KR102352290B1 - 플렉서블 표시패널 - Google Patents
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 114
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 114
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 111
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 111
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 76
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 52
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 362
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 12
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 12
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 12
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 11
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/411—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs characterised by materials, geometry or structure of the substrates
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/421—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H10D86/423—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs having a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer comprising semiconductor materials not belonging to the Group IV, e.g. InGaZnO
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
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- H10D86/481—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
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- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
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- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
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Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시패널의 펼쳐진 상태의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시패널의 접혀진 상태의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시패널의 일부를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 표시패널의 화소의 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 레이아웃이다.
도 7은 도 6의 Ⅰ-Ⅰ'에 대응하는 단면도이다.
도 8은 도 6의 Ⅱ-Ⅱ'에 대응하는 단면도이다.
도 9는 도 6에 도시된 배리어층의 확대도이다.
도 10은 도 6에 도시된 버퍼층의 확대도이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어층들의 확대도이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 일 실시예에 따른 버퍼층들의 확대도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 배리어층의 확대도이다.
α, 크랙의존상수(parameter depends on the crack geometry) | γ, 표면에너지 |
E, 영스 모듈러스 |
σ는 이론적 강도(theoretical strength) | |
실리콘 나이트라이드 | 1 J/m² | 76.5 GPa | 2.55 GPa | |
실리콘 옥사이드 | 1.6 J/m² | 82 GPa | 2.7 GPa |
BFL: 버퍼층 PX: 화소
FA: 밴딩영역 SA: 주변영역
Claims (20)
- 베이스 부재;
상기 베이스 부재 상에 배치되고, 교번하게 적층된 제1 실리콘 나이트라이드층들, 제1 실리콘 옥사이드층들 및 경도 보강층을 포함하는 배리어층;
상기 배리어층 상에 배치되는 버퍼층; 및
상기 버퍼층 상에 배치되고, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 표시소자를 포함하는 화소를 포함하고,
상기 버퍼층은 교번하게 적층된 제2 실리콘 나이트라이드층들 및 제2 실리콘 옥사이드층들을 포함하고,
상기 제1 실리콘 옥사이드층들의 두께의 합은 상기 제1 실리콘 나이트라이드층들의 두께의 합보다 크고,
상기 제2 실리콘 옥사이드층들의 두께의 합은 상기 제2 실리콘 나이트라이드층들의 두께의 합보다 작은 플렉서블 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 옥사이드층들의 두께의 합은 500 옹스트롱 내지 10000 옹스트롱인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들은 서로 동일한 두께를 갖고, 상기 제1 실리콘 옥사이드층들은 서로 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들 각각은 400 옹스트롱 이하의 두께를 갖고, 상기 제1 실리콘 옥사이드층들 각각은 650 옹스트롱 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 실리콘 나이트라이드층들 각각은 400 옹스트롱 이하의 두께를 갖고, 상기 제2 실리콘 옥사이드층들 각각은 650 옹스트롱 이하의 두께를 갖는 플렉서블 표시패널. - 제5 항에 있어서,
상기 제2 실리콘 나이트라이드층들의 두께의 합은 500 옹스트롱 내지 10000 옹스트롱인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제6 항에 있어서,
상기 제2 실리콘 나이트라이드층들은 서로 동일한 두께를 갖고, 상기 제2 실리콘 옥사이드층들은 서로 동일한 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 경도 보강층은 그라핀, 그라핀 산화물, 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 표시소자는 유기발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 밴딩영역과 상기 밴딩영역에 인접한 주변영역을 포함하는 플렉서블 표시패널에 있어서,
베이스 부재;
상기 베이스 부재 상에 배치된 배리어층; 및
상기 배리어층 상에 배치되고, 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 연결된 표시소자를 포함하는 화소를 포함하고,
상기 배리어층은 상기 밴딩영역에 중첩하는 제1 실리콘 나이트라이드층들, 제1 실리콘 옥사이드층들, 상기 주변영역에 중첩하는 적어도 하나의 제2 실리콘 나이트라이드층 및 상기 제2 실리콘 나이트라이드층에 중첩하는 적어도 하나의 제2 실리콘 옥사이드층을 포함하고,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들과 상기 제1 실리콘 옥사이드층들은 교번하게 적층되며,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들 각각은 400 옹스트롱 이하의 두께를 갖고, 상기 제1 실리콘 옥사이드층들 각각은 650 옹스트롱 이하의 두께를 갖고,
상기 제2 실리콘 나이트라이드층은 상기 제1 실리콘 나이트라이드층들 각각의 두께보다 큰 두께를 갖고, 상기 제2 실리콘 옥사이드층은 상기 제1 실리콘 옥사이드층들 각각의 두께보다 큰 두께를 갖는 플렉서블 표시패널. - 삭제
- 제10 항에 있어서,
상기 배리어층의 상기 주변영역의 두께와 상기 밴딩영역의 두께는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제10 항에 있어서,
상기 플렉서블 표시패널은 상기 밴딩영역과 상기 주변영역 사이에 정의된 경계영역을 더 포함하고,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들 및 상기 제1 실리콘 옥사이드층들은 상기 경계영역을 사이에 두고 상기 제2 실리콘 나이트라이드층 및 상기 제2 실리콘 옥사이드층과 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제10 항에 있어서,
상기 배리어층 상에 배치되고, 상기 박막 트랜지스터에 접촉하는 버퍼층을 더 포함하는 플렉서블 표시패널. - 제14 항에 있어서,
상기 배리어층은, 상기 밴딩영역에 중첩하는 경도 보강층을 더 포함하고,
상기 버퍼층은 상기 밴딩영역에 중첩하는 제3 실리콘 나이트라이드층들 및 제3 실리콘 옥사이드층들을 포함하고, 상기 제3 실리콘 나이트라이드층들과 상기 제3 실리콘 옥사이드층들은 교번하게 적층되며,
상기 제3 실리콘 나이트라이드층들 각각은 400 옹스트롱 이하의 두께를 갖고, 상기 제3 실리콘 옥사이드층들 각각은 650 옹스트롱 이하의 두께를 갖는 플렉서블 표시패널. - 제15 항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 주변영역에 중첩하는 적어도 하나의 제4 실리콘 나이트라이드층 및 상기 제4 실리콘 나이트라이드층에 중첩하는 적어도 하나의 제4 실리콘 옥사이드층을 포함하고,
상기 제4 실리콘 나이트라이드층은 상기 제3 실리콘 나이트라이드층들 각각의 두께보다 큰 두께를 갖고, 상기 제4 실리콘 옥사이드층은 상기 제3 실리콘 옥사이드층들 각각의 두께보다 큰 두께를 갖는 플렉서블 표시패널. - 제16 항에 있어서,
상기 버퍼층의 상기 주변영역의 두께와 상기 밴딩영역의 두께는 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제17 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 나이트라이드층들의 두께의 합은 상기 제1 실리콘 옥사이드층들의 두께의 합보다 작고, 상기 제3 실리콘 나이트라이드층들의 두께의 합은 상기 제3 실리콘 옥사이드층들의 두께의 합보다 큰 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제15 항에 있어서,
상기 경도 보강층은 그라핀, 그라핀 산화물, 탄소나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널. - 제10 항에 있어서,
상기 표시소자는 유기발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시패널.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140117214A KR102352290B1 (ko) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 플렉서블 표시패널 |
US14/806,556 US9768197B2 (en) | 2014-09-03 | 2015-07-22 | Flexible display panel |
US15/681,110 US10403645B2 (en) | 2014-09-03 | 2017-08-18 | Flexible display panel |
US16/527,964 US10964723B2 (en) | 2014-09-03 | 2019-07-31 | Flexible display panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140117214A KR102352290B1 (ko) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 플렉서블 표시패널 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160028610A KR20160028610A (ko) | 2016-03-14 |
KR102352290B1 true KR102352290B1 (ko) | 2022-01-18 |
Family
ID=55403454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140117214A Active KR102352290B1 (ko) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 플렉서블 표시패널 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9768197B2 (ko) |
KR (1) | KR102352290B1 (ko) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101727851B1 (ko) * | 2016-01-04 | 2017-04-17 | 경희대학교 산학협력단 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
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- 2015-07-22 US US14/806,556 patent/US9768197B2/en active Active
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US20170373093A1 (en) | 2017-12-28 |
US20190355758A1 (en) | 2019-11-21 |
US20160064464A1 (en) | 2016-03-03 |
US9768197B2 (en) | 2017-09-19 |
US10403645B2 (en) | 2019-09-03 |
US10964723B2 (en) | 2021-03-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20140903 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20190903 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20140903 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20201027 Patent event code: PE09021S01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20210405 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20211012 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20220112 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20220113 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20241230 Start annual number: 4 End annual number: 4 |