Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR101104034B1 - 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법 - Google Patents

발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101104034B1
KR101104034B1 KR20070126195A KR20070126195A KR101104034B1 KR 101104034 B1 KR101104034 B1 KR 101104034B1 KR 20070126195 A KR20070126195 A KR 20070126195A KR 20070126195 A KR20070126195 A KR 20070126195A KR 101104034 B1 KR101104034 B1 KR 101104034B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
light emitting
emitting diode
frame structure
hole
Prior art date
Application number
KR20070126195A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090059370A (ko
Inventor
박동욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR20070126195A priority Critical patent/KR101104034B1/ko
Priority to US12/328,431 priority patent/US9343634B2/en
Publication of KR20090059370A publication Critical patent/KR20090059370A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101104034B1 publication Critical patent/KR101104034B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명의 실시 예는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드는, 기판; 상기 기판 위에 탑재된 발광다이오드 칩; 상기 기판 위에 결합되며, 상기 발광다이오드 칩의 둘레를 커버하는 반사체를 포함한다.
LED, 기판, 반사체

Description

발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법{Lighting emitting diode, Lighting Emitting Apparatus and fabrication method thereof}
본 발명의 실시 예는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성할 수 있다.
이러한 발광다이오드는 패키지화되어 다양한 색을 방출하는 발광 장치로 이용되고 있으며, 상기 발광 장치는 칼라를 표시하는 점등 표시기, 문자 표시기 및 영상 표시기 등의 다양한 분야에 광원으로 사용되고 있다.
본 발명의 실시 예는 기판 위의 칩 둘레에 소정 형상의 반사 측벽을 갖는 반사체를 결합시켜 줄 수 있도록 한 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 어레이 형태의 반사체를 기판 위에 탑재한 후, 각 반사체 내부의 기판 위에 LED 칩을 각각 탑재시켜 줄 수 있는 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드는, 기판; 상기 기판 위에 탑재된 발광다이오드 칩; 상기 기판 위에 결합되며, 상기 발광다이오드 칩의 둘레를 커버하는 반사체를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드 제조방법은 기판 위에 내부가 개방된 반사체를 결합하는 단계; 상기 반사체 내부의 상기 기판 위에 발광다이오드 칩을 탑재하는 단계; 상기 반사체 내부를 광투과성 수지물로 몰딩하는 단계를 포함한다.
또한, 실시예에 따른 발광 장치는 상면과 하면을 관통하는 홀을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 리드 프레임; 상기 기판 상에 배치되는 발광 다이오드 칩; 및 상기 기판 상에 배치되는 프레임 구조체;를 포함하고, 상기 프레임 구조체는 상기 발광 다이오드 칩이 배치되도록 내부 구멍이 형성된 벽 프레임; 상기 벽 프레임 하부에서 상기 기판과 평행한 방향으로 연장되어 형성된 베이스 프레임; 및 상기 베이스 프레임에서 상기 기판 방향으로 돌출되어 형성되며 상기 기판의 홀에 결합되는 핀;을 포함하고, 상기 기판의 홀은 상기 기판의 내부에 형성될 수 있다. 또한, 실시예에 따른 발광 장치는 회로패턴, 그리고 상면부터 하면까지 관통하는 홀을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 발광다이오드 칩; 상기 기판 위에 결합되며, 상기 발광다이오드 칩의 둘레를 둘러싸는 프레임 구조체; 및 상기 발광다이오드 칩을 덮으며, 상기 프레임 구조체의 상면과 접촉하는 렌즈;를 포함하며, 상기 프레임 구조체는, 상면부터 하면까지 관통하는 개구부를 가지며, 상기 개구부와 대응하는 형상을 가지는 측면부, 상기 기판의 상면과 평행하게 상기 측면부의 일부로부터 연장되는 지지부, 그리고 상기 지지부로부터 돌출되어 상기 기판의 홀에 삽입되는 결합부를 포함하며, 상기 프레임 구조체는 일체형으로 형성되며, 상기 측면부의 내측 상단 둘레에는 내측으로 돌출된 스토퍼를 포함하고, 상기 스토퍼는 상기 렌즈의 하단 둘레를 지지하여 상기 렌즈의 하단 둘레가 상기 프레임 구조체의 측면부와 접촉할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 반사체와 기판의 조립 구조를 통해 제조 공정이 간단한 효과가 있다.
또한 방열 특성 및 광 효율이 개선될 수 있다.
또한 기판 위에 어레이 형태의 반사 구조물을 배치하여, 모듈 제작에 따른 생산성 향상을 기대할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 측 단면도이고, 도 2는 도 1의 사시도이며, 도 3은 반사체의 사시도이고, 도 4는 도 3의 A-A' 측 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(110) 및 반사체(150), 발광 다이오드 칩(130), 그리고 광투과성 수지물(180)을 포함한다.
상기 기판(110)은 메탈 PCB, 플렉시블 PCB, CEM 계열 PCB, FR 계열 PCB 중 어느 하나를 이용하여 사용될 수 있으며, 상기 발광 다이오드 칩(130)을 다이 본딩할 수 있는 구조로 제공될 수 있다. 또한 상기 기판(110)은 방열 특성을 고려하여 칩 탑재 영역이 금속 재질로 이루어진 히트 슬러그 타입(Heat slug type)의 PCB을 이용할 수도 있다.
이러한 기판(110)에는 복수개의 리드 프레임(113,114)이 형성되며, 상기 리드 프레임(113,114)의 본딩 영역과 칩 탑재 영역 이외에는 반사 물질(115) 예컨대, PSR잉크가 코팅되어 있어서, 광 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 반사체(150)는 벽 프레임(151) 및 베이스 프레임(153)으로 이루어지며, 상기 베이스 프레임(153)은 기판(110) 위에서 벽 프레임(151)을 지지하고, 상기 벽 프레임(151)은 내부 구멍(155)이 원형 또는 다각형 형상으로 형성되고 발광 다이오드 칩(130)으로부터 방출된 광을 반사시켜 준다. 여기서, 상기 반사체(150)의 구조는 베이스 프레임(153)과 벽 프레임(151)의 구조를 포함하는 것으로 도시되었으나, 그 기술적 범위 내에서 다양한 구조 및 크기로 변경될 수 있다.
도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 반사체(150)의 벽 프레임(151)의 내부는 구멍(155)이 형성되고, 상기 베이스 프레임(153)에는 복수개의 핀(157)이 형성되며, 상기 각 핀(157)에 대응되는 위치의 기판(110)에는 핀 구멍(117)이 형성된다. 이러한 반사체(150)의 핀(157)은 상기 기판(110)의 핀 구멍(117)에 결합되며, 상기 핀(117)의 끝단(159)을 열 가압을 통해 고정시켜 준다.
여기서, 반사체(150)의 핀(157) 형상은 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 또한 반사체(150)와 기판(110)의 결합 방식은 핀(157)과 핀 구멍(117) 방식뿐만 아니라, 나사 체결 방식, 접착제 또는 점착제 등을 이용한 부착 구조로도 이용할 수 있다.
상기 벽 프레임(151)은 베이스 프레임(153)으로부터 거의 수직하게 사출 성형된다. 여기서 상기 반사체(150)는 백색 반사 재질 예컨대, PPA(Polyphthalamide) 수지 등을 이용하여 사출 성형될 수 있다. 여기서, 상기 베이스 프레임(153)은 기판(110) 상면 일부를 노출시키는 크기 또는 기판(110) 상면을 모두 커버할 수 있는 크기로 형성될 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩(130)은 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩 등의 유색 LED 칩과 자외선(UV) LED 칩을 선택적으로 이용하여 적어도 하나를 포함한다. 이러한 발광 다이오드 칩(130)은 기판(110) 위의 어느 한 리드 프레임(113)에 부착하고, 와이어(132) 또는 플립 방식으로 본딩하게 된다.
상기 수지물(180)은 광투과성 재질 예컨대, 실리콘 또는 에폭시 재질을 사용할 수 있으며, 상기 수지물(180)에는 LED 칩의 컬러에 혼색할 수 있는 형광체를 첨가할 수 있다.
도 7 내지 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 제조과정을 나타낸 도면들이다.
도 7을 참조하면, 기판(110)에는 서로 오픈된 복수개의 리드 프레임(113,114)이 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 기판(110)은 메탈 PCB, 플렉시블 PCB, CEM 계열 PCB, FR 계열 PCB, 히트 슬러그 타입의 PCB 중에서 어느 하나로 이용할 수 있다. 상기 리드 프레임(113,114)의 본딩 영역과 칩 탑재 영역 이외의 영역에는 반사 물질(115) 예컨대, PSR 잉크가 소정 두께로 도포될 수 있다. 이러한 기판(110) 위에서 칩의 본딩 영역이 단차지게 형성될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 상기 기판(110)의 외측에는 핀 구멍(117)이 형성되어 있으며, 상기 핀 구멍(117)이 형성될 각각의 리드 프레임(113,114) 영역은 미리 오픈시켜 주어, 핀 구멍(117)의 형성시 단락이나 누전(Leakage) 등의 발생 가능성을 방지할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 기판(110) 위에는 반사체(150)가 배치된다. 이때 반사체(150)의 하부에 형성된 핀(157)은 기판(110)에 형성된 핀 구멍(117)이 서로 대응 되게 위치하게 된다. 상기 기판(110)의 핀 구멍(117)과 반사체(150)의 핀(157)은 서로 대응되는 형상 예컨대, 원형 또는 다각형 형상으로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 기판(110)의 핀 구멍(117)으로 반사체(150)의 핀(157)을 결합시킨 후, 상기 반사체(150)의 핀 끝단(159)을 열 가압함으로써, 상기 반사체(150)의 끝단(159)이 확장된 상태로 기판(110)에 가압, 고정된다. 이때 상기 반사체(150)의 지지 프레임(153)과 기판(110) 사이에는 접착제 또는 점착제 등을 이용하여 견고하게 밀착시켜 줄 수도 있다.
도 9를 참조하면, 상기 반사체(150)가 기판(110) 위에 결합되면, 반사체(150)의 내부 구멍(155)을 통해 발광 다이오드 칩(130)을 기판(110) 위에 배치하고, 발광 다이오드 칩(130)을 기판(110) 위에 다이 본딩하며, 와이어(132)로 적어도 한 리드 프레임에 본딩시켜 준다. 상기 반사체(150)의 벽 프레임(151) 내부의 기판(110) 위에는 광투과성 수지물(180)이 몰딩된다. 상기 광 투과성 수지물(180)은 에폭시 또는 실리콘 수지 재료를 이용될 수 있으며, 상기 광 투과성 수지물(180)에 형광체가 첨가될 수도 있다. 여기서, 기판(110) 위에 반사체(150)를 결합한 후 발광 다이오드 칩(130)을 탑재할 수 있고, 또는 발광 다이오드 칩(130)을 탑재한 다음 반사체(150)를 결합할 수도 있다. 상기 광 투과성 수지물(180)의 표면은 플랫한 형태, 오목렌즈 형태, 볼록 렌즈 형태 중에서 선택적으로 형성될 수 있으며, 이러한 표면으로 한정하지는 않는다.
도 10은 제 1실시 예의 변형 예로서, 발광 다이오드의 수지물(180) 위에는 렌즈(182)가 배치될 수 있다. 이를 위해, 상기 반사체(150)의 벽 프레임(151)의 내측 상단 둘레에는 내측으로 돌출된 스토퍼(161)가 형성되며, 상기 스토퍼(161)는 상기 수지물(180) 위에 배치되는 볼록 렌즈(182)의 하단 둘레를 지지하게 된다.
도 11은 본 발명의 제 1실시 예에 있어서, 복수개의 반사체(150~150n)를 어레이 구조로 사출 성형한 후 기판(110) 위에 일체로 결합시켜 줄 수 있다. 이에 따라 복수개의 발광 다이오드 어레이를 제공할 수 있다.
이러한 발광 다이오드는 기판과 반사체의 결합 방식으로 제조됨으로써, 간단하게 제조할 수 있다. 또한 기판 종류를 다양하게 적용할 수 있어, 방열 특성이 우수한 기판을 이용할 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드를 나타낸 단면도.
도 2는 도 1의 사시도.
도 3은 도 1의 반사체 구조를 나타낸 사시도.
도 4는 도 3의 A-A' 단면도.
도 5내지 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광다이오드 제조과정을 나타낸 도면.
도 10은 본 발명의 제 1실시 예의 변형 예로서, 렌즈를 갖는 발광 다이오드의 단면도.
도 11은 본 발명의 제 1실시 예에 있어서, 반사체 어레이 구조를 나타낸 사시도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 발광 다이오드 110 : 기판
113,114 : 리드 프레임 115 : 반사 물질
117 : 핀 구멍 130 : 발광 다이오드 칩
132 : 와이어 150 : 반사체
151 : 벽 프레임 154 : 지지 프레임
155 : 구멍 180 : 수지물

Claims (15)

  1. 상면과 하면을 관통하는 홀을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 리드 프레임;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 다이오드 칩; 및
    상기 기판 상에 배치되는 프레임 구조체;를 포함하고,
    상기 프레임 구조체는
    상기 발광 다이오드 칩이 배치되도록 내부 구멍이 형성된 벽 프레임;
    상기 벽 프레임 하부에서 상기 기판과 평행한 방향으로 연장되어 형성된 베이스 프레임; 및
    상기 베이스 프레임에서 상기 기판 방향으로 돌출되어 형성되며 상기 기판의 홀에 결합되는 핀;을 포함하고,
    상기 기판의 홀은 상기 기판의 내측에 형성되어 상기 기판의 외측면에 노출되지 않는 발광 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 적어도 하나의 유색 LED 칩 및 UV LED 칩을 선택적으로 포함하는 발광장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩 위에 배치되고 상기 프레임 구조체에 접촉된 렌즈를 포함하는 발광장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 홀을 관통하여 결합되는 상기 베이스 프레임의 핀의 하부 끝단의 수평 단면은 상기 기판의 홀의 수평 단면보다 넓은 발광장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 프레임 구조체는 PPA 수지를 이용하여 원형 또는 다각형으로 형성되며,
    상기 프레임 구조체의 벽 프레임은 상기 기판에 수직한 축을 기준으로 바깥 방향으로 경사지게 형성되는 발광장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 위에 복수개의 프레임 구조체가 어레이 형태로 결합되는 발광장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 메탈 PCB, 플렉시블 PCB, CEM 계열 PCB, FR 계열 PCB, 히트 슬러그 타입의 PCB 중 어느 하나의 PCB로 이루어지는 발광장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    하단 둘레가 상기 벽 프레임의 측면부에 접촉된 렌즈를 포함하는 발광장치.
  9. 회로패턴, 그리고 상면부터 하면까지 관통하는 홀을 포함하는 기판;
    상기 기판 위에 발광다이오드 칩;
    상기 기판 위에 결합되며, 상기 발광다이오드 칩의 둘레를 둘러싸는 프레임 구조체; 및
    상기 발광다이오드 칩을 덮으며, 상기 프레임 구조체의 상면과 접촉하는 렌즈;를 포함하며,
    상기 프레임 구조체는,
    상면부터 하면까지 관통하는 개구부를 가지며, 상기 개구부와 대응하는 형상을 가지는 측면부,
    상기 기판의 상면과 평행하게 상기 측면부의 일부로부터 연장되는 지지부, 그리고
    상기 지지부로부터 돌출되어 상기 기판의 홀에 삽입되는 결합부를 포함하며,
    상기 프레임 구조체는 일체형으로 형성되며,
    상기 측면부의 내측 상단 둘레에는 내측으로 돌출된 스토퍼를 포함하고, 상기 스토퍼는 상기 렌즈의 하단 둘레를 지지하여 상기 렌즈의 하단 둘레가 상기 프레임 구조체의 측면부와 접촉하는 발광 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 프레임 구조체는 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생하는 빛을 반사하는 반사물질로 형성되는 발광 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 결합부는 상기 기판을 통과하여 상기 기판의 하면에 노출되는 발광 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 기판의 상면과 평행하게 상기 프레임 구조체의 측면부의 바닥면으로부터 연장되어 상기 기판과 접촉하는 발광 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 측면부는 원형 또는 다각형으로 형성되며,
    상기 측면부의 내측면은 상기 기판에 수직한 축을 기준으로 경사지게 형성되는 발광 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 기판의 홀은 상기 기판의 상면으로부터 하면까지 관통하며, 상기 기판의 홀은 상기 기판의 내측에 형성되어 상기 기판의 외측면에 노출되지 않으며,
    상기 기판의 홀을 관통하여 결합되는 상기 결합부의 하부 끝단의 수평 단면은 상기 기판의 홀의 수평 단면보다 넓은 발광장치
  15. 제9항에 있어서,
    상기 발광 장치는, 상기 프레임 구조체 내에 광투과 수지재 또는 형광 물질을 포함하는 광투과 수지재를 더 포함하는 발광 장치.
KR20070126195A 2007-12-06 2007-12-06 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법 KR101104034B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070126195A KR101104034B1 (ko) 2007-12-06 2007-12-06 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
US12/328,431 US9343634B2 (en) 2007-12-06 2008-12-04 Light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20070126195A KR101104034B1 (ko) 2007-12-06 2007-12-06 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110100257A Division KR101327124B1 (ko) 2011-09-30 2011-09-30 발광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090059370A KR20090059370A (ko) 2009-06-11
KR101104034B1 true KR101104034B1 (ko) 2012-01-09

Family

ID=40721457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20070126195A KR101104034B1 (ko) 2007-12-06 2007-12-06 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9343634B2 (ko)
KR (1) KR101104034B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219193B1 (ko) * 2011-06-10 2013-01-09 주식회사 아모럭스 조명용 엘이디 구조체

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI411142B (zh) * 2009-06-23 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光裝置及其封裝方法
WO2011087168A1 (ko) * 2010-01-15 2011-07-21 삼성엘이디 주식회사 인쇄회로기판
JP5535750B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-02 ローム株式会社 発光素子モジュール
KR101259052B1 (ko) * 2011-03-30 2013-04-29 박재훈 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지, 방열 반사판을 구비한 발광다이오드 소자용 패키지 어셈블리 및 그 제조방법
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
KR101830717B1 (ko) * 2011-06-30 2018-02-21 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102011083691B4 (de) 2011-09-29 2020-03-12 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
CN108565329A (zh) * 2011-11-17 2018-09-21 株式会社流明斯 发光元件封装体以及包括该发光元件封装体的背光单元
TWI476345B (zh) * 2012-01-02 2015-03-11 Lite On Technology Corp Ｌｅｄ玻璃燈管
KR20130096094A (ko) 2012-02-21 2013-08-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102709443B (zh) * 2012-05-30 2014-12-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Led封装及其封装方法
CN103883927B (zh) * 2012-12-19 2017-12-26 深圳市中深光电有限公司 背光模组
EP2808912B1 (en) * 2013-05-27 2021-06-30 Rockwell Automation Switzerland GmbH Method for assembling a circuit carrier with a housing component, and an optical unit
USD780704S1 (en) * 2014-08-27 2017-03-07 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
USD768584S1 (en) * 2014-11-13 2016-10-11 Mitsubishi Electric Corporation Light source module
KR20170053750A (ko) * 2015-09-25 2017-05-17 (주)라이타이저코리아 삼차원 형광층 제조 장비
US10655805B2 (en) 2015-12-02 2020-05-19 Zyntony, Inc. Multi-element flexible strap light
JP7011302B2 (ja) * 2017-12-25 2022-01-26 丸茂電機株式会社 Ｌｅｄ光源装置、ｌｅｄ光源装置の製造方法およびスポットライト
TWI688127B (zh) * 2019-03-15 2020-03-11 致伸科技股份有限公司 半導體發光模組的封裝方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070075253A (ko) * 2006-01-10 2007-07-18 알티전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
KR100755086B1 (ko) * 2006-05-03 2007-09-03 삼화콘덴서공업주식회사 발광다이오드 패키지

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6502968B1 (en) * 1998-12-22 2003-01-07 Mannesmann Vdo Ag Printed circuit board having a light source
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US6429464B1 (en) * 2001-02-16 2002-08-06 Para Light Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP4258338B2 (ja) 2003-10-09 2009-04-30 日立電線株式会社 発光装置及び発光装置に用いる配線板、ならびに配線板の製造方法
JP4651008B2 (ja) 2005-02-01 2011-03-16 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
KR100631993B1 (ko) * 2005-07-20 2006-10-09 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR101144489B1 (ko) * 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
TWI300153B (en) * 2005-12-23 2008-08-21 Innolux Display Corp Led, scanning backlight and liquid crystal display
JP2007194519A (ja) 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュールとその製造方法
JP2008131012A (ja) 2006-11-24 2008-06-05 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070075253A (ko) * 2006-01-10 2007-07-18 알티전자 주식회사 고출력 발광 다이오드 패키지
KR100755086B1 (ko) * 2006-05-03 2007-09-03 삼화콘덴서공업주식회사 발광다이오드 패키지

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101219193B1 (ko) * 2011-06-10 2013-01-09 주식회사 아모럭스 조명용 엘이디 구조체

Also Published As

Publication number Publication date
US9343634B2 (en) 2016-05-17
KR20090059370A (ko) 2009-06-11
US20090147498A1 (en) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101104034B1 (ko) 발광다이오드, 발광장치 및 그 제조방법
US8525213B2 (en) Light emitting device having multiple cavities and light unit having the same
US8188498B2 (en) Light emitting device package
JP5160837B2 (ja) 発光装置及びその製造方法、ライトユニット
US7855391B2 (en) Lead frame and light emitting device package using the same
US20110198658A1 (en) Light emitting diode package and light unit having the same
JP5391468B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ
JP2011146709A (ja) 発光装置、照明システム
KR101805118B1 (ko) 발광소자패키지
KR20110125064A (ko) 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치
KR100648628B1 (ko) 발광 다이오드
KR20110103929A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101327124B1 (ko) 발광 장치
EP2813758B1 (en) Light emitting module
KR101941512B1 (ko) 발광소자 패키지
JP2006344717A (ja) 発光装置およびその製造方法
US8581278B2 (en) Light-emitting diode packaging structure
KR101911939B1 (ko) 발광소자 패키지
KR102287337B1 (ko) 광원 패키지 및 이를 장착한 백라이트 유닛
KR101503501B1 (ko) 발광장치
KR101824882B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101047676B1 (ko) 발광 장치 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20120137168A (ko) 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20110115320A (ko) 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템
KR102316037B1 (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141205

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151204

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161207

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171205

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181210

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191209

Year of fee payment: 9