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KR101393703B1 - Organic light emitting display device and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR101393703B1
KR101393703B1 KR1020120038553A KR20120038553A KR101393703B1 KR 101393703 B1 KR101393703 B1 KR 101393703B1 KR 1020120038553 A KR1020120038553 A KR 1020120038553A KR 20120038553 A KR20120038553 A KR 20120038553A KR 101393703 B1 KR101393703 B1 KR 101393703B1
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이지혜
최준혁
정주연
정준호
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한국기계연구원
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Abstract

본 발명에 따른 기판, 기판 위에 위치하는 굴절층, 굴절층 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 굴절층은 기판으로부터 제1 전극으로 갈수록 굴절율이 점진적으로 증가 또는 감소한다.A refractory layer disposed on the substrate, a first electrode located on the refraction layer, a light-emitting layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the light-emitting layer, The refractive index gradually increases or decreases toward the electrode.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display and a method of manufacturing the same.

유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)는 빛을 방출하는 유기 발광 소자(organic light emitting diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. [0002] An organic light emitting diode (OLED) display is a self-emission type display device having an organic light emitting diode that emits light and displays an image. BACKGROUND ART [0002] Organic light emitting display devices are attracting attention as next-generation display devices for portable electronic devices because they exhibit high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high response speed.

이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광층을 중심으로 양쪽에 위치하는 한 쌍의 전극을 포함한다. 한 쌍의 전극 중 한 전극은 정공 주입 전극이고, 나머지 하나는 전자 주입 전극으로, 유기 발광층으로 주입된 전공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. Such an organic light emitting display includes a pair of electrodes located on both sides of an organic light emitting layer. One electrode of the pair of electrodes is a hole injecting electrode and the other is an electron injecting electrode. When excitons, which are injected into the organic light emitting layer and coupled with electrons, fall from the excited state to the ground state, light is emitted.

유기 발광층에서 방출된 빛은 투명한 전극과 투명한 기판을 투과해서 외부로 방출된다. 이때, 기판으로 사용하는 ITO, IZO와 같은 물질은 굴절률이 1.7이상~2.1사이이며, 유리 기판은 굴절률이 1.4~1.5사이로 굴절률 차이로 인해서 이들의 경계면에서 전반사가 일어나고 빛들이 소자내에서 소멸되어 유기 발광층에서 방출된 빛의 대략 20% 정도만이 기판 외부로 방출되는 문제점이 있다.The light emitted from the organic light emitting layer is transmitted through the transparent electrode and the transparent substrate to be emitted to the outside. At this time, the materials such as ITO and IZO used as the substrate have a refractive index of 1.7 to 2.1, and the glass substrate has total refractive index difference between the refractive indexes of 1.4 to 1.5 due to the refractive index difference thereof, Only about 20% of the light emitted from the light emitting layer is emitted to the outside of the substrate.

이를 위해서 유리 기판과 투명 전극 사이에 고굴절률 물질의 패턴 혹은 요철 구조를 형성하고 있으나, 이를 형성하는 공정이 복잡한 문제점이 있다. For this purpose, a pattern or concavo-convex structure of a high refractive index material is formed between the glass substrate and the transparent electrode, but the process for forming the pattern is complicated.

따라서 본 발명은 유기 발광 장치의 광 추출 효율을 높이면서도 제조 방법을 간소화할 수 있는 유기 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same, which can simplify a manufacturing method while enhancing the light extraction efficiency of the organic light emitting device.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판, 기판 위에 위치하는 굴절층, 굴절층 위에 위치하는 제1 전극, 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층, 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고, 굴절층은 기판으로부터 제1 전극으로 갈수록 굴절율이 점진적으로 증가 또는 감소한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting device including a substrate, a refraction layer disposed on the substrate, a first electrode positioned on the refraction layer, a light emitting layer formed on the first electrode, The refractive index gradually increases or decreases from the substrate toward the first electrode.

상기 굴절층은 적층된 복수의 소굴절층을 포함하고, 소굴절층은 서로 다른 굴절율을 가질 수 있다.The refraction layer includes a plurality of laminated birefringent layers, and the birefringent layer may have different refractive indices.

상기 소굴절층은 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The birefringent layer may include at least one of a first refractive index material and a second refractive index material.

상기 적층된 복수의 소굴절층 사이에 위치하는 혼합 굴절층을 더 포함하고, 혼합 굴절층은 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질의 혼합비에 따라서 굴절율이 달라질 수 있다.The mixed refraction layer may further include a mixed refraction layer positioned between the plurality of laminated birefringent layers, and the refraction index of the mixed refraction layer may vary depending on a mixing ratio of the first and second refraction index materials.

상기 소굴절층은 기판과 혼합 굴절층 사이에 위치하는 제1 소굴절층, 혼합 굴절층과 제2 전극 사이에 위치하는 제2 소굴절층을 포함하고, 혼합 굴절층에 포함된 제2 굴절율 물질은 제1 소굴절층에 포함된 제1 굴절율 물질의 5% 내지 95% 의 비율로 혼합될 수 있다.Wherein the birefringent layer includes a first birefringent layer positioned between the substrate and the mixed refraction layer, and a second birefringent layer positioned between the mixed refraction layer and the second electrode, wherein the second birefringent layer included in the mixed refraction layer May be mixed at a ratio of 5% to 95% of the first refractive index material contained in the first birefringent layer.

상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고, 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위일 수 있고, 제1 굴절율 물질은 SiO2이고, 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The refractive index of the first refractive index material may range from 1.3 to 1.6 and the refractive index of the second refractive index material may range from 1.6 to 2.5. The first refractive index material may be SiO 2 and the second refractive index material may be ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3 and SrO.

상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위이고, 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고, 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고, 제2 굴절율 물질은 SiO2일 수 있다.Refractive index of the first refractive index material is in the range of a range from 1.6 2.5, a is a refractive index in the range of less than 1.3, 1.6 of the second refractive index material, the first refractive index material is ZrO 2, TiO 2, HfO 2, ZnO, Y2O 3, and SrO, and the second refractive index material may be SiO 2 .

상기 소굴절층은 20nm.이상의 두께일 수 있고, 굴절층은 1㎛이하의 두께일 수 있다.The birefringent layer may have a thickness of 20 nm or more, and the refractive layer may be 1 μm or less.

상기한 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질 중 적어도 하나를 포함하는 굴절율 물질을 도포하여 소굴절층을 형성하는 단계, 소굴절층을 형성하는 단계를 반복하여 소굴절층이 적층된 굴절층을 형성하는 단계, 굴절층 위에 제1 전극을 형성하는 단계, 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계, 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, comprising: forming a refraction layer on a substrate by applying a refraction index material including at least one of a first refraction index material and a second refraction index material; Forming a first electrode on the refraction layer, forming a light emitting layer on the first electrode, forming a second electrode on the light emitting layer, forming a second electrode on the light emitting layer, .

상기 굴절층을 형성하는 단계는 굴절율 물질에 포함된 제1굴절율 물질에 대한 제2 굴절율 물질의 비율을 증가시키면서 소굴절층을 형성하는 단계를 반복할 수 있다.The step of forming the refraction layer may repeat the step of forming the refraction layer while increasing the ratio of the second refraction index material to the first refraction index material included in the refraction index material.

상기 굴절층을 형성하는 단계는 굴절율 물질이 경화되기 전에 소굴절층을 형성하는 단계를 반복할 수 있다.The step of forming the refraction layer may repeat the step of forming the refraction layer before the refraction index material is cured.

상기 굴절층을 형성하는 단계에서, 적층된 소굴절층 사이에 혼합 굴절층이 형성될 수 있다.In the step of forming the refraction layer, a mixed refraction layer may be formed between the laminated small refraction layers.

상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고, 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위일 수 있고, 제1 굴절율 물질은 SiO2이고, 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The refractive index of the first refractive index material may range from 1.3 to 1.6 and the refractive index of the second refractive index material may range from 1.6 to 2.5. The first refractive index material may be SiO 2 and the second refractive index material may be ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3 and SrO.

상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위이고, 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고, 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고, 제2 굴절율 물질은 SiO2일 수 있다.Refractive index of the first refractive index material is in the range of a range from 1.6 2.5, a is a refractive index in the range of less than 1.3, 1.6 of the second refractive index material, the first refractive index material is ZrO 2, TiO 2, HfO 2, ZnO, Y2O 3, and SrO, and the second refractive index material may be SiO 2 .

상기 굴절율 물질은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥코팅, 슬릿 코팅 및 바코팅 중 어느 하나로 도포할 수 있다. The refractive index material may be applied by any one of spin coating, spray coating, dip coating, slit coating and bar coating.

본 발명에서와 같이 굴절층을 형성하면 유기 발광 표시 장치의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.The light extraction efficiency of the organic light emitting display can be increased by forming the refraction layer as in the present invention.

또한, 굴절층을 용액 공정으로 용이하게 형성할 수 있으므로 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 간소화할 수 있다.Further, since the refraction layer can be easily formed by a solution process, the manufacturing process of the organic light emitting display device can be simplified.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 굴절층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치가 갖는 화소 회로를 나타낸 회로도이다.
도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치의 일부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a part of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are cross-sectional views illustrating a method of forming a refraction layer of the OLED display of FIG.
4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.
5 is a plan view schematically illustrating the structure of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
6 is a circuit diagram showing a pixel circuit included in the organic light emitting diode display of FIG.
7 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the organic light emitting diode display of FIG.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. Whenever a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the case where it is "directly on" another portion, but also the case where there is another portion in between. Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 일부분을 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a part of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(111), 기판(111) 위에 위치하는 굴절층(300), 굴절층(300) 위에 위치하는 제1 전극(710), 제1 전극(710) 위에 위치하는 발광층(720), 발광층(720) 위에 위치하는 제2 전극(730)을 포함한다. 1, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 111, a refraction layer 300 disposed on the substrate 111, a first electrode 110 disposed on the refraction layer 300, A light emitting layer 720 located on the first electrode 710, and a second electrode 730 located on the light emitting layer 720.

기판(111)은 투명 소재로 형성되며, 투명한 유리 기판(111) 일 수 있다. 이 경우 기판(111)의 굴절율은 대략 1.5이다. 기판(111)은 유리 이 외에 결정 상태의 석영 또는 고분자 필름으로도 형성될 수 있다.The substrate 111 is formed of a transparent material and may be a transparent glass substrate 111. In this case, the refractive index of the substrate 111 is approximately 1.5. The substrate 111 may be formed of quartz or a polymer film in a crystalline state in addition to glass.

굴절층(300)은 서로 다른 굴절율을 가지는 복수의 소굴절층을 포함한다. 복수의 소굴절층은 기판(111)으로부터 제1 전극(710)으로 갈수록 굴절율이 점진적으로 증가하거나, 감소하도록 적층되어 있다. The refraction layer 300 includes a plurality of birefringent layers having different refractive indices. The plurality of small refraction layers are stacked so that the refractive index gradually increases or decreases from the substrate 111 to the first electrode 710.

즉, 굴절층(300)이 3개의 소굴절층을 포함할 때 각각의 소굴절층을 제1 소굴절층(30a), 제2 소굴절층(30b) 및 제3 소굴절층(30c)이라 하면, 굴절층(300)의 굴절율은 제1 소굴절층(30a)>제2소굴절층(30b)>제3 소굴절층(30c) 또는 제1 소굴절층(30a)<제2 소굴절층(30b)<제3 소굴절층(30c)의 순으로 적층될 수 있다. That is, when the refraction layer 300 includes three small refraction layers, the respective small refraction layers are referred to as a first small refraction layer 30a, a second small refraction layer 30b and a third small refraction layer 30c The refraction index of the refraction layer 300 is set such that the first small refraction layer 30a> the second small refraction layer 30b> the third small refraction layer 30c or the first small refraction layer 30a, Layer 30b < the third small refractive layer 30c.

이때, 각 소굴절층은 20nm이상의 두께로 형성되고, 굴절층(300)은 1 ㎛이하의 두께로 형성할 수 있다. At this time, each of the birefringent layers may be formed to a thickness of 20 nm or more, and the refraction layer 300 may be formed to a thickness of 1 m or less.

각 소굴절층은 굴절율이 서로 다른 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질을 혼합하는 비율에 따라서 다양한 굴절율을 가질 수 있다. 제1 굴절율 물질은 굴절율이 1.3이상1.6이하의 범위인 저굴절율 물질일 수 있고, 제2 굴절율 물질은 굴절율이 1.6이상 2.5이하인 고굴절율 물질일 수 있으며 이들의 혼합 비율을 조절함으로써 다양한 굴절율을 가지는 소굴절층을 얻을 수 있다. 또한, 이와 반대로 제1 굴절율 물질이 고굴절율 물질이고, 제2 굴절율 물질이 저굴절율 물질일 수 있다.Each of the birefringent layers may have various refractive indices depending on the mixing ratio of the first and second refractive index materials having different refractive indexes. The first refractive index material may be a low refractive index material having a refractive index in a range of 1.3 to 1.6, and the second refractive index material may be a high refractive index material having a refractive index in a range of 1.6 to 2.5. By controlling the mixing ratio thereof, A refractive layer can be obtained. Alternatively, the first refractive index material may be a high refractive index material and the second refractive index material may be a low refractive index material.

예를 들어, 기판(111)으로부터 멀어지는 순으로 제1 소굴절층(30a), 제2 소굴절층(30b) 및 제3 소굴절층(30c)이 적층되어 있다면, 제1 소굴절층(30a)은 제1 굴절율 물질만으로 이루어질 수 있고 제3 소굴절층(30c)은 제2 굴절율 물질만으로 이루어질 수 있다. 그리고 제1 소굴절층(30a)과 제3 소굴절층(30c) 사이에 위치하는 제2 소굴절층(30b)은 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질이 혼합되어 있는 혼합 굴절층일 수 있다. For example, if the first small birefringent layer 30a, the second small refractive layer 30b and the third small birefringent layer 30c are laminated in a descending order from the substrate 111, the first small birefringent layer 30a May be made of only the first refractive index material, and the third small refractive layer 30c may be made of only the second refractive index material. The second small birefringent layer 30b positioned between the first small birefringent layer 30a and the third small birefringent layer 30c may be a mixed refracting layer in which the first and second refractive index materials are mixed.

혼합 굴절층은 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질의 혼합비에 따라서 굴절율이 달라지며 혼합 굴절층에 포함된 제2 굴절율 물질은 제1 소굴절층에 포함된 제1 굴절율 물질의 5% 내지 95% 의 비율로 혼합될 수 있다.The mixed refraction layer has a refractive index that varies depending on a mixing ratio of the first refraction index material and the second refraction index material, and the second refraction index material included in the mixed refraction layer accounts for 5% to 95% of the first refraction index material included in the first refraction index layer. . &Lt; / RTI &gt;

저굴절율 물질은 SiO2일 수 있으며, 고굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이때, 저굴절율 물질 및 고굴절율 물질의 입자 크기는 용액 공정이 가능한 50nm이하 일 수 있다. The low refractive index material may be SiO 2 , and the high refractive index material may include at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3, and SrO. At this time, the particle size of the low refractive index material and the high refractive index material may be 50 nm or less, which is a solution processable.

이처럼 본 발명의 실시예에서와 같이 점진적으로 굴절율이 증가하거나 감소하는 소굴절층을 적층하여 굴절층을 형성하면, 점진적으로 굴절율 변화를 유도함으로써 빛이 갑작스런 경로 변화로 인해서 소멸되지 않고, 외부로 방출될 수 있도록 함으로써 유기 발광 장치의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다. As described above, when the refraction layer is formed by laminating the refraction layers gradually increasing or decreasing the refraction index as in the embodiment of the present invention, the refraction index is gradually changed, so that the light is not destroyed due to a sudden change in the path, The light extraction efficiency of the organic light emitting device can be increased.

그럼 도 2 내지 4와 기 설명한 도 1을 참조하여 굴절층을 형성하는 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of forming the refraction layer will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4 and FIG. 1 described above.

도 2및 도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치의 굴절층을 형성하는 방법을 설명하기 위한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views illustrating a method of forming a refraction layer of the OLED display of FIG. 1, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an OLED display according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 기판(111) 위에 제1 소굴절층(30a)을 형성한다. 제1 소굴절층(30a)은 저굴절율 물질로, 금속 산화물 콜로이드 입자일 수 있으며 예를 들어, SiO2로 형성할 수 있다. 이때, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥코팅, 슬릿코팅, 바코팅과 같은 용액 공정으로 형성할 수 있으며 SiO2의 입자 크기는 50nm이하일 수 있다. First, a first small refractive layer 30a is formed on a substrate 111 as shown in FIG. First predetermined refractive index layer (30a) is a low refractive index material may be a metal oxide colloid particles, for example, can be formed with SiO 2. At this time, it may be formed by a solution process such as spin coating, spray coating, dip coating, slit coating and bar coating, and the particle size of SiO 2 may be 50 nm or less.

다음 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 소굴절층(30a) 위에 제2 소굴절층(30b)을 형성한다. 제2 소굴절층(30b)은 제1 소굴절층(30a)과 동일한 방법으로 형성할 수 있다. Next, as shown in FIG. 3, a second small refractive layer 30b is formed on the first small refractive layer 30a. The second small birefringent layer 30b may be formed in the same manner as the first small birefringent layer 30a.

이때, 제2 소굴절층(30b)은 제1 소굴절층(30a)을 이루는 SiO2와 고굴절율 물질을 포함할 수 있다. 고굴절율 물질은 예를 들어, ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. At this time, the second small birefringent layer 30b may include SiO 2 and a high refractive index material forming the first small birefringent layer 30a. The high refractive index material may comprise, for example, at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3 and SrO.

제2 소굴절층(30b)은 제1 소굴절층(30a)을 이루는 소굴절율 물질의 5% 내지 95%의 중량비율로 고굴절율 물질을 혼합하여 형성한다. The second small birefringent layer 30b is formed by mixing a high refractive index material at a weight ratio of 5% to 95% of the small refractive index material of the first small birefringent layer 30a.

다음 도 1에 도시한 바와 같이, 제2 소굴절층(30b) 위에 제3 소굴절층(30c)을 형성한다. 제3 소굴절층(30c)은 고굴절율 물질인 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함한다. Next, as shown in FIG. 1, a third small refractive layer 30c is formed on the second small refractive layer 30b. The third predetermined refractive layer (30c) comprises at least one high refractive index material is ZrO 2, TiO 2, HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3 and SrO.

이상의 실시예에서는 제1 소굴절층과 제2 굴절층 사이에 혼합 굴절층이 한층만 형성하는 것을 설명하였으나, 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질의 혼합 비율을 점진적으로 변화시키면서 혼합 굴절층을 반복적으로 형성할 수 있다. In the above-described embodiments, only one mixed refractive layer is formed between the first birefringent layer and the second refractive layer. However, when the mixed refractive index layer is repeatedly changed while gradually changing the mixing ratio of the first and second refractive index materials .

한편, 도 2 및 도3의 실시예에서는 제1 소굴절층(30a)이 경화된 후에 제2 소굴절층(30b)을 형성하고, 제2 소굴절층(30b)이 경화된 후 제3 소굴절층(30c)을 형성한다.2 and 3, the second small birefringent layer 30b is formed after the first small birefringent layer 30a is cured, and after the second small refractive layer 30b is cured, Thereby forming a refraction layer 30c.

그러나 도 4에서와 같이 먼저 형성한 소굴절층이 완전히 경화되기 전에 먼저 형성한 소굴절층과 다른 굴절율을 가지는 소굴절층을 형성함으로써 두 소굴절층 사이에 혼합 굴절층을 형성할 수 있다. However, as shown in FIG. 4, a mixed refraction layer may be formed between the two small refraction layers by forming a first refraction layer having a refractive index different from that of the first small refraction layer formed before the first small refraction layer is completely cured.

즉, 제1 소굴절층(30a)이 경화되기 전에 제2 소굴절층(30b)을 형성하면 미 경화된 제1 소굴절층(30a)의 상부와 제2 소굴절층(30b)의 하부가 혼합될 수 있다. That is, if the second small birefringent layer 30b is formed before the first small birefringent layer 30a is cured, the upper portion of the uncured first birefringent layer 30a and the lower portion of the second small birefringent layer 30b Can be mixed.

따라서 제1 소굴절층(30a)과 제2 소굴절층(30b) 사이에 두 소굴절층(30a, 30c)이 혼합된 혼합 굴절층(30d)이 형성된다. 혼합 굴절층(30d)의 굴절율은 서로 다른 굴절율을 가지는 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질이 혼합되어 정해지므로, 혼합 굴절층의 굴절율은 제1 소굴절층의 굴절율과 제2 소굴절층의 굴절율 사이의 값을 가질 수 있다. A mixed refraction layer 30d in which two small refraction layers 30a and 30c are mixed is formed between the first small refraction layer 30a and the second small refraction layer 30b. Since the refractive index of the mixed refraction layer 30d is determined by mixing the first and second refraction index materials having different refraction indexes, the refraction index of the mixed refraction layer is determined by the refraction index of the first refraction index layer and the refraction index of the second refraction index layer Lt; / RTI &gt;

또한, 제2 소굴절층(30b)이 경화되기 전에 제3 소굴절층(30c)을 형성하면 제2 소굴절층(30b)와 제3 소굴절층(30c) 사이에 혼합 굴절층(30d)이 형성된다. 이때, 혼합 굴절층(30d)의 굴절율은 제2 소굴절층(30b)와 제3 소굴절층(30c) 사이의 굴절율을 가질 수 있다.When the third small birefringent layer 30c is formed before the second small refractive layer 30b is cured, a mixed refraction layer 30d is formed between the second small birefringent layer 30b and the third small birefringent layer 30c, . At this time, the refractive index of the mixed refraction layer 30d may have a refractive index between the second small refraction layer 30b and the third small refraction layer 30c.

본 발명의 실시예에서와 같이 용액 공정을 이용하면 용이하게 점진적으로 굴절율이 변화하는 굴절층을 형성할 수 있어 유기 발광 표시 장치의 제조 공정을 간소화할 수 있다. As in the embodiment of the present invention, by using the solution process, it is possible to easily form the refraction layer whose refractive index gradually changes, thereby simplifying the manufacturing process of the OLED display.

그럼 이상의 굴절층을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 대해서 도 5 및 도 6을 참조하여 좀 더 구체적으로 설명한다. The organic light emitting display including the refraction layer will be described in more detail with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.

도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치가 갖는 화소 회로를 나타낸 회로도이다. FIG. 5 is a plan view schematically showing the structure of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a pixel circuit included in the organic light emitting display of FIG.

도 5에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치는 표시 영역(DA)과 비 표시 영역(NA)으로 구분된 기판 본체(111)를 포함한다. 기판 본체(111)의 표시 영역(DA)에는 다수의 화소들(PE)이 형성되어 화상을 표시하고, 비 표시 영역(NA)에는 하나 이상이 구동 회로(GD, DD)가 형성된다. As shown in FIG. 5, the OLED display includes a substrate body 111 divided into a display area DA and a non-display area NA. A plurality of pixels PE are formed in the display area DA of the substrate main body 111 to display an image and one or more driving circuits GD and DD are formed in the non-display area NA.

도 6에 도시한 바와 같이, 하나의 화소(PE)가 유기 발광 소자(organic light emitting diode)(70), 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20), 그리고 하나의 캐패시터(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1cap 구조를 갖는다. 하지만, 본 발명의 한 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.As shown in FIG. 6, one pixel PE includes an organic light emitting diode 70, two thin film transistors (TFTs) 10 and 20, and one capacitor capacitor structure 80 having a 2Tr-1cap structure. However, an embodiment of the present invention is not limited thereto.

따라서 유기 발광 표시 장치(101)는 하나의 화소(PE)에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 캐패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 이와 같이 추가로 형성되는 박막 트랜지스터 및 캐패시터는 보상 회로의 구성이 될 수 있다.Accordingly, the organic light emitting diode display 101 may include three or more thin film transistors and two or more capacitors in one pixel (PE), and may be formed to have various structures by forming additional wirings. The thin film transistor and the capacitor further formed as described above can be configured as a compensation circuit.

보상 회로는 각 화소(PE)마다 형성된 유기 발광 소자(70)의 균일성을 향상시켜 화질에 편차가 생기는 것을 억제한다. 일반적으로 보상 회로는 2개 내지 8개의 박막 트랜지스터를 포함한다. The compensation circuit improves the uniformity of the organic light emitting element 70 formed for each pixel PE, thereby suppressing a variation in the image quality. In general, the compensation circuit includes two to eight thin film transistors.

또한, 기판 본체(111)의 비 표시 영역(NA) 상에 형성된 구동 회로(GD, DD)도 추가의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다. The driving circuits GD and DD formed on the non-display area NA of the substrate main body 111 may also include additional thin film transistors.

유기 발광 소자(70)는 정공 주입 전극인 애노드(anode) 전극과 전자 주입 전극인 캐소드(cathode) 전극, 그리고 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함한다. The organic light emitting device 70 includes an anode electrode as a hole injection electrode, a cathode electrode as an electron injection electrode, and an organic light emitting layer disposed between the anode electrode and the cathode electrode.

본 발명의 한 실시예에서 하나의 화소(PE)는 제1 박막 트랜지스터(10)와 제2 박막 트랜지스터(20)를 포함한다.In one embodiment of the present invention, one pixel (PE) includes a first thin film transistor 10 and a second thin film transistor 20.

제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터의 반도체층은 불순물이 도핑된 다결정 규소막을 포함한다. 즉, 제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20) 중 하나 이상의 박막 트랜지스터는 다결정 규소 박막 트랜지스터이다.The first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 include a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode, respectively. And the semiconductor layer of at least one of the first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 includes an impurity-doped polycrystalline silicon film. That is, at least one of the first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 is a polycrystalline silicon thin film transistor.

도 6에는 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 공통 전원 라인(VDD)과 함께 캐패시터 라인(CL)이 나타나 있으나, 캐패시터 라인(CL)은 경우에 따라 생략될 수도 있다. Although the capacitor line CL is shown in FIG. 6 together with the gate line GL, the data line DL and the common power line VDD, the capacitor line CL may be omitted in some cases.

데이터 라인(DL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 소스 전극이 연결되고, 게이트 라인(GL)에는 제1 박막 트랜지스터(10)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극은 캐패시터(80)를 통하여 캐패시터 라인(CL)에 연결된다. 제1 박막 트랜지스터(10)의 드레인 전극과 캐패시터(80) 사이에 노드가 형성되어 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전극이 연결된다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 소스 전극에는 공통 전원 라인(VDD)이 연결되며, 드레인 전극에는 유기 발광 소자(70)의 애노드 전극이 연결된다.A source electrode of the first thin film transistor 10 is connected to the data line DL and a gate electrode of the first thin film transistor 10 is connected to the gate line GL. The drain electrode of the first thin film transistor 10 is connected to the capacitor line CL through a capacitor 80. A node is formed between the drain electrode of the first thin film transistor 10 and the capacitor 80, and the gate electrode of the second thin film transistor 20 is connected. A common power line VDD is connected to the source electrode of the second thin film transistor 20 and an anode electrode of the organic light emitting diode 70 is connected to the drain electrode.

제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소(PE)를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 박막 트랜지스터(10)가 순간적으로 턴온되면 캐패시터(80)는 충전되고, 이때 충전되는 전하량은 데이터 라인(DL)으로부터 인가되는 전압의 전위에 비례한다. 그리고 제1 박막 트랜지스터(10)가 턴오프된 상태에서 캐패시터 라인(CL)에 한 프레임 주기로 전압이 증가하는 신호가 입력되면, 제2 박막 트랜지스터(20)의 게이트 전위는 캐패시터(80)에 충전된 전위를 기준으로 인가되는 전압의 레벨이 캐패시터 라인(CL)을 통하여 인가되는 전압을 따라서 상승한다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)는 게이트 전위가 문턱 전압을 넘으면 턴온된다. 그러면 공통 전원 라인(VDD)에 인가되던 전압이 제2 박막 트랜지스터(20)를 통하여 유기 발광 소자(70)에 인가되고, 유기 발광 소자(70)는 발광한다.The first thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel PE to emit light. When the first thin film transistor 10 is momentarily turned on, the capacitor 80 is charged, and the amount of charge charged at this time is proportional to the potential of the voltage applied from the data line DL. When the first thin-film transistor 10 is turned off and a voltage-rising signal is applied to the capacitor line CL one frame period, the gate potential of the second thin-film transistor 20 is charged to the capacitor 80 The level of the voltage applied based on the potential rises along the voltage applied through the capacitor line CL. The second thin film transistor 20 is turned on when the gate potential exceeds the threshold voltage. Then, a voltage applied to the common power line VDD is applied to the organic light emitting element 70 through the second thin film transistor 20, and the organic light emitting element 70 emits light.

이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 구체적으로 설명한다. Hereinafter, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치의 일부분을 확대하여 나타낸 단면도이다. 7 is an enlarged cross-sectional view of a portion of the organic light emitting diode display of FIG.

도 7에서는 도 1의 제2 박막 트랜지스터(20) 및 캐패시터(80)의 구조를 중심으로 적층 순서에 따라 상세히 설명한다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 박막 트랜지스터라 한다.In FIG. 7, the structure of the second thin film transistor 20 and the capacitor 80 of FIG. 1 will be described in detail with reference to the stacking order. Hereinafter, the second thin film transistor 20 is referred to as a thin film transistor.

기판(111)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 일 수 있으며, 기판(111)은 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판일 수 있다. The substrate 111 may be an insulating substrate made of glass, quartz, ceramics, plastic, or the like, and the substrate 111 may be a metallic substrate made of stainless steel or the like.

기판(111) 위에는 버퍼층(120)이 형성되어 있다. On the substrate 111, a buffer layer 120 is formed.

버퍼층(120)은 질화 규소(SiNx)의 단일막 또는 질화 규소(SiNx)와 산화 규소(SiO2)가 적층된 이중막 구조로 형성될 수 있다. 버퍼층(120)은 불순물 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하면서 동시에 표면을 평탄화하는 역할을 한다. The buffer layer 120 may be formed of a single layer of silicon nitride (SiNx) or a double-layer structure in which silicon nitride (SiNx) and silicon oxide (SiO2) are stacked. The buffer layer 120 serves to prevent the penetration of unnecessary components such as impurities or moisture and at the same time to flatten the surface.

버퍼층(120) 위에는 다결정 규소로 이루어진 반도체(135)와 제1 캐패시터 전극(138)이 형성되어 있다.On the buffer layer 120, a semiconductor 135 and a first capacitor electrode 138 made of polycrystalline silicon are formed.

반도체(135)는 채널 영역(1355)과 채널 영역(1355)의 양측에 각각 형성된 소스 영역(1357) 및 드레인 영역(1356)으로 구분된다. 반도체(135)의 채널 영역(1355)은 불순물이 도핑되지 않은 다결정 규소, 즉 진성 반도체(intrinsic semiconductor)이다. 반도체(135)의 소스 영역(1357) 및 드레인 영역(1356)은 도전성 불순물이 도핑된 다결정 규소, 즉 불순물 반도체(impurity semiconductor)이다. The semiconductor 135 is divided into a channel region 1355 and a source region 1357 and a drain region 1356 formed on both sides of the channel region 1355. [ The channel region 1355 of the semiconductor 135 is an impurity-doped polycrystalline silicon, that is, an intrinsic semiconductor. The source region 1357 and the drain region 1356 of the semiconductor 135 are polycrystalline silicon doped with a conductive impurity, that is, an impurity semiconductor.

제1 캐패시터 전극(138)은 도전성 불순물이 도핑되어 있다. The first capacitor electrode 138 is doped with a conductive impurity.

소스 영역(1357) 및 드레인 영역(1356)과 제1 캐패시터 전극(138)에 도핑되는 불순물은 p형 불순물 및 n형 불순물 중 어느 하나 일 수 있다. The impurity doped in the source region 1357 and the drain region 1356 and the first capacitor electrode 138 may be any one of a p-type impurity and an n-type impurity.

반도체(135)와 제1 캐패시터 전극(138) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 및 산화 규소 중 적어도 하나를 포함한 단층 또는 복수층일 수 있다. A gate insulating layer 140 is formed on the semiconductor 135 and the first capacitor electrode 138. The gate insulating layer 140 may be a single layer or a plurality of layers including at least one of tetra ethyl orthosilicate (TEOS), silicon nitride, and silicon oxide.

게이트 절연막(140) 위에는 게이트 전극(155)과 제2 캐패시터 전극(158)이 형성되어 있다. 게이트 전극(155)은 채널 영역(1355)과 중첩하고, 제2 캐패시터 전극(158)은 제1 캐패시터 전극(138)과 중첩한다.A gate electrode 155 and a second capacitor electrode 158 are formed on the gate insulating layer 140. The gate electrode 155 overlaps the channel region 1355 and the second capacitor electrode 158 overlaps the first capacitor electrode 138. [

제1 캐패시터 전극(138)과 제2 캐패시터 전극(158)은 게이트 절연막(140)을 유전체로 하여 캐패시터(80)를 이룬다.The first capacitor electrode 138 and the second capacitor electrode 158 constitute a capacitor 80 with the gate insulating film 140 as a dielectric.

게이트 전극(155) 및 제2 캐패시터 전극(158) 위에는 층간 절연막(160)이 형성된다. 층간 절연막(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소 또는 산화 규소 등으로 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 160 is formed on the gate electrode 155 and the second capacitor electrode 158. The interlayer insulating layer 160 may be formed of tetra ethyl orthosilicate (TEOS), silicon nitride, silicon oxide, or the like as the gate insulating layer 140.

층간 절연막(160)과 게이트 절연막(140)에는 소스 영역(1357)과 드레인 영역(1356)을 각각 노출하는 소스 접촉 구멍(167)과 드레인 접촉 구멍(166)을 갖는다.The interlayer insulating film 160 and the gate insulating film 140 have a source contact hole 167 and a drain contact hole 166 that respectively expose a source region 1357 and a drain region 1356.

층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(177) 및 드레인 전극(176)이 형성되어 있다. 소스 전극(177)과 드레인 전극(176)은 소스 접촉 구멍(167) 및 드레인 전극 구멍(166)을 통해서 소스 영역(1357) 및 드레인 영역(1356)과 각각 연결된다.A source electrode 177 and a drain electrode 176 are formed on the interlayer insulating film 160. The source electrode 177 and the drain electrode 176 are connected to the source region 1357 and the drain region 1356 through the source contact hole 167 and the drain electrode hole 166, respectively.

층간 절연막(160) 위에는 캐패시터 전극(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있다. 추가의 캐패시터 전극은 제1 캐패시터 전극(138) 또는 제2 캐패시터 전극(158)과 중첩하여 충전 용량을 증가시킬 수 있다.A capacitor electrode (not shown) may be further formed on the interlayer insulating layer 160. An additional capacitor electrode may overlap the first capacitor electrode 138 or the second capacitor electrode 158 to increase the charge capacity.

소스 전극(177) 및 드레인 전극(176) 위에는 굴절층(300)이 형성되어 있다. 굴절층(300)은 굴절율이 점진적으로 증가하거나 감소하는 3개의 소굴절층(30a, 30b, 30c)을 포함한다. A refraction layer 300 is formed on the source electrode 177 and the drain electrode 176. The refraction layer 300 includes three birefringent layers 30a, 30b and 30c whose refractive index gradually increases or decreases.

굴절층(300) 위에는 평탄화막(180)이 형성되어 있다. A planarization layer 180 is formed on the refraction layer 300.

평탄화막(180)은 폴리아클리계 수지(polyacrylates resin), 에폭시(epoxy resion), 페놀 수지(phenolic resin), 폴이아미드계 수지(polyamides resion), 폴리이미드계 수지(polyimides resion), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resion), 폴리페닐렌계수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계수지(poly(phenylenesulfieds) 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질을 포함하여 단층 또는 복수층으로 형성된다.The planarization layer 180 may be formed of a resin such as polyacrylates resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, polyimide resin, A single layer or a layer containing at least one of unsaturated polyesters resion, poly (phenylenethers) resin, poly (phenylenesulfieds) and benzocyclobutene (BCB) And are formed in a plurality of layers.

평탄화막(180) 위에는 유기 발광 소자(70)의 화소 전극(710) 및 화소 정의막(190)이 형성되어 있다.The pixel electrode 710 and the pixel defining layer 190 of the organic light emitting diode 70 are formed on the planarization layer 180.

화소 전극(710)은 평탄화막(180)의 애노드 접촉 구멍(186)을 통해서 드레인 전극(176)과 연결되어 유기 발광 소자의 애노드 전극이 된다. 화소 전극(710)은 소스 전극과 연결될 수도 있다(도시하지 않음). The pixel electrode 710 is connected to the drain electrode 176 through the anode contact hole 186 of the planarization layer 180 and becomes the anode electrode of the organic light emitting diode. The pixel electrode 710 may be connected to the source electrode (not shown).

화소 정의막(190)은 화소 전극(710)을 노출하는 개구부(195)를 가진다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.The pixel defining layer 190 has an opening 195 for exposing the pixel electrode 710. The pixel defining layer 190 may include a resin such as polyacrylates or polyimides, and a silica-based inorganic material.

화소 정의막(190)의 개구부(195)에는 유기 발광층(720)이 형성되어 있다. An organic light emitting layer 720 is formed in the opening 195 of the pixel defining layer 190.

유기 발광층(720)은 발광층, 정공 수송층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다. The organic light emitting layer 720 may include a light emitting layer, a hole-injection layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), an electron transporting layer (ETL) EIL). &Lt; / RTI &gt;

유기 발광층(720)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드 전극인 화소 전극(710) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.When the organic light emitting layer 720 includes both of them, the hole injection layer may be disposed on the pixel electrode 710, which is an anode electrode, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be sequentially stacked thereon.

화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 위에는 공통 전극(730)이 형성된다. A common electrode 730 is formed on the pixel defining layer 190 and the organic light emitting layer 720.

공통 전극(730)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 된다. 따라서 화소 전극(710), 유기 발광층(720) 및 공통 전극(730)은 유기 발광 소자(70)를 이룬다.The common electrode 730 becomes the cathode electrode of the organic light emitting element. Accordingly, the pixel electrode 710, the organic light emitting layer 720, and the common electrode 730 form the organic light emitting device 70.

유기 발광 소자(70)가 빛을 방출하는 방향에 따라서 유기 발광 표시 장치는 전면 표시형, 배면 표시형 및 양면 표시형 중 어느 한 구조를 가질 수 있다.Depending on the direction in which the organic light emitting diode 70 emits light, the organic light emitting display device may have any one of a front display type, a back display type, and a double-sided display type.

전면 표시형일 경우 화소 전극(710)은 반사막으로 형성하고 공통 전극(730)은 반투과막으로 형성한다. 반면, 배면 표시형일 경우 화소 전극(710)은 반투과막으로 형성하고 공통 전극(730)은 반사막으로 형성한다. 그리고 양면 표시형일 경우 화소 전극(710) 및 공통 전극(730)은 투명막 또는 반투과막으로 형성한다.The pixel electrode 710 is formed as a reflective film and the common electrode 730 is formed as a semi-transmissive film. On the other hand, in the case of the backside display type, the pixel electrode 710 is formed of a semi-transmissive film and the common electrode 730 is formed of a reflective film. In the case of a double-sided display type, the pixel electrode 710 and the common electrode 730 are formed of a transparent film or a semi-transparent film.

반사막 및 반투과막은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr) 및 알루미늄(Al) 중 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금을 사용하여 만들어진다. 반사막과 반투과막은 두께로 결정되며, 반투과막은 200nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 두께가 얇아질수록 빛의 투과율이 높아지나, 너무 얇으면 저항이 증가한다.The reflective film and the semi-transparent film may be formed using at least one of magnesium (Mg), silver (Ag), gold (Au), calcium (Ca), lithium (Li), chromium (Cr) Is made. The reflective film and the semi-transmissive film are determined to have a thickness, and the semi-transmissive film can be formed to a thickness of 200 nm or less. The thinner the thickness, the higher the transmittance of light, but if it is too thin, the resistance increases.

투명막은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(indium oxide) 등의 물질로 이루어진다. The transparent film is made of a material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO (zinc oxide), or In 2 O 3 (indium oxide).

이처럼 본 발명의 실시예에서와 같이 점진적으로 굴절율이 증가하거나 감소하는 소굴절층을 적층하여 굴절층을 형성하면, 점진적으로 굴절율 변화를 유도함으로써 빛이 갑작스런 경로 변화로 인해서 소멸되지 않고, 외부로 방출될 수 있도록 함으로써 유기 발광 장치의 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다. As described above, when the refraction layer is formed by laminating the refraction layers gradually increasing or decreasing the refraction index as in the embodiment of the present invention, the refraction index is gradually changed, so that the light is not destroyed due to a sudden change in the path, The light extraction efficiency of the organic light emitting device can be increased.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of the right.

10: 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터
70: 유기 발광 소자 80: 캐패시터
111: 기판 120: 버퍼층
135: 반도체
138: 제1 캐패시터 전극 140: 게이트 절연막
155: 게이트 전극 158: 제2 캐패시터 전극
160: 층간 절연막 180: 평탄화막
190: 화소 정의막 195: 개구부
300: 굴절층
710: 화소 전극 720: 유기 발광층
730: 공통 전극 1355: 채널 영역
1356: 드레인 영역 1357: 소스 영역10: first thin film transistor 20: second thin film transistor
70: organic light emitting device 80: capacitor
111: substrate 120: buffer layer
135: Semiconductor
138: first capacitor electrode 140: gate insulating film
155: gate electrode 158: second capacitor electrode
160: interlayer insulating film 180: planarization film
190: pixel defining layer 195: opening
300: refraction layer
710: pixel electrode 720: organic light emitting layer
730: common electrode 1355: channel region
1356: drain region 1357: source region

Claims (20)

기판,
상기 기판 위에 위치하며 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층,
상기 제1 소굴절층 위에 위치하며 상기 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질을 포함하는 혼합 굴절층,
상기 혼합 굴절층 위에 위치하며 상기 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층,
상기 제2 소굴절층 위에 형성되어 있는 제1 전극,
상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층,
상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극
을 포함하고,
상기 제1 소굴절층, 혼합 굴절층 및 제2 소굴절층 순으로 굴절율이 증가하거나 감소하는 표시 장치.Board,
A first birefringent layer disposed on the substrate and including a first refractive index material,
A mixed refractive layer positioned on the first birefringent layer and including the first refractive index material and a second refractive index material,
A second birefringent layer located on the mixed refractive layer and including the second refractive index material,
A first electrode formed on the second birefringent layer,
A light emitting layer formed on the first electrode,
And a second electrode
/ RTI &gt;
Wherein the refractive index increases or decreases in the order of the first small birefringent layer, the mixed refractive layer, and the second small birefringent layer. 제1항에서,
상기 제1 굴절율 물질 및 상기 제2 굴절율 물질의 입자 크기는 50nm 이하인 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the first refractive index material and the second refractive index material have a particle size of 50 nm or less. 삭제delete 제1항에서,
상기 혼합 굴절층은 상기 제1 굴절율 물질과 상기 제2 굴절율 물질의 혼합비에 따라서 굴절율이 달라지는 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the mixed refraction layer has a refractive index that varies depending on a mixing ratio of the first refractive index material and the second refractive index material. 제4항에서,
상기 혼합 굴절층에 포함된 상기 제2 굴절율 물질은 상기 제1 소굴절층에 포함된 제1 굴절율 물질의 5% 내지 95% 의 비율로 혼합되어 있는 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the second refractive index material contained in the mixed refractive layer is mixed at a ratio of 5% to 95% of the first refractive index material contained in the first birefringent layer. 제4항에서,
상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고,
상기 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위인 표시 장치.5. The method of claim 4,
The refractive index of the first refractive index material is in the range of 1.3 to 1.6,
And the refractive index of the second refractive index material ranges from 1.6 to 2.5. 제6항에서,
상기 제1 굴절율 물질은 SiO2이고,
상기 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.The method of claim 6,
Wherein the first refractive index material is SiO 2 ,
Wherein the second refractive index material comprises at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3 and SrO. 제4항에서,
상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위이고,
상기 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위인 표시 장치.5. The method of claim 4,
The refractive index of the first refractive index material ranges from 1.6 to 2.5,
And the refractive index of the second refractive index material ranges from 1.3 to 1.6. 제8항에서,
상기 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 굴절율 물질은 SiO2인 표시 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first refractive index material includes at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3, and SrO,
And the second refractive index material is SiO 2 . 제1항에서,
상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 상기 제2 소굴절층은 각각 20nm이상의 두께인 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the first small birefringent layer, the mixed refractory layer, and the second small birefringent layer each have a thickness of 20 nm or more. 제10항에서,
상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 제2 소굴절층의 두께 합은 1㎛이하인 표시 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the sum of the thicknesses of the first small birefringent layer, the mixed refractory layer, and the second small refracting layer is 1 mu m or less. 삭제delete 기판 위에 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층을 형성하는 단계,
상기 제1 소굴절층 위에 상기 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질을 포함하는 혼합 굴절층을 형성하는 단계,
상기 혼합 굴절층 위에 상기 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층을 형성하는 단계,
상기 제2 소굴절층 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계,
상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 혼합 굴절층을 형성하는 단계는 상기 제1 소굴절층의 상기 제1굴절율 물질에 대한 상기 제2 굴절율 물질의 비율을 증가시키면서 반복하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Forming a first birefringent layer including a first refractive index material on a substrate,
Forming a mixed refraction layer including the first refraction index material and the second refraction index material on the first refraction index layer;
Forming a second birefringent layer including the second refractive index material on the mixed refraction layer,
Forming a first electrode on the second birefringent layer,
Forming a light emitting layer on the first electrode,
Forming a second electrode on the light emitting layer
Lt; / RTI &gt;
Wherein the step of forming the mixed refraction layer repeats the step of increasing the ratio of the second refractive index material to the first refractive index material of the first birefringent layer. 기판 위에 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층을 형성하고, 상기 제1 소굴절층이 경화되기 전에 상기 제1 소굴절층 위에 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층을 도포하여 굴절층을 형성하는 단계,
상기 굴절층 위에 제1 전극을 형성하는 단계,
상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계,
상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.A first birefringent layer including a first refractive index material is formed on a substrate and a second birefringent layer containing a second refractive index material is coated on the first birefringent layer before the first birefringent layer is cured Forming a refraction layer,
Forming a first electrode on the refraction layer,
Forming a light emitting layer on the first electrode,
Forming a second electrode on the light emitting layer
Wherein the organic light emitting display device further comprises: 삭제delete 제13항 또는 제14항에서,
상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위이고,
상기 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 13 or 14,
The refractive index of the first refractive index material is in the range of 1.3 to 1.6,
And the refractive index of the second refractive index material ranges from 1.6 to 2.5. 제16항에서,
상기 제1 굴절율 물질은 SiO2이고,
상기 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the first refractive index material is SiO 2 ,
Wherein the second refractive index material comprises at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3, and SrO. 제13항 또는 제14항에서,
상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1.6이상 2.5이하의 범위이고,
상기 제2 굴절율 물질의 굴절율은 1.3이상 1.6이하의 범위인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 13 or 14,
The refractive index of the first refractive index material ranges from 1.6 to 2.5,
And the refractive index of the second refractive index material ranges from 1.3 to 1.6. 제18항에서,
상기 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 제2 굴절율 물질은 SiO2인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 18,
Wherein the first refractive index material includes at least one of ZrO 2 , TiO 2 , HfO 2 , ZnO, Y 2 O 3, and SrO,
And the second refractive index material is SiO 2 . 제13항 또는 제14항에서,
상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 상기 제2 소굴절층은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥코팅, 슬릿 코팅 및 바코팅 중 어느 하나로 도포하여 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The method according to claim 13 or 14,
Wherein the first small birefringent layer, the mixed refractory layer, and the second small birefringent layer are formed by spin coating, spray coating, dip coating, slit coating, or bar coating.
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