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KR101795034B1 - Light emitting device - Google Patents

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KR101795034B1
KR101795034B1 KR1020110048111A KR20110048111A KR101795034B1 KR 101795034 B1 KR101795034 B1 KR 101795034B1 KR 1020110048111 A KR1020110048111 A KR 1020110048111A KR 20110048111 A KR20110048111 A KR 20110048111A KR 101795034 B1 KR101795034 B1 KR 101795034B1
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KR
South Korea
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wavelength conversion
conversion layer
wavelength
light source
light
Prior art date
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KR1020110048111A
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Korean (ko)
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KR20120129685A (en
Inventor
임종욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Publication date
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/40—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K2/00—Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
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    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

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Abstract

실시예에 따른 발광체는, 제1 광원; 및 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광을 파장으로 변환시키는 파장 변환부를 포함하고, 상기 파장 변환부는 적어도 하나 이상의 파장 변환층을 포함하며, 상기 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장된다.An illuminant according to an embodiment includes: a first light source; And a wavelength conversion unit converting the light emitted from the first light source into a wavelength, wherein the wavelength conversion unit includes at least one wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion layer is a layer in which light emitted from the first light source proceeds Lt; / RTI >

Description

발광체{LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 기재는 발광체에 관한 것이다.The present disclosure relates to a phosphor.

최근에는 양자점(quantum dot: QD)의 발광 특성을 이용한 다양한 연구가 활발히 진행되고 있다.Recently, various studies using quantum dot (QD) emission characteristics have been actively conducted.

이러한 양자점은 좁은 파장대에서 강한 형광을 발생시킨다. 양자점이 발생시키는 광은 전도대(Conduction band)에서 가전자대(valence band)로 불안정한 상태의 전자가 내려오면서 발생한다. 이때 발생하는 형광은 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생한다.These quantum dots generate strong fluorescence in a narrow wavelength band. The light generated by the quantum dot is generated by the electrons in the unstable state from the conduction band to the valence band. Fluorescence generated at this time generates light of a shorter wavelength as the particles of the quantum dots become smaller, and light of longer wavelengths as the particles become larger.

따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 또한, 여러 크기의 양자점이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있다. Therefore, by controlling the size of the quantum dots, light of a desired wavelength can be obtained. In addition, when several quantum dots of different sizes are used together, it is possible to emit light of one wavelength and to emit various colors at once.

특히, 양자점은 짧은 파장의 빛을 받아 시프트(shift)시켜 더 긴 파장으로 파장대를 변환시킬 수 있다. In particular, the quantum dot can receive a short wavelength of light and shift the wavelength band to a longer wavelength.

이러한 양자점의 특성을 이용하여 다양한 광을 발생시키는 발광체에 대한 연구가 진행되고 있다.Studies on a light emitting body that generates various light using the characteristics of the quantum dots have been conducted.

실시예는 파장 변환 입자를 통해 다양한 파장대의 광을 발생시킬 수 있다.The embodiment can generate light of various wavelength ranges through the wavelength converting particles.

실시예에 따른 발광체는, 제1 광원; 및 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광을 파장으로 변환시키는 파장 변환부를 포함하고, 상기 파장 변환부는 적어도 하나 이상의 파장 변환층을 포함하며, 상기 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장된다.An illuminant according to an embodiment includes: a first light source; And a wavelength conversion unit converting the light emitted from the first light source into a wavelength, wherein the wavelength conversion unit includes at least one wavelength conversion layer, wherein the wavelength conversion layer is a layer in which light emitted from the first light source proceeds Lt; / RTI >

실시예에 따른 발광체는, 광원으로부터 출사되는 광을 변환시키는 파장 변환부를 포함한다. 특히, 상기 파장 변환부는 양자점 및 나노크리스탈 등과 같은 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 파장 변환 입자는 상기 광원으로부터 출사되는 광을 효율적으로 변환시킬 수 있다.The light emitting unit according to the embodiment includes a wavelength converting unit for converting the light emitted from the light source. In particular, the wavelength converter may include wavelength conversion particles such as quantum dots and nanocrystals. The wavelength converting particles can efficiently convert light emitted from the light source.

특히, 상기 파장 변환부는 다수 개의 파장 변환층들을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 파장 변환층은 서로 다른 크기의 파장 변환 입자들을 포함할 수 있다. 이로써, 상기 각각의 파장 변환층들로부터 다양한 색이 발광될 수 있고, 이러한 다양한 색을 가진 광들이 서로 섞이면서 예상하지 못한 새로운 색을 발생시킬 수 있다.In particular, the wavelength converter may include a plurality of wavelength conversion layers. Further, each of the wavelength conversion layers may include wavelength conversion particles of different sizes. As a result, various colors can be emitted from the respective wavelength conversion layers, and unexpected new colors can be generated as the lights having various colors are mixed with each other.

또한, 실시예에 따른 발광체는, 두 개 이상의 광원을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 광원의 위치에 따라 다른 파장을 가진 광을 발생시킬 수 있다. 즉, 구동시키는 광원에 따라, 다양한 색을 가진 광을 발생시킬 수도 있고, 적외선을 발생시킬 수도 있다. 따라서, 소비자의 기호나 요구에 따라 하나의 발광체로부터 다양한 광을 발생시킬 수 있다.Further, the light emitting device according to the embodiment may include two or more light sources. Therefore, It is possible to generate light having a different wavelength depending on the position. That is, depending on the light source to be driven, light having various colors may be generated, or infrared rays may be generated. Accordingly, it is possible to generate various light from one luminous body according to the taste or demand of the consumer.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광체의 사시도이다.
도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에서 렌즈부를 확대하여 도시한 사시도이다.
도 5는 제2 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광체의 사시도이다.
도 7은 도 6에서 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view of a light emitting device according to a first embodiment.
2 is a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a section cut along AA 'in FIG. 2. FIG.
Fig. 4 is an enlarged perspective view of the lens unit in Fig. 3. Fig.
5 is an exploded perspective view of a light emitting device according to the second embodiment.
6 is a perspective view of a light emitting device according to the second embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in FIG. 6; FIG.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광체를 상세하게 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다. 도 2는 제1 실시예에 따른 발광체의 사시도이다. 도 3은 도 2에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 4는 도 3에서 렌즈부를 확대하여 도시한 사시도이다.The light emitting device according to the first embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 1 is an exploded perspective view of a light emitting device according to a first embodiment. 2 is a perspective view of a light emitting device according to the first embodiment. 3 is a cross-sectional view showing a section taken along line A-A in Fig. Fig. 4 is an enlarged perspective view of the lens unit in Fig. 3. Fig.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광체(10)는, 제1 광원(100), 케이스(200), 파장 변환부(300), 렌즈부(400) 및 보호 장치(500)를 포함한다. 1 to 3, the light emitting device 10 according to the first embodiment includes a first light source 100, a case 200, a wavelength conversion unit 300, a lens unit 400, and a protection device 500 ).

상기 제1 광원(100)은 광을 발생시킨다. 상기 제1 광원(100)에서 출사한 광은 파장 변환부(300)로 입사된다. 상기 제1 광원(100)은 일례로, 빛을 발생시키는 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The first light source 100 generates light. The light emitted from the first light source 100 is incident on the wavelength converter 300. The first light source 100 may include a light emitting diode that generates light.

상기 케이스(200)는 상기 파장 변환부(300) 및 렌즈부(400)를 수용한다. 또한, 상기 케이스(200)는 파장 변환부(300) 및 렌즈부(400)를 외부의 오염으로부터 보호하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 케이스(200)는 상기 광원(100)을 지지할 수 있다. 상기 케이스(200)는 플라스틱 또는 금속 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 케이스(100)는 상기 파장 변환부(300) 및 상기 보호 장치(500)를 수용할 수 있다.The case 200 accommodates the wavelength conversion unit 300 and the lens unit 400. In addition, the case 200 may protect the wavelength conversion unit 300 and the lens unit 400 from external contamination. In addition, the case 200 may support the light source 100. The case 200 may include plastic, metal, or the like. In addition, the case 100 may receive the wavelength converter 300 and the protection device 500.

상기 파장 변환부(300)는 적어도 하나 이상의 파장 변환층(310, 320)을 포함한다. 상기 파장 변환층(310, 320)은 다수 개의 파장 변환 입자(311, 321)들을 포함한다. The wavelength converter 300 includes at least one wavelength conversion layer 310 and 320. The wavelength conversion layers 310 and 320 include a plurality of wavelength conversion particles 311 and 321.

상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 균일하게 분산된 형태로, 파장 변환층(310, 320)에 포함된다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 호스트(host)(312, 322)에 분산될 수 있다. 상기 호스트(312, 322)는 파장 변환 입자들(311, 321)을 안정적으로 분산시킬 수 있다. The wavelength conversion particles 311 and 321 are included in the wavelength conversion layers 310 and 320 in a uniformly dispersed form. That is, the wavelength conversion particles 311 and 321 may be distributed to the hosts 312 and 322. The host (312, 322) can stably disperse the wavelength converting particles (311, 321).

일례로, 상기 호스트(312, 322)는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. In one example, the host 312, 322 may comprise a silicone-based resin.

상기 파장 변환 입자들(311, 321)은 입사광의 파장을 변환한다. 상기 파장 변환 입자들(311, 321)는 일례로, 나노크리스탈(nanocrystal)을 포함할 수 있다. The wavelength conversion particles 311 and 321 convert the wavelength of the incident light. The wavelength conversion particles 311 and 321 may include, for example, nanocrystals.

나노크리스탈이란, 나노미터 크기의 결정으로써, 최근에 이 나노크리스탈을 이용한 디스플레이 장치가 주목 받고 있다.Nanocrystals are nanometer-size crystals, and display devices using these nanocrystals have recently attracted attention.

나노크리스탈은 구, 선(wire) 및 막대(rod) 등의 다양한 형태를 가질 수 있다. Nanocrystals can have various forms such as spheres, wires and rods.

특히, 구 형상의 양자점(quantum dot)이 나노 소재로써 주목 받고 있다. 이러한 양자점은 좁은 파장대에서 강한 형광을 발생시킨다. 양자점이 발생시키는 광은 전도대(Conduction band)에서 가전자대(valence band)로 불안정한 상태의 전자가 내려오면서 발생한다. 이때 발생하는 형광은 양자점의 입자가 작을수록 짧은 파장의 빛이 발생하고, 입자가 클수록 긴 파장의 빛을 발생한다.In particular, spherical quantum dots are attracting attention as nanomaterials. These quantum dots generate strong fluorescence in a narrow wavelength band. The light generated by the quantum dot is generated by the electrons in the unstable state from the conduction band to the valence band. Fluorescence generated at this time generates light of a shorter wavelength as the particles of the quantum dots become smaller, and light of longer wavelengths as the particles become larger.

따라서 양자점의 크기를 조절하면 원하는 파장대의 빛을 얻을 수 있다. 또한, 여러 크기의 양자점이 함께 있을 때 하나의 파장으로 빛을 발하게 만들면 여러 가지 색을 한번에 낼 수도 있다. Therefore, by controlling the size of the quantum dots, light of a desired wavelength can be obtained. In addition, when several quantum dots of different sizes are used together, it is possible to emit light of one wavelength and to emit various colors at once.

또한, 양자점은 일반적인 형광 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.In addition, quantum dots have extinction coefficient of 100 to 1000 times higher than general fluorescent dyes and have high quantum yield, so that they generate very high fluorescence.

특히, 양자점은 짧은 파장의 빛을 받아 시프트(shift)시켜 더 긴 파장으로 파장대를 변환시킬 수 있다.In particular, the quantum dot can receive a short wavelength of light and shift the wavelength band to a longer wavelength.

상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The quantum dot may include core nanocrystals and shell nanocrystals surrounding the core nanocrystals. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include CdSe, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS.

일례로, 상기 코어 나노 결정이 CdSe를 포함하고, 상기 양자점의 직경이 1 nm 내지 3 nm 일 때, 청색광을 발생시킬 수 있다. 또한, 상기 양자점의 직경이 3 nm 내지 5 nm 일 경우, 녹색광을 발생시킬 수 있으며, 상기 양자점의 직경이 7 nm 내지 10 nm 일 경우, 적색광을 발생시킬 수 있다. For example, when the core nanocrystals include CdSe and the diameter of the quantum dots is 1 nm to 3 nm, blue light can be generated. Further, when the diameter of the quantum dot is 3 nm to 5 nm, green light can be generated, and when the diameter of the quantum dot is 7 nm to 10 nm, red light can be generated.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기 또는 합성 과정에서의 분자 클러스터 화합물(molecular cluster compound)와 나노입자 전구체 (precurser)의 몰분율 (molar ratio)에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of light emitted from the quantum dots can be controlled by the size of the quantum dots or the molar ratio of the molecular cluster compound and the nanoparticle precursor in the synthesis process. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

이어서, 상기 파장 변환부(300)는 파장 변환층(310, 320)을 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(310, 320)은 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)을 포함할 수 있다. The wavelength conversion unit 300 may include wavelength conversion layers 310 and 320. The wavelength conversion layers 310 and 320 may include a first wavelength conversion layer 310 and a second wavelength conversion layer 320.

상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장된다. 구체적으로, 상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제1 입사부(313)를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층(320)은 상기 제1 광원(100)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제2 입사부(323)를 포함한다. 상기 제1 입사부(313) 및 상기 제2 입사부(323)가 하나의 평면에 배치된다.The first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 extend in a direction in which light emitted from the first light source 100 propagates. In detail, the first wavelength conversion layer 310 includes a first incident portion 313 through which light emitted from the first light source 100 is incident, and the second wavelength conversion layer 320 includes a first incident portion 313, And a second incidence portion 323 through which light emitted from one light source 100 is incident. The first incident portion 313 and the second incident portion 323 are disposed on one plane.

상기 제1 파장 변환층(310)에 제1 파장 변환 입자들(311)이 포함되고, 상기 제2 파장 변환층(320)에 제2 파장 변환 입자들(321)이 포함될 수 있다. The first wavelength conversion layer 310 may include first wavelength conversion particles 311 and the second wavelength conversion layer 320 may include second wavelength conversion particles 321.

상기 제1 파장 변환 입자들(411)과 상기 제2 파장 변환 입자들(412)의 직경이 서로 다를 수 있다. 따라서, 상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 각각 다른 파장을 가지는 광을 출사시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)은 서로 다른 색을 가지는 광을 출사시킬 수 있다. The diameters of the first wavelength-converted particles 411 and the second wavelength-converted particles 412 may be different from each other. Accordingly, the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 can emit light having different wavelengths. That is, the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 can emit light having different colors.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 도 3에 도시한 바와 같이 파장 변환층(310, 320)들이 다수 개로 형성될 수 있다. 이로써, 상기 파장 변환층들로부터 다양한 색이 발광될 수 있고, 이러한 다양한 색을 가진 광들이 서로 섞이면서 예상하지 못한 새로운 색을 발생시킬 수 있다. However, the embodiment is not limited thereto, and as shown in FIG. 3, a plurality of wavelength conversion layers 310 and 320 may be formed. As a result, various colors can be emitted from the wavelength conversion layers, and unexpected new colors can be generated as the lights having various colors are mixed with each other.

또한, 도면에 도시하지 않았으나, 상기 파장 변환층은 제1 파장 변환층, 제2 파장 변환층 및 제3 파장 변환층을 포함할 수 있다. 상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제3 파장 변환층은 제3 파장 변환 입자를 포함할 수 있다. 상기 제1 파장 변환 입자, 상기 제2 파장 변환 입자 및 상기 제3 파장 변환 입자의 직경이 각각 서로 다를 수 있다. 이로써, 다양한 색을 발생시킬 수 있다.Further, although not shown, the wavelength conversion layer may include a first wavelength conversion layer, a second wavelength conversion layer, and a third wavelength conversion layer. The first wavelength conversion layer may include first wavelength conversion particles, the second wavelength conversion layer may include second wavelength conversion particles, and the third wavelength conversion layer may include third wavelength conversion particles. The diameters of the first wavelength conversion particle, the second wavelength conversion particle and the third wavelength conversion particle may be different from each other. Thereby, various colors can be generated.

이어서, 상기 렌즈부(400)는 상기 케이스(200) 내에 배치된다. 상기 렌즈부(400)는 상기 파장 변환부(300)로부터 출사하는 광을 더 퍼뜨릴 수 있다.  Then, the lens unit 400 is disposed in the case 200. The lens unit 400 may further spread the light emitted from the wavelength converter 300.

도 4를 참조하면, 상기 렌즈부(400)는 평평하게 형성된 입사부(411) 및 요철이 형성된 출사부(412)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the lens unit 400 may include a flat incidence unit 411 and a concave-convex output unit 412.

즉, 상기 렌즈부(400)에서, 상기 파장 변환부(300)를 향하는 면은 평평할 수 있다. 또한, 상기 렌즈부(400)에서, 상기 보호 장치(500)를 향하는 면에는 다수 개의 돌기들이 형성될 수 있다. That is, in the lens unit 400, the surface facing the wavelength conversion unit 300 may be flat. In addition, in the lens unit 400, a plurality of protrusions may be formed on the surface facing the protection device 500.

이러한 렌즈부(400)는 일례로, 마이크로렌즈 또는 프리즘 시트 등을 포함할 수 있다. The lens unit 400 may include, for example, a microlens, a prism sheet, or the like.

도면에서는 상기 렌즈부(400)가 상기 파장 변환부(300)와 상기 보호 장치(500) 사이에만 위치하는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 렌즈부(400)가 상기 제1 광원(100)과 상기 파장 변환부(300)사이에도 위치할 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 광원(100)으로부터 출사되는 광이 전체적으로 균일하게 상기 파장 변환부(300)에 입사되도록 할 수 있다. 이로 인해, 파장 변환부(300)가 발생시키는 광의 변환 효율을 증대시킬 수 있다. Although the lens unit 400 is illustrated as being located only between the wavelength conversion unit 300 and the protection device 500, the present invention is not limited thereto. Therefore, the lens unit 400 may be positioned between the first light source 100 and the wavelength conversion unit 300. Accordingly, the light emitted from the first light source 100 can be uniformly incident on the wavelength conversion unit 300 as a whole. Thus, the conversion efficiency of light generated by the wavelength converter 300 can be increased.

도면에서는, 상기 렌즈부(400)가 하나 포함되는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 상기 렌즈부(400)는 상기 파장 변환부(300)와 상기 보호 장치(500) 사이 또는 상기 제1 광원(100)과 상기 파장 변환부(300) 사이에 다양한 개수로 포함될 수 있다. Although one lens unit 400 is shown in the drawing, the embodiment is not limited thereto. Accordingly, the lens unit 400 may be included in various numbers between the wavelength conversion unit 300 and the protection device 500 or between the first light source 100 and the wavelength conversion unit 300.

이어서, 상기 보호 장치(500)는 상기 케이스(200)에 연결된다. 상기 보호 장치(500)는 상기 케이스(200)에 체결되거나, 상기 케이스(200)와 일체로 형성될 수 있다.Then, the protective device 500 is connected to the case 200. The protection device 500 may be fastened to the case 200 or may be integrally formed with the case 200.

또한, 상기 보호 장치(500)는 상기 파장 변환부(300)의 외곽으로부터 하방으로 연장될 수 있다.In addition, the protection device 500 may extend downward from the outer periphery of the wavelength converter 300.

상기 출사된 광은 상기 보호 장치(500)를 통해 굴절될 수 있다. 즉, 상기 보호 장치(500)를 이용하여 광이 효과적으로 집광될 수 있다. 상기 보호 장치(500)는 파장 변환부(300)에서 광이 출사되는 출사면의 외곽으로부터 연장되는 돔 형상일 수 있다.The emitted light may be refracted through the protective device 500. That is, light can be efficiently condensed by using the protective device 500. The protective device 500 may have a dome shape extending from the outer surface of the exit surface through which the light is emitted from the wavelength converter 300.

이하, 도 5 내지 도 7을 참조하여 제2 실시예에 따른 발광체를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, the phosphor according to the second embodiment will be described with reference to Figs. 5 to 7. Fig. For the sake of clarity and simplicity, detailed description of the same or similar parts to those of the first embodiment will be omitted.

도 5는 제2 실시예에 따른 발광체의 분해 사시도이다. 도 6은 제2 실시예에 따른 발광체의 사시도이다. 도 7은 도 6에서 B-B'를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 5 is an exploded perspective view of a light emitting device according to the second embodiment. 6 is a perspective view of a light emitting device according to the second embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in FIG. 6; FIG.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광체(20)는 제1 광원(110) 및 제2 광원(120)을 포함한다. 5 to 7, the light emitter 20 according to the second embodiment includes a first light source 110 and a second light source 120. [

상기 제2 광원(120)은 파장 변환부(300)의 길이방향으로 연장되는 형태를 가질 수 있다. 상기 제2 광원(120)으로부터 출사되는 광은 제1 파장 변환층(310) 및 제2 파장 변환층(320)에 차례대로 입사한다. The second light source 120 may extend in the longitudinal direction of the wavelength converter 300. The light emitted from the second light source 120 enters the first wavelength conversion layer 310 and the second wavelength conversion layer 320 in order.

즉, 상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제2 광원(120)과 가깝게 위치하고, 광의 진행 방향을 따라 제1 파장 변환층(310)에 인접하여 상기 제2 파장 변환층(320)이 위치할 수 있다.That is, the first wavelength conversion layer 310 is located close to the second light source 120, and the second wavelength conversion layer 320 is adjacent to the first wavelength conversion layer 310 along the light traveling direction, can do.

상기 제1 파장 변환층(310)은 상기 제2 광원(120)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제3 입사부(314)를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층(320)은 상기 제2 광원(120)으로부터 출사하는 광이 입사하는 제4 입사부(324)를 포함한다. 상기 제3 입사부(314) 및 상기 제4 입사부(324)가 상기 제2 광원(120)으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향을 따라서 차례대로 배치된다. The first wavelength conversion layer 310 includes a third incident portion 314 through which light emitted from the second light source 120 is incident, and the second wavelength conversion layer 320 includes the second light source And a fourth incidence portion 324 through which light emitted from the second incidence portion 120 is incident. The third incident portion 314 and the fourth incident portion 324 are arranged in order along the direction in which the light emitted from the second light source 120 advances.

구체적으로, 상기 제2 광원(120)으로부터 출사한 광이 먼저 제1 파장 변환층(310)의 제1 파장 변환 입자들(311)에 입사되면서, 입사된 광보다 더 긴 파장대로 시프트된다. 이렇게 시프트 된 파장이 제2 파장 변환층(320)의 제2 파장 변환 입자들(321)에 입사되어 한 번 더 시프트되면서 더 긴 파장대가 될 수 있다. Specifically, the light emitted from the second light source 120 is first shifted to a longer wavelength band than the incident light while being incident on the first wavelength conversion particles 311 of the first wavelength conversion layer 310. The shifted wavelength is incident on the second wavelength conversion particles 321 of the second wavelength conversion layer 320 and shifted one more time, so that the longer wavelength band can be obtained.

따라서, 상기 파장 변환부(300)에 포함되는 파장 변환층(310, 320)을 통해 적외선을 발생시킬 수 있다. Therefore, infrared rays can be generated through the wavelength conversion layers 310 and 320 included in the wavelength converter 300.

상기 제2 광원(120) 및 상기 파장 변환부(300)에 의해 발생하는 광은 렌즈부(420) 및 보호 장치(520)를 따라 진행할 수 있다. The light generated by the second light source 120 and the wavelength conversion unit 300 may travel along the lens unit 420 and the protection unit 520.

제2 실시예에 따른 발광체(20)는 제1 광원(110) 및 제2 광원(120)이 서로 다른 부분에 위치한다. 따라서, 다양한 색을 가진 광을 발생시키고자 할 때, 상기 제1 광원(110)을 구동시킬 수 있고, 적외선을 발생시키고자 할 때, 상기 제2 광원(120)을 구동시킬 수 있다. 즉, 소비자의 기호나 요구에 따라 하나의 발광체로부터 다양한 광을 발생시킬 수 있다. The light emitting device 20 according to the second embodiment is located at a different portion of the first light source 110 and the second light source 120. [ Therefore, when generating the light of various colors, the first light source 110 can be driven, and when the infrared light is generated, the second light source 120 can be driven. That is, various lights can be generated from one light emitter according to the taste or demand of the consumer.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (13)

제1 광원;
상기 제1 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 파장 변환부; 및
상기 파장 변환부의 길이방향으로 연장되는 제2 광원을 포함하고,
상기 파장 변환부는 제1 파장 변환층 및 제2 파장 변환층을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향으로 연장되고,
상기 제2 광원으로부터 출사되는 광은 상기 제1 파장 변환층 및 상기 제2 파장 변환층에 차례대로 입사하는 발광체.A first light source;
A wavelength converter for converting a wavelength of light emitted from the first light source; And
And a second light source extending in the longitudinal direction of the wavelength converter,
Wherein the wavelength converter includes a first wavelength conversion layer and a second wavelength conversion layer,
Wherein the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer extend in a direction in which light emitted from the first light source travels,
And the light emitted from the second light source enters the first wavelength conversion layer and the second wavelength conversion layer in order. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환층은 파장 변환 입자를 포함하는 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion layer comprises wavelength conversion particles. 제1항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고,
상기 제1 파장 변환 입자와 상기 제2 파장 변환 입자의 직경이 서로 다른 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength conversion layer includes first wavelength conversion particles, the second wavelength conversion layer includes second wavelength conversion particles,
Wherein the first wavelength conversion particle and the second wavelength conversion particle have different diameters. 제1항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제3 입사부를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제4 입사부를 포함하고,
상기 제3 입사부 및 상기 제4 입사부가 하나의 평면에 배치되는 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength conversion layer includes a third light incidence portion through which light emitted from the second light source is incident,
Wherein the second wavelength conversion layer includes a fourth incident portion through which light emitted from the second light source is incident,
And the third incidence portion and the fourth incidence portion are disposed on one plane. 제1항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제1 입사부를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 상기 제1 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제2 입사부를 포함하고,
상기 제1 입사부 및 상기 제2 입사부가 하나의 평면에 배치되는 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength conversion layer includes a first incident portion through which light emitted from the first light source is incident,
Wherein the second wavelength conversion layer includes a second incident portion through which light emitted from the first light source is incident,
Wherein the first incident portion and the second incident portion are disposed on one plane. 제 1항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 양자점을 포함하는 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion particle comprises a quantum dot. 제1항에 있어서,
상기 제1 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제3 입사부를 포함하고,
상기 제2 파장 변환층은 상기 제2 광원으로부터 출사하는 광이 입사하는 제4 입사부를 포함하고,
상기 제3 입사부 및 상기 제4 입사부가 상기 제2 광원으로부터 출사되는 광이 진행되는 방향을 따라서 차례로 배치되는 발광체.The method according to claim 1,
Wherein the first wavelength conversion layer includes a third light incidence portion through which light emitted from the second light source is incident,
Wherein the second wavelength conversion layer includes a fourth incident portion through which light emitted from the second light source is incident,
The third incidence portion and the fourth incidence portion are disposed in order along the direction in which the light emitted from the second light source advances. 제2항에 있어서,
상기 파장 변환층은 제1 파장 변환층, 제2 파장 변환층 및 제3 파장 변환층을 포함하고,
상기 제1 파장 변환층은 제1 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제2 파장 변환층은 제2 파장 변환 입자를 포함하고, 상기 제3 파장 변환층은 제3 파장 변환 입자를 포함하며,
상기 제1 파장 변환 입자, 상기 제2 파장 변환 입자 및 상기 제3 파장 변환 입자의 직경이 각각 서로 다른 발광체.3. The method of claim 2,
Wherein the wavelength conversion layer includes a first wavelength conversion layer, a second wavelength conversion layer, and a third wavelength conversion layer,
Wherein the first wavelength conversion layer includes first wavelength conversion particles, the second wavelength conversion layer includes second wavelength conversion particles, the third wavelength conversion layer includes third wavelength conversion particles,
Wherein the first wavelength conversion particle, the second wavelength conversion particle and the third wavelength conversion particle have different diameters from each other. 제2항에 있어서,
상기 파장 변환 입자는 나노크리스탈(nanocrystal)을 포함하고,
상기 나노크리스탈의 형태는 구, 선(wire) 및 막대(rod) 중 적어도 어느 하나인 발광체.3. The method of claim 2,
Wherein the wavelength converting particle comprises a nanocrystal,
Wherein the nanocrystal is at least one of a sphere, a wire, and a rod. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환부로부터 출사되는 광을 증대시키는 렌즈부를 더 포함하는 발광체.The method according to claim 1,
And a lens unit that increases light emitted from the wavelength conversion unit. 제1항에 있어서,
상기 파장 변환부로부터 출사되는 광을 굴절시키는 보호 장치를 더 포함하는 발광체.The method according to claim 1,
And a protective device for refracting the light emitted from the wavelength conversion unit. 제2항에 있어서,
상기 파장 변환부는 호스트(host)를 포함하고,
상기 파장 변환 입자가 상기 호스트에 분산된 발광체.3. The method of claim 2,
Wherein the wavelength converter includes a host,
And the wavelength conversion particles are dispersed in the host. 제12항에 있어서,
상기 호스트는 실리콘계 수지를 포함하는 발광체.13. The method of claim 12,
Wherein the host comprises a silicone-based resin.
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