KR102415319B1

KR102415319B1 - Gas supply unit and substrate treating apparatus including the same

Info

Publication number: KR102415319B1
Application number: KR1020150159051A
Authority: KR
Inventors: 강동훈; 김남규; 김광수
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2015-11-12
Filing date: 2015-11-12
Publication date: 2022-07-01
Also published as: KR20170056086A

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 공정 챔버의 상부로부터 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛;을 포함하되, 상기 기체 공급 유닛은, 내부 공간을 가지는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되며, 상기 내부 공간을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 분기 판과; 상기 제 1 영역으로 기체를 공급하는 공급 부재와; 상기 공급 부재로부터 공급되는 기체를 필터링 하는 필터를 포함하고, 상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 일측에 위치되고, 상기 제 2 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 타측에 위치되며, 상기 하우징의 하부벽의 상기 제 2 영역에 대향되는 영역에는 상기 제 2 영역 및 상기 처리 공간과 연통되는 개구가 형성되고, 상기 분기 판에는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역과 연통되는 분기 홀이 형성된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber having a processing space therein; a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; a gas supply unit supplying a gas from an upper portion of the process chamber to the processing space, wherein the gas supply unit includes: a housing having an interior space; a branch plate provided in the housing and dividing the inner space into a first area and a second area; a supply member for supplying a gas to the first region; and a filter for filtering the gas supplied from the supply member, wherein the first region is located on one side of the branch plate when viewed from above, and the second region is a portion of the branch plate when viewed from the top. An opening communicating with the second region and the processing space is formed in a region opposite to the second region of the lower wall of the housing, and the first region and the second region are formed in the branch plate; A communicating branch hole is formed.

Description

GAS SUPPLY UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME

본 발명은 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for liquid processing a substrate.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.In order to manufacture a semiconductor device, various processes such as cleaning, deposition, photography, etching, and ion implantation are performed. Among these processes, the photographic process sequentially performs application, exposure, and development steps. The coating process is a process of applying a photosensitive liquid such as a resist to the surface of the substrate. The exposure process is a process of exposing a circuit pattern on a substrate on which a photosensitive film is formed. The developing process is a process of selectively developing an exposed region of the substrate.

이러한 공정들은 일반적으로 기판을 처리하는 공정이 수행되는 처리 공간을 가지는 챔버 내에서 수행된다. 여기서 도포 공정은 챔버 내의 압력을 양압화하여 챔버 외부로부터 이물질이 유입되는 것을 방지하기 위해 공정 진행 시 챔버 내부로 청정 공기를 공급하여 하강 기류를 형성한다. 이 경우, 청정 공기가 처리 공간 내로 균일하게 확산되도록 처리 공간 내로 청정 공기가 균일하게 공급되는 것이 요구된다.These processes are generally performed in a chamber having a processing space in which a process for processing a substrate is performed. Here, in the coating process, a downdraft is formed by supplying clean air into the chamber during the process in order to prevent foreign substances from entering from outside the chamber by increasing the pressure in the chamber to positive pressure. In this case, it is required that clean air is uniformly supplied into the processing space so that the clean air is uniformly diffused into the processing space.

본 발명은 청정 공기를 챔버 내로 균일하게 공급할 수 있는 장치를 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide an apparatus capable of uniformly supplying clean air into a chamber.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판 상에 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 공정 챔버의 상부로부터 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛;을 포함하되, 상기 기체 공급 유닛은, 내부 공간을 가지는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되며, 상기 내부 공간을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 분기 판과; 상기 제 1 영역으로 기체를 공급하는 공급 부재와; 상기 공급 부재로부터 공급되는 기체를 필터링 하는 필터를 포함하고, 상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 일측에 위치되고, 상기 제 2 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 타측에 위치되며, 상기 하우징의 하부벽의 상기 제 2 영역에 대향되는 영역에는 상기 제 2 영역 및 상기 처리 공간과 연통되는 개구가 형성되고, 상기 분기 판에는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역과 연통되는 분기 홀이 형성된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to an embodiment, a substrate processing apparatus includes: a process chamber having a processing space therein; a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space; a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit; a gas supply unit supplying a gas from an upper portion of the process chamber to the processing space, wherein the gas supply unit includes: a housing having an interior space; a branch plate provided in the housing and dividing the inner space into a first area and a second area; a supply member for supplying a gas to the first region; and a filter for filtering the gas supplied from the supply member, wherein the first region is located on one side of the branch plate when viewed from above, and the second region is a portion of the branch plate when viewed from the top. An opening communicating with the second region and the processing space is formed in a region opposite to the second region of the lower wall of the housing, and the first region and the second region are formed in the branch plate; A communicating branch hole is formed.

상기 분기 판은 서로 평행하고, 이격되게 제공되는 제 1 판과 제 2 판을 포함하고, 상기 제 1 영역은 상기 제 1 판과 상기 제 2 판의 사이에 위치된다.The branch plate includes a first plate and a second plate provided parallel to each other and spaced apart, and the first region is located between the first plate and the second plate.

상기 분기 홀은 복수개가 서로 상기 분기 판의 길이 방향을 따라 배열된다.A plurality of the branch holes are arranged along the longitudinal direction of the branch plate.

상기 복수개의 분기 홀 중 일부는 서로 상이한 크기로 제공된다.Some of the plurality of branch holes are provided in different sizes.

상기 분기 홀의 크기는 상기 분기 판의 양 끝단에서 중심으로 갈수록 크게 제공된다.The size of the branch hole increases from both ends of the branch plate toward the center.

상기 분기 홀은 상기 분기 판의 길이 방향을 따라 제공된 슬릿 형상이다.The branch hole has a slit shape provided along the longitudinal direction of the branch plate.

상기 필터는 상기 분기 판의 상기 제 1 영역을 바라보는 측면에 인접하게 위치된다.The filter is positioned adjacent to the side facing the first area of the divergence plate.

상기 개구는 상기 분기 판의 길이 방향과 평행한 길이 방향을 가지고, 상기 분기 판의 상기 분기홀이 제공된 영역에 대응되는 길이를 가지는 슬릿 형상으로 제공된다.The opening has a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the branch plate and is provided in a slit shape having a length corresponding to a region in which the branch hole is provided.

상기 하우징의 상기 제 1 영역에 직접 접하는 일 측면에는 상기 공급 부재로부터 기체가 유입되는 유입구가 형성된다.An inlet through which the gas flows from the supply member is formed at one side of the housing directly contacting the first area.

또한, 본 발명은 기체 공급 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정 챔버의 상부로부터 상기 처리 공간으로 기체를 공급하는 기체 공급 유닛은, 내부 공간을 가지는 하우징과; 상기 하우징 내에 제공되며, 상기 내부 공간을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 분기 판과; 상기 제 1 영역으로 기체를 공급하는 공급 부재와; 상기 공급 부재로부터 공급되는 기체를 필터링 하는 필터를 포함하고, 상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 일측에 위치되고, 상기 제 2 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 분기 판의 타측에 위치되며, 상기 하우징의 하부벽의 상기 제 2 영역에 대향되는 영역에는 상기 제 2 영역 및 상기 처리 공간과 연통되는 개구가 형성되고, 상기 분기 판에는 상기 제 1 영역 및 상기 제 2 영역과 연통되는 분기 홀이 형성된다.The present invention also provides a gas supply unit. According to an embodiment, a gas supply unit for supplying a gas to the processing space from an upper portion of a process chamber having a processing space for processing a substrate therein may include: a housing having an interior space; a branch plate provided in the housing and dividing the inner space into a first area and a second area; a supply member for supplying a gas to the first region; and a filter for filtering the gas supplied from the supply member, wherein the first region is located on one side of the branch plate when viewed from above, and the second region is a portion of the branch plate when viewed from the top. An opening communicating with the second region and the processing space is formed in a region opposite to the second region of the lower wall of the housing, and the first region and the second region are formed in the branch plate; A communicating branch hole is formed.

상기 분기 판은 서로 평행하고, 이격되게 제공되는 제 1 판과 제 2 판을 포함하고, 상기 제 1 영역은 상기 제 1 판 및 상기 제 2 판의 사이에 위치된다.The branch plate includes a first plate and a second plate provided parallel to and spaced apart from each other, and the first region is positioned between the first plate and the second plate.

상기 분기 홀은 복수개가 서로 상기 분기 판의 길이 방향을 따라 배열되고, 상기 복수개의 분기 홀 중 일부는 서로 상이한 크기로 제공된다.A plurality of the branch holes are arranged along the longitudinal direction of the branch plate, and some of the plurality of branch holes are provided with different sizes.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 본 발명의 장치는 청정 공기를 챔버 내로 균일하게 공급할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the apparatus of the present invention can uniformly supply clean air into the chamber.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 기체 공급 유닛을 상부에서 바라본 단면도이다.
도 7은 도 4의 분기 판을 보여주는 측면도이다.
도 8은 도 4의 기판 처리 장치가 적층되게 제공된 경우 공급 부재가 연결된 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view of a substrate processing facility viewed from above.
FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 as viewed from the AA direction.
FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 as viewed from the BB direction.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the application chamber of FIG. 1 .
5 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 4 .
6 is a cross-sectional view of the gas supply unit of FIG. 4 as viewed from above.
Fig. 7 is a side view showing the branch plate of Fig. 4;
8 is a view illustrating a state in which the supply member is connected when the substrate processing apparatus of FIG. 4 is provided to be stacked.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description.

본 실시 예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.The equipment of this embodiment may be used to perform a photolithography process on a substrate such as a semiconductor wafer or a flat panel display panel. In particular, the equipment of this embodiment may be connected to an exposure apparatus and used to perform a coating process and a developing process on a substrate. Hereinafter, a case in which a wafer is used as a substrate will be described as an example.

도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 1 is a view of the substrate processing facility viewed from the top, FIG. 2 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the direction A-A, and FIG. 3 is a view of the facility of FIG. 1 viewed from the direction B-B.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.1 to 3 , the substrate processing facility 1 includes a load port 100 , an index module 200 , a buffer module 300 , a coating and developing module 400 , and an interface module 700 . . The load port 100 , the index module 200 , the buffer module 300 , the application and development module 400 , and the interface module 700 are sequentially arranged in a line in one direction.

이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.Hereinafter, the direction in which the load port 100 , the index module 200 , the buffer module 300 , the application and development module 400 , and the interface module 700 are arranged is referred to as a first direction 12 , and is viewed from the top. When viewed, a direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 , and a direction perpendicular to the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction 16 .

기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved while being accommodated in the cassette 20 . At this time, the cassette 20 has a structure that can be sealed from the outside. For example, as the cassette 20, a Front Open Unified Pod (FOUP) having a door at the front may be used.

이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the load port 100 , the index module 200 , the buffer module 300 , the coating and developing module 400 , and the interface module 700 will be described in detail.

로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The load port 100 has a mounting table 120 on which the cassette 20 in which the substrates W are accommodated is placed. A plurality of mounting tables 120 are provided, and the mounting tables 200 are arranged in a line along the second direction 14 . In FIG. 1, four mounting tables 120 were provided.

인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The index module 200 transfers the substrate W between the cassette 20 placed on the mounting table 120 of the load port 100 and the buffer module 300 . The index module 200 includes a frame 210 , an index robot 220 , and a guide rail 230 . The frame 210 is generally provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the load port 100 and the buffer module 300 . The frame 210 of the index module 200 may be provided at a lower height than the frame 310 of the buffer module 300 to be described later. The index robot 220 and the guide rail 230 are disposed in the frame 210 . The index robot 220 is a 4-axis drive so that the hand 221 that directly handles the substrate W can be moved and rotated in the first direction 12 , the second direction 14 , and the third direction 16 . It has this possible structure. The index robot 220 has a hand 221 , an arm 222 , a support 223 , and a pedestal 224 . The hand 221 is fixedly installed on the arm 222 . The arm 222 is provided in a telescoping structure and a rotatable structure. The support 223 is disposed along the third direction 16 in its longitudinal direction. The arm 222 is coupled to the support 223 to be movable along the support 223 . The support 223 is fixedly coupled to the support 224 . The guide rail 230 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the second direction 14 . The pedestal 224 is coupled to the guide rail 230 so as to be linearly movable along the guide rail 230 . In addition, although not shown, the frame 210 is further provided with a door opener for opening and closing the door of the cassette 20 .

버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The buffer module 300 includes a frame 310 , a first buffer 320 , a second buffer 330 , a cooling chamber 350 , and a buffer robot 360 . The frame 310 is provided in the shape of a rectangular parallelepiped with an empty interior, and is disposed between the index module 200 and the application and development module 400 . The first buffer 320 , the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the buffer robot 360 are positioned in the frame 310 . The cooling chamber 350 , the second buffer 330 , and the first buffer 320 are sequentially disposed along the third direction 16 from the bottom. The first buffer 320 is positioned at a height corresponding to the application module 401 of the coating and developing module 400 to be described later, and the second buffer 330 and the cooling chamber 350 are provided in the coating and developing module (to be described later) ( It is located at a height corresponding to the developing module 402 of the 400). The buffer robot 360 is positioned to be spaced apart from the second buffer 330 , the cooling chamber 350 , and the first buffer 320 by a predetermined distance in the second direction 14 .

제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The first buffer 320 and the second buffer 330 temporarily store the plurality of substrates W, respectively. The second buffer 330 has a housing 331 and a plurality of supports 332 . The supports 332 are disposed in the housing 331 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 332 . In the housing 331 , the index robot 220 , the buffer robot 360 , and the developing unit robot 482 of the developing module 402 to be described later load the substrate W into the support 332 in the housing 331 , or An opening (not shown) is provided in a direction in which the index robot 220 is provided, a direction in which the buffer robot 360 is provided, and a direction in which the developing unit robot 482 is provided so that it can be taken out. The first buffer 320 has a structure substantially similar to that of the second buffer 330 . However, the housing 321 of the first buffer 320 has an opening in the direction in which the buffer robot 360 is provided and the direction in which the applicator robot 432 positioned in the application module 401 is provided, which will be described later. The number of supports 322 provided in the first buffer 320 and the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be the same or different. According to an example, the number of supports 332 provided in the second buffer 330 may be greater than the number of supports 322 provided in the first buffer 320 .

버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The buffer robot 360 transfers the substrate W between the first buffer 320 and the second buffer 330 . The buffer robot 360 has a hand 361 , an arm 362 , and a support 363 . The hand 361 is fixedly installed on the arm 362 . The arm 362 is provided in a telescoping structure such that the hand 361 is movable along the second direction 14 . The arm 362 is coupled to the support 363 so as to be linearly movable in the third direction 16 along the support 363 . The support 363 has a length extending from a position corresponding to the second buffer 330 to a position corresponding to the first buffer 320 . The support 363 may be provided longer than this in the upward or downward direction. The buffer robot 360 may simply be provided such that the hand 361 is only biaxially driven along the second direction 14 and the third direction 16 .

냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling chamber 350 cools the substrate W, respectively. The cooling chamber 350 has a housing 351 and a cooling plate 352 . The cooling plate 352 has an upper surface on which the substrate W is placed and cooling means 353 for cooling the substrate W. As the cooling means 353, various methods such as cooling by cooling water or cooling using a thermoelectric element may be used. Also, a lift pin assembly (not shown) for positioning the substrate W on the cooling plate 352 may be provided in the cooling chamber 350 . The housing 351 includes the index robot 220 and the index robot 220 so that the developing unit robot 482 provided in the developing module 402 to be described later can load or unload the substrate W into or out of the cooling plate 352 . The provided direction and the developing unit robot 482 have an opening (not shown) in the provided direction. In addition, doors (not shown) for opening and closing the above-described opening may be provided in the cooling chamber 350 .

도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The coating and developing module 400 performs a process of applying a photoresist on the substrate W before the exposure process and a process of developing the substrate W after the exposure process. The application and development module 400 generally has a rectangular parallelepiped shape. The application and development module 400 includes an application module 401 and a development module 402 . The application module 401 and the developing module 402 are arranged to be partitioned between each other in layers. According to an example, the application module 401 is located above the developing module 402 .

도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. The application module 401 includes a process of applying a photoresist such as a photoresist to the substrate W and a heat treatment process such as heating and cooling on the substrate W before and after the resist application process. The application module 401 has a resist application chamber 410 , a bake chamber 420 , and a transfer chamber 430 . The resist application chamber 410 , the bake chamber 420 , and the transfer chamber 430 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the resist coating chamber 410 and the bake chamber 420 are spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 430 interposed therebetween. A plurality of resist coating chambers 410 are provided, and a plurality of resist coating chambers are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 420 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The transfer chamber 430 is positioned in parallel with the first buffer 320 of the buffer module 300 in the first direction 12 . An applicator robot 432 and a guide rail 433 are positioned in the transfer chamber 430 . The transfer chamber 430 has a generally rectangular shape. The applicator robot 432 transfers the substrate W between the bake chambers 420 , the resist application chambers 400 , and the first buffer 320 of the buffer module 300 . The guide rail 433 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 433 guides the applicator robot 432 to move linearly in the first direction 12 . The applicator robot 432 has a hand 434 , an arm 435 , a support 436 , and a pedestal 437 . The hand 434 is fixedly installed on the arm 435 . The arm 435 is provided in a telescoping structure so that the hand 434 is movable in the horizontal direction. The support 436 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 435 is coupled to support 436 so as to be movable linearly in third direction 16 along support 436 . The support 436 is fixedly coupled to the pedestal 437 , and the pedestal 437 is coupled to the guide rail 433 to be movable along the guide rail 433 .

레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 이와 달리, 선택적으로 레지스트 도포 챔버들(410)의 일부는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 도 4는 도 1의 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 5는 도 4의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따르면, 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판처리장치(800)로 제공된다. The resist application chambers 410 all have the same structure. However, the types of photoresists used in each resist application chamber 410 may be different from each other. Alternatively, selectively portions of the resist application chambers 410 may have different structures. As an example, a chemical amplification resist may be used as the photoresist. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus provided in the application chamber of FIG. 1 . 5 is a plan view illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 4 . 4 and 5 , according to an exemplary embodiment, the resist application chamber 410 is provided to the substrate processing apparatus 800 for applying photoresist on the substrate W. As shown in FIG.

기판 처리 장치(800)는 공정 챔버(810), 기체 공급 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890) 및 액 공급 유닛(840)을 포함한다. The substrate processing apparatus 800 includes a process chamber 810 , a gas supply unit 820 , a substrate support unit 830 , a processing container 850 , an elevation unit 890 , and a liquid supply unit 840 .

공정 챔버(810)는 내부에 기판을 처리하는 처리 처리 공간(812)을 가지는 직육면체의 통 형상으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 공정 챔버(810)의 처리 공간(812)을 밀폐한다. 공정 챔버(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 공정 챔버(810) 내에 기체 공급 유닛(820)에 의해 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.The process chamber 810 may be provided in the shape of a cuboid having a processing space 812 for processing a substrate therein. An opening (not shown) is formed at one side of the process chamber 810 . The opening functions as an inlet through which the substrate W is carried in and out. A door is installed in the opening, and the door opens and closes the opening. When the substrate processing process is performed, the door closes the opening to seal the processing space 812 of the process chamber 810 . An inner exhaust port 814 and an outer exhaust port 816 are formed on a lower surface of the process chamber 810 . The airflow formed by the gas supply unit 820 in the process chamber 810 is exhausted to the outside through the inner exhaust port 814 and the outer exhaust port 816 . According to an example, the airflow provided in the processing vessel 850 may be exhausted through the inner exhaust port 814 , and the airflow provided outside the processing vessel 850 may be exhausted through the outer exhaust port 816 .

도 6은 도 4의 기체 공급 유닛(820)을 상부에서 바라본 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참고하면, 기체 공급 유닛(820)은 공정 챔버(810)의 상부로부터 공정 챔버(810)의 처리 공간(812)으로 기체를 공급하여 처리 공간(812)에 하강 기류를 형성한다. 예를 들면, 기체는 공정 챔버(810)의 외부의 공기일 수 있다. 따라서, 처리 공간(812) 내의 잔류 가스는 용이하게 배출되고, 처리 공간(812) 내부의 압력을 외부의 압력보다 크도록 양압화 함으로써, 공정 챔버(810)의 외부로부터 처리 공간(812) 내부로 이물질이 유입되는 것을 방지한다. 일 실시 예에 따르면, 기체 공급 유닛(820)은 하우징(821), 분기 판(822), 공급 부재(823) 및 필터(824)를 포함한다. 6 is a cross-sectional view of the gas supply unit 820 of FIG. 4 as viewed from above. 5 and 6 , the gas supply unit 820 supplies gas from an upper portion of the process chamber 810 to the processing space 812 of the process chamber 810 to form a downdraft in the processing space 812 . do. For example, the gas may be air outside the process chamber 810 . Accordingly, the residual gas in the processing space 812 is easily discharged, and the pressure inside the processing space 812 is increased to a positive pressure to be greater than the external pressure, so that the inside of the processing space 812 from the outside of the processing chamber 810 is discharged. Prevents foreign substances from entering. According to an embodiment, the gas supply unit 820 includes a housing 821 , a branch plate 822 , a supply member 823 , and a filter 824 .

하우징(821)은 내부 공간을 가진다. 공급 부재(823)에 의해 공급되는 기체는 하우징(821)의 내부 공간을 통해 공정 챔버(810)의 처리 공간(812)으로 공급된다. 내부 공간은 하우징(821)의 내부에 제공된 분기 판(822)에 의해 제 1 영역(8211) 및 제 2 영역(8212)으로 구획된다. 공급 부재(823)에 의해 공급되는 기체는 제 1 영역(8211), 분기 판(822)에 형성된 분기홀(8221) 및 제 2 영역(8212)을 순차적으로 지나 처리 공간(812)으로 공급된다. 제 1 영역(8211)은 상부에서 바라볼 때, 분기 판(822)의 일측에 위치된다. 제 2 영역(8212)은 상부에서 바라볼 때, 분기 판(822)의 타측에 위치된다. 하우징(821)의 하부벽의 제 2 영역(8212)에 대향되는 영역에는 제 2 영역(8212) 및 처리 공간(812)과 연통되는 개구(8213)가 형성된다. 개구(8213)는 분기 판(822)의 길이 방향과 평행한 길이 방향을 가지고, 분기 판(822)의 분기홀(8221)이 제공된 영역에 대응되는 길이를 가지는 슬릿 형상으로 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 분기 판(822)은 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)을 포함한다. 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)에는 각각 분기홀(8221)이 형성된다. 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)에 형성된 분기 홀은 서로 동일한 형상 및 동일한 수로 제공될 수 있다. 이와 달리 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)에 형성된 분기홀(8221)은 형상 및 수가 서로 상이하게 제공될 수 있다. 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)은 서로 평행하고, 이격되게 제공된다. 이 경우, 제 1 영역(8211)은 제 1 판(8222)과 제 2 판(8223)의 사이에 위치된다. 하우징(821)의 제 1 영역(8211)에 직접 접하는 일 측면에는 공급 부재(823)로부터 기체가 유입되는 유입구(8214)가 형성된다. 따라서, 공급 부재(823)로부터 공급되는 기체는 유입구(8214)를 통해 제 1 영역(8211)으로 유입된다.The housing 821 has an interior space. The gas supplied by the supply member 823 is supplied to the processing space 812 of the process chamber 810 through the inner space of the housing 821 . The inner space is divided into a first area 8211 and a second area 8212 by a branch plate 822 provided inside the housing 821 . The gas supplied by the supply member 823 is sequentially supplied to the processing space 812 through the first region 8211 , the branch hole 8221 formed in the branch plate 822 , and the second region 8212 . The first region 8211 is located on one side of the branch plate 822 when viewed from the top. The second region 8212 is located on the other side of the branch plate 822 when viewed from above. An opening 8213 communicating with the second region 8212 and the processing space 812 is formed in a region opposite to the second region 8212 of the lower wall of the housing 821 . The opening 8213 has a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the branch plate 822 , and is provided in a slit shape having a length corresponding to a region in which the branch hole 8221 of the branch plate 822 is provided. According to one embodiment, the branch plate 822 includes a first plate 8222 and a second plate 8223 . Branch holes 8221 are formed in the first plate 8222 and the second plate 8223, respectively. The branch holes formed in the first plate 8222 and the second plate 8223 may be provided in the same shape and in the same number. Alternatively, the branch holes 8221 formed in the first plate 8222 and the second plate 8223 may be provided with different shapes and numbers. The first plate 8222 and the second plate 8223 are provided parallel to and spaced apart from each other. In this case, the first region 8211 is positioned between the first plate 8222 and the second plate 8223 . An inlet 8214 through which a gas is introduced from the supply member 823 is formed on one side of the housing 821 directly in contact with the first region 8211 . Accordingly, the gas supplied from the supply member 823 flows into the first region 8211 through the inlet 8214 .

도 7은 도 4의 분기 판(822)을 보여주는 측면도이다. 도 6 및 도 7을 참고하면, 분기 판(822)에는 제 1 영역(8211) 및 제 2 영역(8212)과 연통되는 분기홀(8221)이 형성된다. 분기홀(8221)은 복수개가 서로 분기 판(822)의 길이 방향을 따라 배열된다. 복수개의 분기홀(8221) 중 일부는 서로 상이한 크기로 제공된다. 예를 들면, 분기홀(8221)의 크기는 분기 판(822)의 양 끝단에서 분기 판(822)의 중심으로 갈수록 커지도록 제공된다. 이와 달리, 선택적으로 분기홀(8221)은 복수개가 서로 동일한 크기로 제공될 수 있다. 분기홀(8221)은 분기 판(822)의 길이 방향을 따라 제공된 슬릿 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 분기홀(8221)은 선택적으로 상이한 형상으로 제공될 수 있다. 분기홀(8221)의 형상, 크기, 수 및/또는 배치 형태는 처리 공간(812)으로 기체를 균일하게 공급하는 최적의 형상으로 제공된다. 형상, 크기, 수 및/또는 배치 형태는 시뮬레이션 또는 시험 가동의 결과에 의해 결정된다.FIG. 7 is a side view showing the branch plate 822 of FIG. 4 . 6 and 7 , a branch hole 8221 communicating with the first region 8211 and the second region 8212 is formed in the branch plate 822 . A plurality of branch holes 8221 are arranged along the longitudinal direction of the branch plate 822 with each other. Some of the plurality of branch holes 8221 are provided in different sizes. For example, the size of the branch hole 8221 is provided to increase from both ends of the branch plate 822 toward the center of the branch plate 822 . Alternatively, a plurality of branch holes 8221 may optionally be provided with the same size. The branch hole 8221 may be provided in a slit shape provided along the longitudinal direction of the branch plate 822 . Alternatively, the branch holes 8221 may be selectively provided in different shapes. The shape, size, number, and/or arrangement of the branch holes 8221 is provided as an optimal shape for uniformly supplying gas to the processing space 812 . The shape, size, number and/or configuration are determined by the results of simulations or trial runs.

다시 도 5 및 도 6을 참고하면, 공급 부재(823)는 하우징(821)의 내부 공간으로 공정 챔버(810)의 처리 공간(812)에 공급될 기체를 공급한다. 일 실시 예에 따르면, 공급 부재(823)는 제 1 영역(8211)으로 기체를 공급한다. 예를 들면, 공급 부재(823)는 팬(FAN, 8231) 및 공급 라인(8232)을 포함한다. 팬(8231)은 공급 라인(8232)을 통해 공정 챔버(810)의 외부의 기체를 유입구(8214)로 공급한다. 공급 라인(8232)에는 공급 라인(8232)을 개폐하는 밸브(8233)가 제공될 수 있다.Referring back to FIGS. 5 and 6 , the supply member 823 supplies a gas to be supplied to the processing space 812 of the process chamber 810 into the inner space of the housing 821 . According to an embodiment, the supply member 823 supplies the gas to the first region 8211 . For example, the supply member 823 includes a fan FAN 8231 and a supply line 8232 . The fan 8231 supplies the gas outside the process chamber 810 to the inlet 8214 through the supply line 8232 . The supply line 8232 may be provided with a valve 8233 for opening and closing the supply line 8232 .

도 8은 도 4의 기판 처리 장치(800)가 적층되게 제공된 경우 공급 부재(823)가 연결된 모습을 보여주는 도면이다. 도 8을 참고하면, 기판 처리 장치(800)가 복수개가 적층되게 제공되는 경우, 기체 공급 유닛()은 복수개의 기판 처리 장치(800)의 공정 챔버(810) 상부에 각각 대응되게 제공된다. 이 경우, 공급 라인(8232)은 하나의 팬(8231)과 연결되고, 일 지점에서 분기되어 각각의 기체 공급 유닛(820)에 연결될 수 있다.8 is a diagram illustrating a state in which the supply member 823 is connected when the substrate processing apparatus 800 of FIG. 4 is provided to be stacked. Referring to FIG. 8 , when a plurality of substrate processing apparatuses 800 are provided to be stacked, the gas supply units ( ) are respectively provided to correspond to the upper portions of the process chambers 810 of the plurality of substrate processing apparatuses 800 . In this case, the supply line 8232 may be connected to one fan 8231 , branched at one point, and connected to each gas supply unit 820 .

다시 도 5 및 도 6을 참고하면, 필터(824)는 공급 부재(823)로부터 공급되는 기체를 필터링 한다. 일 실시 예에 따르면, 기체가 공정 챔버(810)의 외부의 공기일 경우, 필터(826)는 공기에 포함된 불순물을 제거한다. 따라서, 공정 챔버(810)의 처리 공간에는 청정 공기가 유입되어 기판 처리시 외부로부터 유입된 이물질에 의해 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 필터(824)는 분기 판(822)의 제 1 영역(8211)을 바라보는 측면에 인접하게 위치된다. 일 실시 예에 따르면, 필터는 제 1 판(8222) 및 제 2 판(8223)의 서로 마주보는 측면에 위치된다. 제 1 영역(8211)으로 공급된 기체는 필터(824)를 지나 분기홀(8221)을 통해 제 2 영역(8212)으로 유입된다. 하우징(821)의 분기 판(822)의 측면을 직접 바라보는 측면은 개폐가 가능하도록 제공될 수 있다. 따라서, 공정 챔버(810) 내의 일부 파트가 교체되거나 노후화 등으로 인해 기체의 공급이 균일하게 되기 위한 조건이 변경되어 분기 판(822)의 교체가 요구되는 경우, 필터(824)의 제거가 요구되지 않으므로 상대적으로 손상이 용이한 필터(824)의 손상을 방지할 수 있다.Referring back to FIGS. 5 and 6 , the filter 824 filters the gas supplied from the supply member 823 . According to an embodiment, when the gas is air outside the process chamber 810 , the filter 826 removes impurities contained in the air. Accordingly, clean air is introduced into the processing space of the process chamber 810 to prevent contamination of the substrate by foreign substances introduced from the outside during substrate processing. A filter 824 is positioned adjacent to the side facing the first area 8211 of the bifurcation plate 822 . According to an embodiment, the filter is positioned on opposite sides of the first plate 8222 and the second plate 8223 . The gas supplied to the first region 8211 passes through the filter 824 and flows into the second region 8212 through the branch hole 8221 . A side of the housing 821 that directly faces the side of the branch plate 822 may be provided to enable opening and closing. Accordingly, when some parts in the process chamber 810 are replaced or the condition for uniform gas supply is changed due to aging, etc. Therefore, it is possible to prevent damage to the filter 824, which is relatively easily damaged.

본 발명의 일 실시 예에 따른 기체 공급 유닛(820)은 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치(800)의 처리 공간(812)에 기체를 공급하는 구성으로 설명하였으나, 이와 달리, 기체 공급 유닛(820)은 챔버의 기판의 처리가 수행되는 처리 공간의 상부로부터 기체를 공급하는 것이 요구되는 모든 종류의 장치에 적용할 수 있다. The gas supply unit 820 according to an embodiment of the present invention has been described as a configuration for supplying a gas to the processing space 812 of the substrate processing apparatus 800 for applying a photoresist, but unlike this, the gas supply unit 820 ) is applicable to all kinds of devices that require supply of gas from the upper part of the processing space in which the processing of the substrate of the chamber is performed.

기판 지지 유닛(830)은 공정 챔버(810)의 내부의 처리 공간(812)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 스핀척(832), 회전축(834), 그리고 구동기(836)를 포함한다. 스핀척(832)에는 기판이 놓인다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)보다 작은 직경을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 또한 스핀척(832)은 기판(W)을 물리적 힘으로 척킹할 수 있다. The substrate support unit 830 supports the substrate W in the processing space 812 inside the process chamber 810 . The substrate support unit 830 rotates the substrate W. The substrate support unit 830 includes a spin chuck 832 , a rotation shaft 834 , and a driver 836 . A substrate is placed on the spin chuck 832 . The spin chuck 832 is provided to have a circular plate shape. The substrate W is in contact with the upper surface of the spin chuck 832 . The spin chuck 832 is provided to have a smaller diameter than the substrate W. According to an example, the spin chuck 832 may chuck the substrate W by vacuum sucking the substrate W. Optionally, the spin chuck 832 may be provided as an electrostatic chuck for chucking the substrate W using static electricity. Also, the spin chuck 832 may chuck the substrate W with a physical force.

회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시킨다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.The rotation shaft 834 and the driver 836 rotate the spin chuck 832 . The rotation shaft 834 supports the spin chuck 832 under the spin chuck 832 . The rotation shaft 834 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the vertical direction. The rotating shaft 834 is provided to be rotatable about its central axis. The actuator 836 provides a driving force to rotate the rotation shaft 834 . For example, the driver 836 may be a motor capable of varying the rotation speed of the rotation shaft.

처리 용기(850)는 공정 챔버(810)의 내부 처리 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다. The processing vessel 850 is located in the internal processing space 812 of the process chamber 810 . The processing vessel 850 provides a processing space therein. The processing container 850 is provided to have a cup shape with an open top. The processing vessel 850 includes an inner cup 852 and an outer cup 862 .

내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다. The inner cup 852 is provided in a circular plate shape surrounding the rotation shaft 834 . When viewed from above, the inner cup 852 is positioned to overlap the inner vent 814 . When viewed from above, the upper surface of the inner cup 852 is provided such that its outer and inner regions are respectively inclined at different angles. According to an example, the outer region of the inner cup 852 faces a downward sloping direction as it moves away from the substrate support unit 830 , and the inner region of the inner cup 852 faces an upward sloping direction as it moves away from the substrate support unit 830 . provided to do A point where the outer region and the inner region of the inner cup 852 meet each other is provided to correspond to the side end of the substrate W in the vertical direction. An area outside the upper surface of the inner cup 852 is provided to be rounded. The upper surface outer region of the inner cup 852 is provided concave downwards. An area outside the upper surface of the inner cup 852 may be provided as an area through which the treatment liquid flows.

외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다. The outer cup 862 is provided to have a cup shape surrounding the substrate support unit 830 and the inner cup 852 . The outer cup 862 has a bottom wall 864 , a side wall 866 , a top wall 870 , and a sloped wall 870 . The bottom wall 864 is provided to have a circular plate shape having a hollow. A return line 865 is formed in the bottom wall 864 . The recovery line 865 recovers the processing liquid supplied on the substrate W. The treatment liquid recovered by the recovery line 865 may be reused by an external liquid recovery system. The sidewall 866 is provided to have a circular cylindrical shape surrounding the substrate support unit 830 . The side wall 866 extends in a direction perpendicular to the side end of the bottom wall 864 . A sidewall 866 extends upwardly from the bottom wall 864 .

경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다. The inclined wall 870 extends from the top of the sidewall 866 in an inward direction of the outer cup 862 . The inclined wall 870 is provided to be closer to the substrate support unit 830 as it goes upward. The inclined wall 870 is provided to have a ring shape. The upper end of the inclined wall 870 is positioned higher than the substrate W supported by the substrate support unit 830 .

승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다. The lifting unit 890 moves the inner cup 852 and the outer cup 862 up and down, respectively. The lifting unit 890 includes an inner moving member 892 and an outer moving member 894 . The inner moving member 892 moves the inner cup 852 up and down, and the outer moving member 894 moves the outer cup 862 up and down.

액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(840)은 가이드 부재(846), 아암(848) 및 처리 노즐(844)을 포함한다. 가이드 부재(846)는 아암(848)을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일(846)을 포함한다. 가이드 레일(846)은 처리 용기의 일측에 위치된다. 가이드 레일(846)은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(846)의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일(846)에는 아암(848)이 설치된다. 아암(848)은 가이드 레일(846)의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암(848)은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(846)과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암(848)의 일단은 가이드 레일(846)에 장착된다. 아암(848)의 타단 저면에는 처리 노즐(844)이 각각 설치된다. 선택적으로 아암(848)은 복수 개로 제공되며, 아암들(848) 각각에는 처리 노즐(844)이 설치될 수 있다. 또한 아암(848)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.The liquid supply unit 840 supplies a processing liquid on the substrate W. The liquid supply unit 840 includes a guide member 846 , an arm 848 , and a treatment nozzle 844 . The guide member 846 includes a guide rail 846 that moves the arm 848 in the horizontal direction. The guide rail 846 is located on one side of the processing vessel. The guide rail 846 is provided so that the longitudinal direction thereof faces the horizontal direction. According to an example, a longitudinal direction of the guide rail 846 may be provided to face a direction parallel to the first direction. An arm 848 is installed on the guide rail 846 . The arm 848 may be moved by a linear motor provided inside the guide rail 846 . The arm 848 is provided to face a longitudinal direction perpendicular to the guide rail 846 when viewed from above. One end of the arm 848 is mounted on the guide rail 846 . A processing nozzle 844 is provided on the bottom surface of the other end of the arm 848 , respectively. Optionally, a plurality of arms 848 may be provided, and a processing nozzle 844 may be installed in each of the arms 848 . In addition, the arm 848 may be rotated by being coupled to a rotation shaft whose longitudinal direction faces the third direction.

처리 노즐(844)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 예컨대, 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리 노즐(844)은 처리액 공급 라인으로부터 처리액을 공급받는다. 처리액 공급 라인에는 밸브가 설치되며, 밸브는 처리액 공급 라인을 개폐한다.The processing nozzle 844 supplies the processing liquid onto the substrate W. For example, the treatment liquid may be a photoresist such as a photoresist. The treatment nozzle 844 receives the treatment liquid from the treatment liquid supply line. A valve is installed in the treatment liquid supply line, and the valve opens and closes the treatment liquid supply line.

처리 노즐(844) 각각은 기판(W)의 중앙 위치에 처리액을 공급한다. 예를 들면, 처리 노즐(844)은 스핀척(832)의 회전에 의해 기판(W)이 회전되는 동안 기판(W)의 중앙 위치에 처리액을 공급한다. 처리 노즐(844) 각각은 그 토출구가 수직한 아래방향을 향하도록 제공된다. 여기서 중앙 위치는 액의 공급 위치가 기판(W)의 중심에 대응되는 위치이다. Each of the processing nozzles 844 supplies a processing liquid to a central position of the substrate W. As shown in FIG. For example, the processing nozzle 844 supplies the processing liquid to the central position of the substrate W while the substrate W is rotated by the rotation of the spin chuck 832 . Each of the treatment nozzles 844 is provided such that its discharge port faces vertically downwards. Here, the central position is a position where the liquid supply position corresponds to the center of the substrate W.

도 5의 경우와 달리, 선택적으로 처리 공간에는 복수개의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 기판 지지 유닛, 액 공급 유닛 등이 복수개로 제공될 수 있다. 예를 들면, 처리 공간에는 2개의 기판을 동시에 처리할 수 있도록 기판 지지 유닛, 액 공급 유닛 등이 각각 2개씩 제공되고, 기판 지지 유닛의 사이에는 처리 공간으로 유입된 기판을 각각의 기판 지지 유닛으로 반송할 수 있는 반송 유닛이 제공될 수 있다. 이 경우, 기체 공급 유닛의 길이 방향은 기판 지지 유닛이 배열된 방향과 평행하게 제공될 수 있다.Unlike the case of FIG. 5 , a plurality of substrate support units, liquid supply units, and the like may be selectively provided in the processing space to simultaneously process a plurality of substrates. For example, two substrate support units, two liquid supply units, etc. are provided in the processing space to simultaneously process two substrates, and between the substrate support units, the substrates introduced into the processing space are transferred to the respective substrate support units. A conveying unit capable of conveying may be provided. In this case, the longitudinal direction of the gas supply unit may be provided parallel to the direction in which the substrate support units are arranged.

다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. Referring back to FIGS. 1 to 3 , the bake chamber 420 heats the substrate W. As shown in FIG. For example, the bake chambers 420 heat the substrate W to a predetermined temperature before applying the photoresist to remove organic matter or moisture from the surface of the substrate W or apply the photoresist to the substrate ( A soft bake process, etc. performed after coating on W) is performed, and a cooling process of cooling the substrate W is performed after each heating process. The bake chamber 420 has a cooling plate 421 or a heating plate 422 . The cooling plate 421 is provided with cooling means 423 such as cooling water or a thermoelectric element. The heating plate 422 is also provided with heating means 424 such as a hot wire or thermoelectric element. The cooling plate 421 and the heating plate 422 may be provided in one bake chamber 420 , respectively. Optionally, some of the bake chambers 420 may include only the cooling plate 421 , and other portions may include only the heating plate 422 .

현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.The developing module 402 includes a developing process for removing a part of the photoresist by supplying a developer solution to obtain a pattern on the substrate W, and a heat treatment process such as heating and cooling performed on the substrate W before and after the developing process. includes The developing module 402 includes a developing chamber 460 , a bake chamber 470 , and a transfer chamber 480 . The development chamber 460 , the bake chamber 470 , and the transfer chamber 480 are sequentially disposed along the second direction 14 . Accordingly, the development chamber 460 and the bake chamber 470 are positioned to be spaced apart from each other in the second direction 14 with the transfer chamber 480 interposed therebetween. A plurality of development chambers 460 are provided, and a plurality of development chambers 460 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 . A plurality of bake chambers 470 are provided in each of the first direction 12 and the third direction 16 .

반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The transfer chamber 480 is positioned in parallel with the second buffer 330 of the buffer module 300 in the first direction 12 . A developing unit robot 482 and a guide rail 483 are positioned in the transfer chamber 480 . The transfer chamber 480 has a generally rectangular shape. The developing unit robot 482 transfers the substrate W between the bake chambers 470 , the developing chambers 460 , the second buffer 330 of the buffer module 300 and the cooling chamber 350 . The guide rail 483 is disposed so that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12 . The guide rail 483 guides the developing unit robot 482 to move linearly in the first direction 12 . The developing unit robot 482 has a hand 484 , an arm 485 , a support 486 , and a pedestal 487 . The hand 484 is fixedly installed on the arm 485 . The arm 485 is provided in a telescoping structure so that the hand 484 is movable in the horizontal direction. The support 486 is provided such that its longitudinal direction is disposed along the third direction 16 . Arm 485 is coupled to support 486 to be linearly movable in third direction 16 along support 486 . The support 486 is fixedly coupled to the support 487 . The pedestal 487 is coupled to the guide rail 483 so as to be movable along the guide rail 483 .

현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 이와 달리, 선택적으로 현상 챔버들(460)의 일부는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다. The development chambers 460 all have the same structure. However, the type of developer used in each of the developing chambers 460 may be different from each other. Alternatively, some of the development chambers 460 may have different structures. The developing chamber 460 removes a region irradiated with light from the photoresist on the substrate W. At this time, the region irradiated with light among the protective film is also removed. Only a region to which light is not irradiated among regions of the photoresist and the passivation layer may be removed according to the type of the selectively used photoresist.

현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다. The developing chamber 460 has a housing 461 , a support plate 462 , and a nozzle 463 . The housing 461 has a cup shape with an open top. The support plate 462 is positioned in the housing 461 and supports the substrate W. The support plate 462 is provided rotatably. The nozzle 463 supplies the developer onto the substrate W placed on the support plate 462 . The nozzle 463 has a circular tubular shape, and may supply a developer to the center of the substrate W. Optionally, the nozzle 463 may have a length corresponding to the diameter of the substrate W, and the outlet of the nozzle 463 may be provided as a slit. In addition, a nozzle 464 for supplying a cleaning solution such as deionized water to clean the surface of the substrate W to which the developer is additionally supplied may be further provided in the developing chamber 460 .

현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.The bake chamber 470 of the developing module 402 heat-treats the substrate W. For example, in the bake chambers 470 , a post-bake process of heating the substrate W before the development process is performed, a hard bake process of heating the substrate W after the development process is performed, and heating after each bake process A cooling process of cooling the processed substrate W is performed. The bake chamber 470 has a cooling plate 471 or a heating plate 472 . The cooling plate 471 is provided with cooling means 473 such as cooling water or a thermoelectric element. Alternatively, the heating plate 472 is provided with heating means 474 such as a heating wire or thermoelectric element. The cooling plate 471 and the heating plate 472 may be respectively provided in one bake chamber 470 . Optionally, some of the bake chambers 470 may include only a cooling plate 471 , and some may include only a heating plate 472 .

인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The interface module 700 transfers the substrate W between the coating and developing module 400 and the exposure apparatus 900 . The interface module 700 includes a frame 710 , a first buffer 720 , a second buffer 730 , and an interface robot 740 . The first buffer 720 , the second buffer 730 , and the interface robot 740 are positioned in the frame 710 . The first buffer 720 and the second buffer 730 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and are arranged to be stacked on each other. The first buffer 720 is disposed higher than the second buffer 730 . The first buffer 720 is positioned at a height corresponding to the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is positioned at a height corresponding to the post-processing module 602 . When viewed from the top, the first buffer 720 is arranged in a line along the first direction 12 with the transfer chamber 630 of the pre-processing module 601 , and the second buffer 730 is the post-processing module 602 . The transfer chamber 630 and the first direction 12 are positioned to be arranged in a line.

인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.The interface robot 740 is positioned to be spaced apart from the first buffer 720 and the second buffer 730 in the second direction 14 . The interface robot 740 transfers the substrate W between the first buffer 720 , the second buffer 730 , and the exposure apparatus 900 .

제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The first buffer 720 temporarily stores the substrates W on which the resist coating process has been performed before they are moved to the exposure apparatus 900 . In addition, the second buffer 730 temporarily stores the substrates W that have been processed in the exposure apparatus 900 before they are moved to the application and development module 400 . The first buffer 720 has a housing 721 and a plurality of supports 722 . The supports 722 are disposed within the housing 721 and are provided to be spaced apart from each other along the third direction 16 . One substrate W is placed on each support 722 . The housing 721 has an opening (not shown) so that the substrate W can be loaded or unloaded from the support 722 into the housing 721 of the interface robot 740 . The second buffer 730 has a structure substantially similar to that of the first buffer 720 . As described above, only the buffers and the robot may be provided in the interface module without providing a chamber for performing a predetermined process on the substrate.

20: 카세트 100: 로드 포트
200: 인덱스 모듈 300: 버퍼 모듈
400: 도포 및 현상 모듈 401: 도포 모듈
402: 현상 모듈 700: 인터페이스 모듈
800: 기판 처리 장치 810: 공정 챔버
820: 기체 공급 유닛 821: 하우징
822: 분기 판 823: 고급 부재
824: 필터 830: 기판 지지 유닛
840: 액 공급 유닛20: cassette 100: load port
200: index module 300: buffer module
400: application and development module 401: application module
402: develop module 700: interface module
800: substrate processing apparatus 810: process chamber
820: gas supply unit 821: housing
822: branch plate 823: advanced member
824: filter 830: substrate support unit
840: liquid supply unit

Claims

a process chamber having a processing space therein;
a substrate support unit for supporting a substrate in the processing space;
a liquid supply unit supplying a processing liquid onto the substrate supported by the substrate support unit;
a gas supply unit supplying a gas from an upper portion of the process chamber to the processing space;
The gas supply unit,
a housing having an interior space;
a branch plate provided in the housing and dividing the inner space into a first area and a second area;
a supply member for supplying a gas to the first region;
A filter for filtering the gas supplied from the supply member,
The first region is located on one side of the branch plate when viewed from above,
The second region is located on the other side of the branch plate when viewed from the top,
An opening communicating with the second region and the processing space is formed in a region of the lower wall of the housing opposite to the second region;
In the branch plate, a branch hole communicating with the first region and the second region is formed in the substrate processing apparatus.

The method of claim 1,
The branch plate includes a first plate and a second plate provided parallel to each other and spaced apart,
The first region is located between the first plate and the second plate.

3. The method of claim 2,
A plurality of the branch holes are arranged in a longitudinal direction of the branch plate.

4. The method of claim 3,
A substrate processing apparatus in which some of the plurality of branch holes are provided in different sizes.

5. The method of claim 4,
The size of the branch hole is provided from both ends of the branch plate toward the center of the substrate processing apparatus.

4. The method of claim 3,
The branch hole has a slit shape provided along a longitudinal direction of the branch plate.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The filter is positioned adjacent to a side of the branch plate facing the first region.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The opening has a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the branch plate, and is provided in a slit shape having a length corresponding to a region in which the branch hole of the branch plate is provided.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
A substrate processing apparatus having an inlet through which a gas flows from the supply member is formed on a side surface of the housing directly in contact with the first region.

A gas supply unit for supplying a gas to the processing space from an upper portion of a process chamber having a processing space for processing a substrate therein, the gas supply unit comprising:
a housing having an interior space;
a branch plate provided in the housing and dividing the inner space into a first area and a second area;
a supply member for supplying a gas to the first region;
A filter for filtering the gas supplied from the supply member,
The first region is located on one side of the branch plate when viewed from above,
The second region is located on the other side of the branch plate when viewed from the top,
An opening communicating with the second region and the processing space is formed in a region of the lower wall of the housing opposite to the second region;
A gas supply unit in which a branch hole communicating with the first region and the second region is formed in the branch plate.

11. The method of claim 10,
The branch plate includes a first plate and a second plate provided parallel to each other and spaced apart,
The first region is a gas supply unit positioned between the first plate and the second plate.

12. The method of claim 11,
A plurality of the branch holes are arranged along the longitudinal direction of the branch plate with each other,
A gas supply unit in which some of the plurality of branch holes are provided in different sizes.

13. The method of claim 12,
The size of the branch hole is provided to increase from both ends of the branch plate toward the center of the gas supply unit.

13. The method of claim 12,
The branch hole is a gas supply unit having a slit shape provided along a longitudinal direction of the branch plate.

15. The method according to any one of claims 11 to 14,
wherein the filter is positioned adjacent to a side of the branch plate facing the first area.

15. The method according to any one of claims 11 to 14,
The opening has a longitudinal direction parallel to the longitudinal direction of the branch plate, the gas supply unit is provided in a slit shape having a length corresponding to the region in which the branch hole of the branch plate is provided.

15. The method according to any one of claims 11 to 14,
A gas supply unit having an inlet through which gas flows from the supply member is formed on one side surface of the housing directly in contact with the first region.