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KR200487281Y1 - Apparatus for examining substrate - Google Patents

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KR200487281Y1
KR200487281Y1 KR2020130004927U KR20130004927U KR200487281Y1 KR 200487281 Y1 KR200487281 Y1 KR 200487281Y1 KR 2020130004927 U KR2020130004927 U KR 2020130004927U KR 20130004927 U KR20130004927 U KR 20130004927U KR 200487281 Y1 KR200487281 Y1 KR 200487281Y1
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마사토시 가네다
쇼조우 마에다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는, 검사의 기능을 떨어뜨리지 않으면서 상이한 표면 검사를 행하는 검사 장치를 통합하여 케이스 내에 설치함으로써, 도포 현상 장치 전체에 탑재하는 기판의 처리 유닛을 늘려 기판 처리의 작업 처리량을 향상시키는 것이다.
기판인 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부(120)와, 유지부에 유지된 웨이퍼를 회전시키는 회전 구동부와, 유지부를 수평 방향에서 이차원으로 이동시키는 이동 기구와, 유지부를 수용하는 처리 용기(110) 내에서, 상기 처리 용기의 외부와의 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하는 전달 위치(P1)와, 웨이퍼 상에 성막된 도포막의 막두께를 측정하기 위한 프로브(156)와, 유지부에 유지된 웨이퍼의 표면을 촬상하는 촬상부(150)와, 유지부에 유지된 웨이퍼의 표면을 향해서 광을 조사하고, 연직 방향 위쪽으로 반사된 광의 광로의 방향을 수평 방향으로 설치되는 촬상부로 향하도록 광을 반사시키는 방향 변환부(157)를 구비한다.An object of the present invention is to provide an inspection apparatus for performing different surface inspections without deteriorating the inspection function and being integrated in a case to increase the processing unit of the substrate mounted on the entire coating and developing apparatus to improve the throughput of the substrate processing will be.
A holding section 120 for holding a wafer W as a substrate, a rotation driving section for rotating the wafer held by the holding section, a moving mechanism for moving the holding section in two dimensions in the horizontal direction, and a processing container 110 ), A probe (156) for measuring the film thickness of a coating film formed on the wafer, a transfer position (P1) for transferring the wafer between the wafer and the outside of the processing vessel, An image pickup section 150 for picking up an image of the surface of the wafer held by the holding section, a light source for irradiating light toward the surface of the wafer held by the holding section and reflecting the light so that the direction of the optical path of the light reflected upward in the vertical direction is directed to the image pick- And a direction changing unit 157.

Description

기판 검사 장치{APPARATUS FOR EXAMINING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR EXAMINING SUBSTRATE [0002]

본 고안은, 기판의 표면에 실시된 처리의 상태를 검사하기 위한 기판 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection apparatus for inspecting a state of a process performed on a surface of a substrate.

예컨대 반도체 디바이스의 제조에서의 포토리소그래피 처리에서는, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 정해진 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 정해진 레지스트 패턴이 형성된다. For example, in the photolithography process in the production of a semiconductor device, for example, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution onto a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer "), an exposure process for exposing a predetermined pattern, A developing process for developing the film, and the like are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.

또, 전술한 바와 같이 포토리소그래피 처리가 행해지는 웨이퍼에는, 검사 장치에 의해, 소위 기판의 처리후의 표면 상태의 검사인, 도포막의 막두께 검사나 표면의 마크로 결함 검사가 행해진다. 이러한 경우, 예컨대 웨이퍼 표면에 정해진 레지스트막의 막두께가 형성되어 있는지의 여부, 기판면 내의 막두께의 균일성은 어떤지, 또는 손상, 이물질의 부착이 있는지의 여부 등이 검사된다. As described above, the wafer on which the photolithography process is performed is subjected to film thickness inspection of the coating film and macro defect inspection on the surface, which is an inspection of the surface state after the so-called substrate processing by the inspection apparatus. In such a case, for example, whether or not the film thickness of the predetermined resist film is formed on the wafer surface, whether the uniformity of the film thickness in the substrate surface, damage, adhesion of foreign matter or the like is examined.

이러한 마크로 결함 검사는, 검사 장치에 있어서, 예컨대 웨이퍼를 배치하고 있는 배치대를 이동시키면서, 조사부로부터 하프 미러를 통하여 배치대 상의 웨이퍼에 조명을 비추고, 또한 웨이퍼로부터의 반사광을 상기 하프 미러에서 반사시켜, 예컨대 CCD 라인 센서의 촬상 장치에 의해 웨이퍼의 화상을 취한다. 그리고, 이 화상을 화상 처리하여 결함의 유무를 판정하도록 하고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).In such a macro defect inspection, in the inspection apparatus, for example, while moving a placement table on which wafers are arranged, light is irradiated from the irradiation section to the wafer on the placement table through the half mirror, and the reflected light from the wafer is reflected by the half mirror , For example, an image of the wafer is taken by an imaging device of a CCD line sensor. Then, this image is subjected to image processing to determine the presence or absence of a defect (see, for example, Patent Document 1).

또, 도포막의 막두께를 측정하는 막두께 측정기는, 예컨대 레지스트 처리된 기판의 막두께가 설정되는 목표 막두께인지의 여부, 면내의 변동 상태 등을 검사한다. 그 경우에 막두께를 측정하는 기판은 테스트용 기판을 이용하여 막두께를 측정하여, 그 결과의 측정치가 목표치의 허용 범위내에 있는 경우에는 생산용 기판에 대하여 도포 장치로 정해진 도포 처리를 실시하고, 측정치가 허용 범위에서 벗어난 경우에는, 도포 장치에 대하여 필요한 보정을 행하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).The film thickness measuring device for measuring the film thickness of the coating film checks whether or not the film thickness of the resist-processed substrate is a target film thickness to be set, a fluctuation state in the plane, and the like. In this case, the film thickness of the substrate for measuring the film thickness is measured by using a test substrate. When the measured result is within the allowable range of the target value, the substrate for production is subjected to the coating treatment specified by the coating apparatus, When the measured value is out of the allowable range, it is known that necessary correction is performed on the coating apparatus (see, for example, Patent Document 2).

특허문헌 1 : 일본특허공개 제2007-240519호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-240519 특허문헌 2 : 일본특허공개 제2001-196298호 공보Patent Document 2: Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-196298

그런데, 최근에는 반도체 디바이스가 미세화가 요구되고 있고, 예컨대, 특히 패턴 형성 프로세스에 있어서, 1장의 기판에 대하여 도포 현상 처리와 노광 처리를 각각 2회 행하여 패턴을 형성시키는 더블패터닝 기술(1개의 회로 패턴을 2개의 밀집도가 낮은 패턴으로 분할하여 노광하는 기술)이 행해지고 있다. 이러한 미세화한 처리를 연속하여 행하는 도중에 기판의 표면 상태를 검사하여 처리 상태의 문제점을 확인하는 동시에, 생산량을 떨어뜨리지 않으면서 연속하여 검사를 행하는 것이 요구되고 있다. 이러한 경우에 도포 현상 장치 중의 어떤 장소에 검사 장치를 부착하는 것이 요구된다. In recent years, there has been a demand for miniaturization of semiconductor devices. For example, in a pattern forming process, a double patterning technique for forming a pattern by performing a coating development processing and an exposure processing twice on one substrate, Is divided into two low-dense patterns for exposure). It is required to inspect the surface state of the substrate during the continuous processing of such fine processing to check the problem of the processing state and to perform the inspection continuously without deteriorating the production amount. In this case, it is required to attach the inspection apparatus to any place in the coating and developing apparatus.

또, 이러한 미세화 대응에 부응하는 장치에는 생산중인 기판의 처리 상태를 검사하는 것 외에도, 처리하는 웨이퍼의 종류가 변하면 처리액도 변경되기 때문에, 최적의 막두께 목표치가 나오는 도포 조건(예컨대, 회전수, 토출량, 배기량, 온도 등)을 맞출 필요가 있고, 이러한 조건이 세팅된 막두께 검사를 도포 현상 장치 내부에서 조건을 바꾸면서 연속적으로 행하여, 장치의 가동 시간의 향상을 도모하고자 하는 요구도 있다.Further, in addition to inspecting the processing state of the substrate under production, an apparatus responding to such miniaturization responds to a coating condition (for example, a rotation speed , Discharge amount, discharge amount, temperature, and the like) of the coating film forming apparatus, and there is also a demand to improve the operation time of the apparatus by continuously performing film thickness inspection with such conditions set in the coating and developing apparatus while changing conditions.

종래부터, 도포 현상 장치는 클린룸의 크기에 대한 점유 면적의 영향도를 낮추기 위해, 도포 현상 장치 전체의 풋프린트를 작게 하는 것이 요구되고 있다. 또 동시에 생산성을 높이기 위해, 장치 내부에 고밀도, 고배치로 하여 여러 복수의 처리 유닛을 탑재하지 않으면, 시간당 처리 매수의 요구에는 부응할 수 없다. 그러나, 종래에는 검사의 종류와 검사를 행하는 실행 타이밍이 상이하기 때문에, 기판의 표면 상태를 검사하는 검사 장치도 따로따로 상이한 위치에 설치되었다. Conventionally, in the coating and developing apparatus, in order to lower the influence of the occupied area on the size of the clean room, it is required to reduce the overall footprint of the coating and developing apparatus. At the same time, in order to increase the productivity, unless a plurality of processing units are mounted in a high-density and high-arrangement inside the apparatus, the number of processing sheets per hour can not be satisfied. However, in the past, since the type of inspection and the execution timing of inspection are different from each other, inspection apparatuses for inspecting the surface state of the substrate were also installed at different positions.

본 고안은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 검사의 기능을 떨어뜨리지 않으면서, 상이한 표면 검사를 행하는 검사 장치를 통합하여 케이스 내에 설치함으로써, 도포 현상 장치 전체에 탑재하는 기판의 처리 유닛을 늘려, 기판 처리의 작업 처리량을 향상시키는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide an inspection apparatus for performing different surface inspections without deteriorating the function of the inspection, And to improve the throughput of the substrate processing.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 고안의 기판 검사 장치는, 기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부에 유지된 기판을 회전시키는 회전 구동부와, 상기 유지부를 수평 방향에서 이차원으로 이동시키는 이동 기구와, 상기 유지부를 수용하는 케이스 내에서, 상기 케이스의 외부와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달 위치와, 기판 상에 성막(成膜)된 도포막의 막두께를 측정하기 위한 프로브와, 상기 유지부에 유지된 기판의 표면을 촬상하는 촬상부와, 상기 유지부에 유지된 기판의 표면을 향해서 광을 조사하고, 연직 방향 위쪽으로 반사된 광의 광로의 방향을 수평 방향으로 설치되는 상기 촬상부로 향하도록 광을 반사시키는 방향 변환부를 구비하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a substrate inspection apparatus of the present invention includes a holding section for holding a substrate, a rotation driving section for rotating the substrate held by the holding section, a moving mechanism for moving the holding section in two dimensions in the horizontal direction A probe for measuring a film thickness of a film formed on the substrate, a transfer position for transferring the substrate between the case and the outside of the case in a case housing the holder, And an optical system for irradiating light toward the surface of the substrate held by the holding unit and directing the direction of the optical path of the light reflected upward in the vertical direction to the imaging unit provided in the horizontal direction And a direction changing unit for reflecting the light.

이러한 구성으로 함으로써, 막두께 측정시에 사용되어 측정 대상의 기판의 표면의 위치와 막두께 측정하는 프로브 위치와의 위치 설정을 임의로 대응할 수 있도록 수직 방향을 제외한 수평 방향의 이동 및 회전할 수 있는 구성의 한방향의 이동 범위를 연장시켜 기판의 이동 범위로 하고, 그 도중에 기판의 검사기의 촬상부에 대하여 기판으로부터 수직으로 반사된 광의 각도를 바꾸는 방향 변환부를 구비하여 공용할 수 있다. With this configuration, it is possible to move and rotate in the horizontal direction except for the vertical direction so as to arbitrarily correspond to the position setting between the position of the surface of the substrate to be measured and the position of the probe for measuring the film thickness, And a direction changing unit for changing the angle of the light reflected vertically from the substrate with respect to the image pickup unit of the inspection apparatus of the substrate in the middle of the moving range.

본 고안의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 촬상부는 상기 전달 위치와 대향하는 측의 위치에 설치되고, 상기 방향 변환부는 상기 촬상부와 전달 위치 사이의 위치에 배치되어 있는 것이 바람직하다. In the substrate inspecting apparatus of the present invention, it is preferable that the imaging section is provided at a position facing the transfer position, and the direction changing section is disposed at a position between the imaging section and the transfer position.

이러한 구성으로 함으로써, 기판을 전달할 때, 막두께 검사를 행하는 위치와의 간섭을 피할 수 있고, 촬상부를 기판의 전달 위치의 반대측으로 함으로써 표면 검사 위치에서 파티클이 기판면 상에 얹어지는 것을 억제할 수 있다. With this configuration, it is possible to avoid interference with the position where the film thickness inspection is performed when transferring the substrate, and it is possible to prevent the particles from being placed on the substrate surface at the surface inspection position by making the image pickup unit on the side opposite to the transfer position of the substrate have.

본 고안의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 방향 변환부를 적어도 기판의 직경과 동일한 길이로 하고, 상기 방향 변환부의 근방에 이 길이로 광을 일괄 조사하는 제1 광조사부와 제2 광조사부를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 또, 상기 제1 광조사부와 제2 광조사부 중 한쪽은 레지스트 감광성의 파장의 광을 제거하는 필터를 구비하고 있는 것이 바람직하다. In the substrate inspection apparatus of the present invention, the direction changing section has a length equal to at least the diameter of the substrate, and a first light irradiating section and a second light irradiating section for collectively irradiating the light with this length in the vicinity of the direction changing section . It is preferable that one of the first light irradiating portion and the second light irradiating portion is provided with a filter for removing light having a wavelength of a resist photosensitive wavelength.

이러한 구성으로 함으로써, 기판의 표면에 대하여 직선형의 광을 반사광의 방향 변환부의 근방에서 조사할 수 있기 때문에, 촬상 검사하는 데에 있어서 보다 정밀도가 높게 반사시킬 수 있다. With such a configuration, linear light can be irradiated to the surface of the substrate in the vicinity of the direction changing portion of the reflected light, so that it can be reflected with higher accuracy in imaging inspection.

본 고안의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 기판 단부(端部)의 위치를 검출하는 위치 검출 센서와, 위치 검출 센서의 검출 결과에 기초하여, 기판의 편심량으로부터 기판의 중앙 위치를 연산하고, 동시에 기판의 노치 위치를 검출하고 나서 기판의 위치를 조정하도록 회전 구동부와 이동 기구를 제어하는 제어부를 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 제어부로 상기 기판의 위치가 조정된 기판에 기판 표면의 복수의 측정 위치가 설정되고, 이 복수의 설정 위치를 측정하기 위해 제어부가 프로브의 측정 위치에 맞춰 이동 기구를 수평 방향으로 이동 및 기판을 회전시켜 측정을 행하는 것이 바람직하다. A substrate inspecting apparatus according to the present invention includes: a position detecting sensor for detecting a position of a substrate end portion while rotating a substrate held by the holding portion; And a control unit for controlling the rotation driving unit and the moving mechanism so as to adjust the position of the substrate after detecting the notch position of the substrate at the same time. In this case, a plurality of measurement positions of the surface of the substrate are set on the substrate whose position is adjusted by the control unit, and the control unit controls the movement mechanism in the horizontal direction in accordance with the measurement position of the probe And rotating the substrate to perform measurement.

이러한 구성으로 함으로써, 기판의 중심 위치, 기판의 편심량을 제어부가 인식하는 얼라인먼트를 할 수 있어, 설정된 막두께 측정 위치와 프로브의 상대 위치를 정확하게 맞출 수 있고, 표면 검사할 때의 기판의 방향을, 노치의 위치를 일치시킴으로써 측정하는 기판에서 맞출 수 있다. 이 경우, 제어부로 기판의 위치가 조정된 기판에 기판 표면의 복수의 측정 위치가 설정되고, 이 복수의 설정 위치를 측정하기 위해 제어부가 프로브의 측정 위치에 맞춰 이동 기구를 수평 방향으로 이동 및 기판을 회전시켜 측정을 행함으로써, 어떠한 위치에 복수의 막두께 측정 위치가 설정되었다 하더라도 측정을 할 수 있다. With this configuration, it is possible to align the center of the substrate and the amount of eccentricity of the substrate so that the control unit can recognize the position, and the relative position between the set film thickness measurement position and the probe can be accurately matched, By aligning the positions of the notches, they can be aligned on the substrate to be measured. In this case, a plurality of measurement positions of the substrate surface are set on the substrate whose position is adjusted by the control unit. To measure the plurality of setting positions, the control unit moves the movement mechanism in the horizontal direction in accordance with the measurement position of the probe, It is possible to perform measurement even if a plurality of film thickness measurement positions are set at any position.

본 고안의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 프로브는 상기 케이스의 내부에 배치되고, 상기 프로브와 접속되는 막두께 측정기의 본체는 상기 케이스의 외부에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. In the substrate inspection apparatus of the present invention, the probe is disposed inside the case, and the body of the film thickness measuring instrument connected to the probe is disposed outside the case.

이러한 구성으로 함으로써, 고밀도로 적층되는 처리 유닛에서 프로브만은 기판 검사 장치 내에 설치하지만, 막두께 검사기 본체는 외부로 꺼내어 장치 내의 데드스페이스에 설치하는 것이 가능해진다. With this configuration, only the probe in the processing unit stacked at a high density is installed in the substrate inspecting apparatus, but the film thickness inspecting apparatus main body can be taken out to the dead space in the apparatus.

본 고안의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 케이스는, 상기 전달 위치에 기판을 수용하기 위한 반입 반출구와 이 반입 반출구를 개폐하는 개폐 셔터와 대향하는 위치에, 케이스의 내부를 배기하는 배기부를 갖는 것이 바람직하다. In the substrate inspecting apparatus of the present invention, the case has an exhaust port for exhausting the interior of the case at a position facing the transfer opening and closing port for opening and closing the transfer port for accommodating the substrate in the transfer position .

이러한 구성으로 함으로써, 파티클을 신속하게 배출하는 것이 가능해져, 촬상 수단 자체에의 파티클의 부착이나 케이스 내부에서 파티클이 날아오르는 것 등을 억제할 수 있다.With this configuration, it is possible to quickly discharge the particles, and adhesion of particles to the imaging means itself or particles can be prevented from flying inside the case.

본 고안에 의하면, 막두께 검사 장치와 표면 검사 장치를 일체화함으로써, 여러가지 처리를 행하는 처리 유닛에 배분하는 내부의 한정된 탑재 스페이스를 늘릴 수 있고, 나아가 도포 현상 장치의 기판 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by integrating the film thickness inspecting apparatus and the surface inspecting apparatus, it is possible to increase the internal mounting space for distributing to the processing units for performing various treatments, and to further improve the work throughput of the substrate processing of the coating and developing apparatus have.

도 1은 본 고안에 따른 기판 검사 장치를 적용하는 웨이퍼 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성을 나타내는 개략 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성을 나타내는 개략 측면도이다.
도 3은 본 고안에 따른 기판 검사 장치의 개략 평면도이다.
도 4는 본 고안에 따른 기판 검사 장치의 개략 측면도이다.
도 5는 본 고안에서의 기판의 이동 기구의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 고안에 따른 기판 검사 장치와 제어부의 관계를 나타내는 개략 측면도이다.
도 7은 반송 장치가 기판을 유지하는 상태를 나타내는 개략 평면도이다.
도 8은 본 고안에 따른 표면 검사의 모습을 나타내는 개략 측면도이다.
도 9는 기판을 반입하여 얼라인먼트를 행하는 모습을 나타내는 개략 측면도이다.
도 10은 막두께 검사를 행하는 모습을 나타내는 개략 평면도이다.
도 11은 표면 검사를 행하는 모습을 나타내는 개략 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a schematic plan view showing an internal configuration of a coating and developing system including a wafer processing apparatus to which a substrate inspection apparatus according to the present invention is applied. FIG.
2 is a schematic side view showing an internal configuration of a coating and developing processing system.
3 is a schematic plan view of a substrate inspection apparatus according to the present invention.
4 is a schematic side view of a substrate inspection apparatus according to the present invention.
5 is a plan view showing the arrangement of a moving mechanism of the substrate in the present invention.
6 is a schematic side view showing the relationship between the substrate inspection apparatus and the control unit according to the present invention.
7 is a schematic plan view showing a state in which the transport apparatus holds the substrate.
8 is a schematic side view showing a state of the surface inspection according to the present invention.
9 is a schematic side view showing a state in which a substrate is carried in and alignment is performed.
10 is a schematic plan view showing a state in which film thickness inspection is performed.
11 is a schematic side view showing a state in which the surface inspection is performed.

이하, 본 고안의 실시형태에 관해서 설명한다. 여기서는, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템에 적용한 경우에 관해서 설명한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. Here, a case where the present invention is applied to a coating and developing processing system including a wafer processing apparatus as a substrate processing apparatus according to the present embodiment will be described.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 외부와의 사이에서 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입 반출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded from the cassette station 2, a photolithography process Which transfers wafer W between an exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3 and a processing station 3 having a plurality of various processing apparatuses for carrying out a process determined by a single wafer process in the processing station 3, (5) are integrally connected.

카세트 스테이션(2)에는, 카세트 배치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(10)에는, 복수, 예컨대 4개의 카세트 배치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(11)은, 수평 방향의 X방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 배치판(11)에는, 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입 반출할 때 카세트(C)를 배치할 수 있다. A cassette station (10) is provided in the cassette station (2). In the cassette placement table 10, a plurality of, for example, four cassette arrangement plates 11 are provided. The cassette arrangement plates 11 are arranged in a row in a row in the X direction (the vertical direction in Fig. 1) in the horizontal direction. The cassette C can be disposed on the cassette arrangement plate 11 when carrying out the cassette C to and from the outside of the coating and developing processing system 1. [

카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동할 수 있는 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ방향)로도 이동할 수 있어, 각 카세트 배치판(11) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. The cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 capable of moving on a transfer path 20 extending in the X direction as shown in Fig. The cassette C on each cassette placement plate 11 and the third block G3 of the processing station 3 described later can be moved in the vertical direction and the vertical axis direction The wafer W can be transported between the wafer W and the transfer device.

처리 스테이션(3)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측)에는 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는 제4 블록(G4)이 설치되어 있다. The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. A first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 in the X direction and a second block G2 is provided on the back side of the processing station 3 A block G2 is provided. A third block G3 is provided on the side of the cassette station 2 of the processing station 3 in the direction of the Y direction in Fig. 1 and the side of the processing station 3 on the side of the interface station 5 The fourth block G4 is provided on the front side in the Y direction.

예컨대 제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타낸 바와 같이 복수의 액처리 장치, 예컨대 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 장치(DEV)(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(BCT)(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 도포막으로서의 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(COT)(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(TCT)(33)가 아래로부터 순서대로 4단으로 중첩되어 있다. For example, as shown in FIG. 2, the first block G1 includes a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing device (DEV) 30 for developing the wafer W, (BCT) 31 for forming a lower anti-reflection film (hereinafter referred to as a lower anti-reflection film), a resist coating apparatus (COT) 31 for forming a resist film as a coating film by applying a resist solution onto the wafer W 32 and an upper antireflection film forming unit (TCT) 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an "upper antireflection film") on the upper layer of the resist film of the wafer W are sequentially stacked in four stages .

예컨대 제1 블록(G1)의 각 장치(30∼33)는, 처리시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지며, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다. For example, each of the devices 30 to 33 of the first block G1 has a plurality of cups F in the horizontal direction for accommodating the wafers W at the time of processing and can process a plurality of wafers W in parallel have.

예컨대 제2 블록(G2)에는, 도 1에 나타내는 액처리 장치와 반송 장치를 사이에 두고 대향하는 측에 예컨대, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치를 구비하는 열처리 유닛군이 배치되어 있다. 열처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각시키는 냉각판을 가져, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽 처리를 행할 수 있다. 열처리 장치(40) 및 기판 검사 장치(42)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다. 또한, 기판 검사 장치(42)의 상세한 구성에 관해서는 후술한다. For example, in the second block G2, a heat treatment unit group including a heat treatment device for performing heat treatment of the wafer W, for example, is disposed on the side opposite to the liquid treatment device shown in Fig. 1 with the transfer device interposed therebetween. The heat treatment apparatus 40 has a heat plate for placing and heating the wafer W and a cooling plate for cooling the wafer W by arranging the wafer W so that both the heat treatment and the cooling treatment can be performed. The number and arrangement of the heat treatment apparatus 40 and the substrate inspection apparatus 42 can be arbitrarily selected. The detailed configuration of the substrate inspection apparatus 42 will be described later.

예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 또, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 순서대로 설치되어 있다. 여기에는, 도포 처리가 종료한 웨이퍼(W)의 결함과, 현상 처리가 종료한 웨이퍼(W)의 결함을 검사할 수 있는 기판 검사 장치(42)가, 예컨대 제3 블록(G3)의 최상단에 설치되어 있다. 또한, 기판 검사 장치(42)를 제4 블록(G4)의 최상단에 설치해도 좋다. For example, in the third block G3, a plurality of transmission devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are provided in order from below. In the fourth block G4, a plurality of transmission devices 60, 61, and 62 are provided in order from below. The substrate inspection apparatus 42 which can inspect defects of the wafer W subjected to the coating process and defects of the wafer W after completion of the developing process is provided at the uppermost stage of the third block G3, Is installed. Further, the substrate inspection apparatus 42 may be provided at the top of the fourth block G4.

도 1에 나타낸 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예컨대 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다. As shown in Fig. 1, a wafer carrying region D is formed in an area surrounded by the first block (G1) to the fourth block (G4). In the wafer transfer region D, for example, a wafer transfer device 70 is disposed.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 Y방향, X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동할 수 있는 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 정해진 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. The wafer transfer device 70 has, for example, a transfer arm that can move in the Y direction, the X direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 70 moves within the wafer transfer region D and transfers the wafer W to the wafer W in the predetermined first block G1, the second block G2, the third block G3 and the fourth block G4 The wafer W can be carried to the apparatus.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 도 2에 나타낸 바와 같이 상하로 복수대 배치되어, 예컨대 각 블록(G1∼G4)의 동일한 정도의 높이의 정해진 장치에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. As shown in Fig. 2, for example, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are vertically arranged, and the wafers W can be transferred to a predetermined apparatus having the same height as each of the blocks G1 to G4, for example.

또, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다. A shuttle transfer device 80 for transferring the wafers W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided in the wafer transfer area D.

셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 Y방향으로 직선적으로 이동할 수 있게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y방향으로 이동시켜, 제3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제4 블록(G4)의 전달 장치(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. The shuttle transfer device 80 is capable of linearly moving in the Y direction, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while holding the wafer W and transfers the wafer W between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4 The wafer W can be transported.

도 1에 나타낸 바와 같이, 제3 블록(G3)의 X방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예컨대 X방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동할 수 있는 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치(50∼56)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. As shown in Fig. 1, a wafer transfer device 90 is provided beside the X-direction positive side of the third block G3. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm that can move in the X direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer device 90 moves up and down with the wafer W supported thereon and can transfer the wafer W to the transfer devices 50 to 56 in the third block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 Y방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동할 수 있는 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치(60∼62)와 전달 장치(101)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. In the interface station 5, a wafer transfer apparatus 100 and a transfer apparatus 101 are provided. The wafer transfer apparatus 100 has, for example, a transfer arm capable of moving in the Y direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 can transfer the wafer W to the transfer devices 60 to 62 and the transfer device 101 in the fourth block G4 by supporting the wafer W on the transfer arm, have.

다음으로, 전술한 기판 검사 장치(42)의 구성에 관해서 설명한다. 기판 검사 장치(42)는, 예컨대 도 2의 G3의 최상단의 배치 선반에 삽입되는 케이스로 구성되고, 도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, 케이스인 처리 용기(110)를 갖고 있다. 처리 용기(110)의 길이 방향으로 향하는 웨이퍼 반송 영역이 되는 도 4 및 도 5의 X방향의 양측면의 한쪽에는, 웨이퍼(W)를 반입 반출시키는 반입 반출구(111)가 형성되고, 다른 쪽에는 후술하는 촬상 수단(150)을 구비하고 있다. 또한 반입 반출구(111)에는, 개폐 셔터(112)가 설치되어 있다. Next, the configuration of the above-described substrate inspecting apparatus 42 will be described. The substrate inspecting apparatus 42 is constituted by, for example, a case inserted into the uppermost placement shelf of G3 in Fig. 2, and has a processing vessel 110 as a case as shown in Figs. On one side of both sides in the X direction in Figs. 4 and 5 serving as a wafer carrying region facing the longitudinal direction of the processing container 110, a carrying-in / out port 111 for carrying in and carrying out the wafer W is formed, And an image pickup means 150 to be described later. In addition, an opening / closing shutter 112 is provided at the loading / unloading port 111.

처리 용기(110)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 척인 유지부(120)가 설치되어 있다. 유지부(120)는 수평한 상면을 가지며, 상기 상면에는, 예컨대 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되고, 척모터인 회전 구동부(121)에 의해 수평 방향으로 회전할 수 있게 구성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 유지부(120) 상에 흡착 유지할 수 있다. Inside the processing vessel 110, there is provided a holding section 120 which is a chuck for holding and holding the wafer W. The holding portion 120 has a horizontal upper surface and a suction port (not shown) for suctioning the wafer W is formed on the upper surface of the holding portion 120. The holding portion 120 rotates horizontally . By suction from the suction port, the wafer W can be held on the holding portion 120 by suction.

도 5는 유지부(120)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있는 이동 기구(119)를 설명하는 도면이다. 이동 기구(119)는, 유지부 스테이지(127)와 유지부(120)를 처리 용기(110)의 폭방향(도 5의 Y방향측)으로 이동시킬 수 있는 Y구동 볼나사(129)와 Y축 모터(128)를 구비하고 있다. 또, 유지부 스테이지(127)는, 처리 용기(110)의 X방향으로도 이동시킬 수 있기 위해 유지부 스테이지(127)의 양단부에 슬라이딩부(125a, 125b)를 구비한다. 이 경우, 슬라이딩부(125a)는, X방향으로 연장되는 직동 가이드(122)에 슬라이딩 가능하게 끼워지고, 슬라이딩부(125b)는 직동 가이드(122)와 병행하여 설치되는 X구동 볼나사(124)와 그 구동원이 되는 X축 모터(126)의 구동에 의해 X 정부방향으로 이동할 수 있게 구성되어 있다. 이에 따라, 유지부(120)는, 수평으로 회전 방향, 진퇴 방향, 좌우 방향으로 가능하고, 따라서 웨이퍼(W)를 이차원으로 이동시킬 수 있다. 이들 모두를 이동 기구(119)로 칭한다. 5 is a view for explaining a moving mechanism 119 capable of moving the holding part 120 in the horizontal direction. The moving mechanism 119 includes a Y driving ball screw 129 capable of moving the holding stage 127 and the holding portion 120 in the width direction of the processing container 110 And an axis motor 128 are provided. The holding portion stage 127 is provided with sliding portions 125a and 125b at both ends of the holding portion stage 127 so as to be movable also in the X direction of the processing container 110. [ In this case, the sliding portion 125a is slidably fitted in the linear guide 122 extending in the X direction, and the sliding portion 125b is an X-driving ball screw 124 installed in parallel with the linear guide 122, And an X-axis motor 126 as a driving source thereof. Accordingly, the holding portion 120 can be horizontally rotated in the direction of rotation, the advancing / retracting direction, and the left / right direction, and therefore, the wafer W can be moved in two dimensions. All of them are referred to as a moving mechanism 119.

처리 용기(110)에는, 내부의 분위기를 배기하는 배기부(145a, 145b)가 웨이퍼(W)의 반입 반출구(111)의 개폐 셔터(112)와 반대측의 양측부에 설치되어 있고, 각 배기부(145a, 145b)에는 각각 배기팬(146a, 146b)이 부착되어, 배기팬(146a, 146b)에 의해 배기를 행하고 있다. Exhausting portions 145a and 145b for exhausting the atmosphere inside the processing vessel 110 are provided on both sides of the carrying-in / out port 111 of the wafer W opposite to the opening and closing shutter 112, Exhaust fans 146a and 146b are attached to the bases 145a and 145b, respectively, and exhaust is performed by the exhaust fans 146a and 146b.

또, 전달 위치(P1)에 있어서, 처리 용기(110)의 외부와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 때, 도 6에 나타낸 바와 같이, 유지부(120)는, 기판 검사 장치(42)의 외부에 설치된 웨이퍼 반송 장치(70)와 간섭하지 않도록 되어 있다. 여기서, 웨이퍼 반송 장치(70)는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 예컨대 웨이퍼(W)보다 약간 큰 직경의 대략 C자형의 아암부(70a)를 갖고 있다. 아암부(70a)의 내측에는, 내측을 향해 돌출되어, 웨이퍼(W)의 외주부를 지지하는 지지부(70b)가 복수 개소, 예컨대 3개소에 설치되어 있다. 유지부(120)는, 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 가지며, 웨이퍼(W)의 중심부를 흡착 유지한다. 따라서, 유지부(120)는 웨이퍼 반송 장치(70)와 간섭하지 않는다. 6, when the wafer W is transferred between the wafer W and the outside of the processing vessel 110 at the transfer position P1, And does not interfere with the wafer transfer apparatus 70 installed outside. 7, the wafer transfer apparatus 70 has an approximately C-shaped arm portion 70a having a diameter slightly larger than the wafer W, for example. At the inside of the arm portion 70a, a plurality of support portions 70b projecting inward toward the outer peripheral portion of the wafer W are provided, for example, at three positions. The holding portion 120 has a diameter smaller than the diameter of the wafer W and adsorbs and holds the center portion of the wafer W. [ Therefore, the holding portion 120 does not interfere with the wafer transfer device 70.

처리 용기(110)의 내부이자 얼라인먼트 위치(P2)에는, 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부의 위치를 검출하는 위치 검출 센서(130)가 설치되어 있다. 위치 검출 센서(130)는, 예컨대 CCD 카메라(도시하지 않음)를 가지며, 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심으로부터의 편심량이나 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 검출한다. 그리고, 웨이퍼(W)의 편심량에 기초하여, 기판의 중심 위치를 제어부(200)에서 연산하고 기억한다. 또, 위치 검출 센서(130)에 의해 노치부의 위치를 검출하면서, 구동부(121)에 의해 유지부(120)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 기억시킨다. A position detection sensor 130 for detecting the position of the peripheral edge portion of the wafer W held by the holding portion 120 is provided at the inner and alignment position P2 of the processing container 110. [ The position detection sensor 130 has a CCD camera (not shown), for example, and detects the amount of eccentricity from the center of the wafer W held by the holding portion 120 and the position of the notch portion of the wafer W. Then, based on the eccentric amount of the wafer W, the control unit 200 calculates and stores the center position of the substrate. The position of the notch portion of the wafer W is stored by rotating the holding portion 120 by the driving portion 121 while detecting the position of the notch portion by the position detection sensor 130. [

도 6에 나타낸 처리 용기(110)의 내부에는, 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)를 촬상하는 촬상부(150)가 설치되어 있다. 촬상부(150)는, 처리 용기(110)의 X방향 정방향 단부에 설치되고, 표면 검사 장치의 본체인 검사부(151)는 처리 용기(110)의 외부의 도포 현상 장치의 빈 공간을 유효하게 이용하는 위치에 설치되어 있다. 촬상부(150)에는, 예컨대 CCD 카메라가 이용된다. 또, 촬상부(150)에는, 상기 촬상부(150)에서 촬상한 화상이 출력되고, 이 화상에 기초하여 웨이퍼(W)의 표면 결함이 검사되는 검사부(151)가 설치되어 있다. 6, an image pickup unit 150 for picking up an image of the wafer W held by the holding unit 120 is provided inside the processing vessel 110 shown in Fig. The inspection unit 151 installed at the forward end of the processing container 110 in the X direction and effective as an empty space of the coating and developing apparatus outside the processing container 110 Location. As the imaging unit 150, for example, a CCD camera is used. The image pickup section 150 is provided with an inspection section 151 for outputting an image picked up by the image pickup section 150 and for inspecting surface defects of the wafer W based on the image.

처리 용기(110)의 내부이자 전달 위치(P1)와 얼라인먼트 위치(P2) 사이의 중간 위치에는, 웨이퍼(W)의 직경과 동일하거나 또는 길이가 길고 웨이퍼(W)의 표면에 광조명을 조사하는 제1 광조사부(152)와 제2 광조사부(155)의 2개의 조명이 나란히 설치되어 있다. 제1 광조사부(152)와 제2 광조사부(155) 중 어느 한쪽에는, 레지스트 감광성의 파장의 광을 필터로 제거하여 감광성 레지스트가 감광되지 않고 검사되도록 되어 있다. 예컨대, 본 고안에서는 제2 광조사부(155)에 필터(도시하지 않음)가 내장되어 있다. 제1 광조사부(152)는, 현상 처리가 완료된 웨이퍼(W)의 표면 검사를 하기 때문에 필터는 내장되어 있지 않다. 또한, 제1, 제2 광조사부(152, 155) 중 어느 하나를 선택하는 경우, 도포막의 종류에 따라서는 동일한 파장의 광이어도 좋다. A light beam is irradiated onto the surface of the wafer W at a position intermediate between the transfer position P1 and the alignment position P2 of the processing container 110 and equal to or longer than the diameter of the wafer W Two lights of the first light irradiation part 152 and the second light irradiation part 155 are provided side by side. Any one of the first light irradiating unit 152 and the second light irradiating unit 155 is irradiated with the light of a resist photosensitive wavelength to inspect the photosensitive resist without being exposed to light. For example, in the present invention, a filter (not shown) is incorporated in the second light irradiation part 155. Since the first light irradiation unit 152 performs the surface inspection of the wafer W for which development processing has been completed, no filter is incorporated. When either one of the first and second light irradiation units 152 and 155 is selected, light of the same wavelength may be used depending on the kind of the coating film.

제1, 제2 광조사부(152, 155)는, 웨이퍼(W)에 조사한 광의 반사광을 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)와 촬상부(150) 사이에서 형성되어 있는 광로의 방향(L)을 변경시키는 방향 변환부(157)에 설치되어 있다. 또, 이들 제1, 제2 광조사부(152, 155)를 구비하는 방향 변환부(157)는, 예컨대 지지 부재(153)에 의해 처리 용기(110)에 고정되어 있다. The first and second light irradiating units 152 and 155 irradiate the reflected light of the light irradiated on the wafer W in the direction of the optical path formed between the wafer W held by the holding unit 120 and the imaging unit 150 L) in the direction converting unit 157. The direction changing unit 157 changes the direction of the light beam L (see FIG. The direction changing portion 157 including the first and second light irradiation portions 152 and 155 is fixed to the processing vessel 110 by a supporting member 153, for example.

방향 변환부(157)는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 반사경(154)을 갖고 있다. 반사경(154)은, 제1, 제2 광조사부(152, 155)의 아래쪽에 설치되어 있다. 반사경(154)에는, 예컨대 하프 미러가 이용되며, 수평 방향으로부터 45도 경사져 설치되어 있다. 그리고, 제1, 제2 광조사부(152, 155)로부터의 조명은 반사경(154)을 통과하여 연직 방향 아래쪽으로 조사되어 웨이퍼(W) 상에서 반사된다. 또, 웨이퍼(W)로부터 연직 방향 위쪽으로 반사된 광은, 반사경(154)에서 반사되어 도 8의 X방향의 수평 방향으로 진행된다. The direction conversion unit 157 has a reflecting mirror 154 as shown in Fig. The reflecting mirror 154 is provided below the first and second light irradiating portions 152 and 155. For example, a half mirror is used for the reflecting mirror 154, and the reflecting mirror 154 is inclined by 45 degrees from the horizontal direction. The illumination from the first and second light irradiation units 152 and 155 passes through the reflecting mirror 154 and is irradiated downward in the vertical direction to be reflected on the wafer W. [ The light reflected upward from the wafer W in the vertical direction is reflected by the reflecting mirror 154 and travels in the horizontal direction in the X direction in Fig.

이 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타낸 바와 같이 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 검사 장치(42)에서의 막두께의 측정 포인트의 수와 기판면에서의 좌표의 설정과 상기 웨이퍼(W)의 막두께 검사를 실행하는 처리 레시피가 되는 프로그램이 저장되어 있다. The coating and developing system 1 is provided with a control unit 200 as shown in Fig. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage section stores a program serving as a processing recipe for setting the number of film thickness measuring points in the substrate inspecting apparatus 42, setting of coordinates on the substrate surface, and checking the film thickness of the wafer W .

제어부(200)와 기판 검사 장치(42)의 관계를 도 6에 나타내고 있다. 제어부(200)는 위치 검출 센서(130)에서 얻어진 신호를 수신하여 기판 정보를 연산하여 저장한다. 이 연산 정보를 이용하여 제어부(200)에 설정된 처리 레시피에 의해 웨이퍼(W)의 이동 기구(119)를 구성하는 X축 모터(126), Y축 모터(128), 회전 구동부(121)의 동작 제어를 행한다. 또, 제어부(200)는 막두께를 측정하는 프로브(156)를 접속한 막두께 측정기 본체(159)와 표면 검사기의 본체인 검사부(151)와 접속되어 있다. The relationship between the control unit 200 and the substrate inspection apparatus 42 is shown in Fig. The control unit 200 receives the signal obtained from the position detection sensor 130 and calculates and stores the substrate information. The operation of the X-axis motor 126, the Y-axis motor 128, and the rotation drive unit 121 constituting the movement mechanism 119 of the wafer W by the processing recipe set in the control unit 200, Control is performed. The control unit 200 is connected to a film thickness measuring instrument main body 159 connected to a probe 156 for measuring film thickness and an inspection unit 151 which is a main body of the surface inspection apparatus.

다음으로, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 관해서 설명한다. Next, a processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

우선, 복수매의 테스트용의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(2)의 정해진 카세트 배치판(11)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 꺼내어져, 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의, 예컨대 전달 장치(53)에 반송된다. First, a cassette C containing a plurality of wafers W for test is arranged in a predetermined cassette arrangement plate 11 of the cassette station 2. [ Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to the transfer device 53, for example, of the third block G3 of the processing station 3 .

다음으로, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제1 블록(G1)의 레지스트막 형성 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 가열되어 온도 조절되고, 그 후 제3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 복귀된다. Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature thereof is adjusted. The wafer W is then transferred by the wafer transfer device 70 to the resist film forming device 32 of the first block G1 to form a resist film on the wafer W. [ Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated and regulated, and then returned to the transfer device 53 of the third block G3.

다음으로, 제3 블록(G3)의 최상단에 설치되는 기판 검사 장치(42)에 웨이퍼 반송 장치(90)를 통해 기판을 반송한다. 기판 검사 장치(42)는, 개폐 셔터(112)를 열어 전달 위치에 대기하는 유지부(120)에 웨이퍼(W)를 배치하고 유지한다. 기판 유지부(120)는 얼라인먼트 위치(P2)에 설치되는 위치 검출 센서(130)까지 웨이퍼(W)를 이동 기구(119)에 의해 이동시킨다. 이어서 유지부(120)를 회전시키면서 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부를 촬상하여 웨이퍼(W)의 중심 위치를 연산하고, 동시에 노치(N)의 위치를 검출한다. Next, the substrate is transported to the substrate inspecting apparatus 42 provided at the uppermost stage of the third block G3 through the wafer transport apparatus 90. Next, The substrate inspection apparatus 42 arranges and holds the wafer W in the holding unit 120 that opens the shutter 112 and waits at the transfer position. The substrate holding unit 120 moves the wafer W by the moving mechanism 119 to the position detection sensor 130 provided at the alignment position P2. Subsequently, the holding portion 120 is rotated to pick up the peripheral edge portion of the wafer W to calculate the center position of the wafer W, and at the same time, the position of the notch N is detected.

다음으로 웨이퍼(W)를 전달 위치(P1)로 복귀시켜 도포된 레지스트의 막두께를 프로브(156)를 이용하여 측정하게 된다. 예컨대 도 10은 그 측정의 일례를 도면에 나타내는 것이다. 도 10의 (a)는 대표하여 방향 변환부(157)를 나타내고, 그 중앙 부근에 막두께 측정용의 프로브(156)가 설치되어 있고, 웨이퍼(W)의 노치 위치를 X축 방향에 맞춰 프로브(156)를 최초로 측정하는 측정 위치로 이동시킨 도면이다. 웨이퍼(W)를 십자로 측정하는 예를 도 10의 (a)~(f)에 나타낸다. Next, the wafer W is returned to the transfer position P1, and the film thickness of the applied resist is measured using the probe 156. [ For example, Fig. 10 shows an example of the measurement in the figure. 10A shows a direction changing unit 157. A probe 156 for film thickness measurement is provided near the center of the wafer W. The notch position of the wafer W is aligned with the X- (156) to a measurement position for first measurement. Examples of cross measurement of the wafer W are shown in Figs. 10 (a) to (f).

우선, 이동 기구(119)에 의해 유지부 스테이지(127)에 의해 유지부(120)를 설정된 정해진 위치로 이동시켜 동시에 노치 위치가 맞춰진다. 처음에 웨이퍼(W)의 노치 위치로부터 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 90° 떨어진 직경 방향의 위치의 막두께를 측정한다. 다음으로 도 10의 (b)에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)를 90° 회전시킨 위치를 측정한다. 다음으로 도 10의 (c)에 나타낸 바와 같이 다시 90° 회전시켜 측정을 한다. 마찬가지로 도 10의 (d)에 나타낸 바와 같이 다시 90° 회전시켜 측정을 한다. 마지막으로 도 10의 (e)에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(W)의 중심을 측정한다. 이와 같이 이동 기구(119)를 제어함으로써, 도 10의 (f)에 나타낸 바와 같이 십자로 측정할 수 있다. 측정 포인트를 늘리는 경우는, 이 동작중에 측정 개소를 늘리면 충분한 것이다.First, the holding mechanism 120 moves the holding portion 120 to the predetermined position by the holding mechanism stage 127 by the moving mechanism 119, and at the same time, the notch position is adjusted. First, the film thickness at a position in the radial direction at an angle of 90 DEG to the center of the wafer W from the notch position of the wafer W is measured. Next, as shown in Fig. 10 (b), the position where the wafer W is rotated by 90 degrees is measured. Next, as shown in FIG. 10 (c), the measurement is performed again by rotating it by 90 °. Similarly, as shown in FIG. 10 (d), the measurement is performed again by rotating it by 90 °. Finally, the center of the wafer W is measured as shown in Fig. 10 (e). By controlling the moving mechanism 119 in this way, cross measurement can be performed as shown in Fig. 10 (f). When increasing the measurement point, it is enough to increase the measurement point during this operation.

다음으로, 측정이 완료된 웨이퍼(W)를 기판 검사 장치(42)로부터 반출하여, 카세트 스테이션(2)의 반출된 카세트(C) 또는 별도의 비어 있는 카세트(C)로 복귀시킨다. 이렇게 하여 테스트용 웨이퍼(W)에서의 막두께 측정만이 완료된다. 또, 막두께 측정과 동시에 웨이퍼(W)의 도포 불균일 등의 도포 상태를 표면 검사할 수도 있지만, 상세한 것은 후술하는 현상후의 웨이퍼(W)의 기재중에서 설명하는 것으로 한다. Next, the wafer W having undergone the measurement is taken out from the substrate inspecting apparatus 42 and returned to the cassette C carried out of the cassette station 2 or another empty cassette C. Thus, only the film thickness measurement on the test wafer W is completed. It is also possible to perform surface inspection of the coating state such as coating unevenness of the wafer W at the same time as the film thickness measurement, and the details will be described later in the description of the wafer W after development.

다음으로, 현상 처리를 완료한 웨이퍼(W)의 표면 검사에 관해서 설명한다. 우선, 제품용의 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 카세트 스테이션(2)의 정해진 카세트 배치판(11)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 꺼내어져, 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의, 예컨대 전달 장치(53)에 반송된다. Next, the inspection of the surface of the wafer W for which the development process has been completed will be described. First, a cassette C containing a plurality of wafers W for a product is placed on a predetermined cassette arrangement plate 11 of the cassette station 2. [ Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to the transfer device 53, for example, of the third block G3 of the processing station 3 .

다음으로, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제1 블록(G1)의 레지스트막 형성 장치(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 장치(40)에 반송되어 가열되어 온도 조절되고, 그 후 제3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 복귀된다.Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature thereof is adjusted. The wafer W is then transferred by the wafer transfer device 70 to the resist film forming device 32 of the first block G1 to form a resist film on the wafer W. [ Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated and regulated, and then returned to the transfer device 53 of the third block G3.

다음으로, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 장치(54)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 도시하지 않은 어드히젼 장치에 반송되어, 어드히젼 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어 온도 조절된다. Next, the wafer W is carried by the wafer transfer device 90 to the transfer device 54 of the same third block G3. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to an adhesion device (not shown) of the second block G2, and subjected to adhesion processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature thereof is adjusted.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 장치(32)에 반송되고, 회전중인 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 도포하여, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어 프리베이킹 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 장치(55)에 반송된다. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 32 by the wafer transfer device 70, and a resist solution is coated on the wafer W being rotated to form a resist film on the wafer W do. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70 and pre-baked. Thereafter, the wafer W is carried by the wafer transfer device 70 to the transfer device 55 of the third block G3.

다음으로, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 가열되어 온도 조절된다. Next, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming device 33 by the wafer transfer device 70, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and is heated and temperature-adjusted.

그 후 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어, 노광 처리된다. The wafer W is then transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5 and subjected to exposure processing.

다음으로, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로부터 제4 블록(G4)의 전달 장치(60)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 노광후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 장치(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)에 반송되어, 포스트베이크 처리된다. Next, the wafer W is carried by the wafer transfer apparatus 100 from the exposure apparatus 4 to the transfer device 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and subjected to post-exposure bake processing. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing device 30 by the wafer transfer device 70 and is developed. After completion of the development, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and post-baked.

그 후, 현상 처리가 완료된 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 장치(50)에 반송되고, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 기판 검사 장치(42)에 반입된다. 반입후에 전술한 웨이퍼(W)의 얼라인먼트 동작이 위치 검출 센서(130)와 제어부(200)에 의해 완료된다. 이 위치 검출 센서(130)에 의해, 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심으로부터의 편심량이 검출되고, 그 웨이퍼(W)의 편심량에 기초하여 중심 위치가 구해지고, 웨이퍼(W)의 노치부의 위치를 조정하여, 웨이퍼(W)를 정해진 위치에 배치할 수 있다. Thereafter, the wafer W having undergone the development processing is transferred to the transfer device 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70 and is transferred by the wafer transfer device 90 to the substrate inspection device 42 ). The alignment operation of the above-described wafer W is completed by the position detection sensor 130 and the control unit 200 after the transfer. The position detection sensor 130 detects the amount of eccentricity from the center of the wafer W held by the holding portion 120. The center position is obtained based on the amount of eccentricity of the wafer W, The position of the notch of the wafer W can be adjusted so that the wafer W can be arranged at a predetermined position.

그 후, 얼라인먼트 위치(P2)에 있는 상태로 이동 기구(119)를, 예컨대 노치 위치를 정확하게 방향 변환부(157)의 중심을 통과하는 위치가 되도록 이동시킨다. 반드시 검사 웨이퍼(W)의 노치 위치를 정해진 위치에 맞춤으로써 표면 검사 데이터의 변동의 판정을 용이하게 할 수 있다. Thereafter, the moving mechanism 119 is moved, for example, so that the notch position is exactly at the position passing through the center of the direction changing section 157 in the state of being in the alignment position P2. It is possible to easily determine the variation of the surface inspection data by always aligning the notch position of the inspection wafer W to a predetermined position.

다음으로, 이동 기구(119)에 의해 웨이퍼(W)를 얼라인먼트 위치(P2)로부터 전달 위치(P1)측으로 정해진 속도로 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)가 반사경(154)의 아래를 통과할 때, 제1 광조사부(152)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 조명을 비춘다. 이 조명에 의한 웨이퍼(W) 상에서의 반사광은, 전술한 바와 같이 반사경(154), 광로(L)를 따라서 진행하여 촬상부(150)에 취해진다. 그리고, 촬상부(150)에 의해 웨이퍼(W)가 촬상된다. 촬상된 웨이퍼(W)의 화상은 검사부(151)에 출력되고, 검사부(151)에 있어서, 출력된 화상에 기초하여 웨이퍼(W)의 결함이 검사된다. Next, the moving mechanism 119 moves the wafer W from the alignment position P2 to the transfer position P1 at a predetermined speed. Then, when the wafer W passes under the reflecting mirror 154, the wafer W is illuminated from the first light irradiating unit 152. The reflected light on the wafer W by the illumination advances along the reflecting mirror 154 and the optical path L as described above and is taken in the imaging unit 150. [ Then, the wafer W is picked up by the image pickup unit 150. The image of the picked-up wafer W is output to the inspection unit 151, and the inspection unit 151 inspects the defect of the wafer W based on the output image.

그 후, 도 11에 나타낸 바와 같이 유지부(120)에 유지된 웨이퍼(W)가 웨이퍼 반송 장치(90)에 전달된다. 그리고, 반입 반출구(111)를 통해 웨이퍼(W)는 기판 검사 장치(42)로부터 반출된다. 측정이 완료된 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(21)를 통해 카세트 스테이션(2)의 반출된 카세트(C) 또는 별도의 비어 있는 카세트(C)로 복귀된다. 이렇게 하여 생산용 웨이퍼(W)의 표면 검사가 완료된다. Thereafter, as shown in Fig. 11, the wafer W held by the holding portion 120 is transferred to the wafer transfer device 90. Fig. Then, the wafer W is carried out from the substrate inspecting apparatus 42 through the loading / unloading port 111. The wafer W having undergone the measurement is returned to the cassette C carried out of the cassette station 2 or the empty cassette C which is separate from the cassette station 2 via the wafer transfer device 21. Thus, the surface inspection of the production wafer W is completed.

또한, 테스트용 웨이퍼(W)에 대하여 막두께 측정과 표면 검사를 각각 행할 수도 있다. 전술한 생산용 웨이퍼(W)가 기판 검사 장치(42)에 반입되어 표면 검사되는 순서와 동일하게 검사를 행하지만, 상이한 것은 표면 검사하는 경우의 조명의 파장을 바꾸는 것에 있다. 테스트용 웨이퍼(W)는 막두께 검사하는 상태가 레지스트액 등의 감광성의 액막이 도포되어 있기 때문에, 표면 검사시의 영향을 최소한으로 억제하기 위해 감광 작용을 주는 파장을 제거하는 편이 바람직하다. 그 때문에 테스트용 웨이퍼(W)의 표면 검사를 행하는 경우의 조명은 도 11의 (a)에 기재된 제2 광조사부(155)를 이용할 수 있다. Further, film thickness measurement and surface inspection may be performed on the wafer W for test. The inspection is carried out in the same manner as the order in which the above-described production wafers W are brought into the substrate inspection apparatus 42 and subjected to surface inspection, but the difference is to change the wavelength of illumination in the case of surface inspection. Since the test wafer W is coated with a photosensitive liquid film such as a resist solution, it is preferable to remove the wavelength giving the photosensitive action in order to minimize the influence on the surface inspection. Therefore, in the case of performing the surface inspection of the test wafer W, the second light irradiation unit 155 described in (a) of FIG. 11 can be used.

이상의 실시형태에 의하면, 프로세스 조건의 세팅을 행할 때의 시험적으로 처리액의 성막 처리를 행하는 테스트용 웨이퍼(W)의 막두께를 측정하는 막두께 검사 장치와, 생산용 웨이퍼(W)의 패턴 형성 처리후의 표면 검사를 검사하는 표면 검사 장치를 합함으로써, 도포 현상 장치 내의 처리 유닛에 배분하는 스페이스를 늘릴 수 있다. 또, 종래 테스트용 웨이퍼(W)의 막두께 검사시에 할 수 없었던 표면 검사를 행할 수 있기 때문에, 표면의 검사 결과에 따라서 토출 상태나 노즐 오염 상태 등의 불량 원인을 추측할 수 있게 된다. According to the above embodiment, it is possible to provide a film thickness inspection apparatus for measuring the film thickness of a test wafer (W) for performing film formation of a treatment liquid as a test when setting process conditions, By adding the surface inspection device for inspecting the surface inspection after the forming process, it is possible to increase the space to be allocated to the processing unit in the coating and developing apparatus. In addition, it is possible to inspect the surface of the test wafer (W) which has not been able to be inspected at the time of film thickness inspection of the test wafer (W), so that it is possible to guess the cause of defect such as the discharge state or the nozzle contamination state,

또, 이상의 실시형태에서는 막두께 측정기 본체(159)를 기판 검사 장치(42)의 외부의 도포 현상 장치 내의 빈 공간에 설치함으로써, 기판 검사 장치(42)의 높이를 억제할 수 있다. 이에 따라 다른 처리 유닛의 탑재수를 늘릴 수 있다. 또 이동 기구(119)를 내부에 설치하여 기판 검사 장치(42)의 높이를 억제했다 하더라도, 내부를 배기하는 배기부를 갖고 있기 때문에, 검사에 영향을 미치는 파티클의 신속한 배출이 가능하다. 이에 따라 막두께 검사 및 표면 검사의 신뢰성이 향상된다. In the above embodiment, the height of the substrate inspecting apparatus 42 can be suppressed by providing the film thickness measuring apparatus main body 159 in the empty space in the coating and developing apparatus outside the substrate inspecting apparatus 42. This makes it possible to increase the number of mounted units of other processing units. Even if the moving mechanism 119 is provided inside to suppress the height of the substrate inspection apparatus 42, since the exhaust unit for exhausting the inside of the substrate inspection apparatus 42 is provided, it is possible to quickly discharge particles affecting inspection. This improves the reliability of the film thickness inspection and the surface inspection.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 고안의 바람직한 실시형태에 관해 설명했지만, 본 고안은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 고안은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.While the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer, a mask reticle for a photomask, or the like.

42 : 기판 검사 장치 110 : 처리 용기(케이스)
111 : 반입 반출구 112 : 개폐 셔터
119 : 이동 기구 120 : 유지부
121 : 회전 구동부 130 : 위치 검출 센서
145a, 145b : 배기부 146a, 146b : 배기팬
150 : 촬상부 152 : 제1 광조사부
151 : 막두께 측정기 154 : 반사경
155 : 제2 광조사부 156 : 프로브
157 : 방향 변환부 159 : 막두께 측정기
200 : 제어부 P1 : 전달 위치
P2 : 얼라인먼트 위치 W : 웨이퍼42: substrate inspection apparatus 110: processing vessel (case)
111: Loading and unloading port 112: Opening and closing shutter
119: moving mechanism 120:
121: rotation driving part 130: position detection sensor
145a, 145b: exhaust part 146a, 146b: exhaust fan
150: imaging section 152: first light irradiation section
151: film thickness measuring instrument 154: reflector
155: second light irradiation part 156: probe
157: direction conversion section 159: film thickness measuring instrument
200: Control part P1: Transfer position
P2: alignment position W: wafer

Claims (8)

기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부에 유지된 기판을 회전시키는 회전 구동부와,
상기 유지부를 수평 방향에서 이차원으로 이동시키는 이동 기구와,
상기 유지부를 수용하는 케이스 내에서, 상기 케이스의 외부와의 사이에서 기판의 전달을 행하는 전달 위치와,
기판 상에 성막(成膜)된 도포막의 막두께를 측정하기 위한 프로브와,
상기 유지부에 유지된 기판의 표면을 촬상하는 촬상부와,
상기 유지부에 유지된 기판의 표면을 향해서 광을 조사하고, 연직 방향 위쪽으로 반사된 광의 광로의 방향을, 수평 방향으로 설치되는 상기 촬상부로 향하도록 광을 반사시키는 방향 변환부
를 구비하고,
상기 프로브는 상기 방향 변환부에 설치되어 있고,
상기 방향 변환부는 적어도 기판의 직경과 동일한 길이를 가지며, 상기 방향 변환부의 근방에 상기 길이로 광을 일괄 조사하는 제1 광조사부와 제2 광조사부를 구비하고 있고,
상기 제2 광조사부는 레지스트 감광성의 파장의 광을 제거하는 필터를 구비하고 있으며,
생산용 기판의 표면 검사를 행하는 경우의 조명은 상기 제1 광조사부를 이용하고, 테스트용 기판의 표면 검사를 행하는 경우의 조명은 상기 제2 광조사부를 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.A holding portion for holding the substrate,
A rotation driving unit for rotating the substrate held by the holding unit,
A moving mechanism for moving the holding portion in two dimensions in a horizontal direction,
A transfer position for transferring the substrate between the case and the outside of the case in the case housing the holding portion,
A probe for measuring a film thickness of a film formed on a substrate,
An image pickup section for picking up an image of the surface of the substrate held by the holding section,
A direction changing unit that irradiates light toward the surface of the substrate held by the holding unit and reflects light so that the direction of the optical path of the light reflected upward in the vertical direction is directed to the imaging unit provided in the horizontal direction,
And,
Wherein the probe is installed in the direction changing unit,
Wherein the direction changing section has a length equal to at least the diameter of the substrate and includes a first light irradiating section and a second light irradiating section for collectively irradiating the light with the length in the vicinity of the direction changing section,
Wherein the second light irradiation part has a filter for removing light having a wavelength of a resist photosensitive wavelength,
Wherein the first light irradiation portion is used for illumination when the surface of the production substrate is inspected and the second light irradiation portion is used for illumination when the surface of the test substrate is inspected. 제1항에 있어서, 상기 촬상부는 상기 전달 위치와 대향하는 측의 위치에 설치되고, 상기 방향 변환부는 상기 촬상부와 전달 위치 사이의 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치. The substrate inspecting apparatus according to claim 1, wherein the image sensing unit is provided at a position facing the transfer position, and the direction changing unit is disposed at a position between the image sensing unit and the transfer position. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 기판 단부(端部)의 위치를 검출하는 위치 검출 센서와,
상기 위치 검출 센서의 검출 결과에 기초하여, 기판의 편심량으로부터 기판의 중앙 위치를 연산하고, 동시에 기판의 노치 위치를 검출하고 나서 기판의 위치를 조정하도록 상기 회전 구동부와 상기 이동 기구를 제어하는 제어부
를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The apparatus according to claim 1, further comprising: a position detection sensor for detecting a position of a substrate end portion while rotating the substrate held by the holding portion;
A control section for controlling the rotation drive section and the movement mechanism to adjust the position of the substrate after detecting the notch position of the substrate at the same time, based on the detection result of the position detection sensor,
The substrate inspection apparatus further comprising: 제5항에 있어서, 상기 제어부로 상기 기판의 위치가 조정된 기판에 기판 표면의 복수의 측정 위치가 설정되고, 상기 복수의 측정 위치를 측정하기 위해 상기 제어부가 상기 프로브의 측정 위치에 맞춰 상기 이동 기구를 수평 방향으로 이동시키고 기판을 회전시켜 측정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치. The apparatus according to claim 5, wherein a plurality of measurement positions of the substrate surface are set on a substrate whose position is adjusted by the control unit, and the control unit controls the movement And the measurement is performed by moving the mechanism in the horizontal direction and rotating the substrate. 제1항에 있어서, 상기 프로브는 상기 케이스의 내부에 배치되고, 상기 프로브와 접속되는 막두께 측정기의 본체는 상기 케이스의 외부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The apparatus according to claim 1, wherein the probe is disposed inside the case, and the body of the film thickness measuring instrument connected to the probe is disposed outside the case. 제1항, 제2항, 제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 케이스는, 상기 전달 위치에 기판을 수용하기 위한 반입 반출구와 이 반입 반출구를 개폐하는 개폐 셔터와 대향하는 위치에, 케이스의 내부를 배기하는 배기부를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 검사 장치.The apparatus according to any one of claims 1, 2 and 5 to 7, wherein the case comprises: a loading / unloading port for accommodating the substrate at the transfer position; a shutter for opening / closing the loading / And the exhaust part for exhausting the inside of the case.
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