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KR20060089002A - Shower head of semiconductor device fabrication apparatus - Google Patents

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KR20060089002A
KR20060089002A KR1020050010059A KR20050010059A KR20060089002A KR 20060089002 A KR20060089002 A KR 20060089002A KR 1020050010059 A KR1020050010059 A KR 1020050010059A KR 20050010059 A KR20050010059 A KR 20050010059A KR 20060089002 A KR20060089002 A KR 20060089002A
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baffle plate
fitting protrusion
fitting
shower head
plate
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KR1020050010059A
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Korean (ko)
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박재성
박승배
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 샤워헤드의 바디 내부에 설치되어 반응가스를 분배하는 배플 플레이트의 장착 구조를 개선한 반도체 제조장치의 샤워헤드에 관한 것이다. 본 발명의 샤워헤드는 공정가스가 유입되는 유입포트를 갖는 상판과, 복수의 분사공이 형성된 하판그리고 내부에 상기 공정가스가 유입 확산되는 내부공간을 갖는 바디와; 상기 유입포트와 소정 간격을 두고 상기 바디 내부에 설치되는 배플 플레이트; 및 상기 배플 플레이트를 상기 바디에 탈착식으로 고정하기 위한 고정부재를 포함하되; 상기 고정부재는 상기 바디의 상판 저면으로부터 돌출되어 형성되는 복수개의 L자 형상의 끼움돌기와; 상기 배플 플레이트에 형성되는 그리고 상기 끼움돌기가 끼워진 상태에서 일방향으로 회전 움직임에 의해 상기 끼움돌기가 고정되는 끼움홈을 갖는다.The present invention relates to a showerhead of a semiconductor manufacturing apparatus which is installed inside a body of a showerhead and improves a mounting structure of a baffle plate for distributing reaction gas. The shower head of the present invention includes: a body having an upper plate having an inlet port into which a process gas is introduced, a lower plate having a plurality of injection holes formed therein, and an inner space into which the process gas is introduced and diffused; A baffle plate installed inside the body at a predetermined distance from the inlet port; And a fixing member for detachably fixing the baffle plate to the body; The fixing member may include a plurality of L-shaped fitting protrusions protruding from the bottom of the upper plate of the body; The fitting protrusion is formed on the baffle plate and the fitting protrusion is fixed by a rotational movement in one direction in the fitting protrusion being fitted.

Description

반도체 제조장치의 샤워헤드{SHOWER HEAD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION APPARATUS}Shower head of semiconductor manufacturing apparatus {SHOWER HEAD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION APPARATUS}

도 1은 일반적인 화학기상 증착장치의 공정챔버를 개략적으로 보여주는 단면도;1 is a cross-sectional view schematically showing a process chamber of a general chemical vapor deposition apparatus;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드가 장착된 화학기상 증착장치의 공정챔버를 개략적으로 보여주는 단면도;2 is a cross-sectional view schematically showing a process chamber of a chemical vapor deposition apparatus equipped with a showerhead according to an embodiment of the present invention;

도 3은 배플 플레이트의 장착상태를 설명하기 위하여 도 2에 표시된 a-a 선을 따라 바라본 단면도이다. 3 is a cross-sectional view taken along the line a-a shown in FIG. 2 to explain the mounting state of the baffle plate.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 웨이퍼척110: wafer chuck

120 : 샤워헤드120: shower head

122 : 바디122: body

130 : 배플 플레이트 130: baffle plate

142 : 끼움돌기142: fitting

144 : 끼움홈 144: fitting groove

본 발명은 반도체 제조장치의 샤워헤드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 샤워헤드 바디 내부에 설치되어 반응가스를 분배하는 배플 플레이트의 장착 구조를 개선한 반도체 제조장치의 샤워헤드에 관한 것이다. The present invention relates to a showerhead of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a showerhead of a semiconductor manufacturing apparatus that is installed inside the showerhead body to improve the mounting structure of the baffle plate for distributing the reaction gas.

일반적으로 반도체 제조를 위한 화학기상 증착장치(chemical vapor deposition apparatus)는 형성시키려고 하는 박막재료를 구성하는 원소로 된 1 또는 2종이상의 화합물 가스를 기판 위에 공급해, 기상 또는 기판표면에서의 화학반응에 의해서 원하는 박막이 형성되도록 하는 것이다. In general, a chemical vapor deposition apparatus for semiconductor manufacturing supplies one or two or more kinds of compound gases of elements constituting the thin film material to be formed on a substrate, and then, by a chemical reaction on the gas phase or the surface of the substrate, The desired thin film is to be formed.

이 화학기상 증착장치는 에피텍시얼 웨이퍼(epitaxial wafer) 성장기술의 발전에서 발단하고, 디바이스 기술의 고도화에 대응하여 현재 고집적회로(LSI)에서의 기본기술의 하나이다. 특히 실리콘 게이트 등의 디바이스에서는 화학기상 증착법에 의한 박막형성으로 그 구조가 만들어지고 있다. This chemical vapor deposition apparatus starts with the development of epitaxial wafer growth technology, and is one of the basic technologies in the current high integrated circuit (LSI) in response to the advancement of the device technology. Especially in devices such as silicon gates, the structure is formed by thin film formation by chemical vapor deposition.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 화학기상 증착장치의 공정챔버(10)에는 샤워헤드(20)가 설치되며, 이 샤워헤드(20) 내부에는 가스 분배(distribution)에 이용되는 배플 플레이트(22)가 장착되어 있다. 이 배플 플레이트의 장착은 다수의 체결 스크류(24)가 배플 플레이트(22)의 가장자리 부분을 따라 하부로부터 관통하여 샤워헤드의 상부벽에 체결됨으로써 이루어진다. As shown in FIG. 1, a shower head 20 is installed in a process chamber 10 of a general chemical vapor deposition apparatus, and a baffle plate 22 used for gas distribution is installed inside the shower head 20. Is equipped. The baffle plate is mounted by a plurality of fastening screws 24 penetrating from the bottom along the edge of the baffle plate 22 and fastening to the upper wall of the showerhead.

그런데, 이때 사용되는 체결 스크류는 머리에 일자홈이 형성되어 있다. 그러므로 샤워헤드의 설치시 힘이 균일하게 가해지지 못하거나 또는 너무 강하게 조여지게 되면 이 일자홈 부분이 마모되는 경우가 발생하게 된다. 이러한 스크류의 마 모정도가 커지게 되면 스크류 자체가 파손되는 경우가 발생하고, 이때의 스크류의 파손은 반도체 제조장치의 설비 가동효율이 떨어지고, 장치의 직접적인 고장 원인이 되기도 한다. 더욱이 스크류의 분해 조립시 스크류의 마모로 발생한 미세한 금속 이물질은 이후 공정챔버 내부에 이들 이물질이 잔존하게 될 경우 웨이퍼의 가공효율을 떨어뜨리게 되는 문제점도 있다. By the way, the fastening screw used at this time is a straight groove is formed in the head. Therefore, when the shower head is not uniformly applied or is too tightly tightened, this straight groove portion may be worn out. If the wear level of the screw increases, the screw itself may be broken, and the screw breakage at this time may lower the operation efficiency of the semiconductor manufacturing apparatus and may cause a direct failure of the device. In addition, the fine metal foreign matter caused by the wear of the screw during the disassembly and assembly of the screw, there is also a problem that will reduce the processing efficiency of the wafer if these foreign matter remains in the process chamber.

또한, 스크류 결합에 따른 배플 플레이트의 리드(lead)에 접촉하는 부위가 많아 상대적으로 금속 오염 또한 고려될 수밖에 없는 현실이다.In addition, there is a lot of contact with the lead (lead) of the baffle plate due to the screw coupling is a reality that must be considered relatively metal contamination.

또한, 자동화 라인에서 수작업의 공정이 들어가는 상기 스크류 체결 방식은 상당히 조잡하고 시간 손실을 가져오는 작업 방법이다. In addition, the screw fastening method, which involves manual processing in an automated line, is a method of operation that is quite crude and results in time loss.

본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 배플 플레이트의 분리 및 결합 구조를 개선한 새로운 형태의 반도체 제조 장치의 샤워헤드를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a showerhead of a new type of semiconductor manufacturing apparatus having improved separation and coupling structure of a baffle plate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 장치의 샤워헤드는 공정가스가 유입되는 유입포트를 갖는 상판과, 복수의 분사공이 형성된 하판그리고 내부에 상기 공정가스가 유입 확산되는 내부공간을 갖는 바디와; 상기 유입포트와 소정 간격을 두고 상기 바디 내부에 설치되는 배플 플레이트; 및 상기 배플 플레이트를 상기 바디에 탈착식으로 고정하기 위한 고정부재를 포함하되; 상기 고정부재는 상기 바디의 상판 저면으로부터 돌출되어 형성되는 복수개의 L자 형 상의 끼움돌기와; 상기 배플 플레이트에 형성되는 그리고 상기 끼움돌기가 끼워진 상태에서 일방향으로 회전 움직임에 의해 상기 끼움돌기가 고정되는 끼움홈을 갖는다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the shower head of the semiconductor manufacturing apparatus has an upper plate having an inlet port through which the process gas is introduced, a lower plate formed with a plurality of injection holes and the inside in which the process gas is introduced and diffused therein A body having a space; A baffle plate installed inside the body at a predetermined distance from the inlet port; And a fixing member for detachably fixing the baffle plate to the body; The fixing member may include a plurality of L-shaped fitting protrusions protruding from the bottom of the upper plate of the body; The fitting protrusion is formed on the baffle plate and the fitting protrusion is fixed by a rotational movement in one direction in the fitting protrusion being fitted.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 끼움홈은 상기 끼움돌기가 삽입되는 삽입부분과, 상기 삽입부분으로부터 측방향으로 형성되는 그리고 상기 배플 플레이트의 회전에 의해 상기 끼움돌기가 슬라이딩되어 끼워지는 슬릿부분을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the fitting groove is an insertion portion into which the fitting protrusion is inserted, and a slit portion formed laterally from the insertion portion and the fitting protrusion is slid by the rotation of the baffle plate. Include.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.

이하, 첨부된 도면 도 2 및 도 3을 참조하면서 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, FIGS. 2 and 3. In the drawings, the same reference numerals are given to components that perform the same function.

도 2는 본 발명에 따른 샤워헤드가 장착된 화학기상 증착장치의 공정챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 2에서 배플 플레이트의 장착상태를 설명하기 위하여 a-a 선을 따라 바라본 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a process chamber of a chemical vapor deposition apparatus equipped with a showerhead according to the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along the line a-a to explain the mounting state of the baffle plate in FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예의 화학기상 증착장치의 공정챔버(100)는 내부 하측에 설치되어 웨이퍼(W)를 안착 고정시키기 위한 웨이퍼척(110)과, 상기 웨이퍼척(110)의 소정 높이 상측에 설치되어 웨이퍼에 공정가스를 분사하기 위 한 샤워헤드(120)를 포함한다.2 and 3, the process chamber 100 of the chemical vapor deposition apparatus of the present embodiment is installed on the lower side inside the wafer chuck 110 for mounting and fixing the wafer (W), the wafer chuck 110 Is installed above a predetermined height of the shower head 120 for injecting a process gas on the wafer.

상기 샤워헤드(120)는 공정가스가 유입 확산되는 내부 공간을 갖는 바디(122)를 포함한다. 상기 바디(122)는 공정가스가 유입되는 유입포트(125)를 갖는 상판(124)과, 복수의 분사공(127)이 형성된 하판(126)을 갖는 원통형으로 형성된다. 상기 바디의 하판(126)에 형성되는 분사공(127)은 미세한 구멍으로 하판에 균일하게 형성되며, 상기 유입포트(125)는 상판의 중앙에 배치된다.The shower head 120 includes a body 122 having an inner space through which process gas is introduced and diffused. The body 122 is formed in a cylindrical shape having an upper plate 124 having an inflow port 125 into which process gas is introduced, and a lower plate 126 having a plurality of injection holes 127. The injection hole 127 formed in the lower plate 126 of the body is uniformly formed in the lower plate with minute holes, and the inlet port 125 is disposed at the center of the upper plate.

상기 바디(122)의 내부 공간에는 상기 유입포트(125)와 소정 간격을 두고 배플 플레이트(130)가 설치된다. 상기 배플 플레이트(130)에는 복수의 가스관통공들이 형성된다. 상기 배플 플레이트(130)의 장착은 고정부재에 의해 상기 바디에 탈착식으로 이루어진다.The baffle plate 130 is installed in the inner space of the body 122 at predetermined intervals from the inlet port 125. A plurality of gas through holes are formed in the baffle plate 130. Mounting of the baffle plate 130 is made detachable to the body by a fixing member.

상기 고정부재(140)는 4개의 끼움 돌기(142)와 4개의 끼움홈(144)을 포함한다. 상기 끼움 돌기(142)는 상기 바디의 상판(124) 저면으로부터 돌출되어 형성되는 L자 형상으로 이루어진다. 상기 끼움홈(144)은 상기 배플 플레이트의 상면에 형성되는데, 이 끼움홈(144)은 상기 끼움돌기(142)가 삽입되는 삽입부분(144a)과, 상기 삽입부분(144a)으로부터 측방향으로 형성되는 그리고 상기 배플 플레이트의 회전에 의해 상기 끼움돌기가 슬라이딩되어 끼워지는 슬릿부분(144b)으로 이루어진다. 예컨대, 상기 끼움돌기(142)의 표면과 상기 끼움홈(144) 표면은 보다 안정적인 사용을 위해 마모가 되지 않는 물질로 코팅될 수 있다. The fixing member 140 includes four fitting protrusions 142 and four fitting grooves 144. The fitting protrusion 142 is formed in an L-shape protruding from the bottom surface of the upper plate 124 of the body. The fitting groove 144 is formed on the upper surface of the baffle plate, the fitting groove 144 is formed into the insertion portion 144a into which the fitting protrusion 142 is inserted, and laterally from the insertion portion 144a. And by the rotation of the baffle plate is made of a slit portion (144b) that the fitting protrusion is slid. For example, the surface of the fitting protrusion 142 and the surface of the fitting groove 144 may be coated with a material that does not wear for more stable use.

이상과 같은 본원 발명의 샤워헤드에서 배플 플레이트가 장착되는 과정은 다음과 같다.The process of mounting the baffle plate in the showerhead of the present invention as described above is as follows.

우선, 상기 끼움돌기(142)들이 상기 끼움홈의 삽입부분(144a)에 위치되도록 상기 배플 플레이트(130)를 밀어 올린 상태에서, 상기 배플 플레이트(130)를 측방향으로 회동시키면, 끼움돌기(142)가 상기 끼움홈의 슬릿부(144b)로 이동되면서 상기 배플 플레이트가 안정적으로 장착되는 것이다. First, in the state in which the baffle plate 130 is pushed up so that the fitting protrusions 142 are positioned at the insertion portion 144a of the fitting groove, the baffle plate 130 is rotated laterally, and the fitting protrusion 142 is rotated. As the baffle plate is moved to the slit portion 144b of the fitting groove, the baffle plate is stably mounted.

상기 웨이퍼는 반도체 기판(semiconductor substrate), 유리 기판(glass substrate) 또는 액정 패널(liquid crystal panel) 등과 같은 기판(substrate)일 수 있다. The wafer may be a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate, or a liquid crystal panel.

이상에서, 본 발명에 따른 샤워헤드의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다. In the above, the configuration and operation of the shower head according to the present invention is shown in accordance with the above description and drawings, but this is only an example, and various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. to be.

이와 같은 본 발명에 의하면, 배플 플레이트의 장착이 스크류에 의한 체결 방식이 아닌 돌려 끼움 방식이어서 조립시간과 비용을 절감할 수 있고, 스크류 사용으로 인해 발생되었던 여러 문제점들을 방지할 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
According to the present invention, the mounting of the baffle plate is a screw-in method rather than a screwing method, thereby reducing assembly time and cost, and has a particular effect of preventing various problems caused by the use of the screw. .

Claims (3)

반도체 제조 장치의 샤워헤드에 있어서: In the showerhead of the semiconductor manufacturing apparatus: 공정가스가 유입되는 유입포트를 갖는 상판과, 복수의 분사공이 형성된 하판그리고 내부에 상기 공정가스가 유입 확산되는 내부공간을 갖는 바디와;A body having an upper plate having an inflow port into which a process gas is introduced, a lower plate having a plurality of injection holes formed therein, and an inner space into which the process gas is introduced and diffused; 상기 유입포트와 소정 간격을 두고 상기 바디 내부에 설치되는 배플 플레이트; 및 A baffle plate installed inside the body at a predetermined distance from the inlet port; And 상기 배플 플레이트를 상기 바디에 탈착식으로 고정하기 위한 고정부재를 포함하되; A fixing member for detachably fixing the baffle plate to the body; 상기 고정부재는 상기 바디의 상판 저면으로부터 돌출되어 형성되는 복수개의 L자 형상의 끼움돌기와; The fixing member may include a plurality of L-shaped fitting protrusions protruding from the bottom of the upper plate of the body; 상기 배플 플레이트에 형성되는 그리고 상기 끼움돌기가 끼워진 상태에서 일방향으로 회전 움직임에 의해 상기 끼움돌기가 고정되는 끼움홈을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 샤워헤드. And a fitting groove formed in the baffle plate and having the fitting protrusion fixed by a rotational movement in one direction in the state where the fitting protrusion is fitted. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 끼움홈은 The fitting groove 상기 끼움돌기가 삽입되는 삽입부분과, 상기 삽입부분으로부터 측방향으로 형성되는 그리고 상기 배플 플레이트의 회전에 의해 상기 끼움돌기가 슬라이딩되어 끼워지는 슬릿부분을 포함하는 것을 특징으로 반도체 제조 장치의 샤워헤드.And an insertion portion into which the fitting protrusion is inserted, and a slit portion formed laterally from the insertion portion and the fitting protrusion slidingly inserted by the rotation of the baffle plate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 배플 플레이트에는 다수개의 가스관통공이 형성됨을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 샤워헤드.Shower head of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that a plurality of gas through holes are formed in the baffle plate.
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KR100818390B1 (en) * 2006-08-24 2008-04-01 동부일렉트로닉스 주식회사 The shower head structure of a chemical vapor deposition system and method using the shower head
JP2017199898A (en) * 2016-04-13 2017-11-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Baffle plate and showerhead assemblies and corresponding manufacturing method
KR102014350B1 (en) * 2019-03-11 2019-08-26 주식회사 와인 A chemical vapor deposition chamber having a baffle structure

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100818390B1 (en) * 2006-08-24 2008-04-01 동부일렉트로닉스 주식회사 The shower head structure of a chemical vapor deposition system and method using the shower head
JP2017199898A (en) * 2016-04-13 2017-11-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Baffle plate and showerhead assemblies and corresponding manufacturing method
KR102014350B1 (en) * 2019-03-11 2019-08-26 주식회사 와인 A chemical vapor deposition chamber having a baffle structure

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