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KR100600884B1 - Organic Electo Luminescence Device for preventing a voltage overflow - Google Patents

Organic Electo Luminescence Device for preventing a voltage overflow Download PDF

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KR100600884B1
KR100600884B1 KR1020040094361A KR20040094361A KR100600884B1 KR 100600884 B1 KR100600884 B1 KR 100600884B1 KR 1020040094361 A KR1020040094361 A KR 1020040094361A KR 20040094361 A KR20040094361 A KR 20040094361A KR 100600884 B1 KR100600884 B1 KR 100600884B1
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김형권
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Abstract

ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 구비하여 전원부로부터 생성되는 과전원 전압이 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하는 유기전계 발광장치가 개시된다. 유기전계 발광장치는 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 사용하여 패널부의 유기전계 발광소자가 손상되지 않게 한다.An organic light emitting display device including an ELVDD power generator and a power detector to prevent an overpower voltage generated from a power supply unit from being input into a panel unit. The organic light emitting device uses an ELVDD power generator and a power detector to prevent the organic light emitting device of the panel unit from being damaged.

Description

과전압 방지를 위한 유기전계 발광장치{Organic Electo Luminescence Device for preventing a voltage overflow} Organic Electo Luminescence Device for preventing a voltage overflow             

도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting device according to the related art.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.2 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 다른 회로도이다.5 is another circuit diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 유기전계 발광장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전원부로부터 생성되는 과전원 전압이 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하여, 상기 패널부의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 하는 유기전계 발광장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device that prevents an overpower voltage generated from a power supply unit from being input into a panel unit, so that the organic light emitting device of the panel unit is not damaged. will be.

일반적으로, 유기전계 발광장치는 유리 기판 또는 투명한 유기 필름 위에 도포한 형광체에 전계를 인가하여 발광시키는 평면 자기 발광형 디스플레이이다. 전계 발광(Electro Luminescence)이란 반도체로 이루어진 형광체에 전계가 인가될 때, 발광하는 현상을 가리킨다.In general, an organic EL device is a flat self-emission display that emits light by applying an electric field to a phosphor coated on a glass substrate or a transparent organic film. Electroluminescence refers to a phenomenon of emitting light when an electric field is applied to a phosphor made of a semiconductor.

최근, 경량, 박형 등의 특성으로 휴대용 정보기기에 액정표시장치(LCD)와 유기전계 발광장치(OLED) 등이 많이 사용되고 있다. 유기전계 발광장치는 액정표시장치에 비하여 휘도특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.Recently, liquid crystal displays (LCDs) and organic light emitting diodes (OLEDs) are used in portable information devices due to their light weight and thinness. The organic light emitting device is attracting attention as a next-generation flat panel display because it has superior luminance and viewing angle characteristics as compared to the liquid crystal display.

통상, 액티브 매트릭스 유기전계 발광장치(AMOLED)는 하나의 화소가 R, G, B 단위화소로 구성되고, 각 R, G, B 단위화소는 EL소자를 구비한다. 각 EL소자는 애노드 전극과 캐소드 전극사이에 각 R, G, B 유기발광층이 개재되어 애노드 전극과 캐소드 전극에 인가되는 전압에 비해 R, G, B 유기발광층으로부터 광이 발광된다.In general, in an active matrix organic light emitting device (AMOLED), one pixel includes R, G, and B unit pixels, and each R, G, and B unit pixel includes an EL element. Each EL element has an R, G, B organic light emitting layer interposed between the anode electrode and the cathode electrode to emit light from the R, G, B organic light emitting layer compared to the voltage applied to the anode electrode and the cathode electrode.

도 1은 종래 기술에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.1 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting device according to the related art.

도 1를 참조하면, 종래의 유기전계 발광장치(100)는 전원부(110), 메모리부(SSRAM/ROM : 120), 프로그램부(FPGA : 130), 버퍼부(Buffer : 140), 구동부(Driver : 150) 및 패널부(Panel : 160)로 구성된다.Referring to FIG. 1, the conventional organic light emitting device 100 includes a power supply unit 110, a memory unit (SSRAM / ROM: 120), a program unit (FPGA: 130), a buffer unit (Buffer: 140), and a driver (Driver). : 150) and a panel unit (Panel: 160).

먼저, 상기 전원부(110)는 전원 공급원으로 부터 원천 전원을 공급받아 스탭 다운(step down)시킨 후, 각 내장 회로별로 상기 원천 전원을 분할하여 전원 전압을 전달한다.First, the power supply unit 110 receives source power from a power supply source, steps down, and divides the source power for each internal circuit to deliver a power voltage.

즉, 상기 전원부(110)는 메모리부(120), 프로그램부(130), 버퍼부(140), 구동부(150) 및 패널부(160)로 상기 원천 전원을 분할하여 전원 전압으로 가변시켜 각 내장 회로에 전달하도록 설계된다.That is, the power supply unit 110 divides the source power into a memory unit 120, a program unit 130, a buffer unit 140, a driving unit 150, and a panel unit 160, and changes the source power to a power supply voltage. It is designed to deliver to the circuit.

여기서, 상기 내장 회로는 상기 메모리부(120), 프로그램부(130), 버퍼부(140), 구동부(150) 및 패널부(160)를 총칭하여 명명한다.Here, the embedded circuits are collectively named as the memory unit 120, the program unit 130, the buffer unit 140, the driving unit 150, and the panel unit 160.

다음, 상기 메모리부(120)는 RAM과 ROM으로 구성되는데 RAM은 Ramdon Access Memory 의 약자로 임의 접근 메모리라고도 부르며, 상기 전원 전압이 꺼지면 기억된 내용이 지워진다. 또한, ROM은 Read Only Memory 의 약자이며, 읽을 수만 있는 메모리로서 상기 전원 전압이 꺼져도 내용은 그대로 남는다. 특히, 최근에 유기전계 발광장치(100)에서 계속적으로 RAM의 데이터 처리 속도가 빨라짐에 따라, 상기 메모리부(120)에 저장된 데이터가 상기 프로그램부(130)에 신속히 전달된다.Next, the memory unit 120 is composed of a RAM and a ROM, which stands for Ramdon Access Memory, also called a random access memory. When the power supply voltage is turned off, the stored contents are erased. In addition, ROM stands for Read Only Memory, which is a read-only memory, and its contents remain even when the power supply voltage is turned off. In particular, as the data processing speed of the RAM continues to increase in the organic light emitting device 100 recently, data stored in the memory unit 120 is quickly transferred to the program unit 130.

다음, 상기 메모리부(120)로부터 데이터를 전달받은 상기 프로그램부(Field Programmable Gate Array : 130)는 이미 이식된 프로그램 로직에 따라 상기 메모리부(120)에 커맨드 신호(command signal) 및 어드레스 신호(address signal)를 인가한다. 즉, 입력된 상기 커맨드 신호 및 어드레스 신호에 따라 상기 메모리부(120)의 어드레스가 지정되고, 상기 어드레스에 상응하는 데이터가 상기 프로그램부(130)로 출력된다. 따라서, 상기 프로그램부(130)에 수신된 데이터는 상기 프로그 램 로직에 의해 처리되어 버퍼부(140)에 전달된다.Next, the program unit (Field Programmable Gate Array) 130 receiving data from the memory unit 120 transmits a command signal and an address signal to the memory unit 120 according to program logic already implanted. signal). That is, the address of the memory unit 120 is designated according to the input command signal and the address signal, and data corresponding to the address is output to the program unit 130. Therefore, the data received by the program unit 130 is processed by the program logic and transferred to the buffer unit 140.

이하, 상술한 과정에 따라 처리되고 출력되는 데이터를 프로그램 신호라 명명한다.Hereinafter, data processed and output according to the above-described process will be referred to as a program signal.

다음, 상기 버퍼부(140)는 일시적인 정보를 저장하는 기억 장소이며 한 장치에서 다른 장치로 상기 정보를 송신할 때 일어나는 시간의 차이나 정보 흐름 속도의 차이를 보상하기 위해 사용하는 장치이다. 또한, 상기 버퍼부(140)는 레지스터의 일종으로 주소의 전송을 위해 주소 버퍼를 만들기도 하는 내장 회로이므로, 상기 프로그램부(130)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 임시로 저장하여 프로그램 신호의 전송시간을 보상 및 조절한 후, 상기 프로그램 신호를 구동부(150)로 전달한다.Next, the buffer unit 140 is a storage place for storing temporary information, and is used to compensate for a difference in time or information flow rate that occurs when the information is transmitted from one device to another. In addition, the buffer unit 140 is a kind of register, and since it is an internal circuit that makes an address buffer for the transmission of an address, the program signal is temporarily transmitted from the program unit 130 to transmit the program signal. After compensating and adjusting the time, the program signal is transmitted to the driver 150.

다음, 상기 구동부(150)는 상기 구동부(150)에 탑재되어 있는 구동 트랜지스터를 사용하여 상기 프로그램부(130)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 증폭시킨다. 즉, 상기 구동부(150)는 상기 패널부(170)의 유기전계 발광소자가 원활히 디스플레이되도록 하기 위해 상기 프로그램 신호를 확장시켜 상기 패널부(160)로 전달한다.Next, the driver 150 amplifies the program signal input from the program unit 130 by using a driving transistor mounted on the driver 150. That is, the driving unit 150 extends the program signal and transfers the program signal to the panel unit 160 so that the organic light emitting diode of the panel unit 170 can be displayed smoothly.

마지막으로, 상기 구동부(150)에 의해 증폭된 프로그램 신호는 상기 패널부(160) 내의 유기전계 발광소자로 입력되어 디스플레이된다.Finally, the program signal amplified by the driving unit 150 is input to the organic light emitting element in the panel unit 160 and displayed.

본 발명과 관련되고, 본 발명에 의해 극복되는 종래의 유기전계 발광장치에 따른 문제점은 다음과 같다.Problems related to the conventional organic EL device related to the present invention and overcome by the present invention are as follows.

상기 전원부가 패널부의 유기전계 발광소자로 전원 전압을 공급할 경우, 과 전압이 인가됨으로 인해 상기 유기전계 발광소자가 손상되는 문제점이 있다. When the power supply unit supplies a power supply voltage to the organic light emitting diode of the panel unit, the organic light emitting diode is damaged due to an overvoltage.

이에 따른 문제점을 해결하기 위해서는 전원부와 패널부와 연결된 중간 라인에 패널부의 유기전계 발광소자가 전원부에서 전달된 과전압으로 인해 손상되지 않도록 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 설계하는 과제를 겪어야 한다.In order to solve this problem, the ELVDD power generation unit and the power sensing unit must be designed so that the organic light emitting diode of the panel unit is not damaged by the overvoltage transmitted from the power unit in the intermediate line connected to the power unit and the panel unit.

본 발명의 목적은 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 구비하여 전원부로 부터 생성되는 과전원 전압이 패널부로 입력되는 것을 미리 방지하는 유기전계 발광장치를 제공한다.
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an organic light emitting device having an ELVDD power generation unit and a power detection unit to prevent an overpower voltage generated from a power supply unit from being input to a panel unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제 1방향으로 배열되는 복수의 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부; 제 2방향으로 배열되는 복수의 선택주사선에 선택 신호를 인가하는 스캔 구동부; 및 상기 데이터선과 선택주사선에 연결되는 복수의 단위 픽셀에 인가되는 데이터 전류 또는 데이터 전압에 대응하며 발광하는 복수의 유기전계 발광소자를 사용하여 소정의 화면이 디스플레이되는 유기전계 발광장치에 있어서, 각 회로부로 전원 전압을 공급하는 전원부와 상기 유기전계 발광소자를 구비하는 패널부 사이에 배치되고, 상기 패널부에 공급되는 ELVDD 전원을 생성하기 위한 ELVDD 전원생성부; 및 상기 ELVDD 전원의 과전압 여부를 감지하는 과전압 감지부와 상기 ELVDD 전원생성부의 동작을 제어하기 위한 공진 제어 신호를 생성하기 위한 포토 커플러가 구비되는 전원 감지부를 포함하는 유기전계 발광장치를 제공한다.The present invention for achieving the above object is a data driver for applying a data signal to a plurality of data lines arranged in the first direction; A scan driver for applying a selection signal to the plurality of selection scan lines arranged in a second direction; And a predetermined screen is displayed by using a plurality of organic light emitting elements that emit light corresponding to data currents or data voltages applied to a plurality of unit pixels connected to the data line and the selection scan line. An ELVDD power generation unit disposed between a power supply unit supplying a power supply voltage to the panel unit and a panel unit including the organic light emitting device, and generating ELVDD power supplied to the panel unit; And a power detector including an overvoltage detector for detecting an overvoltage of the ELVDD power and a photo coupler for generating a resonance control signal for controlling an operation of the ELVDD power generator.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, ELVDD 전원을 생성하기 위한 ELVDD 전원생성부; 상기 ELVDD 전원의 과전압 여부를 감지하는 과전압 감지부; 및 상기 과전압 감지부의 출력을 수신하고, ELVDD 전원생성부의 동작을 제어하기 위한 공진 제어 신호를 생성하기 위한 포토 커플러를 포함하는 유기전계 발광장치의 전원 전압 공급 장치를 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object, ELVDD power generation unit for generating an ELVDD power supply; An overvoltage detector configured to detect whether the ELVDD power is overvoltage; And a photo coupler for receiving the output of the overvoltage detector and generating a resonance control signal for controlling the operation of the ELVDD power generator.

이하, 본 발명의 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, described in detail with reference to the accompanying drawings of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치를 개략적으로 도시한 블록도이다.2 is a block diagram schematically illustrating an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 유기전계 발광장치(200)는 전원부(Power : 210), ELVDD 전원생성부(ELVDD Voltage generator : 220), 전원 감지부(Voltage Supervisior : 230), 메모리부(SSRAM/ROM : 240), 프로그램부(FPGA : 250), 버퍼부(Buffer : 260), 구동부(Driver : 270), 패널부(Panel : 280)를 가진다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting device 200 includes a power supply unit 210, an ELVDD power generator unit 220, a power detection unit 230, a memory unit SSRAM / ROM. 240, a program unit (FPGA: 250), a buffer unit (Buffer: 260), a driver unit (270), and a panel unit (Panel: 280).

상기 전원부(210)는 전원 공급원으로부터 원천 전원을 공급받아 각 내장 회로별로 상기 원천 전원을 분할하여 전원 전압을 전달한다. The power supply unit 210 receives source power from a power supply source and divides the source power for each internal circuit to transfer a power voltage.

단, 상기 내장 회로는 상기 ELVDD 전원생성부(220), 전원 감지부(230), 메모리부(240), 프로그램부(250), 버퍼부(260), 구동부(270), 패널부(280)를 총칭하여 명명한다.However, the embedded circuit may include the ELVDD power generator 220, the power detector 230, the memory unit 240, the program unit 250, the buffer unit 260, the driver 270, and the panel unit 280. Named generically.

따라서, 상기 전원부(210)는 상기 ELVDD 전원생성부(220), 전원 감지부(230),메모리부(240), 프로그램부(250) 및 버퍼부(260)에 소정의 전원 전압을 공급한다. 또한, 상기 구동부(270)에는 데이터 신호와 제어 신호가 구동되도록 전원 전압인 Vdata와 Vsel을 인가한다. 그리고 상기 패널부(280)에는 유기전계 발광소자가 발광되도록 전원 전압인 Vdd와 Vcat이 인가된다.Accordingly, the power supply unit 210 supplies a predetermined power voltage to the ELVDD power generation unit 220, the power detection unit 230, the memory unit 240, the program unit 250, and the buffer unit 260. In addition, the driver 270 applies a power supply voltage Vdata and Vsel to drive the data signal and the control signal. The panel unit 280 is supplied with a power supply voltage Vdd and Vcat so that the organic light emitting diode emits light.

다음, 상기 ELVDD 전원생성부(220)는 상기 전원부(210)에서 패널부(280)로 전달되는 과전압 ELVDD으로 인해 상기 패널부(210) 내의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 상기 전원부(210)와 패널부(280)의 중간 라인에 구비되는 내장 회로로서, 상기 ELVDD 전원생성부(220)는 상기 과전압 ELVDD을 차단하고 정상 ELVDD 전원을 상기 패널부(280)에 공급한다. Next, the ELVDD power generation unit 220 and the power supply unit 210 so as not to damage the organic light emitting device in the panel unit 210 due to the overvoltage ELVDD transmitted from the power supply unit 210 to the panel unit 280. As an embedded circuit provided in the middle line of the panel unit 280, the ELVDD power generation unit 220 cuts off the overvoltage ELVDD and supplies the normal ELVDD power to the panel unit 280.

다음, 상기 전원 감지부(230)는 상기 ELVDD 전원생성부(220)와 패널부(280)로 연결되는 중간 라인에 구비되는 내장 회로로서, 상기 전원 감지부(230)는 상기 ELVDD 전압생성부(220)로 부터 출력되는 상기 ELVDD 전원을 실시간으로 감시한다. 즉, 상기 ELVDD 전압생성부(220)에서 상기 패널부(280)로 상기 ELVDD 전원이 과도하게 인가되면, 상기 전원 감지부(230)는 상기 패널부(280)로 전달되지 않게 상기 ELVDD 전원을 입력받아 공진 제어 신호를 생성한다. 또한, 상기 전원 감지부(230)는 상기 공진 제어 신호를 상기 ELVDD 전원생성부(220)로 피드백(Feedback)시켜 ELVDD 전원생성부(220)를 제어한다.Next, the power detection unit 230 is an internal circuit provided in an intermediate line connected to the ELVDD power generation unit 220 and the panel unit 280, and the power detection unit 230 is the ELVDD voltage generation unit ( The ELVDD power output from 220 is monitored in real time. That is, when the ELVDD power is excessively applied from the ELVDD voltage generator 220 to the panel unit 280, the power detector 230 inputs the ELVDD power so that it is not transmitted to the panel unit 280. And generates a resonance control signal. In addition, the power detector 230 controls the ELVDD power generator 220 by feeding back the resonance control signal to the ELVDD power generator 220.

다음, 상기 메모리부(240)는 RAM과 ROM으로 구성되는데 RAM은 Ramdon Access Memory의 약자로 임의 접근 메모리라고도 부르며, 상기 전원 전압이 꺼지면 기억된 내용이 지워진다. 또한, ROM은 Read Only Memory 의 약자로 읽을 수만 있는 메모리로서, 상기 전원 전압이 꺼져도 내용은 그대로 남는다. 특히, 최근에 유기전계 발광장치(200)에서 계속적으로 RAM의 데이터 처리 속도가 빨라짐에 따라, 상기 메모리부(240)에 저장된 데이터가 상기 프로그램부(250)에 신속히 전달된다.Next, the memory unit 240 is composed of a RAM and a ROM, which stands for Ramdon Access Memory, also called a random access memory. When the power supply voltage is turned off, the stored contents are erased. In addition, ROM is an abbreviation of Read Only Memory, which is a read only memory, and its contents remain even when the power supply voltage is turned off. In particular, recently, as the data processing speed of the RAM continues to increase in the organic light emitting device 200, data stored in the memory unit 240 is quickly transferred to the program unit 250.

다음, 상기 메모리부(240)로부터 데이터를 전달받은 상기 프로그램부(250)는 이미 이식된 프로그램 로직에 따라 상기 메모리부(240)에 커맨드 신호(command signal) 및 어드레스 신호(address signal)를 인가한다. 즉, 입력된 상기 커맨드 신호 및 어드레스 신호에 따라 상기 메모리부(240)의 어드레스가 지정되고, 상기 어드레스에 상응하는 데이터가 상기 프로그램부(250)로 출력된다. 따라서, 상기 프로그램부(230)에 수신된 데이터는 상기 프로그램 로직에 의해 처리되어 상기 버퍼부(240)에 전달된다. Next, the program unit 250 that receives data from the memory unit 240 applies a command signal and an address signal to the memory unit 240 according to the program logic already implanted. . That is, the address of the memory unit 240 is designated according to the input command signal and the address signal, and data corresponding to the address is output to the program unit 250. Accordingly, the data received by the program unit 230 is processed by the program logic and transferred to the buffer unit 240.

이하, 상술한 과정에 따라 처리되고 출력되는 데이터를 프로그램 신호라 명명한다.Hereinafter, data processed and output according to the above-described process will be referred to as a program signal.

다음, 상기 버퍼부(260)는 일시적인 정보를 저장하는 기억 장소이며 한 장치에서 다른 장치로 정보를 송신할 때 일어나는 시간의 차이나 정보 흐름 속도의 차이를 보상하기 위해 사용하는 장치이다. 또한, 상기 버퍼부(260)는 레지스터의 일종으로 주소의 전송을 위해 주소 버퍼를 만들기도 하는 내장 회로이므로 상기 프로그램부(250)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 임시로 저장하여 흐름 속도를 보상 및 조절한 후, 상기 프로그램 신호를 상기 구동부(270)로 전달한다.Next, the buffer unit 260 is a storage place for storing temporary information, and is used to compensate for a difference in time or information flow rate that occurs when information is transmitted from one device to another. In addition, since the buffer unit 260 is a kind of register, a built-in circuit for making an address buffer to transmit an address, and temporarily stores the program signal input from the program unit 250 to compensate for the flow rate. After adjusting, the program signal is transmitted to the driver 270.

단, 상기 버퍼부(260)는 유기전계 발광장치(200)에 필수적으로 구비되는 내 장 회로가 아님을 주의해야 한다.However, it should be noted that the buffer unit 260 is not an internal circuit that is essentially provided in the organic light emitting device 200.

다음, 상기 구동부(270)는 상기 구동부(270)에 탑재되어 있는 구동 트랜지스터를 사용하여 상기 프로그램부(250)로 부터 입력된 상기 프로그램 신호를 증폭시킨다. 즉, 상기 구동부(270)는 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자가 원활히 발광되도록 하기 위해 상기 프로그램 신호를 확장시켜 상기 패널부(280)로 전달한다.Next, the driver 270 amplifies the program signal input from the program unit 250 by using a driving transistor mounted on the driver 270. That is, the driving unit 270 extends the program signal and transmits the program signal to the panel unit 280 to smoothly emit the organic light emitting diode of the panel unit 280.

마지막으로, 상기 구동부(250)에 의해 증폭된 프로그램 신호는 상기 패널부(280) 내의 유기전계 발광소자로 입력되어 자발광을 하게 된다.Finally, the program signal amplified by the driver 250 is input to the organic light emitting diode in the panel 280 to emit light.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 우선 유기전계 발광장치(200)의 ELVDD 전압생성부(220)는 공진 회로(300) 및 트랜스포머(Transformer : 310)를 구비한다. 즉, 상기 ELVDD 전압생성부(220)는 전원부(210)에서 패널부(280)로 전달되는 전원 전압이 과도하게 인가될 경우, 상기 패널부(280) 내의 유기전계 발광소자가 과전원 전압으로 인해 손상되지 않게 한다. 또한, 상기 ELVDD 전압생성부(220)는 상기 전원 감지부(230)로부터 감지된 공진 제어 신호를 피드백(feedback)받아 상기 패널부(280)로 상기 과전원 전압이 전달되지 않도록 미리 차단한다.Referring to FIG. 3, first, the ELVDD voltage generator 220 of the organic light emitting device 200 includes a resonance circuit 300 and a transformer 310. That is, when the ELVDD voltage generator 220 excessively applies the power voltage transmitted from the power supply unit 210 to the panel unit 280, the organic light emitting diode in the panel unit 280 may be overpowered. Do not damage it. In addition, the ELVDD voltage generator 220 receives a resonance control signal detected from the power detector 230 to block the overpower voltage to the panel unit 280 in advance.

좀 더 구체적으로 설명하면, 상기 ELVDD 전압생성부(220) 내에 구비된 공진 회로(300)는 서로 다른 에너지 사이의 가역적 변환에 의해서 일어나는 자유진동 주파수와 외력 주파수가 매우 가까울 때 발생하는 공진 현상을 전기적으로 일으키는 회로로서, 일명, 동조 회로라고도 칭한다. In more detail, the resonant circuit 300 provided in the ELVDD voltage generator 220 may electrically resonate a resonance phenomenon generated when the free vibration frequency and the external force frequency generated by reversible conversion between different energies are very close. As a circuit which arises, it is also called a tuning circuit.

또한, 상기 공진 회로(300)는 코일과 콘덴서로 된 전기 회로에서 코일과 콘덴서의 값으로 결정되는 특정 주파수에서 전기적으로 공명(共鳴)되고, 코일과 콘덴서의 전기적 성질이 외관상 소멸되어 약간의 양자 고유 전기 저항분만의 회로가 된다. In addition, the resonant circuit 300 is electrically resonated at a specific frequency determined by the values of the coils and capacitors in the electric circuit of the coils and capacitors, and the electrical properties of the coils and capacitors are apparently dissipated so that some quantum inherent It becomes a circuit of electric resistance delivery.

즉, 상기 공진 회로(300)는 콘덴서(C)의 정전(靜電) 에너지와 인덕턴스(L)의 전자기(電磁氣) 에너지가 자유로이 변환될 수 있도록 이어진 회로를 말하며, 상기 콘덴서 (C)및 인턱턴스(L)가 직렬연결된 직렬 공진회로와 병렬연결된 병렬 공진회로가 기본이 된다. 또한, 공진 주파수(f0)은 모두 [수학식 1]로 나타난다.That is, the resonant circuit 300 refers to a circuit that is freely converted between the electrostatic energy of the capacitor (C) and the electromagnetic energy of the inductance (L), the capacitor (C) and the inductance (L) is a series resonant circuit in series and a parallel resonant circuit in parallel. In addition, all the resonance frequencies f0 are represented by [Equation 1].

Figure 112004053470344-pat00001
Figure 112004053470344-pat00001

즉, 상기 공진 주파수의 단위는 인턱턴스(L)는 H(헨리) 및 콘덴서(C)는 F(패럿)로 표시되며, 상기 공진 주파수의 외력에 대한 임피던스는 직렬에서는 0, 병렬에서는 무한대가 된다. 따라서, 직렬에서는 미소 전압으로 큰 전류가 흐르고 병렬에서는 미소 전류로 큰 전압을 얻는다. 또한, 라디오 등의 동조 회로에서는 병렬을 쓰고, 수신하고자 하는 전파의 주파수에 LC의 상수(常數)를 맞춤으로써 안테나로부터 입력된 미약 전류를 선택적으로 큰 전압으로 이끌어낼 수 있다.That is, the unit of the resonant frequency is represented by the inductance L is represented by H (Henry) and the capacitor C is represented by F (farad), the impedance of the external force of the resonant frequency is 0 in series and infinity in parallel. . Therefore, a large current flows at a small voltage in series and a large voltage is obtained at a small current in parallel. In addition, in a tuning circuit such as a radio, a weak current input from an antenna can be selectively brought into a large voltage by writing parallel and adjusting a constant of LC to a frequency of radio waves to be received.

따라서, 상기 ELVDD 전압생성부(220)의 공진 회로(300)는 상기 전원부(210)로 부터 입력된 전원 전압을 조정하여 상기 전원 전압보다 큰 값이 되는 공진 전압을 생성시켜 상기 트랜스포머(310)로 전달한다. 또한, 상기 패널부(280)로 전달되 는 전원 전압이 과전원 전압일 경우, 상기 공진 회로(300)는 전원 감지부(230)로 부터 전달된 공진 제어 신호에 따라 상기 과전원 전압을 차단시킨다.Accordingly, the resonant circuit 300 of the ELVDD voltage generator 220 adjusts the power supply voltage input from the power supply unit 210 to generate a resonance voltage that is greater than the power supply voltage to the transformer 310. To pass. In addition, when the power supply voltage delivered to the panel unit 280 is an overpower voltage, the resonant circuit 300 blocks the overpower voltage according to the resonance control signal transmitted from the power detector 230.

다음, 상기 ELVDD 전압생성부(220) 내에 구비된 트랜스포머(310)는 일반적으로 트랜스(trans)라고도 칭하기도 한다. Next, the transformer 310 provided in the ELVDD voltage generator 220 may also be generally referred to as a transformer.

일반적으로, 상기 트랜스는 송배전선로에 접속되는 전력용 트랜스와 전자 회로에 사용되는 결합용 트랜스가 있다. 전력용 트랜스는 교류 회로에 가해지는 전압을 변화시킬 수 있음으로 전력은 변하지 않는다. 또한, 상기 전력용 트랜스는 전원에 연결하는 1차 권선과 부하에 연결하는 2차 권선이 같은 철심(鐵心)으로 감겨져 있다. Generally, the transformer includes a power transformer connected to a transmission and distribution line and a coupling transformer used in an electronic circuit. The power transformer can change the voltage applied to the AC circuit, so the power does not change. In addition, the power transformer has a primary winding connected to a power source and a secondary winding connected to a load are wound with the same iron core.

또한, 상기 철심은 두께가 0.35 mm인 규소 강판, 퍼멀로이 및 페라이트의 자성 재료를 포개서 필요한 두께로 조립한다. In addition, the iron core is assembled to the required thickness by overlapping the magnetic material of silicon steel sheet, permalloy and ferrite having a thickness of 0.35 mm.

따라서, 상기 트랜스포머(310)는 상기 공진 회로(300)로 부터 전달받은 공진 전압을 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자가 발광되기 위해 필요한 전원인 ELVDD 전원으로 변환시켜 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자로 전달한다.Accordingly, the transformer 310 converts the resonance voltage received from the resonance circuit 300 into ELVDD power, which is a power required for the organic light emitting diode of the panel 280 to emit light. Transfer to the organic electroluminescent device of.

이어서, 상기 유기전계 발광장치의 전원 감지부(230)는 포토 커플러(320) 및 과전압 감지부(330)를 구비한다. 즉, 상기 전원 감지부(230)는 상기 ELVDD 전원생성부(220)와 패널부(280) 사이에 연결되어 상기 ELVDD 전압생성부(220)의 트랜스포머(230)로부터 출력되는 상기 ELVDD 전원을 실시간으로 감시한다. Subsequently, the power detector 230 of the organic light emitting device includes a photo coupler 320 and an overvoltage detector 330. That is, the power detector 230 is connected between the ELVDD power generator 220 and the panel unit 280 to output the ELVDD power output from the transformer 230 of the ELVDD voltage generator 220 in real time. Watch.

만일, 상기 ELVDD 전원이 과도하게 패널부(280)로 인가될 경우, 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자가 손상된다. 따라서, 상기 전원 감지부(230)는 상기 패 널부(280)로 과도하게 인가되는 ELVDD 전원인 과전압 ELVDD전원을 감지하고 상기 과전압 ELVDD전원이 패널부(280)로 전달되지 않도록 상기 공진 제어 신호를 생성한다. 즉, 상기 공진 제어 신호는 상기 ELVDD 전원생성부(220)의 공진 회로(300)로 피드백(Feedback)된다.If the ELVDD power is excessively applied to the panel unit 280, the organic light emitting diode of the panel unit 280 is damaged. Accordingly, the power detector 230 detects an overvoltage ELVDD power, which is an ELVDD power excessively applied to the panel unit 280, and generates the resonance control signal so that the overvoltage ELVDD power is not transmitted to the panel unit 280. do. That is, the resonance control signal is fed back to the resonance circuit 300 of the ELVDD power generator 220.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 회로도이다.4 is a circuit diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 전원 감지부(230)는 과전압 감지부(330) 및 포토 커플러(320)를 가진다. Referring to FIG. 4, the power detector 230 includes an overvoltage detector 330 and a photo coupler 320.

상기 과전압 감지부(230)는 적어도 하나의 제너 다이오드 및 과전압 제어 트랜지스터 Q1를 가진다. 적어도 하나의 제너 다이오드는 패널부(280)의 입력단과 과전압 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자 사이에 배치된다. 상기 도 4에서는 2개의 제너 다이오드(ZD1, ZD2)가 직렬로 연결되고 제너 다이오드와 베이스 단자 사이에 저항이 개재된 것으로 도시하였으나, 실시의 형태에 따라 제너 다이오드의 수는 변경 가능하며, 저항 R1도 적절히 배치될 수 있다. 직렬 연결되는 제너 다이오드의 수는 감지되는 과전압 레벨에 따라 적절히 변경될 수 있다. The overvoltage detector 230 has at least one zener diode and an overvoltage control transistor Q1. At least one zener diode is disposed between the input terminal of the panel unit 280 and the base terminal of the overvoltage control transistor Q1. In FIG. 4, although two zener diodes ZD1 and ZD2 are connected in series and a resistor is interposed between the zener diode and the base terminal, the number of zener diodes can be changed according to the embodiment. It may be arranged appropriately. The number of Zener diodes connected in series can be changed according to the sensed overvoltage level.

또한, 과전압 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자와 에미터 단자 사이에는 저항 R2 및 커패시터 C1이 배치된다.In addition, a resistor R2 and a capacitor C1 are disposed between the base terminal and the emitter terminal of the overvoltage control transistor Q1.

상기 트랜스포머(310)의 출력인 ELVDD 전원이 제너 다이오드들((ZD1, ZD2)의 문턱 전압의 합을 상회하는 경우, 즉, 과전압 ELVDD전원이 제너 다이오드들(ZD1, ZD2)의 문턱 전압의 합보다 크면, 2개의 제너 다이오드들(ZD1, ZD2)은 턴-온된다. 상기 제너 다이오드들(ZD1, ZD2)의 턴-온에 의해 저항 R1 및 R2에는 전류가 흐른다. 저항 R1을 흐르는 전류에 의해 과전압 제어 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압은 상승한다. 상기 트랜지스터 Q1의 베이스 단자의 전압의 상승에 따라 트랜지스터 Q1은 턴-온된다. 또한, 상기 전원 감지부(230) 내에 구비된 포토 커플러(320)는 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(280)로 전달되는 과전압 ELVDD 전원을 인식하여 상기 포토 커플러(320) 내에 구비된 표시 소자인 광 다이오드는 온(ON)이 되고 발광된다.When the ELVDD power output of the transformer 310 exceeds the sum of the threshold voltages of the zener diodes ZD1 and ZD2, that is, the overvoltage ELVDD power supply is greater than the sum of the threshold voltages of the zener diodes ZD1 and ZD2. If large, the two Zener diodes ZD1 and ZD2 are turned on, the current flows through the resistors R1 and R2 by the turn-on of the Zener diodes ZD1 and ZD2. The voltage of the base terminal of the control transistor Q1 increases, and the transistor Q1 is turned on as the voltage of the base terminal of the transistor Q1 rises, and the photo coupler 320 provided in the power detector 230 is Recognizing an overvoltage ELVDD power transmitted from the transformer 310 to the panel unit 280, the photodiode, which is a display element provided in the photo coupler 320, is turned on and emits light.

다만, 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(280)로 전달되는 ELVDD 전원이 정상 ELVDD 전원으로 인가되면, 상기 포토 커플러(310)의 광 다이오드는 오프(OFF)가 되고 상기 광 다이오드는 발광되지 않는다.However, when the ELVDD power transmitted from the transformer 310 to the panel unit 280 is applied to the normal ELVDD power, the photodiode of the photo coupler 310 is turned off and the photodiode does not emit light.

또한, 상기 과전압 ELVDD전원에 의해 과전압 감지부(230) 내에 구비된 과전압 제어 트랜지스터 Q1이 턴-온됨에 따라, 상기 발광 다이오드는 턴-온된다. 또한, 상기 발광 다이오드의 턴-온에 의해 상기 포토 커플러(320) 내에 배치된 바이폴라 접합 트랜지스터 Q2는 턴-온되고 공진 제어 신호가 생성된다. 즉, 상기 공진 제어 신호는 상기 ELVDD 전원생성부(220)의 공진 회로 동작을 제어하기 위해 입력되고, 상기 공진 제어 신호가 수신된 공진 회로(300)는 상기 ELVDD 전원생성부(220)로부터 출력된 과전압 ELVDD 전원이 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자로 전달되지 않도록 차단시킨다.In addition, as the overvoltage control transistor Q1 provided in the overvoltage detector 230 is turned on by the overvoltage ELVDD power source, the light emitting diode is turned on. In addition, the bipolar junction transistor Q2 disposed in the photo coupler 320 is turned on by the turn-on of the light emitting diode to generate a resonance control signal. That is, the resonance control signal is input to control the resonant circuit operation of the ELVDD power generator 220, and the resonance circuit 300 in which the resonance control signal is received is output from the ELVDD power generator 220. The overvoltage ELVDD power is blocked from being transferred to the organic light emitting diode of the panel unit 280.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부를 도시한 다른 회로도이다.5 is another circuit diagram illustrating an ELVDD power generator and a power detector of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 상기 전원 감지부(230)의 과전압 감지부(330)는 적어도 하나의 전계 효과 트랜지스터(Q1,Q2..Qn) 및 과전압 제어 트랜지스터 Q'1를 가진다. 적어도 하나의 전계 효과 트랜지스터(Q1,Q2..Qn)는 패널부(280)의 입력단과 과전압 제어 트랜지스터 Q'1의 게이트 단자 사이에 배치된다. 상기 도 5에서는 n개의 전계 효과 트랜지스터(Q1,Q2..Qn)가 다이오드 연결를 가지며 직렬로 연결되고 과전압 제어 트랜지스터 Q'1의 게이트 단자 사이에 저항 R1이 개재된 것으로 도시하였으나, 실시의 형태에 따라 전계 효과 트랜지스터의 수는 변경 가능하며, 저항 R1도 적절히 배치될 수 있다. 직렬 연결되는 전계 효과 트랜지스터의 수는 감지되는 과전압 레벨에 따라 적절히 변경될 수 있다. Referring to FIG. 5, the overvoltage detector 330 of the power detector 230 includes at least one field effect transistor Q1, Q2 .. Qn and an overvoltage control transistor Q′1. At least one field effect transistor Q1, Q2 .. Qn is disposed between the input terminal of the panel portion 280 and the gate terminal of the overvoltage control transistor Q'1. In FIG. 5, n field effect transistors Q1 and Q2... Qn have a diode connection and are connected in series, and a resistor R1 is interposed between the gate terminals of the overvoltage control transistor Q'1. The number of field effect transistors can be changed, and the resistor R1 can also be disposed appropriately. The number of field effect transistors connected in series can be appropriately changed depending on the sensed overvoltage level.

또한, 과전압 제어 트랜지스터 Q'1의 게이트 단자와 소스 단자 사이에는 저항 R2 및 커패시터 C1이 배치된다. In addition, a resistor R2 and a capacitor C1 are disposed between the gate terminal and the source terminal of the overvoltage control transistor Q'1.

상기 트랜스포머(310)의 출력인 ELVDD 전원이 전계 효과 트랜지스터들 (Q1,Q2..Qn)의 문턱 전압의 합을 상회하는 경우 즉, 과전압 ELVDD전원이 전계 효과 트랜지스터들(Q1,Q2..Qn)의 문턱 전압의 합보다 크면, n개의 전계 효과 트랜지스터들(Q1,Q2..Qn)은 턴-온된다. 상기 전계 효과 트랜지스터들(Q1,Q2..Qn)의 턴-온에 의해 저항 R1 및 R2에는 전류가 흐른다. 저항 R1을 흐르는 전류에 의해 과전압 제어 트랜지스터 Q'1의 게이트 단자의 전압은 상승한다. 상기 트랜지스터 Q'1의 게이트 단자의 전압의 상승에 따라 트랜지스터 Q'1은 턴-온된다. 또한, 상기 전원 감지부(230) 내에 구비된 포토 커플러(320)는 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(280)로 전달되는 과전압 ELVDD 전원을 인식하여 상기 포토 커플러(320) 내에 구비된 표 시 소자인 광 다이오드는 온(ON)이 되고 발광된다.When the ELVDD power supply, which is the output of the transformer 310, exceeds the sum of the threshold voltages of the field effect transistors Q1, Q2 .. Qn, that is, the overvoltage ELVDD power supply is the field effect transistors Q1, Q2 .. Qn. If greater than the sum of the threshold voltages of the n field effect transistors Q1, Q2 .. Qn are turned on. A current flows in the resistors R1 and R2 by the turn-on of the field effect transistors Q1, Q2 .. Qn. The voltage at the gate terminal of the overvoltage control transistor Q'1 is increased by the current flowing through the resistor R1. The transistor Q'1 is turned on as the voltage of the gate terminal of the transistor Q'1 increases. In addition, the photo coupler 320 provided in the power detector 230 recognizes the overvoltage ELVDD power transferred from the transformer 310 to the panel unit 280 and is a display device provided in the photo coupler 320. The photodiode is turned on and emits light.

다만, 상기 트랜스포머(310)로부터 패널부(280)로 전달되는 ELVDD 전원이 정상 ELVDD 전원으로 인가되면, 상기 포토 커플러(320)의 광 다이오드는 오프(OFF)가 되고 상기 광 다이오드는 발광되지 않는다.However, when the ELVDD power transmitted from the transformer 310 to the panel unit 280 is applied to the normal ELVDD power, the photodiode of the photo coupler 320 is turned off and the photodiode does not emit light.

또한, 상기 과전압 ELVDD전원에 의해 과전압 감지부(330) 내에 구비된 과전압 제어 트랜지스터 Q'1이 턴-온됨에 따라, 상기 발광 다이오드는 턴-온된다. 또한, 상기 발광 다이오드의 턴-온에 의해 상기 포토 커플러(320) 내에 배치된 전계 효과 트랜지스터 Q'2는 턴-온되고 공진 제어 신호가 생성된다. 즉, 상기 공진 제어 신호는 상기 ELVDD 전원생성부(220)의 공진 회로 동작을 제어하기 위해 입력되고, 상기 공진 제어 신호를 수신한 공진 회로는 상기 ELVDD 전원생성부(220)로부터 출력된 과전압 ELVDD 전원이 상기 패널부(280)의 유기전계 발광소자로 전달되지 않도록 차단시킨다.In addition, as the overvoltage control transistor Q'1 provided in the overvoltage detector 330 is turned on by the overvoltage ELVDD power source, the light emitting diode is turned on. In addition, the field effect transistor Q ′ 2 disposed in the photo coupler 320 is turned on by the turn-on of the light emitting diode to generate a resonance control signal. That is, the resonance control signal is input to control the operation of the resonant circuit of the ELVDD power generator 220, and the resonant circuit receiving the resonance control signal is an overvoltage ELVDD power output from the ELVDD power generator 220. The panel is blocked from being transferred to the organic light emitting diode of the panel unit 280.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

상술한 본 발명에 따르면, 유기전계 발광장치의 ELVDD 전원생성부 및 전원 감지부는 전원부로 부터 생성되는 과전원 전압이 패널부로 입력되는 것을 사전에 방지하여 상기 패널부의 유기전계 발광소자가 손상되지 않도록 하는 효과가 있다.According to the present invention described above, the ELVDD power generation unit and the power detection unit of the organic light emitting device to prevent the over-power voltage generated from the power supply unit to be input to the panel in advance to prevent damage to the organic light emitting device of the panel unit It works.

Claims (20)

제 1방향으로 배열되는 복수의 데이터선에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부;A data driver for applying a data signal to the plurality of data lines arranged in the first direction; 제 2방향으로 배열되는 복수의 선택주사선에 선택 신호를 인가하는 스캔 구동부; 및A scan driver for applying a selection signal to the plurality of selection scan lines arranged in a second direction; And 상기 데이터선과 선택주사선에 연결되는 복수의 단위 픽셀에 인가되는 데이터 전류 또는 데이터 전압에 대응하며 발광하는 복수의 유기전계 발광소자를 사용하여 소정의 화면이 디스플레이되는 유기전계 발광장치에 있어서,An organic electroluminescent device in which a predetermined screen is displayed using a plurality of organic electroluminescent elements that emit light corresponding to data currents or data voltages applied to a plurality of unit pixels connected to the data line and the selection scan line. 각 회로부로 전원 전압을 공급하는 전원부와 상기 유기전계 발광소자를 구비하는 패널부 사이에 배치되고, 상기 패널부에 공급되는 ELVDD 전원을 생성하기 위한 ELVDD 전원생성부; 및 An ELVDD power generation unit disposed between a power supply unit supplying a power voltage to each circuit unit and a panel unit including the organic light emitting device, and generating an ELVDD power supply to the panel unit; And 상기 ELVDD 전원의 과전압 여부를 감지하는 과전압 감지부와 상기 ELVDD 전원생성부의 동작을 제어하기 위한 공진 제어 신호를 생성하기 위한 포토 커플러가 구비되는 전원 감지부를 포함하는 유기전계 발광장치.And a power detector including an overvoltage detector for detecting an overvoltage of the ELVDD power and a photo coupler for generating a resonance control signal for controlling an operation of the ELVDD power generator. 제 1항에 있어서, 상기 과전압 감지부는,The method of claim 1, wherein the overvoltage detector, 문턱 전압 이상의 과전압 ELVDD전원 입력에 의해 턴-온되는 적어도 하나의 제너 다이오드; At least one zener diode turned on by an overvoltage ELVDD power input above a threshold voltage; 상기 제너 다이오드 턴-온시에 흐르는 전류에 따라 전압이 발생되는 저항; 및A resistor for generating a voltage according to a current flowing at the Zener diode turn-on; And 상기 제너 다이오드와 병렬로 연결되고, 상기 저항에서 발생되는 전압에 따라 턴-온 동작이 제어되는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.       And a transistor connected in parallel with the zener diode and whose turn-on operation is controlled according to the voltage generated by the resistor. 제 2항에 있어서, 상기 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.The organic light emitting device of claim 2, wherein the transistor is a bipolar junction transistor. 제 1항에 있어서, 상기 과전압 감지부는, The method of claim 1, wherein the overvoltage detector, 문턱 전압 이상의 과전압 ELVDD전원 입력에 의해 턴-온되는 적어도 하나의 다이오드 연결된 트랜지스터; At least one diode coupled transistor turned on by an overvoltage ELVDD power input above a threshold voltage; 상기 다이오드 연결된 트랜지스터 턴-온시에 흐르는 전류에 따라 전압이 발생되는 저항; 및A resistor for generating a voltage according to a current flowing during the diode-connected transistor turn-on; And 상기 다이오드 연결된 트랜지스터와 병렬로 연결되고, 상기 저항에서 발생되는 전압에 따라 턴-온 동작이 제어되는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.And a field effect transistor connected in parallel with the diode-connected transistor and whose turn-on operation is controlled according to a voltage generated from the resistor. 제 4항에 있어서, 상기 다이오드 연결된 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.The organic light emitting device of claim 4, wherein the diode-connected transistor is a field effect transistor. 제 1항에 있어서, 상기 포토 커플러는, The method of claim 1, wherein the photo coupler, 상기 과전압 감지부의 출력에 따라 동작하는 광 다이오드; 및A photodiode operating according to an output of the overvoltage detector; And 상기 광 다이오드의 동작 여부에 따라 상기 공진 회로를 제어하기 위한 공진 회로 제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.       And a resonant circuit control transistor for controlling the resonant circuit in accordance with the operation of the photodiode. 제 6항에 있어서, 상기 공진 회로 제어 트랜지스터는 바이폴라 접합        7. The bipolar junction of claim 6, wherein the resonant circuit control transistor is bipolar junction. 트랜지스터 또는 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치. An organic light emitting device comprising a transistor or a field effect transistor. 제 6항에 있어서, 상기 포토 커플러는 상기 ELVDD 전원생성부의 공진 회로로 상기 과전압 ELVDD 전원을 피드백 형태로 전달하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.7. The organic light emitting device of claim 6, wherein the photo coupler transfers the overvoltage ELVDD power in a feedback form to a resonant circuit of the ELVDD power generation unit. 제 1항에 있어서, 상기 ELVDD 전원생성부는, The method of claim 1, wherein the ELVDD power generation unit, 공진 전압을 생성시키고 상기 전원 감지부로부터 전달된 과전압 ELVDD 전원을 차단하는 공진 회로; 및A resonant circuit which generates a resonant voltage and cuts off the overvoltage ELVDD power delivered from the power detector; And 상기 공진 회로로부터 생성된 공진 전압을 전달받아 상기 패널부로 전달되는ELVDD 전원으로 변환시키는 트랜스포머를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.      And a transformer for receiving the resonance voltage generated from the resonance circuit and converting the resonance voltage into an ELVDD power supply to the panel unit. 제 9항에 있어서, 상기 ELVDD 전원생성부는 상기 전원 감지부로부터 전달되는 과전압 ELVDD 전원을 차단하고 상기 전원부로부터 인가된 정상 ELVDD 전원을 상기 패널부에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치.      10. The organic light emitting device of claim 9, wherein the ELVDD power generator cuts off the overvoltage ELVDD power transmitted from the power detector and supplies normal ELVDD power applied from the power supply to the panel unit. ELVDD 전원을 생성하기 위한 ELVDD 전원생성부; An ELVDD power generator for generating an ELVDD power; 상기 ELVDD 전원의 과전압 여부를 감지하는 과전압 감지부; 및An overvoltage detector configured to detect whether the ELVDD power is overvoltage; And 상기 과전압 감지부의 출력을 수신하고, ELVDD 전원생성부의 동작을 제어하기 위한 공진 제어 신호를 생성하기 위한 포토 커플러를 포함하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.And a photo coupler for receiving the output of the overvoltage detector and generating a resonance control signal for controlling the operation of the ELVDD power generator. 제 11항에 있어서, 상기 과전압 감지부는,The method of claim 11, wherein the overvoltage detector, 문턱 전압 이상의 과전압 ELVDD전원 입력에 의해 턴-온되는 적어도 하나의 제너 다이오드; At least one zener diode turned on by an overvoltage ELVDD power input above a threshold voltage; 상기 제너 다이오드 턴-온시에 흐르는 전류에 따라 전압이 발생되는 저항; 및A resistor for generating a voltage according to a current flowing at the Zener diode turn-on; And 상기 제너 다이오드와 병렬로 연결되고, 상기 저항에서 발생되는 전압에 따라      Is connected in parallel with the zener diode and according to the voltage generated by the resistor 턴-온 동작이 제어되는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치. A power supply device for an organic light emitting device, characterized in that it comprises a transistor for which the turn-on operation is controlled. 제 12항에 있어서, 상기 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.13. The power supply voltage supply device of an organic light emitting device according to claim 12, wherein the transistor is a bipolar junction transistor. 제 11항에 있어서, 상기 과전압 감지부는, The method of claim 11, wherein the overvoltage detector, 문턱 전압 이상의 과전압 ELVDD전원 입력에 의해 턴-온되는 적어도 하나의 다이오드 연결된 트랜지스터; At least one diode coupled transistor turned on by an overvoltage ELVDD power input above a threshold voltage; 상기 다이오드 연결된 트랜지스터 턴-온시에 흐르는 전류에 따라 전압이 발생되는 저항; 및A resistor for generating a voltage according to a current flowing during the diode-connected transistor turn-on; And 상기 다이오드 연결된 트랜지스터와 병렬로 연결되고, 상기 저항에서 발생되는 전압에 따라 턴-온 동작이 제어되는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.And a field effect transistor connected in parallel with the diode-connected transistor and whose turn-on operation is controlled according to the voltage generated by the resistor. 제 14항에 있어서, 상기 트랜지스터는 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.15. The power supply voltage supplying device according to claim 14, wherein the transistor is a field effect transistor. 제 11항에 있어서, 상기 포토 커플러는, The method of claim 11, wherein the photo coupler, 상기 과전압 감지부의 출력에 따라 동작하는 광 다이오드; 및A photodiode operating according to an output of the overvoltage detector; And 상기 광 다이오드의 동작 여부에 따라 상기 공진 회로를 제어하기 위한 공진 회로 제어 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.And a resonant circuit control transistor for controlling the resonant circuit in accordance with the operation of the photodiode. 제 16항에 있어서, 상기 공진 회로 제어 트랜지스터는 바이폴라 접합 트랜지스터 또는 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.17. The power supply voltage supply apparatus of claim 16, wherein the resonant circuit control transistor is a bipolar junction transistor or a field effect transistor. 제 16항에 있어서, 상기 포토 커플러는 상기 ELVDD 전원생성부의 공진 회로로 상기 과전압 ELVDD 전원을 피드백 형태로 전달하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.17. The power supply device of claim 16, wherein the photo coupler transfers the overvoltage ELVDD power in a feedback form to a resonant circuit of the ELVDD power generation unit. 제 11항에 있어서, 상기 ELVDD 전원생성부는,        The method of claim 11, wherein the ELVDD power generation unit, 공진 전압을 생성시키고 상기 전원 감지부로부터 전달된 과전압 ELVDD 전원을 차단하는 공진 회로; 및A resonant circuit which generates a resonant voltage and cuts off the overvoltage ELVDD power delivered from the power detector; And 상기 공진 회로로부터 생성된 공진 전압을 전달받아 상기 패널부로 전달되는ELVDD 전원으로 변환시키는 트랜스포머를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.      And a transformer for receiving the resonant voltage generated from the resonant circuit and converting the resonant voltage to the ELVDD power supplied to the panel unit. 제 19항에 있어서, 상기 ELVDD 전원생성부는 상기 전원 감지부로부터 전달되는 과전압 ELVDD 전원을 차단하고 상기 전원부로부터 인가된 정상 ELVDD 전원을 상기 패널부에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광장치의 전원전압 공급장치.     20. The power supply voltage of the organic light emitting device of claim 19, wherein the ELVDD power generation unit cuts off the overvoltage ELVDD power transmitted from the power detection unit and supplies normal ELVDD power applied from the power supply to the panel unit. Feeder.
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