), 그리고 제어기(4160)를 포함한다. 연마 공정 후에는, 웨이퍼(W) 상에 케미컬 또는 슬러리 등이 잔존한다. 따라서, 웨이퍼(W)는 기판 처리 장치(4100)에서 세정 유닛(4130)에 의해 세정된다.2 is a top view of the cleaning unit 4130 of FIG. 3 is a side view of the cleaning unit 4130 of FIG. 4 and 5 are views showing a state in which the roll brush 4140 moves. 6 is a view showing a state in which the nozzle 4150 is moved. The cleaning unit 4130 cleans the wafer W supported by the supporting unit 4120. The cleaning unit 4130 includes a roll brush 4140, a roll brush driver 4145, a nozzle 4150, a nozzle driver 4155, and a controller 4160. After the polishing process, a chemical or slurry remains on the wafer W. Accordingly, the wafer W is cleaned by the cleaning unit 4130 in the substrate processing apparatus 4100.

도 2와 같이, 롤 브러쉬(4140)는 그 길이 방향이 웨이퍼(W)의 지름에 대향되게 제공된다. 롤 브러쉬(4140)는 지지 유닛(4120)에 지지된 웨이퍼(W)와 평행하게 제공된다. 롤 브러쉬(4140)는 그 중심축을 기준으로 회전된다. 도 3을 참조하면, 롤 브러쉬(4140)는 웨이퍼(W)의 표면과 접촉되도록 제공된다. As shown in Fig. 2, the roll brush 4140 is provided so that its longitudinal direction is opposite to the diameter of the wafer W. [ The roll brush 4140 is provided in parallel with the wafer W supported by the supporting unit 4120. [ The roll brush 4140 is rotated about its central axis. 3, the roll brush 4140 is provided to be in contact with the surface of the wafer W. [

롤 브러쉬 구동기(4145)는 롤 브러쉬(4140)를 이동시킨다. 도 4와 도 5를 참조하면, 롤 브러쉬 구동기(4145)는 롤 브러쉬(4140)를 웨이퍼(W)에 평행한 방향으로 이동시킨다. 일 예로, 도 5와 같이, 롤 브러쉬 구동기(4145)는 롤 브러쉬(4140)를 지지 유닛(4120)의 중앙 영역을 중심으로 지지 유닛(4120)의 가장자리 영역까지 반복 이동시킬 수 있다. The roll brush driver 4145 moves the roll brush 4140. Referring to FIGS. 4 and 5, the roll brush actuator 4145 moves the roll brush 4140 in a direction parallel to the wafer W. 5, the roll brush driver 4145 can repeatedly move the roll brush 4140 to the edge area of the support unit 4120 about the central area of the support unit 4120. [

다시 도 2를 참조하면, 노즐(4150)은 지지 유닛(4120)의 일측에 제공된다. 노즐(4150)의 토출구는 지지 유닛(4120)의 상부에 제공된다. 노즐(4150)은 지지 유닛(4120) 상의 웨이퍼(W)에 세정액을 분사한다. 세정액은 순수일 수 있다. 이와 달리, 세정액은 케미컬일 수 있다. Referring again to Fig. 2, the nozzle 4150 is provided on one side of the supporting unit 4120. Fig. The discharge port of the nozzle 4150 is provided at the upper portion of the support unit 4120. The nozzle 4150 ejects the cleaning liquid onto the wafer W on the supporting unit 4120. The cleaning liquid may be pure. Alternatively, the cleaning liquid may be a chemical.

노즐 구동기(4155)는 노즐(4150)을 이동시킨다. 도 6을 참조하면, 노즐 구동기(4155)는 노즐(4150)을 웨이퍼(W)에 평행한 방향으로 이동시킨다. 노즐 구동기(4155)는 노즐 구동기(4155)의 중심축을 기준으로 회전시켜 노즐(4150)을 이동시킬 수 있다. 이와 달리, 노즐 구동기(4155)는 웨이퍼(W)에 평행한 방향으로 수평 이동할 수 있다. 도 6과 같이, 노즐 구동기(4155)는 노즐(4150)의 토출구가 웨이퍼(W)의 중앙 영역의 상부에 위치시킬 수 있다. The nozzle driver 4155 moves the nozzle 4150. Referring to FIG. 6, the nozzle driver 4155 moves the nozzle 4150 in a direction parallel to the wafer W. The nozzle driver 4155 can rotate the nozzle 4155 about the central axis of the nozzle driver 4155 to move the nozzle 4150. Alternatively, the nozzle driver 4155 may horizontally move in a direction parallel to the wafer W. [ 6, the nozzle driver 4155 can position the discharge port of the nozzle 4150 above the central region of the wafer W. [

제어기(4160)는 롤 브러쉬 구동기(4145) 및 노즐 구동기(4155)를 제어한다.The controller 4160 controls the roll brush driver 4145 and the nozzle driver 4155.

이하, 도 7 내지 도 11을 참조하여, 세정 유닛(4130)이 웨이퍼(W)를 세정하는 과정을 설명한다. 먼저, 웨이퍼(W)의 중앙 영역에 제공된 롤 브러쉬(4140)가 그 중심축을 기준으로 회전되며 웨이퍼(W)를 세정한다. 이 때, 노즐(4150)은 웨이퍼(W)의 일측에 제공될 수 있다. 이후, 롤 브러쉬 구동기(4145)가 롤 브러쉬(4140)를 웨이퍼(W)에 평행한 방향으로 이동시킨다. 롤 브러쉬 구동기(4145)에 의해 롤 브러쉬(4140)가 웨이퍼(W)의 중앙 영역에서 벗어나면, 노즐 구동기(4155)가 노즐(4150)을 웨이퍼(W)의 중앙 영역의 상부에 위치시킨다. 노즐(4150)은 웨이퍼(W)의 상면으로 세정액을 분사한다. 중앙 영역에 세정액이 분사됨으로써, 중앙 영역에 잔류하는 파티클 등의 이물질들이 제거될 수 있다. 이 때, 노즐(4150)은 롤 브러쉬(4140)가 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 위치되었을 때, 웨이퍼(W)의 중앙 영역으로 이동되고 세정액을 분사할 수 있다. Hereinafter, the process of cleaning the wafer W by the cleaning unit 4130 will be described with reference to FIGS. 7 to 11. FIG. First, the roll brush 4140 provided in the central region of the wafer W is rotated with respect to its central axis to clean the wafer W. [ At this time, the nozzle 4150 may be provided on one side of the wafer W. [ Thereafter, the roll brush actuator 4145 moves the roll brush 4140 in a direction parallel to the wafer W. [ The nozzle driver 4155 causes the nozzle 4150 to be positioned above the central region of the wafer W when the roll brush 4140 is moved away from the central region of the wafer W by the roll brush driver 4145. [ The nozzle 4150 ejects the cleaning liquid onto the upper surface of the wafer W. [ By spraying the cleaning liquid to the central area, foreign substances such as particles remaining in the central area can be removed. At this time, when the roll brush 4140 is positioned in the edge region of the wafer W, the nozzle 4150 can move to the central region of the wafer W and can spray the cleaning liquid.

이상에서는 처리 모듈(300)이 웨이퍼(W)에 대해 화학적, 기계적 연마하는 공정을 수행하는 모듈인 것으로 설명하였으나, 이와 달리 다른 공정을 수행하는 모듈일 수 있다. 또한, 세정 모듈(400)이 처리 모듈(300)과 하나의 장치로 제공되는 것으로 설명하였으나, 선택적으로, 세정 모듈(400)은 처리 모듈(300)과 독립적으로 제공될 수 있다. 이 때, 세정 모듈(400)은 별도의 장치로 제공되고, 세정 모듈(400)과 처리 모듈(300)간에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 로봇 및 웨이퍼(W)를 재치하는 용기 등이 제공될 수 있다. In the above description, the processing module 300 is a module for performing chemical and mechanical polishing of the wafer W. Alternatively, the processing module 300 may be a module for performing other processes. In addition, although the cleaning module 400 is described as being provided with the processing module 300 as a single device, the cleaning module 400 may be provided independently of the processing module 300. The cleaning module 400 is provided as a separate device and is provided with a transport robot for transporting the wafer W between the cleaning module 400 and the processing module 300 and a container for placing the wafer W .

상술한 예들에서는 웨이퍼(W)에 대한 세정 공정이 이루어지도록 설명하였으나, 이와 달리 공정의 종류와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)에 대해 스팀 부재 또는 노즐 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above examples, the cleaning process for the wafer W has been described. However, the number of process chambers and the number of process chambers may be different from each other. Further, a steam member, a nozzle member or the like may be further provided for the wafer W. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. The present invention is not limited to the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limited to be applied, and all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications can be made.

100 : 인덱스 모듈 200 : 반송 로봇
300 : 연마 모듈 400 : 세정 모듈
4120 : 지지 유닛 4130 : 세정 유닛
4140 : 롤 브러쉬 4145 : 롤 브러쉬 구동기
4150 : 노즐 4155 : 노즐 구동기100: Index module 200: Transport robot
300: polishing module 400: cleaning module
4120: support unit 4130: cleaning unit
4140: Roll Brush 4145: Roll Brush Actuator
4150: nozzle 4155: nozzle actuator

Claims

An apparatus for processing a substrate,
housing;
A support unit for supporting the substrate in the housing and rotating the substrate; And
And a cleaning unit for cleaning the substrate supported by the supporting unit,
The cleaning unit includes:
A roll brush provided parallel to the substrate whose longitudinal direction is supported by the support unit and rotated about its central axis;
And a roll brush driver for moving the roll brush in a direction parallel to the substrate.

The method according to claim 1,
Wherein the roll brush actuator repeatedly moves the roll brush around the central region of the support unit to the edge region of the support unit.