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KR20130108027A - 유기전자소자용 기판의 제조방법 - Google Patents

유기전자소자용 기판의 제조방법 Download PDF

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KR20130108027A
KR20130108027A KR20120084215A KR20120084215A KR20130108027A KR 20130108027 A KR20130108027 A KR 20130108027A KR 20120084215 A KR20120084215 A KR 20120084215A KR 20120084215 A KR20120084215 A KR 20120084215A KR 20130108027 A KR20130108027 A KR 20130108027A
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KR
South Korea
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layer
substrate
scattering
electronic device
organic
Prior art date
Application number
KR20120084215A
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English (en)
Inventor
김영은
김종석
문영균
황진하
Original Assignee
주식회사 엘지화학
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Filing date
Publication date
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Abstract

본 출원은, 유기전자소자용 기판의 제조 방법 및 유기전자소자의 제조 방법에 대한 것이다. 본 출원에서는, 예를 들어, 유기발광소자 등과 같은 유기전자소자의 형성에 사용되는 경우에 우수한 광추출 효율을 확보하고, 소자 내부로의 수분이나 공기의 침투를 차단하여 신뢰성이 개선된 소자를 형성할 수 있는 기판 또는 그 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.

Description

유기전자소자용 기판의 제조방법{METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}
본 출원은, 유기전자소자용 기판 또는 유기전자소자의 제조 방법 및 유기전자소자에 관한 것이다.
유기전자소자(OED; Organic Electronic Device)는, 전극층과 유기물 사이에서의 전하 교류를 통하여 다양한 기능을 발휘하는 소자이고, 예를 들면, 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.
대표적인 유기전자소자인 유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 발광층을 포함하는 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다.
소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 상기 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사형 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사형 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다.
두 개의 전극층에 의해서 전자(electron)와 정공(hole)이 각각 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성된다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다.
유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리 기판인 기판의 굴절률은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서, 예를 들어, 하부 발광형의 소자에서 유기 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전반사(total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩(trap)되고, 매우 소량의 광만이 방출된다.
이러한 문제를 해결하기 위해서 유기발광소자의 소정 부위, 예를 들면, 기판과 전극층의 사이에 광을 산란 또는 확산시킬 수 있는 구조를 도입하는 것이 알려져 있다. 그렇지만, 상기 구조는 외부로부터 습기 또는 산소 등이 침투하는 경로가 될 수 있어서 소자의 신뢰성을 크게 저하시키는 원인이 되기도 한다.
본 출원은, 유기전자소자용 기판 또는 유기전자소자의 제조 방법 및 유기전자소자를 제공하는 것이다.
본 출원의 예시적인 유기전자소자용 기판의 제조 방법은, 기재층상에 형성되어 있는 산란층을 가공하여 상기 산란층의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 하나의 예시에서 산란층은, 실질적으로 기재의 전면에 형성되어 있을 수 있다. 기재상에 형성된 산란층은, 상기 가공을 통하여, 예를 들면, 패터닝(patterning)될 수 있다.
상기 방법에서 상기 가공은, 예를 들면, 레이저를 사용하여 수행할 수 있다. 레이저를 사용한 가공을 수행하면, 가공된 산란층의 매끄러운 절단면을 가지고, 절단된 부위에서 들뜸 현상 등이 없어서, 예를 들어, 추후 형성되는 전극층의 면저항을 적정 수준으로 유지할 수 있고, 또한 높낮이의 변화가 최소화된 면을 제공하여 소자의 단락 등이 발생하거나, 전기적 연결이 적절하게 수행되지 않는 문제를 해결할 수 있다.
산란층이 형성되는 기재층의 종류는 특별히 제한되지 않고, 적절한 공지의 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 하부 발광(bottom emission)형 유기발광소자를 제조하고자 하는 경우에는, 투광성 기재층, 예를 들면, 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상인 기재층을 사용할 수 있다. 투광성 기재층으로는, 유리 기재층 또는 투명 고분자 기재층이 예시될 수 있다. 유리 기재층으로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재층이 예시될 수 있고, 고분자 기재층으로는, PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재층이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 필요에 따라서 상기 기재층은, 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다. 또한, 예를 들어, 상부 발광(top emission)형의 소자를 제공하고자 하는 경우에, 기재층은 반드시 투광성의 기재층일 필요는 없으며, 필요에 따라서 기재층의 표면에는 알루미늄 등을 사용한 반사층이 형성되어 있는 반사성 기재층을 사용할 수도 있다.
상기와 같은 기재층의 상부, 예를 들면, 기재층의 상부 전면에 산란층이 형성된다. 산란층으로는 특별한 제한 없이 입사광을 산란 또는 확산시킬 수 있는 것으로 알려져 있는 공지의 모든 층이 사용될 수 있다.
예를 들면, 산란층은, 산란 입자를 포함하는 층일 수 있다. 도 1은, 산란 입자(1021)를 포함하는 산란층(102)이 기재층(101)상에 형성되어 있는 형태를 예시적으로 나타낸다. 도 1과 같은 산란층(102)은, 산란 입자(1021)와 바인더(1022)를 포함할 수 있다.
용어 「산란 입자」는, 예를 들면, 산란층을 형성하는 바인더 또는 후술하는 평탄층과는 상이한 굴절률을 가지고, 또한 적절한 크기를 가져서 입사되는 광을 산란시킬 수 있는 입자를 의미할 수 있다. 이러한 입자로는, 1.0 내지 3.5의 굴절률, 예를 들면, 1.0 내지 2.0 또는 1.2 내지 1.8 정도이나 2.1 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가지고, 평균 입경이 50 nm 내지 20,000 nm 또는 100 nm 내지 5,000 nm 정도인 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 산란 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 실리카, 알루미나, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자가 예시될 수 있다. 산란 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2조 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있고, 필요에 따라서는 코어/셀 형태의 입자 또는 중공 입자 형태의 입자로 형성될 수도 있다.
산란층은 상기 산란 입자를 유지하는 바인더를 추가로 포함할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 상기 산란 입자를 유지할 수 있는 재료로서, 인접하는 다른 소재, 예를 들면, 기재층과 동등한 굴절률을 가지는 소재를 사용할 수 있다.
바인더로는, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있다. 필요한 경우에 굴절률이 약 1.4 이상 또는 약 1.45 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 바인더의 굴절률의 상한은, 함께 배합되는 입자의 굴절률 등을 고려하여 적절한 범위에서 선택될 수 있다. 소자의 수명 등을 고려하여 내열성 및 내화학성이 우수한 무기 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있으나, 필요한 경우에 유기 바인더도 사용할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 폴리이미드, 플루오렌 고리를 가지는 카도계 수지(caldo resin), 우레탄, 에폭시드, 폴리에스테르 또는 아크릴레이트 계열의 열 또는 광경화성의 단량체성, 올리고머성 또는 고분자성 유기 재료나 산화 규소, 질화 규소(silicon nitride), 옥시질화 규소(silicon oxynitride) 또는 폴리실록산 등의 무기 재료 또는 유무기 복합 재료 등을 사용할 수 있다.
예를 들면, 바인더로는 폴리실록산, 폴리아믹산 또는 폴리이미드를 사용할 수 있다. 폴리실록산은, 예를 들면, 축합성 실란 화합물 또는 실록산 올리고머 등을 중축합시켜서 형성할 수 있으며, 이러한 바인더는 규소와 산소의 결합(Si-O)에 기반한 매트릭스를 형성할 수 있다. 바인더의 형성 과정에서 축합 조건 등을 조절하여 폴리실록산이 실록산 결합(Si-O)만을 기반으로 하는 바인더 매트릭스를 형성하거나, 혹은 알킬기 등과 같은 유기기나 알콕시기 등과 같은 축합성 관능기 등이 일부 잔존하는 매트릭스의 형성도 가능하다.
폴리아믹산 또는 폴리이미드 바인더로는, 예를 들면, 633 nm의 파장의 광에 대한 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 이러한 고굴절의 폴리아믹산 또는 폴리이미드는, 예를 들면, 불소 이외의 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용하여 제조할 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 카복실기 등과 같이 입자와 결합할 수 있는 부위가 존재하여 입자의 분산 안정성을 향상시킬 수 있는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 폴리아믹산으로는, 예를 들면, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서 n은 양의 수이다.
상기 반복 단위는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 치환기로는, 불소 외의 할로겐 원자, 페닐기, 벤질기, 나프틸기 또는 티오페닐기 등과 같은 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기가 예시될 수 있다.
화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산의 말단은, 예를 들면, ~ 등으로 봉쇄되어 있을 수 있다.
폴리아믹산은, 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거나, 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 공중합체일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면, 목적하는 굴절률, 내열성이나 투광율 등을 저해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다.
상기 화학식 1의 반복 단위의 구체적인 예로는, 하기 화학식 2의 반복 단위를 들 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에서 n은 양의 수이다.
상기 폴리아믹산은 예를 들면, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산은 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상이며, 내열성이 우수하다.
산란층은, 또한 예를 들면, 요철 구조를 가지는 층일 수 있다. 도 2는, 기재층(101)에 요철 구조를 가지는 산란층(201)이 형성된 경우를 예시적으로 보여주는 도면이다. 산란층의 요철 구조를 적절하게 조절할 경우에 입사되는 광을 산란시킬 수 있다.
요철 구조의 산란층은, 예를 들면, 열 또는 광 경화성 재료를 도포하고, 경화시키는 과정에서 목적하는 형상의 요철 구조를 전사할 수 있는 금형과 접촉시킨 상태로 재료를 경화시키거나, 에칭 공정 등을 통해 형성할 수 있다. 다른 방식으로는 산란층을 형성하는 바인더 내에 적절한 크기와 형상을 가지는 입자를 배합하는 방식으로 형성할 수도 있다. 이러한 경우에 상기 입자는 반드시 산란 기능을 가지는 입자일 필요는 없으나, 산란 기능을 가지는 입자를 사용하여도 무방하다.
산란층은, 예를 들면, 습식 코팅(wet coating) 방식으로 재료를 코팅하고, 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식이나, 졸겔 방식으로 재료를 경화시키는 방식이나, CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식 등과 같은 증착 방식 또는 마이크로엠보싱 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.
필요한 경우에 기재층상에 형성된 산란층의 상부에는 평탄층이 추가로 형성되어 있을 수 있다. 그렇지만, 산란층 자체가 이미 평탄한 면을 형성하고 있는 경우에는 상기 평탄층은 반드시 요구되는 것은 아니다. 평탄층이 형성되어 있는 경우, 레이저에 의하여 상기 평탄층도 함께 가공되어 그 적어도 일부가 제거될 수 있다.
용어 「평탄층」은, 유기전자소자가 형성될 수 있는 평탄한 면을 제공할 수 있는 층을 의미할 수 있다. 예를 들면, 평탄층은, 최대 높이 조도(maximum height roughness)가 1 ㎛ 이하 또는 0.5 ㎛인 면을 제공할 수 있다. 상기 최대 높이 조도는, 컷 오프(cut off) 내의 조도 곡선에서 중심선과 평행하면서, 상기 조도 곡선의 최고점을 지나는 직선과 최저점을 지나는 직선의 거리를 의미할 수 있으며, 예를 들면, 평탄면상에서 100 ㎛2의 면적을 가지는 임의의 영역에 대하여 측정한 수치일 수 있다.
평탄층은, 예를 들면, 바인더 및 입자를 포함할 수 있다. 예를 들면, 높은 굴절률을 가져서 평탄층의 굴절률을 높일 수 있는 입자를 바인더와 혼합한 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 이미 기술한 바와 같이 이러한 평탄층은, 전극층 등을 포함한 유기전자소자가 형성될 수 있는 표면을 제공할 수 있다. 평탄층은, 또한 경우에 따라서 후술하는 산란층과의 상호 작용을 통하여 우수한 광추출 효율을 구현할 수 있다. 평탄층은, 예를 들면, 인접하는 전극층과 동등한 굴절률을 가질 수 있고, 예를 들면, 1.8 내지 3.5 또는 2.2 내지 3.0 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 진공 상태에서 400 nm 내지 450 nm의 파장의 광에 대한 굴절률일 수 있다.
평탄층을 형성하는 바인더로는 특별한 제한 없이 공지의 소재가 사용될 수 있다. 바인더로는, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 유기 바인더, 무기 바인더 또는 유무기 바인더를 사용할 수 있다. 필요한 경우에 굴절률이 약 1.4 이상 또는 약 1.45 이상인 바인더를 사용할 수 있다. 평탄층을 형성하는 바인더로는 예를 들면, 이미 기술한 산란층의 형성에 사용되는 바인더 중에서 적절한 종류가 선택되어 사용될 수 있다.
평탄층은, 바인더와 함께 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 용어 「고굴절 입자」는, 예를 들면, 굴절률이 1.5 이상, 2.0 이상 2.5 이상, 2.6 이상 또는 2.7 이상인 입자를 의미할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률의 상한은, 예를 들면, 함께 배합되는 바인더 등의 굴절률 등을 고려하여 상기 기술한 평탄층의 굴절률을 만족시킬 수 있는 범위에서 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 상기 산란 입자보다는 작은 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. 고굴절 입자로는, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자로는, 예를 들면, 굴절률이 2.5 이상인 입자로서, 루틸형 산화 티탄을 사용할 수 있다. 루틸형의 산화 티탄은 여타의 입자에 비하여 높은 굴절률을 가지고, 따라서 평탄층을 형성할 재료 내에서 고굴절 입자의 함량을 상대적으로 소량으로 하는 경우에도 높은 굴절률을 가지는 평탄층의 구현이 가능하다.
평탄층 내에서의 고굴절 입자의 비율은, 특별히 제한되지 않으며, 전술한 평탄층의 굴절률이 확보될 수 있는 범위 내에서 조절될 있다. 예를 들어, 고굴절 입자로서 루틸형 산화 티탄과 같이 굴절률이 2.5 이상인 입자가 사용되면, 상기 고굴절 입자는, 바인더 100 중량부 대비 300 중량부 이하, 250 중량부 이하 또는 200 중량부 이하의 비율로 평탄층에 포함될 수 있다. 상기 입자의 비율의 하한은, 예를 들면, 40 중량부 이상, 60 중량부 이상, 80 중량부 이상 또는 100 중량부 이상일 수 있다. 본 명세서에서 단위 중량부는 특별히 달리 규정하지 않는 한, 성분간의 중량의 비율을 의미한다. 바인더와 입자의 비율을 상기와 같이 유지하여, 예를 들어 유기전자소자를 형성하는 경우에 외부 양자 효율을 높이고, 외부로부터의 가스나 수분의 침투를 방지하며, 아웃개싱(outgassing)을 감소시켜서 성능과 신뢰성이 우수한 소자를 제공할 수 있다.
다른 예시에서 평탄층은, 지르코늄, 티탄 또는 세륨 등의 금속의 알콕시드 또는 아실레이트(acylate) 등의 화합물을 카복실기 또는 히드록시기 등의 극성기를 가지는 바인더와 배합한 소재를 사용하여 형성할 수도 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 등의 화합물은 바인더에 있는 극성기와 축합 반응하고, 바인더의 골격 내에 상기 금속을 포함시켜 고굴절률을 구현할 수 있다. 상기 알콕시드 또는 아실레이트 화합물의 예로는, 테트라-n-부톡시 티탄, 테트라이소프로폭시 티탄, 테트라-n-프로폭시 티탄 또는 테트라에톡시 티탄 등의 티탄 알콕시드, 티탄 스테아레이트(stearate) 등의 티탄 아실레이트, 티탄 킬레이트류, 테트라-n-부톡시지르코늄, 테트라-n-프로폭시 지르코늄, 테트라이소프로폭시 지르코늄 또는 테트라에톡시 지르코늄 등의 지르코늄 알콕시드, 지르코늄 트리부톡시스테아레이트 등의 지르코늄 아실레이트, 지르코늄 킬레이트류 등이 예시될 수 있다. 평탄층은, 또한 티탄 알콕시드 또는 지르코늄 알콕시드 등의 금속 알콕시드 및 알코올 또는 물 등의 용매를 배합하여 코팅액을 제조하고, 이를 도포한 후에 적정한 온도에서 소성하는 졸겔 코팅 방식으로 형성할 수도 있다.
평탄층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 필요에 따라서 적정 범위로 조절할 수 있다.
기재층상에 상기 산란층 또는 산란층과 평탄층이 형성된 후에 레이저에 의해 가공되어 적어도 일부가 제거된다. 예를 들면, 도 3에 나타난 바와 같이, 기재층(101)의 전면에 형성된 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조(301)에 레이저(도 3의 붉은색 화살표)가 조사되어 상기 산란층 또는 적층 구조의 적어도 일부가 제거된다. 도 3에서는 레이저를 산란층 또는 적층 구조(301)를 향하여 조사하는 것을 모식적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 기재층(101)이 투광성 기재층인 경우에 레이저는 기재층(101)을 향하여 조사될 수도 있다.
상기 과정에서 사용되는 레이저의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 적절한 출력을 가져서 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조를 적절하게 제거할 수 있는 종류라면 어떠한 종류도 사용될 수 있다.
레이저로는, 예를 들면, 파이버 다이오드 레이저(fiber diode laser), 루비(Cr3 +:Al2O3), YAG(Nd3+:Y3Al5O12), 포스페이트 글래스(phosphate glass), 실리케이트 글래스(silicate glass) 또는 YLF(Nd3 +:LiYF4) 등이 사용될 수 있다. 이러한 레이저는, 예를 들면, 스팟 레이저(spot laser) 또는 라인 빔 레이저(line beam laser)의 형태로 조사될 수 있다. 필요한 경우, 효율적인 조사를 위하여 레이저의 조사 장치는 포커싱 헤드(focusing head)(11), 광섬유(optical fiber) 및 레이저원(laser source) 등을 포함하여 구성될 수 있다.
레이저의 조사 조건은 적절한 가공이 이루어질 수 있도록 조절되는 한 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 파장이 약 700 nm 내지 1,000 nm 또는 약 800 nm 내지 900 nm의 범위에 있는 레이저가 약 20 W 내지 150 W 또는 90 W 내지 110 W 정도의 출력으로 조사될 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.
레이저를 사용하여 산란층 등을 가공하는 형태는 특별히 제한되지 않고, 목적에 따라 변경될 수 있다. 예를 들면, 상기 가공은, 산란층 등의 일부가 제거되어, 상기 산란층이 잔존하는 범위가 후속하여 형성되는 유기층의 발광층과 상부에서 관찰시에 중복될 수 있도록 수행될 수 있다. 이 외에도 필요한 경우 다양한 패턴으로 산란층은 가공될 수 있다. 또한, 레이저 가공을 통하여 후속하여 형성되는 봉지층과의 접합을 위하여 접착제가 도포되는 영역이나 소자 제작 완료 후에 봉지 영역의 외부 기판상에 형성된 단자 영역에 해당하는 부위에 존재하는 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조가 제거될 수도 있다.
유기전자소자용 기판을 제거하기 위하여 상기 레이저 가공 후에 가공된 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조 상에 전극층을 형성하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 전극층으로는, 예를 들면, 유기발광소자 등의 유기전자소자의 제작에 사용되는 통상의 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층이 형성될 수 있다.
정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.
정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다. 정공 주입성 전극층의 막 두께는 광투과율이나 표면 저항 등에 따라 다르지만, 통상적으로 500 nm 또는 10 nm 내지 200 nm의 범위 내에 있을 수 있다.
전자 주입성 투명 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 투명 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다. 전자 주입성 전극층은 필요에 따른 적절한 두께로 형성될 수 있다.
전극층은, 예를 들면, 상기 가공된 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조가 상기 전극층과 기재층에 의해 밀봉되도록 형성될 수 있다.
도 4는 상기 방식으로 형성된 것으로서 기재층(101)과 함께 산란층 또는 상기 적층 구조(301)를 밀봉하고 있는 전극층을 보여준다.
산란층 또는 산란층 및 평탄층을 밀봉하는 구조로 기재층상에 전극층을 형성하면, 평탄층이나 산란층이 외부 수분이나 산소 등의 침투 경로가 되는 것을 방지하고, 또한 봉지층 또는 전극과 기판의 부착력을 안정적으로 확보할 수 있으며, 소자의 외곽 부분의 표면 경도도 우수하게 유지할 수 있다. 산란층 또는 평탄층과 산란층을 전극과 기판으로 밀봉하기 위해서는, 전극을 형성하는 증착 또는 스퍼터링 공정에서 상기 산란층 등을 덮도록 전극을 형성하면 된다. 이 과정에서 필요한 경우에 산란층 및/또는 평탄층의 소정 부위를 제거하는 공정을 수행할 수도 있다.
본 출원은 또한 유기전자소자, 예를 들면, 유기발광소자를 제조하는 방법에 대한 것이다.
예시적인 제조 방법은, 상기 제조된 기판상에 발광층을 포함하는 유기층과 제 2 전극층을 순차로 형성하는 것을 포함할 수 있다. 필요한 경우, 즉 기판상에 미리 전극층이 형성되어 있지 않은 경우에는 유기층의 형성 전에 기판에 제 1 전극층을 형성하는 것을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 경우 제 1 전극층은, 상기 기술한 바와 같이, 기재층과 함께 가공된 산란층 등을 밀봉할 수 있도록 형성될 수 있다.
기판에 형성되는 유기층의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에서는, 예를 들면, 유기발광소자를 형성하는 다양한 기능성 소재와 그 형성 방법이 알려져 있다.
상기 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 발광층이 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층에 사용될 수 있는 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4’bis(2,2’diphenylyinyl)-1,1’biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5’difluorophenyl)pyridine-C’2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2’benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.
발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.
유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.
전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4’페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4’(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4’(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다.
정공 저지층은, 정공 주입성 전극으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4"-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4"-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4"-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4"-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
정공 주입층이나 정공 수송층은, 상기 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.
정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다.
이 분야에서는 상기와 같은 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.
유기층의 형성 후에 제 2 전극층이 형성될 수 있다. 제 2 전극층은, 예를 들어, 상기 제 1 전극층이 정공 주입성이면 전자 주입성으로 형성되고, 제 1 전극층이 전자 주입성이면 정공 주입성을 형성될 수 있다. 제 2 전극층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 통상의 방식으로 제조될 수 있다.
제 2 전극층의 형성 후에 봉지층을 형성할 수 있다.
봉지층은 소자의 상부에 봉지층을 구비하되, 봉지층의 끝단은 기재층 상에 형성된 제 1 전극층과 접하도록 형성될 수 있다. 봉지층과 기재층이 접합되는 영역에 제 1 전극과 봉지용 접착제 이외에 다른 물질 또는 추가적인 계면이 형성되는 것을 방지함으로써, 봉지를 통한 밀봉효과를 극대화할 수 있다. 경우에 따라서는, 일부의 제2 전극과 연결된 기판상의 ITO 영역과도 접할 수 있다.
봉지층은 소자 내부로 유입되는 수분 및 산소를 차단할 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 봉지층은 수분차단 필름, 글래스 캡, 금속 호일 및 전도성 필름 중 어느 하나 혹은 둘 이상이 적층된 구조일 수 있다. 경우에 따라서는, 상기 봉지층은 에폭시 수지를 이용하여 형성될 수 있다.
봉지층이 기재 상에 형성된 광추출층과 직접 접촉하지 않기 때문에 산란층 또는 평탄층과의 접합성이 문제되지 않는다. 예를 들어, 상기 제1 전극은 산란층 또는 평탄층이 형성된 영역을 포함하여 연장되어 형성되며, 제1 전극이 산란층 또는 평탄층을 벗어나 형성된 부분은 기재와 접합되고, 봉지층의 단부는 제1 전극의 연장된 부분과 접하는 구조일 수 있다. 상기 봉지층의 단부가 기재 또는 제1 전극과 접합되는 부위는 접착물질을 매개로 접합될 수 있다. 상기 접착물질은 봉지층 밀봉시 통상적으로 사용되는 접착제가 사용될 수 있으며, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 상기 접착물질은 열경화성 수지 및 전도성 필러를 포함하거나, 글래스 프릿(glass frit) 등을 포함할 수 있다. 열경화성 수지로는 이소시아네이트 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 또는 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 전도성 필러로는 카본 블랙, 탄소나노튜브, 그래파이트, ITO, AZO, InO, AZO, InO, ZnO, TiO2, SnO, RuO2, IrO2, 지르코니아, 금, 은, 니켈, 구리, 탄탈, 팔라듐, 은/구리 합금, 은/팔라듐 합금, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리파라페닐렌, 폴리티오펜, 폴리디에닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리페닐렌 술피드 및 폴리설퍼니트라이드 중 1 종 이상을 사용할 수 있다. 이외에도, 필요에 따라 다양한 경화제 및 바인더 등을 추가로 사용할 수 있다.
본 출원에서는, 예를 들어, 유기발광소자 등과 같은 유기전자소자의 형성에 사용되는 경우에 우수한 광추출 효율을 확보하고, 소자 내부로의 수분이나 공기의 침투를 차단하여 신뢰성이 개선된 소자를 형성할 수 있는 기판 또는 그 소자의 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1 및 2는 산란층의 형태를 예시적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 유기전자소자용 기판의 제조 과정을 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 4는, 가공된 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조 상에 전극층이 형성된 경우를 나타낸 모식도이다.
도 5 및 6은 실시예 1에서 산란층과 평탄층이 패턴닝된 형태를 보여주는 도면이다.
도 7은, 비교예 1에 대하여 발광 상태를 관찰한 도면이다.
도 8은, 실시예 1에 대하여 발광 상태를 관찰한 도면이다.
이하, 실시예 및 비교예를 통해 상기 방법을 구체적으로 설명하지만, 상기 방법의 범주가 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
실록산 바인더(Si(OCH3)4) 용액에 평균 입경이 약 200 nm인 TiO2 입자를 충분히 분산하여 코팅액을 조제하였다. 유리 기재 상에 제조된 코팅액을 도포하여 산란층을 형성하였다. 그런 다음, 평균 입경이 약 10 nm인 고굴절 필러(이산화티탄)가 분산되어 있는 실록산 바인더(건조후 굴절율은 약 1.8)를 산란층 상에 코팅하여 표면이 평탄층을 형성하였다. 이어서 레이저를 조사하여 패터닝의 폭은 약 3 mm가 되도록 평탄층과 산란층을 패터닝하고, 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 코팅되어 있는 광추출층을 제거하였다. 구체적으로는 레이저를 이용하여 도 5와 같이 산란층과 평탄층을 가로 방향으로 패터닝하고, 다시 다시 세로 방향으로 패터닝하여 도 6과 같은 형태로 가공하였다. 도 5 및 6에서, 흰색 부분은 유리 기재 상에 산란층과 평탄층이 형성되어 있는 영역이고, 검게 표시되는 부분은 산란층과 평탄층이 제거된 영역이다. 패턴화된 기재층의 전면에 통상의 방식으로 ITO 투명전극을 전면에 형성하여 패턴화된 산란층과 평탄층이 ITO와 기재층(유리)에 의해 밀봉되도록 하고, 발광층을 포함하는 유기층과 금속 전극을 차례로 적층하였다. 그런 다음, 봉지유리를 이용한 봉지작업을 거쳤다.
비교예 1
레이저를 통한 가공 과정을 수행하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 유기발광소자를 제조하였다.
실험예 1
실시예 및 비교예 1에서 각각 제조된 유기전자소자를 대상으로 발광 상태를 촬영하였다. 그런 다음, 85℃ 오븐에서 500 시간이 지난 시점에서, 소자의 외관을 다시 촬영하였다. 도 7은 비교예에 따른 유기전자소자의 초기(a) 및 500 시간이 지난 시점(b)에서 외관을 관찰한 결과이다. 도 8은 실시예에 따른 유기전자소자의 초기(a) 및 500 시간이 지난 시점(b)에서 외관을 관찰한 결과이다.
도 7을 참조하면, 비교예의 경우 500 시간이 지난 시점에서 상대적으로 어두워진 발광 영역이 많이 증가되었고, 전체적으로 발광 균일도가 현저히 저하되어 있음을 알 수 있다. 이에 비해, 실시예의 경우 도 8에 나타난 바와 같이 500 시간이 지난 시점에서도 어두워진 발광 영역이 많지 않고, 발광 균일도가 유지되고 있음을 확인하였다.
101: 기재층
102, 201: 산란층
1021: 산란 입자
1022: 바인더
301: 산란층 또는 산란층과 평탄층의 적층 구조
401: 전극층

Claims (14)

  1. 기재층상에 형성된 산란층을 레이저로 가공하여 산란층의 일부를 제거하는 것을 포함하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 산란층은, 산란 입자를 포함하는 층인 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 산란층은 요철 구조를 포함하는 층인 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 산란층은, 습식 코팅, 졸겔, 증착 또는 마이크로엠보싱 방식으로 기재층에 형성되어 있는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 산란층상에는 평탄층이 추가로 형성되어 있고, 레이저에 의해 상기 산란층과 평탄층을 가공하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 레이저를 산란층 또는 기재층을 향하여 조사하여 가공을 수행하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 스팟 레이저 또는 라인 빔 레이저를 조사하여 가공을 수행하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 가공된 산란층상에 전극층을 형성하는 것을 포함하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 전극층은, 가공된 산란층이 상기 전극층과 기재층에 의해 밀봉되도록 형성하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.
  10. 제 1 항의 방법으로 형성된 기판상에 발광층을 포함하는 유기층 및 제 2 전극층을 순차 형성하는 것을 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 기판상에 유기층을 형성하기 전에 제 1 전극층을 형성하는 것을 추가로 포함하는 유기전자소자의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 전극층은, 기판상의 가공된 산란층이 상기 제 1 전극층과 기재층에 의해 밀봉되도록 형성하는 유기전자소자의 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서, 제 2 전극층을 형성한 후에 봉지층을 형성하는 것을 추가로 포함하는 유기전자소자의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 봉지층을 기재층 상에 형성된 제 1 전극층과 접하도록 형성하는 유기전자소자의 제조방법.
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