KR101360324B1 - 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 개시는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 투광성 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector; 분포 브래그 리플렉터)를 가지는 유전체 막을 매개로 그 위에 두 개의 전극을 가지며, 두 개의 전극은 유전체 막을 관통하여 반도체 소자와 전기적으로 연결되고, 두 개의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계; 두 개의 전극이 위치하는 측을 감광액으로 덮는 단계; 그리고, 두 개의 전극을 마스크로 하여, 감광액을 노광하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Description
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 제조가 간단한 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
여기기, 반도체 소자라 함은 반도체 발광소자(예: 레이저 다이오드), 반도체 수광소자(예: 포토 다이오드), p-n접합 다이오드 전기 소자, 반도체 트랜지스터 등을 포함하며, 대표적으로 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물 반도체층을 포함하는 발광다이오드와 같은 발광소자를 의미하며, 추가적으로 SiC, SiN, SiCN, CN와 같은 다른 족(group)의 원소들로 물질이나 이들 물질로 된 반도체층을 포함하는 것을 배제하는 것은 아니다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에, 버퍼층(200), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(600)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(700)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(800)이 형성되어 있다. 여기서, 기판(100) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(903) 측이 패키지에 놓일 때, 장착면으로 기능한다. 열방출 효율의 관점에서, 도 1에 도시된 래터럴 칩(Lateral Chip)보다 도 2에 도시된 플립 칩(Flip Chip) 또는 정션 다운형(Junction Down Type) 칩이 열방출 효율이 우수하다. 래터럴 칩이 80~180㎛의 두께를 가지는 사파이어 기판(100)을 통해 열을 외부로 방출해야 하는 반면에, 플립 칩은 활성층(400)에 가깝게 위치하는 금속으로 된 전극(901,902,903)을 통해 열을 방출할 수 있기 때문이다.
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자 패키지는 리드 프레임(110,120), 몰드(130), 그리고 캐비티(140) 내에 수직형 반도체 발광소자(150; Vertical Type Light-emitting Chip)가 구비되어 있고, 캐비티(140)는 형광체(160)를 함유하는 봉지제(170)로 채워져 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)의 하면이 리드 프레임(110)에 전기적으로 연결되고, 상면이 와이어(180)에 의해 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 수직형 반도체 발광소자(150)에서 나온 광(예: 청색광)의 일부가 형광체(160)를 여기시켜 형광체(160)가 광(예: 황색광)을 만들고, 이 광들(청색광+황색광)이 백색광을 만든다. 여기서, 몰드(130)-봉지제(170) 또는 리드 프레임(110,120)-몰드(130)-봉지제(170)가 수직형 반도체 발광소자를 담지한 채로, 반도체 발광소자 패키지의 지지체 즉, 캐리어(Carrier)로 역할한다.
도 26은 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 반도체 발광소자와 달리, 전극(901,902,903) 대신에, 유전체 막(910)과 금속막(920)을 이용하여, 플립 칩을 구현하고 있다. 활성층(300)에서 생성된 빛(L)은 주로 유전체 막(910)에서 반사되어 제1 반도체층(300) 또는 기판(100) 측으로 반사된다. 일부의 빛(L)은 금속막(920)에서 반사된다. 바람직하게는 유전체 막(910)이 DBR을 가진다. 미설명 동일부호에 대한 설명은 생략한다.
도 27은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면으로서, 도 26에 도시된 반도체 발광소자와 달리, 전극(700)을 통해 전류를 공급하는 것이 아니라, 유전체 막(910)에 홀(910h)을 구비하여, 금속막(920)이 투광성 전도막(600)을 통해 반도체 발광소자에 전류를 공급하도록 구성되어 있다. 바람직하게는 유전체 막(910)은 DBR을 가지며, 반도체 발광소자 전체에 걸쳐서 형성되어 있으며, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300)에도 유전체 막(910)과 금속막(920)이 형성되어 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 투광성 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector; 분포 브래그 리플렉터)를 가지는 유전체 막을 매개로 그 위에 두 개의 전극을 가지며, 두 개의 전극은 유전체 막을 관통하여 반도체 소자와 전기적으로 연결되고, 두 개의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계; 두 개의 전극이 위치하는 측을 감광액으로 덮는 단계; 그리고, 두 개의 전극을 마스크로 하여, 감광액을 노광하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법이 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 반도체 발광소자의 일 예(Lateral Chip)를 나타내는 도면,
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 22는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 23 및 도 24는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 25는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 26은 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 27은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 도 28에 도시된 반도체 소자의 전극의 예들을 나타내는 도면.
도 2는 종래의 반도체 발광소자의 다른 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 12은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 15는 종래의 반도체 발광소자 패키지 또는 반도체 발광소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 16 내지 도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 21은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 22는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 23 및 도 24는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 25는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 26은 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 27은 일본 공개특허공보 제2009-164423호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예(Flip Chip)를 나타내는 도면,
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 29는 도 28에 도시된 반도체 소자의 전극의 예들을 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)를 준비한 다음, 두 개의 전극(80,90)이 구비된 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용하여 플레이트(1)에 위치 고정한다. 다음으로, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 반도체 소자(2)를 분리한다. 플레이트(1)를 이루는 물질에는 특별한 제한이 없으며, 사파이어와 같은 물질을 사용하여도 좋고, 금속이나 유리 등의 평평평한 구조물을 사용하여도 좋다. 접착제(3)를 이루는 물질에도 특별한 제한이 없으며, 반도체 소자(2)를 플레이트(1)에 위치 고정만 할 수 있다면 어떠한 접착제여도 좋다. 봉지제(3)를 이루는 물질로는 종래에 LED 패키지에 사용되는 실리콘 에폭시가 사용될 수 있다. 봉지제(4)가 형성된 후, 반도체 소자(2)와 플레이트(1)의 분리는 접착제(3)를 녹일 수 있는 열을 가하거나, 접착제(3)를 녹일 수 있는 용제를 이용함으로써 가능하다. 열과 용제를 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한 접착 테이프를 이용하는 것도 가능하다. 봉지제(4)는 종래에 사용되는 디스펜싱, 스크린 프린팅, 몰딩, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있으며, 광경화성 수지(UV경화성 수지)를 도포한 후, 광을 조사함으로써 형성하는 것도 가능하다. 플레이트(1)로 사파이어와 같이 투광성 플레이트가 사용되는 경우에, 플레이트(1) 측으로부터 광을 조사하는 것도 가능하다. 설명을 위해, 플레이트(1) 위에 하나의 반도체 소자(2)를 도시하였지만, 복수의 반도체 소자(2)를 플레이트(1) 위에 두고 공정을 행할 수 있다. 여기서 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지는 것으로 설명되었지만, 그 수에 특별히 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 트랜지스터의 경우에 세 개의 전극을 가질 수 있다.
도 4는 본 개시에 따라 플립 칩 패키지를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2)로서, 정션 다운 형 칩이 제시되어 있다. 정션 다운 형 칩으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 플립 칩형 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 따라서 반도체 발광소자는 도 2에서와 같이, 기판(100; 예: 사파이어 기판), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400; 예: InGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 기판(100) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(901; 예: Ag 반사막), 전극막(902; 예: Ni 확산 방지막) 및 전극막(903; 예: Au 본딩층)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(300) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(800; 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성된 구조를 가질 수 있다. 반도체 소자(2)는 두 개의 전극(80,90)을 가지며, 전극(90)은 도 2의 전극(901,902,903)과 같은 구성을 가져도 좋고, DBR(Distributed Bragg Reflector)과 금속 반사막의 조합으로 이루어져도 좋다. 전극(80)과 전극(90)은 SiO2와 같은 절연막(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있다. 이후의 과정은 동일하며, 봉지제(4; encapsulating material)를 이용하여, 반도체 소자(2)를 감싼다. 다음으로, 플레이트(1)와 접착제(3)로부터 반도체 소자(2)를 분리한다.
도 5는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1) 위에 복수의 반도체 소자(2,2)가 일체로 봉지제(4)에 의해 덮혀 있다. 플레이트(1)를 제거한 후, 반도체 소자(2,2)를 일체로서 하나의 패키지화하는 것이 용이해진다. 반도체 소자(2)와 반도체 소자(2)의 전기적 연결 방법에 대해서는 후술한다. 또한 이들을 도 3에서와 같이 개별적인 반도체 소자(2)로 분리하는 것도 가능하다. 이는 복수의 반도체 소자(2,2)를 플레이트(1)로부터 분리한 후, 쏘잉(sawing) 등의 공정을 통해 개별화함으로써 가능하다. 경화후 연성을 가지는 봉지제(4)를 사용함으로써, 연성 회로기판과의 결합을 한층 높일 수 있게 된다.
도 6은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 일 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)의 측면(4a)이 경사지도록 형성되어 있다. 반도체 소자(2)가 발광소자인 경우에, 봉지제(4)가 다양한 각의 외면을 갖게 되어, 패키지 외부로의 광 추출 효율이 높아지게 된다. 스크린 프린팅시, 스크린 격벽을 경사지게 형성하여 측면(4a)의 형성이 가능하며, 쏘잉시, 끝이 뾰족한 커터를 이용함으로써 측면(4a)의 형성이 가능하다.
도 7은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1)가 제거된 후, SiO2와 같은 절연막(6)을 전극(80)과 전극(90)을 노출한 상태로 구비하고 있다. 이후, 전극(80)에 외부 전극(81)을 연결하고, 전극(90)에 외부 전극(91)을 형성하여, 종래의 패키지와 같은 구조로 만들 수 있게 된다. 외부 전극(81,91)은 종래 패키지의 리드 프레임에 대응할 수 있다. 또한 외부 전극(81,91)을 반사막으로 기능하도록 넓게 펼쳐 증착하는 것도 가능하다. 절연막(6)은 단순히 절연 기능만을 하여도 좋고, 외부 전극(81,91)에 의한 광 흡수를 줄이도록 SiO2/TiO2의 교대 적층구조를 형성하거나 DBR을 이루어도 좋다. 도 4에서와 같이 반도체 소자(2)가 절연막(5)을 구비하는 경우에는 절연막(6)이 생략될 수도 있다. 절연막(6)과 외부 전극(81,91)의 형성에 사용되는 증착 공정과 포토리쏘그라피 공정 등은 반도체 칩 공정에서 일반적인 것으로 당업자에 매우 익숙한 것이다. 외부 전극(81,91)을 구비함으로써, PCB, COB 등에의 장착이 보다 용이해질 수 있다. 필요한 경우에, 외부 전극(81,91) 없이 절연막(6)만을 구비하는 것도 가능하다. 절연막(6) 반도체 소자(2)와 봉지제(4) 사이를 보호하는 기능을 할 뿐만 아니라, 봉지제(4)를 외부 전극(81,91) 형성 공정으로부터 보호하는 기능도 할 수 있다. 또한 절연막(6)을 백색 물질로 형성하여, 절연막(6)을 반사막으로 기능하게 할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR(Photo Sloder Regist)을 절연막(6)으로 이용하거나, 코팅하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 백색의 PSR을 스크린 프린팅 또는 스핀 코팅한 다음, 일반적인 포토리소그라피 공정을 통해 패터닝할 수 있다.
도 8은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 전기적으로 직렬 연결된 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 구비되어 있다. 반도체 소자(2A)의 음(-) 전극(80A)과 반도체 소자(2B)의 양(+) 전극(90B)을 외부 전극(89)을 통해 연결함으로써 이러한 구성이 가능해진다. 미설명 부호 4는 봉지제이며, 6은 절연막이고, 90A은 반도체 소자(2A)의 양(+) 전극이며, 80B는 반도체 소자(2B)의 음(-) 전극이다. 이러한 구성을 통해, 모노리식 기판의 사용 없이, 봉지제(4)를 통해 일체화된 반도체 소자(2A,2B) 간의 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. 모노리식 기판의 경우에, 그 위의 반도체 소자의 구조가 동일하지만, 본 개시의 방법에 의하면, 반도체 소자(2A)와 반도체 소자(2B)가 같은 기능의 소자일 필요가 없다. 반도체 소자(2A,2B)를 병렬연결할 수 있음은 물론이다. 또한 봉지제(4)의 측면(4a)을 도 6에서와 같이 경사지게 형성할 수 있으며, 이러한 구성은 기존에 상상할 수 없었던 고전압(High-Voltage) 반도체 발광소자 패키지 내지는 반도체 발광소자 구조물을 가능하게 한다.
도 9는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물 사용의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 소자(2C)는 인쇄회로기판(7)의 도선(7a)과 전극(80,90)이 직접 연결되어 있으며, 반도체 소자(2D)는 도선(7b)과 외부 전극(81,91)을 통해 연결되어 있다. 인쇄회로기판(7)은 연성 회로기판이어도 좋다.
도 10은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 2에 도시된 것과 같은 반도체 소자(2)가 구비되어 있으며, 반도체 소자(2)는 기판(100), 기판(100) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(300), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(400), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(500)이 성장되며, 전극(80,90)이 형성되어 있다. 반도체 소자(2)를 접착제(3)를 이용해 플레이트(1)에 붙인 다음, 봉지제(4)로 덮기에 앞서, 기판(100)을 제거하고, 바람직하게는 광 취출 효율을 높이기 위해 거친 표면(301)을 형성한다. 이후의 과정은 동일하다. 기판(100)의 제거는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off)와 같은 공정에 의해 가능하며, 거친 표면(301)은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각을 통해 가능하다. 이것은 칩 레벨 레이저 리프트 오프를 가능하게 한다.
도 11은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 형광체가 포함되어 있다. YAG, Silicate, Nitride 형광체 등을 이용하여 원하는 색의 광을 발광할 수 있게 된다.
도 12은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4) 내에 또는 봉지제(4) 하부에 형광체층(8)이 형성되어 있다. 이는 봉지제(4) 내에서 형광체를 침전시키거나, 별도로 스핀 코팅하거나, 휘발성 액체에 담긴 형광체를 도포한 후 휘발시켜 형광체만 남긴 후 봉지제(4)로 덮음으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라 복수의 형광체층(8)의 형성도 가능하다.
도 13은 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 광 취출 효율을 높이기 위한 거친 표면 또는 요철(4g)이 형성되어 있다. 거친 표면(4g)은 pressing, 나노임프린트(nanoimprint) 등의 성형을 통해 형성이 가능하다. 또한 bead 물질을 도포한 후, 에칭, 샌드블라스팅 등의 방법을 통해 형성하는 것도 가능하다. 거친 표면(4g)은 플레이트(1)의 분리 이전 또는 분리 이후에 형성될 수 있다.
도 14는 본 개시에 따른 반도체 소자 구조물의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 봉지제(4)에 렌즈(4c)가 형성되어 있다. 바람직하게는 렌즈(4c)는 봉지제와 일체로 형성된다. 이러한 일체형 렌즈(4c)는 압축성형 등으로 방법으로 형성하는 것이 가능하다.
도 16 내지 도 19는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1; 도 3 참조)가 제거된 다음, 감광액(9)이 도포된다. 예를 들어, 감광액(9)은 절연막(6)으로 기능하는 백색 PSR로 이루어질 수 있다. 전극(80,90)을 노출하기 위해, 노광 작업이 필요하며, 이때 마스크 패턴으로서, 별도의 마스크 패턴 없이, 전극(80,90)을 마스크로 사용한다. 다음으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 봉지제(4) 상측에서 광(L)을 조사하여, 감광액(9)을 노광시키고, 전극(80,90)에 대응하는 영역(80a,90a)이 노광 후 제거될 수 있도록 한다. 도 18에 영역(80a,90a)에 대응하는 감광액(9)이 제거된 후의 모습이 도시되어 있다. 바람직하게는 봉지제(4)에 형광체를 함유하지 않음으로써, 광(L)이 감광액(9)에 정확하게 전달될 수 있도록 한다. 전극(80,90)을 마스크로 이용함으로써, 별도의 마스크를 이용하는 것에 필요한 정렬 작업이 필요없어, 보다 정확한 노광 작업이 가능해진다. 필요에 따라, 도 19에 도시된 바와 같이, 전극(80,90)에 외부 전극(81,91)을 전기적으로 연결한다. 감광액(9)을 백색 PSR로 구성함으로써, 감광액(9)이 절연막(6)으로 기능하는 한편, 광 반사막으로 기능할 수 있게 된다. 반도체 소자의 경우에도 전체적으로 투광성으로 형성되어야 한다. 예를 들어, 3족 질화물 반도체 소자의 경우에, 도 1에서와 같이, 투명 사파이어 기판, GaN 기판, SiC 기판 위에, 투광성 반도체로 형성될 수 있다. 즉, 반도체 소자(2)와 봉지제(4)를 투광성으로 형성함으로써, 노광에 사용되는 광(L)이 이들을 투과하여, 감광액(9)에 적용될 수 있게 된다.
도 20은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 감광액(9) 내지는 절연막(6)을 형성하기에 앞서, 외부 전극(81,91)이 형성된다. 이 경우에, 전극(80,90)과 외부 전극(81,91)을 노광시 마스크로 이용할 수 있으며, 전극(80,90)의 형상 및 크기는 반도체 소자(2)의 크기 및 특성에 의해 제약되지만, 외부 전극(81,91)은 반도체 소자(2)에 의해 제약되지 않으므로, 외부 전극(81,91)을 필요에 따라 자유롭게 설계하여, 원하는 형태의 패턴 형상을 만들 수 있게 된다.
도 21은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 반도체 소자(2,2)를 절단하는 과정을 나타내고 있다. 도 16 내지 도 19에서와 같은 방식으로, 반도체 소자 구조물을 제조하는 경우에, 반도체 소자(2,2)를 절단선(C)을 기준으로 분리함에 있어서, 외부 전극(81,91)의 아래에 놓이는 감광액(9)은 봉지제(4)와 함께 분리된다.
도 22는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 외부 전극(81,91)이 마스크(12)를 이용하는 스텐실 공법을 통해 형성된다. 외부 전극(81,91)이 솔더 페이트(solder paste)로 이루어지는 경우에, 반도체 소자 구조물이 PCB 등에 바로 장착될 수 있게 된다.
도 23 및 도 24는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 외부 전극(81,91)을 형성하기에 앞서, 접착층(11; 예: Cu, Sn 등)을 얇게 형성한 후, 외부 전극(81,91)을 형성한다. 이후, 도 24에 도시된 바와 같이, 마스크(12)와 외부 전극(81,91)에 의해 덮히지 않는 접착층을 제거함으로써, 도 22에 도시된 것과 같은 반도체 소자 구조물을 제조할 수 있게 된다. 접착층(11)은 외부 전극(81,91)과 전극(80,90)의 결합력을 향상시킨다.
도 25는 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 절연막(6)의 형성 후에, 비전해 도금(Electroless Plating)을 통하여 식각 공정이 없이 간편한 외부전극(81,91)이 형성되어 있다.
다시 도 2로 돌아가서 보면, 실제 제조되는 반도체 소자 구조물(예: 반도체 발광소자)에 있어서, 전극(800) 및 전극(901,902,903)의 구조는 반도체 소자 구조물에 요구되는 사양에 따라 그 형상이 제한된다. 이는 본 개시에 따라 전극(800) 및 전극(901,902,903)을 노광용 마스크로 이용할 수 있다 하더라도, 이 마스크의 형상을 마음대로 변경할 수 없다는 것을 의미한다. 즉, 도 2에 있어서, 전극(901,902,903)는 제2 반도체층(500) 전체에 걸쳐 형성되어 있고, 전극(800)의 식각되어 노출된 제1 반도체층(300)에 형성되어 있을 뿐이다. 도 26 및 도 27에 도시된 반도체 발광소자에 있어서, 그 제약을 벗어나지 못하는 것은 마찬가지다.
본 개시에 또 다른 일 태양에 의하면, 이러한 제약에서 벗어난 반도체 소자 구조물의 제조 방법을 제시하는 것을 목적으로 한다.
도 28은 본 개시에 따라 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 플레이트(1; 도 3 참조)가 제거된 다음, 감광액(9)이 도포된다. 예를 들어, 감광액(9)은 절연막(6)으로 기능하는 백색 PSR로 이루어질 수 있다. 전극(80,90)을 노출하기 위해, 노광 작업이 필요하며, 이때 마스크 패턴으로서, 별도의 마스크 패턴 없이, 전극(80,90)을 마스크로 사용한다. 다음으로, 봉지제(4) 상측에서 광(L)을 조사하여, 감광액(9)을 노광시키고, 전극(80,90)에 대응하는 영역(80a,90a)이 노광 후 제거될 수 있도록 한다. 바람직하게는 봉지제(4)에 형광체를 함유하지 않음으로써, 광(L)이 감광액(9)에 정확하게 전달될 수 있도록 한다. 이와 다르게, 봉지제(4)에 형광체를 함유하여, 이 형광체가 빛(L)을 산란시켜 노광을 원활하게 하여도 좋다. 미설명 동일부호(100,200,300,400,500,600)에 대한 설명은 생략한다. 도 17에 도시된 반도체 소자(2)와 달리, 전극(80,90)이 제1 반도체층(300) 및 투광성 전도막(600) 위에 직접 형성되는 것이 아니라, 전극(80,90)과 이들(300,600) 사이에, DBR을 가지는 유전체 막(94)이 구비되어 있으며, 이들(300,600)과 전극(80,90)의 전기적 연통을 위해, 전기적 연결(82,92)이 구비되어 있다. 즉 전극(80,90)은 유전체 막(94)을 관통하여 제1 반도체층(300)과 제2 반도체층(500)에 각각 전기적으로 연결되어 있다. 전기적 연결(82,92) 각각이 복수 개 구비될 수 있음은 물론이다. 바람직하게는 제1 반도체층(300)과의 오믹 접촉을 위해, 전극(83)이 미리 형성될 수 있다. 필요에 따라 전극(83)이 식각된 제1 반도체층(300)을 따라 가늘게 길게 이어져서 가지 전극을 형성할 수 있음은 물론이다. 투광성 전도막(600)과 전기적 연결(92) 사이에도 가지 전극이 형성되어, 반도체 소자(2) 전체로 전류를 원활히 공급할 수 있음은 물론이다. 투광성 전도막(600)은 생략될 수 있다. 이러한 구성을 통해, 전극(80,90)의 형상을 반도체 소자(2)에 구속되지 않는 형태로 구성할 수 있게 된다. DBR을 가지는 유전체 막(94)은 활성층(400)에서 발생한 빛을 기판(100) 측으로 반사시키는 역할을 하며, 활성층(400)에서 생성된 빛의 파장에 맞추어 설계된다. 예를 들어, 활성층(400)이 청색 파장(예: 450nm)을 생성하고, DBR이 SiO2/TiO2의 반복 적층으로 구성되는 경우에, DBR 각각의 층은 450nm/λSiO2의 두께와 450nm/λTiO2의 두께를 가지도록 설계할 수 있다. 이때 절연막(6)으로, 예를 들어, UV에 반응하는 감광액(9)을 사용하고, UV 파장의 광(L)을 조사하게 되면, 광(L)의 일부는 DBR을 투과하여, 전극(80)과 전극(90) 사이의 영역(89a)을 노광할 수 있게 된다. 노광에 활성층(400)에서 발생되는 빛의 파장보다 긴 파장의 광(L)을 이용할 수 있음은 물론이다.
도 29는 도 28에 도시된 반도체 소자의 전극의 예들을 나타내는 도면으로서, 좌측에서와 같이, 전극(80)과 전극(90)이 대칭적으로 구비될 수 있으며, 중앙에서와 같이, 복수의 전기적 연결(92,92,92)이 구비될 수도 있고, 우측에서와 같이, 전극(80,90)과 별도로 열방출용 금속막(89)이 형성되어 있으며, 그 양측에 영역(89a,89a)이 형성된다. 전극(80,90)이 사각형의 형상을 가지게 예시되었으나, 이러한 형상에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 봉지제가 캐리어로 역할하는 반도체 소자 구조물.
(2) 플레이트로부터 분리된 봉지제 하면을 가지는 반도체 소자 구조물.
(3) 반도체 소자의 전극이 위치하는 면을 제외한 봉지제의 외면들이 구조물 또는 패키지의 외면을 이루는 반도체 소자 구조물.
(4) 반도체 소자들을 봉지제를 이용하여 결합한 반도체 소자 구조물.
(5) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 그리고, 봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(6) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 투광성 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계; 반도체 소자의 전극이 위치하는 측을 감광액으로 덮는 단계; 그리고, 전극을 마스크로 하여, 감광액을 노광하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(7) 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서, 플레이트 위에 투광성 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector; 분포 브래그 리플렉터)를 가지는 유전체 막을 매개로 그 위에 두 개의 전극을 가지며, 두 개의 전극은 유전체 막을 관통하여 반도체 소자와 전기적으로 연결되고, 두 개의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계; 반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계; 봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계; 두 개의 전극이 위치하는 측을 감광액으로 덮는 단계; 그리고, 두 개의 전극을 마스크로 하여, 감광액을 노광하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(8) 반도체 소자는 반도체 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(9) 노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장과 다른 파장의 빛이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(10) 노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 짧은 파장의 빛이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(11) 봉지제를 투광성 봉지제인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(12) 봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(13) 두 개의 전극 사이에 열방출용 금속막이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(14) 노광된 감광액을 남겨두고, 전극에 의해 노광되지 않은 감광액을 제거하여, 노출된 전극에 외부 전극을 연결하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(15) 봉지제로 덮는 단계에서, 복수의 반도체 소자가 봉지제에 의해 덮히며, 봉지제와 함께 감광액을 절단하여, 복수의 반도체 소자를 개별 반도체 소자로 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(16) 감광액은 백색의 포토 솔더 리지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
(17) 반도체 소자는 반도체 발광소자이며, 노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 짧은 파장의 빛이 사용되고, 봉지제가 형광체를 함유하며, 봉지제로 덮는 단계에서, 복수의 반도체 소자가 봉지제에 의해 덮히고, 봉지제와 함께 감광액을 절단하여, 복수의 반도체 소자를 개별 반도체 소자로 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
본 개시에 따른 하나의 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 반도체 소자 구조물 또는 패키지를 쉽게 제조할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 봉지제가 캐리어로 역할하는 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 투광성 봉지제가 캐리어로 역할하는 발광소자 구조물 또는 패키지를 만들 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 복수의 반도체 소자를 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 다른 구조의 반도체 소자들을 쉽게 전기적으로 연결할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 별도의 마스크 패턴 없이 절연막을 노광할 수 있게 된다.
또한 본 개시에 따른 또 다른 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 의하면, 노광용 마스크 패턴으로 이용되는 전극을 자유롭게 설계할 수 있게 된다.
100: 기판 200: 버퍼층 300,400,500: 반도체층
Claims (12)
- 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법에 있어서,
플레이트 위에 투광성 반도체 소자를 위치 고정하는 단계;로서, 반도체 소자는 DBR(Distributed Bragg Reflector; 분포 브래그 리플렉터)를 가지는 유전체 막을 매개로 그 위에 두 개의 전극을 가지며, 두 개의 전극은 유전체 막을 관통하여 반도체 소자와 전기적으로 연결되고, 두 개의 전극이 플레이트를 향하도록 위치 고정하는 단계;
반도체 소자를 봉지제로 덮는 단계;
봉지제가 덮힌 반도체 소자를 플레이트로부터 분리하는 단계;
두 개의 전극이 위치하는 측을 감광액으로 덮는 단계; 그리고,
두 개의 전극을 마스크로 하여, 감광액을 노광하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
반도체 소자는 반도체 발광소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 2에 있어서,
노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장과 다른 파장의 빛이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 3에 있어서,
노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 짧은 파장의 빛이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
봉지제를 투광성 봉지제인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
봉지제가 형광체를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
두 개의 전극 사이에 열방출용 금속막이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
노광된 감광액을 남겨두고, 전극에 의해 노광되지 않은 감광액을 제거하여, 노출된 전극에 외부 전극을 연결하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
봉지제로 덮는 단계에서, 복수의 반도체 소자가 봉지제에 의해 덮히며,
봉지제와 함께 감광액을 절단하여, 복수의 반도체 소자를 개별 반도체 소자로 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
감광액은 백색의 포토 솔더 리지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 1에 있어서,
반도체 소자는 반도체 발광소자이며,
노광하는 단계에서, 활성층에서 생성되는 빛의 파장보다 짧은 파장의 빛이 사용되고,
봉지제가 형광체를 함유하며,
봉지제로 덮는 단계에서, 복수의 반도체 소자가 봉지제에 의해 덮히고, 봉지제와 함께 감광액을 절단하여, 복수의 반도체 소자를 개별 반도체 소자로 분리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법. - 청구항 11에 있어서,
감광액은 백색의 포토 솔더 리지스트인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 구조물을 제조하는 방법.
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150134550A (ko) * | 2014-05-22 | 2015-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR20160022746A (ko) * | 2014-08-20 | 2016-03-02 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지 |
| US9930750B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-03-27 | Lumens Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device packages, light-emitting device package strip, and light-emitting device package |
| KR20190067512A (ko) * | 2017-12-07 | 2019-06-17 | 삼성전자주식회사 | 광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자 |
| KR102730086B1 (ko) | 2019-01-29 | 2024-11-13 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050116373A (ko) * | 2003-03-10 | 2005-12-12 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | 고체 소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2006024615A (ja) | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ照明光源およびその製造方法 |
| KR20100032899A (ko) * | 2007-06-18 | 2010-03-26 | 노키아 코포레이션 | 타이밍 정렬을 제공하는 방법 및 장치 |
| KR20100060867A (ko) * | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성전기주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법 |
-
2013
- 2013-01-23 KR KR1020130007331A patent/KR101360324B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050116373A (ko) * | 2003-03-10 | 2005-12-12 | 도요다 고세이 가부시키가이샤 | 고체 소자 디바이스 및 그 제조 방법 |
| JP2006024615A (ja) | 2004-07-06 | 2006-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ照明光源およびその製造方法 |
| KR20100032899A (ko) * | 2007-06-18 | 2010-03-26 | 노키아 코포레이션 | 타이밍 정렬을 제공하는 방법 및 장치 |
| KR20100060867A (ko) * | 2008-11-28 | 2010-06-07 | 삼성전기주식회사 | 웨이퍼 레벨 패키지의 제조방법 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150134550A (ko) * | 2014-05-22 | 2015-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102175338B1 (ko) * | 2014-05-22 | 2020-11-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR20160022746A (ko) * | 2014-08-20 | 2016-03-02 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지 |
| KR101649296B1 (ko) * | 2014-08-20 | 2016-08-19 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 제조 방법과 발광 소자 패키지 스트립 및 발광 소자 패키지 |
| US9930750B2 (en) | 2014-08-20 | 2018-03-27 | Lumens Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device packages, light-emitting device package strip, and light-emitting device package |
| KR20190067512A (ko) * | 2017-12-07 | 2019-06-17 | 삼성전자주식회사 | 광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자 |
| KR102530755B1 (ko) * | 2017-12-07 | 2023-05-10 | 삼성전자주식회사 | 광 반사 패턴 및 파장 변환 층을 갖는 발광 소자 |
| KR102730086B1 (ko) | 2019-01-29 | 2024-11-13 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치의 제조방법 |
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