KR20050100039A

KR20050100039A - 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공실장된 미소기계소자

Info

Publication number: KR20050100039A
Application number: KR1020040025198A
Authority: KR
Inventors: 이호영; 김용협; 성우용; 김왈준; 연순창
Original assignee: 재단법인서울대학교산학협력재단
Priority date: 2004-04-13
Filing date: 2004-04-13
Publication date: 2005-10-18
Also published as: WO2005100236A1; US20050227401A1; CN1683234A; JP2005297180A; KR100575363B1; CN1330557C

Abstract

오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자의 실장 방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자가 개시된다. 본 발명의 미소기계소자의 진공 실장 방법은 동공이 형성된 상부기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 준비하여 진공챔버에 인입하고, 상기 하부기판의 미소기계소자의 가장자리 상에 오링을 개재하여 하부기판과 상부기판을 정렬한 한 후에 상기 상부기판과 하부기판 사이에 압력을 가하여 상기 오링이 상부기판과 하부기판 사이에서 압착하게 한다. 이어서, 상기 진공챔버를 벤트(vent)시켜서 진공과 대기압의 압력차이로 상부기판과 하부기판을 진공실장하고, 상기 상부기판과 하부기판 사이의 압력을 제거한다. 본 발명은 동공의 가스누설과 동공 내로의 가스방출이 없으면서도 공정이 간단하게 미소기계소자를 진공실장할 수 있다.

Description

미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자{METHOD OF PACKAGING OF MEMS DEVICE AT THE VACUUM STATE AND VACUUM PACKAGED MEMS DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 미소기계(MEMS) 소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자를 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것이다.

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)가 차세대 전자부품 소자를 주도할 혁신적인 시스템 소형화 기술로서 소개된 지금, 세계적으로 상용화된 제품으로는 가속도계, 압력센서, 잉크제트 헤드(ink jet head), 하드디스크용 헤드 등이 있다. 마이크로 자이로스코프는 시제품 생산 및 양산화에 돌입하였으며, 최근에는 광통신 기술의 발전과 더불어 더욱 고성능이 요구되는 스위치, 감쇠기, 및 필터, OXC 스위치 등 WDM(Wavelength Division Multiplexing) 광 통신용 부품 기술이 MEMS 기술의 새로운 도전분야로 개발이 이루어지고 있다.

MEMS 기술을 이용한 제품의 대표적인 것으로는 MEMS 자이로스코프 센서(gyroscope sensor)가 있다. 실리콘 진동형 자이로스코프의 원리는 정전기적인 힘에 의해 구조물을 특정 방향으로 진동 시킨 상태에서 외부에서 검출하고자 하는 각회전(또는 각속도)이 주어지면, 진동의 직각 방향에 나타나는 코리올리 힘(Coriolis force)이 작용하게 된다. 이때 코리올리 힘에 의하여 작용된 진동을 관성체와 전극 사이의 정전 용량 변화를 통해 외부에서 가해진 각회전의 정도를 측정하는 것이다.

마이크로 자이로스코프의 응용분야는 초소형 저가 GPS(global position systems) 및 관성 항법 장치에의 응용, 차량의 능동 제어, 능동 현가 장치 등의 주행 안전 장치 등을 포함한 자동차 산업에의 응용, 가상 현실 및 3차원 마우스, 카메라의 손떨림 장치 장치등의 가전 제품에의 응용, 세대 무기 체계, 미사일 유도 장치 및 지능형 탄약 등의 군사 용용, 기계 제어, 진동 제어 및 로보틱스 등의 산업용에 이르기까지 매우 다양하다.

진동형 자이로스코프의 감도를 향상시키기 위해서는 가진 방향의 고유진동수와 측정 방향의 고유진동수를 일치시키고 댐핑이 적어야 한다. 즉, 구조물이 동작하게 되면 구조물 주위의 공기 유동 및 점성에 의한 댐핑 효과, 또는 공기 감쇄 현상으로 의하여 구조물이 저항을 받게 되고, Q 값(또는 quality factor)이 감소하기 때문에 구조물을 진공 상태에서 작동시켜야 하며, 이를 위하여 고진공 패키징을 하여야 한다.

도 1은 종래기술에 따른 진동형 MEMS 자이로스코프 센서의 구조를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, MEMS 자이로스코프의 구조물은 실리콘(1), 산화막(5), 실리콘(0)이 차례대로 적층된 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를 이용하여 제작한다. SOI 웨이퍼 전체 두께는 500μm 정도이고 절연층(insulator)으로 사용된 산화막(5)의 두께는 3μm 정도이다. 산화막(5) 위의 구조물층으로 사용된 실리콘층(10)은 P형의 <100> 방향이며, 두께가 40μm 정도이며, 비저항 값은 0.01~0.02Ωㆍcm이다. 웨이퍼를 초기 세정하고 감광제(photo-resistor)를 이용하여 자이로스코프 구조물 패턴을 형성한 다음, 감광제가 탄화되지 않도록 충분하게 베이킹(baking)을 한 뒤 ICP-RIE를 이용하여 실리콘막(10)을 바닥의 희생층인 산화막(5)까지 수직하게 완전히 식각한다. 그 후 건식 애싱 장비를 이용하여 감광제를 제거하고 HF 용액에 담구어 자이로스코프 구조물(20)이 완전히 릴리즈(release) 되도록 한다.

자이로스코프 구조물(20)이 형성된 하부 기판(25)의 패키징을 위한 상부 기판은 실리콘과 열팽창 계수 차이가 상대적으로 적은 Corning Pyrex 7740 유리(glass, 30)를 사용하며 두께는 350μm 정도이다. 상기 유리기판(30)은 우선 자이로스코프 구조물(20)을 보호하고 진공상태로 만들기 위하여 도면과 같이 안쪽에는 동공(cavity, 35)을 형성시키고, 자이로스코프 구조물(20)과 외부에 전기적 배선을 연결하기 위한 통로로 상부 기판(30)의 윗면에는 배선 구멍(via hole, 37)을 형성한다. 유리 상부기판(30)의 동공(35) 및 배선 구멍(37)은 샌드블라스팅(sandblasting) 공정을 이용하여 가공한다.

이와같이 제작되어진 자이로스코프 구조물(20)이 형성된 하부기판(25)과 동공(35)이 형성된 상부기판(30)을 정렬(align)한 후 진공챔버 내로 인입한다. 챔버 내의 진공도를 5×10^-5Torr 정도로 한 후 양극접합(anodic bonding)을 실시한다. 양극 접합을 위하여 상하부기판에 온도를 올리면서 전압을 가한다. 접합이 완료된 후에는 상하부기판을 진공챔버에서 꺼내어, 우리 상부기판 위에 알루미늄(Al)을 증착하여 전기적 배선(40)을 형성하였다. 접합 후에는 접합된 상하부기판을 다이싱 공정을 통하여 각각의 개별 칩으로 분리한다.

상술한 웨이퍼 레벨 진공 패키지 방법으로 제작된 MEMS 자이로스코프 센서의 경우 여러 환경 조건 및 시간의 경과에 따른 패키지 내부의 진공도 변화에 따른 패키지 내부의 진공도 변화에 대한 신뢰성 문제에 대해서는 아직 해결되지 않은 문제로 남아있다.

자이로스코프를 사용하면서 Q 값이 변하게 되는데, 사용 환경 중에 Q 값 또는 주파수가 변하게 되면 자이로스코프의 성능 인자인 감도 및 정밀도에 직접적인 영향을 미친다. 자이로스코프를 사용하면서 Q 값이 감소하는 것은 자이로스코프 패키지 내부의 진공도가 변하였음을 의미한다. 즉 동공 내부의 압력이 초기 압력보다 높아져서 공기의 댐핑이 증가하고 이에 따라 Q 값이 감소한 것이다.

동공 내부의 압력이 높아진 원인은 크게 동공 내부에서 발생한 가스방출(outgassing)과 누설(leakage)에 의한 영향으로 나눌 수 있다.

누설 현상은 접합이 완료된 후에 접합 계면의 기공(hole)이나 마이크로 크랙, 또는 재질 내부의 결함을 통하여 발생된다.

가스방출(outgassing)은 접합 공정 중에, 혹은 접합 후에 동공 내에서 발생되는 가스를 의미한다. 접합 시 높은 전압이 가해지게 되면 유리 내부 및 접합 계면으로부터 방출된 산소 이온 및 패키지 내부 표면의 오염물 또는 재료 표면으로부터 자체에 함유된 가스가 동공 내부에서 온도가 증가함에 따라 계속적으로 가스방출(outgassing)되는 것을 의미한다.

SOI 와 유리 웨이퍼 자체에서 어느 정도의 가스방출이 발생되는 지를 살펴보면, 웨이퍼에서 발생된 가스방출의 성분은 주로 H₂O이였으며, CO₂, C₃H ₅ 및 기타 유기 오염 물질이다. SOI 웨이퍼에 비하여 유리 웨이퍼가 약 10배 정도 가스방출이 많아서, 유리 웨이퍼가 동공 내의 가스방출의 주요원인이다. 유리 웨이퍼에서는 H₂O가 매우 많이 발생하였는데, 특히 웨이퍼를 샌드블라스트 공정을 사용하여 가공한 경우, 가공 전보다 약 2.5배의 가스방출량이 증가했음을 실험적으로 알 수 있었다.

결국, 자이로스코프, 가속도계 등의 미소기계 소자의 진공패키징에서 동공의 누설현상과 동공 내로의 가스방출의 문제를 해결하는 진공 실장방법이 요구되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 누설이 발생하지 않는 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자를 제공하는데 목적이 있다.

또한, 웨이퍼 레벨에서 베이킹이나 양극접합이 없어서 동공 내부로 가스방출이 발생하지 않는 미소기계소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자를 제공하는데 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 미소기계소자의 진공 실장 방법은 동공이 형성된 상부기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 준비하여 진공챔버에 인입하고, 상기 하부기판의 미소기계소자의 가장자리 상에 오링을 개재하여 하부 기판과 상부기판을 정렬한 한 후에 상기 상부기판과 하부기판 사이에 압력을 가하여 상기 오링이 상부기판과 하부기판 사이에서 압착하게 한다. 이어서, 상기 진공챔버를 벤트(vent)시켜서 진공과 대기압의 압력차이로 상부기판과 하부기판을 진공실장하고, 상기 상부기판과 하부기판 사이의 압력을 제거한다.

본 발명에 있어서, 상기 오링 외부의 상부기판 및 하부기판 사이에는 토르 실(torr seal)과 같은 밀봉제를 충전하는 것이 바람직하며, 진공 기밀성을 유지하기 위하여 상기 상부기판과 하부기판의 외부를 클램프를 사용하여 클램핑할 수 있다.

본 발명에 있어서, 웨이퍼 레벨 진공 실장(wafer level vacuum packaging)한 후에 다이싱하여 각각의 미소기계소자의 칩(chip)으로 다이싱할 수 있으며, 상기 미소기계소자가 내장된 상하부기판을 전기배선으로 연결하고 봉지재(molding compound)로 몰딩할 수 있다. 봉지재는 금속, 세라믹, 유리, 및 열경화성 수지 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 미소기계소자는 자이로스코프, 가속도계, 광스위치, RF 스위치, 압력 센서 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으며, 시스템통합패키지(System on a package; SoP)에 사용될 수 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 진공실장된 미소기계소자는 미소기계소자가 형성된 상부기판, 동공이 형성된 하부 기판, 및 상기 상부기판 및 하부기판의 가장자리에 개재되어 있는 신축성이 있는 오링으로 구성되어 있다.

본 발명에 있어서, 상기 오링 외부의 상기 상부기판 및 하부기판 사이에는 충전되어 있는 토르 실과 같은 밀봉제를 더 포함할 수 있으며, 상기 미소기계소자가 내장된 상하부기판의 외부에는 금속, 세라믹, 유리, 및 열경화성 수지와 같은 봉지재(molding compound)가 몰딩될 수 있다.

상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 각 층 및 물질들의 모양 및 두께는 설명의 편의를 위하여 과장 또는 개략화된 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 부재를 지칭한다.

본 발명의 실시예에서는 동공이 형성된 상부기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 접착하기 위하여 진공챔버 내에서 오링(O-ring)을 이용하여 상하부 기판을 소정거리 이격된 상태에서 압착한 후에 챔버를 벤트시켜서 상하부 기판 내부와 외부의 압력 차이에 의하여 상하부 기판을 접착한다. 이와 같은 본 발명은 종래의 양극 접합 공정이 필요하지 않으므로 가스방출(outgassing)이 발생하지 않으며 공정이 현저하게 간단하며 경제적이면서도, 누설이 발생하지 않아 진공도를 유지할 수 있다.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 진공실장된 MEMS 자이로스코프를 나타내는 단면도이다.

도 2를 참조하면, 실리콘(100), 산화막(105), 실리콘(110)이 차례대로 적층된 SOI(Silicon On Insulator) 하부 웨이퍼(125)에 자이로스코프 구조물(120)이 통상적인 방법에 의하여 형성되어 있다. 상기 자이로스코프 구조물(120)이 형성된 하부 웨이퍼(125) 상에는 오링(150)을 개재하여 상부 웨이퍼(130)가 진공 실장되어 있다. 바람직하게는 상기 상부 웨이퍼(130)의 내측 안쪽에는 동공(135)을 가지며, 상하부 웨이퍼(125, 130) 사이에 개재된 오링(150) 외부에는 토르실과 같은 밀봉재(155)가 충전되어 있다.

도 3a 내지 도 6a는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 소자의 실장방법을 나타내는 사시도들이며, 도 3b 내지 도 6b는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 소자의 실장방법을 나타내는 단면도들이다. MEMS 소자는 자이로스코프, 가속도계, 압력센서, 광스위치, RF 스위치 등의 다양한 MEMS 소자의 진공실장에 이용할 수 있으며, 바람직하게는 진동형 MEMS 소자의 진공실장에 이용할 수 있다.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, MEMS 소자(220)가 형성된 하부기판(225)과 동공이 형성된 상부기판(230)을 준비한다. 상기 상부기판(230)의 재질은 실리콘이 바람직하며, 동공의 형성방법은 통상적인 사진공정을 이용하여 습식 또는 건식으로 식각하여 형성할 수 있다,

이어서, 상하부 기판(225, 230)을 진공챔버(미도시) 내에 위치시키고, 챔버에 설치된 펌프를 가동시켜 초고진공상태 확보를 위한 배기작업을 실시한다. 상기 진공챔버에는 고진공 배기가 가능하고, 상기 상하부 기판을 압착할 수 있는 가압판을 구비한 가압수단이 배치되어 있다.

이어서, 진공 챔버 내에서 상기 하부 기판(225) 상에 MEMS 소자(220)를 둘러싸게 오링(O-ring, 250)을 위치시킨다. 상기 오링(250)은 신축성이 있는 다양한 재질로 만들어 질 수 있으며, 진공챔버 내에서 하부 기판 상에 위치시키기 전에 230℃ 정도에서 전처리 공정을 진행할 수 있다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 오링(250)이 배치된 하부기판(225) 상에 상부 기판(230)을 정렬시킨다.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 진공상태에서 가압수단의 가압판(260)을 이용하여 상기 하부기판(225)과 상부 기판(230)을 압착한다. 상기 상하부 기판의 가압을 실시하면, 신축성이 있는 상기 오링(250)은 압축되며 상하부 기판에 압착하게 된다.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 상기 상하부 기판(225, 230)이 오링(250)을 개재하여 압착된 상태에서 상기 진공챔버를 대기압으로 벤트(vent)를 시킨다. 대기압으로 진공챔버로 가스가 유입되면 가스의 압력으로 상하부 기판은 밀착된다.

이어서, 상기 상하부 기판(225, 230) 사이에 가해진 가압판(260)의 압력을 제거하여도 상하부 기판 내부의 진공과 외부의 대기압과의 압력 차이로 인하여 진공 실장된다.

이어서, 진공실장된 상하부 기판을 진공챔버에서 꺼내어 오링 외부의 상하부 기판 사이에 토르 실(torr seal) 등의 밀봉제(270)를 충전시킬 수 있다.

경우에 따라서는, 상기 상하부기판을 조여주는 클램프 장치(미도시)를 사용하여 상기 상부 기판과 하부기판의 밀착력을 증가시켜 진공도의 저하를 방지할 수 있다.

또한, 미소기계소자의 기밀성을 유지시키고, 온도, 습도 등 주변의 환경으로부터 부품을 보호하며, 기계적 진동, 충격에 의한 파손과 특성변화를 방지하기 위하여 미소기계소자가 내장된 상하부기판의 외부를 피복 봉지하여 외부의 영향을 차단할 수 있다. 봉지재로는 금속, 세라믹, 유리, 열경화성 수지(특히, 열경화성 에폭시수지) 중에서 선택된 어느 하나를 사용할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨에서 MEMS 소자의 진공 실장방법을 나타내는 사시도이다.

도 7을 참조하면, MEMS 소자(320)가 형성된 하부 웨이퍼(325)와 MEMS 소자에 대응되게 동공이 형성된 상부 웨이퍼(330)를 MEMS 소자를 에워싸는 다수의 오링(350)이 형성된 오링 구조물을 정렬하여 동시에 웨이퍼 레벨에서 진공 실장할 수 있다. 여기서 MEMS 소자는 자이로스코프, 가속도계, 광스위치, RF 스위치, 압력 센서 등의 다양한 MEMS 소자일 수 있다.

이 경우에는 웨이퍼 레벨로 진공 실장한 후에 각각의 칩(chip)으로 다이싱하는 공정을 진행하여 시간과 비용을 절감할 수 있다. 각각의 칩으로 다이싱하기 전 또는 후에는 토르 실과 같은 밀봉제를 사용하여 오링 외부의 상하부기판 사이를 충전할 수 있다.

또한, 각각의 칩으로 다이싱된 MEMS 소자가 내장된 상하부기판을 전기배선으로 연결하고 봉지재(molding compound)로 몰딩한 후에, 시스템통합패키지(System on a package; SoP)에 응용할 수 있다. 시스템통합패키지(SoP)는 기존의 다양한 기능의 반도체 소자를 집적한 시스템온칩(SoC)에 MEMS 센서 소자, RF IC, 전력소자 등을 모듈로 통합하여 각 모듈별 개발 비용과 패키지 비용을 절감하는 패키지 기술이다.

본 발명에 따른 진공 실장된 MEMS 소자를 이용하면, 시스템통합패키지(SoP)를 용이하게 할 수 있으며, 특히 초정밀 MEMS 센서기술, 시스템온칩(SoC) 기술, 무선통신기술(telematics)을 통합한 시스템통합패키지(SoP)된 텔레메트릭스 센서를 구성하는데 용이하다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

상기와 같이 이루어진 본 발명은, 상부기판 및 하부기판의 접착이 용이하면서도 공정이 간단하게 미소기계소자를 진공 실장할 수 있다.

또한, 본 발명은 신뢰성 시험 항목인 기계적 스트레스(충격과 진동), 환경적인 스트레스(온도 및 습도, 열충격)와 동작 수명 등의 신뢰성과 내구성이 우수한 진공실장된 미소기계소자를 제조할 수 있다.

또한, 동공으로의 누설과 동공 내로 가스방출이 없는 신뢰성이 있는 미세기계소자의 진공실장방법을 제공하며, 웨이퍼 레벨로 진공실장하여 비용이나 시간면에서 경제적이다.

또한, 본 발명에 따른 진공 실장된 MEMS 소자를 이용하면, 시스템통합패키지(SoP)를 용이하게 할 수 있으며, 특히 초정밀 MEMS 센서기술, 시스템온칩(SoC) 기술, 무선통신기술(telematics)을 통합한 시스템통합패키지(SoP)된 텔레메트릭스 센서를 용이하게 구성할 수 있다.

도 1은 종래기술에 따른 진동형 MEMS 자이로스코프 센서의 구조를 나타내는 단면도,

도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 진공실장된 MEMS 자이로스코프를 나타내는 단면도,

도 3a 내지 도 6a는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 소자의 실장방법을 나타내는 사시도들,

도 3b 내지 도 6b는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 소자의 실장방법을 나타내는 단면도들, 및

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

25, 125, 225 : 하부기판 130, 230 : 상부기판

35, 135 : 동공 150, 250, 350 : 오링

155, 270 : 밀봉제 260 : 가압판

Claims

동공이 형성된 상부기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 준비하여 진공챔버에 인입하는 단계;

상기 하부기판의 미소기계소자의 가장자리 상에 오링을 개재하여 하부 기판과 상부 기판을 정렬하는 단계;

상기 상부기판과 하부기판 사이에 압력을 가하여 상기 오링이 상부기판과 하부기판 사이에서 압착하는 단계;

상기 진공챔버를 벤트(vent)시키는 단계; 및

상기 상부기판과 하부기판 사이의 압력을 제거하는 단계를 포함하는 미소기계소자의 진공 실장 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 오링 외부의 상부기판 및 하부기판 사이에 밀봉제를 충전하는 것을 특징으로 미소기계소자의 진공 실장 방법.
제 2 항에 있어서,

상기 밀봉제는 토르 실(torr seal)인 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장 방법.
제 1 항에 있어서,

상기 상하부기판의 외부를 클램프를 사용하여 클램핑하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법.
제 1 항에 있어서,

상기 진공 실장은 웨이퍼 레벨 진공 실장(wafer level vacuum packaging)인 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법.
제 1 항에 있어서,

상기 미소기계소자가 내장된 상하부기판을 전기배선으로 연결하고 봉지재(molding compound)로 몰딩하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법.
제 6 항에 있어서,

상기 봉지재는 금속, 세라믹, 유리, 및 열경화성 수지 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법.
제 1 항에 있어서,

상기 미소기계 소자는 자이로스코프, 가속도계, 광스위치, RF 스위치, 압력 센서 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법.
미소기계소자가 형성된 상부기판;

동공이 형성된 하부 기판; 및

상기 상부기판 및 하부기판의 가장자리에 개재되어 있는 신축성이 있는 오링을 포함하는 진공실장된 미소기계소자.
제 9 항에 있어서,

상기 오링의 외부의 상기 상부기판 및 하부기판 사이에 충전되어 있는 밀봉제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공실장된 미소기계소자.
제 10 항에 있어서,

상기 밀봉제는 토르 실인 것을 특징으로 하는 진공실장된 미소기계소자.
제 9 항에 있어서,

상기 미소기계소자가 내장된 상하부기판의 외부에는 봉지재(molding compound)가 몰딩되어 있는 것을 특징으로 하는 진공실장된 미소기계소자.
제 12 항에 있어서,

상기 봉지재는 금속, 세라믹, 유리, 및 열경화성 수지 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미소기계 소자의 진공 실장방법.
제 9 항에 있어서,

상기 미소기계소자는 자이로스코프, 가속도계, 광스위치, RF 스위치, 압력센서 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 진공실장된 미소기계소자.
제 9 항에 있어서,

상기 미소기계소자는 시스템통합패키지(System on a package; SoP)에 사용되는 것을 특징으로 하는 진공실장된 미소기계소자.