KR20150018483A - 광디바이스 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 147
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
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Abstract
Description
도 2는 종래 복수의 광소자로 이루어진 광 디바이스의 구성을 개략적으로 보인 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 디바이스의 회로 구성도.
도 4는 본 발명의 광 디바이스용 기판 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 디바이스용 기판의 평면도.
도 5b는 도 4에서 캐비티 형성 공정이 완료된 상태의 평면도 및 그 I-I선을 절취하여 본 단면도.
도 5c는 도 4에서 도금 공정이 완료된 상태의 광 디바이스용 기판의 평면도 및 그 I-I선 단면도.
도 5d는 도 4에서 광소자 및 구동회로 소자의 탑재 공정이 완료된 상태의 광 디바이스용 기판의 평면도 및 그 I-I선 단면도.
도 5e는 도 4에서 봉지재 봉입 공정이 완료된 상태의 광 디바이스용 기판의 평면도 및 그 I-I선 단면도.
도 5f는 전원회로 기판의 부착이 완료된 상태의 광 디바이스용 기판의 평면도와 그 I-I선 단면도.
도 5g는 히트싱크의 부착이 완료된 상태의 광 디바이스용 기판의 평면도와 그 I-I선 단면도.
도 6은 도 3의 회로 구성을 갖는 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스의 실제 제작 공정을 보인 사진.
도 7은 본 발명에서 도 3에 도시한 광 디바이스용 회로 기판을 제조하기 위한 다른 방법을 설명하기 위한 사시도.
도 8은 본 발명에서 도 3에 도시한 광 디바이스용 회로 기판을 제조하기 위한 또 다른 방법을 설명하기 위한 사시도.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 디바이스의 평면도.
120: 종바향 수직 졀연층, 130: 백색 도료층,
140: 광소자용 캐비티, 142: 상대적 소면적부,
144: 상대적 대면적부, 150: 수동소자용 캐비티,
160: 구동IC용 캐비티, 170: 금속 도금층,
180, 190:50 2: 요홈,
180, D1 - D10: 광소자, 182: 와이어,
190, 192: 봉지재, R: 저항,
C: 콘덴서, U1: 구동 IC
Claims (1)
- 기판을 횡방향의 상하로 관통하는 복수의 횡방향 수직 절연층이 형성된 광 디바이스용 기판;
상기 광 디바이스용 기판의 상면에 형성된 광소자용 캐비티;
상기 광소자용 캐비티 내에 부착된 복수개의 광소자를 포함하되,
상기 횡방향 수직 절연층은 상기 광소자용 캐비티 내에서 서로 평행하게 복수 개가 배열되며,
상기 복수 개의 광소자들 중에서 상기 횡방향 수직 절연층과 동일 방향으로 배치된 광소자들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 횡방향 수직 절연층과 직교하는 방향으로 배치된 광소자들은 서로 전기적으로 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 광디바이스.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140188256A KR20150018483A (ko) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 광디바이스 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140188256A KR20150018483A (ko) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 광디바이스 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130055632A Division KR101764344B1 (ko) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | 구동회로 및 전원회로 일체형 광 디바이스 기판 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150018483A true KR20150018483A (ko) | 2015-02-23 |
Family
ID=53046842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140188256A KR20150018483A (ko) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 광디바이스 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20150018483A (ko) |
-
2014
- 2014-12-24 KR KR1020140188256A patent/KR20150018483A/ko active Search and Examination
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0107 | Divisional application |
Comment text: Divisional Application of Patent Patent event date: 20141224 Patent event code: PA01071R01D Filing date: 20130516 Application number text: 1020130055632 |
|
PA0201 | Request for examination | ||
PG1501 | Laying open of application | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20150712 Patent event code: PE09021S01D |
|
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20151106 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20150712 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |
|
AMND | Amendment | ||
PX0901 | Re-examination |
Patent event code: PX09011S01I Patent event date: 20151106 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX09012R01I Patent event date: 20150824 Comment text: Amendment to Specification, etc. |
|
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event date: 20160105 Patent event code: PE09021S02D |
|
AMND | Amendment | ||
PX0601 | Decision of rejection after re-examination |
Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06014S01D Patent event date: 20160727 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20160225 Comment text: Final Notice of Reason for Refusal Patent event code: PX06013S02I Patent event date: 20160105 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20151223 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PX06011S01I Patent event date: 20151106 Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event code: PX06012R01I Patent event date: 20150824 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PX06013S01I Patent event date: 20150712 |