Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR102004761B1 - 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102004761B1
KR102004761B1 KR1020120107393A KR20120107393A KR102004761B1 KR 102004761 B1 KR102004761 B1 KR 102004761B1 KR 1020120107393 A KR1020120107393 A KR 1020120107393A KR 20120107393 A KR20120107393 A KR 20120107393A KR 102004761 B1 KR102004761 B1 KR 102004761B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
internal electrode
green sheet
face
ceramic green
ceramic body
Prior art date
Application number
KR1020120107393A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140040547A (ko
Inventor
강성형
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020120107393A priority Critical patent/KR102004761B1/ko
Priority to JP2013172079A priority patent/JP2014068000A/ja
Priority to US13/974,795 priority patent/US9384898B2/en
Priority to CN201310407328.0A priority patent/CN103680947B/zh
Publication of KR20140040547A publication Critical patent/KR20140040547A/ko
Priority to JP2018090497A priority patent/JP6978163B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of KR102004761B1 publication Critical patent/KR102004761B1/ko
Priority to JP2021100269A priority patent/JP7315138B2/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 연결하는 제3 단면 및 제4 단면을 가지는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 상기 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면 또는 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 일단이 노출되는 제1 및 제2 내부전극; 상기 세라믹 본체의 외측에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극; 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 일부 영역에 형성된 도금층;을 포함하며, 상기 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에는 고분자층이 추가로 형성될 수 있다.

Description

적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법{Multilayer ceramic capacitor and a method for manufactuaring the same}
본 발명은 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 신뢰성이 우수한 고용량 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 커패시터, 인턱터, 압전체 소자, 바리스터 또는 서미스터 등의 세라믹 재료를 사용하는 전자부품은 세라믹 재료로 이루어진 세라믹 본체, 본체 내부에 형성된 내부전극 및 상기 내부전극과 접속되도록 세라믹 본체 표면에 설치된 외부전극을 구비한다.
세라믹 전자부품 중 적층 세라믹 커패시터는 적층된 복수의 유전체층, 일 유전체층을 사이에 두고 대향 배치되는 내부전극, 상기 내부전극에 전기적으로 접속된 외부전극을 포함한다.
적층 세라믹 커패시터는 소형이면서도 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 컴퓨터, PDA, 휴대폰 등의 이동 통신장치의 부품으로서 널리 사용되고 있다.
최근에는 전자제품이 소형화 및 다기능화됨에 따라 칩 부품 또한 소형화 및 고기능화되는 추세이므로, 적층 세라믹 커패시터도 크기가 작고, 용량이 큰 고용량 제품이 요구되고 있다.
적층 세라믹 커패시터의 용량을 높이는 위해서 유전체층을 박막화하는 방법, 박막화된 유전체층을 고적층화하는 방법, 내부전극의 커버리지를 향상시키는 방법 등이 고려되고 있다. 또한, 용량을 형성하는 내부전극의 중첩 면적을 향상시키는 방법이 고려되고 있다.
일반적으로 적층 세라믹 커패시터는 다음과 같이 제조될 수 있다. 우선, 세라믹 그린시트를 제조하고, 세라믹 그린시트 상에 도전성 페이스트를 인쇄하여 내부전극을 형성한다. 내부전극이 형성된 세라믹 그린시트를 수십 내지 수백층 까지 겹쳐 쌓아 올려 그린 세라믹 적층체를 만든다. 이 후 그린 세라믹 적층체를 고온 및 고압으로 압착하여 딱딱한 그린 세라믹 적층체를 만들고, 절단 공정을 거쳐 그린 칩을 제조한다. 이후 그린 칩을 가소 및 소성하고, 이후 외부전극을 형성하여 적층 세라믹 커패시터를 완성한다.
상기와 같은 제조방법에 의하여 적층 세라믹 커패시터를 형성하는 경우, 내부전극이 형성되지 않는 유전체층의 마진부 영역을 최소화하기 어려워 내부전극의 중첩 면적을 늘리는게 한계가 있다. 또한, 적층 세라믹 커패시터의 모서리부의 마진부는 다른 영역의 마진부보다 두껍게 형성되어 가소 및 소성시 탄소의 제거가 용이하지 않은 문제가 있다.
일본공개특허공보 2011-003846
본 발명은 신뢰성이 우수한 고용량 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시형태는 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 연결하는 제3 단면 및 제4 단면을 가지는 세라믹 본체; 상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 상기 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면 또는 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 일단이 노출되는 제1 및 제2 내부전극; 상기 세라믹 본체의 외측에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극; 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 일부 영역에 형성된 도금층;을 포함하며, 상기 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에는 고분자층이 추가로 형성되는 적층 세라믹 커패시터를 제공한다.
상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면의 일부 영역에만 노출될 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면 중 도금층이 형성된 영역에는 노출되지 않을 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 복수 개의 스트라이프형 제1 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제1 세라믹 그린시트 및 복수 개의 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제2 세라믹 그린시트를 마련하는 단계; 상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴과 상기 스트라이프형 제2 내부 전극 패턴이 교차되도록 상기 제1 세라믹 그린시트와 상기 제2 세라믹 그린시트를 적층하여 세라믹 그린시트 적층체를 형성하되, 상기 적층체의 상면 및 하면 중 적어도 일면에는 복수 개의 세라믹 그린시트를 적층하여 커버층을 형성하는 단계; 상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 제2 내부전극 패턴을 가로 질러서 제1 내부전극 및 제2 내부전극이 일정 폭을 가지며, 상기 폭 방향으로 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 말단이 노출된 측면을 갖도록 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하는 단계; 상기 적층체의 외측에 도전성 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 단계; 및 상기 적층체 및 상기 제1 및 제2 외부전극 상부의 일부 영역에 고분자 물질을 코팅하는 단계;를 포함하는 적층 세라믹 커패시터의 제조방법을 제공한다.
상기 고분자 물질을 코팅하는 단계 이후에 상기 제1 및 제2 외부전극 상부에 있어서 고분자 물질이 코팅되지 않은 나머지 영역에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면 중 도금층이 형성된 영역에는 노출되지 않을 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면의 일부 영역에만 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 의하면, 적층 세라믹 커패시터에 있어서 세라믹 본체의 폭 방향 마진부까지 내부전극이 오버랩될 수 있어, 우수한 용량 구현이 가능하며, 신뢰성 향상 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 S 영역 확대도이다.
도 4는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터 내의 내부전극의 개략적인 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법을 나타내는 개략적인 공정도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 2의 S 영역 확대도이다.
도 4는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터 내의 내부전극의 개략적인 평면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 커패시터는 세라믹 본체(10); 상기 세라믹 본체의 내부에 형성되는 제1 및 제2 내부전극(21, 22); 상기 세라믹 본체(10)의 외측에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극(31a, 32a); 및 상기 제1 및 제2 외부전극(31a, 32a)의 일부 영역에 형성된 도금층(31b, 32b);을 포함할 수 있다.
상기 세라믹 본체(10)는 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면과 상기 제1 측면 및 제2 측면을 연결하는 제3 단면 및 제4 단면을 가질 수 있다.
상기 세라믹 본체(10)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 도시된 바와 같이 직방체 형상일 수 있다.
상기 세라믹 본체(10) 내부에 형성된 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 세라믹 본체의 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면 또는 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 일단이 노출된다.
상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 서로 다른 극성을 갖는 제1 내부전극(21) 및 제2 내부전극(22)을 한 쌍으로 할 수 있다.
제1 내부전극(21)의 일단은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면으로 노출되고, 제2 내부전극(22)의 일단은 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 노출될 수 있다.
상기 제1 내부전극(21) 및 제2 내부전극(22)의 타단은 제3 단면 또는 제4 단면으로부터 일정 간격을 두고 형성된다.
상기 세라믹 본체의 제3 단면 및 제4 단면에는 제1 및 제2 외부전극(31a, 32a)이 형성되어 상기 내부전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 세라믹 본체(10)를 구성하는 복수의 유전체층(1)은 소결된 상태로서, 인접하는 유전체층끼리의 경계는 확인할 수 없을 정도로 일체화되어 있을 수 있다.
상기 유전체층 상에 제1 내부전극(21) 및 제2 내부전극(22)이 형성될 수 있으며, 상기 제1 내부전극(21) 및 제2 내부전극(22)은 소결에 의하여 일 유전체층을 사이에 두고, 상기 세라믹 본체 내부에 형성될 수 있다.
상기 유전체층(1)은 제1 내부전극(21)의 폭과 동일한 폭을 가질 수 있다.
즉, 상기 제1 내부전극(21)은 유전체층(112)의 폭 방향으로 노출되어 형성될 수 있다.
유전체층의 폭 및 내부전극의 폭은 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면을 기준으로 한다.
이에 제한되는 것은 아니나, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 유전체층의 폭 및 내부전극의 폭은 100 내지 900㎛일 수 있다. 보다 구체적으로, 유전체층의 폭 및 내부전극의 폭은 100 내지 500㎛이거나, 100 내지 900㎛일 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 팔라듐(Pd), 팔라듐-은(Pd-Ag)합금 등의 귀금속 재료 및 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 이루어진 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 내부전극과 동일한 재질의 도전성 물질로 형성될 수 있으나 이에 제한되지는 않으며, 예를 들어, 구리(Cu), 은(Ag), 니켈(Ni) 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(31, 32)은 상기 금속 분말에 글라스 프릿을 첨가하여 마련된 도전성 페이스트를 도포한 후 소성함으로써 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극(31a, 32a)의 일부 영역에는 도금층(31b, 32b)이 형성될 수 있다.
상기 도금층(31b, 32b)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 니켈(Ni), 주석(Sn) 등으로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 상기 세라믹 본체(10)의 제1 측면 및 제2 측면의 일부 영역에만 노출될 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)은 상기 세라믹 본체(10)의 제1 측면 및 제2 측면 중 도금층(31b, 32b)이 형성된 영역에는 노출되지 않을 수 있다.
상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)이 도금층(31b, 32b)이 형성된 제1 측면 및 제2 측면의 영역에까지 노출될 경우에는 도금액이 내부전극으로 침투될 수 있어 신뢰성에 문제가 생길 수 있기 때문이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 제1 내부전극(21)의 일단은 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면으로 노출되고, 제2 내부전극(22)의 일단은 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 노출됨으로써, 상기 세라믹 본체(10) 내에 형성되는 내부전극의 중첩 면적이 넓어질 수 있다.
따라서, 상대적으로 내부전극의 중첩 면적이 증가함으로써, 적층 세라믹 커패시터의 고용량을 확보할 수 있는 효과가 있다.
일반적으로, 유전체층이 고적층화 될수록 유전체층 및 내부 전극의 두께는 얇아지게 된다.
따라서 내부 전극이 쇼트되는 현상이 빈번하게 발생할 수 있다.
또한, 유전체층 일부에만 내부전극이 형성되는 경우 내부전극에 의한 단차가 발생하여 절연 저항의 가속 수명이나 신뢰성이 저하될 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 박막의 내부전극 및 유전체층을 형성하더라도, 제1 내부전극(21)의 일단이 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면으로 노출되고, 제2 내부전극(22)의 일단이 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 노출되기 때문에 내부전극의 중첩 면적이 커져 적층 세라믹 커패시터의 용량을 크게 할 수 있다.
또한, 내부 전극에 의한 단차를 감소시켜 절연 저항의 가속 수명이 향상되어 용량 특성이 우수하면서도 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 커패시터를 제공할 수 있다.
한편, 상기와 같이 제1 내부전극(21)의 일단이 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면으로 노출되고, 제2 내부전극(22)의 일단이 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 노출될 경우, 적층 세라믹 커패시터의 신뢰성에 문제가 생길 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에는 고분자층(11)이 추가로 형성될 수 있다.
상기 고분자층(11)은 상기 세라믹 본체(10)의 전체 면을 둘러싸면서 도포됨으로써, 제1 측면 및 제2 측면의 영역에까지 노출된 상기 제1 및 제2 내부전극(21, 22)이 외부에 취약할 수 있는 문제를 막을 수 있다.
상기 고분자층(11)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 일반적인 고분자 물질이면 가능하며, 예를 들어 에폭시 수지일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 고분자층(11)은 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에만 형성될 수 있다.
상기의 특징은, 후술하는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법으로부터 구현될 수 있으며, 제1 및 제2 외부전극을 형성한 후 도금층 형성 이전에 상기 고분자층을 형성하기 때문에 가능하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기와 같이 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에 고분자층을 형성함으로써, 상대적으로 내부전극의 중첩 면적을 증가시켜 적층 세라믹 커패시터의 고용량을 확보함과 동시에 내부 전극에 의한 단차를 감소시켜 신뢰성이 우수한 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법을 나타내는 개략적인 공정도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 적층 세라믹 커패시터의 제조방법은 복수 개의 스트라이프형 제1 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제1 세라믹 그린시트 및 복수 개의 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제2 세라믹 그린시트를 마련하는 단계; 상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴과 상기 스트라이프형 제2 내부 전극 패턴이 교차되도록 상기 제1 세라믹 그린시트와 상기 제2 세라믹 그린시트를 적층하여 세라믹 그린시트 적층체를 형성하되, 상기 적층체의 상면 및 하면 중 적어도 일면에는 복수 개의 세라믹 그린시트를 적층하여 커버층을 형성하는 단계; 상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 제2 내부전극 패턴을 가로 질러서 제1 내부전극 및 제2 내부전극이 일정 폭을 가지며, 상기 폭 방향으로 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 말단이 노출된 측면을 갖도록 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하는 단계; 상기 적층체의 외측에 도전성 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 단계; 및 상기 적층체 및 상기 제1 및 제2 외부전극 상부의 일부 영역에 고분자 물질을 코팅하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 세라믹 그린시트는 세라믹 파우더, 유기 용제 및 유기 바인더를 포함하는 세라믹 페이스트로 형성될 수 있다.
상기 세라믹 파우더는 높은 유전율을 갖는 물질로서 이에 제한되는 것은 아니나 티탄산바륨(BaTiO3)계 재료, 납 복합 페로브스카이트계 재료 또는 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 재료 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 티탄산바륨(BaTiO3) 파우더가 사용될 수 있다.
상기 세라믹 그린시트가 소성되면 세라믹 본체를 구성하는 유전체층(1)이 된다.
스트라이프형 제1 내부전극 패턴은 도전성 금속을 포함하는 내부전극 페이스트에 의하여 형성될 수 있다.
상기 도전성 금속은 이에 제한되는 것은 아니나, Ni, Cu, Pd, 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기 세라믹 그린시트 상에 스트라이프형 제1 내부전극 패턴을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법과 같은 인쇄법을 통해 형성될 수 있다.
또한, 또 다른 세라믹 그린시트 위에 소정의 간격을 두고 복수 개의 스트라이프형 제2 내부전극 패턴을 형성할 수 있다.
다음으로, 스트라이프형 제1 내부전극 패턴과 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 교차 적층되도록 세라믹 그린시트를 번갈아가며 적층할 수 있다.
이후, 상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴은 제1 내부전극(21)을 형성할 수 있고, 스트라이프형 제2 내부전극 패턴은 제2 내부전극(22)을 형성할 수 있다.
복수 개의 평행한 스트라이프형 제1 내부전극 패턴이 인쇄된 세라믹 그린시트와 복수 개의 평행한 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 인쇄된 세라믹 그린시트는 서로 번갈아가며 적층되어 있다.
다음으로, 상기 세라믹 그린시트가 적층된 적층체는 복수개의 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 스트라이프형 제2 내부전극 패턴을 가로지르도록 절단될 수 있다.
보다 구체적으로, 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 스트라이프형 제2 내부전극 패턴은 길이 방향으로 절단되어 일정한 폭을 갖는 복수 개의 내부전극으로 분할될 수 있다.
이때, 적층된 세라믹 그린시트도 내부전극 패턴과 함께 절단된다.
이에 따라 유전체층은 내부전극의 폭과 동일한 폭을 갖도록 형성될 수 있다.
상기 막대형 적층체의 절단면으로 제1 및 제2 내부전극의 말단이 노출될 수 있다.
상기 막대형 적층체의 절단면은 각각 막대형 적층체의 제1 측면 및 제2 측면으로 지칭될 수 있다.
상기 세라믹 그린시트 적층체를 소성한 이후에 막대형 적층체로 절단될 수 있다. 또한, 상기 세라믹 그린시트를 막대형 적층체로 절단한 이후에 소성을 수행할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 상기 소성은 1100℃ 내지 1300℃의 N2-H2 분위기에서 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 적층체의 외측에 도전성 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 외부전극을 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 공정은 일반적인 방법으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 아니나 예를 들어 디핑(dipping)법에 의해 수행될 수 있다.
다음으로, 상기 적층체 및 상기 제1 및 제2 외부전극 상부의 일부 영역에 고분자 물질을 코팅할 수 있다.
상기 고분자 물질을 코팅하는 공정은 특별히 제한되지 않으며, 일반적인 공정으로 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 고분자 물질을 코팅하는 단계 이후에 상기 제1 및 제2 외부전극 상부에 있어서 고분자 물질이 코팅되지 않은 나머지 영역에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이로 인하여, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 세라믹 본체의 폭 방향 마진부까지 내부전극이 오버랩될 수 있어, 우수한 용량 구현이 가능하며, 신뢰성 향상 효과가 있어 고신뢰성, 고용량 적층 세라믹 커패시터를 구현할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 세라믹 본체 1: 유전체층
11: 고분자층 21, 22: 제1 및 제2 내부전극
31, 32: 전체 외부전극 31a, 32a: 제1 및 제2 외부전극
31b, 32b: 도금층

Claims (9)

  1. 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 연결하는 제3 단면 및 제4 단면을 가지는 세라믹 본체;
    상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 상기 세라믹 본체의 폭과 대응하는 폭으로 구비되어 상기 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면 또는 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 일단이 노출되는 제1 및 제2 내부전극;
    상기 세라믹 본체의 외측에 형성되며, 상기 제1 및 제2 내부전극과 전기적으로 연결된 제1 및 제2 외부전극;
    상기 제1 및 제2 외부전극의 일부 영역에 형성된 도금층; 및
    상기 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역을 외부에서 둘러싸도록 형성되되, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 내부전극의 일단을 외부로부터 차단하도록 형성된 고분자층을 포함하는 적층 세라믹 커패시터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면의 일부 영역에만 노출된 적층 세라믹 커패시터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 세라믹 본체의 제1 측면 및 제2 측면 중 도금층이 형성된 영역에는 노출되지 않은 적층 세라믹 커패시터.
  4. 복수 개의 스트라이프형 제1 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제1 세라믹 그린시트 및 복수 개의 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제2 세라믹 그린시트를 마련하는 단계;
    상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴과 상기 스트라이프형 제2 내부 전극 패턴이 교차되도록 상기 제1 세라믹 그린시트와 상기 제2 세라믹 그린시트를 적층하여 세라믹 그린시트 적층체를 형성하되, 상기 적층체의 상면 및 하면 중 적어도 일면에는 복수 개의 세라믹 그린시트를 적층하여 커버층을 형성하는 단계;
    상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 제2 내부전극 패턴을 가로 질러서 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하되, 상기 절단된 세라믹 그린시트 적층체와 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극이 대응하는 폭을 가짐으로써 상기 절단된 세라믹 그린시트 적층체의 폭 방향 양 측면으로 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 말단이 노출되도록 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하는 단계;
    상기 적층체의 외측에 도전성 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 단계; 및
    상기 적층체 및 상기 제1 및 제2 외부전극 상부의 일부 영역에 고분자 물질을 코팅하여 상기 세라믹 그린시트 적층체의 양 측면을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 내부전극의 일단을 외부로부터 차단하는 단계;를 포함하는 적층 세라믹 커패시터의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 고분자 물질을 코팅하는 단계 이후에 상기 제1 및 제2 외부전극 상부에 있어서 고분자 물질이 코팅되지 않은 나머지 영역에 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는 적층 세라믹 커패시터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 적층체의 폭 방향 중 도금층이 형성된 영역에는 노출되지 않은 적층 세라믹 커패시터의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 내부전극은 상기 적층체의 폭 방향의 일부 영역에만 노출된 적층 세라믹 커패시터의 제조방법.
  8. 서로 대향하는 제1 측면 및 제2 측면, 상기 제1 측면 및 제2 측면을 연결하는 제3 단면 및 제4 단면을 가지는 세라믹 본체;
    상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 상기 세라믹 본체의 폭과 대응하는 폭으로 구비되어 상기 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면으로 일단이 노출되는 제1 내부전극;
    상기 세라믹 본체의 내부에 형성되며, 상기 세라믹 본체의 폭과 대응하는 폭으로 구비되어 상기 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면으로 일단이 노출되는 제2 내부전극;
    상기 세라믹 본체의 제3 단면측에서 상기 세라믹 본체의 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면과 밀착되도록 형성되며, 상기 세라믹 본체의 제1 측면, 제2 측면 및 제3 단면을 통해 노출된 상기 제1 내부전극의 일단과 전기적으로 연결되는 제1 외부전극;
    상기 세라믹 본체의 제4 단면측에서 상기 세라믹 본체의 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면과 밀착되도록 형성되며, 상기 세라믹 본체의 제1 측면, 제2 측면 및 제4 단면을 통해 노출된 상기 제2 내부전극의 일단과 전기적으로 연결되는 제2 외부전극; 및
    상기 제1 및 제2 외부전극의 일부 영역에 형성된 도금층;을 포함하며,
    상기 세라믹 본체 및 상기 제1 및 제2 외부전극의 상부 영역 중 도금층이 형성되지 않은 영역에는 고분차층이 추가로 형성된 적층 세라믹 커패시터.
  9. 복수 개의 스트라이프형 제1 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제1 세라믹 그린시트 및 복수 개의 스트라이프형 제2 내부전극 패턴이 소정의 간격을 두고 형성된 제2 세라믹 그린시트를 마련하는 단계;
    상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴과 상기 스트라이프형 제2 내부 전극 패턴이 교차되도록 상기 제1 세라믹 그린시트와 상기 제2 세라믹 그린시트를 적층하여 세라믹 그린시트 적층체를 형성하되, 상기 적층체의 상면 및 하면 중 적어도 일면에는 복수 개의 세라믹 그린시트를 적층하여 커버층을 형성하는 단계;
    상기 스트라이프형 제1 내부전극 패턴 및 제2 내부전극 패턴을 가로 질러서 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하되, 상기 절단된 세라믹 그린시트 적층체와 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극이 대응하는 폭을 가짐으로써 상기 절단된 세라믹 그린시트 적층체의 폭 방향 양 측면으로 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 말단이 노출된 측면을 갖도록 상기 세라믹 그린시트 적층체를 절단하는 단계;
    상기 적층체의 외측에 도전성 페이스트를 도포하되, 상기 폭방향으로 노출된 상기 제1 내부전극 및 제2 내부전극의 말단에 상기 도전성 페이스트가 접촉되도록 도전성 페이스트를 도포하여 제1 및 제2 외부전극을 형성하는 단계; 및
    상기 적층체 및 상기 제1 및 제2 외부전극 상부의 일부 영역에 고분자 물질을 코팅하는 단계;를 포함하는 적층 세라믹 커패시터의 제조방법.



KR1020120107393A 2012-09-26 2012-09-26 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 KR102004761B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120107393A KR102004761B1 (ko) 2012-09-26 2012-09-26 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP2013172079A JP2014068000A (ja) 2012-09-26 2013-08-22 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
US13/974,795 US9384898B2 (en) 2012-09-26 2013-08-23 Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same
CN201310407328.0A CN103680947B (zh) 2012-09-26 2013-09-09 多层陶瓷电容器及其制造方法
JP2018090497A JP6978163B2 (ja) 2012-09-26 2018-05-09 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
JP2021100269A JP7315138B2 (ja) 2012-09-26 2021-06-16 積層セラミックキャパシタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120107393A KR102004761B1 (ko) 2012-09-26 2012-09-26 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140040547A KR20140040547A (ko) 2014-04-03
KR102004761B1 true KR102004761B1 (ko) 2019-07-29

Family

ID=50318214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120107393A KR102004761B1 (ko) 2012-09-26 2012-09-26 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9384898B2 (ko)
JP (3) JP2014068000A (ko)
KR (1) KR102004761B1 (ko)
CN (1) CN103680947B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220040918A (ko) 2020-09-24 2022-03-31 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5924543B2 (ja) * 2013-03-19 2016-05-25 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP6286914B2 (ja) * 2013-07-30 2018-03-07 Tdk株式会社 セラミック電子部品
JP2015109409A (ja) * 2013-10-25 2015-06-11 株式会社村田製作所 電子部品
US10109424B2 (en) 2014-04-22 2018-10-23 Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University Multilayer ceramic capacitor using poling process for reduction of vibration
JP6274045B2 (ja) 2014-07-28 2018-02-07 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
US9978518B2 (en) * 2015-07-14 2018-05-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor
KR101771798B1 (ko) 2015-08-26 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
JP6395322B2 (ja) * 2015-12-01 2018-09-26 太陽誘電株式会社 電子部品及びその製造方法、並びに回路基板
KR102538909B1 (ko) * 2016-01-14 2023-06-01 삼성전기주식회사 적층 전자부품 및 적층 전자부품의 제조방법
TWI628678B (zh) * 2016-04-21 2018-07-01 Tdk 股份有限公司 電子零件
JP6841611B2 (ja) * 2016-07-25 2021-03-10 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6778535B2 (ja) * 2016-07-25 2020-11-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6747201B2 (ja) * 2016-09-09 2020-08-26 Tdk株式会社 電子部品
JP2018046131A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2018049881A (ja) * 2016-09-20 2018-03-29 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP6851174B2 (ja) * 2016-10-26 2021-03-31 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP6794791B2 (ja) * 2016-11-09 2020-12-02 Tdk株式会社 電子部品
KR101891085B1 (ko) * 2016-11-23 2018-08-23 삼성전기주식회사 커패시터 및 그의 제조방법
JP6740874B2 (ja) * 2016-11-24 2020-08-19 Tdk株式会社 電子部品
KR101963284B1 (ko) * 2017-02-15 2019-03-28 삼성전기주식회사 커패시터 부품 및 그 제조방법
JP6937176B2 (ja) * 2017-06-16 2021-09-22 太陽誘電株式会社 電子部品、電子装置、及び電子部品の製造方法
KR101963830B1 (ko) * 2017-07-04 2019-04-01 조인셋 주식회사 복합 기능소자
US10770232B2 (en) * 2017-09-29 2020-09-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer electronic component and method of manufacturing the same
KR20190135232A (ko) * 2018-05-28 2019-12-06 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR102076149B1 (ko) 2018-06-19 2020-02-11 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
KR102620541B1 (ko) * 2018-08-22 2024-01-03 삼성전기주식회사 커패시터 부품
KR102662851B1 (ko) * 2018-08-29 2024-05-03 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102101932B1 (ko) * 2018-10-02 2020-04-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102068804B1 (ko) * 2018-11-16 2020-01-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102254876B1 (ko) * 2019-06-03 2021-05-24 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판
KR102624876B1 (ko) * 2019-08-28 2024-01-15 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP7401320B2 (ja) * 2020-01-24 2023-12-19 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
JP7234974B2 (ja) * 2020-02-27 2023-03-08 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
KR102295458B1 (ko) * 2020-04-08 2021-08-30 삼화콘덴서공업주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 그의 제조방법
KR20220031344A (ko) * 2020-09-04 2022-03-11 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP7171796B2 (ja) * 2021-03-09 2022-11-15 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2022142212A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法
JP2022142214A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法
JP2022142213A (ja) 2021-03-16 2022-09-30 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法
KR20230089377A (ko) * 2021-12-13 2023-06-20 주식회사 아모텍 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법
KR20230096651A (ko) * 2021-12-23 2023-06-30 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
KR20230111850A (ko) * 2022-01-19 2023-07-26 주식회사 아모텍 세라믹 커패시터 및 그 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012174916A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Taiyo Yuden Co Ltd チップ状電子部品

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0534094Y2 (ko) * 1985-03-28 1993-08-30
JPS61236110A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 株式会社村田製作所 積層セラミツクコンデンサ
JPH03108306A (ja) * 1989-09-21 1991-05-08 Murata Mfg Co Ltd 積層コンデンサの製造方法
KR100255906B1 (ko) * 1994-10-19 2000-05-01 모리시타 요이찌 전자부품과 그 제조방법
JPH08162357A (ja) * 1994-11-30 1996-06-21 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品
JPH09180957A (ja) * 1995-12-22 1997-07-11 Kyocera Corp 積層型セラミックコンデンサ
JPH10208907A (ja) * 1997-01-28 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JP3206735B2 (ja) * 1998-01-29 2001-09-10 ティーディーケイ株式会社 セラミックコンデンサ
JPH11340081A (ja) * 1998-05-21 1999-12-10 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品及びその製造方法
US6278065B1 (en) * 1999-04-01 2001-08-21 Harris Ireland Development Company, Ltd. Apparatus and method for minimizing currents in electrical devices
JP2000306765A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP2002343649A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Koa Corp 積層セラミックチップ部品
JP2004128221A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd チップ型セラミック電子部品の製造方法
JP4093188B2 (ja) * 2003-05-27 2008-06-04 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品とその実装構造および実装方法
KR100587006B1 (ko) 2004-12-23 2006-06-08 삼성전기주식회사 적층형 칩 커패시터 및 그 제조 방법
US7292429B2 (en) * 2006-01-18 2007-11-06 Kemet Electronics Corporation Low inductance capacitor
DE102007007113A1 (de) * 2007-02-13 2008-08-28 Epcos Ag Vielschicht-Bauelement
JP2011003846A (ja) 2009-06-22 2011-01-06 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の製造方法
JP5459487B2 (ja) * 2010-02-05 2014-04-02 株式会社村田製作所 積層型電子部品およびその製造方法
KR101188032B1 (ko) * 2011-03-09 2012-10-08 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP2013026392A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
JP2013058558A (ja) * 2011-09-07 2013-03-28 Tdk Corp 電子部品

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012174916A (ja) * 2011-02-22 2012-09-10 Taiyo Yuden Co Ltd チップ状電子部品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220040918A (ko) 2020-09-24 2022-03-31 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
US11469051B2 (en) 2020-09-24 2022-10-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor and board having the same mounted thereon

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021145147A (ja) 2021-09-24
KR20140040547A (ko) 2014-04-03
JP6978163B2 (ja) 2021-12-08
JP7315138B2 (ja) 2023-07-26
CN103680947A (zh) 2014-03-26
US9384898B2 (en) 2016-07-05
CN103680947B (zh) 2018-08-03
JP2014068000A (ja) 2014-04-17
JP2018139312A (ja) 2018-09-06
US20140085767A1 (en) 2014-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102004761B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101514512B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101565640B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP5420619B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
KR101525645B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터
KR101992450B1 (ko) 커패시터 부품 및 그 제조 방법
KR102018307B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
KR101762032B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법
KR102004776B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 그 실장 기판
KR20170098560A (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법
KR101388690B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
KR20140095361A (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법.
KR20150033341A (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR102551219B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
CN110875136B (zh) 多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法
KR20150019732A (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판
CN212136266U (zh) 多层陶瓷电子组件
JP7248363B2 (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
KR20140057926A (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR102597153B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR101539888B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품의 제조방법
KR20140046301A (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR101565725B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR102609156B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
CN110797191A (zh) 多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant