JP4890517B2 - モデルベーススキャナ調整を実行する方法 - Google Patents
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Description
・プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの例は、粘弾性制御層および反射性表面を有するマトリクスアドレス可能表面である。このような装置の基本的原理は、(例えば)反射性表面のアドレス指定された区域は、入射光を回折光として反射し、アドレス指定されない区域は入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用すると、上記非回折光を反射ビームから除去し、回折光のみを残すことができる。この方法で、ビームは、マトリクスアドレス可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターンが与えられる。必要なマトリクスアドレス指定は、適切な電子手段を使用して実行することができる。このようなミラーアレイに関してもっと知りたい場合には、例えば、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,296,891号およびUS5,523,193号をご覧頂きたい。
・プログラマブルLCDアレイ。このような構造の例が、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許US5,229,872号にある。
[35] Pi=Pi(公称値)+MP_R−MP_Ri
[36] ここで、Pi(公称値)は、初期ウェーハデータWD_iの生成に使用される公称パラメータに対応し、MP_Rは基準スキャナについて較正されたモデルのパラメータに対応し、MP_Riはスキャナ(i)について較正されたモデルのパラメータに対応する。次に、この結果のパラメータPiを使用して、対応するスキャナ(i)を調整する。
WD_CT=WD_C+(WD_T−WD_M)
−放射の投影ビームPBを供給し、この特定のケースでは、放射源LAも備える放射システムEx、ILと、
−マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
−基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば、1つまたは複数のダイを備える)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば、屈折性、反射性または反射屈折性光学システム)とを備える。
−ステップモードでは、マスクテーブルMTは実質的に静止状態に維持され、マスク像全体が1回(すなわち1回の「フラッシュ」)でターゲット部分Cに投影される。次に、ビームPBで異なるターゲット部分Cを照射できるように、基板テーブルWTをx及び/又はy方向にシフトする。
−スキャンモードでは、実質的に同じシナリオが当てはまるが、所与のターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」で露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは、投影ビームPBがマスク像をスキャンするように、所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えば、y方向)に速度yで移動可能であり、同時に、基板テーブルWTが、同じ方向または反対方向に速度V=Mvで同時に移動し、ここでMはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4または1/5)。この方法で、解像度を損なわずに比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (20)
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む方法。 - 前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項1に記載の第1のリソグラフィシステムを調整する方法。
- ターゲットパターンを使用してリソグラフィシステムを調整する方法であって、前記リソグラフィシステムが結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、
結像モデルを画定するステップと、
前記リソグラフィシステムを使用して前記ターゲットパターンを結像し、結像結果を測定するステップと、
前記結像モデルを使用して前記ターゲットパターンの結像をシミュレートし、シミュレートした結像結果を判定するステップであって、前記結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記シミュレートした結像結果、および前記結像結果と前記ターゲットパターンとの差に基づいてターゲットウェーハデータを判定するステップと、
前記ターゲットウェーハデータを使用して前記結像モデルを調整するステップであって、前記調整された結像モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータを調節するステップとを含む方法。 - 前記リソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記結像モデルの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 前記リソグラフィシステムおよび前記結像モデルの前記調整可能なパラメータが、最初に公称値に設定される、請求項6に記載のリソグラフィシステムを調整する方法。
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法をコンピュータに実行させる命令のシーケンスを含むコンピュータ読取可能媒体であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して、前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整された較正モデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、コンピュータ読取可能媒体。 - 前記第1のリソグラフィシステムがスキャナを備える、請求項11に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項11に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項11に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項11に記載のコンピュータ読取可能媒体。
- 基準リソグラフィシステムを使用して第1のリソグラフィシステムを調整する方法を実行するように構成されたプロセッサを有する装置であって、前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムがそれぞれ結像性能を制御するための調整可能なパラメータを有し、前記方法が、
テストパターンおよび結像モデルを画定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像して、前記結像結果を測定するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムを使用して前記テストパターンを結像し、前記結像結果を測定するステップと、
前記基準リソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記結像モデルを較正するステップであって、前記較正された結像モデルは第1のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のリソグラフィシステムに対応する前記結像結果を使用して前記較正された結像モデルを調整するステップであって、前記調整および較正されたモデルは第2のセットのパラメータ値を有するステップと、
前記第1のセットのパラメータ値と前記第2のセットのパラメータ値との差に基づいて、前記第1のリソグラフィシステムの前記パラメータを調節するステップとを含む、装置。 - 前記第1のリソグラフィシステムが、スキャナを備える、請求項16に記載の装置。
- 前記結像モデルが、固定パラメータを備える、請求項16に記載の装置。
- 前記第1のリソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータに対応する、請求項16に記載の装置。
- 前記第1のリソグラフィシステムおよび前記基準リソグラフィシステムの前記調整可能なパラメータが、前記テストパターンの結像時に公称値に設定される、請求項16に記載の装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7999920B2 (en) | 2007-08-22 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing model-based scanner tuning |
US8300214B2 (en) * | 2008-02-22 | 2012-10-30 | Nikon Precision Inc. | System and method for an adjusting optical proximity effect for an exposure apparatus |
NL1036750A1 (nl) * | 2008-04-14 | 2009-10-15 | Brion Tech Inc | A Method Of Performing Mask-Writer Tuning and Optimization. |
WO2009148974A1 (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-10 | Brion Technologies, Inc. | Model-based scanner tuning methods |
NL2003719A (en) | 2008-11-10 | 2010-05-11 | Brion Tech Inc | Delta tcc for fast sensitivity model computation. |
US8438507B2 (en) * | 2008-11-20 | 2013-05-07 | Nikon Corporation | Systems and methods for adjusting a lithographic scanner |
WO2011101187A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2007579A (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-14 | Asml Netherlands Bv | Pattern-dependent proximity matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
NL2007578A (en) * | 2010-11-17 | 2012-05-22 | Asml Netherlands Bv | Pattern-independent and hybrid matching/tuning including light manipulation by projection optics. |
NL2008702A (en) | 2011-05-25 | 2012-11-27 | Asml Netherlands Bv | Computational process control. |
NL2008924A (en) * | 2011-06-22 | 2013-01-02 | Asml Netherlands Bv | System and method to ensure source and image stability. |
US8959465B2 (en) * | 2011-12-30 | 2015-02-17 | Intel Corporation | Techniques for phase tuning for process optimization |
KR101958050B1 (ko) | 2012-04-18 | 2019-07-04 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 극자외선 레티클의 임계 치수 균일성 모니터링 |
WO2014060170A1 (en) | 2012-10-15 | 2014-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
US9494878B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-11-15 | Asml Netherlands B.V. | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
WO2014082961A1 (en) | 2012-11-27 | 2014-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate support system, device manufacturing method and control program |
US9588179B2 (en) * | 2013-06-12 | 2017-03-07 | Synopsys, Inc. | Scheme for masking output of scan chains in test circuit |
US10067187B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-09-04 | Synopsys, Inc. | Handling of undesirable distribution of unknown values in testing of circuit using automated test equipment |
US11731365B2 (en) | 2016-04-25 | 2023-08-22 | Renishaw Plc | Calibration method of plurality of scanners in an additive manufacturing apparatus |
CN110036347B (zh) * | 2016-12-02 | 2022-01-21 | Asml荷兰有限公司 | 改变蚀刻参数的方法 |
US11422472B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Patterning process improvement involving optical aberration |
KR20230065371A (ko) | 2018-06-25 | 2023-05-11 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 성능 매칭에 기초하는 튜닝 스캐너에 대한 파면 최적화 |
EP3588191A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-01 | ASML Netherlands B.V. | Tuning patterning apparatus based on optical characteristic |
US11953823B2 (en) | 2018-08-31 | 2024-04-09 | Asml Netherlands B.V. | Measurement method and apparatus |
KR20230010686A (ko) * | 2020-06-10 | 2023-01-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 수차 영향 시스템, 모델, 및 제조 프로세스 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US192015A (en) * | 1877-06-12 | Improvement in head-blocks for saw-mills | ||
US126672A (en) * | 1872-05-14 | Improvement in washing-machines | ||
US234136A (en) * | 1880-11-09 | James a | ||
JPH0821531B2 (ja) * | 1986-08-29 | 1996-03-04 | 株式会社ニコン | 投影光学装置 |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JP2938568B2 (ja) | 1990-05-02 | 1999-08-23 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照明装置 |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6020950A (en) * | 1992-02-24 | 2000-02-01 | Nikon Corporation | Exposure method and projection exposure apparatus |
US5621652A (en) * | 1995-03-21 | 1997-04-15 | Vlsi Technology, Inc. | System and method for verifying process models in integrated circuit process simulators |
US5719796A (en) * | 1995-12-04 | 1998-02-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback |
JP4075966B2 (ja) | 1996-03-06 | 2008-04-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 差分干渉計システム及びこのシステムを具えたリソグラフステップアンドスキャン装置 |
JPH09330862A (ja) | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Nikon Corp | 露光装置の調整方法 |
JP3870301B2 (ja) | 1996-06-11 | 2007-01-17 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の組立法、半導体装置及び半導体装置の連続組立システム |
JP2000505958A (ja) | 1996-12-24 | 2000-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置 |
US6078738A (en) | 1997-05-08 | 2000-06-20 | Lsi Logic Corporation | Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization |
JP4323588B2 (ja) | 1998-07-21 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 編集方法、デバイス製造方法およびコンピュータ |
JP2000047103A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Nikon Corp | 投影光学系の調整方法 |
KR100594199B1 (ko) | 1999-06-16 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 노광 장치의 그리드 보정 방법 |
JP2002206990A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Canon Inc | 波面収差測定方法及び投影露光装置 |
EP1329771B1 (en) | 2001-10-09 | 2006-09-06 | ASML MaskTools B.V. | Method of two dimensional feature model calibration and optimization |
US6643596B2 (en) * | 2001-12-13 | 2003-11-04 | Yield Dynamics, Inc. | System and method for controlling critical dimension in a semiconductor manufacturing process |
US6691052B1 (en) | 2002-01-30 | 2004-02-10 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern |
US20030192015A1 (en) | 2002-04-04 | 2003-10-09 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction |
US7149998B2 (en) | 2002-12-30 | 2006-12-12 | Synopsys Inc. | Lithography process modeling of asymmetric patterns |
US6839125B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Method for optimizing an illumination source using full resist simulation and process window response metric |
KR100824031B1 (ko) * | 2004-01-30 | 2008-04-21 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 캘리브레이션된 고유 분해 모델을 이용하여 노광 툴들의믹스/매치로 인한 모델 opc 편차를 예측하고최소화하는 방법 |
US20050185174A1 (en) | 2004-02-23 | 2005-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Method to determine the value of process parameters based on scatterometry data |
JP2005327769A (ja) | 2004-05-12 | 2005-11-24 | Nikon Corp | 算出方法、調整方法及び露光方法、露光装置及び像形成状態調整システム、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US7116411B2 (en) | 2004-08-26 | 2006-10-03 | Asml Masktools B.V. | Method of performing resist process calibration/optimization and DOE optimization for providing OPE matching between different lithography systems |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7642019B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for monitoring and adjusting focus variation in a photolithographic process using test features printed from photomask test pattern images; and machine readable program storage device having instructions therefore |
US7224437B2 (en) * | 2005-05-31 | 2007-05-29 | Invarium, Inc | Method for measuring and verifying stepper illumination |
JP4701030B2 (ja) | 2005-07-22 | 2011-06-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム |
JP4597804B2 (ja) | 2005-07-26 | 2010-12-15 | ヤマハ発動機株式会社 | 表面実装機 |
US7488933B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-02-10 | Brion Technologies, Inc. | Method for lithography model calibration |
CN101258498B (zh) * | 2005-08-08 | 2011-04-13 | Asml荷兰有限公司 | 用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法 |
US8029947B2 (en) * | 2005-09-01 | 2011-10-04 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for implementing and manufacturing reticles for use in photolithography tools |
US7425397B2 (en) * | 2005-09-12 | 2008-09-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining an illumination profile and device manufacturing method |
US20070121090A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7921383B1 (en) * | 2006-01-11 | 2011-04-05 | Olambda, Inc | Photolithographic process simulation including efficient result computation for multiple process variation values |
JP4947483B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2012-06-06 | 株式会社ニコン | デバイス製造処理方法、デバイス製造処理システム、プログラム及び記憶媒体 |
US7433791B2 (en) * | 2006-02-17 | 2008-10-07 | Asml Masktools B.V. | Method of performing multiple stage model calibration for optical imaging simulation models |
JP2009530824A (ja) | 2006-03-16 | 2009-08-27 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 露光ツール群においてアライメント性能を最適化するための方法およびシステム |
JP2008166483A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nikon Corp | グリッドマッチング方法、及び露光システム |
US8365107B2 (en) * | 2007-01-18 | 2013-01-29 | Nikon Corporation | Scanner based optical proximity correction system and method of use |
US20080304029A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Qimonda Ag | Method and System for Adjusting an Optical Model |
US7999920B2 (en) * | 2007-08-22 | 2011-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Method of performing model-based scanner tuning |
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