KR101150778B1

KR101150778B1 - 공업용 ｃｔ장비의 ｘ선 튜브장치

Info

Publication number: KR101150778B1
Application number: KR1020100121909A
Authority: KR
Inventors: 윤중석; 태진우; 김영만; 김종현
Original assignee: 주식회사 쎄크
Priority date: 2010-12-02
Filing date: 2010-12-02
Publication date: 2012-06-14

Abstract

공업용 CT장비의 X선 튜브장치가 개시된다. 개시된 X선 튜브장치는 내부에 절연유가 장입된 튜브 하우징; 상기 튜브 하우징에 일부가 삽입되며 일부가 진공부에 속하고 나머지 부분이 상기 절연유와 접촉되는 고압 컨덕터(H/V conductor); 상기 진공부에 속하는 상기 고압 컨덕터의 경사면에 고정된 타겟 베이스; 및 상기 타겟 베이스의 상면에 밀착 고정된 애노드 타겟;를 포함하며, 상기 타겟 베이스는 상기 애노드 타겟보다 녹는점이 높고 상기 고압 컨덕터보다 열전도율이 높은 재질로 이루어지며, 상기 고압 컨덕터는 내측을 따라 상기 절연유가 유입되는 장홈을 형성하고, 상기 장홈의 내주면에 상기 타겟 베이스의 저면과 접하는 열흡수층이 코팅되는 것을 특징으로 한다.

Description

공업용 ＣＴ장비의 Ｘ선 튜브장치{X-RAY TUBE APPARATUS OF INDUSTRIAL COMPUTED TOMOGRAPHY EQUIPMENT}

본 발명은 X선 튜브장치에 관한 것으로, 특히 고해상도의 이미지를 획득하기 위한 공업용 CT(computed tomography)장비에 채용되는 폐쇄형 X선 튜브장치에 관한 것이다.

일반적으로 통상의 X선 장비는 X선 빔을 사용하여 피검사체(또는 인체)의 수직인 중첩영상을 얻은 반면, CT장비는 X선 빔과 디텍터의 스캔 경로에 대하여 수평, 수직 또는 임의 각도의 단면영상을 얻는다.

이와 같은 CT장비는 획득한 이미지를 슬라이스 과정에서 물질의 밀도와 유효원자번호에 영향을 받는 선형감쇄계수를 가진 물질 및 두께를 보셀(voxel)로 표현한다.

한편, CT장비는 사람의 인체 내부를 검사하기 위한 의료용 CT장비가 있으며, 의료용 CT장비에 비해 반도체의 접합부위 등 미세한 부분을 고해상도로 관측하기 위해 고배율의 영상을 획득하기 위한 공업용 CT장비가 있다.

이와 같은 종래의 공업용 CT장비는 고배율의 영상을 획득하기 위해 다음과 같은 조건을 만족해야 한다. 첫째, 전극에서 발산되는 관전류(beam current)가 애노드 타겟(target)에 집속되는 포컬 스폿(focal spot) 사이즈가 작아야 하고, 둘째, 균일한 X선의 선량과, 셋째, 균일한 스폿 포인트가 확보되어야 한다.

특히, 상기 조건 들 중, 두 번째 조건인 균일한 X선의 선량을 구현하기 위해서는 애노드 타겟의 수명이 중요한 변수로 작용한다. 이와 같은 애노드 타겟의 수명에 영향을 미치는 인자로 포컷 스폿의 사이즈와 관전류를 들 수 있다. 포컷 스폿은 사이즈가 작을 수록 X선 공간 해상도가 높아지므로 고배율의 영상을 수집할 수 있다. 하지만, 포컷 스폿 사이즈가 작을 수록 단위면적당 전자의 개수가 늘어남에 따라 열집중도가 높아지므로 타겟이 고온에 노출됨에 따라 그 수명이 짧아지게 된다. 또한 동일한 포컬 스폿 사이즈라 하더라도 전력(관전류 및 관전압)의 양이 많아지면 이 또한 타겟의 수명을 단축시키게 된다. 이로 인해 마이크로 클로즈 X선 선원에서는 미소 초점을 유지하며 고선량을 출력하는데 한계가 있었다.

또한, 세 번째 조건인 균일한 스폿 포인트를 얻기 위해서는 고압 컨덕터의 재질 및 냉각구조가 중요한 변수가 된다. 도 1을 참고하면, 종래 X선 튜브장치(100)는 전극(105)으로부터 발생하는 관전류가 타겟(103)에 집속되면서 타겟(103)으로부터 X선이 발생하는데, 이 과정에서 많은 열이 발생하게 된다. 이 열은 타겟(103)으로부터 고압 컨덕터(101)로 전달되고 이 열을 흡수한 고압 컨덕터(101)는 상하 길이방향으로 소정 길이만큼 팽창하게 된다.

이로 인해 고압 컨덕터(101)의 일부에 고정 설치되는 타겟(103)은 고압 컨덕터(101)의 팽창에 의해 피투과체(107)의 위치가 변경되고, 이에 따라 변경 전 X선 투과상의 위치(108)로부터 일측으로 쉬프트된 위치(109)로 변경된다. 결국 이러한 X선 투과상의 위치가 변동됨에 따라 CT 알고리즘에서의 중심위치도 함께 변화하게 된다. 따라서 종래기술을 통해서는 우수한 품질의 고해상도 디텍터 및 작은 포컬 스폿 사이즈를 가진 X선 튜브장치를 구비하더라도 고품질의 영상을 획득할 수 없는 문제가 있었다.

상기 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 애노드 타겟에 집속되는 관전류에 의해 발생하는 많은 열을 신속하게 분산시켜 애노드 타겟을 효율적으로 냉각시키고, 고압 컨덕터가 팽창을 방지함으로써 포컬 스팟 포인트의 위치를 균일하게 유지할 수 있는 X선 튜브장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 내부에 절연유가 장입된 튜브 하우징; 상기 튜브 하우징에 일부가 삽입되며 일부가 진공부에 속하고 나머지 부분이 상기 절연유와 접촉되는 고압 컨덕터(H/V conductor); 상기 진공부에 속하는 상기 고압 컨덕터의 경사면에 고정된 타겟 베이스; 및 상기 타겟 베이스의 상면에 밀착 고정된 애노드 타겟;을 포함하며, 상기 타겟 베이스는 상기 애노드 타겟보다 녹는점이 높고 상기 고압 컨덕터보다 열전도율이 높은 재질로 이루어지며, 상기 고압 컨덕터는 내측을 따라 상기 절연유가 유입되는 장홈을 형성하고, 상기 장홈의 내주면에 상기 타겟 베이스의 저면과 접하는 열흡수층이 코팅되는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치를 제공한다.

상기 애노드 타겟은 박막의 디스크 형상으로 이루어지며, 상기 타겟 베이스는 상기 타겟의 면적보다 더 큰 면적을 가지는 디스크 형상으로 이루어질 수 있다.

상기 타겟은 텅스텐, 몰리브덴, 구리, 금 및 Re.W(레늄텅스텐) 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 타겟 베이스는 다이아몬드로 이루어지는 것이 바람직하다.

상기 고압 컨덕터는 재질이 구리로 이루어질 수 있다.

또한 상기 고압 컨덕터는 상기 타겟의 열팽창계수보다 작거나 같은 열팽창계수를 가지는 재질 예를 들면, 다이아몬드, 세라믹, 쿼츠(quartz) 및 글래스 중 어느 하나로 이루어지는 것도 가능하다.

이 경우 세라믹, 쿼츠 및 글래스의 표면은 통전 가능한 물질 예를 들면, 텅스텐, 구리 및 은 등으로 코팅을 하는 것이 바람직하다.

상기 열흡수층은 다이아몬드, 구리, 은 및 흑연 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.

상기 열흡수층은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 형성할 수 있다.

상기 튜브 하우징은 상기 고압 컨덕터로부터 절연유로 전달되는 열을 외부로 발산하기 위해 다수의 방열핀을 구비한 방열부재를 더 포함할 수 있다. 이 경우 상기 방열부재의 일측에 설치되어 방열부재를 강제 냉각하는 냉각팬을 더 포함할 수 있다.

상기 고압 컨덕터를 지지하는 절연커버는 연결링에 의해 상기 고압 컨덕터와 연결되며, 상기 연결링은 상기 절연커버와 접합이 가능한 열패창 계수를 가지는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 절연커버의 재질은 세라믹 또는 글래스이며, 상기 연결링의 재질은 코바(kovar) 합금으로 이루어질 수 있다.

상기한 바와 같이 본 발명에 있어서는, 애노드 타겟에서 발생하는 다량의 고열을 열전도율과 녹는점이 매우 높은 타겟 베이스를 통해 흡수함으로써 애노드 타겟을 효과적으로 냉각할 수 있다. 이에 따라 애노드 타겟은 X선 튜브장치를 장기간 사용할 경우 애노드 타겟의 포컬 스폿 포인트에 대응하는 부분이 열집중으로 인해 파손되는 것을 방지하는 것은 물론, 애노드 타겟의 수명을 연장시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 애노드 타겟에서 발생된 열을 타겟 베이스를 통해 장홈 내주면의 열흡수층으로 신속하게 분산시킨 후, 열흡수층에 존재하는 열은 다시 절연유로 흡수됨에 따라 고압 컨덕터를 효과적으로 냉각시킬 수 있다. 이에 따라 본 발명에 적용되는 고압 컨덕터는 종래에 비해 열팽창이 현저히 줄어들기 때문에 애노드 타겟의 위치 변경을 최대한 억제함으로써 포컬 스폿 포인트의 변경을 최소화할 수 있다.

도 1은 종래의 X선 튜브장치의 고압 컨덕터가 팽창함에 따라 포컬 스폿 포인트가 변경되고, X선 투과상의 위치가 변경되는 것을 보여주는 개략도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 튜브장치를 나타내는 개략단면도,
도 3은 도 2에 표시된 Ⅲ부분을 나타내는 확대도,
도 4는 도 3에 표시된 Ⅳ방향에서 바라본 도면,
도 5는 타겟 베이스가 애노드 타겟보다 더 큰 면적을 가지는 예를 나타내는 도면,
도 6은 도 2에 도시된 튜브 하우징에 공랭식 냉각수단이 설치된 예를 나타내는 단면도,
도 7은 및 도 8은 도 2에 도시된 튜브 하우징에 수냉/유냉식 냉각수단이 설치된 다양한 예를 나타내는 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 튜브장치의 구성을 설명한다.

도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 튜브장치는 튜브 하우징(10), 전극(20), 고압 컨덕터(30), 애노드(anode) 타겟(40) 및 타겟 베이스(50)를 포함한다.

튜브 하우징(10)은 내측에 절연유(14)가 장입되며, 이 절연유(14)를 통해 고압 컨덕터(30)에서 발생하는 고압전류가 X선 튜브장치(1) 외측으로 전가되는 것을 방지한다. 또한 절연유(14)는 고압 컨덕터(30)의 일부와 접촉하면서 고압 컨덕터(30)를 냉각하는 역할도 한다.

또한 튜브 하우징(10)은 일부가 튜브 하우징(10)으로 인입되는 고압 컨덕터(30)를 지지하기 위한 절연커버(11)가 튜브 하우징(10) 내측에 설치된다. 절연커버(11)는 제1 연결링(12)을 통해 고압 컨덕터(30)와 전기적으로 절연되며, 고압 컨덕터(30)에 흐르는 고압전류와 그라운드에 해당하는 튜브 하우징(10)을 상호 절연한다. 이와 같은 절연커버(11)는 절연효과를 극대화하기 위해 글라스 또는 세라믹으로 형성하는 것이 바람직하다.

제1 연결링(12)은 절연커버(11)와 접합이 가능한 정도의 열팽창 계수를 가지며, 절연커버(11)와 고압 컨덕터(30) 사이에서 발생하는 열팽창에 의한 충격을 완화시킬 수 있는 코바(Kovar) 합금으로 이루어진다. 이 경우 고압 컨덕터(30)는 고 열전도율을 가지는 재질 예를 들면, 구리, 은, 흑연 또는 다이아몬드로 이루어진다.

더욱이, 튜브 하우징(10)은 상측 일부에 고압 컨덕터(30)가 관통할 수 있도록 개구(13)가 형성되고, 이 개구(13)에는 고압 컨덕터(30) 상측을 감싸는 외부커버(15)가 결합된다.

외부커버(15)는 하단에 제2 연결링(17)을 통해 절연커버(11)와 결합된다. 이 경우 외부커버(15)는 수직으로 배치된 고압 컨덕터(30)의 상부를 둘러싸며, 외부커버(15)의 상단부에는 애노드 타겟(40)에서 방사되는 X선이 투과하는 윈도우(15a)가 배치된다. 윈도우(15a)는 X선의 투과율을 높이기 위해 베릴륨(beryllium)으로 형성되는 것이 바람직하다.

한편, 상호 결합된 절연커버(11)와 외부커버(15)는 내측에 진공부(18)를 형성하며, 이러한 진공부(18)는 1×10E-6torr 이하의 고 진공상태를 유지함으로써 절연파괴강도가 높은 절연체의 역할을 한다. 또한 진공부(18)는 고압 컨덕터(30)로부터 절연커버(11)나 외부커버(15)로 열복사가 이루어진다.

전극(20)은 고압 컨덕터(30)에 대하여 대략 직각으로 배치되도록 외부커버(15)의 일측에 수평으로 설치된다. 이러한 전극(20)은 관전류를 발생하고 이 관전류를 애노드 타겟(40)에 집속시킨다.

상기 전극(20)은 다음과 같은 구성 즉, 외부로부터 전원을 인가받아 히팅됨으로써 전자를 발생시키는 캐소드 필라멘트(cathode filament)(21)와, 캐소드 필라멘트(21)에서 발생한 전자의 양을 조절하는 그리드(grid) 전극(23)과, 캐소드 필라멘트(21)에서 발생한 전자를 애노드 타겟(40)으로 집속시키는 포커스(focus) 전극(25)과, 전극 커버(27)를 각각 포함한다. 이 경우, 전극 커버(27)는 내측에 캐소드 필라멘트(21), 그리드 전극(23) 및 포커스 전극(25)을 포함하며, 내측은 진공상태를 유지한다.

고압 컨덕터(30)는 대략 봉형상으로 이루어지며, 상단에 애노드 타겟(40) 및 타겟 베이스(50)가 적층 배치되는 경사면(31)이 형성된다. 이러한 고압 컨덕터(30)는 직접 접촉하는 타겟 베이스(50)로부터 열의 흡수가 가능하도록 비교적 열전도율이 높은 구리(Cu)로 제작될 수 있다. 이 경우 고압 컨덕터(30)의 재질은 구리에 한정되지 않고 열팽창계수가 낮은 재질 예를 들면, 세라믹, 쿼츠(quartz), 글래스 및 다이아몬드 중 어느 하나로 이루어지는 것도 물론 가능하다.

또한 고압 컨덕터(30)는 고압전극(33)과 접속된 하단부가 절연커버(11)의 외부로 노출됨에 따라 튜브 하우징(10)에 장입되어 있는 절연유(14)와 접촉된다. 이에 따라 고압 컨덕터(30)는 고압 컨덕터(30) 보다 낮은 온도를 유지하는 절연유(14)와의 접촉을 통해 냉각된다.

한편, 고압 컨덕터(30)는 상기한 바와 같이 고 열팽창성을 갖는 구리로 이루어지는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되지 않고 타겟(40)의 열팽창계수보다 작거나 같은 열팽창계수를 가지는 재질 예를 들면, 타겟(40)의 재질과 동일한 텅스텐으로 이루어지는 것도 물론 가능하다.

이와 같이 고압 컨덕터(30)가 텅스텐으로 이루어지는 경우, Cu로 형성되는 경우에 비해 고압 컨덕터(30)가 열팽창되는 현상을 크게 줄일 수 있으므로, 애노드 타겟(40)의 포컬 스폿 포인트가 변경되는 것을 방지할 수 있다.

더욱이, 고압 컨덕터(30)는 내측으로 길이방향을 따라 절연유(14)가 유입될 수 있도록 장홈(35)을 형성하여, 고압 컨덕터(30)가 절연유(14)와 접촉할 수 있는 면적을 늘려 고압 컨덕터(30)의 냉각효율을 높일 수 있다.

이 경우, 장홈(35)은 내주면에 CVD(chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 소정 두께의 열흡수층(37)이 코팅 형성될 수 있다.

열흡수층(37)은 일부(37a)가 타겟 베이스(50)의 저면과 접촉하며, 이에 따라 열흡수층(37)의 일부(37a)를 통해 타겟 베이스(50)의 고열을 흡수하여 전체 열흡수층(37)으로 분산시킴에 따라 애노드 타겟(40)에 가해지는 열충격을 크게 줄일 수 있다.

이와 같은 열흡수층(37)은 열전도율이 높은 다이아몬드, 구리, 은 및 흑연 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.

애노드 타겟(40)은 얇은 두께 예를 들면, 미소 초점용으로 적합한 10㎛ 이하의 두께를 가지는 디스크 형상으로 이루어지며, 고압 컨덕터(30)의 경사면(31)에 배치된 타겟 베이스(50) 상에 고정된다. 이와 같은 애노드 타겟(40)은 X선의 효율이 타겟의 원자번호가 높을수록 효율이 높아지는 것을 고려하여 원자번호 및 녹는점이 높은 텅스텐(W)(원자번호: 75, 녹는점: 3450℃)으로 형성한다. 이 경우 텅스텐 이외에 몰리브덴, 구리, 금, Re.W(리늄텅스텐) 중 어느 하나를 사용하는 것도 가능하다.

타겟 베이스(50)는, 도 3 및 도 4와 같이, 고압 컨덕터(30)의 경사면(31)에 접촉된 상태로 고정 설치되며 대략 디스크 형상으로 이루어진다. 이러한 타겟 베이스(50)는 관전류가 애노드 타겟(40)에 집속되면서 X선이 발생할 때 발생하는 많은 열을 신속하게 흡수할 수 있도록 열전도율이 높고 녹는점이 애노드 타겟(40) 보다 높은 재질 예를 들면, 다이아몬드로 이루어지는 것이 바람직하다.

이 경우, 타겟 베이스(50)는 고열이 발생되는 지점의 수직방향 즉, 애노드 타겟(40)의 저면에 배치함으로써(도 3 참고) 열집중부위의 표면적을 넓힐 수 있다. 이에 따라 애노드 타겟(40)에 집중되는 열을 신속하게 분산시켜 애노드 타겟(40)의 냉각효율을 높임으로써 열집중으로 인한 애노드 타겟(40)의 수명을 단축을 방지할 수 있다.

아울러, 도 5와 같이, 타겟 베이스(51)는 애노드 타겟(40) 보다 더 큰 직경으로 형성할 수 있으며, 이 경우 애노드 타겟(40)과 직경이 같은 경우에 비해 열분포 면적을 늘릴 수 있어 애노드 타겟(40)의 냉각효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 튜브장치(1)는 튜브 하우징(10) 내측에 장입된 절연유(14)를 냉각시키기 위한 냉각수단을 구비할 수 있다. 이 경우 냉각수단은 공랭식 냉각수단 및 수냉/유냉식 냉각수단 중 어느 하나를 적용할 수 있다.

먼저, 도 6을 참조하면, 공랭식 냉각수단은 방열부재(71) 및 냉각팬(73)으로 이루어질 수 있다. 방열부재(71)는 튜브 하우징(10)의 측면부에 적어도 1이상 설치되며, 열전도율이 높은 금속 예를 들면 Cu 또는 Al로 이루어진다.

이러한 방열부재(71)는 다수의 방열핀을 구비하는 것이 바람직하다. 하지만 방열부재(71)는 이러한 형상에 제한되지 않고 히트 파이프(미도시)로 제작하는 것도 물론 가능하다.

냉각팬(73)은 방열부재(71)로 흡수된 열을 강제 배출하여 방열부재(71)를 강제 냉각시키기 위한 것으로 방열부재(71)의 일측면에 접하도록 배치된다.

또한, 도 7을 참고하면, 수냉식 냉각수단은 냉매 순환장치(80)와 냉매(통상의 냉매 물질 또는 냉수)의 유로(81)를 튜브 하우징(10)의 측면부에 접촉하도록 설치하여 절연유(14)를 냉각할 수 있다. 이 경우 유로(81)는 통상의 파이프 형상으로 이루어진다.

한편 도면에 도시하지는 않았으나 튜브 하우징(10)의 측면부 뿐만 아니라 튜브 하우징(10)이 원통으로 이루어질 경우, 유로(81)를 튜브 하우징(10)의 외주를 따라 나선 방향으로 연속적으로 접촉되도록 설치하는 것도 가능하다.

이러한 수냉식 냉각수단의 경우, 도 8과 같이, 튜브 하우징(10)의 측면부와 파이프(81) 사이에 방열부재(71)를 상호 접촉하도록 설치하는 것도 물론 가능하다.

이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 X선 튜브장치는 애노드 타겟(40)의 작은 사이즈의 포컬 스폿 포인트에 집속되는 관전류에 의해 발생하는 다량의 고열을 열전도율과 녹는점이 매우 높은 타겟 베이스(50)를 통해 흡수함으로써 애노드 타겟(40)을 냉각할 수 있다. 이에 따라 애노드 타겟(40)은 X선 튜브장치(1)를 장기간 사용함에 따라 애노드 타겟(40)의 포컬 스폿 포인트에 대응하는 부분이 열집중으로 인해 파손되는 것을 방지하는 것은 물론, 애노드 타겟(40)의 수명을 연장시킬 수 있다.

또한, 애노드 타겟(40)에서 발생된 열은 타겟 베이스(50)를 통해 장홈(35) 내주면의 열흡수층(37)으로 신속하게 분산된 후, 열흡수층(37)에 접촉된 절연유(14)로 순차 흡수됨에 따라 고압 컨덕터(30)를 효과적으로 냉각시킬 수 있다. 이와 같은 냉각구조를 통해 고압 컨덕터(30)는 종래에 비해 열팽창이 현저히 줄어들어 애노드 타겟(40)의 위치가 변경되는 것을 최대한 억제시킬 수 있다. 따라서 애노드 타겟(40)에 설정되는 포컬 스폿 포인트의 변경을 최대한 억제할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 가능함은 물론이다.

10: 튜브 하우징 11: 절연커버
14: 절연유 15: 외부커버
18: 진공부 20: 전극
30: 고압 컨덕터 35: 장홈
37: 열흡수층 40: 애노드 타겟
50: 타겟 베이스 71: 방열부재
73: 냉각팬 80: 냉매 순환장치
81: 냉매 유로

Claims

내부에 절연유가 장입된 튜브 하우징;
상기 튜브 하우징에 일부가 삽입되며, 일부가 진공부에 속하고 나머지 부분이 상기 절연유와 접촉되는 고압 컨덕터(H/V conductor);
상기 진공부에 속하는 상기 고압 컨덕터의 경사면에 고정된 타겟 베이스; 및
상기 타겟 베이스의 상면에 밀착 고정된 애노드 타겟;를 포함하며,
상기 타겟 베이스는 상기 애노드 타겟보다 녹는점이 높고 상기 고압 컨덕터보다 열전도율이 높은 재질로 이루어지며,
상기 고압 컨덕터는 내측을 따라 상기 절연유가 유입되는 장홈을 형성하고, 상기 장홈의 내주면에 상기 타겟 베이스의 저면과 접하는 열흡수층이 코팅되고,
상기 타겟은 텅스텐, 몰리브덴, 구리, 금, Re.W(리늄텅스텐) 중 어느 하나로 이루어지고, 상기 타겟 베이스는 다이아몬드로 이루어지며,
상기 고압 컨덕터는 상기 타겟의 열팽창계수보다 작거나 같은 열팽창계수를 가지는 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제1항에 있어서, 상기 애노드 타겟은 박막의 디스크 형상으로 이루어지며, 상기 타겟 베이스는 상기 타겟의 면적보다 더 큰 면적을 가지는 디스크 형상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
삭제
제1항에 있어서, 상기 고압 컨덕터는 재질이 구리인 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
삭제
제1항에 있어서, 상기 고압 컨덕터는 다이아몬드, 세라믹, 쿼츠(quartz) 및 글래스 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제6항에 있어서, 상기 고압 컨턱터는 표면에 통전 가능한 물질로 코팅되는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제7항에 있어서, 상기 통전 가능한 물질은 텅스텐, 구리 및 은 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제1항에 있어서, 상기 열흡수층은 다이아몬드, 구리, 은 및 흑연 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제9항에 있어서, 상기 열흡수층은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제9항에 있어서, 상기 튜브 하우징은 상기 고압 컨덕터로부터 절연유로 전달되는 열을 외부로 발산하기 위해 다수의 방열핀을 구비한 방열부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제11항에 있어서, 상기 방열부재는 일측에 설치되는 냉각팬을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제1항에 있어서, 상기 고압 컨덕터를 지지하는 절연커버는 연결링에 의해 상기 고압 컨덕터와 연결되며,
상기 연결링은 상기 절연커버와 접합이 가능한 열팽창 계수를 가지는 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.
제13항에 있어서, 상기 절연커버의 재질은 세라믹 또는 글래스이며,
상기 연결링의 재질은 코바(kovar) 합금인 것을 특징으로 하는 X선 튜브장치.