KR20030024060A - apparatus for proving semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체소자의 전기적 특성 및 광학적 특성을 측정할 수 있는 반도체소자의 프로브장치에 관한 것이다.The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a semiconductor device probe device capable of measuring the electrical and optical characteristics of the semiconductor device.
일반적으로, 프로빙 측정은 개발 및 양산 중인 제품에 대한 소자의 전기적특성 및 전기 광학적 특성을 평가하여 소자의특성에 대한 양호, 불량을 판정하는 것이다. 이러한 소자의 특성을 측정하기 위하여 여러 개의 프로브 핀이 달린 프로브핀 어레이(array)를 소자의 패드 부위에 접촉시키고 필요한 전압이나 전류를 인가하면서 소자의 특성을 측정하게 된다.In general, probing measurements are to evaluate the device's electrical and electro-optical properties for products under development and mass production to determine good or bad properties of the device. In order to measure the characteristics of the device, an array of probe pins having a plurality of probe pins is contacted with a pad portion of the device and the characteristic of the device is measured while applying a required voltage or current.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체소자의 프로브장치를 도시한 도면이고, 도 2는 반도체 웨이퍼의 칩을 보인 평면도이다.1 is a view showing a probe device of a semiconductor device according to the prior art, Figure 2 is a plan view showing a chip of the semiconductor wafer.
종래의 반도체소자의 프로브장치(18)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 프로브카드 PCB(16)와, 프로브카드(16)에 형성된 세라믹(14)과, 세라믹과 연결되어 일정간격을 두고 양방향에 각각 형성된 탐침과, 탐침을 세라믹에 고정시키기 위한 에폭시로 구성된다.The probe device 18 of the conventional semiconductor device, as shown in Figure 1, the probe card PCB 16, the ceramic 14 formed on the probe card 16, and connected to the ceramic at a predetermined interval bidirectional Probes formed on the substrate, and an epoxy for fixing the probe to the ceramic.
상기 구성된 종래의 반도체소자의 프로빙장치를 이용하여 반도체 웨이퍼를 테스트하는 과정을 알아본다.The process of testing a semiconductor wafer using the conventional probing apparatus of the semiconductor device will be described.
먼저, 로봇암 등의 이송도구(도면에 도시되지 않음)를 이용하여 반도체 웨이퍼(100)을 척(chuck)(120) 위에 올려놓은 후, 진공흡입 방식으로 반도체 웨이퍼 (100)를 고정시킨다.First, the semiconductor wafer 100 is placed on the chuck 120 using a transfer tool (not shown) such as a robot arm, and then the semiconductor wafer 100 is fixed by vacuum suction.
이어서, 탐침(10)을 반도체 웨이퍼(100)의 칩패드에 접촉시키는 방식으로 웨이퍼 테스트를 실시한다. 상기 탐침(10)의 재질로는 텅스텐(tungsten)을 이용한다.Subsequently, a wafer test is performed by bringing the probe 10 into contact with the chip pad of the semiconductor wafer 100. Tungsten is used as a material of the probe 10.
웨이퍼 테스트 시 프로브탐침을 웨이퍼에 접촉시키고 칩패드에 전류 및 전압을 인가함으로써 웨이퍼의 특성을 측정 및 평가할 수 있다.During wafer testing, the probe probe can be contacted with the wafer and current and voltage applied to the chip pad to measure and evaluate the characteristics of the wafer.
상기 탐침(10)을 이용하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 최대 16개의 칩패드를프로빙할 수 있다.The probe 10 may be used to probe up to 16 chip pads, as shown in FIG. 2.
그러나, 종래 기술에서는 한번에 최대 16개의 칩패드만을 프로빙할 수 있으므로, 웨이퍼 테스트 시의 테스트 시간 및 테스트 경비가 증가하는 문제점이 있었다.However, in the prior art, since only up to 16 chip pads can be probed at a time, there is a problem in that test time and test cost during wafer testing are increased.
이에 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 웨이퍼 테스트 시, 32개의 칩패드까지 프로빙이 가능함으로써, 테스트 시간 및 테스트 경비를 절감할 수 있는 반도체소자의 프로브장치를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and when the wafer test, it is possible to probe up to 32 chip pads, to provide a probe device of a semiconductor device that can reduce the test time and test cost There is this.
도 1은 종래 기술에 따른 프로브장치를 도시한 도면.1 is a view showing a probe device according to the prior art.
도 2는 반도체 웨이퍼의 칩을 보인 평면도.2 is a plan view showing a chip of a semiconductor wafer;
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자의 프로브장치를 도시한 도면.3 is a view showing a probe device of a semiconductor device according to the present invention.
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 탐침부의 정면도 및 사시도.4A and 4B are front and perspective views of the probe according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 탐침이 고정된 모듈형 기판을 도시한 도면.5 is a view showing a modular substrate fixed to the probe according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 양방향 도전 커넥터의 사시도.6 is a perspective view of a bidirectional conductive connector according to the present invention;
도 7은 프로브카드 기판과 양방향 도전커넥터와 모듈형 기판 간의 연결관계를 보인 도면.7 is a view illustrating a connection relationship between a probe card substrate, a bidirectional conductive connector, and a modular substrate.
도 8은 본 발명에 따른 반도체소자의 프로브장치의 정면도이다.8 is a front view of a probe device of a semiconductor device according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 프로브장치는 프로브카드 기판과, 프로브카드 기판에 형성된 세라믹과, 세라믹과 연결되어 일정간격을 두고 양방향에 각각 형성된 탐침과, 탐침을 세라믹에 고정시키기 위한 에폭시를 구비한 반도체소자의 프로브장치에 있어서, 프로브카드 기판과 탐침 사이에 형성되며, 프로브카드 기판과 탐침을 전기적으로 연결시키기 위한 양방향 도전커넥터와, 탐침이 장착되는 모듈형 기판을 포함한 것을 특징으로 한다.Probe device of the semiconductor device of the present invention for achieving the above object is a probe card substrate, a ceramic formed on the probe card substrate, the probe is connected to the ceramic formed in both directions at regular intervals, and for fixing the probe to the ceramic A probe device for a semiconductor device having an epoxy, the probe device being formed between a probe card substrate and a probe, and comprising a bidirectional conductive connector for electrically connecting the probe card substrate and the probe, and a modular substrate on which the probe is mounted. do.
상기 프로브카드 기판과 상기 양방향 도전커넥터와 상기 모듈형 기판은 나사결합에 의해 고정된 것을 특징으로 한다.The probe card substrate, the bidirectional conductive connector, and the modular substrate may be fixed by screwing.
상기 양방향 도전커넥터는 실리콘고무재질로, 청동선이 내장된 것을 특징으로 한다.The two-way conductive connector is a silicon rubber material, characterized in that the bronze wire is built.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자의 프로브장치를 도시한 도면이고,도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 탐침부의 정면도 및 사시도이다.3 is a view showing a probe device of a semiconductor device according to the present invention, Figures 4a and 4b is a front view and a perspective view of the probe unit according to the present invention.
또한, 도 5는 본 발명에 따른 탐침이 고정된 모듈형 기판을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 양방향 도전 커넥터의 사시도이다.5 is a view showing a modular substrate fixed to the probe according to the present invention, Figure 6 is a perspective view of a bidirectional conductive connector according to the present invention.
그리고 도 7은 프로브카드 기판과 양방향 도전커넥터와 모듈형 기판 간의 연결관계를 보인 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 반도체소자의 프로브장치의 정면도이다.7 is a view illustrating a connection relationship between a probe card substrate, a bidirectional conductive connector, and a modular substrate, and FIG. 8 is a front view of a probe device of a semiconductor device according to the present invention.
본 발명의 반도체소자의 프로브장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 프로브카드 기판(220)과, 프로브카드 기판(220)에 형성된 세라믹(256)과, 세라믹(256)과 연결되어 일정 간격을 두고 양방향에 각각 형성된 탐침(250)과, 탐침(250)을 세라믹(256)에 고정시키기 위한 에폭시(254)와, 프로브카드 기판(220)과 탐침(250) 사이에 형성되며 프로브카드 기판(220)과 탐침(250)을 전기적으로 연결시키기 위한 양방향 도전커넥터(230)와, 탐침(250)이 장착되는 모듈형 기판(240)As shown in FIG. 3, the probe device of the semiconductor device of the present invention is connected to the probe card substrate 220, the ceramic 256 formed on the probe card substrate 220, and the ceramic 256. A probe 250 formed in both directions, an epoxy 254 for fixing the probe 250 to the ceramic 256, and a probe card substrate 220 formed between the probe card substrate 220 and the probe 250. ) And the bidirectional conductive connector 230 for electrically connecting the probe 250 and the modular substrate 240 on which the probe 250 is mounted.
으로 구성된다.It consists of.
상기 프로브카드 기판(220)과 양방향 도전커넥터(230)와 모듈형 기판(240)은 나사결합에 의해 고정된다.The probe card substrate 220, the bidirectional conductive connector 230, and the modular substrate 240 are fixed by screwing.
상기 탐침(256)은, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 세라믹(256)과 연결되어 일정 간격을 두고 양방향에 각각 형성되며, 에폭시(254)에 의해 고정된다.As illustrated in FIGS. 4A and 4B, the probes 256 are connected to the ceramics 256 and formed in two directions at regular intervals, respectively, and are fixed by the epoxy 254.
모듈형 기판(240)에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 지그재그 형태의탐침(258)이 고정된다.As shown in FIG. 5, a zigzag probe 258 is fixed to the modular substrate 240.
양방향 도전 커넥터(230)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 실리콘고무재질(232)로, 청동선이 내장되어 있다. 도면부호 236은 탐침(256)이 접촉되는 부위이다.As shown in FIG. 6, the bidirectional conductive connector 230 is made of silicone rubber 232, and a bronze wire is embedded therein. Reference numeral 236 denotes a portion where the probe 256 contacts.
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 소켓고정나사(262)에 의해 프로브카드 기판(220)과 양방향 도전 커넥터(230)과 모듈형 기판(240)이 나사결합된다.As shown in FIG. 7 and FIG. 8, the probe card substrate 220, the bidirectional conductive connector 230, and the modular substrate 240 are screwed together by the socket fixing screw 262.
본 발명은 모듈형 기판의 양면을 지그재그 형태로 형성하여 완충작용을 하므로, 탐침 접촉부의 피치를 최소화한다.According to the present invention, since both surfaces of the modular substrate are formed in a zigzag form to buffer, the pitch of the probe contact portion is minimized.
본 발명에서는 복수개의 칩패드를 프로빙하여 칩패드에 전류 및 전압을 인가함으로써, 웨이퍼의 특성을 평가 및 측정한다.In the present invention, a plurality of chip pads are probed to apply current and voltage to the chip pads, thereby evaluating and measuring wafer characteristics.
이상에서와 같이, 본 발명의 반도체소자의 프로브장치는 전기적 접촉이 되는 커넥터로 양면 전도 커넥터를 사용하고 모듈형 기판을 사용함으로써, 32개의 칩패드를 프로빙하여 칩패드에 전류 및 전압을 인가하여 웨이퍼의 특성을 평가 및 측정할 수 있다.As described above, the probe device of the semiconductor device according to the present invention uses a double-sided conductive connector as a connector that makes electrical contact and uses a modular substrate, so that 32 chip pads are probed and current and voltage are applied to the chip pads. Can be evaluated and measured.
또한, 모듈형 기판의 양면을 지그재그 형태로 형성하여 탐침 접촉부의 피치를 최소화할 수 있다.In addition, both sides of the modular substrate may be formed in a zigzag shape to minimize the pitch of the probe contact portion.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.
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| KR1020010057022A KR20030024060A (en) | 2001-09-15 | 2001-09-15 | apparatus for proving semiconductor device |
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| KR1020010057022A KR20030024060A (en) | 2001-09-15 | 2001-09-15 | apparatus for proving semiconductor device |
Publications (1)
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| KR (1) | KR20030024060A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100817509B1 (en) * | 2005-12-15 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | Method of mounting probe card and transfer supporting apparatus of probe card using the same |
| KR100985718B1 (en) * | 2007-02-19 | 2010-10-06 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | Electrical Connecting Apparatus |
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2001
- 2001-09-15 KR KR1020010057022A patent/KR20030024060A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100817509B1 (en) * | 2005-12-15 | 2008-03-27 | 삼성전자주식회사 | Method of mounting probe card and transfer supporting apparatus of probe card using the same |
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