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KR101976730B1 - Test socket module for semiconductor package - Google Patents

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KR101976730B1
KR101976730B1 KR1020180051250A KR20180051250A KR101976730B1 KR 101976730 B1 KR101976730 B1 KR 101976730B1 KR 1020180051250 A KR1020180051250 A KR 1020180051250A KR 20180051250 A KR20180051250 A KR 20180051250A KR 101976730 B1 KR101976730 B1 KR 101976730B1
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KR
South Korea
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guide plate
press
socket
semiconductor package
electrically connected
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Application number
KR1020180051250A
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Korean (ko)
Inventor
문성주
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주식회사 티에프이
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Publication date
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Abstract

The present invention provides a socket module for testing a semiconductor package, which comprises: an upper socket electrically connected to a semiconductor package; a current carrying substrate having a laminated body including an insulating layer laminated in a plurality of layers and a current carrying rod penetrating to be installed on the laminated body and electrically connected to the upper socket; a guide plate having a first coupling region to which the current carrying substrate is coupled and a second coupling region to which an installation object is coupled; and a lower socket disposed in a low side of the current carrying rod and electrically connected to the semiconductor package through the upper socket and the current carrying rod.

Description

반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈{TEST SOCKET MODULE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE}TEST SOCKET MODULE FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE [0001]

본 발명은 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a socket module for testing semiconductor packages.

일반적으로, 제조 공정에 의해 완성된 반도체 패키지는 테스트(검사) 공정을 통해 동작 특성들이 제대로 구현되는지에 대해 체크된 후 양품으로 분류된 경우에 출하된다. In general, a semiconductor package completed by a manufacturing process is checked if the operating characteristics are properly implemented through a test (inspection) process, and then shipped when it is classified as a good product.

이러한 검사 공정에서 검사 대상물이 되는 반도체 패키지는 테스트 보드에 바로 접속되는 것이 아니라, 소켓 모듈이라는 부품을 매개로 테스트 보드와 접속하게 된다.In this inspection process, the semiconductor package to be inspected is not directly connected to the test board, but is connected to the test board through a component called a socket module.

이를 위해, 소켓 모듈은 반도체 패키지와 테스트 보드 간의 전기적 연결을 원활히 하는 구조를 가져야 한다. 나아가, 소켓 모듈은 테스트 보드에 기구적으로 설치되기에 적합한 구조를 가져야 한다. 그 구조를 만들기 위해, 소켓 모듈의 주요 부품 중 제거해야 할 부분을 절삭하는 절삭 공정이 필요하다.To this end, the socket module should have a structure to facilitate the electrical connection between the semiconductor package and the test board. Furthermore, the socket module must have a structure suitable for being mechanically installed on the test board. In order to make the structure, a cutting process is required to cut off the main parts of the socket module to be removed.

본 발명의 일 목적은, 기존에 절삭 공정에 많은 가공비가 소요되는 점을 개선하여, 소켓 모듈의 주요 부품에 대한 제조 과정에서 절삭 공정을 배제하고 보다 적은 비용으로 해당 부품을 제작할 수 있게 하는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a socket module which is capable of eliminating the cutting process during manufacturing process of major parts of a socket module and thus manufacturing a corresponding part at a lower cost, And a socket module for package testing.

상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈은, 반도체 패키지와 전기적으로 연결되는 상부 소켓; 복수 층으로 적층된 절연 레이어를 구비하는 적층 몸체와, 상기 적층 몸체에 관통 설치되며 상기 상부 소켓과 전기적으로 연결되는 통전 로드를 구비하는 통전 기판; 상기 통전 기판이 결합되는 제1 결합 영역과, 설치 대상물이 결합되는 제2 결합 영역을 구비하는 가이드 플레이트; 및 상기 통전 로드의 하측에 배치되어, 상기 상부 소켓 및 상기 통전 로드를 통해 상기 반도체 패키지와 전기적으로 연결되는 하부 소켓을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a socket module for testing a semiconductor package, comprising: an upper socket electrically connected to a semiconductor package; A laminated body including an insulating layer laminated in a plurality of layers; and a current carrying rod penetrating the laminated body and electrically connected to the upper socket; A guide plate having a first engagement region to which the conductive substrate is coupled and a second engagement region to which the installation object is coupled; And a lower socket disposed below the energizing rod and electrically connected to the semiconductor package through the upper socket and the energizing rod.

여기서, 상기 통전 기판은, 상기 제1 결합 영역에 끼움 결합될 수 있다.Here, the conductive substrate may be fitted to the first coupling region.

여기서, 상기 제1 결합 영역은, 상기 통전 기판이 삽입되는 중공 삽입홀을 포함할 수 있다.Here, the first coupling region may include a hollow insertion hole into which the conductive substrate is inserted.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출되는 압입 돌기를 더 포함하고, 상기 통전 기판은, 상기 적층 몸체의 외주에 상기 압입 돌기를 수용하도록 형성되는 압입 홈을 더 포함할 수 있다.The guide plate may further include a press-fit protrusion protruding from an inner circumferential surface of the hollow insertion hole, and the conductive substrate may further include a press-fit groove formed on an outer periphery of the laminated body to receive the press-fit protrusion.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출 형성되는 제한턱을 더 포함하고, 상기 통전 기판은, 상기 적층 몸체에서 돌출 형성되어 상기 제한턱에 맞물리게 배치되는 맞물림턱을 더 포함할 수 있다.The guide plate may further include a restriction jaw protruding from the inner circumferential surface of the hollow insertion hole, and the energizing substrate may further include an engaging jaw protruding from the laminated body and disposed to engage with the limiting jaw .

여기서, 상기 제2 결합 영역은, 상기 적층 몸체보다 낮은 높이를 가질 수 있다.Here, the second engagement region may have a lower height than the stacked body.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 상기 설치 대상물에 삽입되도록, 상기 제2 결합 영역에서 일체로 돌출 형성되는 고정핀을 더 포함할 수 있다. The guide plate may further include a fixing pin integrally protruding from the second coupling region to be inserted into the mounting object.

본 발명의 또 다른 일 측면에 따른 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈은, 절연성 재질인 몸체와, 상기 몸체를 관통하여 배치되며 상부 소켓과 전기적 연결되는 상단 및 하부 소켓과 전기적 연결되는 하단을 갖는 통전 로드를 구비하는 통전 기판; 및 상기 통전 기판과 별도로 형성되어 상기 통전 기판과 결합되고, 상기 몸체와 다른 재질로 형성되는 가이드 플레이트를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a socket module for testing a semiconductor package, comprising: a body made of an insulating material; a conductive rod disposed through the body and having a lower end electrically connected to upper and lower sockets electrically connected to the upper socket; A conductive substrate; And a guide plate formed separately from the energizing substrate and coupled to the energizing substrate, the guide plate being formed of a different material from the body.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 상기 통전 기판이 삽입되는 중공 삽입홀을 포함할 수 있다.Here, the guide plate may include a hollow insertion hole into which the conductive substrate is inserted.

여기서, 상기 가이드 플레이트는, 상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출되는 압입 돌기를 더 포함하고, 상기 통전 기판은, 상기 적층 몸체의 외주에 상기 압입 돌기를 수용하도록 형성되는 압입 홈을 더 포함할 수 있다.The guide plate may further include a press-fit protrusion protruding from an inner circumferential surface of the hollow insertion hole, and the conductive substrate may further include a press-fit groove formed on an outer periphery of the laminated body to receive the press-fit protrusion.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈에 의하면, 기존에 직육면체 형태의 회로 기판의 일 부분을 절삭해서 형태를 만들던 것과 전혀 다르게, 통전 기판과 가이드 플레이트를 별도 제작하여 조립함에 의해 소켓 모듈을 완성할 수 있다. According to the socket module for testing a semiconductor package according to the present invention configured as described above, the current-carrying substrate and the guide plate are separately fabricated by assembling the current-collecting board and the guide plate, unlike the conventional method of cutting a part of a rectangular parallelepiped- You can complete the socket module.

그에 의해, 절삭 공정이 배제되므로, 기존에 절삭 공정에 많은 가공비가 소요되는 점을 개선할 수 있다. 그 결과, 소켓 모듈의 제작 비용을 획기적으로 낮출 수 있고, 또한 제작 공정 시간도 단축할 수 있게 된다.Thereby, since the cutting process is eliminated, it is possible to improve the fact that a large processing cost is required for the cutting process. As a result, the manufacturing cost of the socket module can be drastically reduced, and the manufacturing process time can be shortened.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)에 대한 조립 사시도이다.
도 2는 도 1의 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)에 대한 분해 사시도이다.
도 3은 도 2의 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)에 대한 분해 사시도이다.
도 4는 도 2의 라인(Ⅳ-Ⅳ)에 따른 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)의 결합 상태에 대한 단면도이다.
1 is an assembled perspective view of a socket module 100 for testing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
2 is an exploded perspective view of the socket module 100 for testing the semiconductor package of FIG.
3 is an exploded perspective view of the conductive plate 130 and the guide plate 150 of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the connection state of the conductive plate 130 and the guide plate 150 according to the line (IV-IV) of FIG.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.Hereinafter, a socket module for testing a semiconductor package according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification, the same or similar reference numerals are given to different embodiments in the same or similar configurations.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)에 대한 조립 사시도이고, 도 2는 도 1의 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)에 대한 분해 사시도이다.FIG. 1 is an assembled perspective view of a socket module 100 for testing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the socket module 100 for testing the semiconductor package of FIG.

본 도면들을 참조하면, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)은, 상부 소켓(110)과, 통전 기판(130)과, 가이드 플레이트(150)와, 하부 소켓(170)을 포함할 수 있다. 간단히 구성하는 경우에는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈(100)은, 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)의 조립체로서 구성될 수도 있다.Referring to these figures, the semiconductor package test socket module 100 may include an upper socket 110, a conductive substrate 130, a guide plate 150, and a lower socket 170. The socket module 100 for testing a semiconductor package may be configured as an assembly of the energizing substrate 130 and the guide plate 150. [

상부 소켓(110)은 반도체 패키지(미도시)를 지지하도록 반도체 패키지보다 큰 면적을 갖도록 형성된다. 상부 소켓(110)은 반도체 패키지와 통전 기판(130) 간의 전기적 연결을 매개하도록 구성된다. The upper socket 110 is formed to have a larger area than the semiconductor package to support the semiconductor package (not shown). The upper socket 110 is configured to mediate an electrical connection between the semiconductor package and the conductive substrate 130.

상부 소켓(110)은, 구체적으로, 베이스(111)와, 도전 패드(113), 그리고 기준홀(115)을 가질 수 있다. 베이스(111)는 대체로 사각 형태의 플레이트이다. 베이스(111)는 BT-레진 재질로 형성되어, 탄력적으로 변형될 수 있다. 도전 패드(113)는 탄력적인 재질, 예를 들어 고무 재질의 기재상에 도전성 기둥이 박힌 것일 수 있다. 상기 도전성 기둥은 반도체 패키지의 단자에 대응하여 복수 개로 구비될 수 있다. 기준홀(115)은 베이스(111) 중 개방된 부분이다. 기준홀(115)은 상부 소켓(110), 통전 기판(130), 및 하부 소켓(170) 간의 정렬을 위한 정렬핀(미도시)이 삽입되는 공간을 제공한다.Specifically, the upper socket 110 may have a base 111, a conductive pad 113, and a reference hole 115. The base 111 is a generally rectangular plate. The base 111 is formed of a BT-resin material and can be elastically deformed. The conductive pad 113 may be a conductive material, for example, a conductive material embedded on a base material made of rubber. The conductive pillars may be provided in a plurality corresponding to the terminals of the semiconductor package. The reference hole 115 is an open portion of the base 111. The reference hole 115 provides a space into which alignment pins (not shown) for alignment between the upper socket 110, the energizing substrate 130, and the lower socket 170 are inserted.

통전 기판(130)은 상부 소켓(110)이 안착되는 대상물이다. 통전 기판(130)은, 몸체(131)를 가질 수 있다. 몸체(131)는 대체로 사각 형태의 플레이트이다. 몸체(131)는 복수의 층의 절연성 레이어(131a, 도 3)가 PCB 공정에 의해 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 몸체(131)는 적층 몸체라고도 칭해진다. 그에 의해, 적층 몸체(131)는 상부 소켓(110)이나 하부 소켓(170)에 비해 딱딱한(hard) 재질적 특성을 가질 수 있다. The conductive substrate 130 is an object on which the upper socket 110 is seated. The current-carrying substrate 130 may have a body 131. The body 131 is a generally rectangular plate. The body 131 may be formed by stacking a plurality of insulating layers 131a (FIG. 3) by a PCB process. In this case, the body 131 is also referred to as a laminated body. Thereby, the laminated body 131 can have a hard material property compared to the upper socket 110 or the lower socket 170. [

적층 몸체(131)를 상하 방향으로 관통해서는 통전 로드(133)가 설치될 수 있다. 통전 로드(133)는 복수 개로서, 상부 소켓(110)의 도전 패드(113)의 도전성 기둥에 대응하여 규칙적으로 배열될 수 있다. 통전 로드(133)의 상단(133a)은 적층 몸체(131)의 상면에 노출되어 도전 패드(113)와 전기적으로 연결된다. 이와 유사하게, 통전 로드(133)의 하단(미도시)은 적층 몸체(131)의 하면에 노출되어 하부 소켓(170)의 전극(173)과 전기적으로 연결된다. 적층 몸체(131)를 관통하여 개구되는 기준홀(139)은 앞서 설명한 상부 소켓(110)의 기준홀(115)에 대응하여 위치한다. The energizing rod 133 may be provided so as to penetrate the laminated body 131 in the vertical direction. The plurality of energizing rods 133 may be regularly arranged in correspondence with the conductive columns of the conductive pads 113 of the upper socket 110. The upper end 133a of the energizing rod 133 is exposed on the upper surface of the laminated body 131 and is electrically connected to the conductive pad 113. [ Similarly, a lower end (not shown) of the energizing rod 133 is exposed to the lower surface of the laminated body 131 and electrically connected to the electrode 173 of the lower socket 170. The reference hole 139 opened through the laminated body 131 is positioned corresponding to the reference hole 115 of the upper socket 110 described above.

가이드 플레이트(150)는 통전 기판(130)이 결합되는 대상이 되는 구성이다. 가이드 플레이트(150)는 통전 기판(130)과는 별도로 형성되며, 그와 다른 재질을 가질 수 있다. 구체적으로, 통전 기판(130)의 적층 몸체(131)가 PCB 제조 물질로 PCB 제조 공정에 의해 적층 형성된 것이라면, 가이드 플레이트(150)는 플라스틱 수지로 사출 성형된 것일 수 있다. The guide plate 150 is configured to be a target to which the current-carrying substrate 130 is coupled. The guide plate 150 may be formed separately from the conductive substrate 130 and may have a different material. Specifically, if the laminated body 131 of the conductive substrate 130 is formed by a PCB manufacturing process using a PCB manufacturing material, the guide plate 150 may be injection molded with a plastic resin.

가이드 플레이트(150)는 제1 결합 영역(151)과 제2 결합 영역(156)으로 구분될 수 있다. 제1 결합 영역(151)이 대체로 가이드 플레이트(150)의 중앙 부분이라면, 제2 결합 영역(156)은 제1 결합 영역(151)이 양 측방에 위치하는 주변 부분일 수 있다. 이때, 제2 결합 영역(156)은 적층 몸체(131)의 높이보다 낮은 높이를 갖는다. 그에 의해, 제2 결합 영역(156)과 적층 몸체(131)는 서로 간에 단차를 가져서 계단 구조를 형성할 수 있다. The guide plate 150 may be divided into a first engaging region 151 and a second engaging region 156. If the first coupling region 151 is substantially the center portion of the guide plate 150, the second coupling region 156 may be a peripheral portion where the first coupling region 151 is located on both sides. At this time, the second coupling region 156 has a height lower than the height of the laminated body 131. Thereby, the second coupling region 156 and the laminated body 131 have a step difference from each other to form a stepped structure.

제1 결합 영역(151)에는 통전 기판(130)이 결합되고, 제2 결합 영역(156)에는 설치 대상물(미도시)이 결합된다. 상기 설치 대상물은 테스트 보드(미도시) 상에 놓여진 소켓 모듈(100)을 고정하기 위해 제2 결합 영역(156)을 감싸도록 배치되는 소켓 가이드(미도시)가 될 수 있다. 이러한 소켓 가이드와의 결합을 위해, 제2 결합 영역(156)에는 상기 소켓 가이드에 삽입되는 고정핀(157)이 제2 결합 영역(156)에서 일체로 돌출 형성될 수 있다. The conductive substrate 130 is coupled to the first coupling region 151 and the mounting object (not shown) is coupled to the second coupling region 156. The mounting object may be a socket guide (not shown) arranged to enclose the second engagement area 156 to secure the socket module 100 placed on a test board (not shown). In order to engage with the socket guide, a securing pin 157 inserted into the socket guide may integrally protrude from the second engaging area 156 in the second engaging area 156.

하부 소켓(170)은 통전 기판(130)의 하측에 배치되어, 통전 로드(133)와 상기 테스트 보드를 전기적으로 연결하는 구성이다. 이를 위해, 하부 소켓(170)은, 베이스(171)와 전극(173), 그리고 기준홀(175)을 가질 수 있다. 베이스(171)는 앞선 상부 소켓(110)의 베이스(111)와 대체로 유사하게 구성될 수 있다. 전극(173)은 통전 로드(133)에 대응하여 베이스(171)에 복수 개로 설치될 수 있다. 그에 따라, 전극(173)은 통전 기판(130)의 통전 로드(133) 및 상부 소켓(110)의 도전 패드(113)를 통해 반도체 패키지와 전기적으로 연결될 수 있다. 기준홀(175)은 적층 몸체(131)의 기준홀(139)에 대응하여 형성될 수 있다. The lower socket 170 is disposed below the energizing board 130 to electrically connect the energizing rod 133 and the test board. To this end, the lower socket 170 may have a base 171 and an electrode 173, and a reference hole 175. The base 171 may be configured to be substantially similar to the base 111 of the upper upper socket 110. A plurality of electrodes 173 may be provided on the base 171 in correspondence with the energizing rod 133. The electrode 173 can be electrically connected to the semiconductor package through the conductive rod 113 of the conductive substrate 130 and the conductive pad 113 of the upper socket 110. [ The reference hole 175 may be formed corresponding to the reference hole 139 of the laminated body 131.

상부 소켓(110)과 통전 기판(130)의 결합, 하부 소켓(170)과 통전 기판(130)의 결합에는 본딩이 이용될 수 있다. 구체적으로, 이들을 정렬하기 위한 정렬핀을 각각의 기준홀(115, 139, 및 175)에 끼운 상태에서, 베이스(111 및 171)와 적층 몸체(131) 사이에 접착제를 발라서 그들이 서로 결합되게 할 수 있다. Bonding may be used for the connection of the upper socket 110 and the current-carrying board 130, or for the connection of the lower socket 170 and the current-carrying board 130. Concretely, an adhesive may be applied between the bases 111 and 171 and the laminated body 131 in a state where the alignment pins for aligning them are sandwiched in the respective reference holes 115, 139 and 175, have.

이러한 구성에 있어서, 통전 기판(130)과 그가 설치되는 대상이 되는 가이드 플레이트(150)는 서로 독립적으로 제조되어 서로 간에 결합된다. 그에 의해, 가이드 플레이트(150)는 통전 기판(130)이 결합되는 대상이 됨과 아울러 상기 소켓 가이드가 결합되는 대상이 될 때, 가이드 플레이트(150)는 통전 기판(130)과 다른 특성을 가질 수 있다. 구체적으로, 가이드 플레이트(150)는 통전 기판(130)보다 낮은 높이를 가져서 상기 소켓 가이드가 반도체 패키지를 담은 캐리어(미도시) 등에 간섭되지 않게 할 수 있다. In this configuration, the current-carrying substrate 130 and the guide plate 150 to which the current-carrying substrate 130 is mounted are independently manufactured and coupled to each other. The guide plate 150 may have characteristics different from those of the current-carrying board 130 when the current-carrying board 130 is to be coupled and the socket guide is an object to which the guide plate 150 is coupled . Specifically, the guide plate 150 has a lower height than the conductive substrate 130, so that the socket guide can be prevented from interfering with a carrier (not shown) containing the semiconductor package.

여기서, 통전 기판(130)과는 다른 역할을 해야 하는 가이드 플레이트(150)가 통전 기판(130)과 단일 부재로 형성되지 않음에 의해, 통전 기판(130)의 주변 부분을 절삭해내는 작업을 하지 않아도 된다. 각각의 요구되는 구조 및 기능에 맞춰 별도 제작된 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)에 대해, 서로를 결합시키기만 하면 되는 것이다. 그에 의해, 통전 기판(130)의 주변 부분을 가이드 플레이트(150)의 형태에 맞게 절삭함에 따라 발생했던 높은 가공비를 발생시키지 않을 수 있게 된다. 나아가, 절삭 공정에 들어가는 시간을 절약할 수 있다.Here, since the guide plate 150, which should be different from the current-carrying substrate 130, is not formed as a single member with the current-carrying substrate 130, it is not necessary to cut the peripheral portion of the current-carrying substrate 130 You do not have to. It is only necessary to connect the energizing substrate 130 and the guide plate 150, which are manufactured separately according to respective required structures and functions, to each other. Thereby, it is possible to prevent a high machining cost that has been caused by cutting the peripheral portion of the conductive substrate 130 to match the shape of the guide plate 150. Further, it is possible to save the time required for the cutting process.

이러한 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150) 간의 결합 구조에 대해서는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다.The coupling structure between the conductive substrate 130 and the guide plate 150 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG.

도 3은 도 2의 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)에 대한 분해 사시도이고, 도 4는 도 2의 라인(Ⅳ-Ⅳ)에 따른 통전 기판(130) 및 가이드 플레이트(150)의 결합 상태에 대한 단면도이다.FIG. 3 is an exploded perspective view of the conductive plate 130 and the guide plate 150 of FIG. 2, and FIG. 4 is an exploded perspective view of the connection of the conductive plate 130 and the guide plate 150 according to the line (IV- Fig.

본 도면들을 참조하면, 통전 기판(130)은 가이드 플레이트(150)의 제1 결합 영역(151)에 끼움 결합될 수 있다. 구체적으로, 가이드 플레이트(150)의 제1 결합 영역(151)에는 중공 삽입홀(152)에 형성되고, 통전 기판(130)은 그 중공 삽입홀(152)에 삽입 결합된다. 여기서, 중공 삽입홀(152)은 대체로 직사각형 형태로서 통전 기판(130)에 대응하여 그 사이즈가 결정된다.Referring to these drawings, the conductive substrate 130 may be fitted into the first coupling region 151 of the guide plate 150. Specifically, the first coupling region 151 of the guide plate 150 is formed in the hollow insertion hole 152, and the conductive substrate 130 is inserted into the hollow insertion hole 152. Here, the size of the hollow insertion hole 152 is determined corresponding to the energizing substrate 130 in a substantially rectangular shape.

통전 기판(130)과 가이드 플레이트(150) 간의 견고한 결합을 위해, 가이드 플레이트(150)에는 압입 돌기(153)가 형성되고 통전 기판(130)에는 압입 홈(135)이 형성될 수 있다. 압입 돌기(153)는 중공 삽입홀(152)의 내주면에서 돌출되며, 중공 삽입홀(152)의 대향되는 한 쌍의 내주면들에 각각 2개씩 형성될 수 있다. 압입 돌기(153)는 대체로 반원형 단면을 갖는 것일 수 있다. 압입 홈(135)은 통전 기판(130)의 적층 몸체(131)에 압입 돌기(153)를 수용하도록 형성된다. 압입 홈(135)은 적층 몸체(131)의 상면에서 하면까지 관통하도록 형성되며, 압입 돌기(153)에 대응하여 역시 반원형 단면을 갖는 것일 수 있다. The engaging protrusion 153 may be formed on the guide plate 150 and the press-fit groove 135 may be formed on the energizing substrate 130 to secure the connection between the energizing substrate 130 and the guide plate 150. The press-in projection 153 protrudes from the inner circumferential surface of the hollow insertion hole 152 and may be formed on each of the pair of opposite inner circumferential surfaces of the hollow insertion hole 152. The indentation protrusion 153 may have a generally semicircular cross section. The press-fit groove 135 is formed to receive the press-fit projection 153 in the laminated body 131 of the current-carrying substrate 130. The press-fit groove 135 may be formed to penetrate from the upper surface to the lower surface of the laminated body 131, and may also have a semicircular cross section corresponding to the press-fit protrusion 153.

통전 기판(130)이 상기 테스트 보드에서 멀어지는 방향(D)으로 가이드 플레이트(150)로부터 이탈하지 않게 하기 위해, 가이드 플레이트(150)는 제한턱(155)을 가지고 통전 기판(130)는 맞물림턱(137)을 가질 수 있다. 제한턱(155)은 중공 삽입홀(152)의 내주면에서 돌출 형성되며, 압입 돌기(153)에 비해 작은 두께를 가질 수 있다. 제한턱(155)은 한 쌍의 압입 돌기(153) 사이에 위치할 수 있다. 맞물림턱(137)은 제한턱(155)에 대응하여 적층 몸체(131)에 형성되며 역시 압입 홈(135)의 두께보다 작은 두께를 가질 수 있다. 맞물림턱(137)은 한 쌍의 압입 홈(135) 사이에 위치할 수 있다.The guide plate 150 has the limiting jaws 155 and the energizing substrate 130 is fixed to the engaging jaws 150 so that the energizing substrate 130 does not separate from the guide plate 150 in the direction D away from the test board. 137). The restricting jaw 155 protrudes from the inner circumferential surface of the hollow insertion hole 152 and may have a thickness smaller than that of the press-in protrusion 153. The restricting jaw 155 can be located between the pair of indentation protrusions 153. The engaging jaws 137 are formed on the laminated body 131 in correspondence with the limiting jaws 155 and may have a thickness smaller than that of the press-fit grooves 135. The engaging jaw 137 can be positioned between the pair of press-fit grooves 135. [

이러한 구성에 의하면, 통전 기판(130)은 가이드 플레이트(150)의 중공 삽입홀(152)에 대해 특정 방향(D)을 따라 삽입되어 결합된다. 구체적으로, 가이드 플레이트(150)의 압입 돌기(153)에 대응하여 통전 기판(130)의 압입 홈(135)이 끼워진다. 이때, 가이드 플레이트(150)의 제한턱(155)에는 통전 기판(130)의 맞물림턱(137)이 대응되어, 통전 기판(130)은 특정 방향(D)을 따라 가이드 플레이트(150)를 넘어서 돌출하지 않게 제한된다. According to this configuration, the conductive substrate 130 is inserted and joined to the hollow insertion hole 152 of the guide plate 150 along a specific direction D. Concretely, the press-fit groove 135 of the energizing substrate 130 is fitted in correspondence with the press-in protrusion 153 of the guide plate 150. At this time, the engaging step 137 of the energizing substrate 130 corresponds to the limit jaw 155 of the guide plate 150, and the energizing substrate 130 protrudes beyond the guide plate 150 along the specific direction D .

상기와 같은 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다. The socket module for testing a semiconductor package as described above is not limited to the configuration and operation of the embodiments described above. The embodiments may be configured so that all or some of the embodiments may be selectively combined so that various modifications may be made.

100: 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈 110: 상부 소켓
130: 통전 기판 131: 적층 몸체
133: 통전 로드 135: 압입 홈
137: 맞물림턱 150: 가이드 플레이트
151: 제1 결합 영역 152: 중공 삽입홀
153: 압입 돌기 156: 제2 결합 영역
170: 하부 소켓
100: Socket module for semiconductor package test 110: Upper socket
130: energizing substrate 131: laminated body
133: energizing rod 135: press-fit groove
137: engaging jaw 150: guide plate
151: first coupling region 152: hollow insertion hole
153: press-in projection 156: second engagement area
170: Lower socket

Claims (10)

반도체 패키지와 전기적으로 연결되는 상부 소켓;
복수 층으로 적층된 절연 레이어를 구비하는 적층 몸체와, 상기 적층 몸체에 관통 설치되며 상기 상부 소켓과 전기적으로 연결되는 통전 로드를 구비하는 통전 기판;
상기 통전 기판이 끼움 결합되는 중공 삽입홀을 구비하는 제1 결합 영역과, 설치 대상물이 결합되는 제2 결합 영역과, 상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출 형성되는 제한턱을 구비하는 가이드 플레이트; 및
상기 통전 로드의 하측에 배치되어, 상기 상부 소켓 및 상기 통전 로드를 통해 상기 반도체 패키지와 전기적으로 연결되는 하부 소켓을 포함하고,
상기 통전 기판은, 상기 적층 몸체에서 돌출 형성되어 상기 제한턱에 맞물리게 배치되는 맞물림턱을 더 포함하는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈.
An upper socket electrically connected to the semiconductor package;
A laminated body including an insulating layer laminated in a plurality of layers; and a current carrying rod penetrating the laminated body and electrically connected to the upper socket;
A guide plate having a first engagement region having a hollow insertion hole into which the conductive substrate is fitted, a second engagement region in which the installation object is engaged, and a restriction jaw protruding from the inner circumferential surface of the hollow insertion hole; And
And a lower socket disposed below the energizing rod and electrically connected to the semiconductor package through the upper socket and the energizing rod,
Wherein the energizing substrate further comprises an engaging jaw which is protruded from the laminated body and arranged to engage with the limiting jaw.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는,
상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출되는 압입 돌기를 더 포함하고,
상기 통전 기판은,
상기 적층 몸체의 외주에 상기 압입 돌기를 수용하도록 형성되는 압입 홈을 더 포함하는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the guide plate comprises:
Further comprising a press-fit projection projecting from an inner circumferential surface of the hollow insertion hole,
The current-
And a press-fit groove formed on an outer periphery of the laminated body so as to receive the press-fit projection.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 결합 영역은,
상기 적층 몸체보다 낮은 높이를 갖는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the second coupling region comprises:
And has a lower height than the stacked body.
제1항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는,
상기 설치 대상물에 삽입되도록, 상기 제2 결합 영역에서 일체로 돌출 형성되는 고정핀을 더 포함하는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈.
The method according to claim 1,
Wherein the guide plate comprises:
Further comprising a fixing pin integrally projecting from the second engagement region so as to be inserted into the mounting object.
절연성 재질인 몸체와, 상기 몸체를 관통하여 배치되며 상부 소켓과 전기적 연결되는 상단 및 하부 소켓과 전기적 연결되는 하단을 갖는 통전 로드를 구비하는 통전 기판; 및
상기 통전 기판이 끼움 결합되는 중공 삽입홀과 상기 중공 삽입홀의 내주면에서 돌출되는 압입 돌기를 구비하며, 상기 몸체와 다른 재질로서 상기 통전 기판과 별도로 형성되는 가이드 플레이트를 포함하고,
상기 통전 기판은, 상기 몸체의 외주에 상기 압입 돌기를 수용하도록 형성되는 압입 홈을 더 포함하는, 반도체 패키지 테스트용 소켓 모듈.
An energizing substrate having a body made of an insulating material and having a lower end electrically connected to upper and lower sockets which are arranged to penetrate the body and are electrically connected to upper sockets; And
And a guide plate having a hollow insertion hole into which the conductive substrate is fitted and a press-in projection protruding from an inner circumferential surface of the hollow insertion hole, the guide plate being formed separately from the conductive substrate,
Wherein the conductive substrate further comprises a press-fit groove formed on the outer periphery of the body so as to receive the press-fit projection.
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