KR20060040431A - Organic electo luminescence device for preventing a current overflow - Google Patents
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Abstract
전원부로부터 생성되는 과전류가 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하는 유기전계 발광장치가 개시된다. 유기전계 발광장치는 ELIDD 전류생성부, 전류 감지부, 스위칭 주파수부 및 패널부에 탑재된 서미스터를 구비하여 패널부의 유기전계 발광소자가 손상되지 않게 한다.An organic electroluminescent device for preventing an overcurrent generated from a power supply unit from being input into a panel unit is disclosed. The organic light emitting device includes an ELIDD current generating unit, a current sensing unit, a switching frequency unit, and a thermistor mounted on the panel unit so that the organic electroluminescent element of the panel unit is not damaged.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting device according to the related art.
도 2는 본 발명의 바람직한 제 1실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating circuit units included in an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
도 3는 본 발명의 바람직한 제 1실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating circuit parts included in an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating circuit units included in an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating circuit parts included in an organic light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
본 발명은 유기전계 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전원부로부터 생성된 과전류가 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하여, 상기 패널부의 유기전계 발광소자가 과전류로 인해 손상되지 않도록 하는 유기전계 발광장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device that prevents an overcurrent generated from a power supply unit from being input into a panel unit, so that the organic light emitting device of the panel unit is not damaged by an overcurrent. It is about.
일반적으로, 유기전계 발광장치는 유리 기판 또는 투명한 유기 필름 위에 도포한 형광체에 전계를 인가하여 발광시키는 평면 자기 발광형 디스플레이이다. 전계발광(Electro Luminescence)이란 반도체로 이루어진 형광체에 전계가 인가될 때, 발광하는 현상을 가리킨다.In general, an organic EL device is a flat self-emission display that emits light by applying an electric field to a phosphor coated on a glass substrate or a transparent organic film. Electroluminescence refers to a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to a phosphor made of a semiconductor.
최근, 경량, 박형 등의 특성으로 휴대용 정보기기에 액정표시장치(LCD)와 유기전계 발광장치(OLED) 등이 많이 사용되고 있다. 유기전계 발광장치는 액정표시장치에 비하여 휘도특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.Recently, liquid crystal displays (LCDs) and organic light emitting diodes (OLEDs) are used in portable information devices due to their light weight and thinness. The organic light emitting device is attracting attention as a next-generation flat panel display because it has superior luminance and viewing angle characteristics as compared to the liquid crystal display.
통상, 액티브 매트릭스 유기전계 발광장치(AMOLED)는 하나의 화소가 R, G, B 단위화소로 구성되고, 각 R, G, B 단위화소는 EL소자를 구비한다. 각 EL소자는 애노드 전극과 캐소드 전극사이에 각 R, G, B 유기발광층이 개재되어 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 전압에 비해 R, G, B 유기발광층으로부터 광이 발광된다.In general, in an active matrix organic light emitting device (AMOLED), one pixel includes R, G, and B unit pixels, and each R, G, and B unit pixel includes an EL element. Each EL element has an R, G, B organic light emitting layer interposed between the anode electrode and the cathode electrode to emit light from the R, G, B organic light emitting layer compared to the voltage applied to the anode electrode and the cathode electrode.
도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting device according to the related art.
도 1를 참조하면, 종래의 유기전계 발광장치(100)는 전원부(110), 메모리부(SSRAM/ROM : 120), 프로그램부(FPGA : 130), 버퍼부(Buffer : 140), 구동부 (Driver : 150) 및 패널부(Panel : 160)로 구성된다.Referring to FIG. 1, the conventional organic light
먼저, 상기 전원부(110)는 전원 공급원으로 부터 원천 전원을 공급받아 스탭 다운(step down)시킨 후, 각 내장 회로별로 상기 원천 전원을 분할하여 전원 전압을 전달한다.First, the
즉, 상기 전원부(110)는 메모리부(120), 프로그램부(130), 버퍼부(140), 구동부(150) 및 패널부(160)로 상기 원천 전원을 분할하여 전원 전압으로 가변시켜 각 내장 회로에 전달하도록 설계된다.That is, the
여기서, 상기 내장 회로는 상기 메모리부(120), 프로그램부(130), 버퍼부(140), 구동부(150) 및 패널부(160)를 총칭하여 명명한다.Here, the embedded circuits are collectively named as the
다음, 상기 메모리부(120)는 RAM과 ROM으로 구성되는데 RAM은 Ramdon Access Memory 의 약자로 임의 접근 메모리라고도 부르며, 상기 전원 전압이 꺼지면 기억된 내용이 지워진다. 또한, ROM은 Read Only Memory 의 약자이며, 읽을 수만 있는 메모리로서 상기 전원 전압이 꺼져도 내용은 그대로 남는다. 특히, 최근에 유기전계 발광장치(100)에서 계속적으로 RAM의 데이터 처리 속도가 빨라짐에 따라, 상기 메모리부(120)에 저장된 데이터가 상기 프로그램부(130)에 신속히 전달된다.Next, the
다음, 상기 메모리부(120)로부터 데이터를 전달받은 상기 프로그램부(Field Programmable Gate Array : 130)는 이미 이식된 프로그램 로직에 따라 상기 메모리부(120)에 커맨드 신호(command signal) 및 어드레스 신호(address signal)를 인가한다. 즉, 입력된 상기 커맨드 신호 및 어드레스 신호에 따라 상기 메모리부(120)의 어드레스가 지정되고, 상기 어드레스에 상응하는 데이터가 상기 프로그램부 (130)로 출력된다. 따라서, 상기 프로그램부(130)에 수신된 데이터는 상기 프로그램 로직에 의해 처리되어 버퍼부(140)에 전달된다.Next, the program unit (Field Programmable Gate Array) 130 receiving data from the
이하, 상술한 과정에 따라 처리되고 출력되는 데이터를 프로그램 신호라 명명한다.Hereinafter, data processed and output according to the above-described process will be referred to as a program signal.
다음, 상기 버퍼부(140)는 일시적인 정보를 저장하는 기억 장소이며 한 장치에서 다른 장치로 상기 정보를 송신할 때 일어나는 시간의 차이나 정보 흐름 속도의 차이를 보상하기 위해 사용하는 장치이다. 또한, 상기 버퍼부(140)는 레지스터의 일종으로 주소의 전송을 위해 주소 버퍼를 만들기도 하는 내장 회로이므로, 상기 프로그램부(130)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 임시로 저장하여 프로그램 신호의 전송시간을 보상 및 조절한 후, 상기 프로그램 신호를 구동부(150)로 전달한다.Next, the
다음, 상기 구동부(150)는 상기 구동부(150)에 탑재되어 있는 구동 트랜지스터를 사용하여 상기 프로그램부(130)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 증폭시킨다. 즉, 상기 구동부(150)는 상기 패널부(170)의 유기전계 발광소자가 원활히 디스플레이되도록 하기 위해 상기 프로그램 신호를 확장시켜 상기 패널부(160)로 전달한다.Next, the
마지막으로, 상기 구동부(150)에 의해 증폭된 프로그램 신호는 상기 패널부(160) 내의 유기전계 발광소자로 입력되어 디스플레이된다.Finally, the program signal amplified by the
본 발명과 관련되고, 본 발명에 의해 극복되는 종래의 유기전계 발광장치에 따른 문제점은 다음과 같다.Problems related to the conventional organic EL device related to the present invention and overcome by the present invention are as follows.
상기 전원부가 패널부의 유기전계 발광소자로 전원 전압을 공급할 경우, 과전류이 인가됨으로 인해 상기 유기전계 발광소자가 손상되는 문제점이 있다. When the power supply unit supplies a power supply voltage to the organic light emitting diode of the panel unit, there is a problem in that the organic light emitting diode is damaged due to an overcurrent.
이에 따른 문제점을 해결하기 위해서는 전원부와 패널부와 연결된 중간 라인에 패널부의 유기전계 발광소자가 전원부에서 전달된 과전류으로 인해 손상되지 않도록 ELIDD 전원생성부, 전류 감지부, 스위칭 주파수부 및 서미스터가 탑재된 패널부를 구비하는 과제를 겪어야 한다.In order to solve this problem, an ELIDD power generator, a current sensing unit, a switching frequency unit, and a thermistor are mounted on an intermediate line connected to the power unit and the panel unit so that the organic light emitting diode of the panel unit is not damaged by the overcurrent transmitted from the power unit. The subject which has a panel part must go through.
본 발명의 목적은 ELIDD 전류생성부, 전류 감지부, 스위칭 주파수부 및 서미스터가 탑재된 패널부를 구비하여 전원부로부터 생성되는 과전류가 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하는 유기전계 발광장치를 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting device which includes an ELIDD current generation unit, a current sensing unit, a switching frequency unit and a panel unit on which a thermistor is mounted to prevent overcurrent generated from a power supply unit from being input to the panel unit.
상기 목적을 달성하기 위한 제 1실시예에 따른 본 발명은, 상기 패널부의 동작에 요구되는 전원 전압 VDD을 공급하기 위한 전원부; 상기 전원부와 패널부 사이에 배치되고, 상기 전원부로부터 출력되는 전원 전압 VDD를 수신하여 패널부에 공급되는 전류원 ELIDD를 생성하기 위한 ELIDD 전류생성부; 상기 ELIDD 전류생성부와 연결 및 배치되며, ELIDD 전류생성부의 동작을 제어하기 위한 스위칭 주파수부; 상기 ELIDD 전류생성부로부터 출력된 전류원 ELIDD를 수신하고, 유기전계 발광소자를 이용하여 소정의 화면을 디스플레이하기 위한 패널부; 및 상기 전류원 ELIDD를 감 지하고, 상기 ELIDD 전류생성부의 동작을 제어하기 위한 전류 감지부를 포함하는 유기전계 발광장치를 제공한다.The present invention according to the first embodiment for achieving the above object, the power supply unit for supplying a power supply voltage VDD required for the operation of the panel unit; An ELIDD current generator disposed between the power supply unit and the panel unit to receive a power supply voltage VDD output from the power supply unit to generate a current source ELIDD supplied to the panel unit; A switching frequency unit connected to and disposed with the ELIDD current generation unit and controlling an operation of the ELIDD current generation unit; A panel unit for receiving a current source ELIDD output from the ELIDD current generation unit and displaying a predetermined screen using an organic light emitting element; And a current sensing unit for sensing the current source ELIDD and controlling the operation of the ELIDD current generation unit.
상기 목적을 달성하기 위한 제 2실시예에 따른 본 발명은, 상기 패널부의 동작에 요구되는 전원 전압 VDD을 공급하기 위한 전원부; 상기 전원부와 패널부 사이에 배치되고, 상기 전원부로부터 출력되는 전원 전압 VDD를 수신하여 패널부에 공급되는 전류원 ELIDD를 생성하기 위한 ELIDD 전류생성부; 상기 ELIDD 전류생성부와 연결 및 배치되며, ELIDD 전류생성부의 동작을 제어하기 위한 스위칭 주파수부; 상기 ELIDD 전류생성부로부터 출력된 전류원 ELIDD의 과부하로 인한 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 과전류 ELIDD 감지 신호를 발생하는 서미스터가 구비되는 패널부; 및 상기 전류원 ELIDD를 감지하고, 과전류 ELIDD 감지 신호를 수신받아 상기 ELIDD 전류생성부의 동작을 제어하기 위한 전류 감지부를 포함하는 유기전계 발광장치를 제공한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a power supply unit for supplying a power supply voltage VDD required for operation of the panel unit. An ELIDD current generator disposed between the power supply unit and the panel unit to receive a power supply voltage VDD output from the power supply unit to generate a current source ELIDD supplied to the panel unit; A switching frequency unit connected to and disposed with the ELIDD current generation unit and controlling an operation of the ELIDD current generation unit; A panel unit including a thermistor for generating an overcurrent ELIDD detection signal so that the organic light emitting diode is not damaged due to an overload of the current source ELIDD output from the ELIDD current generation unit; And a current sensing unit for sensing the current source ELIDD and receiving an overcurrent ELIDD sensing signal to control the operation of the ELIDD current generation unit.
이하, 본 발명의 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.
제 1실시예First embodiment
도 2는 본 발명의 바람직한 제 1실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 블록도이다.2 is a block diagram illustrating circuit units included in an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 상기 유기전계 발광장치는 전원부(Power : 210), ELIDD 전류생성부(ELIDD Current Generator : 220), 전류 감지부(Current Supervisior : 230), 스위칭 주파수부(240) 및 패널부(Panel : 250)를 가진다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting device includes a
우선, 유기전계 발광장치의 ELIDD 전류생성부(220)는 공진 회로(300) 및 트랜스포머(Transformer : 310)를 구비한다. 즉, 상기 ELIDD 전류생성부(220)는 전원부(210)에서 패널부(250)로 전달되는 전원 전압 VDD가 과도하게 인가될 경우, 상기 패널부(250) 내의 유기전계 발광소자가 과전류 ELIDD로 인해 손상되지 않게 한다.First, the ELIDD
또한, 상기 ELIDD 전류생성부(220)는 상기 전류 감지부(230)로부터 감지된 공진 제어 신호를 피드백(feedback)받아 상기 패널부(250)로 상기 과전류 ELIDD가 전달되지 않도록 미리 차단시킨다.In addition, the ELIDD
좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 ELIDD 전류생성부(220) 내에 구비된 공진 회로(300)는 서로 다른 에너지 사이의 가역적 변환에 의해서 일어나는 자유진동 주파수와 외력 주파수가 매우 가까울 때 발생하는 공진 현상을 전기적으로 일으키는 회로로서, 일명, 동조 회로라고도 칭한다. In more detail, the
또한, 상기 공진 회로(300)는 코일과 콘덴서로 된 전기 회로에서 코일과 콘덴서의 값으로 결정되는 특정 주파수에서 전기적으로 공명(共鳴)되고, 코일과 콘덴서의 전기적 성질이 외관상 소멸되어 약간의 양자 고유 전기 저항분만의 회로가 된다. In addition, the
즉, 상기 공진 회로(300)는 콘덴서(C)의 정전(靜電) 에너지와 인덕턴스(L)의 전자기(電磁氣) 에너지가 자유로이 변환될 수 있도록 이어진 회로를 말하며, 상기 콘덴서(C)및 인턱턴스(L)가 직렬연결된 직렬 공진회로와 병렬연결된 병렬 공진회로가 기본이 된다. 또한, 공진 주파수(f0)은 모두 [수학식 1]로 나타난다.That is, the
즉, 상기 공진 주파수의 단위는 인턱턴스(L)는 H(헨리) 및 콘덴서(C)는 F(패럿)로 표시되며, 상기 공진 주파수의 외력에 대한 임피던스는 직렬에서는 0, 병렬에서는 무한대가 된다. 따라서, 직렬에서는 미소 전압으로 큰 전류가 흐르고 병렬에서는 미소 전류로 큰 전압을 얻는다. 또한, 라디오 등의 동조 회로에서는 병렬을 쓰고, 수신하고자 하는 전파의 주파수에 LC의 상수(常數)를 맞춤으로써 안테나로부터 입력된 미약 전류를 선택적으로 큰 전압으로 이끌어낼 수 있다.That is, the unit of the resonant frequency is represented by the inductance L is represented by H (Henry) and the capacitor C is represented by F (farad), the impedance of the external force of the resonant frequency is 0 in series and infinity in parallel. . Therefore, a large current flows at a small voltage in series and a large voltage is obtained at a small current in parallel. In addition, in a tuning circuit such as a radio, a weak current input from an antenna can be selectively brought into a large voltage by writing parallel and adjusting a constant of LC to a frequency of radio waves to be received.
따라서, 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)는 상기 전원부(210)로 부터 입력된 전원 전압 VDD을 조정하여 상기 전원 전압 VDD보다 큰 값이 되는 발진 전원을 생성시켜 상기 트랜스포머(310)로 전달한다. 또한, 상기 패널부(250)로 전달되는 전류원 ELIDD가 과전류 상태로 인가될 경우, 상기 공진 회로(300)는 전류 감지부(230)로부터 전달된 공진 제어 신호에 따라 상기 과전류 ELIDD을 차단시킨다.Accordingly, the
다음, 상기 ELIDD 전류생성부(220) 내에 구비된 트랜스포머(310)는 일반적으로 트랜스(trans)라고도 칭하기도 한다. Next, the
일반적으로, 상기 트랜스는 송배전선로에 접속되는 전력용 트랜스와 전자 회로에 사용되는 결합용 트랜스가 있다. 전력용 트랜스는 교류 회로에 가해지는 전압을 변화시킬 수 있음으로 전력은 변하지 않는다. 또한, 상기 전력용 트랜스는 전원 에 연결하는 1차 권선과 부하에 연결하는 2차 권선이 같은 철심(鐵心)으로 감겨져 있다. Generally, the transformer includes a power transformer connected to a transmission and distribution line and a coupling transformer used in an electronic circuit. The power transformer can change the voltage applied to the AC circuit, so the power does not change. In addition, the power transformer has a primary winding connected to a power source and a secondary winding connected to a load are wound with the same iron core.
또한, 상기 철심은 두께가 0.35 mm인 규소 강판, 퍼멀로이 및 페라이트의 자성 재료를 포개서 필요한 두께로 조립한다. In addition, the iron core is assembled to the required thickness by overlapping the magnetic material of silicon steel sheet, permalloy and ferrite having a thickness of 0.35 mm.
따라서, 상기 트랜스포머(310)는 상기 공진 회로(300)로 부터 전달받은 발진 전원을 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 필요로 하는 전류원 ELIDD으로 변환시켜 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자로 전달한다.Accordingly, the
이어서, 스위칭 주파수부(240)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)와 트랜스포머(310)를 연결하며 배치된다. 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 트랜스포머(310)로부터 전달되는 스위칭 주파수와 상기 스위칭 주파수부(240) 내부에 존재하는 고유진동 주파수를 비교한다. 만약, 상기 스위칭 주파수와 고유진동 주파수가 일치하게 되면, 상기 스위칭 주파수부(240)는 공진(共振)이 발생되고, 상기 공진 회로(300)로부터 전달되는 발진 전원의 크기가 감소된다.Subsequently, the
다음, 상기 유기전계 발광장치의 전류 감지부(230)는 포토 커플러(320) 및 과전류 감지부(330)를 구비한다. 즉, 상기 전류 감지부(230)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)와 패널부(250) 사이에 배치되어 상기 ELIDD 전압생성부(220)의 트랜스포머(230)로부터 출력되는 상기 전류원 ELIDD을 실시간으로 감시한다. Next, the
만일, 상기 전류원 ELIDD가 과부하가 걸려 패널부(250)로 인가될 경우, 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 손상된다. 따라서, 상기 전류 감지부(230)는 상기 패널부(250)로 과부하로 인해 발생된 전류원 ELIDD인 과전류 ELIDD을 감지하 고 상기 과전류 ELIDD가 패널부(250)로 전달되지 않도록 상기 공진 제어 신호를 생성한다. 즉, 상기 공진 제어 신호가 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)로 피드백(Feedback)되어 상기 ELIDD 전류생성부(220)를 제어한다.If the current source ELIDD is overloaded and applied to the
도 3는 본 발명의 바람직한 제 1실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating circuit parts included in an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
도 3를 참조하면, 스위칭 주파수부(240)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)와 트랜스포머(310)의 1차 권선을 연결하여 배치된다. 상기 스위칭 주파수부(240)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 트랜스포머(310)의 1차 권선으로부터 전달되는 스위칭 주파수와 상기 스위칭 주파수부(240) 내부에 존재하는 고유진동 주파수를 비교한다. 만약, 상기 스위칭 주파수와 고유진동 주파수가 일치될 경우 상기 스위칭 주파수부(240)는 공진(共振)이 발생되고, 과전류 ELIDD의 크기가 감소된다.Referring to FIG. 3, the
또한, 상기 스위칭 주파수부(240)는 저항(R1, R2), 캐패시터(C1, C2)를 가진다. 즉, 상기 스위칭 주파수부(240)의 캐패시터 C1은 상기 트랜스포머(310)의 1차 권선과 병렬로 연결되어 공진 콘덴서로서 작용된다. 또한, 상기 캐패시터 C1에서 발생되는 고유진동 주파수는 상기 스위칭 주파수와 비교된다. 만약, 상기 고유진동 주파수와 스위칭 주파수가 서로 일치하게 되면, 과전류 ELVDD가 유발되는 발진 전원은 상기 캐패시터 C2 및 저항(R1, R2)를 거치면서 상기 발진 전원의 크기가 줄어들고, 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)로 피드백된다.In addition, the
상기 과전류 감지부(330)는 저항 R3 및 과전류 제어 트랜지스터 Q1를 가진 다. 저항 R3는 패널부(250)의 입력단과 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 드레인 단자 사이에 배치된다. 상기 도 3에서는 저항 R3이 직렬로 연결되고 저항 R3와 베이스 단자 사이에 저항 R6 및 캐패시터 C3가 직병렬로 개재된 것으로 도시하였으나, 실시의 형태에 따라 저항 및 캐패시터의 수는 변경 가능하며, 저항 R3도 적절히 배치될 수 있다. 직렬 연결되는 저항 R3 값은 감지되는 과전류 레벨에 따라 적절히 변경될 수 있다. The
또한, 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자와 에미터 단자는 제너 다이오드 ZD1및 저항 R7이 배치되어 연결된다.In addition, the base terminal and the emitter terminal of the overcurrent control transistor Q1 are disposed to be connected with a zener diode ZD1 and a resistor R7.
상기 트랜스포머(310)의 출력인 전류원 ELIDD가 저항(R3, R6, R7)에 걸리는 문턱 전압 혹은 문턱 전류를 상회하는 경우, 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압은 상승한다. 즉, 상기 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압의 상승에 따라 트랜지스터 Q1은 턴-온된다. 또한, 상기 전류 감지부(230) 내에 구비된 포토 커플러(320)는 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(250)로 전달되는 과전류 ELIDD을 인식하여 상기 포토 커플러(320) 내에 구비된 표시 소자인 광 다이오드는 온(ON)이 되고 발광된다.When the current source ELIDD, which is the output of the
다만, 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(250)로 전달되는 전류원 ELIDD가 정상 전류원 ELIDD로 인가되면, 상기 포토 커플러(320)의 광 다이오드는 오프(OFF)가 되고 상기 광 다이오드는 발광되지 않는다.However, when the current source ELIDD transmitted from the
또한, 상기 과전류 ELIDD에 의해 과전류 감지부(330) 내에 구비된 과전류 제어 트랜지스터 Q1이 턴-온됨에 따라, 상기 발광 다이오드는 턴-온된다. 또한, 상기 발광 다이오드의 턴-온에 의해 상기 포토 커플러(320) 내에 배치된 바이폴라 접합 트랜지스터 Q2는 턴-온되고 공진 제어 신호가 생성된다. 즉, 상기 공진 제어 신호는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로 동작을 제어하기 위해 입력된다. 또한, 상기 공진 제어 신호가 수신된 공진 회로(300)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)로부터 출력된 과전류 ELIDD가 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자로 전달되지 않도록 상기 발진 전원의 펄스폭을 조절하거나 상기 발진 전원이 상기 트랜스포머(310)로 전달되지 않도록 미리 차단시킨다.In addition, as the overcurrent control transistor Q1 provided in the
제 2실시예Second embodiment
도 4는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 블록도이다.4 is a block diagram illustrating circuit units included in an organic light emitting display device according to a second embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 상기 유기전계 발광장치는 전원부(Power : 210), ELIDD 전류생성부(ELIDD Current Generator : 220), 전류 감지부(Current Supervisior : 230), 스위칭 주파수부(240) 및 서미스터가 탑재된 패널부(Panel with Thermistor: 250)를 가진다.Referring to FIG. 4, the organic light emitting device includes a
우선, 유기전계 발광장치의 ELIDD 전류생성부(220)는 공진 회로(300) 및 트랜스포머(Transformer : 310)를 구비한다. 즉, 상기 ELIDD 전류생성부(220)는 전원부(210)에서 패널부(250)로 전달되는 전원 전압 VDD이 과도하게 인가될 경우, 상기 패널부(250) 내의 유기전계 발광소자가 과전류로 인해 손상되지 않게 한다. First, the ELIDD
또한, 상기 ELIDD 전류생성부(220)는 상기 전류 감지부(230)로부터 감지된 공진 제어 신호를 피드백(feedback)받아 상기 패널부(250)로 상기 과전류가 전달되지 않도록 미리 차단시킨다.In addition, the ELIDD
좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 ELIDD 전류생성부(220) 내에 구비된 공진 회로(300)는 서로 다른 에너지 사이의 가역적 변환에 의해서 일어나는 자유진동 주파수와 외력 주파수가 매우 가까울 때 발생하는 공진 현상을 전기적으로 일으키는 회로로서, 일명, 동조 회로라고도 칭한다. In more detail, the
또한, 상기 공진 회로(300)는 코일과 콘덴서로 된 전기 회로에서 코일과 콘덴서의 값으로 결정되는 특정 주파수에서 전기적으로 공명(共鳴)되고, 코일과 콘덴서의 전기적 성질이 외관상 소멸되어 약간의 양자 고유 전기 저항분만의 회로가 된다. In addition, the
즉, 상기 공진 회로(300)는 콘덴서(C)의 정전(靜電) 에너지와 인덕턴스(L)의 전자기(電磁氣) 에너지가 자유로이 변환될 수 있도록 이어진 회로를 말하며, 상기 콘덴서(C)및 인턱턴스(L)가 직렬연결된 직렬 공진회로와 병렬연결된 병렬 공진회로가 기본이 된다. That is, the
따라서, 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)는 상기 전원부(210)로 부터 입력된 전원 전압 VDD을 조정하여 상기 전원 전압 VDD보다 큰 값이 되는 발진 전원을 생성시켜 상기 트랜스포머(310)로 전달한다. 또한, 상기 패널부(250)로 전달되는 전류원 ELIDD가 과전류 상태로 인가될 경우, 상기 공진 회로(300)는 전류 감지부(230)로 부터 전달된 공진 제어 신호에 따라 상기 과전류 ELIDD을 차단시킨다.Accordingly, the
다음, 상기 ELIDD 전류생성부(220) 내에 구비된 트랜스포머(310)는 일반적으로 트랜스(trans)라고도 칭하기도 한다. Next, the
일반적으로, 상기 트랜스는 송배전선로에 접속되는 전력용 트랜스와 전자 회로에 사용되는 결합용 트랜스가 있다. 전력용 트랜스는 교류 회로에 가해지는 전압을 변화시킬 수 있음으로 전력은 변하지 않는다. 또한, 상기 전력용 트랜스는 전원에 연결하는 1차 권선과 부하에 연결하는 2차 권선이 같은 철심(鐵心)으로 감겨져 있다. Generally, the transformer includes a power transformer connected to a transmission and distribution line and a coupling transformer used in an electronic circuit. The power transformer can change the voltage applied to the AC circuit, so the power does not change. In addition, the power transformer has a primary winding connected to a power source and a secondary winding connected to a load are wound with the same iron core.
따라서, 상기 트랜스포머(310)는 상기 공진 회로(300)로 부터 전달받은 발진 전원을 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 필요로 하는 전류원 ELIDD으로 변환시켜 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자로 전달한다.Accordingly, the
이어서, 스위칭 주파수부(240)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)와 트랜스포머(310)를 연결하며 배치된다. 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 트랜스포머(310)로부터 전달되는 스위칭 주파수와 상기 스위칭 주파수부(240) 내부에 존재하는 고유진동 주파수를 비교한다. 만약, 상기 스위칭 주파수와 고유진동 주파수가 일치하게 되면, 상기 스위칭 주파수부(240)는 공진(共振)이 발생되고, 상기 공진 회로(300)로부터 전달되는 발진 전원의 크기가 감소된다.Subsequently, the
다음, 상기 유기전계 발광장치의 전류 감지부(230)는 포토 커플러(320) 및 과전류 감지부(330)를 구비한다. 즉, 상기 전류 감지부(230)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)와 패널부(250) 사이에 연결되어 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 트랜스포머(230)로부터 출력되는 상기 전류원 ELIDD을 실시간으로 감시한다. Next, the
만일, 상기 전류원 ELIDD가 과부하가 걸려 패널부(250)로 인가될 경우, 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 손상된다. 따라서, 상기 패널부(250)에 구비된 서비스터(340)는 상기 과전류 ELIDD로 의해 발생되는 발열로 인해 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 감지한다. 즉, 상기 서미스터(340)는 과전류 ELIDD에 의해 감지되는 신호인 과전류 ELIDD 감지 신호를 발생시켜 상기 과전류 감지부(330)에 전달한다. 또한, 상기 전류 감지부(230)는 상기 패널부(250)의 서미스터(340)로부터 출력된 상기 과전류 ELIDD 감지 신호를 수신하여 상기 공진 제어 신호를 생성한다. 또한, 상기 공진 제어 신호가 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)로 피드백(Feedback)되어 상기 ELIDD 전류생성부(220)를 제어한다.If the current source ELIDD is overloaded and applied to the
도 5는 본 발명의 바람직한 제 2실시예에 따른 유기전계 발광장치에 구비되는 회로부들을 도시한 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram illustrating circuit parts included in an organic light emitting device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 스위칭 주파수부(240)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 트랜스포머(330)의 1차 권선으로 부터 전달되는 스위칭 주파수와 상기 스위칭 주파수부(240) 내부에 고유진동 주파수와 일치하게 되면 공진(共振)이 일어나도록 하여 과전류 ELIDD의 전류 크기를 감소시킨다. Referring to FIG. 5, the
또한, 상기 스위칭 주파수부(240)는 저항(R1, R2), 캐패시터(C1, C2)를 가진다. 즉, 상기 스위칭 주파수부(240)의 캐패시터 C1은 상기 트랜스 포머(310)의 1차 권선과 병렬로 연결되어 공진 콘덴서로서 작용하여 상기 캐패시터 C1에서 발생되는 고유진동 주파수가 상기 스위칭 주파수와 비교된다. 따라서, 상기 고유진동 주파수 와 스위칭 주파수가 서로 일치하게 되면, 상기 과전류 ELIDD는 전류 크기가 감소되고 상기 캐패시터 C2 및 저항(R1, R2)를 거쳐 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로(300)로 피드백된다.In addition, the
일반적으로, 상기 엔켑-글래스(Encap-Glass) 혹은 금속 게이스인 서브 바켓(345)을 갖춘 패널부(250)에 구비된 서미스터(340)는 온도가 오르면 전기 저항이 감소되는 반도체 회로 소자로서, 코발트, 구리, 망간, 철, 니켈 및 티탄의 산화물을 적당한 저항률과 온도 계수를 가지도록 2 내지 3종류 혼합되어 소결(燒結)된 반도체이다.In general, the
즉, 상기 서미스터(340)는 현재 상용되는 금속과는 달리, 온도가 높아지면 저항값이 감소되는 특성을 가지고 있으며, 직열형(直熱形), 방열형(傍熱形), 지연형(遲延形)으로 분류된다. That is, unlike the current commercially available metals, the
또한, 상기 서미스터(340)는 열용량이 적어서 미소한 온도 변화에도 급격한 저항 변화가 생긴다. 따라서, 상기 서미스터(340)는 온도제어용 센서, 체온계, 온도계, 습도계, 기압계, 풍속계, 마이크로파 전력계, 온도 변화가 보상되는 통신 장치 및 통신 회선의 자동이득조정 등의 응용 분야에 많이 사용된다.In addition, since the
여기서, 상기 서미스터(340)에서도 온도가 높아지면 저항값이 증가하는 서미스터(340)도 있다. 상기 서미스터(340)는 티탄산바륨계의 반도체에 주석 및 세륨을 0.1% 가량 혼합하여 만든다.Here, there is also a
따라서, 상기 과전류 ELIDD가 상기 패널부(250)로 인가될 경우, 상기 서브 바켓(345)에 구비된 서미스터(340)는 상기 과전류 ELIDD로 의해 발생되는 발열로 인해 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 감지한다. 즉, 상기 서미스터(340)는 과전류 ELIDD에 의해 감지되는 신호인 과전류 ELIDD 감지 신호를 발생시켜 상기 과전류 감지부(330)에 전달한다.Therefore, when the overcurrent ELIDD is applied to the
상기 과전류 감지부(330)는 저항(R3, R6, R7), 캐패시터 C3, 제너 다이오드 ZD1 및 과전류 제어 트랜지스터 Q1를 가진다. 저항 R3는 패널부(250)의 입력단과 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 드레인 단자 사이에 배치된다. 상기 도 5에서는 저항 R3이 직렬로 연결되고 저항 R3와 베이스 단자 사이에 저항 R6 및 캐패시터 C3가 직병렬로 개재된 것으로 도시하였으나, 실시의 형태에 따라 저항 및 캐패시터의 수는 변경 가능하며, 저항 R3도 적절히 배치될 수 있다. 또한, 직렬 연결된 저항 R3의 저항값은 상기 서미스터(340)로 부터 전달된 상기 과전류 ELIDD 감지 신호 레벨에 따라 적절히 변경될 수 있다.The
또한, 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자와 에미터 단자는 상기 트랜지스터 Q1의 파손을 막기 위해 저항 R7 및 제너 다이오드 ZD1가 배치되어 연결된다.In addition, the base terminal and the emitter terminal of the overcurrent control transistor Q1 are disposed to be connected with a resistor R7 and a zener diode ZD1 to prevent breakage of the transistor Q1.
상기 서미스터(340)로 부터 수신된 과전류 ELIDD 감지 신호는 과전류 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압를 상승시킨다. 즉, 상기 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압의 상승에 따라 트랜지스터 Q1은 턴-온된다. 또한, 상기 전류 감지부(230) 내에 구비된 포토 커플러(320)는 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(250)로 전달되는 과전류 ELIDD을 인식하여 상기 포토 커플러(320) 내에 구비된 표시 소자인 광 다이오드는 온(ON)이 되고 발광된다.The overcurrent ELIDD sensing signal received from the
다만, 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(250)로 전달되는 정류원 ELIDD가 정상 전류원 ELIDD로 인가되면, 상기 포토 커플러(320)의 광 다이오드는 오프(OFF)가 되고 상기 광 다이오드는 발광되지 않는다.However, when the rectifier ELIDD transmitted from the
또한, 상기 ELIDD 전류생성부(220)로 부터 전달된 과전류 ELIDD에 의해 과전류 감지부(330) 내에 구비된 과전류 제어 트랜지스터 Q1이 턴-온됨에 따라, 상기 발광 다이오드는 턴-온된다. 또한, 상기 발광 다이오드의 턴-온에 의해 상기 포토 커플러(320) 내에 배치된 바이폴라 접합 트랜지스터 Q2는 턴-온되고 공진 제어 신호가 생성된다. 즉, 상기 공진 제어 신호는 상기 ELIDD 전류생성부(220)의 공진 회로 동작을 제어하기 위해 입력된다. 또한, 상기 공진 제어 신호가 수신된 공진 회로(300)는 상기 ELIDD 전류생성부(220)로부터 출력된 과전류 ELIDD가 상기 패널부(250)의 유기전계 발광소자로 전달되지 않도록 상기 발진 전원의 펄스폭을 조절하거나 상기 발진 전원이 상기 트랜스포머(310)로 전달되지 않도록 미리 차단시킨다.In addition, as the overcurrent control transistor Q1 provided in the
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
상술한 본 발명에 따르면, ELIDD 전류생성부, 전류 감지부, 스위칭 주파수부 및 서미스터가 탑재된 패널부를 구비한 유기전계 발광장치는 전원부로부터 생성된 과전류가 패널부로 입력되는 것을 사전에 방지하여 패널부의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 하는 효과를 준다.According to the present invention described above, the organic light emitting device having an ELIDD current generating unit, a current sensing unit, a switching frequency unit and a panel unit on which the thermistor is mounted can prevent the overcurrent generated from the power supply unit from being input to the panel unit in advance. The organic electroluminescent device has an effect of not being damaged.
Claims (22)
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KR20110032473A (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-30 | 엘지전자 주식회사 | Display device |
KR20140141191A (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method for driving the same |
US9496320B2 (en) | 2014-10-17 | 2016-11-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
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- 2004-11-05 KR KR1020040090025A patent/KR100667070B1/en active IP Right Grant
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KR20210086229A (en) | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 한화토탈 주식회사 | Method for concentrating isobutene production in OCU plant |
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