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KR200298536Y1 - Semiconductor device test apparatus - Google Patents

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KR200298536Y1
KR200298536Y1 KR2019970043376U KR19970043376U KR200298536Y1 KR 200298536 Y1 KR200298536 Y1 KR 200298536Y1 KR 2019970043376 U KR2019970043376 U KR 2019970043376U KR 19970043376 U KR19970043376 U KR 19970043376U KR 200298536 Y1 KR200298536 Y1 KR 200298536Y1
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test apparatus
semiconductor device
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contact portion
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김현래
배상섭
김상두
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 고안은 반도체 소자의 테스트 장치를 개시한다. 개시된 본 고안의 반도체 소자의 테스트 장치는 메모리 소자의 각 전극단자들에 대한 시그널 특성을 분석하기 위하여 소정의 신호를 인가하는 신호 입력부; 상기 신호 입력부로부터 입력된 신호를 메모리 소자의 각 전극단자들에 인가하는 퍼포먼스 보드; 및 상기 메모리 소자가 안치되며, 하부면에 상기 퍼포먼스 보드와의 콘택을 위한 다수의 핀들이 구비된 소켓이 구비된 반도체 소자의 테스트 장치로서, 상기 퍼포먼스 보드 상에 배치되는 사각판 형태이며, 중심부에는 상기 소켓의 핀들이 각각 삽입되는 다수의 홀들이 구비되고, 상기 홀들과 이격된 양측 부분에는 상기 홀들과 전기적으로 연결됨과 아울러 디스플레이부의 연결부가 삽입·고정되는 다수의 홈들이 구비된 인터페이스 보드를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a test apparatus for a semiconductor device. According to an aspect of the present invention, there is provided a test apparatus for a semiconductor device, including: a signal input unit configured to apply a predetermined signal to analyze signal characteristics of each electrode terminal of a memory device; A performance board for applying a signal input from the signal input unit to each electrode terminal of the memory device; And a test device for the semiconductor device having a socket in which the memory device is placed and having a plurality of pins for contacting the performance board, wherein the memory device has a rectangular plate shape disposed on the performance board. The pins of the socket are provided with a plurality of holes, respectively, and both sides of the hole is spaced apart from the hole further electrically connected to the holes and a plurality of grooves in which the connection portion of the display portion is inserted and fixed further includes Characterized in that.

Description

반도체 소자의 테스트 장치Test device of semiconductor device

본 고안은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 메모리 소자의 시그널 특성을 분석하기 위한 반도체 소자의 테스트 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a test device for a semiconductor device for analyzing signal characteristics of a memory device.

일반적으로, 공지된 공정에 의해 제조된 반도체 소자들은 일련의 어셈블리(Assembly) 공정을 거쳐 패캐지화되며, 이 패키지화된 반도체 소자들은 수요자의 요구에 따라 설계된 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)에 실장되어 모듈로서 제작된다.In general, semiconductor devices manufactured by a known process are packaged through a series of assembly processes, and the packaged semiconductor devices are mounted on a printed circuit board designed according to a consumer's request, and the modules are packaged. Is produced as.

한편, 패키지화된 반도체 소자들, 예를 들어, 메모리 소자들은 모듈로서 제작되기 전에 그들 자신에 대한 다양한 테스트와 분석이 실시되며, 이를 위해서는 어드밴티스트(Advantest)와 같은 테스트 장치가 사용되고 있고, 보다 세밀한 분석을 위해서는 시무(Shmoo), 또는 웨이브 트레이서(Wave Tracer) 등과 같은 소프트웨어적인 시뮬래이션 유틸리티가 사용되고 있다.On the other hand, packaged semiconductor devices, such as memory devices, are subjected to various tests and analyzes on their own before being manufactured as modules, for which a test apparatus such as Advanced is used, and more detailed analysis is performed. For this purpose, software simulation utilities such as Shmoo or Wave Tracer are used.

그러나, 상기와 같은 테스트 장치는 메모리 소자가 구동될 때, 상기 메모리 소자의 각 단자에서 발생되는 시그널에 대해서 정확한 타이밍 분석이 어렵다는 문제점이 있기 때문에, 최근에는 상기한 테스트 장치에 오실로스코프(Oscilloscope)를 연결하여 메모리 소자의 각 단자들에서 발생되는 실제적인 시그널들에 대한 타이밍 분석이 실시되고 있다.However, such a test apparatus has a problem that it is difficult to accurately analyze the timing of signals generated at each terminal of the memory element when the memory device is driven. Recently, an oscilloscope is connected to the test device. Therefore, timing analysis is performed on actual signals generated at each terminal of the memory device.

도 1 은 상기한 바와 같이 오실로스코프가 연결된 반도체 소자의 테스트 장치를 도시한 개략도로서, 도시된 바와 같이, 테스트 장치는 메모리 소자의 각 핀들에 대한 시그널 특성을 분석하기 위하여 소정의 신호를 인가하는 신호 입력부(1)와, 상기 신호 입력부(1)와 연결되며, 회로패턴이 구비되어 상기 신호 입력부(1)로부터 입력된 신호를 메모리 소자에 인가하는 퍼포먼스 보드(Performance Board : 2), 상기 퍼포먼스 보드(2)에 콘택되며, 중심부에는 패키지 상태의 메모리 소자가안치되는 소정 크기의 홈(3a)이 구비되고, 양측 상부면에는 상기 메모리 소자(도시안됨)의 각 핀과 각각 연결된 다수의 핀홈들(3b)이 배열되며, 하부면에는 메모리 소자의 각 전극단자들이 삽입된 상태로 퍼포먼스 보드(2)와 콘택되는 핀들(3c)이 구비된 소켓(3), 및 상기 소켓(3)의 홈(3b)에 삽입되는 스코프 프루버(Scope Prober : 4a)가 구비되어 상기 스코프 프루버(4a)를 통해 입력받은 신호에 따라 메모리 소자의 각 핀들에 대한 시그널을 디스플레이에 하는 오실로스코프(4)로 이루어진다.1 is a schematic diagram illustrating a test apparatus of a semiconductor device to which an oscilloscope is connected as described above. As illustrated, the test apparatus may include a signal input unit for applying a predetermined signal to analyze signal characteristics of each pin of a memory device. (1), a performance board (2) connected to the signal input unit 1 and having a circuit pattern to apply a signal input from the signal input unit 1 to a memory device, and the performance board 2 ), A center portion is provided with a groove 3a having a predetermined size in which a memory element in a package state is placed, and a plurality of pin grooves 3b connected to respective pins of the memory element (not shown) on both upper surfaces thereof. Is arranged, a socket 3 having pins 3c contacting the performance board 2 with each electrode terminal of the memory element inserted therein, and a groove 3b of the socket 3. Scope insert profile louvers that: the (Scope Prober 4a) is provided is made with an oscilloscope (4) for the display of signals for each pin of the memory device according to signals received via the loop scope louver (4a).

그러나, 상기와 같은 반도체 소자의 테스트 장치는 테스트하고자 하는 메모리 소자의 각 핀들에 대해서 이들과 각각 연결되어 있는 소켓의 홈들 각각에 프루버를 삽입 및 해제시키는 과정을 반복·실시해야 하기 때문에, 이 과정에서 소켓의 핀홈이 손상되는 문제점이 있었다.However, since the test apparatus of the semiconductor device as described above has to repeat and perform the process of inserting and releasing the prober into each of the grooves of the socket connected to each of the pins of the memory device to be tested. There was a problem in that the pin groove of the socket is damaged.

또한, 상기한 테스트 장치는 프루빙 상태를 유지시키기 위해서는 작업자가 소켓의 홈에 삽입된 프루버를 잡고 있어야 하기 때문에, 프루빙 상태를 유지시키는데 어려움이 있었다.In addition, the test apparatus described above has a difficulty in maintaining the probe state since the operator must hold the prober inserted into the groove of the socket in order to maintain the probe state.

게다가, 상기한 테스트 장치는 상온 이외의 온도에서 메모리 소자를 테스트하기 위해서는 서머 스트림(Thermo Stream)과 같은 온도 콘트롤러를 사용해야 하는데, 이러한 서머 스트림은 진공 상태에서 작동되기 때문에 이러한 진공상태에서는 프루버의 삽입 및 해제를 반복·실시할 수 없으므로, 실질적으로 상온 이외의 분석이 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.In addition, the test apparatus described above must use a temperature controller such as a thermo stream to test the memory device at a temperature other than room temperature. Since the thermo stream is operated in a vacuum state, insertion of a prober in such a vacuum state is required. And since it can not repeat and perform a release, there existed a problem that analysis other than normal temperature cannot be performed substantially.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 프루빙 상태를 유지함은 물론 소켓의 핀홈의 손상을 방지할 수 있고, 아울러, 상온 이외의 분석을 용이하게 수행할 수 있는 반도체 소자의 테스트 장치를 제공하는데, 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, it is possible to maintain the probing state, and to prevent damage to the pin groove of the socket, and also to easily perform analysis other than room temperature To provide a test apparatus, the purpose is.

도 1 은 종래 기술에 따른 반도체 소자의 테스트 장치를 설명하기 위한 개략도.1 is a schematic diagram for explaining a test apparatus for a semiconductor device according to the prior art.

도 2 는 본 고안에 따른 반도체 소자의 테스트 장치를 설명하기 위한 개략도.2 is a schematic view for explaining a test apparatus of a semiconductor device according to the present invention.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)

1 : 신호 입력부 2 : 퍼포먼스 보드1: signal input 2: performance board

3 : 소켓 3c : 핀3: socket 3c: pin

4 : 오실로스코프 4a : 스코프 프루버4: oscilloscope 4a: scope probe

10 : 인터페이스 보드 10a : 제 1 콘택부10: interface board 10a: first contact portion

10b : 제 2 콘택부 12 : 홀10b: second contact portion 12: hole

14 : 홈14: home

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 고안은 상기한 반도체 소자의 테스트 장치에서, 퍼포먼스 보드와 소켓 사이에 프루빙 상태를 유지시키기 위한 인터페이스 보드(Interface Board)를 삽입시킨다. 이 인터페이스 보드는 중심부에 메모리 소자가 않치된 소켓의 핀들이 관통되어 퍼포먼스 보드와 연결될 수 있도록 하는 다수의 홀(Hole)들로 이루어진 제 1 콘택부가 구비되며, 양측 가장자리에는 상기 제 1 콘택부의 각각의 홈들과 전기적으로 연결됨과 아울러 스코프의 프루버가 삽입 및 고정될 수 있도록 하는 홈들로 이루어진 제 2 콘택부가 구비된다.In order to achieve the above object, the present invention inserts an interface board for maintaining a probe state between the performance board and the socket in the test device of the semiconductor device. The interface board has a first contact portion including a plurality of holes through which pins of a socket without a memory element are installed at the center thereof and connected to the performance board, and both edges of each of the first contact portions are provided. A second contact portion is provided, which is electrically connected to the grooves and which consists of grooves to allow the scope's prober to be inserted and fixed.

본 고안에 따르면, 메모리 소자의 각 단자들에 대한 프루빙을 인터페이스 보드에 구비된 제 2 콘택부에 스코프의 프루버를 삽입시켜 실시함으로써, 소켓의 핀홈이 손상되는 문제점을 방지할 수 있으며, 아울러, 프루버를 잡고 있지 않아도 되기 때문에 프루빙 상태의 유지가 용이하다.According to the present invention, by performing the probe for each terminal of the memory element by inserting the scope's prober into the second contact portion provided in the interface board, it is possible to prevent the problem that the pin groove of the socket is damaged, It is easy to maintain the probing state because it is not necessary to hold the probe.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 반도체 소자의 테스트 장치를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, a test apparatus for a semiconductor device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 는 본 고안의 실시예에 따른 반도체 소자의 테스트 장치를 도시한 개략도로이다. 여기서, 도 1 과 동일한 부분은 동일한 도면부호로 표시한다.2 is a schematic diagram illustrating a test apparatus of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Here, the same parts as in Fig. 1 are denoted by the same reference numerals.

도시된 바와 같이, 본 고안의 반도체 소자의 테스트 장치는 퍼포먼스 보드(2)와 소켓(3) 사이에 개재되는 인터페이스 보드(10)가 제공된다. 이 인터페이스 보드(10)는 소켓(3)의 핀들(3c)이 각각 콘택되는 다수의 홀들(12)이 구비된 제 1 콘택부(10a)와, 상기 제 1 콘택부(10a)의 양측에 구비되며, 상기 홀들(12)과 각각 전기적으로 연결됨과 동시에 스코프 프루버(4a)가 삽입 및 고정되도록 하는 다수의 홈들(14)이 구비된 제 2 콘택부(10b)로 이루어진다.As shown, the test apparatus of the semiconductor device of the present invention is provided with an interface board 10 interposed between the performance board 2 and the socket 3. The interface board 10 includes a first contact portion 10a provided with a plurality of holes 12 to which the pins 3c of the socket 3 contact each other, and both sides of the first contact portion 10a. And a second contact portion 10b which is electrically connected to the holes 12 and provided with a plurality of grooves 14 for inserting and fixing the scope probe 4a.

상기에서, 제 1 콘택부(10a)는 소켓의 핀들(3c)이 퍼포먼스 보드(2)와 콘택될 수 있도록 상기 핀(3c)의 길이보다 얇은 두께를 갖으며, 제 2 콘택부(10b)는 스코프 프루버가 삽입·고정될 수 있도록 상기 스코프 프루버(4a)의 길이보다는 더 두꺼운 두께를 갖는다.In the above, the first contact portion 10a has a thickness thinner than the length of the pin 3c so that the pins 3c of the socket can contact the performance board 2, and the second contact portion 10b It has a thickness thicker than the length of the scope prober 4a so that the scope prober can be inserted and fixed.

따라서, 상기한 인터페이스 보드(10)는 퍼포먼스 보드(2) 상에 배치되며, 메모리 소자(도시안됨)가 안치된 소켓(3)은 그의 핀들(3c)에 의해 상기한 인터페이스 보드(10)의 제 1 콘택부(10a)에 콘택되고, 아울러, 소켓의 핀들(3c)은 제 1 콘택부(10a)에 구비된 홀들(12)을 관통하여 퍼포먼스 보드(2)와 콘택된다. 또한, 메모리 소자의 각 단자들에 대한 시그널 특성을 프루빙하기 위하여 오실로스코프(4)로부터 인출되어진 스코프 프루버(4a)는 인터페이스 보드(10)의 제 2 콘택부(10b)에 구비된 각각의 홈들(14)에 삽입·고정된다.Therefore, the interface board 10 described above is disposed on the performance board 2, and the socket 3 in which the memory element (not shown) is placed is formed by the pins 3c thereof. The first contact portion 10a is contacted, and the pins 3c of the socket are contacted with the performance board 2 through the holes 12 provided in the first contact portion 10a. In addition, the scope prober 4a, which is drawn out from the oscilloscope 4 to probe the signal characteristics of the respective terminals of the memory device, may be provided with respective grooves provided in the second contact portion 10b of the interface board 10. It is inserted and fixed in 14).

이에 따라, 신호 입력부(1)로부터 인가된 신호가 퍼포먼스 보드(2)를 거쳐 소켓(3)에 안치되어 있는 패키지화된 메모리 소자의 각 단자들에 전달되면, 상기 메모리 소자의 각 단자들에 인가된 신호는 소켓의 핀(3c)이 삽입된 제 1콘택부(10a)의 홀(12) 및 상기 홀(12)과 전기적으로 연결된 제 2 콘택부(10b)의 홈(14)을 거쳐 상기 제 2 콘택부(10b)의 홈(14)에 삽입되는 스코프 프루버(4a)를 통해 메모리 소자의 각 단자들로부터 발생되는 시그널이 오실로스코프(4)에 디스플레이된다.Accordingly, when a signal applied from the signal input unit 1 is transmitted to the respective terminals of the packaged memory element which is placed in the socket 3 via the performance board 2, it is applied to the respective terminals of the memory element. The signal is passed through the hole 12 of the first contact portion 10a into which the pin 3c of the socket is inserted and the groove 14 of the second contact portion 10b electrically connected to the hole 12. Signals generated from the respective terminals of the memory element are displayed on the oscilloscope 4 via the scope prober 4a inserted into the groove 14 of the contact portion 10b.

그러므로, 상기한 인터페이스 보드(10)를 사용할 경우에는 스코프 프루버(4a)가 인터페이스 보드(10)의 홈들(12)에 삽입·고정되기 때문에 소켓의 핀홈(3a)이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 아울러, 스코프 프루버(4a)를 고정시키기 위하여 작업자가 잡고 있을 필요가 없기 때문에 프루빙 상태의 유지가 가능해진다.Therefore, when using the interface board 10 described above, since the scope prober 4a is inserted into and fixed in the grooves 12 of the interface board 10, the pin groove 3a of the socket can be prevented from being damaged. In addition, since the operator does not need to hold in order to fix the scope prober 4a, the probing state can be maintained.

또한, 상온 이외의 온도에서 메모리 소자의 각 단자들에 대한 시그널 분석시에는 인터페이스 보드(10)의 제 2 콘택부(10b)를 서머 스트림의 외부에 배치되도록 할 수 있기 때문에 상온 이외의 분석도 가능하다.In addition, when the signal analysis for each terminal of the memory element at a temperature other than room temperature, the second contact portion 10b of the interface board 10 can be arranged outside the summer stream, so analysis other than room temperature is possible. Do.

이상에서와 같이, 본 고안의 반도체 소자의 테스트 장치는 퍼포먼스 보드와메모리 소자가 안치된 소켓 사이에 인터페이스 보드를 개재시키고, 메모리 소자의 각 단자들에 대한 시그널은 인터페이스 보드에 구비되는 홈에 스코프 프루버를 삽입시켜 분석함으로써, 소켓의 홈이 손상되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the test apparatus for a semiconductor device of the present invention interposes an interface board between a performance board and a socket in which a memory device is placed, and a signal for each terminal of the memory device is scoped in a groove provided in the interface board. By inserting and analyzing the louvers, it is possible to prevent the socket grooves from being damaged.

또한, 스코프 프루버는 인터페이스 보드의 홈에 삽입·고정되기 때문에 프루빙 상태의 유지가 가능하며, 이에 따라, 메모리 소자에 대한 테스트 시간 및 인력 낭비를 방지할 수 있게 된다.In addition, since the scope prober is inserted into and fixed to the groove of the interface board, the probe state can be maintained, thereby preventing waste of test time and manpower on the memory device.

게다가, 상온 이외의 온도에서도 메모리 소자에 대한 테스트가 가능하기 때문에 제품화된 메모리 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, since the memory device can be tested at a temperature other than room temperature, the reliability of the commercialized memory device can be improved.

한편, 여기에서는 본 고안의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 실용신안등록청구의 범위는 본 고안의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Therefore, hereinafter, the scope of the utility model registration request can be understood to include all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.

Claims (4)

반도체 소자의 테스트 장치에 있어서,In the test device for semiconductor devices, 퍼포먼스 보드와,With performance boards, 상기 퍼포먼스 보드 상에 설치되는 인터페이스 보드와,An interface board installed on the performance board; 상기 인터페이스 보드 상에 착탈 가능하도록 설치되며, 테스트되는 반도체 소자가 장착된느 반도체 소자 소켓을The semiconductor device socket is detachably installed on the interface board and is equipped with a semiconductor device under test. 구비하며,Equipped, 상기 인터페이스 보드는The interface board is 상기 반도체 소자 소켓이 설치되며, 다수의 홈들로 구성되는 제1 콘택부와,A first contact portion in which the semiconductor element socket is installed and composed of a plurality of grooves; 프루버를 삽입하여 유지하기 위한 다수의 홈드로 구성되는 제2 콘택부를A second contact portion composed of a plurality of grooves for inserting and holding a prober 구비하고,Equipped, 상기 제1 콘택부의 각각의 홈은 상기 제2 콘택부의 해당 홈과 이격되어 있으면서 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.Each groove of the first contact portion is electrically connected while being spaced apart from a corresponding groove of the second contact portion. 제 1 항에 있어서, 상기 인터페이스 보드는 소켓의 핀들이 퍼포먼스 보드와 콘택될 수 있도록 홀들이 구비되는 부분이 상기 소켓의 핀의 길이보다 얇은 두께로 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.The test apparatus of claim 1, wherein the interface board is provided with a portion having holes thinner than a length of the pin of the socket so that the pins of the socket may contact the performance board. 제 1 항에 있어서, 상기 인터페이스 보드는 다수의 홈들이 구비된 부분이 상기 홈들이 구비된 부분보다 더 두꺼운 두께로 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.The test apparatus of claim 1, wherein the interface board has a thicker portion than a portion having the grooves. 제 3 항에 있어서, 상기 인터페이스 보드는 상기 디스플레이부의 연결부의 길이보다 더 두꺼운 두께로 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.The test apparatus of claim 3, wherein the interface board has a thickness thicker than a length of a connection portion of the display unit.
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