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KR100961686B1 - 모델-기반 스캐너 튜닝을 수행하는 방법 - Google Patents

모델-기반 스캐너 튜닝을 수행하는 방법 Download PDF

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KR100961686B1
KR100961686B1 KR1020080082042A KR20080082042A KR100961686B1 KR 100961686 B1 KR100961686 B1 KR 100961686B1 KR 1020080082042 A KR1020080082042 A KR 1020080082042A KR 20080082042 A KR20080082042 A KR 20080082042A KR 100961686 B1 KR100961686 B1 KR 100961686B1
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준 예
유 카오
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Publication date
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Abstract

기준 리소그래피 시스템을 이용하여 제 1 리소그래피 시스템을 튜닝하는 모델-기반 튜닝 방법이 개시되며, 그 각각은 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 갖는다. 상기 방법은 테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계; 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계; 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계; 기준 리소그래피 시스템에 대응하는 이미징 결과들을 이용하여 이미징 모델을 캘리브레이션하는 단계- 상기 캘리브레이션된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -; 제 1 리소그래피 시스템에 대응하는 이미징 결과들을 이용하여 캘리브레이션된 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 캘리브레이션된 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및 파라미터 값들의 제 1 세트와 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 제 1 리소그래피 시스템의 파라미터들을 조정하는 단계를 포함한다.

Description

모델-기반 스캐너 튜닝을 수행하는 방법{A METHOD OF PERFORMING MODEL-BASED SCANNER TUNING}
본 발명의 기술 분야는, 일반적으로 다중 리소그래피 시스템들의 성능을 최적화하기 위해 모델-기반 스캐너 튜닝(model-based scanner tuning) 및 최적화를 수행하는 방법 및 프로그램 제품에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 예를 들어, 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 마스크는 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 포함할 수 있으며, 이 패턴은 방사선-감응재(레지스트)층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 이미징될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함할 것이다. 일 형태의 리소그래피 투영 장치에서는 전체 마스크 패턴을 타겟부 상으로 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되며; 이러한 장치는 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상적으로 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 칭해지는 대안적인 장치에서는 투영 빔 하에서 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적 으로 스캐닝하는 한편, 동시에 이 방향과 평행하게(같은 방향으로 평행하게) 또는 역-평행하게(반대 방향으로 평행하게) 기판 테이블을 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사된다. 일반적으로, 투영 시스템은 배율 인자(Ｍ)(일반적으로 < 1)를 갖기 때문에, 기판 테이블이 스캐닝되는 속력(Ｖ)은 마스크 테이블이 스캐닝되는 속력의 인자(Ｍ) 배가 될 것이다. 본 명세서에 서술된 바와 같은 리소그래피 디바이스들에 관련된 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되고 있는 US 제 6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크 패턴은 방사선-감응재(레지스트)층에 의해 전체 또는 부분적으로 덮여 있는 기판 상에 이미징된다. 이러한 이미징 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크(soft bake)와 같은 다양한 과정들을 거칠 수 있다. 노광 이후, 기판은 노광후 베이크(post-exposure bake: PEB), 현상, 하드 베이크(hard bake) 및 이미징된 피처들의 측정/검사와 같은 다른 과정들을 거칠 수 있다. 이러한 일련의 과정들은 디바이스, 예컨대 IC의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그 후, 이러한 패터닝된 층은 그 모두가 개별층을 마무리하도록 의도된, 에칭, 이온-주입(도핑), 금속화(metallization), 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 다양한 공정들을 거칠 수 있다. 여러 층이 요구되는 경우에는, 각각의 새로운 층에 대해 전체 과정 또는 그 변형이 반복되어야 할 것이다. 최후에는, 디바이스들의 어레이가 기판(웨이퍼) 상에 존재할 것이다. 그 후, 이 디바이스들은 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing)과 같은 기술에 의해 서로 분리되며, 개개의 디바이스들은 캐리어에 장착되며 핀 등에 연결될 수 있다.
간명함을 위해, 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수 있다; 하지만, 이 용어는 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭(catadioptric) 시스템을 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템들을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사선 시스템은 방사선 투영 빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 이 설계 유형들 중 어느 하나에 따라 작동하는 구성요소들을 포함할 수 있으며, 이러한 구성요소들은 아래에서 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 또한, 리소그래피 장치는 2 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 디바이스에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비 작업 단계가 수행될 수 있다. 트윈 스테이지(twin stage) 리소그래피 장치는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되고 있는 US 제 5,969,441호에서 설명된다.
앞서 언급된 포토리소그래피 마스크는 실리콘 웨이퍼 상에 집적화될 회로 구성요소에 대응하는 기하학적인 패턴들을 포함한다. 이러한 마스크를 생성하는데 사용되는 패턴들은 CAD(computer-aided design) 프로그램들을 사용하여 생성될 수 있으며, 이 프로세스는 흔히 EDA(electronic design automation)라고 칭해진다. 대부분의 CAD 프로그램은 기능적인 마스크를 생성하기 위해 사전설정된 설계 규칙의 세트를 따른다. 이러한 규칙들은 처리 및 설계 제한에 의해 설정된다. 예를 들어, 설계 규칙은 회로 디바이스들 또는 라인들이 바람직하지 않은 방식으로 서로 상호작 용하지 않을 것을 보장하기 위해, (게이트, 캐패시터 등과 같은) 회로 디바이스들 또는 상호연결 라인들 사이의 간격 공차(space tolerance)를 정의한다. 설계 규칙 제한들은 통상적으로 "임계 치수(CD)"라고도 칭해진다. 회로의 임계 치수는 라인 또는 홀의 최소폭, 또는 두 라인들 또는 두 홀들 간의 최소 간격으로서 정의될 수 있다. 따라서, CD는 설계된 회로의 전체 크기 및 밀도를 결정한다. 물론, 집적 회로 제작의 목적들 중 하나는 원래 회로 설계를 (마스크를 통해) 웨이퍼 상에 충실하게 재현(reproduce)하는 것이다.
또 다른 목적은 최적의/만족스러운 이미징 성능을 달성하기 위해 각각의 리소그래피 시스템의 필요한 세팅들을 결정하여 상당한 시간 및 자원을 소비하지 않고, 상이한 리소그래피 시스템들(예를 들어, 스캐너들)로 주어진 패턴을 이미징하는데 동일한 "공정"을 이용할 수 있어야 한다는 것이다. 알려진 바와 같이, 결과적인 이미지가 설계 요건들을 만족시키도록 특정 스캐너로 작동하는 주어진 공정을 초기에 셋업하는 경우에, 설계자/엔지니어는 리소그래피 시스템(예를 들어, 스캐너)의 최적 세팅들- 이는 개구수(numerical aperture: NA), σin, σout 등을 포함함 -을 결정하여 상당한 시간 및 자금을 소비한다. 정말로, 이는 흔히 스캐너 세팅들이 선택되고, 원하는 패턴이 이미징된 후, 결과적인 이미지가 명시된 공차 내에 있는지를 결정하도록 측정되는 시행 착오 공정이다. 결과적인 이미지가 공차 내에 있지 않은 경우, 스캐너 세팅들이 조정되어 패턴이 다시 한번 이미징되고 측정된다. 이 공정은 결과적인 이미지가 명시된 공차들 내에 있을 때까지 반복된다.
하지만, 동일한 모델 타입들이라도 각각의 스캐너는 패턴을 이미징하는 경우에 상이한 광 근접성 효과(OPE)를 나타내기 때문에, 기판 상에 이미징되는 실제 패턴이 상이한 OPE로 인해 스캐너마다 다르다. 예를 들어, 주어진 스캐너들과 연계된 상이한 OPE들은 피치(pitch)를 통해 상당한 CD 변동들을 도입할 수 있다. 이러한 것으로서, 결과적인 이미지가 원하는 타겟으로부터 상당히 변할 수 있기 때문에, 주어진 패턴을 이미징하기 위해 공칭 세팅(nominal setting)들로 새로운 스캐너를 단순히 이용하는 것이 실현가능하지 않다. 따라서, 주어진 패턴을 프린트하기 위해 상이한 스캐너를 이용하는 것이 바람직한 경우, 엔지니어들은 새로운 스캐너를 최적화하거나 튜닝(tune)하여, 결과적인 이미지가 설계 요건들을 만족시키도록 해야 한다. 통상적으로, 이는 전형적으로 시행 착오 공정에 의해 성취되며, 이는 앞서 언급된 바와 같이 고가이고 시간 소모적이다.
이러한 것으로서, 각각의 개별적인 스캐너에 대해 공정 및 스캐너 세팅들을 최적화하도록 수행되는데 시행 착오 공정을 필요로 하지 않고, 상기 공정으로 하여금 상이한 리소그래피 시스템들로 이용되게 하는, 주어진 패턴을 이미징하는 공정을 최적화하는 방법이 요구된다. 다시 말하면, 시행 착오 최적화 공정을 필요로 하지 않는, 주어진 타겟 마스크에 대한 다수 스캐너들의 이미징 성능을 최적화하는 방법이 요구된다.
따라서, 본 발명은 상이한 리소그래피 시스템들로 하여금 각각의 개별적인 스캐너에 대해 공정 및 리소그래피 시스템 세팅들을 최적화하도록 수행되는데 시행 착오 공정을 필요로 하지 않는 알려진 공정을 이용하여 주어진 타겟 패턴을 이미징하게 하기 위해, 리소그래피 시스템들을 튜닝하는 방법에 관한 것이다.
더 명확하게는, 본 발명은 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 제 1 리소그래피 시스템을 튜닝하는 모델-기반 튜닝 방법에 관한 것이며, 그 각각은 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 갖는다. 상기 방법은 테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계; 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계; 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계; 기준 리소그래피 시스템에 대응하는 이미징 결과들을 이용하여 이미징 모델을 캘리브레이션(calibrate)하는 단계- 이때, 캘리브레이션된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -; 제 1 리소그래피 시스템에 대응하는 이미징 결과들을 이용하여 캘리브레이션된 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 이때, 튜닝된 캘리브레이션된 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및 파라미터 값들의 제 1 세트와 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 제 1 리소그래피 시스템의 파라미터들을 조정하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명은 이미징 모델을 이용하여 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법에 관한 것이며, 이때 리소그래피 시스템 및 이미징 모델은 각각 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 갖는다. 상기 방법은 테스트 패턴을 정의하는 단계; 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계- 상기 리소그래피 시스템은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -; 리소그래피 시스템에 대응하는 이미징 결과들을 이용하여 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 튜닝된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및 파라미터 값들의 제 1 세트와 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 리소그래피 시스템의 파라미터들의 제 1 세트를 조정하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명은 타겟 패턴을 이용하여 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법에 관한 것이며, 이때 리소그래피 시스템은 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 갖는다. 상기 방법은 테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계; 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 타겟 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계; 이미징 모델을 이용하여 타겟 패턴의 이미징을 시뮬레이트하고, 시뮬레이트된 이미징 결과들을 결정하는 단계- 상기 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -; 시뮬레이트된 이미징 결과들 및 이미징 결과들과 타겟 패턴 간의 차이에 기초하여 타겟 웨이퍼 데이터를 결정하고, 타겟 웨이퍼 데이터를 이용하여 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및 파라미터 값들의 제 1 세트와 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 리소그래피 시스템의 튜닝가능한 파라미터들을 조정하는 단계를 포함한다.
본 발명은 종래 방법들보다 상당히 많은 장점들을 제공한다. 가장 중요하게 는, 본 발명은 동일한 타겟 패턴을 이미징하는데 이용될 스캐너들을 포함한 상이한 리소그래피 시스템들 간의 OPE 매칭 및 이미징 성능의 최적화를 위해 계통적(systematic)이고 비용 효과적인 모델-기반 튜닝 방법을 제공한다. 결과로서, 상기 방법은 동일한 모델의 상이한 스캐너들 간의 성능 매칭뿐만 아니라, 상이한 모델 스캐너들 간의 성능 매칭도 쉽게 허용한다.
당업자라면, 본 발명의 예시적인 실시예들의 다음 상세한 설명으로부터 본 발명의 추가적인 장점들을 분명하게 알 것이다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 본 발명의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 발명은 다수의 다른 가능한 적용예들을 갖는다는 것을 명확히 이해하여야 한다. 예를 들어, 이는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조시에 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "마스크", "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되는 것으로 간주되어야 한다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장을 갖는) 자외 방사선 및 EUV(예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 극자외 방사선)를 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄하는데 사용된다.
본 명세서에서 채택된 마스크라는 용어는 기판의 타겟부에 생성될 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선 빔에 부여하는데 사용될 수 있는 일반적 인 패터닝 수단을 언급하는 것으로 폭넓게 해석될 수 있다; 또한, "광 밸브(light valve)"라는 용어가 본 명세서에서 사용될 수도 있다. 전형적인 마스크[투과 또는 반사; 바이너리(binary), 위상-시프트, 하이브리드(hybrid) 등] 이외에, 이러한 다른 패터닝 수단의 예시로 다음을 포함한다:
- 프로그램가능한 거울 어레이. 이러한 디바이스의 일 예시로는 점탄성(viscoelastic) 제어층 및 반사 표면을 갖는 매트릭스-어드레서블 표면(matrix-addressable surface)이 있다. 이러한 장치의 기본 원리는, (예를 들어) 반사 표면의 어드레싱된 영역들에서는 입사광을 회절광(diffracted light)으로서 반사시키는 반면, 어드레스되지 않은 영역들에서는 입사광을 비회절광으로서 반사시키는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절 광만을 필터링하여 회절광만을 남게 할 수 있다; 이러한 방식으로 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 빔이 패터닝되게 된다. 필요한 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자 수단을 이용하여 수행될 수 있다. 이러한 거울 어레이들에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 미국 특허 US 제 5,296,891호 및 US 제 5,523,193호로부터 얻을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 인용참조된다.
- 프로그램가능한 LCD 어레이. 이러한 구성의 일 예시는 미국 특허 US 제 5,229,872호에 개시되어 있으며, 이는 본 명세서에서 인용참조된다.
첨부된 개략적인 도면들 및 다음의 상세한 설명을 참조하여, 또 다른 목적들 및 장점들과 함께 본 발명 자체를 더 잘 이해할 수 있다.
도 1은 본 발명의 모델-기반 스캐너 튜닝 방법을 예시하는 예시적인 흐름도이다. 아래에서 상세히 설명되는 바와 같이, 본 발명의 방법은 동일한 타겟 패턴을 이미징하는데 사용될 스캐너들을 포함한 상이한 리소그래피 시스템들 간의 OPE 매칭 및 이미징 성능을 동시에 최적화한다.
도 1을 참조하면, 공정의 제 1 단계(단계 10)는 기준 스캐너에 대한 모델을 캘리브레이션하는데 이용될 테스트 패턴을 정의하는 것이다. 적절한 테스트 패턴(모델 캘리브레이션 게이지 패턴이라고도 칭함)이 이용될 수 있다. 이용되는 테스트 패턴은, 리소그래피 시스템의 이미징 성능을 정확히 예측할 수 있는 견고한(robust) 모델이 생성될 수 있도록 이미징될 피처들을 충분히 나타내어야 한다. 일단 타겟 패턴 또는 적용예가 결정되면, 이러한 테스트 패턴들은 당업자에 의해 쉽게 생성/선택될 수 있다. 또한, 캘리브레이션 공정시 테스트 패턴으로서 이미징될 타겟 패턴을 이용하는 것이 가능하다는 것을 유의하여야 한다.
일단 테스트 패턴이 정의되면, 다음 단계에서(단계 20) (기준 스캐너를 포함한) 튜닝될 각각의 스캐너가 테스트 패턴을 이미징하며, 이미징 결과들이 측정된다. 테스트 패턴을 이미징하는 경우, 각각의 스캐너의 파라미터들(P)은 사전정의된 공칭 값에서 설정되며, 이는 공정 설계시 선택된다. 테스트 패턴의 이미징시 각각의 스캐너에 대해 각각의 파라미터에 대한 동일한 공칭 값이 이용되는 것이 바람직하다. 그 다음, 주어진 스캐너의 이미징 성능을 나타내는 웨이퍼 데이터를 얻기 위해, 각각의 이미징된 웨이퍼들 내의 결과적인 피처들이 측정된다. 다음 설명을 용이하게 하기 위해, 측정된 웨이퍼 데이터(WD)는 WD_1, WD_2 ... WD_n으로 나타내 며, 이때 WD_1은 제 1 스캐너의 웨이퍼 데이터/이미징 결과에 대응하고, WD_2는 제 2 스캐너의 웨이퍼 데이터/이미징 결과에 대응하는 식으로 제 n 스캐너까지 대응한다. 웨이퍼 데이터의 측정은, 예를 들어 다양한 CD 측정들을 수행하거나, SEM을 이용하여 수행될 수 있는 이미징된 피처의 전체 윤곽을 측정함으로써 행해질 수 있다는 것을 유의하여야 한다. 전형적으로, 웨이퍼 데이터의 필요한 측정들은 관련 패턴 공간을 정의하는 설계 규칙들과 함께 이미징 공정을 나타내는데 이용되는 모델에 의해 정의될 것이다.
일단 웨이퍼 데이터가 측정되면, 다음 단계(단계 30)는 기준 스캐너와 연계된 웨이퍼 데이터를 이용하여 모델을 캘리브레이션하는 것이다. 기준 스캐너와 연계된 모델 파라미터들은 MP_R로 나타내며, 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터를 포함한다. 알려진 바와 같이, (반복 공정인) 캘리브레이션 공정시, 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 고정되고, 튜닝가능한 파라미터들은 모델에 의해 생성된 이미지(즉, 시뮬레이트된 결과)가 기준 스캐너에 의해 생성된 실제 이미징 결과에 매칭될 때까지 조정된다. 따라서, 몇몇 사전 정의된 오차 기준 또는 가능한 최적 매칭 내에서 모델에 의해 생성된 이미징 결과들이 기준 스캐너와 연계된 실제 웨이퍼 데이터(WD_R)와 같도록 모델 파라미터들(MP_R)이 조정(즉, 캘리브레이션)된다. 스캐너의 이미징 성능을 시뮬레이트하기에 적절한 여하한의 모델, 예를 들어 ASML에 의해 제공된 Tachyon FEM(focus-exposure-model) 또는 LithoCruiser™이 이 공정에 이용될 수 있다는 것을 유의한다. 또한, 튜닝될 스캐너들 중 어느 하나와 연계된 웨이퍼 데이터(WD_1 ... WD_n)가 모델을 캘리브레이션 하는데 이용될 수 있다는 것을 유의한다. 또 다른 대안예로서, 모델로 입력될 각각의 필요한 측정을 위해 각각의 스캐너들에 대한 웨이퍼 데이터를 평균하고, 모델 파라미터들(MP_R)을 캘리브레이션하는데 이용되는 기준 웨이퍼 데이터로서 평균 값들을 이용하는 것이 가능하다.
다음 단계(단계 40)에서, 튜닝될 각각의 스캐너에 대해, 파라미터들(MP_R)을 갖는 앞선 단계에서 캘리브레이션된 모델이 주어진 스캐너(즉, 스캐너 i)와 연계된 웨이퍼 데이터(WD_i)에 따라 튜닝된다. 더 명확하게는, 시작점으로서 모델 파라미터(MP_R)를 이용하여, MP_R의 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 고정된 채로 유지되고, MP_R에서 변동가능하거나 튜닝가능한 파라미터들은 몇몇 사전정의된 오차 기준 또는 가능한 최적 매칭 내에서 주어진 스캐너에 대한 모델(MP_Ri)이 주어진 스캐너(i)와 연계된 실제 웨이퍼 데이터(WD_i)와 동일한 이미징 결과를 생성하도록 튜닝된다. 이 단계는 표준 캘리브레이션 단계이며, 이는 MP_Ri에서 변동가능한 모델 파라미터들이 이미징 모델의 출력이 원하는 이미지(WD_i)에 대응할 때까지 조정되는 반복 공정이다. 단계 40은 튜닝될 각각의 스캐너에 대해 수행된다.
일단 모델(MP_R)이 스캐너들 각각에 대해 튜닝되어 "n" 개의 모델들(MP_R1 ... MP_Rn)이 생성되면(이때, n은 스캐너들의 개수임), 단계 50에서 기준 모델의 파라미터 값들(MP_R) 및 조정된 모델 파라미터들(MP_Ri)을 이용하여 초기 웨이퍼 데이터(WD_1 ... WD_n)를 생성하는데 이용되었던 공칭 파라미터 값들로부터 각각의 스캐너들이 튜닝된다. 더 명확하게는, 각각의 스캐너의 파라미터들(Pi)이 다음 등식에 따라 튜닝된다:
Pi = Pi(공칭) + MP_R - MP_Ri
이때, Pi(공칭)는 초기 웨이퍼 데이터(WD_i)를 생성하는데 사용되는 공칭 파라미터들에 대응하고; MP_R은 기준 스캐너에 대한 캘리브레이션된 모델의 파라미터들에 대응하며; MP_Ri는 스캐너(i)에 대한 캘리브레이션된 모델의 파라미터들에 대응한다. 그 후, 결과적인 파라미터들(Pi)이 대응하는 스캐너(i)를 튜닝하는데 이용된다.
앞선 공정에서, 앞선 등식을 실행하는 경우에 단지 같은 파라미터들이 서로 감해진다는 것을 유의한다. 예를 들어, 튜닝가능한 파라미터들이 T1, T2 ... Tm이고, 기준 모델에 대한 그 값들이 T1r, T2r ... Tmr이며 스캐너(i)에 대해서는 T1i, T2i ... Tmi라고 가정하면, 이 파라미터들의 공칭 값들(Pi)은 T1r-T1i, T2r-T2i ... Tmr-Tmi와 같은 델타에 의해 튜닝된다. 앞선 작동을 수행함으로써, 2 개의 스캐너들이 실질적으로 동일한 방식으로 수행하도록 모델들 간의 차이를 감소/최소화시키는 것이 가능하다. 따라서, 앞선 공정은 유사한 스캐너들(동일한 타입 및 모델의 기계들)의 매칭뿐만 아니라, 상이한 스캐너들(즉, 상이한 모델들 및/또는 제조업자들)의 이미징 성능의 매칭을 허용하는 계통적인 공정을 제공한다. 튜닝가능한 파라미터들로는 전형적으로 포커스, 도즈 조명 시그마(dose illumination sigma), 스테이지 경사(stage tilt) 등을 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다는 것을 유의한다. 고정된 파라미터들로는, 예를 들어 레지스트 파라미터들 및 에칭 파라미터들을 포함하며, 이에 제한되지 않는다.
도 2는 앞선 공정의 그래픽 표현을 예시한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 상 기 공정은 2 개의 가상 스캐너들(MP_R 및 MP_Ri) 간의 차이를 효과적으로 연산한 후, 이 연산된 차이를 실제 스캐너들을 튜닝하는데 이용한다. 도 3 및 도 4는 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터에 의해 스팬(span)된 공간의 그래픽 표현들이다. 도 3은 튜닝가능한 파라미터들이 튜닝가능하지 않은 파라미터들에 대해 직교 효과(orthogonal effect)를 나타내는 예시를 도시하며, 도 4는 튜닝가능한 파라미터들이 튜닝가능하지 않은 파라미터들에 대해 직교 효과를 나타내지 않는 예시를 도시한다. 나타낸 바와 같이, 여하한의 잔여 오차들은 튜닝가능한 파라미터들에 의해 스팬된 공간에 직교이다. 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터로부터의 효과들이 직교가 아닌 경우, 튜닝가능하지 않은 파라미터들에 의해 야기된 차이들을 튜닝가능한 파라미터들의 값을 튜닝하여 어느 정도 보상하는 것이 가능하다.
도 5는 본 발명의 모델-기반 스캐너 튜닝 공정에 관련된 구성요소들을 그래픽으로 예시하는 블록도이다. 나타낸 바와 같이, 구성요소들은 튜닝 타겟 및 튜닝될 스캐너를 포함한다. 앞선 내용으로부터 알 수 있는 바와 같이, 1 이상의 튜닝될 스캐너가 항상 존재하는 동안에는, 튜닝될 다수 스캐너들이 존재하는 것이 가능하다. 튜닝될 스캐너는 항상 물리적인 스캐너(즉, 실제 디바이스)이다. 하지만, 아래에서 더 상세히 설명되는 바와 같이, 튜닝 타겟은 실제 스캐너이거나 가상 스캐너 또는 윤곽일 수 있다. 앞서 상세히 설명한 바와 같이, 튜닝량은 튜닝될 스캐너의 가상 스캐너(즉, 모델)와 튜닝 타겟의 가상 스캐너(즉, 모델) 간의 차이이다. 본 명세서에 개시된 모델-기반 튜닝 공정에서, 상기 모델(즉, 가상 스캐너)은 튜닝 타 겟과 튜닝될 스캐너 사이에 링크(link)를 제공한다.
유의되는 바와 같이, 앞선 공정에서 3 이상의 상이한 튜닝 타겟들을 이용하는 것이 가능하다. 3 개의 가능성은 물리적인 스캐너, 가상 스캐너 및 원하는 웨이퍼 윤곽이다. 3 개의 상이한 튜닝 타겟들을 사용하는 예시들이 아래에서 설명된다. 제 1 옵션(option)은 튜닝 타겟으로서 물리적인 스캐너를 이용하는 것이다. 물리적인 스캐너는 앞서 설명된 예시에서 이용되었다. 튜닝 타겟으로서 물리적인 스캐너를 이용하는 것은 스캐너들 간의 OPE 매칭을 위해 제공된다. 또한, 그것은 같은 스캐너 유닛들(예를 들어, SN1 ... SNn) 간의 매칭을 허용하며, 이때 SN은 동일한 스캐너 모델을 나타낸다. 또한, 동일한 제조업자로부터의 상이한 스캐너 타입들 간의 매칭뿐만 아니라, 상이한 제조업자들로부터의 스캐너들 간의 매칭도 허용한다.
상이한 스캐너 디바이스들 간의 모델-기반 스캐너 튜닝을 수행하는 경우, 앞서 도 1에 설명된 것과 동일한 공정이 이용된다. 일 예시로서, 튜닝될 스캐너가 스캐너 A이고 튜닝 타겟이 스캐너 R이라고 가정하면, 제 1 단계는 웨이퍼 데이터 WD_A 및 WD_R을 생성하기 위해 공칭 스캐너 파라미터들(P)을 이용하여 스캐너 A 및 스캐너 R 상에 테스트 패턴들을 프린트하는 것이다. 그 후, 몇몇 사전정의된 기준 내에서 모델의 결과들이 WD_R에 정확히 대응하도록 이용되는 이미징 모델이 스캐너 R에 대해 캘리브레이션된다. 그 다음, 모델(MP_R)에서 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 고정되어 모델에서 이용되고, 튜닝가능한 파라미터들은 스캐너 A와 연계된 모델(이제 MP_RA라 칭함)의 결과들이 몇몇 사전정의된 오차 기준 내에서 WD_A에 대응하도록 조정된다. 그 후, 최종 단계에서 PA라 칭하는 스캐너 A의 파라미터들이 WD_A를 생성하는데 이용된 공칭 파라미터들(P)로부터 "P + MP_R - MP_RA"로 튜닝된다. 도 6은 이 공정의 그래픽 표현을 제공한다.
앞선 설명에 대한 대안예로서, 모델의 결과들이 몇몇 사전정의된 오차 기준을 갖는 WD_A에 정확히 대응하도록 스캐너 A에 대한 모델을 캘리브레이션한 후, 모델(MP_A)에서 튜닝가능하지 않은 파라미터들을 고정하고 이 파라미터들을 모델(MP_AR)에서 이용하는 것도 가능하다. 그 후, 몇몇 사전정의된 오차 기준 내에서 스캐너 R과 연계된 모델(MP_AR)의 결과들이 WD_R에 대응하도록 MP_AR의 튜닝가능한 파라미터들이 조정된다. 그 후, 최종 단계에서 PA라 칭하는 스캐너 A의 파라미터들이 WD_A를 생성하는데 이용된 공칭 파라미터들(P)로부터 "P + MP_AR - MP_A"로 튜닝된다. 또 다른 변형예에서는, 스캐너 A를 튜닝하는 양을 결정하는 경우에 2 개의 앞선 공정들의 평균을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 이 공정들은 상이한 제조업자들로부터의 스캐너들을 튜닝하는 경우에 이용될 수 있다.
그 다음, 튜닝 타겟으로서 가상 스캐너(즉, 모델)를 이용하는 일 예시가 제공된다. 상기 공정에서 제 1 단계는 MP_K라 칭하는 알려진 모델을 얻는 것이다. 모델 MP_K는 이용되는 주어진 공정에 대해 캘리브레이션되고, 몇몇 사전정의된 오차 기준 내에 있는 결과들을 생성하는 것이 바람직하다. 다음 단계는 현재 스캐너(C)(즉, 튜닝될 스캐너)로 테스트 패턴들을 프린트하고, 결과적인 웨이퍼 데이터를 측정하여 데이터 WD_C를 생성하는 것이다. 그 다음, 모델 MP_K에서 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 모두 고정되고, 모델 MP_K의 튜닝가능한 파라미터들은 몇몇 사전정의된 오차 기준 내에서 모델의 결과들- 이제 MP_KC라 칭함 -이 WD_C에 대응하 도록 조정된다. 그 후, 상기 공정의 최종 단계에서 스캐너 C의 세팅들이 초기에 WD_C를 생성하는데 이용되었던 현재 세팅들 "PC"로부터 "PC + MP_K - MP_KC"로 튜닝된다. 이 공정은 스캐너 내에서의 드리프트(drift)(예를 들어, 레이저 드리프트)의 보정뿐만 아니라, 다른 리소그래피 공정들(예를 들어, 레지스트 공정, 에칭 공정 등)에서의 드리프트의 보정을 위해서도 유용할 수 있다. 또한, 상기 공정은 주어진 OPC 공정에 대해 주어진 스캐너를 최적화하는데 유용하며, 이때 OPC 공정은 스캐너가 튜닝될 모델 내로 효과적으로 통합된다. 앞선 공정에서 FEM 모델을 기준 모델로서 이용할 수 있다는 것을 유의한다. 또한, 상기 모델은 포커스 및 디포커스 조건들 내에서 고려할 수 있다. 이 공정의 그래픽 표현은 도 7에서 예시된다.
앞서 설명된 바와 같이, 튜닝 타겟으로서 웨이퍼 윤곽을 이용할 수도 있다. 이 공정은 CDU(critical dimension uniformity)를 최적화하기 위해 특정 디바이스 마스크에 대해 스캐너를 최적화하는 것뿐만 아니라, 알려진 마스크 오차에 대해 스캐너를 최적화하는데도 유용하다. 상기 공정에서 제 1 단계는 특정 디바이스 마스크를 이미징/프린트하고, 데이터를 측정하는 것이며, 이는 WD_M이라 칭한다. 마스크는 튜닝될 스캐너를 이용하여 이미징되며, 이때 스캐너의 파라미터들은 초기에 공칭 값들 "PC"로 설정된다. 최적 CDU를 얻는 타겟 또는 원하는 웨이퍼 데이터는 WD_T라고 칭한다는 것을 유의한다. 다음 단계에서는, MP_C라 칭하는 주어진 모델을 이용하여(앞선 예시들을 이용하는 바와 같이, 여하한의 적절한 시뮬레이션 모델이 이용될 수 있음), 타겟 패턴이 모델 MP_C에 의해 처리되고 시뮬레이트된 웨이퍼 데이터 WD_C를 생성한다. 그 다음, WD_CT라 칭하는 원하는 시뮬레이트된 이미징 결과 를 얻는데 필요한 모델 MP_C의 튜닝이 다음 등식에 의해 결정된다:
WD_CT = WD_C + (WD_T - WD_M)
그 후, 모델 MP_C에서 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 모두 고정되고, 튜닝가능한 파라미터들은 모델- 이제 MP_CT라 칭함 -이 WD_CT에 대응하는 시뮬레이트된 이미징 결과를 생성하도록 튜닝된다. 최종 단계에서, 튜닝될 스캐너는 "PC"의 공칭 세팅들로부터 "PC + MP_CT - MP_C"로 튜닝된다. 도 8은 앞선 공정의 그래픽 표현을 예시한다.
앞선 공정은 다수의 임계 패턴들에 대해 마스크가 구성된 이후에 칩에 걸쳐 CDU를 최적화하는데 유용할 수 있다는 것을 유의한다. 또한, 앞선 공정에서 튜닝에 대한 제한은 CDU에서 고려되는 제한된 디바이스 패턴들에 대한 지나친 튜닝을 방지하는데 필요할 수 있다는 것을 유의한다. 예를 들어, 테스트 패턴은 튜닝 공정을 고정(anchor)시키기 위해 혼합될 수 있다.
또한, 이 제 3 범주의 스캐닝 튜닝은 주어진 마스크 오차에 대한 스캐너 최적화를 허용한다. 더 명확하게는, 상기 공정이 MP_M이라 칭하는 알려진 마스크 오차를 갖는 현재 모델을 얻는 단계를 수반한다. 주어진 예시에서, MP_M은 본질적으로 알려진 양만큼 변하는 알려진 튜닝가능하지 않은 파라미터(마스크 오차)를 갖는 FEM이라는 것을 유의한다. 그 후, 마스크 오차를 갖는 시뮬레이트된 웨이퍼 데이터(WD_T)를 얻기 위해, 마스크 오차 없이 모델 MP_M을 이용하는 단계가 테스트 패턴(즉, 웨이퍼 윤곽)을 시뮬레이트한다. 그 다음, 모델 MP_M에서 튜닝가능하지 않은 파라미터들은 모두 고정되고, 튜닝가능한 파라미터들은 모델- 이제 MP_MT라 칭 함 -이 WD_T에 대응하는 테스트 패턴에 기초한 시뮬레이트된 이미징 결과를 생성하도록 조정된다. 최종 단계에서, 튜닝될 스캐너는 "PC"의 공칭 세팅들로부터 "PC + MP_MT - MP_M"으로 튜닝된다. 이 공정은 튜닝될 스캐너로 하여금 알려진 계통적 오차를 갖는 마스크를 이미징하게 한다.
앞서 설명된 바와 같이, 모델-기반 스캐너 튜닝은 종래 방법들보다 많은 장점들을 제공한다. 가장 중요하게는, 본 발명은 동일한 타겟 패턴을 이미징하는데 이용될 스캐너들을 포함한 상이한 리소그래피 시스템들 간의 OPE 매칭 및 이미징 성능의 최적화를 위해 계통적이고 비용 효과적인 방법을 제공한다. 결과로서, 본 방법은 동일한 모델의 상이한 스캐너들 간의 성능 매칭뿐만 아니라, 상이한 모델 스캐너들 간의 성능 매칭도 쉽게 허용한다.
또한, 본 발명의 방법들은 스캐너들로 하여금 알려진 모델 또는 알려진 웨이퍼 윤곽(즉, 타겟 패턴)에 대해 튜닝되게 한다. 이 공정들은 특히 리소그래피 공정 드리프트 보정들, 주어진 OPC 공정에 대한 스캐너 최적화, CDU를 최적화하기 위한 특정 디바이스 마스크에 대한 스캐너 최적화, 및 알려진 마스크 오차에 대한 스캐너 최적화를 허용한다.
또한, 모델 가분성(model separability)이 본 발명의 모델-기반 튜닝/매칭/최적화 공정의 중요한 측면이라는 것을 유의한다. 다시 말하면, 튜닝가능한 파라미터들만을 조정함으로써 전체 리소그래피 동작이 정확하게 설명될 수 있다. Brion의 "FEM(focus-exposure-model)"은 포커스-노광 공정 윈도우 변동에 걸쳐 가분성을 달성한다. 또한, FEM은 파라미터 변화의 적당한 범위 내에서 NA, 조명 등과 같지만 이에 제한되지는 않는 다수의 다른 튜닝가능한 파라미터들에 대해 모델 가분성을 달성할 수도 있다. 튜닝량이 모델 가분성 범위를 넘도록 너무 큰 경우, 튜닝은 2 이상의 단계들을 통해 달성될 수 있다.
또한, 모델이 전체 칩 패턴들에 대한 모델 변화들(즉, 튜닝)의 영향을 정량적으로 분석할 수 있기 때문에, 필요에 따라 Tachyon's LMC(Lithographic Manufacturability Check)와 같은 OPC 검증 툴을 이용하여 패턴에 대한 튜닝의 효과가 분석될 수 있다는 것을 유의한다. 이 검사를 수행하는 절차는 다음과 같다. 먼저, 튜닝 전후에 모델들을 이용하여 전체 칩 온-웨이퍼 윤곽(full chip on-wafer contour)을 시뮬레이트하기 위해 LMC를 사용한다. 그 다음, 둘 사이의 차이를 분석하기 위해 2 개의 윤곽들 간의 차이를 비교한다.
변화가 허용되는 튜닝가능하지 않은 파라미터들을 이용하여, 전체 칩 패턴에 대한 잔여 오차의 영향을 정량적으로 분석하는 것이 가능하다. 잔여 오차는 튜닝 후(after-tuning)와 튜닝 타겟 간의 차이이다. 상기 분석은 웨이퍼 데이터에 대해 모델을 피팅(fit)하고, 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터를 변하게 한 후, 즉 웨이퍼 데이터에 기초하여 전체 모델을 피팅한 후, (1) 튜닝가능한 파라미터들만 변하게 하는 모델(즉, 튜닝 절차에서 나온 모델), (2) 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터 모두 변하게 하는 모델(즉, 앞선 추가 단계에서 나온 모델)들을 이용하여, 전체 칩 온-웨이퍼 윤곽을 시뮬레이트하는데 LMC를 이용함으로써 성취될 수 있다. 일단 이것이 행해지면, 2 개의 윤곽들 간의 차이들을 확인하기 위해 비교가 수행된다. 상기 윤곽들 간의 차이는 튜닝 이후의 잔여 오 차이다. 만족하기에 너무 큰 윤곽 차이들이 존재하는 경우, 기존 튜닝가능한 파라미터들에 기초한 통상의 스캐너 튜닝은 튜닝 목표를 달성할 수 없다. 더 많은 파라미터들이 튜닝가능할 수 있도록 추가 동작들이 수행될 수 있으며, 또는 스캐너 변화들이 요구될 수 있다.
또한, 앞선 공정들에 대한 대안예가 가능하다. 일 예시로서, 예를 들어 이전 모델이 없는 2 개의 물리적인 스캐너들 간의 매칭시, 현재 스캐너 조건 및 튜닝 타겟 조건에 대해 웨이퍼 데이터가 이용가능한 경우, 대안적인 실시예는 현재 스캐너 조건 및 타겟 스캐너 조건을 이용하여 웨이퍼 데이터에 대한 조인트 캘리브레이션(joint calibration)을 수행하는 것이다. 이는 튜닝가능하지 않은 파라미터들로 하여금 캘리브레이션 공정시 변하게 하지만 현재 스캐너 조건 및 타겟 스캐너 조건에서 동일하게 강제하고, 그리고 튜닝가능한 파라미터들로 하여금 두 조건들에서 독립적으로 변하게 하는 조인트 모델 캘리브레이션 공정을 수행하는 단계를 수반한다. 조인트 캘리브레이션 이후, 두 조건들의 튜닝가능한 파라미터들 간의 차이가 최적 튜닝량이다.
도 9는 본 명세서에 개시된 모델-기반 스캐너 튜닝 방법을 조력할 수 있는 컴퓨터 시스템(100)을 예시하는 블록도이다. 컴퓨터 시스템(100)은 정보를 전달하는 버스(102) 또는 다른 통신 기구, 및 정보를 처리하는 버스(102)와 커플링된 프로세서(104)를 포함한다. 또한, 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 의해 실행될 정보 및 명령어들을 저장하는 RAM(random access memory) 또는 다른 동적 저장 디바이스(dynamic storage device)와 같은, 버스(102)에 커플링된 주 메모리(main memory: 106)를 포함한다. 또한, 주 메모리(106)는 프로세서(104)에 의해 실행될 명령어들의 실행시 임시 변수(temporary variable)들 또는 다른 매개 정보(intermediate information)를 저장하는데 사용될 수도 있다. 또한, 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 대한 정적 정보 및 명령어들을 저장하는, 버스(102)에 커플링된 ROM(read only memory: 108) 또는 다른 정적 저장 디바이스를 포함한다. 자기 디스크 또는 광학 디스크와 같은 저장 디바이스(110)는 정보 및 명령어들을 저장하기 위해 제공되며 버스(102)에 커플링된다.
컴퓨터 시스템(100)은 버스(102)를 통해, 정보를 컴퓨터 사용자에게 보여주는 CRT(cathode ray tube) 또는 평판(flat panel) 또는 터치 패널 디스플레이(touch panel display)와 같은 디스플레이(112)에 커플링될 수 있다. 영숫자(alphanumeric) 또는 다른 키들을 포함하는 입력 디바이스(114)는 정보 및 명령 선택(command selection)들을 프로세서(104)로 전달하기 위해 버스(102)에 커플링된다. 또 다른 형태의 사용자 입력 디바이스는 방향 정보 및 명령 선택들을 프로세서(104)로 전달하고, 디스플레이(112) 상의 커서의 움직임을 제어하는 마우스, 트랙볼(trackball) 또는 커서 방향키와 같은 커서 제어부(cursor control: 116)이다. 이 입력 디바이스는, 통상적으로 디바이스가 평면에서의 위치를 특정화하도록 허용하는 2 개의 축선인 제 1 축선(예를 들어, x) 및 제 2 축선(예를 들어, y)으로 2 자유도를 갖는다. 또한, 입력 디바이스로서 터치 패널(스크린) 디스플레이가 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 주 메모리(106)에 포함된 1 이상의 명령어들 의 1 이상의 시퀀스들을 실행하는 프로세서(104)에 응답하여 컴퓨터 시스템(100)에 의해 스캐너 튜닝 공정의 부분들, 예를 들어 시뮬레이션 작동들이 수행될 수 있다. 이러한 명령어들은 저장 디바이스(110)와 같은 또 다른 컴퓨터 판독가능한 매체로부터 주 메모리(106)로 판독될 수 있다. 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들의 실행은, 프로세서(104)가 본 명세서에 설명된 공정 단계들을 수행하게 한다. 또한, 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들을 실행하기 위해 다중 처리 구성(multi-processing arrangement)의 1 이상의 프로세서가 채택될 수도 있다. 대안적인 실시예들에서, 하드웨어에 내장된 회로(hard-wired circuitry)는 본 발명을 구현하는 소프트웨어 명령어들과 조합하거나 그를 대신하여 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 하드웨어 회로와 소프트웨어의 여하한의 특정 조합에 제한되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 "컴퓨터 판독가능한 매체"라는 용어는 실행을 위해 프로세서(104)에 명령어를 제공하는데 관여하는 여하한의 매체를 칭한다. 이러한 매체는 비휘발성 매체(non-volatile media), 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하는 다수의 형태를 취할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 저장 디바이스(110)와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 주 메모리(106)와 같은 동적 메모리를 포함한다. 전송 매체는 버스(102)를 포함하는 와이어(wire)들을 포함하여, 동축 케이블(coaxial cable), 구리선 및 광섬유(fiber optics)를 포함한다. 또한, 전송 매체는 무선 주파수(RF) 및 적외선(IR) 데이터 통신시 발생되는 파장들과 같이 음파(acoustic wave) 또는 광파의 형태를 취할 수도 있다. 컴퓨터 판독가능한 매체의 보편적인 형태들은, 예를 들어 플로피 디스크(floppy disk), 플렉서블 디스크(flexible disk), 하드 디스크, 자기 테이프, 여하한의 다른 자기 매체, CD-ROM, DVD, 여하한의 다른 광학 매체, 펀치 카드(punch card), 종이 테이프(paper tape), 홀(hole)들의 패턴을 갖는 여하한의 다른 물리적 매체, RAM, PROM, EPROM, FLASH-EPROM, 여하한의 다른 메모리 칩 또는 카트리지(cartridge), 본 명세서에 설명된 반송파(carrier wave), 또는 컴퓨터가 판독할 수 있는 여하한의 다른 매체를 포함한다.
다양한 형태의 컴퓨터 판독가능한 매체는 실행을 위해 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 프로세서(104)로 전달하는데 관련될 수 있다. 예를 들어, 명령어들은 초기에 원격 컴퓨터(remote computer)의 자기 디스크 상에 지원(bear)될 수 있다. 상기 원격 컴퓨터는 그 동적 메모리로 명령어들을 로딩(load)할 수 있으며, 모뎀을 이용하여 전화선을 통해 명령어들을 보낼 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)으로의 모뎀 로컬(modem local)은 전화선 상의 데이터를 수신할 수 있으며, 상기 데이터를 적외선 신호로 전환하기 위해 적외선 송신기를 사용할 수 있다. 버스(102)에 커플링된 적외선 검출기는 적외선 신호로 전달된 데이터를 수신할 수 있으며, 상기 데이터를 버스(102)에 놓을 수 있다. 버스(102)는 프로세서(104)가 명령어들을 검색(retrieve)하고 실행하는 주 메모리(106)로 상기 데이터를 전달한다. 주 메모리(106)에 의해 수신된 명령어들은 프로세서(104)에 의한 실행 이전 또는 이후에 저장 디바이스(110)에 선택적으로 저장될 수 있다.
또한, 컴퓨터 시스템(100)은 바람직하게 버스(102)에 커플링된 통신 인터페 이스(118)를 포함한다. 통신 인터페이스(118)는 로컬 네트워크(122)에 연결되는 네트워크 링크(120)에 커플링하여 쌍방향 데이터 통신(two-way data communication)을 제공한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(118)는 ISDN(integrated services digital network) 카드 또는 대응하는 형태의 전화선에 데이터 통신 연결을 제공하는 모뎀일 수 있다. 또 다른 예시로서, 통신 인터페이스(118)는 호환성 랜(compatible LAN)에 데이터 통신 연결을 제공하는 LAN(local area network) 카드일 수 있다. 또한, 무선 링크가 구현될 수도 있다. 여하한의 이러한 구현에서, 통신 인터페이스(118)는 다양한 형태의 정보를 표현한 디지털 데이터 스트림들을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호들을 송신하고 수신한다.
통상적으로, 네트워크 링크(120)는 1 이상의 네트워크를 통해 다른 데이터 디바이스에 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 네트워크 링크(120)는 로컬 네트워크(122)를 통해 호스트 컴퓨터(host computer: 124), 또는 ISP(internet service provider: 126)에 의해 작동되는 데이터 장비로의 연결을 제공할 수 있다. 그 결과 ISP(126)는, 이하 통상적으로 "인터넷(128)"이라고 칭하는 월드와이드 패킷 데이터 통신 네트워크를 통해 데이터 통신 서비스를 제공한다. 로컬 네트워크(122) 및 인터넷(128)은 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호를 사용한다. 다양한 네트워크를 통한 신호 및 컴퓨터 시스템(100)에 또한 그로부터 디지털 데이터를 전달하는 통신 인터페이스(118)를 통한 네트워크 링크(120) 상의 신호는 정보를 전달하는 반송파의 예시적인 형태이다.
컴퓨터 시스템(100)은 네트워크(들), 네트워크 링크(120) 및 통신 인터페이 스(118)를 통해 프로그램 코드를 포함하는 메시지를 송신하고 데이터를 수신할 수 있다. 인터넷 예시에서 서버(130)는 인터넷(128), ISP(126), 로컬 네트워크(122) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 응용 프로그램에 대한 요청된 코드를 전송할 수 있다. 본 발명에 따르면, 예를 들어 하나의 이러한 다운로드된 응용은 실시예의 조명 최적화에 대해 제공된다. 수신된 코드는 수신되고, 및/또는 저장 디바이스(110) 또는 추후 실행을 위한 다른 비휘발성 저장소에 저장됨에 따라 프로세서(104)에 의해 실행될 수 있다. 이러한 방식으로 컴퓨터 시스템(100)은 반송파의 형태로 응용 코드를 얻을 수 있다.
도 10은 본 발명의 공정을 이용하여 튜닝될 수 있는 예시적인 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선의 투영 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(Ex, IL)- 이러한 특정한 경우, 방사선 시스템은 방사선 소스(LA)도 포함함 -;
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 지지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제 1 위치설정 수단에 연결된 제 1 대상물 테이블(마스크 테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제 2 위치설정 수단에 연결된 제 2 대상물 테이블(기판 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 이미징하는 투영 시스템("렌즈")(PL)[예를 들어, 굴절, 카 톱트릭(catoptric) 또는 카타디옵트릭(catadioptric) 광학 시스템]을 포함한다.
본 명세서에 서술된 바와 같이, 상기 장치는 투과형으로 구성된다(즉, 투과 마스크를 가짐). 하지만, 일반적으로 상기 장치는 예를 들어 (반사 마스크를 갖는) 반사형으로 구성될 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 마스크의 사용의 대안예로서 또 다른 종류의 패터닝 수단을 채택할 수 있다; 예시들로는 프로그램가능한 거울 어레이 또는 LCD 매트릭스를 포함한다.
상기 소스(LA)[예를 들어, 수은 램프 또는 엑시머 레이저(excimer laser)]는 방사선 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 또는, 예를 들어 빔 익스팬더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명 시스템(일루미네이터)(IL)으로 공급된다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔 내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정 수단(AM)을 포함할 수 있다. 또한, 이는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖는다.
도 10과 관련하여, 상기 소스(LA)는 (흔히 상기 소스(LA)가, 예를 들어 수은 램프인 경우에서처럼) 리소그패피 투영 장치의 하우징 내에 놓이지만, 그것은 리소그래피 투영 장치로부터 멀리 떨어져 있을 수도 있으며, 그것이 만들어 낸 방사선 빔은 (예를 들어, 적절한 지향 거울의 도움으로) 장치 내부로 들어올 수도 있다는 것을 유의하여야 한다; 이 후자의 시나리오는 흔히 상기 소스(LA)가 (예를 들어, KrF, ArF 또는 F2 레이징(lasing)에 기초한) 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명은 이들 시나리오들을 모두 포함한다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크 테이블(MT) 상에 유지되어 있는 마스크(MA)를 통과(intercept)한다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(PB)을 포커스한다. 제 2 위치설정 수단(및 간섭계 측정 수단(IF))의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 상기 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 수단은 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 마스크(MA)의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블(MT, WT)들의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움으로 실현될 것이며, 이는 도 10에 명확히 도시되지는 않는다. 하지만, [스텝-앤드-스캔 툴(step-and-scan tool)과는 대조적으로] 웨이퍼 스테퍼의 경우 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다.
서술된 툴은 두 가지 상이한 모드로 사용될 수 있다:
- 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지가 한번에 [즉, 단일 "플래시(flash)"로] 타겟부(C) 상으로 투영된다. 그 후, 상이한 타겟부(C)가 상기 빔(PB)에 의해 조사될 수 있도록 기판 테 이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트된다;
- 스캔 모드에서는 주어진 타겟부(C)가 단일 "플래시"로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크 테이블(MT)은 v의 속도로 주어진 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능하여, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지 전체에 걸쳐 스캐닝하도록 유도된다; 동시발생적으로, 기판 테이블(WT)은 속도 V = Mv로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하며, 여기서 M은 렌즈(PL)의 배율(통상적으로, M = 1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
본 명세서에 개시된 개념들은 서브 파장 피처들을 이미징하는 여하한의 일반적인 이미징 시스템을 시뮬레이트하거나 수학적으로 모델링할 수 있으며, 본질적으로 점점 더 작은 크기의 파장들을 생성할 수 있는 신흥(emerging) 이미징 기술들을 이용하는데 유용할 수 있다. 이미 사용중인 신흥 기술들로는 ArF 레이저를 사용하여 193 nm의 파장을 생성하고, 심지어 플루오린 레이저를 사용하여 157 nm의 파장도 생성할 수 있는 EUV(extreme ultra violet) 리소그래피를 포함한다. 또한, EUV 리소그래피는 싱크로트론(synchrotron)을 이용하거나, 이 범위 내의 광자(photon)를 생성하기 위해 고에너지 전자로 재료(고체 또는 플라즈마)를 때림(hit)으로써 20 내지 5 nm 범위 내의 파장들을 생성할 수 있다. 대부분의 재료들이 이 범위 내에서 흡수성이기 때문에, 다수-스택의 몰리브덴 및 실리콘을 갖는 반사 거울들에 의해 조명이 생성될 수 있다. 다수-스택 거울은 각 층의 두께가 1/4 파장인 40 층 의 몰리브덴 및 실리콘 쌍을 갖는다. X-레이 리소그래피를 이용하여 훨씬 더 작은 파장들이 생성될 수 있다. 전형적으로, 싱크로트론은 X-레이 파장을 생성하는데 사용된다. 대부분의 재료가 X-레이 파장들에서 흡수성이기 때문에, 얇은 조각의 흡수성 재료가 피처들이 프린트되는 경우(포지티브 레지스트) 또는 프린트되지 않는 경우(네거티브 레지스트)를 정의한다.
본 명세서에 개시된 개념들은 실리콘 웨이퍼와 같은 기판 상에 입사하는데 사용될 수 있는 한편, 개시된 개념들은 여하한 타입의 리소그래피 이미징 시스템들, 예를 들어 실리콘 웨이퍼들 이외의 기판들 상에 입사하는데 사용되는 것들과 함께 사용될 수도 있다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명은 상세하게 서술되고 예시되었지만, 단지 설명 및 예시의 방식으로만 존재하고 제한하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들의 용어들에 의해서만 제한된다는 것을 분명히 이해하여야 한다.
도 1은 본 발명의 방법을 예시하는 예시적인 흐름도;
도 2는 도 1에서 설명된 공정의 그래픽 표현;
도 3은 튜닝가능한 파라미터들이 튜닝가능하지 않은 파라미터들에 직교 작용(orthogonal affect)하는 예시를 나타내는 이미징 모델의 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터에 의해 스팬된 공간의 제 1 그래픽 표현;
도 4는 튜닝가능한 파라미터들이 튜닝가능하지 않은 파라미터들에 직교 작용하는 예시를 나타내는 이미징 모델의 튜닝가능한 파라미터 및 튜닝가능하지 않은 파라미터에 의해 스팬된 공간의 제 2 그래픽 표현;
도 5는 본 발명의 모델-기반 튜닝 공정에 관련된 구성요소들을 그래픽으로 예시하는 블록도;
도 6은 본 발명의 제 1 실시예의 또 다른 예시의 그래픽 표현;
도 7은 본 발명의 제 2 실시예의 그래픽 표현;
도 8은 본 발명의 제 3 실시예의 그래픽 표현;
도 9는 본 발명의 모델-기반 튜닝 공정의 구현을 도울 수 있는 컴퓨터 시스템을 예시하는 블록도; 및
도 10은 본 발명의 방법과 사용하기에 적절한 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.

Claims (25)

  1. 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 제 1 리소그래피 시스템을 튜닝(tune)하는 방법에 있어서:
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템은 각각 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 가지며, 상기 방법은
    테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 이미징 모델을 캘리브레이션(calibrate)하는 단계- 상기 캘리브레이션된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -;
    상기 제 1 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 캘리브레이션된 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 캘리브레이션된 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및
    상기 파라미터 값들의 제 1 세트와 상기 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 파라미터들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 제 1 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템은 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 제 1 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이미징 모델은 고정된 파라미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 제 1 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들에 대응하는 것을 특징으로 하는 제 1 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은, 상기 테스트 패턴을 이미징하는 경우에 공칭 값(nominal value)으로 설정되는 것을 특징으로 하는 제 1 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  6. 이미징 모델을 이용하여 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템 및 상기 이미징 모델은 각각 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 가지며, 상기 방법은
    테스트 패턴을 정의하는 단계;
    상기 리소그래피 시스템을 이용하여 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계- 상기 리소그래피 시스템은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -;
    상기 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및
    상기 파라미터 값들의 제 1 세트와 상기 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 상기 리소그래피 시스템의 상기 파라미터들의 제 1 세트를 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템은 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 이미징 모델은 고정된 파라미터들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 상기 이미징 모델의 상기 튜닝가능한 파라미터들에 대응하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은, 상기 테스트 패턴을 이미징하는 경우에 공칭 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  11. 타겟 패턴을 이용하여 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템은 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 가지며, 상기 방법은
    이미징 모델을 정의하는 단계;
    상기 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 타겟 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 이미징 모델을 이용하여 상기 타겟 패턴의 이미징을 시뮬레이트하고, 시뮬레이트된 이미징 결과들을 결정하는 단계- 상기 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -;
    상기 시뮬레이트된 이미징 결과들, 및 상기 이미징 결과들과 상기 타겟 패턴 간의 차이에 기초하여 타겟 웨이퍼 데이터를 결정하고, 상기 타겟 웨이퍼 데이터를 이용하여 상기 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및
    상기 파라미터 값들의 제 1 세트와 상기 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 상기 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들을 조정하는 단계를 포함하여 이루어지는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템은 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 이미징 모델은 고정된 파라미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 상기 이미징 모델의 상기 튜닝가능한 파라미터들에 대응하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 리소그래피 시스템 및 상기 이미징 모델의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 초기에 공칭 값들로 설정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템 튜닝 방법.
  16. 컴퓨터로 하여금, 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 제 1 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법을 수행하게 하는 명령어들의 시퀀스를 포함한 컴퓨터 판독가능한 매체에 있어서:
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템은 각각 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 가지며, 상기 방법은
    테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 이미징 모델을 캘리브레이션하는 단계- 상기 캘리브레이션된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -;
    상기 제 1 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상 기 캘리브레이션된 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 캘리브레이션된 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및
    상기 파라미터 값들의 제 1 세트와 상기 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차이에 기초하여 상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 파라미터들을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템은 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 이미징 모델은 고정된 파라미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들에 대응하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은, 상기 테스트 패턴을 이미징하는 경우에 공칭 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 매체.
  21. 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 제 1 리소그래피 시스템을 튜닝하는 방법을 수행하도록 구성된 프로세서를 갖는 장치에 있어서:
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템은 각각 이미징 성능을 제어하는 튜닝가능한 파라미터들을 가지며, 상기 방법은
    테스트 패턴 및 이미징 모델을 정의하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 제 1 리소그래피 시스템을 이용하여 상기 테스트 패턴을 이미징하고, 이미징 결과들을 측정하는 단계;
    상기 기준 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 이미징 모델을 캘리브레이션하는 단계- 상기 캘리브레이션된 이미징 모델은 파라미터 값들의 제 1 세트를 가짐 -;
    상기 제 1 리소그래피 시스템에 대응하는 상기 이미징 결과들을 이용하여 상기 캘리브레이션된 이미징 모델을 튜닝하는 단계- 상기 튜닝된 캘리브레이션된 모델은 파라미터 값들의 제 2 세트를 가짐 -; 및
    상기 파라미터 값들의 제 1 세트와 상기 파라미터 값들의 제 2 세트 간의 차 이에 기초하여 상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 파라미터들을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템은 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 이미징 모델은 고정된 파라미터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들에 대응하는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 리소그래피 시스템 및 상기 기준 리소그래피 시스템의 상기 튜닝가능한 파라미터들은, 상기 테스트 패턴을 이미징하는 경우에 공칭 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 장치.
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