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KR20120129685A - Light emitting device - Google Patents

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KR20120129685A
KR20120129685A KR1020110048111A KR20110048111A KR20120129685A KR 20120129685 A KR20120129685 A KR 20120129685A KR 1020110048111 A KR1020110048111 A KR 1020110048111A KR 20110048111 A KR20110048111 A KR 20110048111A KR 20120129685 A KR20120129685 A KR 20120129685A
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KR
South Korea
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wavelength
light
wavelength conversion
conversion layer
light source
Prior art date
Application number
KR1020110048111A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101795034B1 (en
Inventor
임종욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110048111A priority Critical patent/KR101795034B1/en
Publication of KR20120129685A publication Critical patent/KR20120129685A/en
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/40Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K2/00Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]

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Abstract

PURPOSE: A light-emitting device is provided to generate light of different wavelengths by changing positions of two light sources. CONSTITUTION: A wavelength converter(300) changes the light from a first light source(100) to a wavelength. The wavelength converter comprises at least one wavelength conversion layer. The wavelength conversion layer is to elongate the light from the first light source in a light traveling direction. The wavelength conversion layer comprises wavelength conversion particles. The wavelength conversion layer comprises a first wave length conversion layer and a second wavelength conversion layer.

Description

발광체{LIGHT EMITTING DEVICE}LIGHT EMITTING DEVICE}

본 기재는 발광체에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitter.

최근에는 양자점(quantum dot: QD)의 발광 특성을 이용한 다양한 연구가 활발히 진행되고 있다.Recently, various researches using light emission characteristics of quantum dots (QDs) have been actively conducted.

이러한 양자점은 좁은 파장대에서 강한 형광을 발생시킨다. 양자점이 발생시키는 광은 전도대(Conduction band)에서 가전자대(valence band)로 불안정한 상태의 전자가 내려오면서 발생한다. 이때 발생하는 형광은 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생한다.These quantum dots generate strong fluorescence in a narrow wavelength band. The light generated by the quantum dots is generated when electrons in an unstable state descend from the conduction band to the valence band. In this case, the smaller the particles of the quantum dots generate light having a shorter wavelength, and the larger the particles produce light having a longer wavelength.

따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 또한, 여러 크기의 양자점이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있다. Therefore, by adjusting the size of the quantum dot can be obtained the light of the desired wavelength band. In addition, when quantum dots of different sizes are present together, light can be emitted at one wavelength to produce various colors at once.

특히, 양자점은 짧은 파장의 빛을 받아 시프트(shift)시켜 더 긴 파장으로 파장대를 변환시킬 수 있다. In particular, quantum dots can receive light of short wavelengths and shift the wavelength band to longer wavelengths.

이러한 양자점의 특성을 이용하여 다양한 광을 발생시키는 발광체에 대한 연구가 진행되고 있다.Researches on light emitters that generate various light using the characteristics of the quantum dots are in progress.

실시예는 파장 변환 입자를 통해 다양한 파장대의 광을 발생시킬 수 있다.The embodiment may generate light of various wavelength bands through the wavelength conversion particle.

실시예에 따른 발광체는, 제1 광원; 및 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광을 파장으로 변환시키는 파장 변환부를 포함하고, 상기 파장 변환부는 적어도 하나 이상의 파장 변환층을 포함하며, 상기 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장된다.The light emitter according to the embodiment includes a first light source; And a wavelength converting unit converting light emitted from the first light source into a wavelength, wherein the wavelength converting unit includes at least one wavelength converting layer, and the wavelength converting layer is configured to receive light emitted from the first light source. Extend in the direction.

실시예에 따른 발광체는, 광원으로부터 출사되는 광을 변환시키는 파장 변환부를 포함한다. 특히, 상기 파장 변환부는 양자점 및 나노크리스탈 등과 같은 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 입자는 상기 광원으로부터 출사되는 광을 효율적으로 변환시킬 수 있다.The light emitter according to the embodiment includes a wavelength converter that converts light emitted from the light source. In particular, the wavelength conversion unit may include wavelength conversion particles such as quantum dots and nanocrystals. The wavelength conversion particle can efficiently convert light emitted from the light source.

특히, 상기 파장 변환부는 다수 개의 파장 변환층들을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 파장 변환층은 서로 다른 크기의 파장 변환 입자들을 포함할 수 있다. 이로써, 상기 각각의 파장 변환층들로부터 다양한 색이 발광될 수 있고, 이러한 다양한 색을 가진 광들이 서로 섞이면서 예상하지 못한 새로운 색을 발생시킬 수 있다.In particular, the wavelength converter may include a plurality of wavelength conversion layers. In addition, each wavelength conversion layer may include wavelength conversion particles having different sizes. As a result, various colors may be emitted from the respective wavelength conversion layers, and light having various colors may be mixed with each other to generate an unexpected new color.

또한, 실시예에 따른 발광체는, 두 개 이상의 광원을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 광원의 위치에 따라 다른 파장을 가진 광을 발생시킬 수 있다. 즉, 구동시키는 광원에 따라, 다양한 색을 가진 광을 발생시킬 수도 있고, 적외선을 발생시킬 수도 있다. 따라서, 소비자의 기호나 요구에 따라 하나의 발광체로부터 다양한 광을 발생시킬 수 있다.In addition, the light emitter according to the embodiment may include two or more light sources. Thus, of the light source Depending on the location, light with different wavelengths can be generated. That is, depending on the light source to be driven, light having various colors may be generated or infrared rays may be generated. Therefore, it is possible to generate various light from one light emitter according to the consumer's preference or request.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광체의 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에서 렌즈부를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광체의 사시도이다.
도 7은 도 6에서 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view of a light-emitting body according to the first embodiment.
2 is a perspective view of a light emitter according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.
4 is an enlarged perspective view of the lens unit of FIG. 3.
5 is an exploded perspective view of a light-emitting body according to the second embodiment.
6 is a perspective view of a light emitter according to a second embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 6.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광체를 상세하게 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다. 도 2는 제1 실시예에 따른 발광체의 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 도 3에서 렌즈부를 확대하여 도시한 사시도이다.A light emitter according to the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4. 1 is an exploded perspective view of a light-emitting body according to the first embodiment. 2 is a perspective view of a light emitter according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2. 4 is an enlarged perspective view of the lens unit of FIG. 3.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광체(10)는, 제1 광원(100), 케이스(200), 파장 변환부(300), 렌즈부(400) 및 보호 장치(500)를 포함한다. 1 to 3, the light emitter 10 according to the first exemplary embodiment may include a first light source 100, a case 200, a wavelength converter 300, a lens unit 400, and a protective device 500. ).

상기 제1 광원(100)은 광을 발생시킨다. 상기 제1 광원(100)에서 출사한 광은 파장 변환부(300)로 입사된다. 상기 제1 광원(100)은 일례로, 빛을 발생시키는 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The first light source 100 generates light. The light emitted from the first light source 100 is incident to the wavelength converter 300. The first light source 100 may include, for example, a light emitting diode that generates light.

상기 케이스(200)는 상기 파장 변환부(300) 및 렌즈부(400)를 수용한다. 또한, 상기 케이스(200)는 파장 변환부(300) 및 렌즈부(400)를 외부의 오염으로부터 보호하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 케이스(200)는 상기 광원(100)을 지지할 수 있다. 상기 케이스(200)는 플라스틱 또는 금속 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 케이스(100)는 상기 파장 변환부(300) 및 상기 보호 장치(500)를 수용할 수 있다.The case 200 accommodates the wavelength converter 300 and the lens unit 400. In addition, the case 200 may serve to protect the wavelength converter 300 and the lens unit 400 from external contamination. In addition, the case 200 may support the light source 100. The case 200 may include plastic or metal. In addition, the case 100 may accommodate the wavelength converter 300 and the protection device 500.

상기 파장 변환부(300)는 적어도 하나 이상의 파장 변환층(310, 320)을 포함한다. 상기 파장 변환층(310, 320)은 다수 개의 파장 변환 입자(311, 321)들을 포함한다. The wavelength converter 300 includes at least one wavelength converting layer 310 or 320. The wavelength conversion layers 310 and 320 include a plurality of wavelength conversion particles 311 and 321.

상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 균일하게 분산된 형태로, 파장 변환층(310, 320)에 포함된다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 호스트(host)(312, 322)에 분산될 수 있다. 상기 호스트(312, 322)는 파장 변환 입자들(311, 321)을 안정적으로 분산시킬 수 있다. The wavelength conversion particles 311 and 321 are uniformly dispersed and included in the wavelength conversion layers 310 and 320. That is, the wavelength converting particles 311 and 321 may be dispersed in a host 312 and 322. The host 312 and 322 may stably disperse the wavelength converting particles 311 and 321.

일례로, 상기 호스트(312, 322)는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. For example, the hosts 312 and 322 may include a silicone-based resin.

상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 입사광의 파장을 변환한다. 상기 파장 변환 입자들(311, 321)는 일례로, 나노크리스탈(nanocrystal)을 포함할 수 있다. The wavelength conversion particles 311 and 321 convert the wavelength of incident light. The wavelength conversion particles 311 and 321 may include, for example, nanocrystals.

나노크리스탈이란, 나노미터 크기의 결정으로써, 최근에 이 나노크리스탈을 이용한 디스플레이 장치가 주목 받고 있다.Nanocrystal is a nanometer size crystal, and a display apparatus using this nanocrystal has attracted attention recently.

나노크리스탈은 구, 선(wire) 및 막대(rod) 등의 다양한 형태를 가질 수 있다. Nanocrystals can have various forms such as spheres, wires, and rods.

특히, 구 형상의 양자점(quantum dot)이 나노 소재로써 주목 받고 있다. 이러한 양자점은 좁은 파장대에서 강한 형광을 발생시킨다. 양자점이 발생시키는 광은 전도대(Conduction band)에서 가전자대(valence band)로 불안정한 상태의 전자가 내려오면서 발생한다. 이때 발생하는 형광은 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생한다.In particular, spherical quantum dots have attracted attention as nanomaterials. These quantum dots generate strong fluorescence in a narrow wavelength band. The light generated by the quantum dots is generated when electrons in an unstable state descend from the conduction band to the valence band. In this case, the smaller the particles of the quantum dots generate light having a shorter wavelength, and the larger the particles produce light having a longer wavelength.

따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 또한, 여러 크기의 양자점이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있다. Therefore, by adjusting the size of the quantum dot can be obtained the light of the desired wavelength band. In addition, when quantum dots of different sizes are present together, light can be emitted at one wavelength to produce various colors at once.

또한, 양자점은 일반적인 형광 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.In addition, quantum dots generate very strong fluorescence because the extinction coefficient is 100-1000 times larger and the quantum yield is higher than that of general fluorescent dyes.

특히, 양자점은 짧은 파장의 빛을 받아 시프트(shift)시켜 더 긴 파장으로 파장대를 변환시킬 수 있다.In particular, quantum dots can receive light of short wavelengths and shift the wavelength band to longer wavelengths.

상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The quantum dot may include a core nanocrystal and a shell nanocrystal surrounding the core nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. In more detail, the core nanocrystals may include CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. In addition, the shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS.

일례로, 상기 코어 나노 결정이 CdSe를 포함하고, 상기 양자점의 직경이 1 nm 내지 3 nm 일 때, 청색광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 양자점의 직경이 3 nm 내지 5 nm 일 경우, 녹색광을 발생시킬 수 있으며, 상기 양자점의 직경이 7 nm 내지 10 nm 일 경우, 적색광을 발생시킬 수 있다. For example, when the core nanocrystals include CdSe and the diameter of the quantum dot is 1 nm to 3 nm, blue light may be generated. In addition, when the diameter of the quantum dot is 3 nm to 5 nm, green light may be generated, and when the diameter of the quantum dot is 7 nm to 10 nm, red light may be generated.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of light emitted from the quantum dots can be controlled by the size of the quantum dots or the molar ratio of the molecular cluster compound and the nanoparticle precursor in the synthesis process. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

이어서, 상기 파장 변환부(300)는 파장 변환층(310, 320)을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(310, 320)은 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)을 포함할 수 있다. Subsequently, the wavelength converter 300 may include wavelength converter layers 310 and 320. The wavelength conversion layers 310 and 320 may include a first wavelength conversion layer 310 and a second wavelength conversion layer 320.

상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장된다. 구체적으로, 상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제1 입사부(313)를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층(320)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제2 입사부(323)를 포함한다. 상기 제1 입사부(313) 및 상기 제2 입사부(323)가 하나의 평면에 배치된다.The first wavelength converting layer 310 and the second wavelength converting layer 320 extend in a direction in which the light emitted from the first light source 100 travels. In detail, the first wavelength conversion layer 310 includes a first incidence portion 313 to which light emitted from the first light source 100 is incident, and the second wavelength conversion layer 320 is formed of the first wavelength conversion layer 320. And a second incidence part 323 to which light emitted from the first light source 100 is incident. The first incident part 313 and the second incident part 323 are disposed in one plane.

상기 제1 파장 변환층(310)에 제1 파장 변환 입자들(311)이 포함되고, 상기 제2 파장 변환층(320)에 제2 파장 변환 입자들(321)이 포함될 수 있다. First wavelength conversion particles 311 may be included in the first wavelength conversion layer 310, and second wavelength conversion particles 321 may be included in the second wavelength conversion layer 320.

상기 제1 파장 변환 입자들(411)과 상기 제2 파장 변환 입자들(412)의 직경이 서로 다를 수 있다. 따라서, 상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 각각 다른 파장을 가지는 광을 출사시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 서로 다른 색을 가지는 광을 출사시킬 수 있다. Diameters of the first wavelength converting particles 411 and the second wavelength converting particles 412 may be different from each other. Accordingly, the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 may emit light having different wavelengths. That is, the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 may emit light having different colors.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 도 3에 도시한 바와 같이 파장 변환층(310, 320)들이 다수 개로 형성될 수 있다. 이로써, 상기 파장 변환층들로부터 다양한 색이 발광될 수 있고, 이러한 다양한 색을 가진 광들이 서로 섞이면서 예상하지 못한 새로운 색을 발생시킬 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and the wavelength conversion layers 310 and 320 may be formed in plural as shown in FIG. 3. As a result, various colors may be emitted from the wavelength conversion layers, and light having various colors may be mixed with each other to generate an unexpected new color.

또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 파장 변환층은 제1 파장 변환층, 제2 파장 변환층 및 제3 파장 변환층을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제3 파장 변환층은 제3 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 제1 파장 변환 입자, 상기 제2 파장 변환 입자 및 상기 제3 파장 변환 입자의 직경이 각각 서로 다를 수 있다. 이로써, 다양한 색을 발생시킬 수 있다.In addition, although not shown in the drawings, the wavelength conversion layer may include a first wavelength conversion layer, a second wavelength conversion layer, and a third wavelength conversion layer. The first wavelength converting layer may include first wavelength converting particles, the second wavelength converting layer may include second wavelength converting particles, and the third wavelength converting layer may include third wavelength converting particles. Diameters of the first wavelength converting particle, the second wavelength converting particle, and the third wavelength converting particle may be different from each other. As a result, various colors can be generated.

이어서, 상기 렌즈부(400)는 상기 케이스(200) 내에 배치된다. 상기 렌즈부(400)는 상기 파장 변환부(300)로부터 출사하는 광을 더 퍼뜨릴 수 있다.  Subsequently, the lens unit 400 is disposed in the case 200. The lens unit 400 may further spread the light emitted from the wavelength converter 300.

도 4를 참조하면, 상기 렌즈부(400)는 평평하게 형성된 입사부(411) 및 요철이 형성된 출사부(412)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the lens unit 400 may include a flat entrance part 411 and an exit part 412 having irregularities.

즉, 상기 렌즈부(400)에서, 상기 파장 변환부(300)를 향하는 면은 평평할 수 있다. 또한, 상기 렌즈부(400)에서, 상기 보호 장치(500)를 향하는 면에는 다수 개의 돌기들이 형성될 수 있다. That is, in the lens unit 400, a surface facing the wavelength converter 300 may be flat. In addition, a plurality of protrusions may be formed on a surface of the lens unit 400 facing the protection device 500.

이러한 렌즈부(400)는 일례로, 마이크로렌즈 또는 프리즘 시트 등을 포함할 수 있다. The lens unit 400 may include, for example, a microlens or a prism sheet.

도면에서는 상기 렌즈부(400)가 상기 파장 변환부(300)와 상기 보호 장치(500) 사이에만 위치하는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 렌즈부(400)가 상기 제1 광원(100)과 상기 파장 변환부(300)사이에도 위치할 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 광원(100)으로부터 출사되는 광이 전체적으로 균일하게 상기 파장 변환부(300)에 입사되도록 할 수 있다. 이로 인해, 파장 변환부(300)가 발생시키는 광의 변환 효율을 증대시킬 수 있다. In the drawing, although the lens unit 400 is positioned only between the wavelength converter 300 and the protection device 500, the embodiment is not limited thereto. Therefore, the lens unit 400 may be located between the first light source 100 and the wavelength converter 300. Through this, light emitted from the first light source 100 may be uniformly incident on the wavelength converter 300. For this reason, the conversion efficiency of the light which the wavelength conversion part 300 generate | occur | produces can be improved.

도면에서는, 상기 렌즈부(400)가 하나 포함되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 상기 렌즈부(400)는 상기 파장 변환부(300)와 상기 보호 장치(500) 사이 또는 상기 제1 광원(100)과 상기 파장 변환부(300) 사이에 다양한 개수로 포함될 수 있다. In the drawing, although the lens unit 400 is illustrated as being included, the embodiment is not limited thereto. Therefore, the lens unit 400 may be included in various numbers between the wavelength converter 300 and the protection device 500 or between the first light source 100 and the wavelength converter 300.

이어서, 상기 보호 장치(500)는 상기 케이스(200)에 연결된다. 상기 보호 장치(500)는 상기 케이스(200)에 체결되거나, 상기 케이스(200)와 일체로 형성될 수 있다.Subsequently, the protection device 500 is connected to the case 200. The protection device 500 may be fastened to the case 200 or integrally formed with the case 200.

또한, 상기 보호 장치(500)는 상기 파장 변환부(300)의 외곽으로부터 하방으로 연장될 수 있다.In addition, the protection device 500 may extend downward from the outside of the wavelength converter 300.

상기 출사된 광은 상기 보호 장치(500)를 통해 굴절될 수 있다. 즉, 상기 보호 장치(500)를 이용하여 광이 효과적으로 집광될 수 있다. 상기 보호 장치(500)는 파장 변환부(300)에서 광이 출사되는 출사면의 외곽으로부터 연장되는 돔 형상일 수 있다.The emitted light may be refracted through the protection device 500. That is, light may be effectively collected using the protection device 500. The protection device 500 may have a dome shape extending from the outside of the emission surface from which the light is emitted from the wavelength converter 300.

이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 제2 실시예에 따른 발광체를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, the light emitter according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7. Detailed descriptions of parts identical or similar to those of the first embodiment will be omitted for clarity and simplicity.

도 5는 제2 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다. 도 6은 제2 실시예에 따른 발광체의 사시도이다. 도 7은 도 6에서 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 5 is an exploded perspective view of a light-emitting body according to the second embodiment. 6 is a perspective view of a light emitter according to a second embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 6.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광체(20)는 제1 광원(110) 및 제2 광원(120)을 포함한다. 5 to 7, the light emitter 20 according to the second embodiment includes a first light source 110 and a second light source 120.

상기 제2 광원(120)은 파장 변환부(300)의 길이방향으로 연장되는 형태를 가질 수 있다. 상기 제2 광원(120)으로부터 출사되는 광은 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)에 차례대로 입사한다. The second light source 120 may have a form extending in the longitudinal direction of the wavelength converter 300. Light emitted from the second light source 120 is incident on the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 in order.

즉, 상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제2 광원(120)과 가깝게 위치하고, 광의 진행 방향을 따라 제1 파장 변환층(310)에 인접하여 상기 제2 파장 변환층(320)이 위치할 수 있다.That is, the first wavelength conversion layer 310 is located close to the second light source 120, and the second wavelength conversion layer 320 is positioned adjacent to the first wavelength conversion layer 310 along the light propagation direction. can do.

상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제2 광원(120)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제3 입사부(314)를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층(320)은 상기 제2 광원(120)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제4 입사부(324)를 포함한다. 상기 제3 입사부(314) 및 상기 제4 입사부(324)가 상기 제2 광원(120)으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향을 따라서 차례대로 배치된다. The first wavelength conversion layer 310 may include a third incidence part 314 through which light emitted from the second light source 120 is incident, and the second wavelength conversion layer 320 may include the second light source ( And a fourth incidence part 324 to which light exiting from 120 is incident. The third incidence part 314 and the fourth incidence part 324 are sequentially disposed along the direction in which the light emitted from the second light source 120 travels.

구체적으로, 상기 제2 광원(120)으로부터 출사한 광이 먼저 제1 파장 변환층(310)의 제1 파장 변환 입자들(311)에 입사되면서, 입사된 광보다 더 긴 파장대로 시프트된다. 이렇게 시프트 된 파장이 제2 파장 변환층(320)의 제2 파장 변환 입자들(321)에 입사되어 한 번 더 시프트되면서 더 긴 파장대가 될 수 있다. Specifically, the light emitted from the second light source 120 is first incident on the first wavelength conversion particles 311 of the first wavelength conversion layer 310, and is shifted to a longer wavelength than the incident light. The shifted wavelength is incident on the second wavelength converting particles 321 of the second wavelength converting layer 320 to be shifted once more to become a longer wavelength band.

따라서, 상기 파장 변환부(300)에 포함되는 파장 변환층(310, 320)을 통해 적외선을 발생시킬 수 있다. Therefore, infrared rays may be generated through the wavelength conversion layers 310 and 320 included in the wavelength conversion unit 300.

상기 제2 광원(120) 및 상기 파장 변환부(300)에 의해 발생하는 광은 렌즈부(420) 및 보호 장치(520)를 따라 진행할 수 있다. Light generated by the second light source 120 and the wavelength converter 300 may travel along the lens unit 420 and the protection device 520.

제2 실시예에 따른 발광체(20)는 제1 광원(110) 및 제2 광원(120)이 서로 다른 부분에 위치한다. 따라서, 다양한 색을 가진 광을 발생시키고자 할 때, 상기 제1 광원(110)을 구동시킬 수 있고, 적외선을 발생시키고자 할 때, 상기 제2 광원(120)을 구동시킬 수 있다. 즉, 소비자의 기호나 요구에 따라 하나의 발광체로부터 다양한 광을 발생시킬 수 있다. In the light emitter 20 according to the second exemplary embodiment, the first light source 110 and the second light source 120 are positioned at different portions. Therefore, when the light having various colors is to be generated, the first light source 110 can be driven, and when the infrared light is to be generated, the second light source 120 can be driven. That is, various lights can be generated from one light emitter according to the consumer's preferences and requirements.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (13)

제1 광원; 및
상기 제1 광원으로부터 출사되는 광을 파장으로 변환시키는 파장 변환부를 포함하고,
상기 파장 변환부는 적어도 하나 이상의 파장 변환층을 포함하며,
상기 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장되는 발광체.
A first light source; And
A wavelength converter configured to convert light emitted from the first light source into wavelength;
The wavelength conversion unit includes at least one wavelength conversion layer,
The wavelength conversion layer extends in a direction in which the light emitted from the first light source proceeds.
제1항에 있어서,
상기 파장 변환층는 파장 변환 입자를 포함하는 발광체.
The method of claim 1,
The wavelength converting layer includes a light emitting body including wavelength converting particles.
제2항에 있어서,
상기 파장 변환층은 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층을 포함하는 발광체.
The method of claim 2,
The wavelength conversion layer includes a first wavelength conversion layer and a second wavelength conversion layer.
제3항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고,
상기 제1 파장 변환 입자와 상기 제2 파장 변환 입자의 직경이 서로 다른 발광체.
The method of claim 3,
The first wavelength converting layer includes a first wavelength converting particle, the second wavelength converting layer includes a second wavelength converting particle,
The light emitter of which the diameters of the first wavelength conversion particle and the second wavelength conversion particle are different from each other.
제4항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제1 입사부를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제2 입사부를 포함하고,
상기 제1 입사부 및 상기 제2 입사부가 하나의 평면에 배치되는 발광체.
5. The method of claim 4,
The first wavelength conversion layer includes a first incidence part to which light emitted from the first light source is incident,
The second wavelength conversion layer includes a second incidence portion to which light emitted from the first light source is incident.
The light emitter, wherein the first incident part and the second incident part are disposed in one plane.
제4항에 있어서,
상기 파장 변환부의 길이방향으로 연장되는 제2 광원을 포함하고,
상기 제2 광원으로부터 출사되는 광은 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층에 차례대로 입사하는 발광체.
5. The method of claim 4,
A second light source extending in the longitudinal direction of the wavelength converter;
The light emitted from the second light source sequentially enters the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer.
제6항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제3 입사부를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제4 입사부를 포함하고,
상기 제3 입사부 및 상기 제4 입사부가 상기 제2 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향을 따라서 차례로 배치되는 발광체.
The method according to claim 6,
The first wavelength conversion layer includes a third incidence portion to which light emitted from the second light source is incident,
The second wavelength conversion layer includes a fourth incidence part to which light emitted from the second light source is incident.
The light emitter of which the third incidence portion and the fourth incidence portion are sequentially disposed along a direction in which the light emitted from the second light source travels.
제2항에 있어서,
상기 파장 변환층은 제1 파장 변환층, 제2 파장 변환층 및 제3 파장 변환층을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제3 파장 변환층은 제3 파장 변환 입자를 포함하며,
상기 제1 파장 변환 입자, 상기 제2 파장 변환 입자 및 상기 제3 파장 변환 입자의 직경이 각각 서로 다른 발광체.
The method of claim 2,
The wavelength conversion layer includes a first wavelength conversion layer, a second wavelength conversion layer, and a third wavelength conversion layer,
The first wavelength converting layer includes a first wavelength converting particle, the second wavelength converting layer includes a second wavelength converting particle, and the third wavelength converting layer includes a third wavelength converting particle,
A light emitter having different diameters of the first wavelength converting particle, the second wavelength converting particle, and the third wavelength converting particle, respectively.
제2항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 나노크리스탈(nanocrystal)을 포함하고,
상기 나노크리스탈의 형태는 구, 선(wire) 및 막대(rod) 중 적어도 어느 하나인 발광체.
The method of claim 2,
The wavelength conversion particle comprises a nanocrystal (nanocrystal),
The nanocrystals have a shape of at least one of sphere, wire and rod.
제1항에 있어서,
상기 파장 변환부로부터 출사되는 광을 증대시키는 렌즈부를 포함하는 적외선 발생 장치.
The method of claim 1,
And a lens unit for augmenting light emitted from the wavelength converter.
제1항에 있어서,
상기 파장 변환부로부터 출사되는 광을 굴절시키는 보호 장치를 포함하는 발광체.
The method of claim 1,
A light emitter comprising a protective device for refracting the light emitted from the wavelength converter.
제2항에 있어서,
상기 파장 변환부는 호스트(host)를 포함하고,
상기 파장 변환 입자가 상기 호스트에 분산된 발광체.
The method of claim 2,
The wavelength converter includes a host,
A light emitter in which the wavelength conversion particles are dispersed in the host.
제11항에 있어서,
상기 호스트는 실리콘계 수지를 포함하는 발광체.
The method of claim 11,
The host is a light emitter containing a silicone-based resin.
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