KR20070094234A - Method for designing reticle - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레티클의 설계방법을 나타내는 플로우 챠트.1 is a flow chart showing a method of designing a reticle according to an embodiment of the present invention.
도 2는 메인 칩 패턴 영역과 스크라이브 라인을 설명하기 위해 나타내는 평면도.2 is a plan view illustrating the main chip pattern region and a scribe line;
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
100 : 메인 칩 패턴 영역 200 : 스크라이브 라인 패턴 영역100: main chip pattern area 200: scribe line pattern area
본 발명은 레티클의 설계방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레티클의 메인칩 영역 가장자리의 스크라이브 영역에 배치되는 복수개의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴 각각에 고유명을 색인하여 레티클의 설계 시 복수개의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 누락을 방지토록 하고, 레티클의 설계시간을 단축시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 레티클의 설계방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of designing a reticle, and more particularly, a plurality of alignment keys, overlay keys, and test patterns, which are arranged in a scribe area at an edge of a main chip area of the reticle, are indexed to a unique name, respectively. The present invention relates to a reticle design method that can increase or maximize productivity since it is possible to prevent missing alignment keys, overlay keys, and test patterns, and to shorten the design time of the reticle.
최근, 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 반도체 소자는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to these demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, response speed, and the like.
이에 따라, 반도체 산업에서 경쟁력 강화를 위한 일환으로 높은 생산 수율을 보장할 수 있는 각각의 단위 공정이 개발되고 있으며, 동시에 각 단위 공정에서의 공정 에러를 줄이기 위한 다양한 방법들이 계속하여 연구 개발되고 있다. 반도체 소자의 집적도를 높이는 데 가장 제약이 되는 단위 공정은 사진 공정(Photo-lithographic Process)이다. 예컨대, 반도체 소자는 웨이퍼상에 형성되는 여러 개의 절연층들과 도전층들로 이루어지며, 이들의 패턴은 포토레지스트 패턴과 같은 마스크 패턴에 따라 노광, 현상 및 식각됨에 의해 형성된다. 따라서, 상기 포토레지스트 원하는 패턴의 층을 형성하기 위해서는 노광공정시에 식각될 층만을 광원에 노출시켜야 한다. 광원은 일반적으로 단일 파장을 갖는 자외선광 또는 X선광을 포함하여 이루어지며, 상기 광원에 입사되는 상기 자외선광 또는 X선광이 레티클에 형성된 이미지 패턴에 차폐되어 상기 포토레지스트이 선택적으로 노광되도록 할 수 있다. As a result, each unit process that can guarantee a high production yield is being developed as part of the competitiveness of the semiconductor industry, and at the same time, various methods for reducing process errors in each unit process are continuously being researched and developed. The most restrictive unit process for increasing the integration of semiconductor devices is a photo-lithographic process. For example, a semiconductor device is formed of a plurality of insulating layers and conductive layers formed on a wafer, and their patterns are formed by exposure, development and etching according to a mask pattern such as a photoresist pattern. Therefore, in order to form the layer of the photoresist desired pattern, only the layer to be etched in the exposure process should be exposed to the light source. The light source generally includes ultraviolet light or X-ray light having a single wavelength, and the ultraviolet light or X-ray light incident on the light source may be shielded by an image pattern formed on the reticle to selectively expose the photoresist.
반도체 장치의 고집적화 추세에 따라 상기 레티클 상에 설계되는 상기 이미지 패턴이 작아지는 반면 그 개수가 많아지고, 그에 비례하여 레티클 제작에도 많 은 시간에 필요하게 되었다. 상기 레티클(reticle)은 적어도 하나이상의 메인칩 패턴 영역과 상기 메인칩 패턴 영역의 둘레를 감싸는 스크라이브 라인 패턴 영역을 포함하는 이미지를 포함하여 이루어진다. 따라서, 일반적으로 레티클 상에 칩을 설계하는 데 걸리는 시간을 단축하기 위하여 메인 칩 영역과, 상기 메인 칩 영역의 주변 인 스크라이브 라인 패턴 영역의 데이터 구조를 분리하여 설계하고 있다. 여기서, 상기 메인칩 패턴 영역은 반도체 소자의 동작 핵심영역으로서 반도체 제조공정이 완료되면 개별로 절개(cutting)된 후 포장되거나 패키징되어 개별소자로서 분리 유통될 수 있다. 이때, 상기 메인칩 패턴 영역은 내부에 설계되어야할 크기 또는 제품 사양에 따라 각기 다른 종류의 포맷(format)으로 결정된다.According to the trend toward higher integration of semiconductor devices, the number of image patterns designed on the reticle becomes smaller, and the number of the image patterns increases, which is required for a large amount of time to manufacture the reticle. The reticle includes an image including at least one main chip pattern region and a scribe line pattern region surrounding the main chip pattern region. Therefore, in order to shorten the time it takes to design a chip on a reticle, the main chip area and the data structure of the scribe line pattern area surrounding the main chip area are separately designed. Here, the main chip pattern region is an operation core region of the semiconductor device, and when the semiconductor manufacturing process is completed, the main chip pattern region may be individually cut and then packaged or packaged and distributed separately as individual devices. In this case, the main chip pattern area is determined in different types of formats according to sizes or product specifications to be designed therein.
또한, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에는 반도체 제조공정 상 웨이퍼 레벨에서의 공정 효과를 높이기 위해 상기 메인칩 패턴 영역의 정렬을 위한 정렬키와, 상기 메인칩 패턴 영역에서 적층되는 다수개의 박막간에 오버레이 키가 형성될 수 있다. 그리고, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역은 상기 웨이퍼 레벨에서의 공정이 완료되면 이후, 칩 단위로 절개되어야할 부분으로서 상기 메인 칩 패턴 영역에 형성되는 트랜지스터와 같은 테스트용 개별소자가 형성될 수도 있다.In addition, in the scribe line pattern region, an alignment key for aligning the main chip pattern region and an overlay key are formed between the plurality of thin films stacked in the main chip pattern region in order to increase a process effect at a wafer level in a semiconductor manufacturing process. Can be. In addition, when the scribe line pattern region is completed at the wafer level, a test individual element such as a transistor formed in the main chip pattern region may be formed as a portion to be cut in chip units.
이와 같은 종래 기술에 따른 레티클의 설계방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the reticle design method according to the prior art as follows.
먼저, 반도체 제조공정을 위해 선택되는 제품의 사양에 따라 메인 칩 패턴 영역이 확정된다. 예컨대, 상기 메인 칩 패턴 영역에 형성되는 일반적인 반도체 소자는 트랜지스터로서 트랜지스터의 게이트 전극의 크기에 대응되는 채널의 길이 제약에 따른 임계값이 결정된다.First, the main chip pattern region is determined according to the specifications of the product selected for the semiconductor manufacturing process. For example, as a general semiconductor device formed in the main chip pattern region, a threshold value is determined according to a channel length constraint corresponding to the size of a gate electrode of the transistor as a transistor.
이후, 메인 칩 패턴 영역이 확정되면, 인터페이스의 데이터 베이스를 통해 상기 메인 칩 패턴 영역 둘레의 스크라이브 라인 영역에 설계될 다양한 종류의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 포함하는 포토 키를 출력 받아 상기 인터페이스의 화면으로 생성시킨다. 여기서, 상기 다양한 종류의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴은 상기 메인 칩 패턴에 대응하여 개별로 하나씩 이미지화 되거나, 이미 설정된 그룹으로 묶여져 이미지화 되어 상기 인터페이스의 화면으로 나타난다.After the main chip pattern region is determined, a photo key including various types of alignment keys, overlay keys, and test patterns to be designed in the scribe line region around the main chip pattern region is received through a database of an interface. Create the screen of the interface. Here, the various kinds of the alignment key, the overlay key, and the test pattern may be individually imaged one by one corresponding to the main chip pattern, or may be grouped into an already set group and imaged to appear on the screen of the interface.
다음, 상기 얼라인 키와 상기 오버레이 키가 설계되기 위하여 상기 메인 칩 패턴 영역의 둘레를 따라 스크라이브 라인 패턴 영역을 상기 인터페이스의 화면으로 생성한다.Next, in order to design the alignment key and the overlay key, a scribe line pattern region is generated as a screen of the interface along a circumference of the main chip pattern region.
그 다음, 상기 인터페이스의 화면에서 상기 얼라인 키와 상기 오버레이 키를 선택하여 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에 지정하여 배치시킨다. 이때, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에 배치되는 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 테스트 패턴은 일방향으로 형성되는 상기 스크라이브 라인의 패턴 영역을 따라 일렬로 다수개가 배치될 수 있다.Next, the alignment key and the overlay key are selected and arranged in the scribe line pattern area on the screen of the interface. In this case, a plurality of the alignment key, the overlay key, and the test pattern disposed in the scribe line pattern region may be arranged in a line along the pattern region of the scribe line formed in one direction.
그리고, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키 및 상기 테스트 패턴이 배치되고 남는 부분에서 소정의 부분을 개방시키기 위한 커팅(cutting) 영역을 설정한 이후, 레티클 설계를 완료할 수 있다. 여기서, 상기 커팅 영역은 해당 레티클을 사용한 반도체 제조공정의 이전 공정에서 형성된 소정의 패턴이 현 공정에서 그대로 노출될 수 있도록 설계되는 부분이다.The reticle design may be completed after setting a cutting region for opening a predetermined portion in the portion where the alignment key, the overlay key, and the test pattern are disposed and remain in the scribe line pattern region. . Here, the cutting region is a part designed to expose a predetermined pattern formed in a previous process of the semiconductor manufacturing process using the reticle as it is in the current process.
마지막으로, 인터페이스의 화면에 나타나는 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴이 정상적으로 배치되었는지를 확인한다. 예컨대, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역에 배치되는 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴이 누락되었는지를 확인한다.Finally, it is checked whether the alignment key, the overlay key, and the test pattern are normally disposed in the scribe line pattern area appearing on the screen of the interface. For example, the alignment key, the overlay key, and the test pattern disposed in the scribe line pattern area are checked.
따라서, 종래 기술에 따른 레티클의 설계방법은 메인 칩 패턴 영역을 정의하는 스크라이브 라인 패턴 영역에 배치되는 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 이미지화하여 배치시키고, 상기 스크라인 패턴 영역에 배치되는 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 이미지를 이용하여 확인하여 레티클 설계를 완료하고 상기 레티클을 제작토록 할 수 있다.Therefore, the reticle design method according to the prior art is to image and arrange the alignment key, the overlay key, and the test pattern disposed in the scribe line pattern region defining the main chip pattern region, and the said Images of the align key, overlay key, and test pattern can be verified to complete the reticle design and produce the reticle.
하지만, 종래 기술에 따른 레티클의 설계방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the reticle design method according to the prior art had the following problems.
종래 기술에 따른 레티클의 설계방법은 인터페이스 데이터 베이스에서 출력되는 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 생성 시에 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 이미지로 생성되어 스크라이브 라인 패턴 영역에 배치되면서 이를 확인하기 위한 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락된 것을 확인하기에 용이치 않고, 이를 확인하는 데 걸리는 다수의 확인시간이 소요되기 때문에 생산성이 떨어지는 단점이 있었다.In the reticle design method according to the related art, the alignment key, the overlay key, and the test pattern are generated as an image when the alignment key, the overlay key, and the test pattern are output from the interface database. It is not easy to check that the alignment key, the overlay key, and the test pattern are missing in the design verification operation for confirming this as it is arranged. there was.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 스크라이브 라인 패 턴 영역에 배치되는 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 배치 확인을 위해 수행되는 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락된 것을 확인하기에 용이하고, 이를 확인하는 데 걸리는 확인 시간을 단축시켜 생산성을 증대 또는 극대화할 수 있는 레티클의 설계방법을 제공하는 데 있다.An object of the present invention for solving the above problems, the alignment key, overlay key, which is disposed in the scribe line pattern area, and the alignment key, overlay key during the design verification performed to confirm the placement of the test pattern The present invention provides a method of designing a reticle that can easily identify missing and test patterns, and shorten the verification time required to confirm the test pattern, thereby increasing or maximizing productivity.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 레티클의 설계방법은, 레티클에 색인될 메인칩 영역을 설정하는 단계; 상기 메인칩 영역 외곽의 스크라이브 라인 영역에 배치되는 복수개의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 각각의 고유명으로 색인하여 상기 복수개의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 이미지를 상기 스크라이브 라인 영역에 배치하는 단계; 및 상기 스크라이브 라인 영역에 배치된 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 확인 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴에 대응되는 각각의 고유명을 확인하여 상기 스크라이브 라인 영역에 배치되어야 할 해당 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락되거나 추가되었는지를 판단하는 단계를 포함함을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of designing a reticle, including: setting a main chip region to be indexed to the reticle; The plurality of alignment keys, overlay keys, and test patterns, which are disposed in the scribe line area outside the main chip region, are indexed with respective unique names, and the images of the plurality of alignment keys, overlay keys, and test patterns are scribed. Placing in an area; And confirming each unique name corresponding to the alignment key, overlay key, and test pattern when the alignment key, overlay key, and test pattern is arranged in the scribe line area. Determining whether the corresponding alignment key, overlay key, and test pattern are missing or added.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 레티클 설계방법을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라 서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, a reticle design method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 레티클의 설계방법을 나타내는 플로우 챠트이다.1 is a flowchart illustrating a method of designing a reticle according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 레티클의 설계방법은, 먼저, 반도체 제조공정을 위해 선택되는 제품의 사양에 따라 메인 칩 패턴 영역(100)이 확정된다(S100). 여기서, 상기 메인 칩 패턴 영역(100)은 웨이퍼의 활성영역에 대응하여 액티브 반도체 소자 및 상기 액티브 반도체 소자간을 연결하는 배선이 배선되는 영역이다. 예컨대, 상기 메인 칩 패턴 영역(100)에 형성되는 일반적인 상기 액티브 반도체 소자는 트랜지스터로서 트랜지스터의 게이트 전극의 크기에 대응되는 채널의 길이 제약에 따른 임계값이 결정된다. 따라서, 상기 메인 칩 패턴 영역(100)은 상기 액티브 반도체 소자가 미리 정해진 크기에 따라 배열되도록 메이커(maker)에서 제작되어 상업적으로 유통된다.As shown in FIG. 1, in the method of designing a reticle according to the present invention, first, a main
또한, 메인 칩 패턴 영역(100)이 확정되면, 인터페이스의 데이터 베이스를 통해 상기 메인 칩 패턴 영역(100) 둘레의 스크라이브 라인 영역에 설계될 다양한 종류의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 포함하는 포토 키를 출력 받아 소정의 정해진 고유명으로 지정한 후 이를 상기 인터페이스의 화면으로 생성시킨다 (S200). 여기서, 상기 다양한 종류의 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴은 이미지화 되는 것이 아니라, 각각의 기능과 용도에 맞게 지정되어 고유명을 갖도록 생성된다. 예컨대, 상기 얼라인 키의 머리글자(initial)는 'a'를 지정하고, 크기 또는 모양에 따라 숫자와 혼용하여 해당 얼라인 키의 고유명을 지정토록 하고, 상기 오버레이 키의 머리글자는 'o'를 지정하고, 크기 또는 모양에 따라 숫자와 혼용하여 해당 오버레이 키의 고유명을 지정토록 하고, 상기 테스트 패턴의 머리글자는 't'를 지정하고, 크기 또는 모양에 따라 숫자와 혼용하여 해당 테스트 패턴의 고유명을 지정토록 할 수 있다. 이때, 다수개의 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 서로 혼용되거나 각각 독립되어 하나의 그룹을 이루어 하나의 고유명으로 지정되어 나타내어질 수도 있다. 또한, 상기 인터페이스의 화면에서 해당 고유명을 선택할 경우, 상기 화면의 일측에서 상기 고유명에 대응되는 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 또는 상기 테스트 패턴의 이미지가 나타날 수 있다.In addition, when the main
다음, 상기 메인 칩 패턴 영역(100)에 대응하여 소정의 기능과 크기를 갖는 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 설계되도록 하기 위해 상기 메인 칩 패턴 영역(100)의 둘레를 따라 스크라이브 라인 패턴 영역(200)을 상기 인터페이스의 화면으로 생성한다(S300). Next, a scribe is performed along the circumference of the main
도 2는 메인 칩 패턴 영역(100)과 스크라이브 라인을 설명하기 위해 나타내는 평면도로서, 9개의 메인 칩 패턴 영역(100)이 상기 메인 칩 패턴 영역(100)을 정의하는 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 의해 정의된다. 여기서, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)은 상기 인터페이스의 화면에서 축소되어 나타난다. 또 한, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)은 상기 인터페이스의 화면에서 확대 되어 나타내어질 수도 있다.2 is a plan view illustrating a main
그 다음, 상기 인터페이스의 화면에서 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 선택하여 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 지정하여 배치시킨다(S400). 여기서, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 배치되는 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 테스트 패턴은 일방향으로 형성되는 상기 스크라이브 라인의 패턴 영역을 따라 일렬로 다수개가 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 얼라인 키는 주로 상기 메인 칩 패턴 영역(100)의 모서리에 인접하는 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 설계되며, 상기 오버레이 키는 상기 얼라인 키에서 소정거리 내에 서로 동일 또는 유사한 크기를 갖도록 복수개가 군집하여 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 설계된다. 또한, 상기 테스트 패턴은 상기 메인 칩 패턴 영역(100)에 형성되는 상기 액티브 반도체 소자와 동일 또는 유사한 크기의 액티브 반도체 소자가 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 형성되도록 설계된다. Next, the alignment key, the overlay key, and the test pattern are selected and assigned to the scribe
그 이후, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키 및 상기 테스트 패턴이 배치되고 남는 부분에서 이전 반도체 공정에 의해 패터닝된 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴을 포함하는 포토 키를 포함하는 소정 부분을 개괄적으로 개방시키기 위한 커팅(cutting) 영역을 배치하고 레티클 설계를 완료할 수 있다(S500). 여기서, 상기 커팅 영역은 해당 레티클을 사용한 반도체 제조공정의 이전 공정에서 형성된 소정의 패턴이 현 공정에서 그대로 노출될 수 있도록 설계되는 부분이다. 예컨대, 이전의 반도체 제조공정에서 상기 얼라인 키, 및 오버레이 키가 너무 많이 적층되어 현 반도체 제조공정과 이후의 반도체 제조공정에서 더 이상의 반도체 제조공정이 이루어지기 난이하거나, 필요성이 없을 때 상기 커팅 영역이 설계될 수 있다. 또한, 상기 이전의 반도체 제조공정에서 상기 테스트 패턴이 완료되어 현 반도체 제조공정과 이후의 반도체 제조공정에서 상기 테스트 패턴 상에 적층되어야 할 패터닝 공정이 요구되지 않을 경우, 상기 이전 반도체 제조공정에 의해 제작된 상기 테스트 패턴이 형성된 부분을 상기 커팅 영역으로 설계한다.Thereafter, the alignment key, the overlay key, and the test pattern, which are patterned by a previous semiconductor process in a portion where the alignment key, the overlay key, and the test pattern are disposed in the scribe
마지막으로, 인터페이스의 화면에 나타나는 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 적어도 하나 이상의 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴이 정상적으로 배치되었는지를 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴에 대응되는 각각의 고유명을 통하여 확인할 수 있다(S600). 여기서, 상기 인터페이스 화면에 나타나는 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)은 복수개의 메인 칩 패턴 영역(100)을 정의하기 위해 상기 복수개의 메인 칩 패턴 영역(100)의 둘레를 감싸는 복수개의 사각형 변 모양을 갖도록 이루어진다. 또한, 상기 복수개의 사각형 변 모양을 갖도록 이루어지는 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 형성되는 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴은 무수히 많을 정도로 설계되어진다. 이때, 상기 인터페이스의 화면을 통하여 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴의 이미지를 확대 또는 축소하여 누락된 것을 확인하는 것은 용이하지 않다. 따라서, 상기 얼라인 키, 상기 오버레이 키, 및 상기 테스트 패턴에 대응되는 각각의 고유명을 확인하여 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에서 배치되어야할 해당 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락되거나, 불필요한 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴가 추가되어 설계되었는지를 용이하게 확인토록 할 수 있다.Finally, at least one of the alignment key, the overlay key, and the test pattern is normally disposed in the scribe
예컨대, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 배치되는 다수개의 상기 얼라인 키의 경우, 상기 얼라인 키의 머리글자를 기준으로 상기 머리글자 이후에 이어지는 문자 또는 숫자가 연속성을 잃은 부분에서 해당 얼라인 키가 누락되었는지를 용이하게 확인토록 할 수 있다. 또한, 상기 얼라인 키의 머리글자 이후에 이어지는 문자 또는 숫자가 서로 다른 부분에서 해당 얼라인 키가 추가되었는지를 용이하게 확인토록 할 수 있다. 마찬가지로, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 배치되는 다수개의 오버레이 키 또는 테스트 패턴 또한 상기 얼라인 키의 경우와 같이, 머리글자를 기준으로 이후에 이어지는 문자 또는 숫자가 연속성을 잃은 부분에서 해당 오버레이 키 또는 테스트 패턴이 누락되었는지를 용이하게 확인토록 하고, 상기 머리글자를 기준으로 이어지는 문자 또는 숫자가 서로 다른 부분에서 해당 오버레이 키 또는 테스트 패턴이 추가되었는 지를 용이하게 확인토록 할 수 있다.For example, in the case of a plurality of the alignment keys disposed in the scribe
따라서, 본 발명에 따른 레티클의 설계방법은 인터페이스 데이터 베이스에서 출력되는 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 생성 시에 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 각각의 고유명을 갖도록 생성되고, 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 스크라이브 라인 패턴 영역(200)에 배치된 것을 확인하는 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴에 대응 되는 각각의 고유명이 일목요연하게 정리되도록 하여 상기 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락되거나 추가된 것을 용이하게 확인토록 하고, 이를 확인하는 데 걸리는 확인시간을 단축시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화 할 수 있다.Therefore, the reticle design method according to the present invention is generated so that the alignment key, overlay key, and test pattern has a unique name when generating the alignment key, overlay key, and test pattern output from the interface database, , A unique name corresponding to the alignment key, the overlay key, and the test pattern may be apparent in a design verification operation for confirming that the alignment key, the overlay key, and the test pattern are disposed in the scribe
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능하다. 예컨대, 상기 스크라이브 라인 패턴 영역(200)은 상기 메인 칩 패턴 영역(100)의 둘레를 따라 형성되는 주변 패턴 영역으로 나타내어질 수도 있다.In addition, the description of the above embodiment is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention, it should not be construed as limiting the present invention. In addition, various changes and modifications can be made by those skilled in the art without departing from the basic principles of the present invention. For example, the scribe
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 인터페이스 데이터 베이스에서 출력되는 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴의 생성 시에 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 각각의 고유명을 갖도록 생성되고, 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 스크라이브 라인 패턴 영역에 배치된 것을 확인하는 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴에 대응되는 각각의 고유명이 일목요연하게 정리되도록 하여 상기 설계 확인작업 시 상기 얼라인 키, 오버레이 키, 및 테스트 패턴이 누락되거나 추가된 것을 용이하게 확인토록 하고, 이를 확인하는 데 걸리는 확인시간을 단축시킬 수 있기 때문에 생산성을 증대 또는 극대화 할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the alignment key, the overlay key, and the test pattern are generated to have unique names when generating the alignment key, the overlay key, and the test pattern output from the interface database. In the design verification operation for confirming that the alignment key, the overlay key, and the test pattern are disposed in the scribe line pattern area, each unique name corresponding to the alignment key, the overlay key, and the test pattern is arranged in a clear manner. It is possible to easily confirm that the alignment key, overlay key, and test pattern are missing or added during the verification operation, and to shorten the verification time required to confirm this, thereby increasing or maximizing productivity. .
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060024628A KR20070094234A (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Method for designing reticle |
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KR1020060024628A KR20070094234A (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Method for designing reticle |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20070094234A true KR20070094234A (en) | 2007-09-20 |
Family
ID=38688169
Family Applications (1)
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KR1020060024628A KR20070094234A (en) | 2006-03-17 | 2006-03-17 | Method for designing reticle |
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KR (1) | KR20070094234A (en) |
-
2006
- 2006-03-17 KR KR1020060024628A patent/KR20070094234A/en not_active Application Discontinuation
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