KR102722552B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102722552B1 KR102722552B1 KR1020190144298A KR20190144298A KR102722552B1 KR 102722552 B1 KR102722552 B1 KR 102722552B1 KR 1020190144298 A KR1020190144298 A KR 1020190144298A KR 20190144298 A KR20190144298 A KR 20190144298A KR 102722552 B1 KR102722552 B1 KR 102722552B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- density
- display device
- forming
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 413
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N [Ru]=O.[Sr] Chemical compound [Ru]=O.[Sr] JFWLFXVBLPDVDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되고 적어도 하나 이상의 무기층과 적어도 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함한다. 상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함하고, 상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 서로 접촉한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 품질이 향상된 표시 장치 및 상기 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 베이스 기판 상에 배치되는 유기 발광 구조물을 밀봉하기 위해, 박막 봉지층을 포함할 수 있다. 상기 박막 봉지층은 무기층과 유기층이 반복적으로 배치되는 구조를 갖는데, 상기 박막 봉지층의 밀봉성을 향상시키기 위한 노력이 있어왔다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 밀봉성이 향상된 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되고 적어도 하나 이상의 무기층과 적어도 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함한다. 상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함하고, 상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 서로 접촉한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 저밀도층은 1.7미만의 굴절율을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층은, 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층, 및 상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층은 상기 고밀도층 및 상기 저밀도층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 저밀도층은 상기 베이스 기판과 상기 고밀도층 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층은 상기 저밀도층과 상기 베이스 기판 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층의 두께는 1nm 내지 1um일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층의 상기 무기층은
2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 하부 고밀도층, 상기 하부 고밀도층 상에 배치되고, 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층, 및 상기 저밀도층 상에 배치되고, 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 상부 고밀도층을 포함하고, 상기 저밀도층은 상기 하부 고밀도층 및 상기 상부 고밀도층과 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 기판은 광을 투과하는 개구 영역, 상기 개구 영역을 둘러싸는 비표시 영역인 개구 주변 영역, 및 상기 개구 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역을 포함할 수 있다. 상기 개구 주변 영역 내에, 상기 베이스 기판에 트렌치가 형성되고, 상기 트렌치 내에 상기 무기층이 위치할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는
본 발명의 일 실시예에 있어서, 베이스 기판 상에 발광 구조물을 형성하는 단계, 및 상기 발광 구조물을 커버하도록, 무기층 및 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 박막 봉지층의 상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 제1 무기층을 형성하는 단계, 및 상기 제1 무기층 상에 후처리 공정을 진행하여, 상기 제1 무기층의 상부를 상기 고밀도층으로 변환하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. 상기 고밀도층으로 변환하는 단계에서, 상기 후처리 공정은 수소 또는 수소 및 질소를 사용한 플라즈마 처리일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 후처리 공정에서의 플라즈마 파워는 상기 제1 무기층을 형성하는 단계에서의 상기 플라즈마 파워(power)의 1/3 내지 1일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 후처리 공정에서의 공정 압력(pressure)은 1torr 내지 1.8torr일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 하부 무기층을 형성하는 단계, 상기 하부 무기층 상에 후처리 공정을 진행하여, 상기 하부 무기층을상기 고밀도층으로 변환하는 단계, 및 상기 고밀도층 상에 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 상부 무기층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 발광 구조물을 형성하는 단계는 상기 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계, 및 상기 발광층 상에 제2 전극 및 캡핑층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 전극 및 상기 캡핑층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 전극의 일부, 상기 캡핑층의 일부 및 상기 박막 봉지층의 상기 무기층의 일부는 상기 트렌치 내에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고밀도층의 두께는 1nm 내지 1um일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 장치는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치되는 발광 구조물, 및 상기 발광 구조물 상에 배치되고 적어도 하나 이상의 무기층과 적어도 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함한다. 상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함하고, 상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 접촉한다. 이에 따라, 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 표시 영역 내에 카메라 등의 광학 모듈을 위치시키기 위한 개구 영역을 포함하는 표시 장치의 경우, 수분침투가 용이한 개구 영역으로부터의 수분 침투를 트렌치 내에 배치되는 상기 고밀도층이 효과적으로 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역(DA) 및 개구 주변 영역(HPA)의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역(DA) 및 개구 주변 영역(HPA)의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 영상이 표시 되는 표시 영역(DA). 광학 모듈을 설치하기 위한 개구 영역(HA) 및 상기 개구 영역(HA)을 둘러싸는 비표시 영역인 개구 주변 영역(HPA)을 포함할 수 있다.
상기 표시 영역(DA)은 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)이 이루는 평면 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 영역(DA)에는복수의 화소들이 배치되어 영상이 표시될 수 있다. 상기 표시 영역(DA)은 상기 개구 주변 영역(HPA)을 둘러쌀 수 있다.
상기 개구 주변 영역(HPA)는 상기 개구 영역(HA)을 둘러 쌀 수 있다. 상기 개구 영역(HA)은 광을 투과할 수 있으며, 예를들면, 상기 개구 영역(HA)에는 베이스 기판을 관통하는 원형의 홀(hole)이 형성되거나, 투명창이 형성될 수 있다. 상기 개구 영역(HA)에 중첩하여, 광학 모듈(미도시)이 배치될 수 있다.
상기 광학 모듈(미도시)은 상기 개구 영역(HA) 내에 또는 상기 개구 영역(HA)에 중첩하게 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 광학 모듈은 사물의 이미지를 촬영(또는 인식)할 수 있는 카메라 모듈, 사용자의 얼굴을 감지하기 위한 얼굴 인식 센서 모듈, 사용자의 눈동자를 감지하기 위한 동공 인식 센서 모듈, 상기 표시 장치의 움직임을 판단하는 가속도 센서 모듈 및 지자기 센서 모듈, 상기 표시 장치 앞의 근접 여부를 감지하기 위한 근접 센서 모듈 및 적외선 센서 모듈, 주머니 혹은 가방에 방치될 때 밝기의 정도를 측정하기 위한 조도 센서 모듈 등을 포함할 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역(DA) 및 개구 주변 영역(HPA)의 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 표시 장치(10)는 베이스 기판(100), 버퍼층(110), 박막 트랜지스터(TFT)의 액티브 패턴(ACT), 제1 절연층(120), 게이트 도전층, 제2 절연층(130), 소스 드레인 도전층, 비아 절연층(VIA), 화소 정의막(PDL), 발광 구조물(180), 박막 봉지층(190) 및 오버 코팅층(OC)을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판(100)은 투명한 또는 불투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(100)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 베이스 기판(100)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수도 있다. 상기 베이스 기판(100)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다.
상기 버퍼층(110)은 상기 베이스 기판(100) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 상기 베이스 기판(100)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 상기 액티브 패턴(ACT)으로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 상기 액티브 패턴(ACT)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 상기 액티브 패턴(ACT)을 수득하게 할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 액티브 패턴(ACT)이 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 비정질 실리콘을 포함하거나, 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 상기 액티브 패턴(ACT)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 액티브 패턴(ACT)은 불순물이 도핑(doping)된 드레인 영역과 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 소스 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연층(120)은 상기 액티브 패턴(ACT)이 형성된 상기 버퍼층(110) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 상기 버퍼층(110) 상에서 상기 액티브 패턴(ACT)을 덮으며, 상기 액티브 패턴(ACT)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(120)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 게이트 도전층이 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 게이트 도전층은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(GE) 및 스캔 라인(미도시) 등의 신호 배선을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(GE)은 상기 액티브 패턴(ACT)과 중첩할 수 있다. 상기 게이트 도전층은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 도전층이 배치된 상기 제1 절연층(120) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 상기 게이트 도전층의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제2 절연층(130)은 상기 제1 절연층(130)상에서 상기 게이트 도전층을 덮으며, 상기 게이트 도전층의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수도 있다. 상기 제2 절연층(130)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(130)은 복수의 층으로 형성될 수 있다.
상기 소스 드레인 도전층이 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 소스 드레인 도전층은 상기 제2 절연층(130) 및 상기 제1 절연층(120) 통해 형성되는 콘택홀을 통해 상기 액티브 패턴(ACT)과 연결되는 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 및 드레인 전극들(SE, DE) 및 데이터 라인(미도시) 등을 포함할 수 있다. 상기 데이터 도전층은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 비아 절연층(VIA)은 상기 소스 드레인 도전층이 배치된 상기 제2 절연층(130) 상에 배치될 수 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. 상기 비아 절연층(VIA)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등의 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 비아 절연층(VIA) 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 사용하여 형성될 수도 있다.
상기 발광 구조물(180)은 제1 전극(181), 발광층(182) 및 제2 전극(183)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(181)은 상기 비아 절연층(160) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제1 전극(181)은 반사성을 갖는 물질 또는 투광성을 갖는 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(181)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 전극(181)은 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 제1 전극(181)이 배치된 상기 제6 절연층(170) 상에 배치될 수 있다. 상기 화소 정의막(PDL)은 유기 물질, 무기 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 화소 정의막(PDL)을 식각하여 상기 제1 전극(181)을 부분적으로 노출시키는 개구(opening)를 형성할 수 있다. 이러한 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 의해 상기 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역이 정의될 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 정의막(PDL)의 개구가 위치하는 부분이 상기 표시 영역에 해당될 수 있으며, 상기 비표시 영역은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구에 인접하는 부분에 해당될 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 개구를 통해 노출되는 상기 제1 전극(181)상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 발광층(182)은 상기 화소 정의막(PDL)의 상기 개구의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광층(182)은 유기 발광층(EL), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL) 등을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 유기 발광층(EL)을 제외하고, 상기 정공 주입층(HIL), 상기 정공 수송층(HTL), 상기 전자 수송층(ETL) 및 상기 전자 주입층(EIL)은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 전극(182)과 유사하게, 상기 베이스 기판(100) 전체에 대응하여 형성될 수 있다. 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 상기 표시 장치의 각 화소에 따라 적색광, 녹색광, 청색광 등과 같은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 발광층(182)의 유기 발광층은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 상이한 색광들을 구현할 수 있는 복수의 발광 물질들이 적층되어 백색광을 발광하는 구조를 가질 수도 있다. 이때, 상기 발광 구조물들은 복수의 화소들에 대응되도록 공통적으로 형성되고, 상기 컬러 필터층에 의해 각각의 화소들이 구분될 수 있다.
상기 제2 전극(183)은 상기 화소 정의막(PDL) 및 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 표시 장치의 발광 방식에 따라, 상기 제2 전극(183)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(183)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극(183)도 금속막, 합금막, 금속 질화물막, 도전성 금속 산화물막 및/또는 투명 도전성 물질막을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 발광층 상에 캡핑층(도 3의 CPL 참조)이 더 형성될 수 있다.
상기 박막 봉지층(190)은 상기 제2 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 외부의 습기 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 상기 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층을 구비할 수 있다. 적어도 하나의 유기층과 적어도 하나의 무기층은 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 예를 들면, 상기 박막 봉지층(TFE)은 제1 무기층(191), 제2 무기층(193) 및 상기 제1 무기층(191)과 상기 제2 무기층(193) 사이의 유기층(192)을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
상기 오버 코팅층(OC)은 상기 제2 무기층(193) 상에 상기 표시 장치의 전체적인 높이를 보상하기 위해 상기 개구 주변 영역(HPA)에 형성될 수 있다.
한편, 상기 개구 주변 영역(HPA)에는 상기 베이스 기판(100) 상에 평면상에서 상기 개구 영역(HA)을 둘러싸는 트렌치(TC)가 형성될 수 있다. 상기 트렌치(TC)에 의해, 상기 발광층(180)의 상기 정공 주입층(HIL), 상기 정공 수송층(HTL), 상기 전자 수송층(ETL) 및 상기 전자 주입층(EIL) 등의 공통적으로 형성되는 층, 상기 제2 전극(183), 및 상기 캡핑층 등은 상기 그루부(TC)에서 단절되는 구조를 가질 수 있다. 상기 박막 봉지층(190)의 상기 제1 무기층(191)은 우수한 스텝 커버리지(step coverage)를 갖도록 형성되는 경우, 상기 트렌치(TC)의 측면을 따라 형성될 수 있다.
이때, 상기 박막 봉지층의 상기 제1 무기층(191)은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층을 포함하므로, 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방지할 수 있다. 상기 고밀도층에 대한 상세한 설명은 도 4에서 후술한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 표시 장치는 베이스 기판(100), 제1 전극(181), 발광층(182), 제2 전극(182), 캡핑층(CPL), 및 박막 봉지층(190)을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(181)은 상기 베이스 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 전극(181)은 정공을 주입하는 애노드(anode)일 수 있다.
상기 발광층(182)은 상기 제1 전극(181) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광층(182)은 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 유기 발광층(EL), 전자 수송층(ETL), 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(183)은 상기 발광층(182) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 전극(183)은 전자를 주입하는 캐소드(cathode)일 수 있다.
상기 캡핑층(CPL)은 상기 제2 전극(183) 상에 배치될 수 있다. 상기 캡핑층은 발광 구조물(180)을 보호하면서 동시에 상기 발광 구조물(180)에서 발생된 빛이 효율적으로 외부를 향해 방출될 수 있도록 돕는 역할을 한다.
상기 박막 봉지층(190)은 상기 캡핑층(CPL) 상에 배치될 수 있다. 상기 박막봉지(Thin film encapsulation은 무기막과 유기막을 교호적으로 적층하는 다층 구조를 가질 수 있으며, 상기 박막 봉지층(190)은 수분 및 산소의 침투를 막아, 상기 발광 구조물(180)을 보호할 수 있다. 상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기층(191)은 저밀도층(191a) 및 고밀도층(191H)을 포함할 수 있다.
상기 저밀도층(191a)은 2.0g/cm3 미만의 밀도를 가질 수 있다. 저밀도층은 1.7미만의 굴절율을 가질 수 있다. 상기 고밀도층(191H)은 상기 저밀도층(191a) 상에 배치될 수 있다. 상기 고밀도층(191H)과 상기 저밀도층(191a)은 서로 접촉할 수 있다. 상기 고밀도층(191H)은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 가질 수 있다. 상기 고밀도층(191H)과 상기 저밀도층(191a)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 고밀도층(191H)의 두께는 1nm 내지 1um일 수 있다. 상기 고밀도층(191H)은 도 9에서 후술하는 바와 같이, 저밀도층의 상부 일부에 플라즈마 처리 등의 후처리를 통해, 고밀도화 하여 형성할 수 있다.
상기 제1 무기층(191)은 실리콘 산화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 질화물 등 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 무기층(191)은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함할 수 있다.
상기 유기층(192)은 상기 제1 무기층(191) 상에 배치될 수 있다. 상기 유기층(192)은 아크릴레이트(acrylate), 에폭시(epoxy) 등을 기반으로 하는 고분자화합물로 구성될 수 있다.
상기 제2 무기층(193)은 상기 유기층(192) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2 무기층(193)은 산화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 질화물 등 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 박막 봉지층(190)은 고밀도층(191H) 및 저밀도층(191a)의 위치를 제외하면, 도 4의 표시 장치의 박막 봉지층과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층(191)은 고밀도층(191H) 및 저밀도층(191a)을 포함할 수 있다. 상기 저밀도층(191a)은 상기 고밀도층(191H) 상에 배치될 수 있다. 상기 고밀도층(191H)은 도 10에서 후술하는 바와 같이, 하부 저밀도층을 형성한후 플라즈마 처리 등의 후처리를 통해, 고밀도화 하여 형성할 수 있다. 이후, 상기 저밀도층(191a)을 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 박막 봉지층(190)은 제2 무기층(193)에도 고밀도층(193H)이 추가적으로 형성된 것을 제외하면, 도 4의 표시 장치의 박막 봉지층과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층(191)은 저밀도층(191a) 및 상기 저밀도층(191a) 상에 배치된 고밀도층(191H)을 포함할 수 있다. 상기 제2 무기층(193)은 저밀도층(193a) 및 상기 저밀도층(193a) 상에 배치된 고밀도층(193H)을 포함할 수 있다.
본 실시에에 따르면, 이중으로 형성된 고밀도층에 의해, 외부로부터 수분 침투 방지 효과를 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 박막 봉지층의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(193)에 제1 고밀도층(191H1) 및 제2 고밀도층(191H2)이 이중으로 형성된 것을 제외하면, 도 4의 표시 장치의 박막 봉지층과 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 박막 봉지층(190)은 제1 무기층(191), 유기층(192) 및 제2 무기층(193)을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층(191)은 제1 고밀도층(191H1), 상기 제1 고밀도층(191H1) 상에 배치된 저밀도층(191a) 및 상기 저밀도층(191a) 상에 배치된 제2 고밀도층(191H2)을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8을 참조하면, 상기 표시 장치의 제조 방법은 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계(S100), 트렌치를 형성하는 단계(S200), 제1 전극을 형성하는 단계(S300), 발광층을 형성하는 단계(S400), 제2 전극을 형성하는 단계(S500), 및 박막 봉지층을 형성하는 단계(S600)을 포함할 수 있다.
베이스 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계(S100)에서는 베이스 기판 상에 박막 트랜지스터 및 절연층들을 형성할 수 있다.
상기 트렌치를 형성하는 단계(S200)에서는 상기 베이스 기판에 트렌치를 형성할 수 있다.
상기 제1 전극을 형성하는 단계(S300)에서는 상기 박막 트랜지스터 및 절연층들 상에 제1 전극을 형성할 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계(S400)에서는 상기 제1 전극 상에 발광층을 형성할 수 있다.
상기 제2 전극을 형성하는 단계(S500)에서는 상기 발광층 상에 제2 전극을 형성할 수 있다.
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계(S600)에서는 상기 제2 전극 상에 박막 봉지층을 형성할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 9를 참조하면, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 제1 무기층을 형성하는 단계(S610), 후처리 단계(S620), 유기층을 형성하는 단계(S630), 및 제2 무기층을 형성하는 단계(S640)을 포함할 수 있다.
상기 제1 무기층을 형성하는 단계(S610)에서는 제1 무기층의 저밀도층을 형성할 수 있다. 상기 저밀도층은 2.0g/cm3 미만의 밀도를 가질 수 있다. 상기 저밀도층은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함할 수 있다. 상기 제1 무기층을 형성하는 단계(S610)에서는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 상기 저밀도층을 형성할 수 있으며, 이때 공정 가스로는 SiH4, N2O, NH3, N2O, 및 H2를 사용할 수 있다.
상기 후처리 단계(S620)에서는 상기 저밀도층의 상부에 후처리 공정을 진행하여, 상기 저밀도층의 상부를 고밀도층으로 변환할 수 있다. 상기 후처리 공정은 수소 또는 수소 및 질소를 사용한 플라즈마 처리 공정일 수 있다.
이때, 상기 후처리 공정에서의 플라즈마 파워는 상기 저밀도층을 형성하기 위한 플라즈마 파워(power)의 1/3 내지 1일 수 있다. 상기 후처리 공정에서의 공정 압력(pressure)은 상기 저밀도층을 형성하기 위한 공정 압력 보다 높을 수 있다. 예를 들면, 상기 후처리 공정에서의 공정 압력은 1torr 내지 1.8torr일 수 있다.
상기 후처리 공정에 의해, 상기 저밀도층 및 상기 고밀도층을 포함하는 상기 제1 무기층의 두께가 줄어드는 것을 확인할 수 있으며, 이로부터, 상기 고밀도층의 형성을 확인할 수 있으며(아래 표1 참조), 상기 고밀도층의 적절한 두께를 얻기 위해, 상기 후처리 시간을 조절할 수 있을 것이다.
| 후처리 시간(s) | 0 | 60 | 120 | 240 |
| 두께(Å) | 3238 | 3219 | 3140 | 3040 |
상기 유기층을 형성하는 단계(S630)에서는 상기 제1 무기층 상에 유기층을 형성할 수 있다.
상기 제2 무기층을 형성하는 단계(S640)에서는 상기 유기층 상에 제2 무기층을 형성할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 박막 봉지층을 형성하는 단계를 상세히 나타낸 순서도이다.
도 10을 참조하면, 상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 제1 하부 무기층을 형성하는 단계(S602), 후처리 단계(S604), 제1 상부 무기층을 형성하는 단계(S606), 유기층을 형성하는 단계(S630) 및 제2 무기층을 형성하는 단계(S640)를 포함할 수 있다.
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는 고밀도층을 저밀도층 아래 형성하기 위해, 상기 제1 하부 무기층을 형성하는 단계(S602)에서 저밀도층인 제1 하부 무기층을 형성한 후, 이를 상기 후처리 단계(S604)에서 후처리 하여 고밀도층을 형성한 후, 상기 제1 상부 무기층을 형성하는 단계(S606)에서 상기 고밀도층 상에 저밀도층을 다시 형성하는 것을 제외하고, 도 9의 박막 봉지층을 형성하는 단계와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 12a는 도 11의 전자 기기가 텔레비전으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이며, 도 12b는 도 11의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 11 내지 도 12b를 참조하면, 전자 기기(500)는 프로세서(510), 메모리 장치(520), 스토리지 장치(530), 입출력 장치(540), 파워 서플라이(550) 및 표시 장치(560)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 표시 장치(560)는 도 1의 표시 장치에 상응할 수 있다. 상기 전자 기기(500)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 12a에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 텔레비전으로 구현될 수 있다. 다른 실시예에서, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 전자 기기(500)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서 상기 전자 기기(500)는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 전자 기기(500)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 등으로 구현될 수도 있다.
상기 프로세서(510)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(Central Processing Unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(Application Processor; AP) 등일 수 있다. 상기 프로세서(510)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 프로세서(510)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 상기 메모리 장치(520)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 메모리 장치(520)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 상기 스토리지 장치(530)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(540)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 상기 파워 서플라이(550)는 상기 전자 기기(500)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
상기 표시 장치(560)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 상기 표시 장치(560)는 상기 입출력 장치(540)에 포함될 수도 있다. 상술한 바와 같이, 상기 표시 장치(560)는 고밀도층과 저밀도층을 포함하는 무기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함한다. 이에 따라, 외부로부터의 수분 침투를 효과적으로 방지할 수 있다. 특히, 표시 영역 내에 카메라 등의 광학 모듈을 위치시키기 위한 개구 영역을 포함하는 표시 장치의 경우, 수분침투가 용이한 개구 영역으로부터의 수분 침투를 트렌치 내에 배치되는 상기 고밀도층이 효과적으로 방지할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 전자 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 베이스 기판 110: 버퍼층
TFT: 박막 트랜지스터 120: 제1 절연층
130: 제2 절연층 VIA: 비아 절연층
PDL: 화소 정의막 180: 발광 구조물
190: 박막 봉지층 191a: 저밀도층
191H: 고밀도층
TFT: 박막 트랜지스터 120: 제1 절연층
130: 제2 절연층 VIA: 비아 절연층
PDL: 화소 정의막 180: 발광 구조물
190: 박막 봉지층 191a: 저밀도층
191H: 고밀도층
Claims (20)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상에 배치되고 적어도 하나 이상의 무기층과 적어도 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고,
상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함하고, 상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 서로 접촉하며,
상기 고밀도층은 상기 저밀도층의 일부가 후처리 공정으로 변환되어 형성되고,
상기 후처리 공정은 수소 또는 수소 및 질소를 사용한 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 고밀도층과 상기 저밀도층은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 저밀도층은 1.7미만의 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 고밀도층은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 박막 봉지층은,
제1 무기층;
상기 제1 무기층 상에 배치되는 유기층; 및
상기 유기층 상에 배치되는 제2 무기층을 포함하고,
상기 제1 무기층은 상기 고밀도층 및 상기 저밀도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 저밀도층은 상기 베이스 기판과 상기 고밀도층 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 고밀도층은 상기 저밀도층과 상기 베이스 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 고밀도층의 두께는 1nm 내지 1um인 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 배치되는 발광 구조물; 및
상기 발광 구조물 상에 배치되고 적어도 하나 이상의 무기층과 적어도 하나 이상의 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 포함하고,
상기 박막 봉지층의 상기 무기층은
2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 하부 고밀도층;
상기 하부 고밀도층 상에 배치되고, 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층; 및
상기 저밀도층 상에 배치되고, 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 상부 고밀도층을 포함하고,
상기 저밀도층은 상기 하부 고밀도층 및 상기 상부 고밀도층과 접하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 광을 투과하는 개구 영역, 상기 개구 영역을 둘러싸는 비표시 영역인 개구 주변 영역, 및 상기 개구 주변 영역을 둘러싸는 표시 영역을 포함하고,
상기 개구 주변 영역 내에, 상기 베이스 기판에 트렌치가 형성되고, 상기 트렌치 내에 상기 무기층이 위치하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. - 베이스 기판 상에 발광 구조물을 형성하는 단계; 및
상기 발광 구조물을 커버하도록, 무기층 및 유기층을 포함하는 박막 봉지층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 박막 봉지층의 상기 무기층은 2.0g/cm3 이상의 밀도를 갖는 고밀도층 및 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 저밀도층을 포함하며,
상기 고밀도층은 상기 저밀도층의 일부가 후처리 공정으로 변환되어 형성되고,
상기 후처리 공정은 수소 또는 수소 및 질소를 사용한 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는
2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 제1 무기층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 무기층 상에 상기 후처리 공정을 진행하여, 상기 제1 무기층의 상부를 상기 고밀도층으로 변환하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제12 항에 있어서,
상기 제1 무기층을 형성하는 단계는 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 후처리 공정에서의 플라즈마 파워는 상기 제1 무기층을 형성하는 단계에서의 상기 플라즈마 파워(power)의 1/3 내지 1인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제13 항에 있어서,
상기 후처리 공정에서의 공정 압력(pressure)은 1torr 내지 1.8torr인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 박막 봉지층을 형성하는 단계는
2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 하부 무기층을 형성하는 단계;
상기 하부 무기층 상에 상기 후처리 공정을 진행하여, 상기 하부 무기층을 상기 고밀도층으로 변환하는 단계; 및
상기 고밀도층 상에 2.0g/cm3 미만의 밀도를 갖는 상부 무기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제11 항에 있어서,
상기 발광 구조물을 형성하는 단계는
상기 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 제1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제2 전극 및 캡핑층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 제2 전극 및 상기 캡핑층을 형성하는 단계 전에, 상기 베이스 기판 상에 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 제2 전극의 일부, 상기 캡핑층의 일부 및 상기 박막 봉지층의 상기 무기층의 일부는 상기 트렌치 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 고밀도층은 실리콘 산질화물(SiON)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법. - 제19 항에 있어서,
상기 고밀도층의 두께는 1nm 내지 1um인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190144298A KR102722552B1 (ko) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US16/991,542 US11456438B2 (en) | 2019-11-12 | 2020-08-12 | Display apparatus with thin film encapsulation layer and method of manufacturing the same |
| US17/902,063 US11963386B2 (en) | 2019-11-12 | 2022-09-02 | Display apparatus including layers of different densities and method of manufacturing the same |
| US18/599,589 US20240215301A1 (en) | 2019-11-12 | 2024-03-08 | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR1020240142914A KR20240156583A (ko) | 2019-11-12 | 2024-10-18 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190144298A KR102722552B1 (ko) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020240142914A Division KR20240156583A (ko) | 2019-11-12 | 2024-10-18 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210057884A KR20210057884A (ko) | 2021-05-24 |
| KR102722552B1 true KR102722552B1 (ko) | 2024-10-30 |
Family
ID=75845504
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190144298A KR102722552B1 (ko) | 2019-11-12 | 2019-11-12 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR1020240142914A KR20240156583A (ko) | 2019-11-12 | 2024-10-18 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020240142914A KR20240156583A (ko) | 2019-11-12 | 2024-10-18 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11456438B2 (ko) |
| KR (2) | KR102722552B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220082982A (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070043166A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-02-22 | Norihisa Hoshika | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device |
| CN101379107B (zh) * | 2006-03-31 | 2011-02-09 | 住友电木株式会社 | 用于半导体密封的树脂组合物和半导体器件 |
| US8373928B2 (en) * | 2007-04-19 | 2013-02-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Polarizer and organic light emitting display apparatus comprising the polarizer |
| KR101041145B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-06-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 폴리실세스퀴옥산 공중합체, 그의 제조방법, 이를 이용하는폴리실세스퀴옥산 공중합체 박막, 및 이를 이용하는유기전계발광표시장치 |
| JP5024220B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
| FR2949776B1 (fr) | 2009-09-10 | 2013-05-17 | Saint Gobain Performance Plast | Element en couches pour l'encapsulation d'un element sensible |
| KR101255537B1 (ko) * | 2010-11-26 | 2013-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조방법 |
| KR20120106453A (ko) | 2011-03-18 | 2012-09-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120109083A (ko) | 2011-03-24 | 2012-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| US9853245B2 (en) | 2011-10-14 | 2017-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| KR101954220B1 (ko) | 2012-09-14 | 2019-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 봉지 유닛, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101996436B1 (ko) | 2013-02-14 | 2019-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR102096054B1 (ko) * | 2013-08-14 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR102110918B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2020-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102324338B1 (ko) * | 2014-01-22 | 2021-11-09 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 검사 방법 |
| KR20150109557A (ko) | 2014-03-20 | 2015-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 |
| KR102321382B1 (ko) | 2014-04-18 | 2021-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 고분자 화합물 및 이를 포함하는 박막 봉지 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR102424597B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR20170029037A (ko) * | 2015-09-04 | 2017-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2017147191A (ja) | 2016-02-19 | 2017-08-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| KR20180002123A (ko) | 2016-06-28 | 2018-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102354865B1 (ko) | 2016-06-28 | 2022-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102394984B1 (ko) | 2017-09-04 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| US20190326554A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Encapsulation structure of organic light emitting diode and encapsulating method |
| KR102631515B1 (ko) * | 2018-11-12 | 2024-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패널, 트랜지스터 및 전자장치 |
-
2019
- 2019-11-12 KR KR1020190144298A patent/KR102722552B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-08-12 US US16/991,542 patent/US11456438B2/en active Active
-
2022
- 2022-09-02 US US17/902,063 patent/US11963386B2/en active Active
-
2024
- 2024-03-08 US US18/599,589 patent/US20240215301A1/en active Pending
- 2024-10-18 KR KR1020240142914A patent/KR20240156583A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210057884A (ko) | 2021-05-24 |
| US11456438B2 (en) | 2022-09-27 |
| US20210143369A1 (en) | 2021-05-13 |
| US20220416207A1 (en) | 2022-12-29 |
| US20240215301A1 (en) | 2024-06-27 |
| US11963386B2 (en) | 2024-04-16 |
| KR20240156583A (ko) | 2024-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11380875B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US12004381B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US11968880B2 (en) | Display device with load matching device overlapping non-display area | |
| US12058907B2 (en) | Method of manufacturing display apparatus having second electrode that contacts second conductive layer | |
| US20220123085A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| KR20200049979A (ko) | 표시 장치 | |
| US10243027B2 (en) | Display panel, fabricating method thereof, and display apparatus | |
| KR20240156583A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200037898A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200034876A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20200029678A (ko) | 표시 장치 | |
| US11289560B2 (en) | Display apparatus having a ring dummy pattern and a method of manufacturing the same | |
| KR102708663B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102624491B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102606687B1 (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200116568A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20200103905A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20200047832A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |