Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101308173B1 - 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치 - Google Patents

열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101308173B1
KR101308173B1 KR1020117013314A KR20117013314A KR101308173B1 KR 101308173 B1 KR101308173 B1 KR 101308173B1 KR 1020117013314 A KR1020117013314 A KR 1020117013314A KR 20117013314 A KR20117013314 A KR 20117013314A KR 101308173 B1 KR101308173 B1 KR 101308173B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin composition
optical semiconductor
semiconductor element
substrate
thermosetting
Prior art date
Application number
KR1020117013314A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110086144A (ko
Inventor
하야토 코타니
나오유키 우라사키
카나코 유아사
아키라 나가이
미츠요시 하마다
Original Assignee
히타치가세이가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 히타치가세이가부시끼가이샤 filed Critical 히타치가세이가부시끼가이샤
Publication of KR20110086144A publication Critical patent/KR20110086144A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101308173B1 publication Critical patent/KR101308173B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/12—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by physical features, e.g. anisotropy, viscosity or electrical conductivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0001—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor characterised by the choice of material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/4007—Curing agents not provided for by the groups C08G59/42 - C08G59/66
    • C08G59/4014—Nitrogen containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4215—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof cycloaliphatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K3/2279—Oxides; Hydroxides of metals of antimony
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22—Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24—Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • C08K7/28—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C08L63/06—Triglycidylisocyanurates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00—Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2217—Oxides; Hydroxides of metals of magnesium
    • C08K2003/222—Magnesia, i.e. magnesium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2244—Oxides; Hydroxides of metals of zirconium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

경화 후의, 가시광으로부터 근자외광의 반사율이 높고, 내열 열화성이나 타블렛 성형성이 뛰어나고, 또한 트랜스퍼 성형시에 버가 생기기 어려운 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 당해 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 열경화성 성분과 백색 안료를 포함하는 열경화성 광반사용 수지 조성물로서, 성형 온도 100℃~200℃, 성형 압력 20MPa 이하, 성형 시간 60~120초의 조건하에서 트랜스퍼 성형했을 때에 생기는 버 길이가 5mm 이하이며, 또한 열경화 후의, 파장 350nm~800nm에 있어서의 광반사율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 열경화성 광반사용 수지 조성물을 조제하고, 그와 같은 수지 조성물을 사용하여 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 구성한다.

Description

열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치{HEAT CURABLE RESIN COMPOSITION FOR LIGHT REFLECTION, PROCESS FOR PRODUCING THE RESIN COMPOSITION, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE RESIN COMPOSITION}
본 발명은, 광반도체 소자와 형광체 등의 파장변환 수단을 조합시킨 광반도체 장치에 이용하는 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 당해 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode:발광다이오드) 등의 광반도체 소자와 형광체를 조합시킨 광반도체 장치는, 고에너지 효율 및 장수명 등의 이점으로부터, 옥외용 디스플레이, 휴대 액정 백라이트 및 차재 용도 등 여러가지 용도에 적용되어, 그 수요가 확대되고 있다. 그에 수반하여, LED 디바이스의 고휘도화가 진행되고, 소자의 발열량 증대에 의한 정션(junction) 온도의 상승, 혹은 직접적인 광에너지의 증대에 의한 소자 재료의 열화가 문제시되고, 최근, 열열화(熱劣化) 및 광열화에 대해서 내성을 가지는 소자 재료의 개발이 과제로 되고 있다. 일본 특허공개공보 2006-140207호 공보에서는, 내열시험 후의 광반사 특성이 뛰어난 광반도체 소자 탑재용 기판을 개시하고 있다.
그러나, 상기 공보에서 개시된 열경화성 광반사용 수지 조성물을 이용하여, 트랜스퍼 성형에 의해서 기판을 제조하는 경우, 성형시에 성형 금형의 상형(上型)과 하형(下型)과의 극간으로 수지 조성물이 배어 나와서, 수지 오염이 발생하기 쉬운 경향이 있다. 가열 성형시에 수지 오염이 발생하면, 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 기판의 개구부(오목부)에 수지 오염이 나와서, 광반도체 소자를 탑재할 때의 장해로 된다. 또한, 개구부에 광반도체 소자를 탑재할 수 있었다고 하더라도, 수지 오염은, 광반도체 소자와 금속배선을 본딩 와이어 등의 공지 방법에 의해서 전기적으로 접속할 때의 장해로 된다. 즉, 수지 오염은, 소자 탑재 및 와이어 본딩과 같은 반도체소자 제조시의 작업성을 저하시키기 때문에 바람직하지 않다. 반도체소자 제조시에 상술한 장해가 일어나지 않도록, 기판의 개구부에 수지 오염이 존재하는 경우에는, 일반적으로, 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조프로세스에 수지 오염의 제거 공정이 추가된다. 그러나, 그와 같은 제거 공정은, 비용이나 제조시간의 손실로 되기 때문에, 개선이 요망되고 있다.
본 발명은, 상기를 감안하여 이루어진 것이고, 수지 경화 후의 가시광으로부터 근자외광 영역에 있어서의 반사율이 높고, 그 한편으로, 트랜스퍼 성형시에 수지 오염이 발생하기 어려운 열경화성 광반사용 수지 조성물을 제공한다. 또한 본 발명은, 상술한 수지 조성물을 이용하여, 와이어 본딩성이 뛰어나고, 광열화 및 열열화에 대해서 내성을 가지는 반도체소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 제공한다. 더욱이 본 발명은, 상술한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치를 효율 좋게 제조하기 위한 제조방법을 제공한다.
즉, 본 발명은, 이하 (1)~(26)에 기재된 사항을 그 특징으로 하는 것이다.
(1) 열경화성 성분과 (E) 백색 안료를 포함하는 열경화성 광반사용 수지 조성물로서, 성형 온도 100℃~200℃, 성형 압력 20MPa 이하, 및 성형 시간 60~120초의 조건하에서 트랜스퍼 성형했을 때에 생기는 버(burr) 길이가 5mm 이하이며, 또한 열경화 후의, 파장 350nm~800nm에 있어서의 광반사율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(2) 상기 열경화성 성분이, (A) 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(3) 상기 (A) 에폭시 수지가, (A') 에폭시 수지와 (B') 경화제를 혼련하는 것에 의해서 얻어지고, 또한 100~150℃에 있어서의 점도가 100~2500mPaㆍs의 범위인 (G) 올리고머를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (2)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(4) 상기 열경화성 성분이, 상기 (A) 에폭시 수지와 함께 이용되는 (B) 경화제를 더 포함하고, 상기 (A) 에폭시 수지와 상기 (B) 경화제와의 배합비가, 상기 (A) 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 그 에폭시기와 반응 가능한 상기 (B) 경화제 중의 활성기가 0.5~0.7당량으로 되는 비인 것을 특징으로 하는, 상기 (3)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(5) 상기 (B) 경화제가, 이소시아눌산 골격을 가지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (4)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(6) 상기 (B) 경화제가, 35℃ 이상의 융점을 가지는 산무수물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (5)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(7) 상기 (B) 경화제가, 시클로헥산트리카르복실산 무수물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (4)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(8) 상기 시클로헥산트리카르복실산 무수물이, 하기 구조식(I)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 (7)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
[화1]
Figure 112011043733242-pat00001
(9) (H) 증점제를 더 포함하고, 그 (H) 증점제가, 중심 입경이 1nm~1000nm인 나노 입자 필러를 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(8)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(10) (D) 무기충전제를 더 포함하고, 그 (D) 무기충전제가, 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(8)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(11) 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 형상이, 진구상, 파쇄상, 원반상, 봉상, 섬유상으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 상기 (10)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(12) 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 표면이, 소수화 처리 또는 친수화 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 (10) 또는 (11)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(13) 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 겉보기 밀도가, 0.4g/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 (10)~(12)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(14) 상기 (D) 무기충전제에 있어서의 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 함유량이, 0.1부피%~20부피%의 범위인 것을 특징으로 하는 상기 (10)~(13)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(15) 또한 (D) 무기충전제로서 실리카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 황산바륨, 탄산마그네슘, 탄산바륨으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(14)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(16) 상기 (E) 백색 안료가, 알루미나, 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화티탄, 산화지르코늄, 무기 중공입자로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(15)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(17) 상기 (E) 백색 안료의 중심 입경이, 0.1~50㎛의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(16)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(18) 상기 (D) 무기충전제와 상기 (E) 백색 안료를 합계한 배합량이, 수지 조성물 전체에 대해서, 10부피%~85부피%의 범위인 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(17)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(19) 적어도 상기 각종 구성 성분을, 혼련 온도 20~100℃, 혼련 시간 10~30 분의 조건하에서 혼련하는 것에 의해서 얻어지는 혼련물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)~(18)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(20) 상기 혼련물이 상기 혼련 후에 0~30℃에서 1~72시간에 걸쳐서 에이징된 것인 것을 특징으로 하는 상기 (19)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물.
(21) 상기 (1)~(20)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물을 제조하는 방법으로서, 적어도 수지 조성물의 각 성분을 혼련하여 혼련물을 형성하는 혼련 공정과, 상기 혼련물을 0~30℃에서 1~72시간에 걸쳐서 에이징하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조방법.
(22) 상기 혼련 공정을, 혼련 온도 20~100℃, 및 혼련 시간 10~30분의 조건하에서 행하는 것을 특징으로 하는 상기 (21)에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조방법.
(23) 상기 (1)~(20)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물을 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 탑재용 기판.
(24) 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부가 1개 이상 형성되어 있는 광반도체 소자 탑재용 기판으로서, 적어도 상기 오목부의 내주 측면이 상기 (1)~(20)의 어느 하나에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물로 구성되는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 탑재용 기판.
(25) 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부가 1개 이상 형성되어 있는 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조방법으로서, 적어도 상기 오목부를 상기 (1)~(20)의 어느 하나에 기재된 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용한 트랜스퍼 성형에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 광반도체 탑재용 기판의 제조방법.
(26) 상기 (24)에 기재된 광반도체 소자 탑재용 기판과, 상기 광반도체 소자 탑재용 기판의 오목부 저면(底面)에 탑재된 광반도체 소자와, 상기 광반도체 소자를 덮도록 상기 오목부 내에 형성된 형광체 함유 투명 봉지(封止) 수지층을 적어도 구비하는 광반도체 장치.
또한, 본 출원은, 동출원인에 의해 2006년 11월 15일에 출원된 일본 특허출원 2006-309052호, 마찬가지로 2007년 4월 4일에 출원된 일본 특허출원 2007-098354호에 근거하는 우선권주장을 수반하는 것이며, 이들의 명세서를 참조하는 것에 의해, 본 명세서의 일부에 편입하는 것으로 한다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 실시의 형태를 설명한다. 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 열경화성 수지 성분 및 백색 안료를 포함하고, 실제로 성형할 때에 적용되는 성형 조건하에서 성형했을 때의, 예를 들면 성형 온도 100℃~200℃, 성형 압력 20MPa 이하, 및 60~120초의 조건하에서 트랜스퍼 성형했을 때의 버 길이가 5mm 이하로 되는 것을 특징으로 한다. 또한, 그들의 열경화 후의 파장 350nm~800nm에 있어서의 광반사율이 80% 이상인 것을 특징으로 한다.
본 명세서에 있어서 사용하는 용어, 「성형시의 버(burr) 길이」란, 도 4에 나타낸 버 측정용 금형을 이용하여 트랜스퍼 성형을 행했을 때에, 금형 중심부의 캐버티(cavity)로부터, 금형의 상형(上型)과 하형(下型)과의 조인트의 극간에 방사 방향으로 비어져 나온 수지 경화물의 최대 길이를 의미한다. 이와 같은 버 길이가 5mm를 넘으면, 광반도체 소자 탑재 영역의 개구부(오목부)에 수지 오염이 나와서, 광반도체 소자를 탑재할 때의 장해로 될 가능성이 있다. 혹은, 광반도체 소자와 금속배선을 본딩 와이어 등 공지 방법에 의해 전기적으로 접속할 때의 장해로 될 가능성이 있다. 반도체장치 제조시의 작업성의 관점에서, 본 발명에 의한 수지 조성물의 버 길이는, 3mm 이하가 보다 바람직하고, 1mm 이하가 더욱 바람직하다.
본 발명의 경화성 광반사용 수지 조성물은, 트랜스퍼 성형에 적용하는 것을 고려하여, 열경화 전은 실온하(0~30℃)에서 가압 성형 가능한 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 실온하, 5~50MPa, 1~5초 정도의 조건하에서 성형 가능하면 좋다. 열경화 후는, 광반도체 장치의 용도로 사용하는 관점에서, 파장 350nm~800nm에 있어서의 광반사율이 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상인 것이 바람직하다. 광반사율이 80% 미만인 경우는, 광반도체 장치의 휘도 향상에 충분히 기여할 수 없을 가능성이 있다.
이하, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물의 주된 구성 성분에 관해서 설명한다.
본 발명의 일실시형태에서는, 열경화성 수지 성분으로서 (A) 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A) 에폭시 수지는, 특별히 한정되지 않고, 에폭시 수지 성형 재료로서 일반적으로 사용되고 있는 수지를 이용할 수 있다. 예를 들면, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 오르소크레졸노볼락형 에폭시 수지를 비롯한 페놀류와 알데히드류의 노볼락 수지를 에폭시화한 것; 비스페놀A, 비스페놀F, 비스페놀S, 알킬치환 비페놀 등의 디글리시디에테르; 디아미노디페닐메탄, 이소시아눌산 등의 폴리아민과 에피클로르히드린과의 반응에 의해 얻어지는 글리시딜아민형 에폭시 수지; 올레핀 결합을 과아세트산 등의 과산으로 산화하여 얻어지는 선상(線狀) 지방족 에폭시 수지; 및 지환족 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들을 단독으로 이용해도, 또는 2종 이상 병용해도 좋다. 사용하는 에폭시 수지는 무색 또는 예를 들면 담황색의 비교적 착색하고 있지 않은 것이 바람직하다. 그와 같은 에폭시 수지로서, 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 디글리시딜이소시아누레이트, 트리글리시딜이소시아누레이트를 들 수 있다.
본 발명의 일실시형태에서는, (A) 에폭시 수지로서 100~150℃에 있어서의 점도가 100~2500mPaㆍs의 범위인 (G) 올리고머를 사용하는 것이 바람직하다. 혼련 후의 수지 조성물의 용융 점도가 낮고 유동성이 너무 높아지면, 성형 금형의 에어 벤트가 막혀 버려, 금형 캐버티 내에 공기나 휘발 성분이 남아 버릴 가능성이 있다. 캐버티 내에 잔존한 공기나 휘발 성분은, 성형 보이드나 웰드마크 등의 외관 불량의 원인으로 된다. 또한, 성형 회수의 증가에 수반하여, 경화물 표면에 남은 모노머 성분이 성형 금형에 부착하여 금형을 오염하는 것으로 된다. 금형에 모노머의 부착물이 퇴적한 결과, 금형으로부터의 성형물의 이형성이 악화하는 불량이 생긴다. 이것에 대해서, 본 발명에서는, 특정의 점도를 가지는 (G) 올리고머를 사용하는 것에 의해서, 혼련 후의 수지 조성물의 용융 점도를 증가시켜 유동성을 저하 시키는 것이 가능하다. 또한, 그와 같은 (G) 올리고머의 사용에 의해서, 금형의 오염 원인으로 되는 잔존 모노머 성분을 저감시키는 것이 가능하다. 그 결과, 용융 점도가 낮은 경우에 생기는 불량을 회피하여, 수지 조성물의 트랜스퍼 성형성을 향상시켜, 외관이 뛰어난 성형물을 얻는 것이 가능하게 된다.
본 발명에서 사용하는 (G) 올리고머는, 경화성 광반사용 수지 조성물의 조제에 앞서, 적어도 (A') 에폭시 수지 및 (B') 경화제, 더욱이 필요에 따라서 (C') 경화 촉진제를 배합하는 것에 의해서 조제된다. 상기 (A') 에폭시 수지, 상기 (B') 경화제, 상기 (C') 경화 촉진제는, 각각 먼저 설명한 (A) 에폭시 수지, 후술하는 (B) 경화제 및 (C) 경화 촉진제와 동일한 것을 이용할 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 (G) 올리고머는, 예를 들면 (A') 에폭시 수지 및 (B') 경화제를, 당해 (A') 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 당해 에폭시기와 반응 가능한 당해 (B') 경화제 중의 활성기(산무수물기나 수산기)가 0.3당량 이하가 되도록 배합하고, 점토상으로 될때까지 혼련하는 공정을 거쳐서 얻을 수 있다. 얻어진 점토상 혼련물을, 계속하여, 온도 25~60℃의 범위에서 1~6시간에 걸쳐서 에이징하는 공정을 설치하는 것이 바람직하다. 또한, (C') 경화 촉진제를 사용하는 경우에는, (A') 에폭시 수지와, (B') 경화제와의 총합 100중량부에 대해서, 0.005~0.05중량부로 되도록 배합하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 하여 조제된 (G) 올리고머는, 성형시의 버 길이를 짧게 조정하기 위해서, 100~150℃에 있어서의 점도가 100~2500mPaㆍs의 범위에 있는 것이 바람직하다. 100℃에 있어서의 점도가 100~2500mPaㆍs의 범위에 있는 것이 보다 바람직하다. (G) 올리고머의 점도가 100mPaㆍs 미만이면, 트랜스퍼 성형시에 버가 발생하기 쉬워진다. 한편, 점도가 2500mPaㆍs를 넘으면, 성형시의 유동성이 저하하고, 성형성이 부족하게 되는 경향이 있다. 또한, 본 명세서에서 사용하는 용어 「점도」는, ICI 콘플레이트형 점도계를 이용한 측정에 의해서 얻어진 값이다. (G) 올리고머는, 그 입경이 1mm 이하로 될때까지 분쇄하고, 온도 0℃ 이하의 환경에서 보존하는 것에 의해서, 점도의 상승을 억제 또는 정지시킬 수 있다. 올리고머의 분쇄 방법은, 도기제 유발에 의한 분쇄 등, 공지의 어떠한 수법을 이용해도 좋다.
본 발명의 일실시형태에서는, 열경화성 수지 성분으로서 (A) 에폭시 수지와 함께 (B) 경화제를 포함한다. (B) 경화제는, 특별히 제한되지 않고, 에폭시 수지와 반응 가능한 화합물이면 좋지만, 그 분자량은 100~400정도의 것이 바람직하다. 또한, 무색, 또는 예를 들면 담황색의 비교적 착색하고 있지 않은 것이 바람직하다. 구체적인 화합물로서, 산무수물계 경화제, 이소시아눌산 유도체, 페놀계 경화제 등을 들 수 있다.
*산무수물계 경화제로서는, 35℃이상의 융점을 가지는 것이 바람직하다. 그와 같은 산무수물로서는, 예를 들면, 무수프탈산, 무수말레산, 무수트리메리트산, 무수피로메리트산, 헥사히드로 무수프탈산, 테트라히드로 무수프탈산, 무수메틸나딕산, 무수나딕산, 무수글루탈산, 무수디메틸글루탈산, 무수디에틸글루탈산, 무수숙신산, 메틸헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산 등을 들 수 있다.
이소시아눌산 유도체로서는, 1,3,5-트리스(1-카르복시메틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트, 1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트, 1,3-비스(2-카르복시에틸)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.
페놀계 경화제로서는, 페놀, 크레졸, 레졸신, 카테콜, 비스페놀A, 비스페놀F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 디히드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 포름알데히드, 벤즈알데히드, 살리실알데히드 등의 알데히드기를 가지는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공중합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀수지; 페놀류 및/또는 나프톨류와 디메톡시파라크실렌 또는 비스(메톡시메틸)비페닐로부터 합성되는 페놀ㆍ아랄킬 수지; 비페닐렌형 페놀ㆍ아랄킬 수지, 나프톨ㆍ아랄킬 수지 등의 아랄킬형 페놀수지; 페놀류 및/또는 나프톨류와 디시클로펜타디엔과의 공중합에 의해서 합성되는, 디시클로펜타디엔형 페놀노볼락 수지, 디시클로펜타디엔형 나프톨노볼락 수지 등의 디시클로펜타디엔형 페놀 수지; 트리페닐메탄형 페놀 수지; 테르펜 변성 페놀 수지; 파라크실리렌 및/또는 메타 크실리렌 변성 페놀 수지; 멜라민 변성 페놀 수지; 시클로펜타디엔 변성 페놀 수지; 및 이들 2종 이상을 공중합하여 얻어지는 페놀 수지 등을 들 수 있다.
먼저 예시한 경화제 중에서도, 무수프탈산, 무수트리메리트산, 헥사히드로 무수프탈산, 테트라히드로 무수프탈산, 메틸헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산, 무수글루탈산, 무수디메틸글루탈산, 무수디에틸글루탈산, 및 시클로헥산트리카르복실산 무수물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 산무수물, 및 1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트 등의 이소시아눌산 유도체의 적어도 한쪽을 사용하는 것이 바람직하다. 이들은, 단독으로 이용할 뿐만 아니라, 2종 이상 병용해도 좋다.
본 발명의 일실시태양에서는, (B) 경화제로서, 적어도 이소시아눌산 유도체를 사용하는 것이 바람직하고, 그들을 산무수물, 특히 35℃ 이상의 융점을 가지는 산무수물을 조합하여 사용하는 것이 보다 바람직하다. 이소시아눌산 유도체의 트리아진 골격은, 통상의 환상 메틸렌 골격과 비교하여, 활성 산소에 의해서 산화되기 어려운 특징을 가진다. 그 때문에, 이소시아눌산 유도체를 사용하고, 앞의 특징을 수지 조성물에 부여함으로써, 성형 후의 수지 조성물의 내열성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 트리아진 골격과 3관능성의 반응기에 의해서 성형체의 기계특성을 향상시키는 것도 가능하게 된다. 더욱이, 이소시아눌산 유도체를 산무수물과 조합시키는 것에 의하여, 수지 조성물의 용융 점도를 증가시킬 수 있고, 성형시에 금형으로부터 비어져 나온 버 길이를 억제하는 것이 가능하다. 이소시아눌산 유도체와 산무수물과의 배합비는, 1:0~1:10의 범위로 적절히 조정하는 것이 가능하다. 비용 삭감과, 수지의 황변에 의한 반사율의 저하를 억제하는 관점에서, 1:1~1:3의 배합비로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 실시태양에서는, (B) 경화제로서, 적어도 시클로헥산트리카르복실산무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 시클로헥산트리카르복실산 무수물의 사용에 의해서, 수지 조성물의 용융 점도를 증가시킬 수 있고, 성형시의 버 길이를 짧게 하는 것이 가능하다. 또한, 수지 조성물의 경화 시간을 단축화할 수 있기 때문에, 성형 효율을 향상시키는 것도 가능하다. 시클로헥산트리카르복실산 무수물의 구체예로서는, 하기 구조식(I)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
[화2]
Figure 112011043733242-pat00002
시클로헥산트리카르복실산 무수물과 함께 (B) 경화제로서 먼저 설명한 다른 산무수물, 이소시아눌산 유도체 및 페놀계 경화제 등을 병용해도 좋다. 병용하는 경화제로서는, 성형시의 유동성 및 성형물의 착색의 관점에서, 무수프탈산, 무수트리메리트산, 헥사히드로 무수프탈산, 테트라히드로 무수프탈산, 메틸헥사히드로 무수프탈산, 메틸테트라히드로 무수프탈산, 무수글루탈산, 무수디메틸글루탈산, 무수디에틸글루탈산, 또는 1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트가 바람직하다. (B) 경화제에 있어서의 시클로헥산트리카르복실산 무수물의 함유율은, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5중량% 이상 100중량% 이하의 범위로 조정 하는 것이 바람직하다. 비용와 성능과의 밸런스의 관점에서, 상기 함유율은 25중량% 이상 75중량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
(A) 에폭시 수지와 (B) 경화제와의 배합비는, (A) 에폭시 수지가 (G) 올리고머를 함유하지 않는 경우, (A) 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 당해 에폭시기와 반응 가능한 (B) 경화제 중의 활성기(산무수물기나 수산기)가 0.5~1.5당량으로 되는 비율인 것이 바람직하다. 0.7~1.2당량으로 되는 비율인 것이 보다 바람직하다. 상기 활성기가 0.5당량 미만인 경우에는, 에폭시 수지 조성물의 경화 속도가 늦어지게 됨과 동시에, 얻어지는 경화물의 유리전이온도가 낮아지게 되어, 충분한 탄성율이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 상기 활성기가 1.2당량을 넘는 경우에는, 경화 후의 강도가 감소하는 경우가 있다.
한편, (A) 에폭시 수지로서 (G) 올리고머를 단독으로 사용하거나, 또는 (G) 올리고머와 (A) 에폭시 수지를 병용하는 경우, (A) 에폭시 수지(혹은 (G) 올리고머)와 (B) 경화제와의 배합비는, (A) 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대해서, 당해 에폭시기와 반응 가능한 (B) 경화제 중의 활성기(산무수물기나 수산기)가 0.5~0.7당량으로 되는 비율인 것이 바람직하다. 0.6~0.7당량으로 되는 비율인 것이 보다 바람직하다. 상기 활성기가 0.5당량 미만의 경우에는, 에폭시 수지 조성물의 경화 속도가 늦어지게 됨과 동시에, 얻어지는 경화체의 유리전이온도가 낮아지게 되어, 충분한 탄성율이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한 상기 활성기가 0.7당량을 넘는 경우에는, 경화 후의 강도가 감소하는 경우가 있다. 또한, (A) 에폭시 수지가 (G) 올리고머를 포함하는 경우의 (B) 경화제의 당량수는, (G) 올리고머에 포함되는 (A') 에폭시 수지와 (A) 에폭시 수지의 각각에 포함되는 에폭시기의 총량을 1당량으로 하고, 그에 대해서 (B') 경화제와 (B) 경화제 중에 포함되는 상기 에폭시기와 반응 가능한 활성기의 총합을 당량수로 하여 환산한다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 필요에 따라서, (C) 경화 촉진제로서 적절한 화합물을 함유해도 좋다. 예를 들면, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7, 트리에틸렌디아민 및 트리-2,4,6-디메틸아미노메틸페놀등의 3급 아민류; 2-에틸-4메틸이미다졸 및 2-메틸이미다졸 등의 이미다졸류; 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄-o,o-디에틸포스포로디티오에이트, 테트라-n-부틸포스포늄테트라플루오로보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄-테트라페닐보레이트 등의 인 화합물; 4급 암모늄염; 유기금속염류; 및 이들의 유도체 등을 사용할 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 좋고, 혹은 병용해도 좋다. 이들의 경화 촉진제 중에서는, 3급 아민류, 이미다졸류, 인 화합물을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 (C) 경화 촉진제의 함유율은, (A) 에폭시 수지에 대해서, 0.01~8.0중량%인 것이 바람직하고, 0.1~3.0중량%인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제의 함유율이 0.01중량% 미만에서는, 충분한 경화 촉진 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, 함유율이 8.0중량%를 넘으면, 얻어지는 성형체에 변색이 발견되는 경우가 있다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 그 성형성을 조정하기 위해서, (D) 무기 충전재를 포함하는 것이 바람직하다. (D) 무기충전제는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실리카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 황산바륨, 탄산마그네슘, 탄산바륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용할 수 있다. 열전도성, 광반사 특성 및 성형성의 점에서, 적어도 실리카를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 난연성을 높이기 위해서, 수산화알루미늄을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시형태에서는, (D) 무기충전제로서, 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. (D) 무기충전제로서, 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 실리카, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 황산바륨, 탄산마그네슘, 탄산바륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것도 가능하다. 또한, 다공질 구조를 가지고, 더욱이 흡유성을 가지는 화합물을 이용하는 것도 가능하다. 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 형상으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 진구상, 파쇄상, 원반상, 봉상, 섬유상 등의 것을 이용할 수 있다. 트랜스퍼 성형시의 금형 내의 유동성을 고려하면 진구상, 파쇄상인 것이 바람직하고, 진구상인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물은, 그 표면이 물리적 또는 화학적으로 친수화 처리 또는 소수화 처리되어 있어도 좋다. 표면이 소수화 처리된 것인 것이 바람직하고, 흡유량(JIS K5101에 준하는 규정량)이 50ml/100 g 이상으로 되도록 화학적으로 소수화 처리된 것인 것이 보다 바람직하다. 표면이 소수화 처리된 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물을 이용함으로써, (A) 에폭시 수지나 (B) 경화제와의 접착성이 증가하고, 결과로서 열경화물의 기계 강도나 트랜스퍼 성형시의 유동성이 향상한다. 또한, 흡유량 50ml/100g 이상으로 되도록 표면이 소수화 처리된 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물을 이용함으로써, (A) 에폭시 수지와의 접착성이 향상함과 동시에, 혼련 후의 수지 조성물의 포트라이프 저하를 억제할 수 있고, 또한, 열경화시에 착색을 억제할 수도 있다. 이와 같은 소수화 처리가 실시된 다공질 충전제로서는, 예를 들면, 후지시리시아화학주식회사에서 판매되고 있는 사일로호빅702를 들 수 있다.
또한, 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 겉보기 밀도는, 특별히 한정되지 않지만, 0.4g/㎤ 이상인 것이 바람직하고, 0.4~2.0g/㎤인 것이 보다 바람직하다. 또한, 겉보기 밀도란, 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 소원료(素原料)가 차지하는 밀도와 미세공이 차지하는 공간(즉 세공 용적)을 고려한 밀도인 것이다. 이 겉보기 밀도가 0.4g/㎤에 미치지 않는 경우는, 충전제 입자의 기계적 강도가 작고, 믹싱 롤밀 등의 전단력을 발생시키는 용융 혼련시에 있어서, 입자가 파괴되어 버릴 염려가 있다. 한편, 겉보기 밀도가 2.0g/㎤를 넘는 경우는, 트랜스퍼 성형을 위한 타블렛을 성형할 때에, 구형(臼型)과 저형(杵型)으로 이루어지는 금형의 표면에 수지 조성물이 부착하기 쉬워지는 경향이 있다.
또한, 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 평균 입경은, 0.1~100㎛인 것이 바람직하고, 백색 안료와의 패킹 효율을 고려하면 1~10㎛의 범위인 것이 보다 바람직하다. 평균 입경이 100㎛보다 크거나, 또는 0.1㎛보다 작아지면, 트랜스퍼 성형할 때의 용융시에 수지 조성물의 유동성이 나빠지게 되는 경향이 있다.
또한, 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 비표면적은, 100~1000㎡/g인 것이 바람직하고, 300~700㎡/g인 것이 보다 바람직하다. 비표면적이 100㎡/g보다도 작아지면 충전제에 의한 수지의 흡유량이 작아지게 되어, 타블렛 성형시에 저형에 수지가 부착 하기 쉬워지는 경향이 있고, 비표면적이 1000㎡/g보다 커지면, 트랜스퍼 성형할 때의 용융시에 수지 조성물의 유동성이 나빠지는 경향이 있다.
또한, 상기 다공질 충전제 또는 흡유성을 가지는 화합물의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, (D) 무기충전제 전체에 대해서, 0.1부피%~20부피%의 범위인 것이 바람직하다. 용융시의 수지 조성물의 성형성을 고려하면, 1부피%~5부피%인 것이 보다 바람직하다. 이 함유량이 0.1부피%보다 작은 경우는, 수지 조성물의 일부가 구형과 저형의 성형 금형의 표면에 부착하기 쉬워지게 되고, 20부피%보다도 큰 경우는, 트랜스퍼 성형할 때의 용융시에 수지 조성물의 유동성이 저하하는 경향이 있다. 예를 들면, 상기 다공질 충전제로서 상기 사일로호빅702를 이용하는 경우에는, 그 함유량을, 수지 조성물의 용융시의 유동성이나 수지 경화물의 강도의 관점에서 5부피% 이하로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 이용되는 (E) 백색 안료로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 알루미나, 산화마그네슘, 산화안티몬, 산화티탄, 산화지르코늄, 무기 중공입자 등을 이용할 수 있고, 이들은 단독으로도 병용해도 상관없다. 무기 중공입자는, 예를 들면, 규산소다유리, 알루미규산유리, 붕규산소다유리, 시라스 등을 들 수 있다. 열전도성, 광반사특성의 점에서는, 적어도 알루미나 또는 산화마그네슘을 사용하거나, 또는 그들을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. (E) 백색 안료의 입경은, 중심 입경이 0.1~50㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다. 이 중심 입경이 0.1㎛ 미만이면, 입자가 응집하기 쉬워 분산성이 나빠지는 경향이 있다. 한편, 중심 입경이 50㎛를 넘으면, 경화물의 광반사 특성이 충분히 얻어지지 않을 염려가 있다. (E) 백색 안료의 배합량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체에 대해서, 10부피%~85부피%의 범위인 것이 바람직하다.
상기 (D) 무기충전제와 상기 (E) 백색 안료와의 합계 배합량은, 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체에 대해서, 10부피%~85부피%의 범위인 것이 바람직하다. 이 합계 배합량이 10부피% 미만이면, 경화물의 광반사 특성이 충분히 얻어지지 않을 염려가 있다. 또한, 합계 배합량이 85부피%를 넘으면, 수지 조성물의 성형성이 나빠지게 되어, 광반도체 탑재용 기판의 제작이 곤란하게 되는 경향이 있다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물에는, 필요에 따라서 (F) 커플링제를 더할 수 있다. (F) 커플링제는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 실란계 커플링제나 티타네이트계 커플링제 등을 이용할 수 있다. 실란커플링제로서는, 예를 들면, 에폭시실란계, 아미노실란계, 카티노닉 실란계, 비닐실란계, 아크릴실란계, 메르캅토실란계 및 이들의 복합계 등을 이용할 수 있다. (F) 커플링제의 종류나 처리 조건은 특별히 한정되는 것이 아니고, 수지 조성물에 그대로 첨가하는 방법이나, 무기충전제 또는 백색 안료와 미리 혼합하여 첨가하는 방법 등, 종래부터 이용되고 있는 수법을 적용해도 좋다. (F) 커플링제의 배합량은 수지 조성물에 대해서 5중량% 이하가 바람직하다.
또한, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물에는, 용융 점도 조정을 목적으로 하여 (H) 증점제를 첨가해도 좋다. (H) 증점제로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 토쿠야마(주)에서 판매되고 있는 레오로실CP-102로서 입수 가능한 나노실리카를 이용할 수 있다. (H) 증점제의 첨가량으로서는, 수지 조성물의 총 체적의 0.15부피% 이하인 것이 바람직하다. (H) 증점제의 첨가량이 0.15부피%보다도 많아지면, 수지 조성물의 용융시의 유동성이 손상됨과 동시에, 경화 후에 충분한 재료 강도가 얻어지지 않을 염려가 있다. 또한, (H) 증점제는, 중심 입경이 1nm~1000nm인 나노 입자 필러인 것이 바람직하고, 중심 입경이 10nm~1000nm인 나노 입자 필러인 것이 보다 바람직하다. 중심 입경 1nm보다도 작은 필러는, 입자가 응집하기 쉬워 분산성이 저하하는 경향이 있어, 특성상 바람직하지 않다. 이와 같은 (H) 증점제를 이용하는 경우에는, (D) 무기충전제의 일부로서 나노 실리카를 이용해도 좋다. 한편, 1000nm보다도 큰 필러를 첨가하면, 버 길이가 저감하지 않는 경향이 있어, 특성상 바람직하지 않다. 또한, 본 발명의 수지 조성물에는, (H) 증점제 이외에, 필요에 따라서, 산화방지제, 이형제, 이온 보충제 등의 각종 첨가제를 첨가해도 좋다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 상기한 각 성분을 균일하게 분산 혼합하는 것에 의해서 얻을 수 있고, 그 조제 수단이나 조건 등은 특별히 한정되지 않는다. 일반적인 수법으로서, 소정 배합량의 각종 성분을 믹서 등에 의해서 충분히 균일하게 교반 및 혼합한 후, 믹싱롤, 압출기, 니더, 롤 및 익스트루더 등을 이용하여 혼련하고, 또한 얻어진 혼련물을 냉각 및 분쇄하는 방법을 들 수 있다. 또한, 혼련형식에 관해서도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 용융 혼련이 바람직하다. 용융 혼련의 조건은, 사용한 성분의 종류나 배합량에 의해서 적절히 결정하면 좋고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 15~100℃의 범위에서 5~40분간에 걸쳐서 용융 혼련하는 것이 바람직하고, 20~100℃의 범위에서 10~30분간에 걸쳐서 용융 혼련하는 것이 보다 바람직하다. 용융 혼련시의 온도가 15℃ 미만이면, 각 성분을 용융 혼련시키는 것이 곤란하고, 분산성도 저하하는 경향이 있다. 한편, 100℃보다도 고온이면, 수지 조성물의 고분자량화가 진행하여, 수지 조성물이 경화하여 버릴 염려가 있다. 또한, 용융 혼련의 시간이 5분 미만이면, 버 길이를 효과적으로 억제할 수 없는 경향이 있고, 40분보다도 길면, 수지 조성물의 고분자량화가 진행하여, 성형 전에 수지 조성물이 경화하여 버릴 염려가 있다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 상기 각 성분을 배합, 혼련한 후, 성형시의 용융 점도를 상승시키는 것을 목적으로 하여 숙성방치(에이징)하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 에이징은 0℃~30℃에서 1~72시간에 걸쳐서 실시하는 것이 바람직하다. 에이징은, 보다 바람직하게는 15℃~30℃에서 12~72시간에 걸쳐서, 더욱 바람직하게는 25℃~30℃에서 24~72시간에 걸쳐서, 실시하는 것이 바람직하다. 1시간보다도 단시간의 에이징에서는, 버 길이를 효과적으로 억제할 수 없는 경향이 있고, 72시간보다 길게 에이징하면, 트랜스퍼 성형시에 충분한 유동성을 확보할 수 없는 염려가 있다. 또한, 0℃ 미만의 온도에서 에이징을 실시한 경우에는, (C) 경화 촉진제가 불활성화되어, 수지 조성물의 3차원 가교반응이 충분히 진행하지 않아서, 용융시의 점도가 상승하지 않을 염려가 있다. 또한, 30℃보다도 고온에서 에이징을 실시한 경우에는, 수지 조성물이 수분을 흡수해 버려, 경화물의 강도나 탄성율 등의 기계적 물성이 나빠지게 되는 경향이 있다.
본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판은, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 구체적으로는, 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 1개 이상의 오목부를 가지고, 적어도 상기 오목부의 내주 측면이 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물로 구성되는 기판을 들 수 있다. 도 1은, 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판의 일실시형태를 나타내는 것이고, (a)는 사시도, (b)는 측면 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판(110)은, 리플렉터(103)와, Ni/Ag도금(104) 및 금속배선(105)을 포함하는 배선 패턴(리드프레임)이 일체화되어, 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부(200)가 형성된 구조를 가지고, 적어도 상기 오목부(200)의 내주 측면은 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물 또는 그 타블렛 성형체를 트랜스퍼 성형에 의해서 제조할 수 있다. 도 2는, 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조방법을 설명하는 개략도이고, 도 2(a)~(c)는 트랜스퍼 성형에 의해서 기판을 제조하는 경우의 각 공정에 대응한다. 보다 구체적으로는, 광반도체 소자 탑재용 기판은, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 금속박으로부터 펀칭이나 에칭 등의 공지의 방법에 의해 금속배선(105)을 형성하고, 이어서 상기 금속배선(105)을 소정 형상의 금형(301)에 배치하고(도 2(b)), 금형(301)의 수지 주입구(300)로부터 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물(타블렛 성형체의 용융물)을 주입한다. 이어서, 주입한 수지 조성물을, 바람직하게는 금형 온도 170~190℃, 성형 압력 2~8MPa로 60~120초에 걸쳐서 경화시킨 후에 금형(301)을 떼어내고, 후경화 온도 120℃~180℃로 1~3시간에 걸쳐서 열경화시킨다. 이어서, 경화한 열경화성 광반사용 수지 조성물로 구성되는 리플렉터(103)에 주위를 둘러싼 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부(200)의 소정 위치에, Ni/은도금(104)을 실시하는 것에 의해서 제조하는 것이 가능하다(도 2(c)).
본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판을 이용한 광반도체 장치는, 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판과, 광반도체 소자 탑재용 기판의 오목부 저면에 탑재되는 광반도체 소자와, 광반도체 소자를 덮도록 오목부 내에 형성되는 형광체 함유 투명 봉지 수지층을 적어도 구비하는 것을 특징으로 한다. 도 3(a) 및 도 3(b)는, 각각 본 발명의 광반도체 장치의 일실시형태를 나타내는 측면 단면도이다. 보다 구체적으로는, 도 3에 나타낸 광반도체 장치는, 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판(110)의 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부(도 2의 참조 부호 200)의 저부 소정 위치에 광반도체 소자(100)가 탑재되고, 그 광반도체 소자(100)와 금속배선(105)이 본딩 와이어(102)나 땜납 범프(107) 등의 공지의 방법에 의해 Ni/은도금(104)를 개재시켜 전기적으로 접속되고, 상기 광반도체 소자(100)가 공지의 형광체(106)를 포함하는 투명 봉지 수지(101)에 의해 덮여져 있다.
본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요해지기 때문에, 비용이나 제조시간 등 생산성의 점에서 매우 유리하게 된다.
도 1은 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판의 일실시형태를 나타내는 도면이며, (a)는 사시도, (b)는 측면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조방법을 설명하는 개략도이고, (a)~(c)는 트랜스퍼 성형에 의해서 기판을 제조하는 경우의 각 공정에 대응 한다.
도 3은 본 발명의 광반도체 장치의 일실시형태를 나타내는 도면이며, (a) 및 (b)는 각각 장치의 구조를 모식적으로 나타내는 측면 단면도이다.
도 4는 실시예에 있어서 사용한 버 측정용 금형을 모식적으로 나타낸 도면이며, (a)는 측면 단면도, (b)는 평면도이다.
도 5는 도 4에 나타낸 버 측정용 금형을 이용한 성형시에 생긴 버를 모식적으로 나타낸 도면이며, (a)는 측면 단면도, (b)는 평면도이다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상술하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, 이하의 각 실시예 및 각 비교예에서 사용한 성분의 상세는 이하와 같다.
*1:트리글리시딜이소시아누레이트(에폭시 당량 100, 닛산화학사제, 상품명 TEPIC-S)
*2:헥사히드로 무수프탈산(와코준야쿠사제)
*3:1,3,5-트리스(3-카르복시프로필)이소시아누레이트(시코쿠화성공업사제, 제품명 C3CIC산)
*4:시클로헥산트리카르복실산 무수물(미츠비시가스화학사제, 제품명 H-TMAn)
*5:테트라히드로무수프탈산(알도리치사제)
*6:메틸히드로무수프탈산(히타치화성공업사제 상품명 HN5500)
*7:테트라-n-부틸포스포늄-0,0-디에틸포스포로디티에이트(일본화학공업사제, 상품명 히시코린 PX-4ET)
*8:트리메톡시에폭시실란(토레다우코닝사제, 상품명 SH6040)
*9:지방산 에스테르(쿠라리안트사제, 상품명 헥스트왁스E)
*10:지방족 에테르(동양페트로라이트사제, 상품명 유니톡스420)
*11:용융 실리카(덴키화학공업사제, 상품명 FB-301)
*12:용융 실리카(덴키화학공업사제, 상품명 FB-950)
*13:용융 실리카(아드마텍스사제, 상품명 SO-25R)
*14:다공질 구상 실리카(후지시리시아화학사제, 제품명 사이로스피아C-1504, 평균 입경:3㎛, 겉보기 밀도:0.58g/ml, 비표면적:300㎡/g)
*15:다공질 무정형상 실리카(후지시리시아화학사제, 제품명 사일로호빅702, 평균 입경:4㎛, 겉보기 밀도:0.48g/ml, 비표면적:300㎡/g)
*16:다공질 무정형상 실리카(후지시리시아화학사제, 제품명 사이리시아430, 평균 입경:4㎛, 겉보기 밀도:0.48g/ml, 비표면적:300㎡/g)
*17:중공 입자(스미토모3M사제, 상품명 S60-HS)
*18:알루미나(아드마텍스사제, 상품명 AO-802)
*19:나노 실리카(토크야마사제, CP-102)
(실시예 A1~A16 및 비교예 A1~A7)
1. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 조제
하기 표 A1로부터 표 A3에 나타낸 배합 비율에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹서에 의해서 충분히 혼련한 후에 믹싱롤에 의해서 소정 조건하에서 용융 혼련하여 혼련물을 얻었다. 또한, 얻어진 혼련물을 분쇄하는 것에 의해서, 실시예 A1~A16 및 비교예 A1~A7의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 각각 조제했다. 또한, 표 A1로부터 표 A3에 나타낸 각 성분의 배합량의 단위는 중량부이다. 표에 있어서의 공란은 해당하는 성분의 배합이 없는 것을 의미한다.
2. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 평가
먼저 조제한 실시예 A1~A16 및 비교예 A1~A7의 각각의 수지 조성물에 관해서, 이하의 순서에 따라서, 광반사율 및 버 길이를 측정했다. 또한, 각각의 수지 조성물을 성형하여 얻어지는 기판의 와이어 본딩성에 관해서 검토하고, 평가했다. 그들의 결과를 하기 표 A1로부터 표 A3에 나타낸다.
(광반사율)
먼저 조제한 각각의 열경화성 광반사용 수지 조성물을, 성형 금형 온도 180℃, 성형 압력 6.9MPa, 경화 시간 90초의 조건하에서 트랜스퍼 성형한 후, 150℃에서 2시간에 걸쳐서 후경화하는 것에 의해서, 두께 1.mm의 시험편을 각각 제작했다. 이어서, 적분구형 분광광도계 V-750형(일본분광주식회사제)을 이용하여, 파장 400nm에 있어서의 각 시험편의 광반사율을 측정했다.
(버 길이)
먼저 조제한 각각의 열경화성 광반사용 수지 조성물을, 포트를 이용하여, 버 측정용 금형(도 4를 참조)에 유입하고, 이어서 경화시키는 것에 의해서 수지 조성물을 성형했다. 또한, 성형시의 금형 온도는 180℃, 성형 압력은 6.9MPa, 수지의 유입 시간(트랜스퍼 시간)은 10초이며, 경화 온도는 180℃, 경화 시간은 90초로 했다. 성형 후, 버 측정용 금형의 상형을 떼어내고, 성형시에 금형의 상형과 하형과의 극간을 흘러서 생긴 버 길이의 최대치를, 노기스(Nonius)를 사용하여 측정했다.
도 4는, 앞의 버 길이의 측정시에 사용하는 버 측정용 금형의 구조를 모식적으로 나타낸 도면이며, (a)는 측면 단면도, (b)는 평면도이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 버 측정용 금형은, 1쌍의 상형(400)과 하형(401)으로 구성되고, 상형(400)은 수지 주입구(402)를 가진다. 또한, 하형(401)은, 수지 주입구(402)에 대향하는 캐버티(403)와, 캐버티(403)로부터 금형 외주부로 향하여 뻗은 6개의 슬릿(404, 405, 406, 407, 408 및 409)을 가진다. 실제로 사용한 버 측정용 금형의 치수는, 도 4에 나타낸 바와 같이 상형(400) 및 하형(401)의 외형이 140mm×140mm, 수지 주입구(402)의 위 지름이 7mm 및 아래 지름이 4mm, 캐버티(403)의 지름이 30mm 및 깊이가 4mm이다. 또한, 캐버티(403)로부터 연장되는 6개의 슬릿(404로부터 409)의 폭은 각각 5mm이며, 깊이는 순서대로 75, 50, 30, 20, 10 및 2㎛이었다. 도 5는, 도 4에 나타낸 버 측정용 금형을 이용한 성형시에 생긴 버를 모식적으로 나타내는 도면이고, (a)는 측면 단면도, (b)는 평면도이다. 버는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 수지 조성물이 캐버티(403)의 외연으로부터 각 슬릿에 따라서 유입하여 경화한 부분(410)을 의미한다. 본 발명에서 규정하는 「버 길이」는, 참조 부호(410)로 표시되는 버의 최대치를, 노기스로 측정한 값이다.
(와이어 본딩성의 평가)
최초로, 도 2에 나타낸 제조공정에 따라서, 먼저 조제한 각각의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 트랜스퍼 성형하는 것에 의해서, 광반도체 소자 탑재용 기판을 제작했다. 또, 성형 조건은, 성형 금형 온도 180℃, 성형 압력 6.9MPa, 경화 시간 90초이며, 150℃에서 2시간에 걸쳐서 후경화를 실시했다.
다음에, 제작한 상기 기판의 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부에 광반도체 소자를 탑재한 후, 와이어본더(HW22U-H, 규슈마쓰시타전기주식회사제, 상품명) 및 직경 28㎛의 본딩 와이어를 사용하여, 광반도체 소자와 기판을 와이어 본딩 하는 것에 의해서, 전기적으로 접속했다. 와이어 본딩시의 기판의 가열 온도는 180℃로 했다. 와이어 본딩성은, 광반도체 소자와 기판을 전기적으로 접속하는 와이어 본딩하는 와이어의 인장 강도를, 프루테스터PTR-01(주식회사 레스카제, 상품명)을 사용하여 측정하고, 그 값에 관해서 하기의 평가기준에 따라서 평가했다.
와이어 본딩성의 평가기준
◎:인장 강도 10g 이상
○:인장 강도 4g 이상 10g 미만
△:인장 강도 4g 미만
×:본딩 불가
[표 1]
표 A1
*
Figure 112011043733242-pat00003
표 A1(계속)
Figure 112011043733242-pat00004
[표 2]
표 A2
Figure 112011043733242-pat00005
표 A2(계속)
Figure 112011043733242-pat00006
[표 3]
표 A3
Figure 112011043733242-pat00007
표 A3(계속)
Figure 112011043733242-pat00008
표 A1에서 표 A3에 의하면, 실시예 A1~A16의 수지 조성물은, 뛰어난 광반사특성을 나타내고, 또한 트랜스퍼 성형시의 버 길이가 억제되어, 뛰어난 와이어 본딩성을 나타내는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요해지기 때문에, 비용이나 제조시간 등 생산성의 점에서 상당히 유리하게 된다.
(실시예 B1~B11 및 비교예 B1~B8)
1. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 조제
하기 표 B1 및 표 B2에 나타낸 배합 비율에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹서에 의해서 충분히 혼련한 후에 믹싱롤에 의해서 소정 조건하에서 용융 혼련하여 혼련물을 얻었다. 또한, 얻어진 혼련물에 필요에 따라서 에이징을 실시한 후에 냉각하고, 그들을 분쇄하는 것에 의해서, 실시예 B1~B11 및 비교예 B1~B8의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 각각 조제했다.
또한, 표 B1 및 B2에 나타낸 각 성분의 배합량의 단위는 중량부이다. 또한, 표에 있어서의 공란은 해당하는 성분의 배합이 없는 것, 또는 해당하는 공정을 실시하지 않은 것을 의미한다. 각 실시예의 상세는 이하와 같다.
실시예 B1은, 특정의 (G) 올리고머를 사용하는 수법에 관한 것이다.
실시예 B2는, (A) 에폭시 수지 중의 에폭시기 1당량에 대한 경화제 중의 활성기를 0.5~0.7당량의 범위로 하는 수법에 관한 것이다.
실시예 B3은, (H) 증점제로서 나노 필러를 추가하는 수법에 관한 것이다.
실시예 B4는, 수지 조성물을 소정 조건하에서 에이징하는 수법에 관한 것이다.
실시예 B5는, 용융 혼련 조건을 조정하는 수법(혼련 시간을 15분에서 30분으로 연장)에 관한 것이다.
실시예 B6~B11은, 상술한 수법 중 어느 2개의 수법을 병용한 경우에 관한 것이다.
또한, 실시예 B1, B6, B7 및 B9에 있어서 사용한 (G) 올리고머는, 이하에 설명하는 순서로 조제했다. 또한, (G) 올리고머의 점도는, Reseach Equipment LTD.(London)제의 ICI 콘플레이트형 점도계를 사용하여, 시료량 0.155±0.01g, 100℃에서 측정한 결과, 1000mPaㆍs이었다.
(올리고머의 제작방법)
표 B1에 나타낸 배합 조건에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹싱롤에 의해서 25℃에서 10분간에 걸쳐서 용융 혼련을 행했다. 또한, 표 B1에 나타낸 배합은, 에폭시기 1당량에 대해서 산무수물기 0.1당량으로 되는 비율로 되어 있다. 다음에, 용융 혼련에 의해서 얻어진 점토상 조성물(혼련물)을 온도 55℃에서 4시간에 걸쳐서 에이징했다. 그와 같은 에이징 후에, 혼련물을 구경 300mm의 도기제 유발을 이용하여, 입경이 1mm 이하로 될때까지 분쇄하는 것에 의해 소망한 올리고머를 얻었다. 얻어진 올리고머는, 온도 0℃ 이하의 환경하에서 보존했다.
2. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 평가
먼저 조제한 실시예 B1~B6 및 비교예 B1~B8의 각각의 열경화성 광반사용 수지 조성물에 관해서, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 광반사율 및 버 길이를 측정했다. 또한, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 각각의 수지 조성물을 성형하여 얻어지는 기판의 와이어 본딩성에 관하여 검토하고, 이하의 기준에 따라서 평가했다. 그들의 결과를 하기 표 B1 및 표 B2에 나타낸다.
(와이어 본딩성의 평가기준)
◎:인장 강도 10g 이상
○:인장 강도 4g 이상 10g 미만
△:인장 강도 4g 미만
×:본딩 불가
[표 4]
표 B1
*
Figure 112011043733242-pat00009
표 B1(계속1)
Figure 112011043733242-pat00010
표 B1(계속2)
Figure 112011043733242-pat00011
[표 5]
표 B2
Figure 112011043733242-pat00012
표 B2(계속)
Figure 112011043733242-pat00013
표 B1 및 표 B2에 의하면, 실시예 B1~B11의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 뛰어난 광반사 특성을 나타내고, 또한 트랜스퍼 성형시의 버 길이가 억제되어, 뛰어난 와이어 본딩성을 나타내는 것을 알 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요하게 되기 때문에, 비용이나 제조시간 등 생산성의 점에서 매우 유리하게 된다. 또한, (G) 올리고머를 사용한 경우에는, 모노머 성분의 잔존량을 저감시키는 것이 가능하기 때문에, 와이어 본딩성의 향상에 더하여, 기판 성형시의 금형 오염 및 성형품의 이형성의 저하와 같은 불량을 회피할 수 있어, 뛰어난 외관을 가지는 성형 기판이 얻어진다.
(실시예 C1~C3 및 비교예 C1, C2)
1. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 조제
하기 표 C1에 나타낸 배합 비율에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹서에 의해서 충분히 혼합한 후, 믹싱롤에 의해서 용융 혼련하는 것에 의해서 혼련물을 얻었다. 얻어진 혼련물을 실온까지 냉각하고, 그들을 분쇄하는 것에 의해서, 실시예 C1~C3, 비교예 C1 및 C2의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 각각 조제했다. 표 C1에 나타낸 각 성분의 배합량의 단위는 중량부이다. 또한, 표에 있어서의 공란은 해당하는 성분의 배합이 없는 것을 의미한다.
2. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 평가
먼저 조제한 실시예 C1~C3 및 비교예 C1, C2의 열경화성 광반사용 수지 조성물에 관해서, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 광반사율 및 버 길이를 측정했다. 또한, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 각각의 수지 조성물을 성형하여 얻어지는 기판의 와이어 본딩성에 관하여 검토하고, 이하의 기준에 따라서 평가했다. 그들의 결과를 하기 표 C1에 나타낸다.
(와이어 본딩성의 평가기준)
◎:인장 강도 10g 이상
○:인장 강도 4g 이상 10g 미만
△:인장 강도 4g 미만
×:본딩 불가
[표 6]
표 C1
Figure 112011043733242-pat00014
표 C1(계속)
Figure 112011043733242-pat00015
주기:(*) 금형 내에 있어서의 수지의 유동성 불량 때문에, 측정 불가
표 C1에 의하면, 실시예 C1~C3의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 뛰어난 광반사 특성을 나타내고, 또한 트랜스퍼 성형시의 버 길이가 억제되어, 뛰어난 와이어 본딩성을 나타내는 것을 알 수 있다. C3CIC산은, 그 특징적인 화학구조에 의해서, 성형체의 기계적 강도를 향상시키는 것이 가능할 뿐만 아니라, 그들은 버의 억제에도 효과적인 것이 분명하다. 다만, 경화제로서 C3CIC산을 단독으로 사용하면 조성물의 유동성이 악화하는 경향이 있기 때문에, HHPA 등의 다른 경화제와 조합하여 사용하는 것이 바람직한 것을 알 수 있다. 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요해지기 때문에, 비용나 제조시간 등 생산성의 점에서 매우 유리하게 된다.
(실시예 D1~D5 및 비교예 D1~D3)
1. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 조제
표 D1에 나타낸 배합 비율에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹서에 의해서 충분히 혼합한 후, 믹싱롤에 의해서 용융 혼련하는 것에 의해서 혼련물을 얻었다. 얻어진 혼련물을 실온까지 냉각하고, 그들을 분쇄하는 것에 의해서, 실시예 D1~D5, 비교예 D1~D3의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 각각 조제했다. 또, 표 D1에 나타낸 각 성분의 배합량의 단위는 중량부이다. 또한, 표에 있어서의 공란은 해당하는 성분의 배합이 없는 것을 의미한다.
2. 열경화성 광반사용 수지 조성물의 평가
먼저 조제한 실시예 D1~D5 및 비교예 D1~D3의 열경화성 광반사용 수지 조성물에 관해서, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 광반사율 및 버 길이를 측정했다. 또, 내구성에 관해서 검토하기 위해서, 광반사율의 측정은, 시험편의 성형 후와, 150℃에서 72시간 가열한 후에 실시했다. 또한, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 각각의 수지 조성물을 성형하여 얻어지는 기판의 와이어 본딩성에 관하여 검토하고, 이하의 기준에 따라서 평가했다. 그들의 결과를 하기 표 D1에 나타낸다.
(와이어 본딩성의 평가기준)
◎:인장 강도 10g 이상
○:인장 강도 4g 이상 10g 미만
△:인장 강도 4g 미만
×:본딩 불가
[표 7]
표 D1
Figure 112011043733242-pat00016
표 D1(계속)
Figure 112011043733242-pat00017
표 D1에 의하면, 실시예 D1~D5의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 뛰어난 광반사 특성을 나타내고, 또한 트랜스퍼 성형시의 버 길이가 억제되어, 뛰어난 와이어 본딩성을 나타내는 것을 알 수 있다. 더욱이, 경화물(성형 기판)의 광반사 특성이 열화하기 어려운 것도 알 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요하게 되기 때문에, 비용이나 제조시간 등 생산성의 점에서 매우 유리하게 된다. 또한, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하는 것에 의해서, 가시광으로부터 근자외광 영역에 있어서 높은 반사율을 유지하는 것이 가능한 광반도체 소자 탑재용 기판을 효율 좋게 제조하는 것도 가능하다는 것을 알 수 있다.
(실시예 E1~E8)
표 E1에 나타낸 배합 비율에 따라서 각 성분을 배합하고, 믹서에 의해서 충분히 혼합한 후, 믹싱롤에 의해서 용융 혼련하는 것에 의해서 혼련물을 얻었다. 얻어진 혼련물을 실온까지 냉각하고, 그들을 분쇄하는 것에 의해서, 실시예 E1~E8의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 각각 조제했다. 또, 표 E1에 나타낸 각 성분의 상세는 먼저 설명했던 대로이고, 각 배합량의 단위는 중량부이다.
얻어진 실시예 E1~E8의 열경화성 광반사용 수지 조성물에 관해서, 앞의 실시예와 동일하게 하여 광반사율 및 버 길이를 측정했다. 또한, 앞의 실시예와 동일하게 하여, 각각의 수지 조성물을 성형하여 얻어지는 기판의 와이어 본딩성에 관하여 검토하고, 이하의 기준에 따라서 평가했다. 그들의 결과를 하기 표 E1에 나타낸다.
(와이어 본딩성의 평가기준)
◎:인장 강도 10g 이상
○:인장 강도 4g 이상 10g 미만
△:인장 강도 4g 미만
×:본딩 불가
[표 8]
표 E1
Figure 112011043733242-pat00018
표 E1(계속)
*
Figure 112011043733242-pat00019
표 E1에 의하면, 실시예 E1~E8의 열경화성 광반사용 수지 조성물은, 뛰어난 광반사 특성을 나타내고, 트랜스퍼 성형시의 버의 억제효과가 높고, 보다 뛰어난 와이어 본딩성을 나타내는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 각 구성 성분을 적절히 조합하여 배합하는 것에 의해서, 와이어 본딩성을 더욱 향상시키는 것도 가능하다. 따라서, 본 발명의 열경화성 광반사용 수지 조성물을 사용하여, 광반도체 소자 탑재용 기판이나 광반도체 장치를 제조한 경우, 수지 오염을 제거하는 공정이 불필요해지기 때문에, 비용이나 제조시간 등 생산성의 점에서 매우 유리하게 된다.
이상의 설명으로부터, 본 발명의 정신과 범위에 반하지 않고, 광범위하게 다른 실시태양을 구성할 수 있는 것은 명백하고, 본 발명은 청구의 범위에 있어서 한정한 것 이외는, 그 특정의 실시태양에 의해서 제약되는 것은 아니다.

Claims (5)

  1. 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부가 1개 이상 형성되어 있는 광반도체 소자 탑재용 기판의, 적어도 상기 오목부의 내주 측면을 트랜스퍼 성형에 의해 형성하기 위해 이용되는 열경화성 광반사용 수지조성물로서,
    (A) 에폭시 수지, 상기 (A) 에폭시 수지와 함께 이용되는 (B) 경화제, 및 (E) 백색 안료를 포함하고,
    상기 (B) 경화제가, 그 경화제의 전중량을 기준으로 해서 5중량%이상의 시클로헥산트리카르복실산 무수물을 포함하고,
    상기 시클로헥산트리카르복실산 무수물이, 하기 구조식(I)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 열경화성 광반사용 수지 조성물.
    Figure 112013020615776-pat00020
  2. 제 1항에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물을 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 탑재용 기판.
  3. 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부가 1개 이상 형성되어 있는 광반도체 소자 탑재용 기판으로서, 적어도 상기 오목부의 내주 측면이 제 1항에 기재된 열경화성 광반사용 수지 조성물로 구성되는 것을 특징으로 하는 광반도체 소자 탑재용 기판.
  4. 광반도체 소자 탑재 영역으로 되는 오목부가 1개 이상 형성되어 있는 광반도체 소자 탑재용 기판의 제조방법으로서, 적어도 상기 오목부를 제 1항에 기재된 광반사용 열경화성 수지 조성물을 이용한 트랜스퍼 성형에 의해서 형성하는 것을 특징으로 하는 광반도체 탑재용 기판의 제조방법.
  5. 제 3항에 기재된 광반도체 소자 탑재용 기판과,
    상기 광반도체 소자 탑재용 기판의 오목부 저면에 탑재된 광반도체 소자와,
    상기 광반도체 소자를 덮도록 상기 오목부 내에 형성된 형광체 함유 투명 봉지 수지층을 적어도 구비하는 광반도체 장치.
KR1020117013314A 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치 KR101308173B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-309052 2006-11-15
JP2006309052 2006-11-15
JPJP-P-2007-098354 2007-04-04
JP2007098354 2007-04-04
PCT/JP2007/072069 WO2008059856A1 (en) 2006-11-15 2007-11-14 Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097010100A Division KR20090077957A (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110086144A KR20110086144A (ko) 2011-07-27
KR101308173B1 true KR101308173B1 (ko) 2013-09-12

Family

ID=39401662

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097010100A KR20090077957A (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013313A KR101308306B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013316A KR101308199B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013314A KR101308173B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013315A KR101308263B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013317A KR101308349B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조방법

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097010100A KR20090077957A (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013313A KR101308306B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013316A KR101308199B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117013315A KR101308263B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
KR1020117013317A KR101308349B1 (ko) 2006-11-15 2007-11-14 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9387608B2 (ko)
EP (1) EP2100908B1 (ko)
JP (9) JPWO2008059856A1 (ko)
KR (6) KR20090077957A (ko)
CN (5) CN102408543B (ko)
TW (8) TWI648322B (ko)
WO (1) WO2008059856A1 (ko)

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101496066B1 (ko) 2006-06-02 2015-03-02 히타치가세이가부시끼가이샤 광반도체소자 탑재용 패키지 및 이것을 이용한 광반도체장치
KR20090077957A (ko) * 2006-11-15 2009-07-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP5421546B2 (ja) * 2007-07-05 2014-02-19 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、並びにその樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
KR101671086B1 (ko) * 2007-09-25 2016-10-31 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물, 이것을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법, 및 광반도체 장치
EP2233507B1 (en) 2008-01-09 2013-06-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
US8637593B2 (en) 2008-01-09 2014-01-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
TWM351985U (en) * 2008-07-25 2009-03-01 Bi Chi Corp LED base structure capable of enhancing effect of mixture of light
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2010100800A (ja) * 2008-09-24 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 光学部材のプリント配線板用樹脂組成物及び銅張積層板
KR101268725B1 (ko) * 2008-09-30 2013-05-28 히타치가세이가부시끼가이샤 코트제, 이것을 사용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP2010177329A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Sharp Corp 樹脂複合リードフレームとその製造方法、及びその実装体
JP6133004B2 (ja) * 2009-03-31 2017-05-24 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP5741436B2 (ja) 2009-08-10 2015-07-01 三菱瓦斯化学株式会社 表面保護層用熱硬化性樹脂組成物
JP2011060819A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置
JP5519685B2 (ja) * 2009-10-09 2014-06-11 日本化薬株式会社 硬化性樹脂組成物、及びその硬化物
JP5857746B2 (ja) * 2009-12-22 2016-02-10 三菱化学株式会社 半導体発光装置用樹脂成形体用材料
US9178120B2 (en) 2010-04-02 2015-11-03 Kaneka Corporation Curable resin composition, curable resin composition tablet, molded body, semiconductor package, semiconductor component and light emitting diode
TWI402922B (zh) * 2010-05-03 2013-07-21 Powertech Technology Inc 半導體晶片之模封方法
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
EP3716331B1 (en) * 2010-12-28 2023-06-28 Nichia Corporation Light emitting device
KR101923244B1 (ko) * 2011-07-13 2018-11-28 주식회사 다이셀 경화성 에폭시 수지 조성물
JP5760975B2 (ja) * 2011-11-22 2015-08-12 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物の製造方法
JP2013133406A (ja) * 2011-12-27 2013-07-08 Hitachi Ltd 複合絶縁樹脂及びそれを用いた絶縁スペーサ並びにガス絶縁機器
KR101414239B1 (ko) * 2012-02-20 2014-07-03 에스케이씨 주식회사 백색 ｅｖａ 수지층을 포함하는 태양전지 모듈
CN103311400A (zh) * 2012-03-15 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
JP6021416B2 (ja) * 2012-05-01 2016-11-09 日東電工株式会社 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法
JP5904276B2 (ja) * 2012-05-18 2016-04-13 富士電機株式会社 半導体装置
KR101387660B1 (ko) * 2012-06-19 2014-04-24 주식회사 케이씨씨 표면실장형 광반도체 장치용 반사판의 제조에 적합한 열경화성 수지 조성물
DE102012014335A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dispersion, Verfahren zur Beschichtung von Gegenstädenmit dieser Dispersion und Verwendung der Dispersion
JP5831424B2 (ja) * 2012-10-17 2015-12-09 日立化成株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2014095051A (ja) * 2012-11-12 2014-05-22 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたｌｅｄ用リフレクター及びｌｅｄ装置
WO2014109068A1 (ja) * 2013-01-10 2014-07-17 パナソニック株式会社 Ｌｅｄリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ｌｅｄリフレクター、表面実装型ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ照明
JP5308601B1 (ja) * 2013-01-10 2013-10-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄリフレクター用不飽和ポリエステル樹脂組成物とそれを用いた粒状物、タブレット、ｌｅｄリフレクター、表面実装型ｌｅｄ発光装置、ｌｅｄ照明
JP5602923B1 (ja) * 2013-05-08 2014-10-08 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用白色タブレット、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
JP6587169B2 (ja) * 2013-05-13 2019-10-09 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光反射体用熱硬化性樹脂組成物
WO2014192707A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 日東電工株式会社 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
JP6094450B2 (ja) * 2013-10-21 2017-03-15 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄリフレクター用白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物の硬化物を含む光半導体装置
JP2015109337A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 日東電工株式会社 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP6147362B2 (ja) 2013-12-18 2017-06-14 日本化薬株式会社 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体装置用反射部材の製造方法、および、光半導体装置
CN104830024B (zh) 2014-01-15 2018-02-06 财团法人工业技术研究院 有机无机混成树脂、包含其的模塑组合物、以及光电装置
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR20170048356A (ko) * 2014-07-24 2017-05-08 닛뽄 가야쿠 가부시키가이샤 다가 카르복실산 및 그것을 함유하는 다가 카르복실산 조성물, 에폭시 수지 조성물, 열경화성 수지 조성물, 그것들의 경화물 및 광반도체 장치
WO2016030985A1 (ja) * 2014-08-27 2016-03-03 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用白色タブレット、光半導体装置用成形体及び光半導体装置
CN107207704A (zh) * 2015-02-27 2017-09-26 克拉斯特科技有限公司 白色反射器成型用固化性环氧树脂组合物及其固化物、光半导体元件搭载用基板、以及光半导体装置
JP6038236B2 (ja) * 2015-06-17 2016-12-07 積水化学工業株式会社 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP6528643B2 (ja) * 2015-10-27 2019-06-12 三菱電機株式会社 波長多重光通信モジュール
JP2017095548A (ja) * 2015-11-19 2017-06-01 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置
TWI570187B (zh) 2015-12-17 2017-02-11 財團法人工業技術研究院 光學固態預聚物與模塑組成物
USD831593S1 (en) * 2016-03-24 2018-10-23 Hamamatsu Photonics K.K Optical semiconductor element
USD826184S1 (en) * 2016-03-24 2018-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Optical semiconductor element
USD845918S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
USD845917S1 (en) * 2016-04-18 2019-04-16 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP1567062S (ko) * 2016-04-18 2017-01-16
JP6686742B2 (ja) * 2016-06-30 2020-04-22 三菱瓦斯化学株式会社 半硬化物及びその製造方法、並びに最終硬化物
JP1581164S (ko) 2016-12-15 2017-07-10
KR102530124B1 (ko) * 2017-06-12 2023-05-08 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101941888B1 (ko) 2017-08-08 2019-01-25 대주전자재료 주식회사 열경화성 광반사용 수지 조성물의 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 열경화성 광반사용 수지 조성물
CN114127184A (zh) 2019-08-28 2022-03-01 昭和电工材料株式会社 光反射用热固性树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及光半导体装置
KR20220055470A (ko) 2019-08-28 2022-05-03 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 광반사용 열경화성 수지 조성물, 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
CN112054015A (zh) * 2020-08-14 2020-12-08 东莞智昊光电科技有限公司 大功率led支架的制作方法及大功率led支架
WO2023281922A1 (ja) * 2021-07-05 2023-01-12 昭和電工マテリアルズ株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置
KR102556932B1 (ko) * 2023-04-18 2023-07-19 주식회사 유환 인쇄회로기판의 개별 엘이디 소자 주변부에 반사 성형체를 형성시키는 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050002668A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 열경화성 수지 조성물 및 그의 용도
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798762A (en) * 1985-08-14 1989-01-17 Toray Industries, Inc. Laminate board containing uniformly distributed filler particles and method for producing the same
JP2501804B2 (ja) 1986-11-20 1996-05-29 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPS63130623A (ja) 1986-11-21 1988-06-02 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US5171769A (en) * 1989-03-03 1992-12-15 Ciba-Geigy Corporation Filled thixotropic resin compositions comprising epoxy resin, curing agent, sugar-aldehyde and filler
US5189080A (en) * 1989-04-25 1993-02-23 Robert Bosch Gmbh Epoxy resin composition for encapsulating electric circuit components
JP2780449B2 (ja) 1990-06-28 1998-07-30 日立化成工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法
IT1246761B (it) 1990-07-02 1994-11-26 Pirelli Cavi Spa Cavi a fibre ottiche e relativi componenti contenenti una miscela omogenea per proteggere le fibre ottiche dall' idrogeno e relativa miscela barriera omogenea
JPH05239321A (ja) 1992-02-28 1993-09-17 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JPH0685325A (ja) 1992-08-28 1994-03-25 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄの製造方法
JP2874524B2 (ja) 1992-09-03 1999-03-24 松下電工株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料
JP2691107B2 (ja) 1992-09-28 1997-12-17 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂成形材料の製造方法
JPH06209024A (ja) 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造法
JP3022135B2 (ja) * 1994-01-26 2000-03-15 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH08104796A (ja) 1994-10-05 1996-04-23 Hitachi Ltd 半導体封止用樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置
JP3618133B2 (ja) 1995-01-18 2005-02-09 日東電工株式会社 光半導体装置
JPH08245214A (ja) 1995-03-07 1996-09-24 Denki Kagaku Kogyo Kk シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH08245755A (ja) 1995-03-13 1996-09-24 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および電子部品封止装置
JP3649535B2 (ja) 1995-11-01 2005-05-18 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3624503B2 (ja) 1995-12-14 2005-03-02 日亜化学工業株式会社 面状光源
EP0927231B1 (en) * 1996-09-23 2003-11-26 Akzo Nobel N.V. Low density, light weight intumescent coating
JP3719801B2 (ja) 1996-12-26 2005-11-24 住友ベークライト株式会社 電子部品封止用樹脂組成物
JPH10292094A (ja) 1997-02-20 1998-11-04 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物、これを用いた樹脂封止型半導体装置、エポキシ樹脂成形材料、およびエポキシ樹脂複合タブレット
EP0997482B1 (en) 1997-07-18 2007-01-17 Nippon Zeon Co., Ltd. Modified cycloolefin addition polymer and curable resin composition containing the same
JP3165078B2 (ja) 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JPH1143546A (ja) 1997-07-30 1999-02-16 Toray Ind Inc クロスプリプレグおよびハニカム構造体
JP3294803B2 (ja) 1997-08-18 2002-06-24 株式会社日本触媒 熱硬化性樹脂封止材
JP3792870B2 (ja) 1997-12-02 2006-07-05 日東電工株式会社 半導体封止用樹脂組成物
JP3851441B2 (ja) 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH11340517A (ja) 1998-05-22 1999-12-10 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2000191890A (ja) 1998-10-20 2000-07-11 Nitto Denko Corp 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2000169557A (ja) 1998-12-03 2000-06-20 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置
JP2000319633A (ja) 1999-05-12 2000-11-21 C I Kasei Co Ltd エポキシ樹脂系封止材料用シリカ系充填材
JP4606530B2 (ja) 1999-05-14 2011-01-05 株式会社朝日ラバー シート部材およびそれを用いた発光装置
JP3632507B2 (ja) 1999-07-06 2005-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3627592B2 (ja) 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2001118969A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 封止用成形材料、その製造方法、及び電子部品装置
JP3483817B2 (ja) * 1999-12-01 2004-01-06 電気化学工業株式会社 球状無機質粉末及びその用途
JP4614214B2 (ja) 1999-12-02 2011-01-19 信越化学工業株式会社 半導体装置素子用中空パッケージ
JP3489025B2 (ja) 2000-01-14 2004-01-19 大塚化学ホールディングス株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品
JP3925835B2 (ja) 2000-04-10 2007-06-06 株式会社日立製作所 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途
JP4520003B2 (ja) * 2000-04-14 2010-08-04 株式会社カネカ 硬化性組成物
EP1160212A1 (en) * 2000-05-31 2001-12-05 Asahi Glass Co., Ltd. Hollow glass microspheres and method for producing the same
JP3430150B2 (ja) 2000-12-18 2003-07-28 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法
JP3820886B2 (ja) 2001-01-17 2006-09-13 松下電工株式会社 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
MY145695A (en) 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
TW574245B (en) 2001-05-17 2004-02-01 Chang Chun Plastics Co Ltd Epoxide containing alicylic hydrocarbon unit, method for producing the same, and application thereof
JP2003124523A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US6924596B2 (en) 2001-11-01 2005-08-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same
JP4250949B2 (ja) * 2001-11-01 2009-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2003171531A (ja) 2001-12-03 2003-06-20 Kyocera Chemical Corp 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2003218399A (ja) 2002-01-22 2003-07-31 Rohm Co Ltd 反射ケース付半導体発光装置
JP2003292734A (ja) 2002-04-03 2003-10-15 Mitsui Chemicals Inc エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光学部品
DE10259451A1 (de) * 2002-12-19 2004-07-08 Tesa Ag Haftklebeartikel mit wenigstens einer Schicht aus einer thermisch leitfähigen Haftklebemasse und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2004224929A (ja) 2003-01-23 2004-08-12 Fujikura Ltd 難燃性接着混和物
JP2004224992A (ja) 2003-01-27 2004-08-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 熱硬化性樹脂成形材料およびその製造方法
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
JP2004256673A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Sumitomo Chem Co Ltd 反射板用液晶性ポリエステル樹脂
JP4591994B2 (ja) * 2003-05-29 2010-12-01 株式会社カネカ 硬化性組成物
JP4536437B2 (ja) * 2003-06-30 2010-09-01 三菱瓦斯化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物及びその用途
JP2005053978A (ja) * 2003-08-06 2005-03-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005089607A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2005089710A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4774201B2 (ja) 2003-10-08 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 パッケージ成形体及び半導体装置
CN1875056B (zh) * 2003-11-04 2013-10-16 亨斯迈先进材料（瑞士）有限公司 双组分可固化组合物
JP3876251B2 (ja) 2003-12-12 2007-01-31 スタンレー電気株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び該組成物を封止剤とする発光ダイオード
CN1642385A (zh) 2004-01-08 2005-07-20 合正科技股份有限公司 使用粘合胶的叠合电路板制作方法
KR101102124B1 (ko) 2004-06-10 2012-01-02 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 에폭시 수지 경화제 및 에폭시 수지 조성물
JP4460968B2 (ja) 2004-07-27 2010-05-12 株式会社アドマテックス 樹脂組成物の製造方法
JP5081370B2 (ja) * 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4608294B2 (ja) * 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4720177B2 (ja) 2004-12-17 2011-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2006176678A (ja) 2004-12-22 2006-07-06 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物及び電子部品
EP1674518A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-28 3M Innovative Properties Company Fire-retardant low-density epoxy composition
JP2006182961A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性透明樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード
JP2006193570A (ja) 2005-01-12 2006-07-27 Stanley Electric Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード
US8157123B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 The Glad Products Company Container
JP4799883B2 (ja) 2005-03-01 2011-10-26 日東電工株式会社 エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置
JP4818620B2 (ja) 2005-03-04 2011-11-16 京セラケミカル株式会社 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2006265370A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP4858672B2 (ja) * 2005-04-28 2012-01-18 信越化学工業株式会社 Ｃｏｂ実装用封止材の製造方法
EP2768031B1 (en) * 2005-08-04 2021-02-17 Nichia Corporation Light-emitting device
JP4837664B2 (ja) * 2005-08-04 2011-12-14 信越化学工業株式会社 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5303097B2 (ja) * 2005-10-07 2013-10-02 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007297601A (ja) 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP4788457B2 (ja) 2006-04-18 2011-10-05 三菱瓦斯化学株式会社 プリプレグ並びに銅張積層板
JP5233186B2 (ja) 2006-07-25 2013-07-10 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP5298468B2 (ja) 2006-09-26 2013-09-25 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
KR20090077957A (ko) * 2006-11-15 2009-07-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP2008144127A (ja) 2006-11-15 2008-06-26 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法
KR101671086B1 (ko) * 2007-09-25 2016-10-31 히타치가세이가부시끼가이샤 열경화성 광반사용 수지 조성물, 이것을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법, 및 광반도체 장치
EP2233507B1 (en) * 2008-01-09 2013-06-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
KR101268725B1 (ko) * 2008-09-30 2013-05-28 히타치가세이가부시끼가이샤 코트제, 이것을 사용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP2013172250A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Ricoh Co Ltd 光照射装置、画像読取装置及び画像形成装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050002668A (ko) * 2003-06-30 2005-01-10 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 열경화성 수지 조성물 및 그의 용도
JP2006140207A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。

Also Published As

Publication number Publication date
KR101308306B1 (ko) 2013-09-17
TW201412848A (zh) 2014-04-01
TWI648322B (zh) 2019-01-21
KR20090077957A (ko) 2009-07-16
CN102408544A (zh) 2012-04-11
EP2100908B1 (en) 2014-05-21
US20100140638A1 (en) 2010-06-10
KR20110086144A (ko) 2011-07-27
KR20110086147A (ko) 2011-07-27
CN102408541A (zh) 2012-04-11
TWI545151B (zh) 2016-08-11
JP2015096611A (ja) 2015-05-21
TWI422629B (zh) 2014-01-11
WO2008059856A1 (en) 2008-05-22
JP2012254633A (ja) 2012-12-27
JP2012238876A (ja) 2012-12-06
TW200900448A (en) 2009-01-01
CN102408542B (zh) 2014-10-29
CN102408543B (zh) 2014-10-29
CN102751430A (zh) 2012-10-24
TWI488899B (zh) 2015-06-21
KR20110086145A (ko) 2011-07-27
EP2100908A1 (en) 2009-09-16
TWI488900B (zh) 2015-06-21
US9387608B2 (en) 2016-07-12
TW201514225A (zh) 2015-04-16
JP5408310B2 (ja) 2014-02-05
JP5660173B2 (ja) 2015-01-28
TW201636387A (zh) 2016-10-16
KR101308199B1 (ko) 2013-09-13
JP2013237865A (ja) 2013-11-28
CN102751430B (zh) 2015-04-01
EP2100908A4 (en) 2011-10-26
CN102516712A (zh) 2012-06-27
JP2012212935A (ja) 2012-11-01
TW201414781A (zh) 2014-04-16
CN102516712B (zh) 2015-04-22
KR101308263B1 (ko) 2013-09-13
CN102408542A (zh) 2012-04-11
JP5408368B2 (ja) 2014-02-05
KR20110086146A (ko) 2011-07-27
TWI488901B (zh) 2015-06-21
JP2013127068A (ja) 2013-06-27
US10381533B2 (en) 2019-08-13
TWI488902B (zh) 2015-06-21
JP6365606B2 (ja) 2018-08-01
JPWO2008059856A1 (ja) 2010-03-04
JP2017020026A (ja) 2017-01-26
TW201412847A (zh) 2014-04-01
TW201412845A (zh) 2014-04-01
KR101308349B1 (ko) 2013-09-17
JP5979208B2 (ja) 2016-08-24
TWI604004B (zh) 2017-11-01
CN102408543A (zh) 2012-04-11
TW201412846A (zh) 2014-04-01
CN102408541B (zh) 2016-10-05
US20170040513A1 (en) 2017-02-09
JP2012227547A (ja) 2012-11-15
KR20110086143A (ko) 2011-07-27
JP5639126B2 (ja) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101308173B1 (ko) 열경화성 광반사용 수지 조성물 및 그 제조방법, 및 그 수지 조성물을 이용한 광반도체 소자 탑재용 기판 및 광반도체 장치
JP2017005260A (ja) 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160829

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170825

Year of fee payment: 5