KR102184678B1 - TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 162
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 5
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 176
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 176
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 4
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 469
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 45
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 108090000978 Interleukin-4 Proteins 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 108010002350 Interleukin-2 Proteins 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 108010002352 Interleukin-1 Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006162 poly(etherimide sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H01L27/3241—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H01L27/3272—
-
- H01L51/0097—
-
- H01L51/5008—
-
- H01L51/5237—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H01L2227/323—
-
- H01L2251/5338—
-
- H01L2251/566—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
본 발명은 제1 플라스틱층; 상기 제1 플라스틱층 상에 형성된 제1 배리어층; 상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층; 상기 제2 플라스틱층 상에 형성된 제2 배리어층; 상기 제2배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.The present invention is a first plastic layer; A first barrier layer formed on the first plastic layer; An intermediate layer formed on the first barrier layer; A second plastic layer formed on the intermediate layer; A second barrier layer formed on the second plastic layer; An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And an encapsulation thin film that encapsulates the organic light emitting device layer.
Description
본 발명은 가요성 기판을 구비한 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기 및 상기 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device including a flexible substrate, an electronic device including the same, and a method of manufacturing the organic light emitting display device.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하여 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다. An organic light emitting diode display includes a hole injection electrode, an electron injection electrode, and an organic emission layer formed therebetween, and holes injected from the hole injection electrode and electrons injected from the electron injection electrode are the organic emission layer. It is a self-luminous display device that emits light while being recombined in and extinguished.
유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다.The organic light emitting diode display is drawing attention as a next-generation display device because it exhibits high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.
유기 발광 표시 장치가 무겁고 파손되기 쉬운 유리 기판을 사용할 경우 휴대성 및 대화면 표시에 한계가 있다. 따라서, 근래에 중량이 가볍고 충격에 강할 뿐만 아니라 플라스틱과 같은 가요성 기판을 사용하여 플렉서블(flexible)한 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다.When an organic light emitting display device uses a glass substrate that is heavy and fragile, there are limitations in portability and large screen display. Accordingly, in recent years, an organic light-emitting display device having a light weight and strong resistance to impact, as well as a flexible substrate such as plastic, has been developed.
그런데, 플라스틱과 같은 가요성 기판은 유리 기판에 비하여 수분이나 산소를 쉽게 투과시키기 때문에, 수분이나 산소에 취약한 유기 발광층의 열화를 촉진시키는 문제가 있다. However, since a flexible substrate such as plastic easily transmits moisture or oxygen compared to a glass substrate, there is a problem of accelerating deterioration of the organic light emitting layer vulnerable to moisture or oxygen.
본 발명은 투습율이 낮고 접착력이 증가한 가요성 기판을 구비한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including a flexible substrate having low moisture permeability and increased adhesion, and a method of manufacturing the same.
본 발명의 일 측면에 의하면, 제1 플라스틱층; 상기 제1 플라스틱층 상에 형성된 제1 배리어층; 상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층; 상기 제2 플라스틱층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및 상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention, a first plastic layer; A first barrier layer formed on the first plastic layer; An intermediate layer formed on the first barrier layer; A second plastic layer formed on the intermediate layer; An organic light emitting device layer formed on the second plastic layer; And an encapsulation thin film encapsulating the organic light emitting device layer.
상기 중간층은 비정질 물질을 포함할 수 있다. The intermediate layer may include an amorphous material.
상기 중간층은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다.The intermediate layer may include amorphous silicon.
상기 중간층은 금속 박막을 포함할 수 있다. The intermediate layer may include a metal thin film.
상기 중간층은 UV 광투과율이 10% 이상일 수 있다. The intermediate layer may have a UV light transmittance of 10% or more.
상기 중간층은 상기 유기 발광 소자가 형성된 영역에 위치하도록 패터닝될 수 있다. The intermediate layer may be patterned to be positioned in a region where the organic light emitting device is formed.
상기 제1 배리어층과 상기 제2 플라스틱층은 상기 중간층이 패터닝된 영역의 단부에서 직접 접촉할 수 있다. The first barrier layer and the second plastic layer may directly contact an end portion of the region in which the intermediate layer is patterned.
상기 제1 플라스틱층 및 제2 플라스틱층은 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 및 폴리에테르이미드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The first plastic layer and the second plastic layer may include at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyarylate, polycarbonate, polyethersulfone, and polyetherimide.
상기 제2 플라스틱층의 두께는 상기 제1 플라스틱층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. The thickness of the second plastic layer may be thicker than that of the first plastic layer.
상기 제2 플라스틱층은 상기 제1 플라스틱층보다 점도가 낮을 수 있다. The second plastic layer may have a lower viscosity than the first plastic layer.
상기 제1 배리어층은 무기 재료를 포함할 수 있다. The first barrier layer may include an inorganic material.
상기 무기 재료는 금속 산화물, 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The inorganic material may include at least one of metal oxide, silicon oxide, and silicon nitride.
상기 제1 배리어층은 적어도 한층 이상 형성될 수 있다. At least one first barrier layer may be formed.
상기 제2 플라스틱층과 상기 유기 발광 소자층 사이에 제2 배리어층이 더 형성될 수 있다. A second barrier layer may be further formed between the second plastic layer and the organic light emitting device layer.
상기 제2 배리어층은 무기 재료를 포함하고, 적어도 한층 이상 형성될 수 있다. The second barrier layer may include an inorganic material, and at least one layer may be formed.
상기 제2 배리어층과 상기 유기 발광 소자층 사이에, 제3 플라스틱층 및 제3 배리어층을 포함하는 층이 적어도 한 조 이상 형성되고, 상기 제2 배리어층과 상기 제3 플라스틱층 사이에 중간층이 더 형성될 수 있다.Between the second barrier layer and the organic light emitting device layer, at least one set of layers including a third plastic layer and a third barrier layer is formed, and an intermediate layer is formed between the second barrier layer and the third plastic layer. Can be further formed.
본 발명의 다른 측면에 의하면 전술한 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 제공할 수 있다. According to another aspect of the present invention, an electronic device including the above-described organic light emitting display device may be provided.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 캐리어 기판을 준비하는 단계; 상기 캐리어 기판 상에 제1 플라스틱층, 제1 배리어층, 중간층, 및 제2 플라스틱층이 차례로 적층된 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계; 상기 모(母) 가요성 기판 상에 복수의 유기 발광 소자층를 형성하는 단계; 상기 복수의 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막을 형성하는 단계; 상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리하는 단계; 및 상기 모(母) 가요성 기판 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치로 분리하는 단계;를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다. According to another aspect of the invention, the steps of preparing a carrier substrate; Forming a parent flexible substrate in which a first plastic layer, a first barrier layer, an intermediate layer, and a second plastic layer are sequentially stacked on the carrier substrate; Forming a plurality of organic light emitting device layers on the parent flexible substrate; Forming an encapsulating thin film encapsulating the plurality of organic light emitting device layers; Separating the carrier substrate from the parent flexible substrate; And separating the organic light-emitting device layer formed on the parent flexible substrate into a plurality of unit display devices.
상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리하는 단계는, 상기 캐리어 기판의 상기 모(母) 가요성 기판이 형성된 면의 반대 면에 레이저를 조사하여, 상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리할 수 있다.The step of separating the carrier substrate and the parent flexible substrate may include irradiating a laser on a surface of the carrier substrate opposite to the surface on which the parent flexible substrate is formed, so that the carrier substrate and the parent flexible substrate are formed. ) The flexible substrate can be separated.
상기 레이저는 UV 광을 조사할 수 있다. The laser may irradiate UV light.
상기 중간층은 UV 광투과율이 10% 이상이 되도록 상기 중간층의 두께가 형성될 수 있다. The intermediate layer may have a thickness of the intermediate layer such that the UV light transmittance is 10% or more.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, 상기 중간층을 상기 제1 플라스틱층과 같거나 작게 형성할 수 있다. In the step of forming the parent flexible substrate, the intermediate layer may be formed equal to or smaller than the first plastic layer.
상기 캐리어 기판의 단부에서, 상기 제2플라스틱층의 단부와 상기 제1 배리어층의 단부가 직접 접촉하도록 형성할 수 있다. At the end of the carrier substrate, the end of the second plastic layer and the end of the first barrier layer may be formed to directly contact each other.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 플라스틱층을 상기 제1 플라스틱층과 같거나 작게 형성할 수 있다. In the step of forming the parent flexible substrate, the second plastic layer may be formed equal to or smaller than the first plastic layer.
상기 캐리어 기판의 단부에서, 상기 제2플라스틱층의 단부와 상기 제1 배리어층의 단부가 직접 접촉하도록 형성할 수 있다. At the end of the carrier substrate, the end of the second plastic layer and the end of the first barrier layer may be formed to directly contact each other.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, In the step of forming the parent flexible substrate,
상기 중간층은 제1 배리어층 상에 상기 유기 발광 소자가 형성될 영역에 위치하도록 패터닝하여 형성할 수 있다. The intermediate layer may be formed by patterning the first barrier layer to be positioned in a region in which the organic light emitting device is to be formed.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 플라스틱층은 상기 제1 플라스틱층보다 점도가 낮게 형성할 수 있다. In the step of forming the parent flexible substrate, the second plastic layer may have a lower viscosity than the first plastic layer.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 플라스틱층은 상기 제1 플라스틱층보다 두껍게 형성할 수 있다. In the step of forming the parent flexible substrate, the second plastic layer may be formed thicker than the first plastic layer.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 플라스틱층과 상기 유기 발광 소자층 사이에 제2 배리어층을 형성할 수 있다.In the step of forming the parent flexible substrate, a second barrier layer may be formed between the second plastic layer and the organic light emitting device layer.
상기 제2 배리어층과 상기 유기 발광 소자 사이에, 제3 플라스틱층 및 제3 배리어층으로 구성된 구조물을 적어도 한 조 이상 더 형성하고, 상기 제2 배리어층과 상기 제3 플라스틱층 사이에 제2 중간층을 더 형성할 수 있다. Between the second barrier layer and the organic light-emitting device, at least one structure comprising a third plastic layer and a third barrier layer is further formed, and a second intermediate layer between the second barrier layer and the third plastic layer Can form more.
상기 캐리어 기판으로 유리 기판을 사용할 수 있다. A glass substrate may be used as the carrier substrate.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 2개의 플라스틱층과 2개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 중간층을 협지 시킴으로써, 평균적인 투습 경로를 길게 하여 유기 발광 소자의 열화를 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention described above, by alternately stacking the flexible substrate with two plastic layers and two barrier layers, and sandwiching an intermediate layer between the adjacent plastic layer and the barrier layer, the average moisture permeation path is lengthened. Thus, deterioration of the organic light emitting device can be prevented.
뿐만 아니라 하부 배리어층과 인접하는 상부 플라스틱층 간의 접착력을 증가 시켜 유기 발광 표시 장치의 박리 불량을 개선할 수 있다. In addition, by increasing the adhesion between the lower barrier layer and the adjacent upper plastic layer, defects in peeling of the OLED display may be improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ 부분을 확대한 도면으로, 유기 발광 표시 장치(100)의 TFT층(110) 및 유기 발광 소자층(120)의 일부를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 6a는 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 ⅥB-ⅥB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 7은 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 유기 발광 소자층(120)을 봉지하는 박막 봉지층(130)을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS)을 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11a은 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-1)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 11b는 도 11a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 개략적인 단면도이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 제조 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light
FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1, illustrating a portion of the
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light
4 is a schematic cross-sectional view of an organic light
5A is a plan view illustrating a process of forming a parent flexible substrate MFS on the glass substrate GS, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 5A.
6A is a plan view illustrating a process of forming a plurality of unit organic light
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of forming a thin
8 and 9 are cross-sectional views schematically illustrating a process of separating the glass substrate GS from the parent flexible substrate MFS.
10 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of separating an organic light emitting device layer formed on a parent flexible substrate MFS into a plurality of
FIG. 11A is a plan view showing a process of forming a parent flexible substrate MFS-1 on the glass substrate GS, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 11A.
12 illustrates still another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light
13 illustrates still another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light
14 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
15A and 15B are plan and cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting
16 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description have been omitted, and the same reference numerals are assigned to the same or similar components throughout the specification.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 일 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 일 실시예와 다른 구성을 중심으로 설명하기로 한다.In addition, in various embodiments, components having the same configuration will be representatively described in one embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, configurations different from the one embodiment will be mainly described.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, so the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 '상에' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 '바로 상에' 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the drawings, the thicknesses are enlarged to clearly express various layers and regions. And in the drawings, for convenience of description, the thickness of some layers and regions is exaggerated. When a part such as a layer, film, region, or plate is said to be'on' another part, this includes not only the case where the other part is'directly on', but also the case where there is another part in the middle.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 '포함' 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, '~상에'라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상 측에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.In addition, throughout the specification, when a certain part'includes' a certain element, it means that other elements may be further included rather than excluding other elements unless otherwise stated. In addition, throughout the specification, the term'~on' means that it is positioned above or below the target portion, and does not necessarily mean that it is positioned above the direction of gravity.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 가요성 기판(FS), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting
가요성 기판(FS)은 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL), 제2 플라스틱층(2PL), 및 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. The flexible substrate FS includes a first plastic layer 1PL, a first barrier layer 1BL, a first intermediate layer 1IL, a second plastic layer 2PL, and a second barrier layer 2BL.
제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 폴리이미드(polyiminde), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리아릴레이트(Polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱 소재로 만들어 질 수 있다. The first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL are polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate (PET), polyarylate, and polycarbonate. ), polyether imide (PEI), or polyethersulfone, etc., and may be made of a plastic material having excellent heat resistance and durability.
제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)과 같은 플라스틱 소재는 유리 기판에 비하여 수분이나 산소를 쉽게 투과시키기 때문에, 수분이나 산소에 취약한 유기 발광층을 열화시켜 유기 발광 소자의 수명이 저하 될 수 있다. Since plastic materials such as the first plastic layer (1PL) and the second plastic layer (2PL) easily transmit moisture or oxygen compared to the glass substrate, the organic light-emitting layer vulnerable to moisture or oxygen deteriorates and the lifespan of the organic light-emitting device is reduced. Can be.
이를 방지하기 위하여 제1 플라스틱층(1PL) 상에 제1 배리어층(1BL)이, 제2 플라스틱층(2PL) 상에 제2 배리어층(2BL)이 각각 형성된다. To prevent this, a first barrier layer 1BL is formed on the first plastic layer 1PL, and a second barrier layer 2BL is formed on the second plastic layer 2PL.
제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 각각 금속 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등과 같은 무기 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 AlO3, SiO2, SiNx 등과 같은 무기층이 단일막으로 형성되거나 다층막으로 적층 될 수 있다. 단일막 또는 다층막으로 형성된 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)의 투습율(WVTR: Water Vapor Transmission Rate)은 각각 10-5 g/m2day) 이하인 것이 바람직하다. The first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL may be formed of an inorganic material such as metal oxide, silicon nitride, or silicon oxide, respectively. For example, as for the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, an inorganic layer such as AlO3, SiO2, or SiNx may be formed as a single layer or may be stacked as a multilayer layer. It is preferable that the water vapor transmission rate (WVTR) of the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL formed of a single layer or a multilayer layer is 10-5 g/m2day or less, respectively.
제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에는 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력을 강화하기 위하여 제1 중간층(1IL)이 형성된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. A first intermediate layer 1IL is formed between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in order to strengthen the adhesion between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL. A detailed description of this will be described later.
가요성 기판(FS) 상에 TFT(Thin Film Transistor)층(110) 및 유기 발광 소자층(120)가 형성된다.A TFT (Thin Film Transistor)
도 2는 도 1의 Ⅱ 부분을 확대한 도면으로, 유기 발광 표시 장치(100)의 TFT층(110) 및 유기 발광 소자층(120)의 일부를 예시한 것이다. FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1, illustrating a portion of the
도 2를 참조하면, 제2 배리어층(2BL) 상에 반도체층(111), 게이트 전극(113), 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 반도체층(111)과 게이트 전극(113) 사이에는 게이트 절연막(112)이 형성되고, 게이트 전극(113)과 소스 전극(115), 및 게이트 전극(113)과 드레인 전극(116) 사이에는 층간 절연막(114)이 형성될 수 있다. 여기서, 반도체층(111)은 다결정 실리콘(poly-silicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon), 유기 TFT(Organic TFT), 또는 전도성 산화물 TFT 일 수 있다. 한편, 도 2에는 탑 게이트(top gate) 방식의 TFT가 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 바톰 게이트(bottom gate) 방식의 TFT를 포함하여 다양한 구조의 TFT가 적용될 수 있다.Referring to FIG. 2, a thin film transistor (TFT) including a
한편, 도 2에는 제2 배리어층(2BL) 상에 바로 TFT가 형성된 예를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제2 배리어층(2BL)과 TFT 사이에 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. 버퍼층(미도시)은 가요성 기판(FS)을 평탄하게 하고 및 가요성 기판(FS)으로부터 반도체층(111)으로 불순 원소의 침투를 차단한다. 버퍼층(미도시)은 실리콘질화물 및/또는 실리콘산화물이 단층 또는 복수층 배치될 수 있다. 또한, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, TFT에 적어도 하나의 커패시터가 연결될 수 있다.Meanwhile, in FIG. 2, an example in which a TFT is formed directly on the second barrier layer 2BL is shown, but the present invention is not limited thereto. A buffer layer (not shown) may be further provided between the second barrier layer 2BL and the TFT. The buffer layer (not shown) flattens the flexible substrate FS and blocks impurity elements from penetrating into the
TFT 상에 패시베이션층(117)이 형성되고, 패시베이션층(117) 상에 화소정의층(122)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(117)은 TFT를 보호하고, TFT의 상면을 평탄화 할 수 있다. A
TFT의 소스 전극(115) 또는 드레인 전극(116) 중 하나에 유기 발광 소자(OLED)가 연결될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(121) 및 대향 전극(124)과, 화소 전극(121)과 대향 전극(124) 사이에 개재된 적어도 유기 발광층을 포함하는 층(123)을 구비한다. 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 저분자 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 고분자 유기물의 경우에는 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있다. 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 적색, 녹색, 청색의 빛을 방출하는 서브 픽셀로 하나의 단위 픽셀을 이룰 수 있다. 또한, 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may be connected to one of the
대향 전극(124)은 복수개의 화소들에 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. The
화소 전극(121)은 애노드로 기능하고 대향 전극(124)은 캐소드로 기능할 수 있으며, 그 반대로 기능할 수도 있다. 또한, 화소 전극(121) 및 대향 전극(124) 중 적어도 하나는 발광층에서 방출된 광이 투과할 수 있는 투명전극으로 구비될 수 있다. The
도 1 및 도 2에는 TFT층(110) 상부에 유기 발광 소자층(120)이 형성되는 것으로 도시하였으나 이는 설명의 편의를 위한 것이다. 예를 들어서, TFT층(110)과 유기 발광 소자층(120)의 일부는 동일한 층에 형성될 수 있다. 예를 들어, TFT의 게이트 전극과, OLED의 화소 전극은 동일층에 형성될 수 있다. 1 and 2 illustrate that the organic light-emitting
가요성 기판(FS) 상에 유기 발광 소자(OLED)를 봉지하는 박막 봉지층(130)이 형성된다. 박막 봉지층(130)은 복수의 무기층들로 만들어 지거나, 무기층과 유기층이 혼합되어 만들어 질 수 있다. A thin
상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 더욱 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The organic layer is formed of a polymer, and preferably may be a single film or a laminated film formed of any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, epoxy, polyethylene, and polyacrylate. More preferably, the organic layer may be formed of polyacrylate, and specifically may include a polymerized monomer composition including a diacrylate-based monomer and a triacrylate-based monomer. A monoacrylate-based monomer may be further included in the monomer composition. In addition, a known photoinitiator such as TPO may be further included in the monomer composition, but is not limited thereto.
상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The inorganic layer may be a single layer or a stacked layer including a metal oxide or a metal nitride. Specifically, the inorganic layer may include any one of SiNx, Al2O3, SiO2, and TiO2.
상기 박막 봉지층(130) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.The top layer exposed to the outside of the thin
상기 박막 봉지층(130)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.The thin
상기 박막 봉지층(130)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 상기 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다.The thin
상기 유기 발광 소자(OLED)와 상기 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제1 무기층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.A metal halide layer including LiF may be further included between the organic light-emitting device OLED and the first inorganic layer. The metal halide layer may prevent damage to the organic light emitting device OLED when the first inorganic layer is formed by a sputtering method or a plasma deposition method.
상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것으로 형성할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.The first organic layer may have an area smaller than that of the second inorganic layer, and the second organic layer may have an area smaller than that of the third inorganic layer. Further, the first organic layer may be completely covered by the second inorganic layer, and the second organic layer may also be completely covered by the third inorganic layer.
한편, 도 1 및 도 2에는 박막 봉지층(130)이 대향 전극(124) 상에 바로 형성되는 것으로 도시되어 있으나 이는 예시일 뿐, 대향 전극(124)과 박막 봉지층(130) 사이에 충진재, 접착재 등 다른 요소가 더 개재될 수 있다. Meanwhile, in FIGS. 1 and 2, the thin
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 개략적인 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
도 3을 참조하면, 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 가요성 기판(FS-1), TFT층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 3, an organic light emitting
가요성 기판(FS-1)은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL)을 포함한다. 즉, 가요성 기판(FS-1)은 한 층의 플라스틱층과 한 층의 배리어층을 포함한다. The flexible substrate FS-1 includes a first plastic layer 1PL and a first barrier layer 1BL. That is, the flexible substrate FS-1 includes one plastic layer and one barrier layer.
비교예와 같이 한 층의 플라스틱층과 한 층의 배리어층 만으로 가요성 기판(FS-1)을 형성할 경우, 제1 플라스틱층(1PL) 및/또는 제1 배리어층(1BL)에 형성되는 이물 또는 함몰성 결함에 의해 제1 배리어층(1BL)에 크랙 등의 손상이 발생하게 된다. 이러한 손상면을 통하여 수분 또는 산소 등이 투습되어 유기 발광 소자의 불량을 야기 시킬 수 있다. When forming the flexible substrate FS-1 with only one plastic layer and one barrier layer as in Comparative Example, foreign matter formed on the first plastic layer 1PL and/or the first barrier layer 1BL Alternatively, damage such as cracks may occur in the first barrier layer 1BL due to a depression defect. Moisture or oxygen may permeate through the damaged surface, thereby causing a defect in the organic light-emitting device.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)의 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)는 가요성 기판(FS-2), TFT층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting
가요성 기판(FS-2)은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL), 및 을 제2 플라스틱층(2PL)과 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. 즉, 가요성 기판(FS-1)은 플라스틱층과 플라스틱층 상에 형성된 배리어층의 구조가 반복하여 2번 형성된 것이다. The flexible substrate FS-2 includes a first plastic layer 1PL and a first barrier layer 1BL, and a second plastic layer 2PL and a second barrier layer 2BL. That is, in the flexible substrate FS-1, a structure of a plastic layer and a barrier layer formed on the plastic layer is repeatedly formed twice.
이물 또는 함몰성 결함은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL) 뿐만 아니라 2 플라스틱층(2PL)과 제2 배리어층(2BL)에서도 랜덤하게 발생할 수 있다. 그러나 비교예(101)에 비하여, 다른 실시예의 유기 발광 표시 장치(102)는 결함 지점으로부터 유기 발광 소자에 이르는 평균적인 투습 경로는 길어지기 때문에, 제1 배리어층(1BL) 및/또는 제2 배리어층(2BL)에 크랙 등의 손상이 발생하게 되더라도 유기 발광 소자의 불량 발생을 줄일 수 있다. The foreign matter or depression may occur randomly in the first plastic layer 1PL and the first barrier layer 1BL, as well as the second plastic layer 2PL and the second barrier layer 2BL. However, compared to the comparative example 101, the organic light emitting
그런데, 다른 실시예의 가요성 기판(FS-2)은 투습력이 개선되어 암점 불량을 줄일 수는 있으나, 무기막인 제1 배리어층(1BL)과 유기막인 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력이 상대적으로 약하기 때문에, 제조 공정 중 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL)이 박리되는 불량이 발생하는 문제가 있다.However, in the flexible substrate FS-2 of another embodiment, the moisture permeability is improved to reduce dark spot defects, but adhesion between the first barrier layer 1BL as an inorganic layer and the second plastic layer 2PL as an organic layer Since this is relatively weak, there is a problem that a defect occurs in which the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL are peeled during the manufacturing process.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력을 향상시키는 제1 중간층(1IL)이 형성되기 때문에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 박리 문제를 해결할 수 있다. However, in the organic light emitting
본 실시예의 제1 중간층(1IL)은 비정질 물질을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1IL)은 비정질 물질의 일 예로, 비정질 실리콘을 포함할 수 있다. The first intermediate layer 1IL according to the present embodiment may include an amorphous material. The first intermediate layer 1IL is an example of an amorphous material, and may include amorphous silicon.
또한, 본 실시예의 제1 중간층(1IL)은 금속 박막을 포함할 수 있다. 상기 금속 박막은 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 알루미늄(Aluminium: Al, 티타늄(Ti), 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 제1 중간층(1IL)은 상기 재료에 한정되지 않고, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL)의 접착력을 향상시키는 것이라면 본 발명에 적용될 수 있다. In addition, the first intermediate layer 1IL according to the present embodiment may include a metal thin film. The metal thin film may include at least one selected from indium tin oxide (ITO), aluminum (Al, titanium (Ti), and molybdenum (Mo).) However, the first intermediate layer of the present invention. 1IL) is not limited to the above material, and can be applied to the present invention as long as it improves adhesion between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL.
또한, 제1 중간층(1IL)은 후술할 모 가요성 기판(MFS)과 유리 기판(GS)의 분리 공정(도 11a 및 도 11b 참조)에서, 유리 기판(GS)으로부터 제2 플라스틱층(2PL)의 분리를 원활히 하기 위하여, UV 광투과율이 10% 이상 되도록 형성할 수 있다. 이를 위하여 제1 중간층(1IL)은 100Å 이하의 두께로 형성할 수 있다.In addition, the first intermediate layer 1IL is a second plastic layer 2PL from the glass substrate GS in the separation process of the parent flexible substrate MFS and the glass substrate GS (see FIGS. 11A and 11B) to be described later. In order to facilitate the separation of, it can be formed so that the UV light transmittance is 10% or more. To this end, the first intermediate layer 1IL may be formed to a thickness of 100 Å or less.
하기 표 1은 가요성 기판(FS-2)에 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 1은 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)으로 단층 SiO2를, 시료 2는 단층 SiNx를, 시료 3은 복합층 SiO2/SiNx/SiO2를, 시료 4는 복합층 SiNx/SiO2/SiNx를 각각 사용한 것이다. Table 1 below shows a structure between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL before the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed on the flexible substrate FS-2 is separated into a unit display device. It shows the peeling evaluation result.
하기 표 2는 가요성 기판(FS-2)에 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리된 후, 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 5는 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)으로 복합층 SiNx/ SiO2를, 시료 6은 복합층 SiNx/SiO2/SiNx를 각각 사용한 것이다. Table 2 below shows that after the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed on the flexible substrate FS-2 is separated into a unit display device, the first barrier layer 1BL and the second plastic It shows the peeling evaluation result between the layers (2PL). Sample 5 uses the composite layer SiNx/SiO2 as the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, and the sample 6 uses the composite layer SiNx/SiO2/SiNx, respectively.
하기 표 3은 가요성 기판(FS)에 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 7은 제1 중간층(1IL)으로 ITO를, 시료 8은 Ti를, 시료 9는 Al을, 시료 10은 a-Si을 5초 동안 성막하고, 시료 11은 a-Si을 10초 동안 성막한 것이다. 각 시료의 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 각각 복합층 SiNx/SiO2를 각각 600A, 1500A 형성한 것이다. Table 3 below shows the peeling evaluation results between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL before the structure in which the first intermediate layer 1IL is formed on the flexible substrate FS is separated into a unit display device. will be. Sample 7 was formed of ITO as the first intermediate layer (1IL), Sample 8 was Ti, Sample 9 was Al, Sample 10 was a-Si for 5 seconds, and Sample 11 was a-Si for 10 seconds. will be. The first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL of each sample were formed of 600A and 1500A of composite layers SiNx/SiO2, respectively.
(gh/inch)Adhesion average
(gh/inch)
하기 표 4는 가요성 기판(FS)에 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리된 후, 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 7 내지 11은 표 3에서의 시료와 동일한 것이다.Table 4 below shows that after the structure in which the first intermediate layer 1IL is formed on the flexible substrate FS is separated into a unit display device, between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in the unit display device It shows the peeling evaluation result. Samples 7 to 11 are the same as those in Table 3.
(gh/inch)Adhesion average
(gh/inch)
표 1을 참조하면, 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에는 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 60~200gf/inch 범위이고, 표 2를 참조하면, 단위 표시 장치로 분리된 후 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 35~40gf/inch로 낮은 접착력 특성을 보인다. Referring to Table 1, before the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed is separated into the unit display device, the average adhesive force between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL is approximately 60 to 200 gf/ inch range, and referring to Table 2, the average adhesive force between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in the unit display device after being separated into a unit display device is approximately 35 to 40 gf/inch, which is low Show characteristics.
그러나, 표 3을 참조하면, 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에는 ⅰ) a-Si의 경우 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 100~300gf/inch, ⅱ) 금속 박막의 경우 '박리 불가'이고, 표 4를 참조하면, 단위 표시 장치로 분리된 후 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균은 '박리 불가'로서 측정이 불가능하였다. 즉, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에 제1 중간층(1IL)을 개재시킬 경우, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력이 현저히 증가함을 알 수 있다. However, referring to Table 3, before the structure in which the first intermediate layer (1IL) is formed is separated into a unit display device: i) In the case of a-Si, the average adhesion between the first barrier layer (1BL) and the second plastic layer (2PL) This is approximately 100 to 300 gf/inch, ii) In the case of a metal thin film, it is'non-peelable', and referring to Table 4, the first barrier layer (1BL) and the second plastic layer in the unit display device after being separated into a unit display device The average of the adhesion between (2PL) was impossible to measure as'non-peelable'. That is, when the first intermediate layer 1IL is interposed between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL, the adhesive strength between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL is remarkably increased. It can be seen that it increases.
따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 가요성 기판(FS)을 2개의 플라스틱층과 2개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 중간층을 협지 시킴으로써, 평균적인 투습 경로를 길게 할 뿐만 아니라 하부 배리어층과 인접하는 상부 플라스틱층 간의 접착력을 증가 시켜 표시 장치의 박리 불량을 개선할 수 있다. Accordingly, in the organic light emitting
도 5a 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면들이다. 5A to 10 are diagrams schematically illustrating an embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting
도 5a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다. 5A is a plan view illustrating a process of forming a parent flexible substrate MFS on the glass substrate GS, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 5A.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 유리 기판(GS) 위에 모 가요성 기판(MFS)을 형성한다. 5A and 5B, a parent flexible substrate MFS is formed on the glass substrate GS.
플라스틱을 소재로 만들어진 모 가요성 기판(MFS)은 열을 가할 경우 휘거나 늘어나는 성질이 있어 그 위에 각종 전극이나 도전 배선 등의 박막 패턴을 정밀하게 형성하기 어려운 점이 있다. 이에, 모 가요성 기판(MFS)을 캐리어 기판인 유리 기판(GS)에 접착시킨 상태에서 여러 박막 패턴 형성 공정을 진행하게 된다.The parent flexible substrate (MFS) made of plastic has a property of being bent or stretched when heat is applied, so it is difficult to precisely form a thin film pattern such as various electrodes or conductive wires thereon. Accordingly, various thin film pattern formation processes are performed in a state in which the parent flexible substrate MFS is adhered to the glass substrate GS, which is a carrier substrate.
먼저, 유리 기판(GS) 상에 제1 플라스틱층(1PS)을 형성한다. 제1 플라스틱층(1PS)은 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트), 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르이미드, 및 폴리에테르술폰 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 고분자 용액을 유리 기판(GS) 위에 코팅 후 경화하거나 또는 고분자 필름을 유리 기판(GS)에 라미네이션하는 방식으로 형성할 수 있다. 경화 방법으로는 열 경화, UV 경화, 전자빔 경화 등 다양한 방법이 사용될 수 있다. First, a first plastic layer 1PS is formed on the glass substrate GS. The first plastic layer 1PS is a plastic polymer solution containing at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate), polyarylate, polycarbonate, polyetherimide, and polyether sulfone on a glass substrate (GS). It may be formed by coating and then curing or laminating a polymer film on a glass substrate GS. Various methods such as thermal curing, UV curing, and electron beam curing may be used as the curing method.
다음으로, 제1 플라스틱층(1PS) 상에 제1 배리어층(1BL)을 형성한다. 제1 배리어층(1BL)은 AlO3, SiO2, SiNx 등과 같은 무기재료를 CVD(chemical vapor deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition) 등을 이용하여 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. Next, a first barrier layer 1BL is formed on the first plastic layer 1PS. The first barrier layer 1BL is a single layer film using inorganic materials such as AlO3, SiO2, SiNx, etc. using chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or atomic layer deposition (ALD). Alternatively, it can be formed as a multilayer film.
다음으로, 제1 배리어층(1BL) 상에 제1 중간층(1IL)을 형성한다. 제1 중간층은 비정질 실리콘과 같은 비정질 물질, 또는 인듐틴옥사이드, 알루미늄, 티타늄, 및 몰리브덴과 같은 금속 박막을 CVD, PECVD 또는 원자층 증착법 등을 이용하여 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. Next, a first intermediate layer 1IL is formed on the first barrier layer 1BL. The first intermediate layer may be formed of an amorphous material such as amorphous silicon, or a metal thin film such as indium tin oxide, aluminum, titanium, and molybdenum as a single layer film or a multilayer film using CVD, PECVD, or atomic layer deposition.
다음으로, 제1 중간층(1IL) 상에 제2 플라스틱층(2PL)을 형성한다. 제2 플라스틱층(2PL)은 전술한 제1 플라스틱층(1PL)과 동일한 재료 및 동일한 방법으로 형성될 수 있다. Next, a second plastic layer 2PL is formed on the first intermediate layer 1IL. The second plastic layer 2PL may be formed by the same material and method as the first plastic layer 1PL described above.
다른 한편, 제2 플라스틱층(2PL)은 제1 플라스틱층(1PL)에 비하여 낮은 점도로 형성될 수 있다. 코팅으로 제1 및 제2 플라스틱층(1PL, 2PL)을 형성할 경우, 고점도의 코팅 용액에는 이물이 많기 때문에 코팅 시 그 이물이 함께 코팅되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 제2 플라스틱층(2PL)을 제1 플라스틱층(1PL)보다 점도를 낮게 형성함으로써, 제2 플라스틱층(2PL)의 코팅 시 필터링이 가능 할 수 있다. 이때, 제2 플라스틱층(2PL)은 필터링된 재료로 형성됨으로써 이물을 줄일 수 가 있고, 제2 플라스틱층(2PL)을 형성하는 코팅액은 저농도이기 때문에 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL)에 생기는 이물을 커버할 수 있다. On the other hand, the second plastic layer 2PL may have a lower viscosity than the first plastic layer 1PL. In the case of forming the first and second plastic layers 1PL and 2PL by coating, since there are many foreign substances in the coating solution having a high viscosity, the foreign substances may be coated together during coating. Therefore, by forming the second plastic layer 2PL to have a lower viscosity than the first plastic layer 1PL, filtering may be possible when the second plastic layer 2PL is coated. At this time, since the second plastic layer 2PL is formed of a filtered material, foreign matter can be reduced, and the coating liquid forming the second plastic layer 2PL has a low concentration, so the first plastic layer 1PL and the first barrier layer It is possible to cover foreign matters that occur in (1BL).
한편, 도 1 및 도 5a에는 제1 플라스틱층(1PS)과 제2 플라스틱층(2PS)의 두께가 동일한 것으로 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 가요성 기판(FS)의 외부에서 투습되는 산소와 수분의 투습 시간은 제1 플라스틱층(1PS)에 비하여 유기 발광 소자층(120)에 더 가까운 제2 플라스틱층(2PS)의 두께에 더 큰 영향을 받는다. 따라서, 제1 플라스틱층(1PS)에 비하여 유기 발광 소자층(120)에 더 가까운 제2 플라스틱층(2PS)의 두께가 더 두껍게 형성함으로써 투습 시간을 지연시켜 유기 발광 소자의 열화를 방지할 수 있다. Meanwhile, in FIGS. 1 and 5A, the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS have the same thickness, but the present invention is not limited thereto. The moisture permeation time of oxygen and moisture transmitted from the outside of the flexible substrate FS has a greater effect on the thickness of the second plastic layer 2PS, which is closer to the organic light emitting
다음으로, 제2 플라스틱층(2PL) 상에 제2 배리어층(2BL)을 형성한다. 제2 배리어층(2BL)은 전술한 제1 배리어층(1BL)과 동일한 재료, 및 동일한 방법으로 형성될 수 있다. Next, a second barrier layer 2BL is formed on the second plastic layer 2PL. The second barrier layer 2BL may be formed by the same material and method as the first barrier layer 1BL described above.
도 6a는 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 ⅥB-ⅥB 선을 따라 취한 단면도이다. 6A is a plan view illustrating a process of forming a plurality of unit organic light emitting
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 모 가요성 기판(MFS) 상에 TFT층(110)과 유기 발광 소자층(120)을 포함하는 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성한다. Referring to FIGS. 6A and 6B, a plurality of unit organic light emitting
TFT층(110)을 형성하는 반도체층(111, 도 2 참조)에 따라 다양한 방식이 적용될 수 있다. 예를 들어, 반도체층(111, 도 2 참조)으로 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 도전성 산화물이 사용될 경우, PECV법, APCVD(atmospheric pressure CVD), LPCVD(low pressure CVD) 등의 증착 방법으로 형성될 수 있고, 반도체층(111, 도 2 참조)으로 유기 TFT가 적용될 경우 코팅, 인쇄법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 한편, 반도체층(111, 도 2 참조)로 다결정 실리콘을 사용할 경우, 비정질 실리콘을 RTA(rapid thermal annealing), SPC(solid phase crystallzation), ELA(excimer laser annealing), MIC(metal induced crystallzation), MILC(metal induced lateral crystallzation), SLS(sequential lateral solidification) 방법 등의 다양한 결정화 방법을 적용하여 결정화될 수 있다. Various methods may be applied depending on the semiconductor layer 111 (see FIG. 2) forming the
TFT층(110)에는 게이트 전극(113, 도 2 참조), 소스 전극(115, 도 2 참조), 드레인 전극(116, 도 2 참조), 커패시터(미도시) 및 다양한 배선들(미도시)이 CVD, PECVD, ALD 등의 방법으로 증착된 후, 사진 식각 공정 등으로 원하는 패턴으로 형성될 수 있다. The
유기 발광 소자층(120)의 유기 발광층을 포함하는 층(123, 도 2)은 증착법, 코팅법, 인쇄법, 광-열전사법 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다. The layer 123 (FIG. 2) including the organic emission layer of the organic light emitting
한편, 도 6b에는 도시되지 않았으나, 제2 배리어층(2BL)과 TFT층(110) 사이에 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. Meanwhile, although not shown in FIG. 6B, a buffer layer (not shown) may be further provided between the second barrier layer 2BL and the
도 7은 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 유기 발광 소자층(120)을 봉지하는 박막 봉지층(130)을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of forming a thin
박막 봉지층(130)은 전술한 바와 같이 복수의 무기층들 또는 무기층과 유기층이 혼합되어 형성될 수 있다. 무기층 및 유기층은 CVD, PECVD, 스퍼터링 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다. The thin
한편, 도 7에는 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 전체적으로 하나의 봉지 박막층(130)이 공통으로 커버하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 봉지 박막층(130)은 단위 유기 발광 표시 장치(100)의 단위 유기 발광 소자를 개별적으로 커버 할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 7, it is shown that one encapsulation
도 8 및 도 9는 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS)을 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.8 and 9 are cross-sectional views schematically illustrating a process of separating the glass substrate GS and the parent flexible substrate MFS.
도 8을 참조하면, 모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리하기 위하여, 유리 기판(GS)의 모 가요성 기판(MFS)이 형성된 면의 반대 면에 레이저 빔을 조사한다. Referring to FIG. 8, in order to separate the parent flexible substrate MFS from the glass substrate GS, a laser beam is irradiated on a surface of the glass substrate GS opposite to the surface on which the parent flexible substrate MFS is formed.
사용되는 레이저 빔으로는 엑시머(Excimer) 레이저를 이용하여 UV 광을 조사할 수 있다. 조사된 UV광은 유리 기판(GS)을 투과하여 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)에 흡수된다. 흡수된 에너지에 의해 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)과 유리 기판(GS) 사이의 결합력이 약해진다. 제1 배리어층(1BL) 또는 제2 배리어층(2BL)은 외부 장력에 의해 쉽게 부서진다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS)과 유리 기판(GS)에 도 9의 화살표 방향의 외부 장력을 적당히 인가함으로써 모 가요성 기판(MFS)를 유리 기판(GS)으로부터 분리할 수 있다. As the laser beam used, an excimer laser may be used to irradiate UV light. The irradiated UV light passes through the glass substrate GS and is absorbed by the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS. The bonding force between the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS and the glass substrate GS is weakened by the absorbed energy. The first barrier layer 1BL or the second barrier layer 2BL is easily broken by an external tension. Accordingly, the parent flexible substrate MFS can be separated from the glass substrate GS by appropriately applying an external tension in the direction of the arrow of FIG. 9 to the parent flexible substrate MFS and the glass substrate GS.
한편, 모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리하는 공정 전에 박막 봉지층(130) 위에 제1 보호필름(140)을 부착할 수 있다. 제1 보호 필름(140)은 편광필름 등과 같은 광학 부재로 사용될 수 도 있다. Meanwhile, before the process of separating the parent flexible substrate MFS from the glass substrate GS, the first
도 10은 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a process of separating an organic light emitting device layer formed on the parent flexible substrate MFS into a plurality of
모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리한 후, 모 가요성 기판(MFS)의 이면에 제2 보호필름(150)을 부착 한 후, 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 진행할 수 있다. 제2 보호 필름(150)은 편광필름 등과 같은 광학 부재로 사용될 수 도 있다.After separating the parent flexible substrate (MFS) from the glass substrate (GS), attaching the second
커팅 휠, 레이저 커팅기 등을 이용하여 단위 표시 장치 사이의 비표시 영역의 커팅 라인(CL)을 따라 커팅함으로써 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리할 수 있다. The plurality of
이하, 도 11a 및 도 11b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 모 가요성 기판(MFS-1)를 제조하는 제조 방법의 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the parent flexible substrate MFS-1 of the organic light emitting
도 11a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-1)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 11b는 도 11a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다. 도 11a 및 도 11b는 특히, 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS-1)의 접합 면의 외곽부를 상세히 도시한 것이다. FIG. 11A is a plan view showing a process of forming the parent flexible substrate MFS-1 on the glass substrate GS, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 11A. In particular, FIGS. 11A and 11B illustrate in detail an outer portion of the bonding surface of the glass substrate GS and the parent flexible substrate MFS-1.
유리 기판(GS) 위에 형성된 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 각각 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)에 의해 덮이도록 형성되어 있다. The first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL formed on the glass substrate GS are formed to be covered by the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, respectively.
제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)을 코팅 공정으로 유리 기판(GS) 상에 형성할 때, 코팅액이 유리 기판(GS) 외부로 흐르게 되면, 유리 기판(GS) 외부로 흘러나온 유기 코팅액은 불량을 발생 시킨다. 따라서, 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 유리 기판(GS) 보다 작은 영역에 코팅될 수 있도록 형성된다. 반면, 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 CVD, PECVE 등의 증착 공정으로 진행되므로 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)에 비하여 유리 기판(GS)의 단부에 가깝게 형성된다. When the first plastic layer (1PL) and the second plastic layer (2PL) are formed on the glass substrate GS by a coating process, when the coating liquid flows outside the glass substrate GS, it flows outside the glass substrate GS. The organic coating liquid that comes out causes defects. Accordingly, the first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL are formed to be coated on a smaller area than the glass substrate GS. On the other hand, since the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL are processed by a deposition process such as CVD or PECVE, the glass substrate GS is compared to the first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL. Is formed close to the end of.
제2 플라스틱층(2PL)은 제1 플라스틱층(1PL)을 약간 덮는 구조가 된다. 이는 제2 플라스틱층(2PL)을 제1 플라스틱층(1PL)과 동일한 위치에 형성하더라도 코팅 시 유동성에 의해 제2 플라스틱층(2PL)이 제1 플라스틱층(1PL) 외곽부로 흐르게 된 경우이다. 제1 중간층(1IL)은 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)과 동일한 크기로 형성된다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-2)의 외곽부에 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역(OA)이 발생된다. The second plastic layer 2PL has a structure that slightly covers the first plastic layer 1PL. This is a case in which the second plastic layer 2PL flows to the outer portion of the first plastic layer 1PL due to fluidity during coating even if the second plastic layer 2PL is formed at the same position as the first plastic layer 1PL. The first intermediate layer 1IL is formed to have the same size as the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL. Accordingly, a region OA in which the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL overlap is generated on the outer edge of the parent flexible substrate MFS-2.
모 가요성 기판(MFS-2)과 유리 기판(GS)의 분리 공정에서, 조사된 UV광은 유리 기판(GS)을 투과하여 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)에 흡수되어야 하는데, 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역(OA)에서는 제1 중간층(1IL-1)이 UV 광을 흡수하여, 이 UV 광이 제2 플라스틱층(2PL)에 흡수되는 것을 방해한다. 이로 인하여, 유리 기판(GS)으로부터 모 가요성 기판(MFS-2)을 분리하기가 어려워질 수 있다. In the separation process of the parent flexible substrate (MFS-2) and the glass substrate (GS), the irradiated UV light passes through the glass substrate GS and is absorbed by the first plastic layer (1PS) and the second plastic layer (2PS). In the area OA where the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL overlap, the first intermediate layer 1IL-1 absorbs UV light, and the UV light is absorbed by the second plastic layer. It interferes with absorption by (2PL). Due to this, it may be difficult to separate the parent flexible substrate MFS-2 from the glass substrate GS.
따라서, 제1 중간층(1IL-1)은 UV광을 적절히 투과할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 중간층(1IL-1)은 UV 광투과율이 10% 이상 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 제1 중간층(IL-1)의 성막 시간을 조절하여 제1 중간층(1IL-1)의 두께를 적절히 조절함으로써 제1 중간층(1IL-1)의 UV 광투과율을 10% 이상으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1IL-1)의 두께는 대략 100A 이하로 형성할 수 있다.Therefore, it is preferable that the first intermediate layer 1IL-1 is formed so as to adequately transmit UV light. For example, the first intermediate layer (1IL-1) is preferably formed so that the UV light transmittance of 10% or more. The UV light transmittance of the first intermediate layer 1IL-1 may be formed to be 10% or more by appropriately adjusting the thickness of the first intermediate layer 1IL-1 by adjusting the film formation time of the first intermediate layer IL-1. For example, the thickness of the first intermediate layer 1IL-1 may be approximately 100A or less.
이하, 도 12를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting
도 12를 참조하면, 모 가요성 기판(MFS-2)을 형성하는 단계에서, 제1 중간층(IL-2)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성한다. Referring to FIG. 12, in the step of forming the parent flexible substrate MFS-2, the first intermediate layer IL-2 is formed equal to or smaller than the first plastic layer 1PL.
전술한 도 11a 및 도 11b의 실시예는, 모 가요성 기판(MFS-2)의 외곽부에 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)에 의한 중첩되는 영역(OA)에서 제1 중간층(1IL-1)의 UV 광 투과율을 두께로 조절하는 것인 반면, 본 제조 방법은, 제1 중간층(IL-2)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성함으로써 외곽부에 중첩 영역(OA)을 원천적으로 만들지 않는 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 유리 기판(GS)의 단부에서, 제2 플라스틱층(2PL)의 단부와 제1 배리어층(1BL)의 단부가 직접 접촉한다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-2)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다. In the above-described embodiments of FIGS. 11A and 11B, in the overlapping region OA by the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL on the outer portion of the parent flexible substrate MFS-2. Whereas the UV light transmittance of the first intermediate layer 1IL-1 is adjusted to the thickness, in this manufacturing method, the outer part is formed by forming the first intermediate layer IL-2 equal to or smaller than the first plastic layer 1PL. It is characterized in that the overlapping area (OA) is not originally made. That is, at the end of the glass substrate GS, the end of the second plastic layer 2PL and the end of the first barrier layer 1BL directly contact each other. Accordingly, the process of separating the parent flexible substrate MFS-2 and the glass substrate GS can be smoothly performed.
이하, 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting
도 13을 참조하면, 모 가요성 기판(MFS-3)을 형성하는 단계에서, 제2 플라스틱층(2PL-3)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성한다. Referring to FIG. 13, in the step of forming the parent flexible substrate MFS-3, the second plastic layer 2PL-3 is formed equal to or smaller than the first plastic layer 1PL.
제2 플라스틱층(2PL-3)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성함으로써, 전술한 도 12의 실시예와 마찬가지로 외곽부에 제2 플라스틱층(2PL-3)과 제1 중간층(1IL)에 의한 중첩 영역(OA)을 원천적으로 만들지 않는다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-3)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다. 여기서, 제2 플라스틱층(2PL-3)은 제1 플라스틱층(1PL) 상에서 코팅 과정에서 흐르기 때문에, 실재 설계 단계에서는 계획하는 면적보다 더 작게 제2 플라스틱층(2PL-3)의 면적을 설계하여야 함을 의미한다. By forming the second plastic layer 2PL-3 equal to or smaller than the first plastic layer 1PL, the second plastic layer 2PL-3 and the first intermediate layer ( 1IL) do not make the overlapping area (OA) as a source. Therefore, it is possible to smoothly perform the separation process of the parent flexible substrate MFS-3 and the glass substrate GS. Here, since the second plastic layer 2PL-3 flows on the first plastic layer 1PL during the coating process, in the actual design stage, the area of the second plastic layer 2PL-3 should be designed to be smaller than the planned area. Means.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 개략적인 단면도이다. 14 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
도 14을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 가요성 기판(FS-2), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. 이하, 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명하고, 동일한 참조부호는 전술한 실시예의 설명을 참조하여 이해될 수 있다. Referring to FIG. 14, an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 가요성 기판(FS-2)는 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL-4), 제2 플라스틱층(2PL), 및 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. The flexible substrate FS-2 of the organic light emitting
본 실시예의 제1 중간층(1IL-4)은 유기 발광 소자층(120)이 형성된 영역에 위치하도록 패터닝되어 있다. The first intermediate layer 1IL-4 according to the present exemplary embodiment is patterned to be positioned in a region in which the organic light emitting
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 제조 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 15A and 15B are plan and cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting
도 15a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-4)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 15b는 도 15a의 ⅩVB -ⅩVB 선을 따라 취한 단면도이다. FIG. 15A is a plan view illustrating a process of forming a parent flexible substrate MFS-4 on the glass substrate GS, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line XVB-XVB in FIG. 15A.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 유리 기판(GS) 제1 플라스틱층(1PS) 과 제1 배리어층(1BL)을 순차적으로 형성한 후, 제1 중간층(1IL-4)을 형성한다. 15A and 15B, after sequentially forming a first plastic layer 1PS and a first barrier layer 1BL on a glass substrate GS, a first intermediate layer 1IL-4 is formed.
이때 제1 중간층(1IL-4)은 각 단위 표시 장치(200)에 대응되는 영역에만 형성되고, 단위 표시 장치(200) 사이의 비표시 영역에는 형성되지 않는다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-4) 상에 형성된 복수의 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(200)로 분리하는 공정에서, 커팅 라인에 제1 중간층(IL-4)과 같은 무기막층을 적게 형성하여 커팅 시 무기막에 의해 발생하는 크랙이나 오염을 줄일 수 있다. In this case, the first intermediate layer 1IL-4 is formed only in an area corresponding to each
또한, 유리 기판(GS)의 단부에 제1 중간층(IL-4)이 형성되어 있지 않기 때문에, 유리 기판(GS)의 단부에 제1 중간층(IL-4)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역이 발생하지 않는다. 즉, 유리 기판(GS)의 단부에서, 제2 플라스틱층(2PL)의 단부와 제1 배리어층(1BL)의 단부가 직접 접촉한다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-4)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다. In addition, since the first intermediate layer IL-4 is not formed at the end of the glass substrate GS, the first intermediate layer IL-4 and the second plastic layer 2PL are formed at the end of the glass substrate GS. There is no overlapping area. That is, at the end of the glass substrate GS, the end of the second plastic layer 2PL and the end of the first barrier layer 1BL directly contact each other. Therefore, it is possible to smoothly perform the separation process of the parent flexible substrate MFS-4 and the glass substrate GS.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 개략적인 단면도이다. 16 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting
도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 가요성 기판(FS-3), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. 이하, 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명하고, 동일한 참조부호는 전술한 실시예의 설명을 참조하여 이해될 수 있다. Referring to FIG. 16, an organic light emitting
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 가요성 기판(FS-3)는 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL), 제2 플라스틱층(2PL), 제2 중간층(2IL), 제2 배리어층(2BL), 제3 플라스틱층(3PL) 및 제3 배리어층(3BL)을 포함한다. The flexible substrate FS-3 of the organic light emitting
즉, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 가요성 기판(FS-3)을 3개의 플라스틱층과 3개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 각각 중간층(1IL, 2IL)을 협지되어 있다. 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에 비하여 평균적인 투습 경로가 더 길어졌기 때문에 산소와 수분의 투습을 더욱 잘 방지할 수 있다. That is, in the organic light emitting
한편, 도 16에는 3개의 플라스틱층과 3개의 배리어층을 교번하여 적층된 구조를 도시하였지만, 플라스틱층과 배리어층은 필요에 따라 더 적층할 수 있다. 이때, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이의 중간층도 필요에 따라 더 형성할 수 있음은 물론이다. Meanwhile, although FIG. 16 shows a structure in which three plastic layers and three barrier layers are alternately stacked, the plastic layer and the barrier layer may be further stacked if necessary. At this time, it goes without saying that an intermediate layer between the adjacent plastic layer and the barrier layer may be further formed as needed.
또한 도 16에는 도시되어 있지 않으나, 도 14에 설명된 바와 같이 제1 중간층(1IL) 및 제2 중간층(2IL)은 패터닝 될 수 있다. Also, although not shown in FIG. 16, as illustrated in FIG. 14, the first intermediate layer 1IL and the second intermediate layer 2IL may be patterned.
그리고, 전술한 실시예는 유기 발광 표시 장치의 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 유기 발광 표시 장치뿐만 아니라 다양한 플렉서블 디스플레이 장치들에도 본 발명이 적용될 수 있다. 예를 들어, 휴대용 모바일 기기, 네비게이션, 비디오 카메라, 노트북 PC, 태블릿 PC, 평면 TV, 빔프로젝터 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. Further, in the above-described embodiments, the present invention has been described based on the structure of the organic light emitting display device, but the present invention can be applied not only to the organic light emitting display device but also to various flexible display devices. For example, it can be applied to various electronic devices such as portable mobile devices, navigation, video cameras, notebook PCs, tablet PCs, flat screen TVs, and beam projectors.
상기 도면들에 도시된 구성요소들은 설명의 편의상 확대 또는 축소되어 표시될 수 있으므로, 도면에 도시된 구성요소들의 크기나 형상에 본 발명이 구속되는 것은 아니며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다. Components shown in the drawings may be enlarged or reduced for convenience of description, so the present invention is not limited to the size or shape of the components shown in the drawings, and those of ordinary skill in the art If so, it will be understood that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
100: 유기 발광 표시 장치 FS: 가요성 기판
1PL: 제1 플라스틱층 2PL: 제2 플라스틱층
1BL: 제1 배리어층 2BL: 제2 배리어층
1IL: 제1 중간층 110: TFT층
120: 유기 발광 소자층 130: 박막 봉지층
GS: 유리 기판 MFS: 모(母) 가요성 기판100: organic light emitting display device FS: flexible substrate
1PL: first plastic layer 2PL: second plastic layer
1BL: first barrier layer 2BL: second barrier layer
1IL: first intermediate layer 110: TFT layer
120: organic light emitting element layer 130: thin film encapsulation layer
GS: Glass substrate MFS: Parent flexible substrate
Claims (23)
상기 제1 플라스틱층 상에 위치하는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 위치하고, 상기 제1 배리어층과 직접 접촉하는 제1 중간층;
상기 제1 중간층 상에 위치하고, 상기 제1 중간층과 직접 접촉하는 제2 플라스틱층;
상기 제2 플라스틱층 상에 위치하는 유기 발광 소자; 및
상기 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막;을 포함하고,
상기 제1 중간층은 비정질 물질, 금속 박막, 및 금속 산화 박막 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 중간층은 비정질 실리콘을 포함하고, 상기 제1 중간층의 두께는 100Å 이하인, 유기 발광 표시 장치. A first plastic layer;
A first barrier layer on the first plastic layer;
A first intermediate layer on the first barrier layer and in direct contact with the first barrier layer;
A second plastic layer positioned on the first intermediate layer and in direct contact with the first intermediate layer;
An organic light-emitting device positioned on the second plastic layer; And
Including; an encapsulation thin film sealing the organic light emitting device,
The first intermediate layer includes at least one of an amorphous material, a metal thin film, and a metal oxide thin film, the first intermediate layer includes amorphous silicon, and the thickness of the first intermediate layer is 100 Å or less.
상기 제1 중간층은 UV 광투과율이 10% 이상인, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The first intermediate layer has a UV light transmittance of 10% or more.
상기 제1 플라스틱층 및 제2 플라스틱층 각각은, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 및 폴리에테르이미드 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
Each of the first plastic layer and the second plastic layer includes at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyarylate, polycarbonate, polyether sulfone, and polyetherimide. .
상기 제2 플라스틱층의 두께는 상기 제1 플라스틱층의 두께보다 더 두꺼운, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device, wherein the second plastic layer has a thickness greater than that of the first plastic layer.
상기 제1 배리어층은 무기 재료를 포함하는, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The organic light-emitting display device, wherein the first barrier layer includes an inorganic material.
상기 무기 재료는 금속 산화물, 실리콘 산화물, 및 실리콘 질화물 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 6,
The inorganic material includes at least one of a metal oxide, a silicon oxide, and a silicon nitride.
상기 제2 플라스틱층 상에 위치하는 제2 배리어층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device further comprising a second barrier layer on the second plastic layer.
상기 제2 배리어층은 무기 재료를 포함하는, 유기 발광 표시 장치.The method of claim 8,
The second barrier layer includes an inorganic material.
상기 제2 배리어층의 두께는 상기 제1 배리어층의 두께보다 더 두꺼운, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 8,
The organic light emitting diode display device, wherein the second barrier layer has a thickness greater than that of the first barrier layer.
상기 제2 배리어층 상에 위치하는 제2 중간층;
상기 제2 중간층 상에 위치하는 제3 플라스틱층; 및
상기 제3 플라스틱층 상에 위치하는 제3 배리어층;을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. The method of claim 8,
A second intermediate layer on the second barrier layer;
A third plastic layer on the second intermediate layer; And
The organic light emitting display device further comprising a third barrier layer positioned on the third plastic layer.
상기 캐리어 기판 상에 제1 플라스틱층, 제1 배리어층, 제1 중간층, 및 제2 플라스틱층이 차례로 적층된 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계;
상기 모(母) 가요성 기판 상에 복수의 유기 발광 소자를 형성하는 단계;
상기 복수의 유기 발광 소자를 봉지하는 봉지 박막을 형성하는 단계;
상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리하는 단계; 및
상기 모(母) 가요성 기판을 상기 복수의 유기 발광 소자를 적어도 하나 포함하는 복수의 단위 표시 장치로 분리하는 단계;를 포함하고,
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 분리된 각 단위 표시 장치에 포함된 상기 복수의 유기 발광 소자가 위치하는 영역에 대응되도록, 상기 제1 중간층을 분리된 복수 개의 패턴이 되도록 형성하고,
상기 제1 중간층은 비정질 물질, 금속 박막, 및 금속 산화 박막 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 제1 중간층의 두께는 100Å 이하로 형성하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. Preparing a carrier substrate;
Forming a parent flexible substrate in which a first plastic layer, a first barrier layer, a first intermediate layer, and a second plastic layer are sequentially stacked on the carrier substrate;
Forming a plurality of organic light emitting devices on the parent flexible substrate;
Forming an encapsulation thin film encapsulating the plurality of organic light emitting devices;
Separating the carrier substrate from the parent flexible substrate; And
And separating the parent flexible substrate into a plurality of unit display devices including at least one of the plurality of organic light emitting devices; and
The step of forming the parent flexible substrate,
The first intermediate layer is formed to be a plurality of separated patterns so as to correspond to a region in which the plurality of organic light emitting elements included in the separated unit display devices are located,
The first intermediate layer includes at least one of an amorphous material, a metal thin film, and a metal oxide thin film, and the first intermediate layer has a thickness of 100 Å or less.
상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리하는 단계는,
상기 모(母) 가요성 기판이 형성된 상기 캐리어 기판의 제1면의 반대 면인 제2면에 레이저를 조사하여, 상기 캐리어 기판과 상기 모(母) 가요성 기판을 분리하는 것을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The step of separating the carrier substrate and the parent flexible substrate,
Organic light emission comprising separating the carrier substrate and the parent flexible substrate by irradiating a laser on a second surface opposite to the first surface of the carrier substrate on which the parent flexible substrate is formed Method of manufacturing a display device.
상기 레이저는 UV 광을 조사하는 것을 특징으로 하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 13,
The method of manufacturing an organic light emitting display device, characterized in that the laser irradiates UV light.
상기 제1 중간층의 두께는 UV 광투과율이 10% 이상이 되도록 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of claim 13,
The method of manufacturing an organic light emitting diode display, wherein the first intermediate layer has a UV light transmittance of 10% or more.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제1 중간층을 단면도 상에서 상기 제1 플라스틱층과 같거나 작게 형성하는 것을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The step of forming the parent flexible substrate,
Forming the first intermediate layer equal to or smaller than the first plastic layer on a cross-sectional view.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 플라스틱층을 단면도 상에서 상기 제1 플라스틱층과 같거나 작게 형성하는 것을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of claim 12,
The step of forming the parent flexible substrate,
Forming the second plastic layer equal to or smaller than the first plastic layer on a cross-sectional view.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 플라스틱층을 상기 제1 플라스틱층보다 점도가 낮게 형성하는 것을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of claim 12,
The step of forming the parent flexible substrate,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display comprising forming the second plastic layer to have a lower viscosity than the first plastic layer.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 플라스틱층을 상기 제1 플라스틱층보다 두껍게 형성하는 것을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. The method of claim 12,
The step of forming the parent flexible substrate,
A method of manufacturing an organic light emitting diode display comprising forming the second plastic layer thicker than the first plastic layer.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 플라스틱층 상에 제2 배리어층을 형성하는 것을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 12,
The step of forming the parent flexible substrate,
The method of manufacturing an organic light-emitting display device, further comprising forming a second barrier layer on the second plastic layer.
상기 모(母) 가요성 기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 배리어층 상에 제2 중간층을 형성하고,
상기 제2 중간층 상에 제3 플라스틱층을 형성하고,
상기 제3 플라스틱층 상에 제3 배리어층을 형성하는 것을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 22,
The step of forming the parent flexible substrate,
Forming a second intermediate layer on the second barrier layer,
Forming a third plastic layer on the second intermediate layer,
The method of manufacturing an organic light emitting display device further comprising forming a third barrier layer on the third plastic layer.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200047723A KR102184678B1 (en) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate |
KR1020200159095A KR102270084B1 (en) | 2020-04-20 | 2020-11-24 | TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130056042A Division KR102104608B1 (en) | 2013-05-16 | 2013-05-16 | TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate |
Related Child Applications (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20200043966A KR20200043966A (en) | 2020-04-28 |
KR102184678B1 true KR102184678B1 (en) | 2020-12-01 |
Family
ID=70455915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200047723A KR102184678B1 (en) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102184678B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100647701B1 (en) * | 2005-09-15 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flexible substrate, flexible thin film transistor substrate and flat panel display apparatus comprising the same |
JP2011051220A (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-17 | Fujifilm Corp | Gas barrier film and device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120061906A (en) * | 2003-05-16 | 2012-06-13 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition |
KR20070073279A (en) * | 2006-01-04 | 2007-07-10 | 삼성전자주식회사 | Tft substrate and making method of the same |
KR101065318B1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Method of manufacturing flexible display apparatus |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200043966A (en) | 2020-04-28 |
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