Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100845364B1 - Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus - Google Patents

Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100845364B1
KR100845364B1 KR1020060034939A KR20060034939A KR100845364B1 KR 100845364 B1 KR100845364 B1 KR 100845364B1 KR 1020060034939 A KR1020060034939 A KR 1020060034939A KR 20060034939 A KR20060034939 A KR 20060034939A KR 100845364 B1 KR100845364 B1 KR 100845364B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid crystal
inorganic oxide
oxide film
electronic device
Prior art date
Application number
KR1020060034939A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060110222A (en
Inventor
유지 시노하라
고이치 데라오
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20060110222A publication Critical patent/KR20060110222A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100845364B1 publication Critical patent/KR100845364B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133734Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition
    • C09K2323/02Alignment layer characterised by chemical composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 알코올을 무기 산화물막의 표면뿐만 아니라, 이것이 갖는 세공의 내면에도 확실히 화학결합시킬 수 있는 무기 산화물막의 처리방법, 예컨대 액정분자 등의 배향성이 시간의 경과에 따라 저하되기 어려운 전자 디바이스용 기판, 이러한 전자 디바이스용 기판을 제조할 수 있는 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 신뢰성이 높은 액정패널 및 전자기기를 제공하는 것이다.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법은 기판(9)의 한쪽 면측에 사방 증착법에 의해 복수의 세공(30)을 갖는 무기 산화물막(31)을 형성하는 제 1 공정; 무기 산화물막(31)이 형성된 기판(9)을, 알코올을 함유하는 처리액 중에 침지하는 제 2 공정; 처리액이 설치된 공간을 감압함으로써 무기 산화물막(31)의 세공(30)내에 처리액을 침투시키는 제 3 공정; 및 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 알코올을 화학결합시켜 배향막(3A)을 얻는 제 4 공정을 갖는다.

Figure R1020060034939

The present invention relates to a substrate for an electronic device, in which an orientation of such an inorganic oxide film can be reliably chemically bonded not only to the surface of the inorganic oxide film but also to the inner surface of the pores thereof, such as liquid crystal molecules, which is less likely to decrease with time. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic device substrate, a liquid crystal panel, and an electronic device having high reliability.

The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention is the 1st process of forming the inorganic oxide film 31 which has the some pore 30 by the four-side vapor deposition method in the one surface side of the board | substrate 9; 2nd process of immersing the board | substrate 9 in which the inorganic oxide film 31 was formed in the processing liquid containing alcohol; A third step of infiltrating the processing liquid into the pores 30 of the inorganic oxide film 31 by reducing the space in which the processing liquid is installed; And a fourth step of obtaining an alignment film 3A by chemically bonding alcohol to the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30.

Figure R1020060034939

Description

무기 산화물막의 처리방법, 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 액정패널 및 전자기기{METHOD OF TREATING INORGANIC OXIDE FILM, ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, AND ELECTRONIC APPARATUS} METHODS OF TREATING INORGANIC OXIDE FILM, ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, AND ELECTRONIC APPARATUS }

도 1은 본 발명의 액정패널의 제 1 실시 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal cross-sectional view which shows typically 1st Embodiment of the liquid crystal panel of this invention.

도 2는 도 1에 나타내는 액정패널이 구비하는 배향막의 구성을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. FIG. 2: is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the structure of the alignment film with which the liquid crystal panel shown in FIG. 1 is equipped.

도 3은 본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에 이용하는 처리장치의 구성을 나타내는 모식도이다. It is a schematic diagram which shows the structure of the processing apparatus used for the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention.

도 4는 본 발명의 액정패널의 제 2 실시 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing a second embodiment of a liquid crystal panel of the present invention.

도 5는 본 발명의 전자기기를 적용한 모바일형(또는 노트북형)의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. Fig. 5 is a perspective view showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic device of the present invention is applied.

도 6은 본 발명의 전자기기를 적용한 휴대전화기(PHS도 포함한다)의 구성을 나타내는 사시도이다. Fig. 6 is a perspective view showing the structure of a cellular phone (including PHS) to which the electronic device of the present invention is applied.

도 7은 본 발명의 전자기기를 적용한 디지털 스틸 카메라의 구성을 나타내는 사시도이다. 7 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic device of the present invention is applied.

도 8은 본 발명의 전자기기를 적용한 투사형 표시장치의 광학계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 8 is a diagram schematically showing an optical system of a projection display device to which the electronic device of the present invention is applied.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1A,1B: 액정패널 2: 액정층1A, 1B: liquid crystal panel 2: liquid crystal layer

3A,3B: 배향막 30: 세공3A, 3B: alignment film 30: pores

31: 무기 산화물막 32: 피막31: inorganic oxide film 32: film

4A,4B: 배향막 5: 투명 도전막4A, 4B: Alignment film 5: Transparent conductive film

6: 투명 도전막 7A,7B: 편광막6: transparent conductive film 7A, 7B: polarizing film

8A,8B: 편광막 9: 기판8A, 8B: Polarizing Film 9: Substrate

10: 기판 100: 기재10: substrate 100: substrate

101: 기재 11: 마이크로렌즈 기판101: substrate 11: microlens substrate

111: 마이크로 렌즈용 오목부 부착 기판 112: 오목부111: substrate with recesses for microlenses 112: recesses

113: 마이크로 렌즈 114: 표층113: microlens 114: surface layer

115: 수지층 12: 액정패널용 대향기판115: resin layer 12: opposing substrate for liquid crystal panel

13: 블랙 매트릭스 131: 개구13: black matrix 131: opening

14: 투명 도전막 17: TFT 기판14 transparent conductive film 17 TFT substrate

171: 유리기판 172: 화소전극171: glass substrate 172: pixel electrode

173: 박막 트랜지스터 900: 처리장치173: thin film transistor 900: processing device

910: 챔버 920: 용기910: chamber 920: container

930: 배기수단 931: 배기라인930: exhaust means 931: exhaust line

932: 펌프 933: 밸브932: pump 933: valve

940: 배액수단 941: 배액 라인940: drainage means 941: drainage line

942: 펌프 943: 밸브942: Pump 943: Valve

944: 회수탱크 950: 스테이지944 recovery tank 950 stage

960: 급액수단 961: 급액라인960: liquid supply means 961: liquid supply line

962: 펌프 963: 밸브962 pump 963 valve

964: 저류탱크 S: 처리액964: storage tank S: treatment liquid

1100: 퍼스널 컴퓨터 1102: 키보드1100: Personal Computer 1102: Keyboard

1104: 본체부 1106: 표시유닛1104: main body 1106: display unit

1200: 휴대전화기 1202: 조작 버튼1200: mobile phone 1202: operation button

1204: 수화구 1206: 송화구1204: crater 1206: song crater

1300: 디지털 스틸 카메라 1302: 케이스(body)1300: digital still camera 1302: body

1304: 수광유닛 1306: 셔터버튼1304: light receiving unit 1306: shutter button

1308: 회로 기판 1312: 비디오 신호 출력단자1308: circuit board 1312: video signal output terminal

1314: 데이터 통신용의 입출력단자 1430: 텔레비전 모니터1314: input / output terminal for data communication 1430: television monitor

1440: 퍼스널 컴퓨터 300: 투사형 표시장치1440: personal computer 300: projection display device

301: 광원 302,303: 인테그레이터 렌즈301: light source 302,303: integrator lens

304,306,309: 거울 305,307,308: 2색성 거울304,306,309: Mirror 305,307,308: Dichroic Mirror

310 내지 314: 집광렌즈 320: 스크린310 to 314: condenser lens 320: screen

20: 광학블록 21: 2색성 프리즘20: optical block 21: dichroic prism

211,212: 2색성 거울면 213 내지 215: 면211, 212: dichroic mirror surfaces 213 to 215: cotton

216: 출사면 22: 투사렌즈216: exit face 22: projection lens

23: 표시유닛 24 내지 26: 액정 라이트 밸브 23: display unit 24 to 26: liquid crystal light valve

본 발명은 무기 산화물막의 처리방법, 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 액정패널 및 전자기기에 관한 것이다. The present invention relates to a method for processing an inorganic oxide film, a substrate for an electronic device, a method for manufacturing a substrate for an electronic device, a liquid crystal panel, and an electronic device.

최근, 수직 배향 타입의 액정 표시 소자는 액정 텔레비전(직시형(直視型) 표시장치), 액정 프로젝터(투사형 표시장치) 등으로 실용화되고 있다. 이들 수직 배향 타입의 액정 표시 소자에 사용되는 수직 배향막으로서는, 예컨대 액정 텔레비전에는 폴리이미드 등의 유기 배향막이 사용되고, 액정 프로젝터에는 SiO2 등의 사방 증착막(斜方 蒸着膜)(무기 배향막)이 다수 사용되고 있다. In recent years, the liquid crystal display element of the vertical alignment type has been put into practical use in liquid crystal televisions (direct display type display devices), liquid crystal projectors (projection type display devices), and the like. These Examples vertical alignment layer used in the liquid crystal display of the vertical alignment type, such as a liquid crystal television is used for the organic alignment film such as polyimide, liquid crystal projector has a SiO 2 like the four-way vapor deposition film (斜方蒸着膜) (inorganic alignment layer) a number of used have.

무기 산화물의 사방 증착막은 복수의 세공(細孔)을 갖고, 그 표면 및 세공의 내면에는 분극된 하이드록실기가 다수 존재하고 있다. 이 하이드록실기는 브뢴스테드산점으로서 활성이 있고, 액정분자나 액정 표시 소자에 포함되는 불순물, 특히 극성기를 갖는 화합물을 흡착하거나 반응하기 쉽다. 여기서, 불순물로는 시일제 중의 불순물 및 미반응 성분, 액정층 중의 불순물 및 수분, 제조과정에서 부착된 오염 등이 포함된다. The four-sided vapor deposition film of an inorganic oxide has some pore, and many polarized hydroxyl groups exist in the surface and the inner surface of a pore. This hydroxyl group is active as a Bronsted acid point, and easily adsorbs or reacts with impurities contained in liquid crystal molecules and liquid crystal display elements, particularly compounds having polar groups. Here, the impurities include impurities and unreacted components in the sealing agent, impurities and moisture in the liquid crystal layer, contamination adhered in the manufacturing process, and the like.

사방 증착막 표면에 불순물이 흡착하거나 반응하는 경우에, 표면의 형상이나 극성이 변화되어 수직 정착력(anchoring force)이 저하되고, 액정분자가 배향 이상을 일으키는 것으로 알려져 있다. 또한, 직접 액정분자가 하이드록실기와 화학반응을 일으키는 것도 알려져 있다. 그래서, 사방 증착막(무기 산화물막)의 표면 개질법으로서, 무기 배향막의 표면의 하이드록실기를 고급 알코올 또는 실레인 커플링제로 처리하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 제1999-160711호 공보 및 일본 특허공개 제1993-203958호 공보 참조). When an impurity adsorbs or reacts on the surface of an evaporation film, the shape and polarity of a surface change, and it is known that a perpendicular anchoring force falls, and a liquid crystal molecule produces an orientation abnormality. It is also known that direct liquid crystal molecules cause chemical reactions with hydroxyl groups. Then, as a surface modification method of an evaporation film (inorganic oxide film), the method of processing the hydroxyl group of the surface of an inorganic alignment film with a higher alcohol or a silane coupling agent is proposed (for example, Unexamined-Japanese-Patent No. 1999-160711). And Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1993-203958.

일본 특허공개 제1999-160711호 공보에 기재된 방법에서는, SiO2의 사방 증착막을 고급 알코올 증기에 노출시켜 실시한다. 그런데, 이 방법에서는, 처리온도가 낮기 때문에 고급 알코올이 사방 증착막의 표면에 물리적으로 흡착하는 것에 그치고, 결합력이 매우 약하다. 이 때문에, 액정분자와 접촉하는 것에 의해, 고급 알코올이 사방 증착막의 표면에서 쉽게 탈리하고, 초기적으로 안정한 수직 배향력이 얻어지지 않는다고 하는 문제가 있다. In the method described in Japanese Patent Laid-Open No. 1999-160711, the tetragonal vapor deposition film of SiO 2 is exposed to higher alcohol vapor. By the way, in this method, since processing temperature is low, higher alcohol only physically adsorb | sucks to the surface of a vapor deposition film, and bonding strength is very weak. For this reason, there is a problem that the higher alcohol is easily detached from the surface of the evaporated film by contact with the liquid crystal molecules and an initial stable vertical alignment force is not obtained.

또한, 일본 특허공개 제1993-203958호 공보에 기재된 방법에서는, 이온 빔으로 보조하면서 증착된 SiO2의 사방 증착막에 수직 배향제로서 실레인 커플링제인 옥타데실다이메틸(3-(트라이메톡시실릴)프로필)암모늄클로라이드를 도포한(접촉시킨) 후, 110℃에서 1시간 소성하는 것이 실시된다. 그러나, 사방 증착막의 세공(빈 구멍) 직경은 작고, 사방 증착막에 실레인 커플링제를 단지 접촉시키는 것만으로는 표면에 있는 하이드록실기밖에 화학결합을 할 수 없다. 즉, 빈 구멍내에 존재하는 하이드록실기에는 실레인 커플링제를 화학결합할 수 없다. 이 때문에, 일본 특허공개 제1993-203958호 공보에 기재된 방법에서는, 사방 증착막의 세공내에 존재하는 하이드록실기의 영향에 의해 액정분자의 배향성이 비교적 단시간에 저하된다고 하는 문제가 있다. In addition, in the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 193-203958, octadecyldimethyl (3- (trimethoxysilyl), which is a silane coupling agent, is used as a vertical alignment agent to a four-sided deposited film of SiO 2 deposited while assisting with an ion beam. ) Propyl) ammonium chloride was applied (contacted) and then calcined at 110 ° C for 1 hour. However, the pore (empty hole) diameter of the evaporated film is small, and only the hydroxyl group on the surface can chemically bond by simply contacting the silane coupling agent with the evaporated film. That is, the silane coupling agent cannot chemically bond to the hydroxyl group present in the empty hole. For this reason, in the method of Unexamined-Japanese-Patent No. 193-203958, there exists a problem that the orientation of a liquid crystal molecule falls in a comparatively short time under the influence of the hydroxyl group which exists in the pore of a four-side vapor deposition film.

본 발명의 목적은 알코올을 무기 산화물막의 표면뿐만 아니라, 이것이 갖는 세공의 내면에도 확실히 화학결합시킬 수 있는 무기 산화물막의 처리방법, 예컨대 액정분자 등의 배향성이 시간의 경과에 따라 저하되기 어려운 전자 디바이스용 기판, 이러한 전자 디바이스용 기판을 제조할 수 있는 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 신뢰성이 높은 액정패널 및 전자기기를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is for an electronic device, in which an orientation of an inorganic oxide film, such as liquid crystal molecules, which can be reliably chemically bonded not only to the surface of the inorganic oxide film but also to the inner surface of the pores thereof, is less likely to decrease with time. The present invention provides a substrate, a method of manufacturing a substrate for an electronic device capable of manufacturing such a substrate for an electronic device, a liquid crystal panel and an electronic device having high reliability.

이러한 목적은, 하기의 본 발명에 의해 달성된다. 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법은 사방 증착법에 의해 형성되고 복수의 세공을 갖는 무기 산화물막을, 알코올을 함유하는 처리액 중에 침지하는 공정; 상기 처리액이 설치된 공간을 감압 함으로써 상기 무기 산화물막의 세공내에 상기 처리액을 침투시키는 공정; 및 상기 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 상기 알코올을 화학결합시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 알코올을 무기 산화물막의 표면뿐만 아니라, 이것이 갖는 세공의 내면에도 확실히 화학결합시킬 수 있다. This object is achieved by the following invention. The processing method of the inorganic oxide film of this invention is the process of immersing the inorganic oxide film formed by the four-side vapor deposition method and having a some pore in the processing liquid containing alcohol; Infiltrating the processing liquid into pores of the inorganic oxide film by reducing the space in which the processing liquid is installed; And chemically bonding the alcohol to the surface of the inorganic oxide film and the inner surface of the pores. Thereby, alcohol can be reliably chemically bonded not only to the surface of an inorganic oxide film but also to the inner surface of the pores which it has.

본 발명의 전자 디바이스용 기판은 기판, 및 상기 기판의 한쪽 면에 설치된 배향막을 갖는 전자 디바이스용 기판으로서, 상기 배향막이 사방 증착법에 의해 형성되고, 복수의 세공을 갖는 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 알코올을 화학결합시켜 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 예컨대 액정분자 등의 배향성이 시간의 경과에 따라 저하되기 어려운 전자 디바이스용 기판이 얻어진다. The electronic device substrate of this invention is a board | substrate for electronic devices which has a board | substrate and the oriented film provided in one surface of the said board | substrate, The said oriented film is formed by the four-side vapor deposition method, and the surface of the inorganic oxide film which has a some pore, and the inner surface of the pore It is characterized by the chemical bonding of alcohol to. Thereby, the board | substrate for electronic devices which the orientation, such as a liquid crystal molecule, does not fall easily with time progress is obtained, for example.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법은 기판, 및 상기 기판의 한쪽 면에 설치된 배향막을 갖는 전자 디바이스용 기판을 제조하는 방법으로서, 상기 기판의 한쪽 면에 사방 증착법에 의해 복수의 세공을 갖는 무기 산화물막을 형성하는 제 1 공정; 상기 무기 산화물막이 형성된 기판을, 알코올을 함유하는 처리액 중에 침지하는 제 2 공정; 상기 처리액이 설치된 공간을 감압함으로써 상기 무기 산화물막의 세공내에 상기 처리액을 침투시키는 제 3 공정; 및 상기 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 상기 알코올을 화학결합시켜 상기 배향막을 얻는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 알코올을 무기 산화물막의 표면뿐만 아니라, 이것이 갖는 세공의 내면에도 확실히 화학결합시킨 배향막을 갖는 전자 디바이스용 기판을 얻을 수 있다. The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention is a method of manufacturing the board | substrate for electronic devices which has a board | substrate and the oriented film provided in one side of the said board | substrate, The inorganic which has a some pore on one side of the said board | substrate by a vapor deposition method. A first step of forming an oxide film; A second step of immersing the substrate on which the inorganic oxide film is formed in a processing liquid containing alcohol; A third step of allowing the treatment liquid to penetrate into pores of the inorganic oxide film by reducing the space in which the treatment liquid is installed; And a fourth step of obtaining the alignment film by chemically bonding the alcohol to the surface of the inorganic oxide film and the inner surface of the pores. Thereby, the board | substrate for electronic devices which has the orientation film which reliably chemically bonded alcohol to not only the surface of an inorganic oxide film but the inner surface of the pores which it has can be obtained.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 알코올이 2 내지 30의 탄소수를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 탄소수의 알코올은 상온에서 액상이거나, 또는 반고형상(고형상)이라도 비교적 저온에서 액상으로 될 수 있다. 이 때문에, 처리액에 의해 무기 산화물막을 처리할 때의 취급이 용이하다. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, it is preferable that the said alcohol has 2-30 carbon atoms. Such carbon number alcohol may be liquid at normal temperature, or may be semisolid (solid) even at a relatively low temperature. For this reason, the handling at the time of processing an inorganic oxide film with a process liquid is easy.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 알코올이 지방족 알코올 또는 그의 불소 치환체인 것이 바람직하다. 지방족 알코올 또는 그의 불소 치환체는 그 분자 구조가 직선상에 가깝기 때문에 무기 산화물막의 세공의 심부까지 보다 확실히 침투시킬 수 있다. 본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 제 3 공정에 있어서, 상기 공간의 진공도가 10-4 내지 104 Pa 인 것이 바람직하다. 이에 의해, 무기 산화물막의 세공내에서 충분히 공기가 제거되고, 세공내에 처리액을 충분히 침투시킬 수 있다. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, it is preferable that the said alcohol is an aliphatic alcohol or its fluorine substituent. The aliphatic alcohol or its fluorine substituent can penetrate more reliably to the deeper portion of the pores of the inorganic oxide film because its molecular structure is close to a straight line. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, in the said 3rd process, it is preferable that the vacuum degree of the said space is 10 <-4> -10 <4> Pa. As a result, air is sufficiently removed from the pores of the inorganic oxide film, and the processing liquid can be sufficiently penetrated into the pores.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 제 4 공정이 상기 기판을 가열하는 것에 의해 실시하는 것이 바람직하다. 가열에 의한 방법을 이용하는 것에 의해, 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 존재하는 하이드록실기와의 반응을 비교적 용이하고 또한 확실히 할 수 있다. 본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 기판의 가열 온도가 80 내지 250℃ 인 것이 바람직하다. 이에 의해, 알코올의 종류나 무기 산화물의 종류 등에 의하지 않고, 무기 산화물막에 알코올을 충분히 화학결합시킬 수 있다. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, it is preferable to perform the said 4th process by heating the said board | substrate. By using the method by heating, reaction with the hydroxyl group which exists in the surface of an inorganic oxide film and the inner surface of a pore can be made comparatively easy and sure. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, it is preferable that the heating temperature of the said board | substrate is 80-250 degreeC. Thereby, the alcohol can be sufficiently chemically bonded to the inorganic oxide film regardless of the kind of the alcohol, the kind of the inorganic oxide, or the like.

본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 상기 기판의 가열 시간이 20 내지 180분인 것이 바람직하다. 이에 의해, 가열 온도 등의 다른 조건에 의하지 않고, 무기 산화물막에 알코올을 충분히 화학결합시킬 수 있다. 본 발명의 액정패널은 본 발명의 전자 디바이스용 기판과, 상기 배향막의 상기 기판 반대측에 설치된 액정층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 신뢰성이 높은 액정패널이 얻어진다. In the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, it is preferable that the heating time of the said board | substrate is 20 to 180 minutes. Thereby, the alcohol can be sufficiently chemically bonded to the inorganic oxide film regardless of other conditions such as heating temperature. The liquid crystal panel of this invention is equipped with the board | substrate for electronic devices of this invention, and the liquid crystal layer provided on the opposite side of the said board | substrate of the said oriented film, It is characterized by the above-mentioned. As a result, a highly reliable liquid crystal panel is obtained.

본 발명의 액정패널은 본 발명의 전자 디바이스용 기판을 한 쌍 구비하고, 한 쌍의 상기 전자 디바이스용 기판의 상기 배향막들 사이에 액정층을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 신뢰성이 높은 액정패널이 얻어진다. 본 발명의 전자기기는 본 발명의 액정패널을 갖는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 신뢰성이 높은 전자기기가 얻어진다. The liquid crystal panel of the present invention comprises a pair of substrates for electronic devices of the present invention, and has a liquid crystal layer between the alignment layers of the pair of substrates for electronic devices. As a result, a highly reliable liquid crystal panel is obtained. An electronic device of the present invention is characterized by having the liquid crystal panel of the present invention. As a result, a highly reliable electronic device is obtained.

이하, 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법, 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 액정패널 및 전자기기에 대하여 첨부도면을 참조하면서 구체적으로 설명한다. 우선, 본 발명의 액정패널에 대하여 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the processing method of the inorganic oxide film of this invention, the board | substrate for electronic devices, the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices, a liquid crystal panel, and an electronic device are demonstrated concretely, referring an accompanying drawing. First, the liquid crystal panel of the present invention will be described.

<제 1 실시 형태> <1st embodiment>

우선, 본 발명의 액정패널의 제 1 실시 형태에 대하여 설명한다. First, the first embodiment of the liquid crystal panel of the present invention will be described.

도 1은 본 발명의 액정패널의 제 1 실시 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이고, 도 2는 도 1에 나타낸 액정패널을 구비하는 배향막의 구성을 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 한편, 도 1에서는 시일재, 배선 등의 기재는 생략했다. 또한, 이하의 설명에서는 도 1 및 도 2 중의 상측을 「상」,하측을 「하」라고 말한다. FIG. 1: is a longitudinal cross-sectional view which shows typically 1st Embodiment of the liquid crystal panel of this invention, and FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view which shows typically the structure of the alignment film provided with the liquid crystal panel shown in FIG. In addition, description of sealing materials, wiring, etc. was abbreviate | omitted in FIG. In addition, in the following description, the upper side in FIG. 1 and FIG. 2 is called "upper | on", and the lower side is called "lower | bottom".

도 1에 나타낸 액정패널(1A)은 액정층(2), 배향막(3A,4A), 투명 도전 막(5,6), 편광막(7A,8A) 및 기판(9,10)을 갖는다. The liquid crystal panel 1A shown in FIG. 1 includes a liquid crystal layer 2, alignment films 3A and 4A, transparent conductive films 5 and 6, polarizing films 7A and 8A and substrates 9 and 10.

이러한 구성에 있어서, 기판(9), 투명 도전막(5)(전극) 및 배향막(3A)에 의해, 또한, 기판(10), 투명 도전막(6)(전극) 및 배향막(4A)에 의해, 각각, 본 발명의 전자 디바이스용 기판이 구성되어 있다. In such a configuration, the substrate 9, the transparent conductive film 5 (electrode) and the alignment film 3A, and the substrate 10, the transparent conductive film 6 (electrode) and the alignment film 4A are provided. Each of the substrates for electronic devices of the present invention is configured.

한편, 도시한 구성에서는 투명 도전막(5,6)은 어느 것이나 분할되어 있지 않지만, 보통, 이들 중 하나 이상은 분할되어, 개별 전극(화소전극)을 구성하고 있다. 액정층(2)은 액정분자(액정재료)를 함유하고 있다. 액정분자로서는 예컨대, 페닐사이클로헥세인 유도체, 바이페닐 유도체, 바이페닐사이클로헥세인 유도체, 터페닐 유도체, 페닐에테르 유도체, 페닐에스터 유도체, 바이사이클로헥세인 유도체, 아조메타인 유도체, 아족시 유도체, 피리미딘 유도체, 다이옥세인 유도체, 큐밤 유도체, 또한, 이들 유도체에 플루오로기, 트라이플루오로메틸기, 트라이플루오로메톡시기, 다이플루오로메톡시기 등의 불소계 치환기를 도입한 것 등을 들 수 있다. 한편, 후술하는 바와 같이, 배향막(3A,4A)을 이용한 경우, 액정분자는 수직 배향하기 쉽게 되지만, 수직 배향에 적합한 액정분자로서는 예컨대, 하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다. On the other hand, in the illustrated configuration, none of the transparent conductive films 5 and 6 is divided, but usually, one or more of these are divided to form individual electrodes (pixel electrodes). The liquid crystal layer 2 contains liquid crystal molecules (liquid crystal material). Examples of the liquid crystal molecules include phenylcyclohexane derivatives, biphenyl derivatives, biphenylcyclohexane derivatives, terphenyl derivatives, phenylether derivatives, phenylester derivatives, bicyclohexane derivatives, azomethine derivatives, azoxy derivatives, and pyri Midine derivatives, dioxane derivatives, cubam derivatives, and fluorine-based substituents such as fluoro groups, trifluoromethyl groups, trifluoromethoxy groups and difluoromethoxy groups may be mentioned. On the other hand, as described later, when the alignment films 3A and 4A are used, the liquid crystal molecules are easily aligned vertically, but examples of the liquid crystal molecules suitable for the vertical alignment include compounds represented by the following formulas (1) to (3). .

Figure 112006026863117-pat00001
Figure 112006026863117-pat00001

Figure 112006026863117-pat00002
Figure 112006026863117-pat00002

Figure 112006026863117-pat00003
Figure 112006026863117-pat00003

상기 식들에서,In the above formulas,

환 A 내지 I는 각각 독립적으로, 사이클로헥세인환 또는 벤젠환을 나타내고,Ring A to I each independently represent a cyclohexane ring or a benzene ring,

R1 내지 R6은 각각 독립적으로, 알킬기, 알콕시기 또는 불소원자 중 어느 하나를 나타내고, R 1 to R 6 each independently represent any one of an alkyl group, an alkoxy group or a fluorine atom,

X1 내지 X10은 각각 독립적으로, 수소원자 또는 불소원자를 나타낸다. X 1 to X 10 each independently represent a hydrogen atom or a fluorine atom.

액정층(2)의 양면에는 배향막(3A,4A)이 배치되어 있다. 또한, 배향막(3A)은 투명 도전막(5)과 기판(9)으로 이루어지는 기재(100)상에 형성되어 있고, 배향막(4A)은 투명 도전막(6)과 기판(10)으로 이루어지는 기재(101)상에 형성되어 있다. 배향막(수직 배향막)(3A,4A)은 액정층(2)을 구성하는 액정분자의(전압 무인가시에 있어서) 배향 상태를 규제하는 기능을 갖고 있다. Alignment films 3A and 4A are disposed on both surfaces of the liquid crystal layer 2. In addition, the alignment film 3A is formed on the base material 100 formed of the transparent conductive film 5 and the substrate 9, and the alignment film 4A is formed of the base material composed of the transparent conductive film 6 and the substrate 10 ( Formed on 101). The alignment films (vertical alignment films) 3A and 4A have a function of regulating the alignment state of the liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer 2 (when no voltage is applied).

한편, 배향막(3A,4A)은 어느 것이나 같은 구성이기 때문에, 이하에서는 배향 막(3A)을 대표로 하여 설명한다. 배향막(3A)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 사방 증착법에 의해 형성된 무기 산화물막(31)과, 이 무기 산화물막(31)에 후술하는 방법에 의해 처리를 하는 것에 의해 형성된 피막(32)으로 구성되어 있다. On the other hand, since the alignment films 3A and 4A have the same configuration, the following description will be given with the alignment film 3A as a representative. As shown in FIG. 2, the alignment film 3A is composed of an inorganic oxide film 31 formed by a four-side vapor deposition method and a coating film 32 formed by treating the inorganic oxide film 31 by a method described later. It is.

무기 산화물막(31)은 사방 증착법에 의해 형성되기 때문에, 도 2에 나타낸 바와 같이, 복수의 세공(30)을 갖는 구조를 하고, 각 세공(30)의 축은 기재(100)의 표면(배향막(3A)이 형성되는 면)에 대하여, 경사 상태로 1축 배향하고 있다. 여기서, 각 세공(30)의 축이 1축 배향하고 있다는 것은 대다수 세공(30)의 축이 거의 같은 방향을 향하고 있는 것(세공(30) 축의 평균적인 방향이 제어되어 있는 것)을 말하고, 복수의 세공(30) 중에는 축의 방향이 대다수의 것과 다른 방향을 향한 세공(30)이 포함되어 있을 수 있다. Since the inorganic oxide film 31 is formed by the four-side vapor deposition method, as shown in FIG. 2, it has a structure having a plurality of pores 30, and the axis of each pore 30 is the surface of the substrate 100 (alignment film ( The plane on which 3A) is formed is uniaxially oriented in an inclined state. Here, that the axis | shaft of each pore 30 is uniaxially oriented means that the axis | shaft of the most pore 30 faces the substantially same direction (the average direction of the pore 30 axis is controlled), and a plurality of The fine pores 30 may include fine pores 30 whose directions in the axial direction are different from those of the majority.

이와 같이, 각 세공(30)이 규칙적으로 배열하고 있는 것에 의해, 무기 산화물막(31)(배향막(3A))은 높은 구조 규칙성을 갖는다. 이러한 구성에 의해, 액정층(2)이 함유하는 액정분자는 수직 배향(homeotropic alignment) 하기 쉽게 된다. 따라서, 이러한 구성의 배향막(3A)은 VA(Vertical Alignment)형의 액정패널의 구축에 유용하다. Thus, by arrange | positioning each pore 30 regularly, the inorganic oxide film 31 (alignment film 3A) has high structural regularity. By such a configuration, the liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 2 are easily homeotropically aligned. Therefore, the alignment film 3A having such a configuration is useful for constructing a VA (vertical alignment) type liquid crystal panel.

또한, 배향막(3A)이 높은 구조 규칙성을 갖기 때문에, 액정분자의 배향 방향 또한 보다 정확히 일정 방향(수직방향)으로 정렬된다. 그 결과, 액정패널(1A)의 성능(특성)의 향상을 도모할 수 있다. 한편, 세공(30)과 기재(100)의 상면과의 각도(도 2중 각도θ)는, 특히 한정되지 않지만, 30° 내지 70° 정도인 것이 바람직하고, 40° 내지 60° 정도인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 액정분자를 보다 확실히 수직 배향시킬 수 있다. 무기 산화물막(31)은 무기 산화물을 주재료로 하여 구성된 막이다. 일반적으로, 무기재료는 유기재료에 비해, 우수한 화학적 안정성(광 안정성)을 갖고 있다. 이 때문에, 무기 산화물막(31)(배향막(3A))은 유기재료로 구성된 배향막에 비해, 특히 우수한 내광성을 갖는다. In addition, since the alignment film 3A has high structure regularity, the alignment direction of the liquid crystal molecules is also more precisely aligned in a constant direction (vertical direction). As a result, the performance (characteristics) of the liquid crystal panel 1A can be improved. On the other hand, the angle (angle θ in FIG. 2) between the pores 30 and the upper surface of the substrate 100 is not particularly limited, but is preferably about 30 ° to 70 °, more preferably about 40 ° to 60 °. desirable. As a result, the liquid crystal molecules can be more accurately vertically aligned. The inorganic oxide film 31 is a film composed of inorganic oxide as a main material. In general, inorganic materials have superior chemical stability (photostability) as compared with organic materials. For this reason, the inorganic oxide film 31 (alignment film 3A) has especially excellent light resistance compared with the alignment film which consists of organic materials.

또한, 무기 산화물막(31)을 구성하는 무기 산화물은 그 유전율이 비교적 낮은 것이 바람직하다. 이에 의해, 액정패널(1A)에서 화상의 인화 등을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. 이러한 무기 산화물로서는 예컨대, SiO2, SiO와 같은 실리콘 산화물, Al2O3, MgO, TiO, TiO2, In2O3, Sb2O3, Ta2O5, Y2O3, CeO2, WO3, CrO3, GaO3, HfO2, Ti3O5, NiO, ZnO, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5 등의 금속 산화물을 들 수 있고, 이들 중 1종 또는 2종 이상을 조합시켜 이용할 수 있지만, 특히, SiO2를 주성분으로 하는 것이 바람직하다. SiO2는 유전율이 특히 낮고, 또한, 높은 광 안정성을 갖는다. In addition, it is preferable that the dielectric constant of the inorganic oxide which comprises the inorganic oxide film 31 is comparatively low. Thereby, printing of an image, etc. in the liquid crystal panel 1A can be prevented more effectively. Examples of such inorganic oxides include SiO 2 , silicon oxides such as SiO, Al 2 O 3 , MgO, TiO, TiO 2 , In 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Y 2 O 3 , CeO 2 , Metal oxides such as WO 3 , CrO 3 , GaO 3 , HfO 2 , Ti 3 O 5 , NiO, ZnO, Nb 2 O 5 , ZrO 2 , Ta 2 O 5 , and one or two or more of them. Although the combination to be used, in particular, it is preferably mainly composed of SiO 2. SiO 2 is particularly low in dielectric constant and has high light stability.

이러한 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면을 따라 피막(32)이 형성되어 있다. 이 피막(32)은 후술하는 처리액을 이용하여 무기 산화물막(31)을 처리하는 것에 의해 형성된 막, 즉, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 존재하는 활성인 하이드록실기와 알코올을 갖는 하이드록실기가 화학반응(에테르화 반응)하여 형성된 막이고, 알코올의 주 골격부분을 주로 하는 막이다. A coating film 32 is formed along the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30. This film 32 is a film formed by treating the inorganic oxide film 31 using a treatment liquid to be described later, that is, an active hide existing on the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30. It is a film | membrane formed by the chemical reaction (etherification reaction) of the hydroxyl group which has a hydroxyl group and alcohol, and is a film | membrane which mainly uses the main skeleton part of alcohol.

이용하는 알코올로서는 그 탄소수가 2 내지 30인 것이 바람직하고, 3 내지 18인 것이 보다 바람직하다. 이러한 탄소수의 알코올은 상온에서 액상이거나, 또 는 반고형상(고형상)이라도 비교적 저온에서 액상으로 할 수 있다. 이 때문에, 후술하는 처리액에 의해 무기 산화물막(31)을 처리할 때의 취급이 용이하다. 또한, 이러한 탄소수의 알코올은, 분자 크기가 비교적 작기 때문에, 세공(30)의 심부까지 침투할 수 있다. 이에 의해, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 존재하는 활성인 하이드록실기의 수를 보다 감소시킬 수 있고, 무기 산화물막(31)에 대하여 각종 불순물이 부착하는 것 또는 무기 산화물막(31)이 액정분자와 반응하는 것 등을 방지할 수 있다. 이 때문에, 예컨대, 배향막(3A)의 액정분자에 대한 수직 정착의 저하 등을 방지할 수 있고, 그 결과, 액정분자에 배향 이상이 생기는 것을 방지할 수 있다. As alcohol to be used, it is preferable that carbon number is 2-30, and it is more preferable that it is 3-18. Such carbon number alcohol can be liquid at normal temperature, or even semi-solid (solid) at a relatively low temperature. For this reason, the handling at the time of processing the inorganic oxide film 31 with the process liquid mentioned later is easy. Moreover, since such a carbon number alcohol has a comparatively small molecular size, it can penetrate to the deep part of the pore 30. As a result, the number of active hydroxyl groups present on the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30 can be further reduced, and various impurities adhere to the inorganic oxide film 31 or It is possible to prevent the inorganic oxide film 31 from reacting with liquid crystal molecules. For this reason, for example, the fall of the vertical fixation with respect to the liquid crystal molecule of the alignment film 3A, etc. can be prevented, and as a result, it can prevent that an orientation abnormality arises in a liquid crystal molecule.

또한, 이 알코올로서는, 지방족 알코올, 방향족 알코올, 지환 알코올, 헤테로환 알코올, 다가 알코올 또는 이들의 할로젠 치환체(특히, 불소 치환체)를 들 수 있지만, 이들 중에서도, 지방족 알코올 또는 그 불소 치환체(플루오로 알코올)가 바람직하다. 지방족 알코올 또는 그 불소 치환체는 그 분자 구조가 직선에 근사하기 때문에, 세공(30)의 심부까지 보다 확실히 침투시킬 수 있다. 이에 의해, 상기 효과를 보다 향상시킬 수 있다. Examples of the alcohol include aliphatic alcohols, aromatic alcohols, alicyclic alcohols, heterocyclic alcohols, polyhydric alcohols, and halogen substituents thereof (particularly fluorine substituents). Among these, aliphatic alcohols or fluorine substituents thereof (fluoro) Alcohol). Since the aliphatic alcohol or its fluorine substituent is close to a straight line in its molecular structure, the aliphatic alcohol or the fluorine substituent can be more reliably penetrated to the deep portion of the pores 30. Thereby, the said effect can be improved more.

또한, 지방족 알코올 또는 그 불소 치환체를 이용하는 것에 의해, 지방족 알코올 또는 그 불소 치환체는 무기 산화물막(31)의 표면에서, 주 골격부분인 탄화수소 부분 또는 그 불화탄소 부분을 액정층(2)측으로 향해, 무기 산화물막(31)에 화학결합하게 된다. 이에 의해, 액정분자에 대한 수직 정착력이 보다 증대하여, 액정분자를 보다 확실히 수직 배향시킬 수 있다. 이러한 것을 고려하는 경우, 알코올로서는, 프로판올, 뷰탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올, 트라이데칸올, 테트라데칸올, 펜타데칸올, 헥사데칸올, 헵타데칸올, 옥타데칸올이 적합하다. In addition, by using an aliphatic alcohol or its fluorine substituent, the aliphatic alcohol or its fluorine substituent is directed from the surface of the inorganic oxide film 31 toward the liquid crystal layer 2 toward the hydrocarbon portion or the carbon fluoride portion thereof, which is the main skeleton portion. It is chemically bonded to the inorganic oxide film 31. As a result, the vertical fixing force to the liquid crystal molecules is increased, whereby the liquid crystal molecules can be oriented more reliably. In consideration of this, alcohols include propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, tridecanol, tetradecanol, pentadecanol, Hexadecanol, heptadecanol, octadecanol are suitable.

한편, 지방족 알코올 또는 그 불소 치환체는, 그 탄화수소 부분 또는 불화탄소 부분(주 골격부분)이 직쇄상인 것, 분지상인 것 중에서 어느 것이라도 좋다. 기타, 알코올로서는, 예컨대, 에탄올, 아이코산올, 헨아이코산올, 도코산올, 트라이코산올, 테트라코산올, 트라이아콘탄올 등의 지방족 알코올, 페놀, 벤질알코올, p-클로로-벤질알코올 등의 방향족 알코올, 사이클로헥산올, 4-메틸-사이클로헥산올, 사이클로펜탄올, 콜레스테롤, 에피콜레스테롤, 콜레스탄올, 에피콜레스탄올, 에르고스탄올, 에피에르고스탄올, 코프로스탄올, 에피코프로스탄올, α-에르고스테롤, β-시드스테롤, 스티그마스테롤, 캄페스테롤 등의 지환 알코올, 퍼푸릴 알코올 등의 헤테로환 알코올, 에틸렌글라이콜, 글리세린 등의 다가 알코올 또는 이들의 불소 치환체를 이용할 수 있다. On the other hand, the aliphatic alcohol or its fluorine-substituent may be either a linear or branched hydrocarbon portion or a fluorocarbon portion (main skeleton portion). Other alcohols include, for example, aliphatic alcohols such as ethanol, icosanol, henicosanol, docosanol, tricosanol, tetracosanol and triacontanol, aromatic alcohols such as phenol, benzyl alcohol and p-chloro-benzyl alcohol. , Cyclohexanol, 4-methyl-cyclohexanol, cyclopentanol, cholesterol, epicholesterol, cholestanol, epicholethanol, ergostanol, epigostananol, coprostanol, epicoprostanol and alicyclic alcohols such as α-ergosterol, β-sidsterol, stigmasterol and camphorsterol, heterocyclic alcohols such as perfuryl alcohol, polyhydric alcohols such as ethylene glycol and glycerin, or fluorine substituents thereof.

한편, 액정분자에는, 불소화된 것이 많기 때문에, 불소 치환체를 이용하는 것에 의해, 액정분자와의 친화성을 향상시키고, 액정분자를 수직 배향시키는 효과가 보다 높아진다. On the other hand, since many liquid crystal molecules are fluorinated, by using a fluorine substituent, the affinity with liquid crystal molecules can be improved and the effect which orientates liquid crystal molecules vertically becomes higher.

이러한 배향막(3A)의 평균두께는, 특히 한정되지 않지만, 20 내지 300 nm 정도인 것이 바람직하고, 20 내지 150 nm 정도인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 80 nm 정도인 것이 가장 바람직하다. 배향막(3A)의 두께가 지나치게 얇으면, 액정분자가 직접 투명 도전막(5,6)에 접촉하여 단락되는 것을 충분히 방지할 수 없다. 한편, 배향막(3A)의 두께가 지나치게 두꺼우면, 액정패널(1A)의 구동전압이 높아져 소비전력이 커질 가능성이 있다. Although the average thickness of such an oriented film 3A is not specifically limited, It is preferable that it is about 20-300 nm, It is more preferable that it is about 20-150 nm, It is most preferable that it is about 20-80 nm. If the thickness of the alignment film 3A is too thin, it is not possible to sufficiently prevent the liquid crystal molecules from directly contacting the transparent conductive films 5 and 6 and shorting them. On the other hand, when the thickness of the alignment film 3A is too thick, there is a possibility that the driving voltage of the liquid crystal panel 1A becomes high and power consumption increases.

배향막(3A)의 외표면(도 1중 상면) 측에는 투명 도전막(5)이 배치되어 있다. 같은 방식으로, 배향막(4A)의 외표면(도 1중 하면) 측에는 투명 도전막(6)이 배치되어 있다. 투명 도전막(5,6)은 이들 사이에서 충방전(充放電)을 하는 것에 의해, 액정층(2)이 함유하는 액정분자의 배향을 변화시키는 기능을 갖는다. 투명 도전막(5,6)사이에서 충방전의 제어는, 투명 도전막(5,6)에 접속된 제어회로(도시하지 않음)로부터 공급하는 전류를 제어하는 것에 의해 실시된다. 투명 도전막(5,6)은 도전성을 갖고, 예컨대, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(IO), 산화주석(SnO2) 등으로 구성되어 있다. 투명 도전막(5)의 외표면(도 1중 상면) 측에는 기판(9)이 배치되어 있다. 같은 방식으로, 투명 도전막(6)의 외표면(도 1중 하면) 측에는 기판(10)이 배치되어 있다. The transparent conductive film 5 is arrange | positioned at the outer surface (upper surface in FIG. 1) side of the alignment film 3A. In the same manner, the transparent conductive film 6 is disposed on the outer surface (lower surface in FIG. 1) side of the alignment film 4A. The transparent conductive films 5 and 6 have a function of changing the orientation of liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 2 by charging and discharging therebetween. Control of charging and discharging between the transparent conductive films 5 and 6 is performed by controlling the electric current supplied from the control circuit (not shown) connected to the transparent conductive films 5 and 6. The transparent conductive films 5 and 6 have conductivity, and are composed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), tin oxide (SnO 2 ), or the like. The substrate 9 is arranged on the outer surface (upper surface in FIG. 1) side of the transparent conductive film 5. In the same manner, the substrate 10 is disposed on the outer surface (lower surface in FIG. 1) side of the transparent conductive film 6.

기판(9,10)은 상술한 액정층(2), 배향막(3A,4A), 투명 도전막(5,6) 및 후술하는 편광막(7A,8A)을 지지하는 기능을 갖고 있다. 기판(9,10)의 구성재료로서는 예컨대, 석영유리 등의 각종 유리재료, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 각종 플라스틱재료 등을 들 수 있지만, 이들 중에서도, 특히, 각종 유리재료가 바람직하다. 이에 의해, 휨, 굴곡 등이 생기기 어렵고, 보다 안정성이 우수한 액정패널(1A)을 얻을 수 있다. 기판(9)의 외표면(도 1중 상면) 측에는 편광막(편광판, 편광필름)(7A)이 배치되어 있다. 같은 방식으로, 기판(10)의 외표면(도 1중 하면) 측에 는 편광막(편광판, 편광필름)(8A)이 배치되어 있다. The substrates 9 and 10 have a function of supporting the above-mentioned liquid crystal layer 2, the alignment films 3A and 4A, the transparent conductive films 5 and 6, and the polarizing films 7A and 8A described later. Examples of the constituent materials of the substrates 9 and 10 include various glass materials such as quartz glass and various plastic materials such as polyethylene terephthalate. Among these, various glass materials are particularly preferable. Thereby, the liquid crystal panel 1A which is hard to produce curvature, curvature, etc., and is more excellent in stability can be obtained. The polarizing film (polarizing plate, polarizing film) 7A is arrange | positioned at the outer surface (upper surface in FIG. 1) side of the board | substrate 9. As shown in FIG. In the same manner, a polarizing film (polarizing plate, polarizing film) 8A is disposed on the outer surface (lower surface in FIG. 1) side of the substrate 10.

편광막(7A,8A)의 구성재료로서는, 예컨대, 폴리바이닐알코올(PVA) 등을 들 수 있다. 또한, 편광막으로서는, 상기 재료에 요오드를 도핑한 것 등을 사용할 수 있다. 편광막으로서는, 예컨대, 상기 재료로 구성된 막을 1축 방향으로 연신한 것을 이용할 수 있다. 이러한 편광막(7A,8A)을 배치함으로써 통전량(通電量)의 조절에 의한 빛의 투과율의 제어를 보다 확실히 할 수 있다. Examples of the constituent materials of the polarizing films 7A and 8A include polyvinyl alcohol (PVA) and the like. Moreover, as a polarizing film, what doped iodine with the said material, etc. can be used. As a polarizing film, what extended | stretched the film | membrane which consists of said material in the uniaxial direction, for example can be used. By arranging such polarizing films 7A and 8A, it is possible to more reliably control the light transmittance by controlling the amount of energization.

편광막(7A,8A)의 편광축의 방향은, 보통, 배향막(3A,4A)의 배향 방향(본 실시 형태에서는 전압 인가시)에 따라 결정된다. The direction of the polarization axis of the polarizing films 7A and 8A is usually determined in accordance with the alignment direction (when voltage is applied in this embodiment) of the alignment films 3A and 4A.

다음으로, 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법을 적용한 전자 디바이스용 기판의 제조방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법은, [1] 무기 산화물막 형성 공정, [2] 침지 공정, [3] 침투 공정 및 [4] 반응 공정을 갖는다. 한편, 공정 [2] 내지 [4]에서는, 예컨대, 도 3에 나타낸 바와 같은 처리장치(900)가 사용된다. Next, the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices to which the processing method of the inorganic oxide film of this invention is applied is demonstrated. The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention has [1] an inorganic oxide film formation process, [2] immersion process, [3] penetration process, and [4] reaction process. On the other hand, in the process [2] to [4], the processing apparatus 900 as shown in FIG. 3 is used, for example.

도 3에 나타낸 처리장치(900)는 챔버(910), 챔버(910)내에 설치된 스테이지(950), 스테이지(950)상에 배치된 용기(920), 용기(920)내에 처리액(S)을 공급하는 급액 수단(960), 용기(920)내의 처리액(S)을 배액(排液)하는 배액 수단(940) 및 챔버(910)내의 배기를 수행하는 배기 수단(930)을 갖는다. 또한, 스테이지(950)에는 예컨대, 히터 등의 가열수단(도시하지 않음)이 설치되어 있다. The processing apparatus 900 illustrated in FIG. 3 includes a chamber 910, a stage 950 installed in the chamber 910, a container 920 disposed on the stage 950, and a processing liquid S in the container 920. A liquid supply means 960 for supplying, a liquid draining means 940 for draining the processing liquid S in the container 920, and an exhausting means 930 for exhausting the chamber 910. The stage 950 is provided with heating means (not shown), for example, a heater.

배기 수단(930)은 펌프(932), 펌프(932)와 챔버(910)를 연통하는 배기라인(931) 및 배기라인(931)의 도중에 설치된 밸브(933)로 구성되어 있다. 또한, 배 액 수단(940)은 처리액(S)을 회수하는 회수탱크(944), 회수탱크(944)와 용기(920)를 연통하는 배액라인(941), 배액라인(941)의 도중에 설치된 펌프(942) 및 밸브(943)로 구성되어 있다. The exhaust means 930 is composed of a pump 932, an exhaust line 931 communicating with the pump 932 and the chamber 910, and a valve 933 provided in the middle of the exhaust line 931. Further, the drainage means 940 is provided in the middle of the recovery tank 944 for recovering the processing liquid S, the drainage line 941 for communicating the recovery tank 944 and the container 920, and the drainage line 941. It consists of a pump 942 and the valve 943.

또한, 급액 수단(960)은 처리액(S)을 저유하는 저유탱크(964), 저유탱크(964)로부터 처리액(S)을 용기(920)로 유도하는 급액라인(961), 급액라인(961)의 도중에 설치된 펌프(962) 및 밸브(963)로 구성되어 있다. 또한, 배액 수단(940) 및 급액 수단(960)에는 각각, 도시하지 않은 가열 수단(예컨대, 히터 등)이 설치되고, 처리액(S)을 가열할 수 있도록 구성되어 있다 Further, the liquid supply means 960 is a storage tank 964 for storing the processing liquid S, a liquid supply line 961 for guiding the processing liquid S from the storage tank 964 to the container 920, and a liquid supply line ( The pump 962 and the valve 963 provided in the middle of 961 are comprised. In addition, the liquid discharge means 940 and the liquid supply means 960 are each provided with the heating means (for example, a heater etc.) which are not shown in figure, and are comprised so that the process liquid S may be heated.

이하, 각 공정에 대하여, 순차로 설명한다. Hereinafter, each process is demonstrated one by one.

[1] 무기 산화물막 형성 공정(제 1 공정) [1] inorganic oxide film forming step (first step)

우선, 기재(100)상(기판(9)의 한쪽 면)에 사방 증착법에 의해 무기 산화물막(31)을 형성한다. 사방 증착법을 이용하는 것에 의해, 복수의 세공(30)을 갖는 무기 산화물막(31)이 얻어진다. First, the inorganic oxide film 31 is formed on the base material 100 (one side of the substrate 9) by a vapor deposition method. By using the four-side vapor deposition method, the inorganic oxide film 31 having the plurality of pores 30 is obtained.

여기서, 증발원에서 기화한 무기 산화물이 기재(100)의 표면에 도달하는 각도를 적절히 설정함으로써 세공(30)의 기재(100)의 상면에 대한 각도를 조정할 수 있다. 또한, 기재(100)와 증발원은 가능한 한 이격되어 있는 것이 바람직하다. 기재(100)와 증발원이 충분히 이격됨으로써 증발원에서 기화한 무기 산화물이 거의 같은 방향에서 기재(100)의 표면에 도달하게 된다. 이에 의해, 보다 배향성이 높은 무기 산화물막(31)이 형성된다. Here, the angle with respect to the upper surface of the base material 100 of the pore 30 can be adjusted by setting the angle which the inorganic oxide vaporized in the evaporation source reaches the surface of the base material 100 suitably. In addition, it is preferable that the base material 100 and the evaporation source are spaced as far as possible. When the substrate 100 and the evaporation source are sufficiently separated, the inorganic oxide vaporized from the evaporation source reaches the surface of the substrate 100 in almost the same direction. As a result, an inorganic oxide film 31 having higher orientation is formed.

[2] 침지 공정(제 2 공정) [2] dipping steps (second step)

다음으로, 무기 산화물막(31)이 형성된 기재(100)를 상술한 바와 같은 알코올을 함유하는 처리액(S)에 침지한다. 구체적으로는, 챔버(910)를 개방하여, 무기 산화물막(31)이 형성된 기재(100)를 반입하고, 용기(920)내에 설치한다. Next, the base material 100 on which the inorganic oxide film 31 is formed is immersed in the processing liquid S containing alcohol as described above. Specifically, the chamber 910 is opened, and the base material 100 on which the inorganic oxide film 31 is formed is loaded and installed in the container 920.

다음으로, 챔버(910)를 밀폐 상태로 하여, 펌프(962)를 작동하고, 이 상태로 밸브(963)를 여는 것에 의해, 급액 라인(961)을 통해 처리액(S)을 저유탱크(964)로부터 용기(920)내로 공급한다. 그리고, 용기(920)내에 소정량의 처리액(S), 즉, 기재(100)가 완전히 잠기는 양의 처리액을 공급하면, 펌프(962)를 정지함과 동시에 밸브(963)를 닫는다. Next, the chamber 910 is closed, the pump 962 is operated, and the valve 963 is opened in this state, whereby the processing liquid S is stored in the oil storage tank 964 through the liquid supply line 961. ) Into the vessel 920. Then, when a predetermined amount of the processing liquid S, that is, the processing liquid in which the substrate 100 is completely submerged, is supplied into the container 920, the pump 962 is stopped and the valve 963 is closed.

여기서, 알코올로서는 상온에서 액상인 것이나, 상온에서 고형상 또는 반고형상인 것이라도 좋다. 상온에서 액상의 알코올을 이용하는 경우, 처리액(S)에는, 이 알코올 자체(알코올의 함유량이 거의 100%인 것)를 이용할 수 있고, 적당한 용매에 알코올을 혼합하여 이용할 수 있다. Here, the alcohol may be a liquid at normal temperature or may be solid or semisolid at normal temperature. When using a liquid alcohol at normal temperature, this alcohol itself (those whose alcohol content is almost 100%) can be used for processing liquid S, and alcohol can be mixed and used for a suitable solvent.

또한, 상온에서 고형상 또는 반고형상의 알코올을 이용하는 경우, 처리액(S)으로는, 이 알코올을 가열에 의해 액상으로 한 것을 이용할 수 있고, 적당한 용매에 알코올을 용해하여 이용할 수 있다. 알코올을 용매에 혼합 또는 용해하는 경우, 용매로는, 알코올을 혼합 또는 용해가능하고, 또한, 알코올보다 극성이 낮은 것이 선택된다. 이에 의해, 용매가 후공정[4]에 있어서의 무기 산화물막(31)의 하이드록실기와 알코올과의 반응을 방해하는 것을 방지할 수 있고, 화학반응을 확실히 일으킬 수 있다. In addition, when using solid or semisolid alcohol at normal temperature, what processed this alcohol into the liquid state by heating can be used as processing liquid S, and alcohol can be dissolved and used in a suitable solvent. In the case of mixing or dissolving alcohol in a solvent, as the solvent, one that is capable of mixing or dissolving alcohol and having a lower polarity than the alcohol is selected. As a result, the solvent can be prevented from disturbing the reaction between the hydroxyl group and the alcohol of the inorganic oxide film 31 in the later step [4], and a chemical reaction can be surely caused.

[3] 침투 공정(제 3 공정) [3] infiltration processes (third process)

다음으로, 챔버(910)내(처리액(S)이 설치된 공간)를 감압함으로써 무기 산화물막(31)의 세공(30)내에 처리액(S)을 침투시킨다. 구체적으로는, 펌프(932)를 작동시키고, 이 상태로, 밸브(933)를 여는 것에 의해, 배기 라인(931)을 통해 챔버(910)내의 기체를 처리장치(900) 밖으로 배출한다. Next, the processing liquid S is permeated into the pores 30 of the inorganic oxide film 31 by reducing the pressure in the chamber 910 (the space in which the processing liquid S is provided). Specifically, by operating the pump 932 and opening the valve 933 in this state, the gas in the chamber 910 is discharged out of the processing apparatus 900 through the exhaust line 931.

챔버(910)내의 압력이 서서히 저하됨으로써 처리액(S) 중 및 무기 산화물막(31)의 세공(30)내의 기체(예컨대 공기 등)가 제거되고, 세공(30)내에 처리액(S)이 침투한다. 그리고, 챔버(910)내가 소정의 압력이 되면, 펌프(932)를 정지함과 동시에 밸브(933)를 닫는다. When the pressure in the chamber 910 decreases gradually, gas (for example, air, etc.) in the processing liquid S and in the pores 30 of the inorganic oxide film 31 is removed, and the processing liquid S is stored in the pores 30. Penetrate When the inside of the chamber 910 reaches a predetermined pressure, the pump 932 is stopped and the valve 933 is closed.

이 챔버(910)내(공간)의 소정의 압력, 즉, 챔버(910)내의 진공도는 10-4 내지 104 Pa 정도인 것이 바람직하고, 10-2 내지 103 Pa 정도인 것이 보다 바람직하다. 이에 의해, 무기 산화물막(31)의 세공(30)내에서 충분히 공기가 제거되고, 세공(30)내에 처리액(S)을 충분히 침투시킬 수 있다. 다음으로, 펌프(942)를 작동시키고, 이 상태로, 밸브(943)를 여는 것에 의해, 용기(920)내의 잉여 처리액(S)을 배액 라인(941)을 통해서 회수탱크(944)로 회수한다. 그리고, 용기(920)내에서 처리액(S)의 거의 모두가 회수되면, 펌프(942)를 정지함과 동시에 밸브(943)를 닫는다. The predetermined pressure in the chamber (910) (ie, the space), that is, the degree of vacuum in the chamber 910 is preferably about 10 -4 to 10 4 Pa, more preferably about 10 -2 to 10 3 Pa. As a result, air is sufficiently removed in the pores 30 of the inorganic oxide film 31, and the processing liquid S can be sufficiently penetrated into the pores 30. Next, by operating the pump 942 and opening the valve 943 in this state, the excess processing liquid S in the container 920 is recovered to the recovery tank 944 through the drainage line 941. do. When almost all of the processing liquid S is recovered in the container 920, the pump 942 is stopped and the valve 943 is closed.

[4] 반응 공정(제 4 공정) [4] reaction steps (fourth step)

다음으로, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 알코올을 화학결합(에터결합)시킨다. 구체적으로는, 스테이지(950)에 설치된 가열 수단을 작동시키는 것에 의해, 무기 산화물막(31)이 형성된 기재(100)를 가열한다. 이에 의해, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 존재하는 하이드록실기와 알코올을 갖는 하이드록실기와의 사이에 에테르화 반응이 발생하여, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 알코올이 화학결합한다. Next, alcohol is chemically bonded (ether bonded) to the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30. Specifically, the substrate 100 on which the inorganic oxide film 31 is formed is heated by operating the heating means provided in the stage 950. As a result, an etherification reaction occurs between the hydroxyl group present on the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30 and the hydroxyl group having an alcohol, and thus the surface of the inorganic oxide film 31. And alcohol is chemically bonded to the inner surface of the pores (30).

그 결과, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면을 따라, 알코올의 주 골격부분을 주로 하는 피막(32)이 형성되어 배향막(3A)이 얻어진다. 한편, 가열을 수행하기에 앞서, 필요에 따라, 재차, 챔버(910)내를 감압하도록 할 수도 있다. 기재(100)의 가열온도는, 특별히 한정되지 않지만, 80 내지 250℃ 정도인 것이 바람직하고, 100 내지 200℃ 정도인 것이 보다 바람직하다. 가열온도가 너무 낮으면, 알코올의 종류나, 무기 산화물의 종류 등에 따라서는 무기 산화물막(31)에 알코올을 충분히 화학결합시킬 수 없을 우려가 있고, 한편, 가열온도를 상기 상한치를 초과하여 높이더라도, 그 이상의 효과의 증대는 기대할 수 없다. As a result, along the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30, the coating film 32 which mainly makes the main skeleton part of alcohol is formed, and the alignment film 3A is obtained. Meanwhile, before the heating is performed, if necessary, the inside of the chamber 910 may be depressurized again. Although the heating temperature of the base material 100 is not specifically limited, It is preferable that it is about 80-250 degreeC, and it is more preferable that it is about 100-200 degreeC. If the heating temperature is too low, the alcohol may not be sufficiently chemically bonded to the inorganic oxide film 31 depending on the type of alcohol, the type of the inorganic oxide, or the like. On the other hand, even if the heating temperature is increased beyond the above upper limit. Increasing the effect beyond this is not expected.

또한, 기재(100)의 가열시간도, 특히 한정되지는 않지만, 20 내지 180분 정도인 것이 바람직하고, 40 내지 100분 정도인 것이 보다 바람직하다. 가열시간이 지나치게 짧으면, 가열온도 등의 다른 조건에 따라서는, 무기 산화물막(31)에 알코올을 충분히 화학결합시킬 수 없는 우려가 있고, 한편, 가열시간을 상기 상한치를 초과하여 길게 하더라도, 그 이상의 효과의 증대는 기대할 수 없다. The heating time of the base material 100 is also not particularly limited, but is preferably about 20 to 180 minutes, more preferably about 40 to 100 minutes. If the heating time is too short, alcohol may not be sufficiently chemically bonded to the inorganic oxide film 31 depending on other conditions such as heating temperature. On the other hand, even if the heating time is longer than the above upper limit, The increase in effect cannot be expected.

이상과 같이, 무기 산화물막(31)의 표면 및 세공(30)의 내면에 존재하는 하이드록실기와 알코올을 반응시키는 방법으로, 가열에 의한 방법을 이용하는 것에 의해, 상기 반응을 비교적 용이하고 또한 확실히 할 수 있다. 한편, 상기 반응은 가열에 의한 방법에 한정되지 않고, 예컨대, 자외선의 조사, 적외선의 조사 등에 의해 할 수 있다. 이들의 경우, 각 처리를 하는 데 필요한 기구(수단)가 처리장치(900)에 설치된다. 이상, 배향막(3A)을 형성하는 경우에 대하여 설명했지만, 배향막(4A)을 형성하는 경우에 대해서도 같은 방식이다. As described above, in the method of reacting the hydroxyl group and the alcohol present on the surface of the inorganic oxide film 31 and the inner surface of the pores 30, the method by heating is used to relatively easily and reliably. can do. In addition, the said reaction is not limited to the method by heating, For example, it can carry out by ultraviolet irradiation, infrared irradiation, etc. In these cases, the mechanism (means) required for each process is provided in the processing apparatus 900. As mentioned above, although the case where the alignment film 3A is formed was demonstrated, it is the same method also about the case where the alignment film 4A is formed.

<제 2 실시 형태> <2nd embodiment>

다음으로, 본 발명의 액정패널의 제 2 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 액정패널의 제 2 실시 형태를 모식적으로 나타내는 종단면도이다. 한편, 도 4에서는 시일재, 배선 등의 기재는 생략했다. 또한, 이하의 설명에서는, 도 4 중의 상측을 「상」, 하측을 「하」라고 말한다. Next, a second embodiment of the liquid crystal panel of the present invention will be described. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing a second embodiment of a liquid crystal panel of the present invention. In addition, description of sealing materials, wiring, etc. was abbreviate | omitted in FIG. In addition, in the following description, the upper side in FIG. 4 is called "upper | on", and the lower side is called "lower | bottom".

이하, 제 2 실시 형태에 대하여, 상기 제 1 실시 형태와의 상위점을 중심으로 설명하고, 같은 사항에 관해서는 그 설명을 생략한다. 도 4에 나타낸 액정패널(TFT 액정패널)(lB)은 TFT 기판(액정구동기판)(17), TFT 기판(17)에 접합된 배향막(3B), 액정패널용 대향기판(12), 액정패널용 대향기판(12)에 접합된 배향막(4B), 배향막(3B)과 배향막(4B)의 공극에 봉입된 액정분자를 함유하는 액정층(2), TFT 기판(액정구동기판)(17)의 외표면(상면)측에 접합된 편광막(7B) 및 액정패널용 대향기판(12)의 외표면(하면)측에 접합된 편광막(8B)을 갖는다. 이러한 구성에 있어서, TFT 기판(17)과 배향막(3B) 에 의해, 또한, 액정패널용 대향기판(12)과 배향막(4B)에 의해, 각각, 본 발명의 전자 디바이스용 기판이 구성된다. Hereinafter, 2nd Embodiment is described centering around difference with the said 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted about the same matter. The liquid crystal panel (TFT liquid crystal panel) lB shown in Fig. 4 is a TFT substrate (liquid crystal driving substrate) 17, an alignment film 3B bonded to the TFT substrate 17, a counter substrate 12 for the liquid crystal panel, and a liquid crystal panel. Of the alignment film 4B bonded to the counter substrate 12 for the liquid crystal, the liquid crystal layer 2 containing the liquid crystal molecules enclosed in the gap between the alignment film 3B and the alignment film 4B, and the TFT substrate (liquid crystal driving substrate) 17. The polarizing film 7B bonded to the outer surface (upper surface) side and the polarizing film 8B bonded to the outer surface (lower surface) side of the counter substrate 12 for liquid crystal panels are provided. In such a configuration, the substrate for an electronic device of the present invention is constituted by the TFT substrate 17 and the alignment film 3B and the counter substrate 12 for the liquid crystal panel and the alignment film 4B, respectively.

한편, 배향막(3B,4B)은 상기 제 1 실시 형태에서 설명한 배향막(3A,4A)과 같은 구성의 것이고, 편광막(7B,8B)은 상기 제 1 실시 형태에서 설명한 편광 막(7A,8A)과 같은 구성의 것이다. 액정패널용 대향기판(12)은 마이크로렌즈 기판(11)과, 이러한 마이크로렌즈 기판(11)의 표층(114) 상에 설치되고, 개구(131)가 형성된 블랙 매트릭스(13)와, 표층(114) 상에 블랙 매트릭스(13)를 덮도록 설치된 투명 도전막(공통전극)(14)을 갖는다. On the other hand, the alignment films 3B and 4B have the same configuration as the alignment films 3A and 4A described in the first embodiment, and the polarization films 7B and 8B are the polarization films 7A and 8A described in the first embodiment. It is of the same composition as The counter substrate 12 for the liquid crystal panel is provided on the microlens substrate 11, the surface layer 114 of the microlens substrate 11, the black matrix 13 on which the openings 131 are formed, and the surface layer 114. ), A transparent conductive film (common electrode) 14 provided to cover the black matrix 13.

마이크로렌즈 기판(11)은 요곡면을 갖는 복수(다수)의 오목부(마이크로렌즈용 오목부)(112)가 설치된 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)과, 이러한 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)의 오목부(112)가 설치된 면에 수지층(접착제층)(115)을 통해서 접합된 표층(114)을 갖는다. 또한, 수지층(115)에는 오목부(112)내에 충전된 수지에 의해 마이크로 렌즈(113)가 형성되어 있다. The microlens substrate 11 is a substrate with a recess for microlenses 111 provided with a plurality of recesses (microlens recesses) 112 having a curved surface, and a substrate with a recess for such microlenses. It has the surface layer 114 joined via the resin layer (adhesive layer) 115 to the surface in which the recessed part 112 of 111 was provided. In addition, the microlens 113 is formed in the resin layer 115 by resin filled in the recessed part 112.

마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)은 평판상의 모재(투명기판)에 의해 제조되고, 그 표면에는 복수(다수)의 오목부(112)가 형성되어 있다. 오목부(112)는 예컨대, 마스크를 이용한 드라이 에칭법, 웨트 에칭법 등에 의해 형성할 수 있다. 이 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)은 예컨대, 유리 등으로 구성되어 있다. The substrate 111 with a recess for a microlens is made of a flat substrate (transparent substrate), and a plurality of recesses 112 are formed on the surface thereof. The recesses 112 can be formed, for example, by a dry etching method using a mask, a wet etching method, or the like. The substrate 111 with a recess for a microlens is made of, for example, glass or the like.

상기 모재의 열팽창 계수는 유리기판(171)의 열팽창 계수와 거의 같은 것(예컨대 두개의 열팽창 계수의 비가 1/10 내지 10 정도)이 바람직하다. 이에 의해, 얻어지는 액정패널(1B)에서는 온도가 변화되었을 때에 두개의 열팽창 계수가 다름으로 인해 생기는 휨, 굴곡, 박리 등이 방지된다. 이러한 관점에서는, 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)과 유리기판(171)은 같은 종류의 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 온도 변화시의 열팽창 계수의 차이에 의한 휨, 굴곡, 박 리 등이 효과적으로 방지된다. The thermal expansion coefficient of the base material is preferably about the same as the thermal expansion coefficient of the glass substrate 171 (for example, the ratio of the two thermal expansion coefficients is about 1/10 to 10). Thereby, in the liquid crystal panel 1B obtained, the curvature, curvature, peeling, etc. which arise because of two different thermal expansion coefficients when temperature changes are prevented. In this regard, the microlens recessed substrate 111 and the glass substrate 171 are preferably made of the same kind of material. This effectively prevents warping, bending, peeling, etc. due to the difference in thermal expansion coefficient at the time of temperature change.

특히, 마이크로렌즈 기판(11)을 고온 폴리실리콘의 TFT 액정패널에 이용하는 경우에는, 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)은 석영유리로 구성되어 있는 것이 바람직하다. TFT 액정패널은 액정구동 기판으로서 TFT 기판을 갖고 있다. 이러한 TFT 기판에는, 제조시의 환경에 의해 특성이 변화되기 어려운 석영유리가 바람직하게 사용된다. 이 때문에, 이것에 대응시켜, 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)을 석영유리로 구성함으로써, 휨, 굴곡 등이 생기기 어렵고, 안정성이 우수한 TFT 액정패널(1B)을 얻을 수 있다. In particular, when the microlens substrate 11 is used for a TFT liquid crystal panel made of high temperature polysilicon, the substrate 111 with a recess for the microlenses is preferably made of quartz glass. The TFT liquid crystal panel has a TFT substrate as a liquid crystal driving substrate. In such a TFT substrate, quartz glass which is hardly changed in characteristics by the environment at the time of manufacture is preferably used. For this reason, in correspondence with this, by configuring the substrate 111 with a recess for microlenses made of quartz glass, it is difficult to cause warping, bending, or the like, and the TFT liquid crystal panel 1B excellent in stability can be obtained.

마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)의 상면에는 오목부(112)를 덮는 수지층(접착제층)(115)이 설치되어 있다. 오목부(112)내에는 수지층(115)의 구성재료가 충전되는 것에 의해, 마이크로 렌즈(113)가 형성되어 있다. 수지층(115)은 예컨대, 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)의 구성재료의 굴절률보다 높은 굴절률의 수지(접착제)로 구성될 수 있고, 예컨대, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴에폭시계와 같은 자외선 경화수지 등으로 적합하게 구성될 수 있다. 수지층(115)의 상면에는, 평판상의 표층(114)이 설치되어 있다. The resin layer (adhesive layer) 115 covering the recess 112 is provided on the upper surface of the substrate 111 with a recess for microlenses. The microlens 113 is formed by filling the recess 112 with the constituent material of the resin layer 115. The resin layer 115 may be made of, for example, a resin (adhesive) having a refractive index higher than that of the constituent material of the substrate 111 with a microlens recess, and may include, for example, an acrylic resin, an epoxy resin, an acrylic epoxy clock, and the like. It may be suitably composed of the same ultraviolet curable resin. The flat surface layer 114 is provided in the upper surface of the resin layer 115.

표층(유리층)(114)은 예컨대, 유리로 구성될 수 있다. 이 경우, 표층(114)의 열팽창 계수는 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)의 열팽창 계수와 거의 같은 것(예컨대 두개의 열팽창 계수의 비가 1/10 내지 10 정도)으로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 마이크로렌즈용 오목부 부착 기판(111)과 표층(114)의 열팽창 계수의 차이에 의해 생기는 휨, 굴곡, 박리 등이 방지된다. 이러한 효과는 마이크 로렌즈용 오목부 부착 기판(111)과 표층(114)을 같은 종류의 재료로 구성하면 보다 효과적으로 얻어진다. The surface layer (glass layer) 114 may be composed of, for example, glass. In this case, the thermal expansion coefficient of the surface layer 114 is preferably about the same as the thermal expansion coefficient of the substrate 111 with a recess for microlenses (for example, the ratio of two thermal expansion coefficients is about 1/10 to 10). Thereby, the curvature, curvature, peeling, etc. which arise by the difference of the thermal expansion coefficient of the microlens recessed substrate 111 and the surface layer 114 are prevented. This effect is more effectively obtained when the concave substrate 111 for microlenses and the surface layer 114 are made of the same kind of material.

표층(114)의 평균두께는 마이크로렌즈 기판(11)이 액정패널에 사용되는 경우, 필요한 광학특성을 얻는 관점에서, 보통, 5 내지 1000 μm 정도이고, 보다 바람직하게는 10 내지 150 μm 정도이다. When the microlens substrate 11 is used for the liquid crystal panel, the average thickness of the surface layer 114 is usually about 5 to 1000 µm, more preferably about 10 to 150 µm, from the viewpoint of obtaining the necessary optical characteristics.

한편, 표층(배리어층)(114)은 예컨대, 세라믹으로 구성될 수도 있다. 한편, 세라믹으로서는 예컨대, AlN, SiN, TiN, BN 등의 질화물계 세라믹, Al2O3, TiO2 등의 산화물계 세라믹, WC, TiC, ZrC, TaC 등의 탄화물계 세라믹 등을 들 수 있다. On the other hand, the surface layer (barrier layer) 114 may be made of, for example, ceramic. On the other hand, examples of the ceramic include nitride-based ceramics such as AlN, SiN, TiN, and BN, oxide-based ceramics such as Al 2 O 3 and TiO 2, and carbide-based ceramics such as WC, TiC, ZrC, and TaC.

표층(114)을 세라믹으로 구성하는 경우, 표층(114)의 평균두께는, 특히 한정되지 않지만, 20 nm 내지 20 μm 정도로 하는 것이 바람직하고, 40 nm 내지 1 μm 정도로 하는 것이 보다 바람직하다. 한편, 이러한 표층(114)은 필요에 따라 생략할 수 있다. 블랙 매트릭스(13)는 차광기능을 갖고, 예컨대, Cr, Al, Al 합금, Ni, Zn, Ti 등의 금속, 카본 또는 타이타늄 등을 분산시킨 수지 등으로 구성되어 있다. When the surface layer 114 is made of ceramic, the average thickness of the surface layer 114 is not particularly limited, but is preferably about 20 nm to 20 μm, more preferably about 40 nm to 1 μm. In addition, the surface layer 114 may be omitted as necessary. The black matrix 13 has a light shielding function and is made of, for example, a resin in which metals such as Cr, Al, Al alloys, Ni, Zn, Ti, carbon or titanium are dispersed.

투명 도전막(14)은 도전성을 갖고, 예컨대, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐(IO), 산화주석(SnO2) 등으로 구성되어 있다. TFT 기판(17)은 액정층(2)이 함유하는 액정분자를 구동(배향 제어)하는 기판이고, 유리기판(171)과, 이러한 유리기판(171)상에 설치되고, 매트릭스 형상(행렬상)으로 설치된 복수(다수)의 화소전극(172)과, 각 화소전극(172)에 대응하는 복수(다수)의 박막 트랜지스터(TFT)(173) 를 갖는다. The transparent conductive film 14 has conductivity and is made of, for example, indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), tin oxide (SnO 2 ), or the like. The TFT substrate 17 is a substrate for driving (orienting control) liquid crystal molecules contained in the liquid crystal layer 2, and is provided on the glass substrate 171 and the glass substrate 171, and has a matrix shape (matrix). A plurality of pixel electrodes 172 and a plurality of thin film transistors (TFTs) 173 corresponding to the pixel electrodes 172 are provided.

유리기판(171)은 상술한 바와 같은 이유로부터, 석영유리로 구성되어 있는 것이 바람직하다. 화소전극(172)은 투명 도전막(공통전극)(14)과의 사이에서 충방전을 하는 것에 의해, 액정층(2)의 액정분자를 구동한다. 이 화소전극(172)은 예컨대, 상술한 투명 도전막(14)과 같은 재료로 구성되어 있다. The glass substrate 171 is preferably made of quartz glass for the reasons described above. The pixel electrode 172 charges and discharges between the transparent conductive film (common electrode) 14 to drive the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 2. This pixel electrode 172 is made of the same material as the transparent conductive film 14 described above, for example.

박막 트랜지스터(173)는 근방의 대응하는 화소전극(172)에 접속되어 있다. 또한, 박막 트랜지스터(173)는 도시하지 않는 제어회로에 접속되어, 화소전극(172)에 공급하는 전류를 제어한다. 이에 의해, 화소전극(172)의 충방전이 제어되는 배향막(3B)은 TFT 기판(17)의 화소전극(172)과 접합하고, 배향막(4B)은 액정패널용 대향기판(12)의 투명 도전막(14)과 접합하게 된다. The thin film transistor 173 is connected to a corresponding pixel electrode 172 in the vicinity. In addition, the thin film transistor 173 is connected to a control circuit (not shown) to control the current supplied to the pixel electrode 172. As a result, the alignment film 3B in which charge and discharge of the pixel electrode 172 is controlled is bonded to the pixel electrode 172 of the TFT substrate 17, and the alignment film 4B is transparent to the counter substrate 12 for liquid crystal panel. It is brought into contact with the film 14.

액정층(2)은 액정분자(액정재료)를 함유하고 있고, 화소전극(172)의 충방전에 대응하여, 이러한 액정분자의 배향이 변화된다. 이러한 액정패널(1B)에서는, 보통, 1개의 마이크로 렌즈(113)와, 이러한 마이크로 렌즈(113)의 광축(Q)에 대응한 블랙 매트릭스(13)의 1개의 개구(131)와, 1개의 화소전극(172)과, 이러한 화소전극(172)에 접속된 1개의 박막 트랜지스터(173)가 1화소에 대응하고 있다. The liquid crystal layer 2 contains liquid crystal molecules (liquid crystal material), and the orientation of such liquid crystal molecules changes in response to charging and discharging of the pixel electrode 172. In such a liquid crystal panel 1B, usually, one micro lens 113, one opening 131 of the black matrix 13 corresponding to the optical axis Q of the micro lens 113, and one pixel. The electrode 172 and one thin film transistor 173 connected to the pixel electrode 172 correspond to one pixel.

액정패널용 대향기판(12)측에서 입사한 입사광(L)은 마이크로 렌즈용 오목부 부착 기판(111)을 통해 마이크로 렌즈(113)를 통과할 때 집광되고, 수지층(115), 표층(114), 블랙 매트릭스(13)의 개구(131), 투명 도전막(14), 액정층(2), 화소전극(172), 유리기판(171)을 투과한다. 이 때, 마이크로 렌즈 기판(11)의 입사측에 편광막(8B)이 설치되어 있기 때문에, 입사광(L)이 액정층(2)을 투과할 때 입사 광(L)은 직선 편광으로 된다. Incident light L incident on the counter substrate 12 side for the liquid crystal panel is focused when passing through the microlens 113 through the substrate 111 with a recess for the microlens, and is a resin layer 115 and a surface layer 114. ), The opening 131 of the black matrix 13, the transparent conductive film 14, the liquid crystal layer 2, the pixel electrode 172, and the glass substrate 171. At this time, since the polarizing film 8B is provided on the incidence side of the microlens substrate 11, the incident light L becomes linearly polarized light when the incident light L passes through the liquid crystal layer 2.

그 때, 이 입사광(L)의 편광방향은 액정층(2)의 액정분자의 배향 상태에 대응하여 제어된다. 따라서, 액정패널(1B)을 투과한 입사광(L)을 편광막(7B)에 투과시키는 것에 의해, 출사광의 휘도를 제어할 수 있다. 이와 같이, 액정패널(1B)은 마이크로 렌즈(113)를 갖고 있고, 더구나, 마이크로 렌즈(113)를 통과한 입사광(L)은 집광되어 블랙 매트릭스(13)의 개구(131)를 통과한다. At that time, the polarization direction of the incident light L is controlled corresponding to the alignment state of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 2. Therefore, the luminance of the emitted light can be controlled by transmitting the incident light L transmitted through the liquid crystal panel 1B through the polarizing film 7B. As described above, the liquid crystal panel 1B has a microlens 113, and the incident light L passing through the microlens 113 is focused and passes through the opening 131 of the black matrix 13.

한편, 블랙 매트릭스(13)의 개구(131)가 형성되어 있지 않은 부분에서는 입사광(L)이 차광된다. 따라서, 액정패널(1B)에서는 화소 이외의 부분으로부터 불필요한 광이 누설되는 것을 방지하고, 또한, 화소부분에서의 입사광(L)의 감쇠가 억제된다. 이 때문에, 액정패널(1B)은 화소부에서 높은 광 투과율을 갖는다. 이 액정패널(1B)은 예컨대, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. On the other hand, incident light L is shielded at the part where the opening 131 of the black matrix 13 is not formed. Therefore, in the liquid crystal panel 1B, unnecessary light is prevented from leaking from portions other than the pixels, and attenuation of the incident light L in the pixel portions is suppressed. For this reason, the liquid crystal panel 1B has a high light transmittance in the pixel portion. This liquid crystal panel 1B can be manufactured as follows, for example.

우선, 공지된 방법에 의해 제조된 TFT 기판(17)과 액정패널용 대향기판(12)을 준비한다. 다음으로, 이들을 이용하여, 본 발명의 전자 디바이스용 기판의 제조방법에 의해, 각각, 배향막(3B,4B)을 형성하여, 본 발명의 전자 디바이스용 기판을 얻는다. 다음으로, 시일재(도시하지 않음)를 통해서 양자를 접합하여, 이것에 의해 형성된 공극부의 봉입구멍(도시하지 않음)으로부터 액정을 공극부내에 주입한 후, 이러한 봉입구멍을 막는다. First, a TFT substrate 17 and a counter substrate 12 for a liquid crystal panel manufactured by a known method are prepared. Next, using these, by the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices of this invention, alignment film 3B, 4B is formed, respectively, and the board | substrate for electronic devices of this invention is obtained. Next, both are bonded together through a sealing material (not shown), and the liquid crystal is injected into the void portion from the sealing hole (not shown) formed by the void portion, and then the sealing hole is blocked.

한편, 상기 액정패널(1B)에서는, 액정구동 기판으로서 TFT 기판을 이용했지만, 액정구동 기판에 TFT 기판이외의 다른 액정구동 기판, 예컨대, TFD 기판, STN 기판 등을 사용할 수 있다. 다음으로, 상술한 바와 같은 액정패널(1A)을 갖는 본 발명의 전자기기(액정표시장치)에 대하여, 도 5 내지 도 7에 나타낸 실시 형태에 근거하여 구체적으로 설명한다. On the other hand, in the liquid crystal panel 1B, a TFT substrate is used as the liquid crystal driving substrate, but other liquid crystal driving substrates other than the TFT substrate, for example, a TFD substrate, an STN substrate, and the like can be used for the liquid crystal driving substrate. Next, the electronic device (liquid crystal display device) of the present invention having the liquid crystal panel 1A as described above will be specifically described based on the embodiments shown in FIGS. 5 to 7.

도 5는 본 발명의 전자기기를 적용한 모바일형(또는 노트북형)의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. Fig. 5 is a perspective view showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer to which the electronic device of the present invention is applied.

이 도면에 있어서, 퍼스널 컴퓨터(1100)는 키보드(1102)를 갖춘 본체부(1104) 및 표시유닛(1106)으로 구성되고, 표시유닛(1106)은 본체부(1104)에 대하여 힌지 구조부를 통해서 회동가능하게 지지되어 있다. 이 퍼스널 컴퓨터(1100)에 있어서는, 표시유닛(1106)은 전술한 액정패널(1A) 및 도시하지 않은 백라이트를 구비하고 있다. 백라이트로부터의 빛을 액정패널(1A)에 투과시키는 것에 의해 화상(정보)을 표시할 수 있는 것이다. In this figure, the personal computer 1100 is composed of a main body portion 1104 and a display unit 1106 with a keyboard 1102, and the display unit 1106 is rotated with respect to the main body portion 1104 via a hinge structure portion. Possibly supported. In the personal computer 1100, the display unit 1106 includes the liquid crystal panel 1A described above and a backlight (not shown). The image (information) can be displayed by transmitting the light from the backlight to the liquid crystal panel 1A.

도 6은 본 발명의 전자기기를 적용한 휴대전화기(PHS도 포함한다)의 구성을 나타내는 사시도이다. 이 도면에 있어서, 휴대전화기(1200)는 복수의 조작 버튼(1202), 수화구(1204) 및 송화구(1206)와 더불어, 전술한 액정패널(1A)과 도시하지 않은 백라이트를 구비하고 있다. Fig. 6 is a perspective view showing the structure of a cellular phone (including PHS) to which the electronic device of the present invention is applied. In this figure, the cellular phone 1200 is provided with the above-mentioned liquid crystal panel 1A and the backlight which are not shown in addition to the some operation button 1202, the telephone receiver 1204, and the telephone receiver 1206. As shown in FIG.

도 7은 본 발명의 전자기기를 적용한 디지털 스틸 카메라의 구성을 나타내는 사시도이다. 한편, 이 도면에는, 외부기기와의 접속에 관해서도 간이적으로 나타내고 있다. 여기서, 보통의 카메라는 피사체의 광상(光像)에 의해 은염(銀鹽) 사진필름을 감광하는 데 비해, 디지털 스틸 카메라(1300)는 피사체의 광상을 CCD(Charge Coupled Device) 등의 촬상 소자에 의해 광전 변환하여 촬상 신호(화상 신호)를 생성한다. 7 is a perspective view showing the configuration of a digital still camera to which the electronic device of the present invention is applied. In this figure, the connection with an external device is also shown simply. Here, an ordinary camera photographs a silver salt photographic film by an optical image of a subject, whereas a digital still camera 1300 uses an image of a subject such as a CCD (Charge Coupled Device). Photoelectric conversion to generate an imaging signal (image signal).

디지털 스틸 카메라(1300)에 있어서의 케이스(바디)(1302)의 배면에는 전술한 액정패널(1A)과, 도시하지 않은 백라이트가 설치되고, CCD에 의한 촬상 신호에 따라 표시를 하는 구성으로 되어 있고, 액정패널(1A)은 피사체를 전자화상으로 표시하는 파인더로서 기능한다. 케이스의 내부에는 회로 기판(1308)이 설치되어 있다. 이 회로 기판(1308)에는 촬상 신호를 격납(格納)(기억)할 수 있는 메모리가 설치되어 있다. The above-mentioned liquid crystal panel 1A and the backlight (not shown) are provided on the back of the case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and the display is made according to the imaging signal by CCD. The liquid crystal panel 1A functions as a finder for displaying the subject as an electronic image. The circuit board 1308 is provided inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) the image pickup signal.

또한, 케이스(1302)의 정면측(도시한 구성에서는 이면측)에는 광학 렌즈(촬상 광학계)나 CCD 등을 포함하는 수광 유닛(1304)이 설치되어 있다. 촬영자가 액정패널(1A)에 표시된 피사체 상을 확인하여, 셔터 버튼(1306)을 누르면, 그 시점에서의 CCD의 촬상 신호가 회로 기판(1308)의 메모리에 전송·격납된다. Further, a light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, or the like is provided on the front side (back side in the illustrated configuration) of the case 1302. When the photographer checks the subject image displayed on the liquid crystal panel 1A and presses the shutter button 1306, the imaging signal of the CCD at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

또한, 이 디지털 스틸 카메라(1300)에 있어서는, 케이스(1302)의 측면에 비디오 신호 출력단자(1312)와 데이터 통신용의 입출력단자(1314)가 설치되어 있다. 그리고, 도시한 바와 같이, 비디오 신호 출력단자(1312)에는 텔레비전 모니터(1430)가, 데이터 통신용의 입출력단자(1314)에는 퍼스널 컴퓨터(1440)가, 각각 필요에 따라 접속된다. 또한, 소정의 조작에 의해, 회로 기판(1308)의 메모리에 격납된 촬상 신호가 텔레비전 모니터(1430) 또는 퍼스널 컴퓨터(1440)에 출력되는 구성으로 되어 있다. In this digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in FIG. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312, and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, as necessary. In addition, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

다음으로, 본 발명의 전자기기의 일례로서, 상기 액정패널(1B)을 이용한 전자기기(액정프로젝터)에 대하여 설명한다. 도 8은 본 발명의 전자기기(투사형 표시장치)의 광학계를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 투 사형 표시장치(300)는 광원(301), 복수의 인테그레이터 렌즈를 갖춘 조명 광학계, 복수의 2색성 거울 등을 갖춘 색 분리 광학계(도광 광학계), 적색에 대응한(적색용) 액정 라이트 밸브(액정광 셔터 어레이)(24), 녹색에 대응한(녹색용) 액정 라이트 밸브(액정광 셔터 어레이)(25), 청색에 대응한(청색용) 액정 라이트 밸브(액정광 셔터 어레이)(26), 적색광만을 반사하는 2색성 거울면(211) 및 청색광만을 반사하는 2색성 거울면(212)이 형성된 2색성 프리즘(색합성 광학계)(21), 및 투사렌즈(투사 광학계)(22)를 갖고 있다. Next, as an example of the electronic device of the present invention, an electronic device (liquid crystal projector) using the liquid crystal panel 1B will be described. 8 is a diagram schematically showing an optical system of an electronic device (projection type display device) of the present invention. As shown in the figure, the projection display device 300 corresponds to a light source 301, an illumination optical system having a plurality of integrator lenses, a color separation optical system having a plurality of dichroic mirrors, and the like. Liquid Crystal Light Valve (Liquid Crystal Shutter Array) 24 (for Red) Liquid Crystal Light Valve (Liquid Crystal Shutter Array) 25 for Green (for Green) Liquid Crystal Light Valve (For Blue) (for Blue) Liquid crystal light shutter array) 26, a dichroic prism (color synthesizing optical system) 21, and a projection lens formed with a dichroic mirror surface 211 reflecting only red light and a dichroic mirror surface 212 reflecting only blue light. Projection optical system) (22).

또한, 조명 광학계는 인테그레이터 렌즈(302 및 303)를 갖고 있다. 색분리 광학계는 거울(304, 306, 309), 청색광 및 녹색광을 반사하는(적색광만을 투과한다) 2색성 거울(305), 녹색광만을 반사하는 2색성 거울(307), 청색광만을 반사하는 2색성 거울(또는 청색광을 반사하는 거울)(308), 집광 렌즈(310, 311, 312, 313 및 314)를 갖고 있다. The illumination optical system also has integrator lenses 302 and 303. The color separation optical system includes mirrors 304, 306 and 309, a dichroic mirror 305 that reflects blue light and green light (transmitting only red light), a dichroic mirror 307 that reflects only green light, and a dichroic mirror that reflects only blue light. (Or a mirror reflecting blue light) 308 and condensing lenses 310, 311, 312, 313 and 314.

액정 라이트 밸브(25)는 상술한 액정패널(1B)을 구비하고 있다. 액정 라이트 밸브(24 및 26)도 액정 라이트 밸브(25)와 같은 구성으로 되어 있다. 이들 액정 라이트 밸브(24,25 및 26)가 구비되어 있는 액정패널(1B)은 도시하지 않은 구동회로에 각각 접속되어 있다. 한편, 투사형 표시장치(300)에서는 2색성 프리즘(21)과 투사 렌즈(22)에 의해 광학 블록(20)이 구성되어 있다. 또한, 이 광학 블록(20)과 2색성 프리즘(21)에 대하여 고정적으로 설치된 액정 라이트 밸브(24,25 및 26)에 의해 표시 유닛(23)이 구성되어 있다. The liquid crystal light valve 25 is provided with the liquid crystal panel 1B mentioned above. The liquid crystal light valves 24 and 26 also have the same structure as the liquid crystal light valve 25. The liquid crystal panel 1B provided with these liquid crystal light valves 24, 25 and 26 is connected to the drive circuit which is not shown, respectively. On the other hand, in the projection display device 300, the optical block 20 is constituted by the dichroic prism 21 and the projection lens 22. In addition, the display unit 23 is constituted by the liquid crystal light valves 24, 25, and 26 fixed to the optical block 20 and the dichroic prism 21.

이하, 투사형 표시장치(300)의 작용을 설명한다. 광원(301)으로부터 출사된 백색광(백색광속)은 인테그레이터 렌즈(302 및 303)를 투과한다. 이 백색광의 광 강도(휘도분포)는 인테그레이터 렌즈(302 및 303)에 의해 균일하게 된다. 광원(301)으로부터 출사된 백색광은 그 광 강도가 비교적 큰 것이 바람직하다. 이에 의해, 스크린(320)상에 형성되는 화상을 보다 선명하게 할 수 있다. 또한, 투사형 표시장치(300)로서는 내광성이 우수한 액정패널(1B)을 이용하기 때문에, 광원(301)으로부터 출사된 광의 강도가 큰 경우라도 우수한 장기 안정성이 얻어진다. Hereinafter, the operation of the projection display device 300 will be described. White light (white light beam) emitted from the light source 301 passes through the integrator lenses 302 and 303. The light intensity (luminance distribution) of this white light is made uniform by the integrator lenses 302 and 303. It is preferable that the white light emitted from the light source 301 has a relatively high light intensity. Thereby, the image formed on the screen 320 can be made clearer. In addition, since the liquid crystal panel 1B having excellent light resistance is used as the projection display device 300, excellent long-term stability is obtained even when the intensity of light emitted from the light source 301 is large.

인테그레이터 렌즈(302 및 303)를 투과한 백색광은 거울(304)에서 도 8 중 좌측으로 반사하고, 그 반사광중의 청색광(B) 및 녹색광(G)은 각각 2색성 거울(305)에서 도 8 중 하측으로 반사하고, 적색광(R)은 2색성 거울(305)을 투과한다. 2색성 거울(305)을 투과한 적색광은 거울(306)에서 도 8 중 하측으로 반사하고, 그 반사광은 집광렌즈(310)에 의해 정형되고, 적색용의 액정 라이트 밸브(24)로 입사한다. White light transmitted through the integrator lenses 302 and 303 is reflected from the mirror 304 to the left in FIG. 8, and blue light (B) and green light (G) in the reflected light are respectively shown in the dichroic mirror 305. It is reflected downward of eight and red light R is transmitted through the dichroic mirror 305. The red light transmitted through the dichroic mirror 305 is reflected by the mirror 306 downward in FIG. 8, and the reflected light is shaped by the condenser lens 310 and is incident on the red liquid crystal light valve 24.

2색성 거울(305)에서 반사한 청색광 및 녹색광 중의 녹색광은 2색성 거울(307)에서 도 8 중 좌측으로 반사하고, 청색광은 2색성 거울(307)을 투과한다. 2색성 거울(307)에서 반사한 녹색광은 집광렌즈(311)에 의해 정형되고, 녹색용의 액정 라이트 밸브(25)로 입사한다. The green light of the blue light and the green light reflected by the dichroic mirror 305 is reflected by the dichroic mirror 307 to the left in FIG. 8, and the blue light passes through the dichroic mirror 307. The green light reflected by the dichroic mirror 307 is shaped by the condensing lens 311 and enters the liquid crystal light valve 25 for green.

또한, 2색성 거울(307)을 투과한 청색광은 2색성 거울(또는 거울)(308)에서 도 8 중 좌측으로 반사하고, 그 반사광은, 거울(309)에서 도 8 중 상측으로 반사한다. 상기 청색광은 집광렌즈(312, 313 및 314)에 의해 정형되고, 청색용의 액정 라이트 밸브(26)으로 입사한다. 이와 같이, 광원(301)으로부터 출사한 백색광은 색분리 광학계에 의해, 적색, 녹색 및 청색의 삼원색으로 색분리되고, 각각, 대응하는 액정 라이트 밸브로 도입되어 입사한다. 이 때, 액정 라이트 밸브(24)를 갖는 액정패널(1B)의 각 화소(박막 트랜지스터(173)와 이에 접속된 화소전극(172))은 적색용의 화상신호에 따라 작동하는 구동회로(구동수단)에 의해, 스위칭 제어(on/off), 즉 변조된다. The blue light transmitted through the dichroic mirror 307 is reflected by the dichroic mirror (or mirror) 308 to the left in FIG. 8, and the reflected light is reflected by the mirror 309 to the upper side in FIG. 8. The blue light is shaped by the condensing lenses 312, 313, and 314 and is incident on the blue liquid crystal light valve 26. In this way, the white light emitted from the light source 301 is color-separated into three primary colors of red, green, and blue by the color separation optical system, and respectively enters and enters the corresponding liquid crystal light valve. At this time, each pixel (thin film transistor 173 and pixel electrode 172 connected thereto) of liquid crystal panel 1B having liquid crystal light valve 24 operates in accordance with an image signal for red (driving means). ), Switching control (on / off), i.e., modulated.

같은 방식으로, 녹색광 및 청색광은 각각, 액정 라이트 밸브(25 및 26)로 입사하고, 각각의 액정패널(1B)에서 변조되어, 이에 의해 녹색용의 화상 및 청색용의 화상이 형성된다. 이 때, 액정 라이트 밸브(25)를 갖는 액정패널(1B)의 각 화소는 녹색용의 화상신호에 따라 작동하는 구동회로에 의해 스위칭 제어되고, 액정 라이트 밸브(26)를 갖는 액정패널(1B)의 각 화소는, 청색용의 화상신호에 따라 작동하는 구동회로에 의해 스위칭 제어된다. 이에 의해 적색광, 녹색광 및 청색광은 각각, 액정 라이트 밸브(24, 25 및 26)로 변조되어, 적색용의 화상, 녹색용의 화상 및 청색용의 화상이 각각 형성된다. In the same manner, green light and blue light enter the liquid crystal light valves 25 and 26, respectively, and are modulated in each liquid crystal panel 1B, thereby forming an image for green and an image for blue. At this time, each pixel of the liquid crystal panel 1B having the liquid crystal light valve 25 is switched-controlled by a driving circuit operating in accordance with the image signal for green, and the liquid crystal panel 1B having the liquid crystal light valve 26. Each pixel of is switched-controlled by a drive circuit operating in accordance with an image signal for blue. Thereby, the red light, green light and blue light are modulated by the liquid crystal light valves 24, 25 and 26, respectively, to form an image for red, an image for green and an image for blue, respectively.

상기 액정 라이트 밸브(24)에 의해 형성된 적색용의 화상, 즉 액정 라이트 밸브(24)로부터의 적색광은 면(213)으로부터 2색성 프리즘(21)으로 입사하여, 2색성 거울면(211)에서 도 8 중 좌측으로 반사하고, 2색성 거울면(212)을 투과하여, 출사면(216)으로부터 출사된다. 또한, 상기 액정 라이트 밸브(25)에 의해 형성된 녹색용의 화상, 즉 액정 라이트 밸브(25)로부터의 녹색광은 면(214)으로부터 2색성 프리즘(21)으로 입사하여, 2색성 거울면(211 및 212)을 각각 투과하고, 출사면(216)으로부터 출사된다. The image for red formed by the liquid crystal light valve 24, that is, the red light from the liquid crystal light valve 24 is incident from the surface 213 into the dichroic prism 21, and is also viewed from the dichroic mirror surface 211. It reflects to the left of 8, penetrates the dichroic mirror surface 212, and it exits from the output surface 216. FIG. Further, an image for green formed by the liquid crystal light valve 25, that is, green light from the liquid crystal light valve 25 is incident from the surface 214 into the dichroic prism 21, so that the dichroic mirror surfaces 211 and 212 respectively penetrate and exit from the exit surface 216.

또한, 상기 액정 라이트 밸브(26)에 의해 형성된 청색용의 화상, 즉 액정 라이트 밸브(26)로부터의 청색광은, 면(215)으로부터 2색성 프리즘(21)으로 입사하고, 2색성 거울면(212)에서 도 8 중 좌측으로 반사하여, 2색성 거울면(211)을 투과하고, 출사면(216)으로부터 출사된다. 이와 같이, 상기 액정 라이트 밸브(24, 25 및 26)로부터의 각 색의 광, 즉 액정 라이트 밸브(24, 25 및 26)에 의해 형성된 각 화상은 2색성 프리즘(21)에 의해 합성되고, 이에 의해 컬러의 화상이 형성된다. 이 화상은 투사렌즈(22)에 의해, 소정의 위치에 설치되어 있는 스크린(320)상에 투영(확대 투사)된다. The blue image formed by the liquid crystal light valve 26, that is, the blue light from the liquid crystal light valve 26 enters the dichroic prism 21 from the surface 215 and the dichroic mirror surface 212. ) Is reflected to the left side in FIG. 8, passes through the dichroic mirror surface 211, and exits from the exit surface 216. As such, the light of each color from the liquid crystal light valves 24, 25 and 26, that is, each image formed by the liquid crystal light valves 24, 25 and 26, is synthesized by the dichroic prism 21. Thus, an image of color is formed. This image is projected (expanded projection) on the screen 320 provided at the predetermined position by the projection lens 22.

본 실시 형태의 투사형 표시장치(300)는 3개의 액정패널을 갖고, 이들 전체에 액정패널(1B)을 적용한 것에 대하여 설명했지만, 이들 중 적어도 하나는 액정패널(1B)일 수 있다. 이 경우, 적어도 청색용의 액정 라이트 밸브에 액정패널(1B)을 적용하는 것이 바람직하다. 한편, 본 발명의 전자기기는 도 5의 퍼스널 컴퓨터(모바일형 퍼스널 컴퓨터), 도 6의 휴대전화기, 도 7의 디지털 스틸 카메라, 도 8의 투사형 표시장치 외에도, 예컨대, 텔레비전, 비디오 카메라, 뷰 파인더형, 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 차량 내비게이션 장치, 무선 호출기, 전자수첩(통신 기능 부가한 전자수첩도 포함), 전자사전, 전자계산기, 전자게임기기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 화상 전화기, 방범용 텔레비전 모니터, 전자쌍안경, POS 단말, 터치 패널을 갖춘 기기(예컨대, 금융기관의 캐쉬 디스펜서, 자동권 발매기), 의료기기(예컨대, 전자체온계, 혈압계, 혈당계, 심전표시장치, 초음파 진단장치, 내시경용 표시장치), 어군탐지기, 각종 측정기기, 계기류(예컨대, 차량, 항공기, 선박의 계기류), 비행 시뮬레이터 등을 들 수 있다. 그리고, 이들 각종 전자기기의 표시부, 모니터부로서 상술한 본 발명의 액정패널이 적용가능한 것은 말할 필요도 없다. Although the projection type display device 300 of the present embodiment has three liquid crystal panels and the liquid crystal panel 1B is applied to all of them, at least one of them may be the liquid crystal panel 1B. In this case, it is preferable to apply the liquid crystal panel 1B to at least the blue liquid crystal light valve. On the other hand, the electronic device of the present invention, in addition to the personal computer (mobile type personal computer) of FIG. 5, the mobile phone of FIG. 6, the digital still camera of FIG. 7, and the projection display device of FIG. Type, monitor direct view video tape recorder, car navigation system, wireless pager, electronic organizer (including electronic organizer with communication function), electronic dictionary, electronic calculator, electronic game machine, word processor, workstation, video phone, security Television monitors, electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with touch panels (e.g., cash dispensers of financial institutions, automatic ticket vending machines), medical devices (e.g. electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasound diagnostic devices, endoscopes) Display devices), fish detectors, various measuring instruments, instruments (e.g., instruments of vehicles, aircraft, ships), flight simulators, and the like. It goes without saying that the liquid crystal panel of the present invention described above is applicable to the display portion and the monitor portion of these various electronic devices.

이상, 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법, 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스용 기판의 제조방법, 액정패널 및 전자기기를, 도시한 실시 형태에 따라 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법 및 전자 디바이스용 기판의 제조방법에서는, 임의의 원하는 공정이 1 또는 2 이상 추가될 수 있다. As mentioned above, although the processing method of the inorganic oxide film of this invention, the manufacturing method of the board | substrate for electronic devices, the board | substrate for electronic devices, the liquid crystal panel, and the electronic device were demonstrated according to embodiment shown, this invention is not limited to this. For example, in the method for processing the inorganic oxide film of the present invention and the method for manufacturing a substrate for an electronic device, any desired step may be added one or two or more.

또한, 본 발명의 무기 산화물막의 처리방법은 각종 용도의 무기 산화물막의 처리에 적용할 수 있다. 또한, 예컨대, 본 발명의 전자 디바이스용 기판, 액정패널 및 전자기기에서 각 부의 구성은 같은 기능을 발휘하는 임의의 구성으로 대체할 수 있고, 또한, 임의의 구성을 부가할 수도 있다. In addition, the processing method of the inorganic oxide film of this invention can be applied to the processing of the inorganic oxide film of various uses. For example, the structure of each part in the board | substrate, liquid crystal panel, and electronic device for electronic devices of this invention can be replaced by arbitrary structures which exhibit the same function, and can also add arbitrary structures.

또한, 본 발명의 전자 디바이스용 기판은 상기 실시 형태에서 설명한 구성의 액정패널에의 적용에 한정되지 않고, 예컨대, 동일 기판상에 액정층으로 전압을 인가하는 한 쌍의 전극을 설치한 구성의 액정패널에 적용할 수 있다. 또한, 본 발명의 전자 디바이스용 기판은 액정패널에의 적용에 한정되지 않고, 예컨대, 유기 트랜지스터 등에 적용할 수도 있다. 이 경우, 이러한 전자 디바이스용 기판을 이용하는 것에 의해, 유기 반도체층의 배향 방향을 규제하여 캐리어 이동도의 향상을 도모할 수 있다. In addition, the board | substrate for electronic devices of this invention is not limited to application to the liquid crystal panel of the structure demonstrated by said embodiment, For example, the liquid crystal of the structure which provided a pair of electrodes which apply a voltage to a liquid crystal layer on the same board | substrate. Applicable to the panel. In addition, the board | substrate for electronic devices of this invention is not limited to application to a liquid crystal panel, For example, it can also be applied to organic transistors. In this case, by using such an electronic device substrate, the orientation direction of the organic semiconductor layer can be regulated to improve the carrier mobility.

실시예Example

다음으로, 본 발명의 구체적 실시예에 대하여 설명한다. Next, specific examples of the present invention will be described.

1. 전자 디바이스용 기판의 제조 1. Manufacture of Substrate for Electronic Device

샘플 No.1Sample No.1

<1> 우선, 유리기판(2.5 cm × 2.5 cm의 정방형)을 준비하고, 진공증착장치에 기판면을 증착원에 대하여 70°가 되도록 설정했다. 그리고, 증착장치내를 감압(10-4 Pa)하고, SiO2를 사방증착하여, 사방 증착막(무기 산화물막) 부착 기판을 제작했다. 한편, 수득된 사방 증착막은, 그 세공의 유리기판의 표면에 대한 각도가 약 50° 였다. <1> First, a glass substrate (2.5 cm x 2.5 cm square) was prepared, and the substrate surface was set to 70 ° with respect to the deposition source in a vacuum deposition apparatus. Then, the inside of the vapor deposition apparatus was depressurized (10 -4 Pa), SiO 2 was deposited on all sides, to prepare a substrate with a vapor deposition film (inorganic oxide film). On the other hand, in the obtained evaporated film, the angle with respect to the surface of the glass substrate of the pore was about 50 degrees.

<2> 다음으로 사방 증착막 부착 기판을 청결한 오븐 중, 200℃ × 90분간 가열하고, 가열종료직후, 건조 질소분위기 중으로 이동하여, 그대로 방치했다. <2> Next, the board | substrate with a vapor deposition film was heated in 200 degreeC x 90 minute (s) in a clean oven, and after completion | finish of heating, it moved to the dry nitrogen atmosphere, and left as it was.

<3> 다음으로, 2-프로판올을 준비하고, 여과필터를 이용하여 이온성불순물을 제거한 후, 질소 기포에 의해 미량함유 수분을 제거하여 처리액을 조정했다. <3> Next, 2-propanol was prepared, the ionic impurities were removed using a filtration filter, and the trace liquid was removed by nitrogen bubbles to adjust the treatment liquid.

<4> 다음으로, 도 3에 나타내는 처리장치내에, 사방 증착막 부착 기판을 반입하여, 용기(폴리테트라플루오로에틸렌제)안에 사방증착막을 위로 하여 설치했다. 그리고, 챔버를 밀폐한 후, 준비한 처리액을 용기내에 공급하여, 사방 증착막 부착 기판을 처리액에 침지시켰다. <4> Next, the board | substrate with a vapor deposition film was carried in in the processing apparatus shown in FIG. 3, and the vapor deposition film was installed in the container (made by polytetrafluoroethylene) up. And after sealing the chamber, the prepared process liquid was supplied in the container, and the board | substrate with a vapor deposition film was immersed in the process liquid.

<5> 다음으로, 상기 공정 <4>의 상태로, 챔버내를 100 Pa로 감압했다. 이것에 의해, 사방 증착막의 세공내의 기체를 처리액으로 대체했다. 즉, 세공내에 처 리액을 침투시켰다. <5> Next, in the state of the said process <4>, the chamber pressure was reduced to 100 Pa. As a result, the gas in the pores of the vapor deposition film was replaced with the treatment liquid. In other words, the treatment liquid penetrated into the pores.

<6> 다음으로, 잉여 처리액을 용기로부터 배출한 후, 재차, 챔버내를 100 Pa로 감압하여, 기판을 150℃ × 1시간으로 가열했다. <6> Next, after discharging the excess processing liquid from the container, the inside of the chamber was further reduced to 100 Pa, and the substrate was heated at 150 ° C for 1 hour.

이것에 의해, 사방 증착막의 표면 및 세공의 내면에, 2-프로판올을 화학결합시켰다. As a result, 2-propanol was chemically bonded to the surface of the vapor deposition film and the inner surface of the pores.

<7> 가열종료후, 감압상태를 유지하면서, 냉각했다. 이상과 같이, 전자 디바이스용 기판을 수득했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. <7> After completion of heating, the mixture was cooled while maintaining a reduced pressure. As mentioned above, the board | substrate for electronic devices was obtained. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

샘플 No.2Sample No. 2

2-프로판올 대신에, 1-펜탄올을 이용한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. A substrate for an electronic device was produced in the same manner as in Sample No. 1 except that 1-pentanol was used instead of 2-propanol. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

샘플 No.3Sample No. 3

2-프로판올 대신에, 1-헥산올을 이용한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. A substrate for an electronic device was produced in the same manner as in Sample No. 1 except that 1-hexanol was used instead of 2-propanol. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

샘플 No.4Sample No. 4

2-프로판올 대신에, 1-데칸올을 이용한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 48 nm였다. A substrate for an electronic device was produced in the same manner as in Sample No. 1 except that 1-decanol was used instead of 2-propanol. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 48 nm.

샘플 No.5Sample No. 5

2-프로판올 대신에, 1-옥타데칸올을 이용한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 1-옥타데칸올은 상온에서 반고형상이기 때문에, 60℃로 가열하여 액상으로 하고, 이 상태로 상기 공정 <3> 및 <4>를 실시했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 48 nm였다. A substrate for an electronic device was produced in the same manner as in Sample No. 1 except that 1-octadecanol was used instead of 2-propanol. On the other hand, since 1-octadecanol is semisolid at normal temperature, it heated to 60 degreeC to make it liquid, and the said process <3> and <4> were performed in this state. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 48 nm.

샘플 No.6Sample No. 6

SiO2 대신에, Al2O3를 사방 증착하여, 사방 증착막(무기 산화물막) 부착 기판을 제작한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. Instead of SiO 2 , Al 2 O 3 was deposited on all sides, and a substrate for an electronic device was produced in the same manner as in Sample No. 1, except that a substrate with an evaporated deposition film (inorganic oxide film) was produced. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

샘플 No.7Sample No. 7

상기 공정 <5>에 있어서 감압을 생략하고, 또한, 상기 공정 <6>을 생략한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 40 nm였다. In the said step <5>, pressure reduction was abbreviate | omitted and the board | substrate for electronic devices was produced like sample No. 1 except having omitted the said step <6>. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 40 nm.

샘플 No.8Sample No. 8

상기 공정 <5>에 있어서 감압을 생략한 것 이외에는, 상기 샘플 No.1과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. An electronic device substrate was produced in the same manner as in Sample No. 1 except that the reduced pressure was omitted in the step <5>. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

샘플 No.9Sample No.9

상기 공정 <5>에 있어서 감압을 생략하고, 또한, 상기 공정 <6>을 생략한 것 이외에는, 상기 샘플 No.6과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 40 nm였다. In the said process <5>, pressure reduction was abbreviate | omitted and the board | substrate for electronic devices was produced like sample No. 6 except having omitted the said process <6>. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 40 nm.

샘플 No.10Sample No.10

상기 공정 <5>에 있어서 감압을 생략한 것 이외에는, 상기 샘플 No.6과 같이 하여, 전자 디바이스용 기판을 제조했다. 한편, 수득된 배향막은 그 평균두께가 45 nm였다. An electronic device substrate was produced in the same manner as in Sample No. 6 except that the reduced pressure was omitted in the step <5>. On the other hand, the average thickness of the obtained alignment film was 45 nm.

2. 2-프로판올 결합량의 평가 2. Evaluation of the amount of 2-propanol binding

샘플 No.1, 샘플 No.6 내지 10의 전자 디바이스용 기판을 각각, 200℃로 가열하고, 발생한 가스를 GC-MS(주식회사 시마즈제작소 제품, 「GC-MS QP5050A」)로 분석했다. 그리고, 수득된 GC-MS의 챠트로부터, 프로필렌에 연유되는 피크의 면적을 시간 적산하고, 각 샘플 번호의 전자 디바이스용 기판에 있어서 발생한 프로필렌의 양을 구했다. 한편, 발생한 프로필렌의 양은 사방 증착막에 화학결합한 2-프로판올의 양에 비례한다. 이 결과를 하기 표 1에 나타낸다. The electronic device substrates of Sample No. 1 and Sample No. 6 to 10 were each heated to 200 ° C., and the generated gas was analyzed by GC-MS (manufactured by Shimadzu Corporation, “GC-MS QP5050A”). From the obtained GC-MS chart, the area of the peak derived from propylene was accumulated over time to determine the amount of propylene generated in the electronic device substrate of each sample number. On the other hand, the amount of propylene generated is proportional to the amount of 2-propanol chemically bonded to the vapor deposition film. The results are shown in Table 1 below.

Figure 112007067494720-pat00014
Figure 112007067494720-pat00014

한편, 표 1에는, 샘플 No.8의 전자 디바이스용 기판에서 발생한 프로필렌의 양을 「1.0」으로 하여, 샘플 No.1 및 7의 전자 디바이스용 기판에서 발생한 프로필렌의 양을 각각 상대치로 나타내었다. 또한, 샘플 No.10의 전자 디바이스용 기판에서 발생한 프로필렌의 양을 「1.0」으로 하여, 샘플 No.6 및 9의 전자 디바이스용 기판에서 발생한 프로필렌의 양을 각각 상대치로 나타내었다. In addition, in Table 1, the quantity of the propylene which generate | occur | produced in the electronic device board | substrate of sample No. 8 was made into "1.0", and the quantity of the propylene which generate | occur | produced in the electronic device board | substrate of samples No. 1 and 7 was shown by the relative value, respectively. In addition, the quantity of propylene which generate | occur | produced in the electronic device substrate of sample No. 10 was made into "1.0", and the quantity of propylene which generate | occur | produced in the electronic device substrate of samples No. 6 and 9 was shown by the relative value, respectively.

표 1에 나타낸 바와 같이, 사방 증착막을 처리액에 단지 침지하는 것(샘플 No.7 및 9)에 비하여, 열처리를 하는 것(샘플 No.8 및 10)에 의해, 사방 증착막에 화학결합한 알코올의 양을 증대시킬 수 있는 것이 분명하였다. 또한, 사방 증착막을 알코올에 침지할 때에 감압하는 것(샘플 No.1 및 6)에 의해, 사방 증착막에 화학결합한 알코올의 양을 보다 증대시킬 수 있는 것이 분명하였다. 이것은, 감압에 의해 사방 증착막의 세공의 심부까지 알코올이 침투하여, 사방 증착막의 세공의 내면에 화학결합한 알코올의 양이 증대하는 것을 시사하는 결과이다. As shown in Table 1, compared to simply immersing the vapor deposition film in the treatment liquid (samples Nos. 7 and 9), the alcohol was chemically bonded to the vapor deposition film by heat treatment (samples No. 8 and 10). It was clear that the quantity could be increased. In addition, it was evident that the amount of alcohol chemically bonded to the vapor deposition film can be further increased by reducing the pressure when the vapor deposition film was immersed in alcohol (sample Nos. 1 and 6). This is a result suggesting that alcohol penetrates to the deep part of the pores of the vapor deposition film by depressurization, and the amount of alcohol chemically bonded to the inner surface of the pores of the vapor deposition film is increased.

3. 액정패널의 제조3. Manufacturing of liquid crystal panel

실시예 1Example 1

우선, 샘플 No.1과 같이 하여 제조한 전자 디바이스용 기판을 2장 준비했다. 다음으로, 한 쪽의 전자 디바이스용 기판에 대하여, 배향막을 형성한 면의 외주부에 따라, 액정 주입구로 되는 부분을 남기고, 열경화형 접착제(니혼카야쿠사 제품, 「ML3804P」)를 인쇄하여, 80℃ × 10분간 가열하여 용매를 제거했다. First, two board | substrates for electronic devices manufactured like sample No. 1 were prepared. Next, the thermosetting adhesive (Nihon Kayaku Co., Ltd. product, "ML3804P") is printed and 80 degreeC leaving the part used as a liquid crystal injection hole along the outer peripheral part of the surface in which the orientation film was formed with respect to the board | substrate for electronic devices of one side. The solvent was removed by heating for 10 minutes.

한편, 열경화형 접착제는 직경 약 3 μm의 실리카 구를 혼합한 에폭시 수지이다. 다음으로, 다른 쪽의 전자 디바이스용 기판의 배향막을 형성한 면을 내측으로 하여, 2장의 기판을 압착하면서, 140℃ × 1시간으로 가열함으로써 접합했다. 한편, 2장의 전자 디바이스용 기판은 배향막의 배향이 서로 180°가 되도록 배치했다. 다음으로, 2장의 기판을 접합하여 형성된 내측의 공간에, 액정 주입구로부터 불소계의 음의 유전이방성 액정(메르크사 제품, 「MLC-6610」)을 진공주입법에 의해 주입했다. 다음으로, 액정 주입구를 아크릴계의 UV 접착제(헨켈 제팬사 제품, 「LPD-204」)를 이용하여, 파장 365 nm의 UV를 3000 mJ/cm2 조사하여 경화하고, 액정 주입구를 밀봉했다. 이상과 같이, 액정패널을 제조했다. On the other hand, a thermosetting adhesive is an epoxy resin which mixed the silica sphere of about 3 micrometers in diameter. Next, it bonded by heating at 140 degreeC x 1 hour, pressing two board | substrates with the surface in which the orientation film of the other electronic device substrate was formed inward. On the other hand, the two board | substrates for electronic devices were arrange | positioned so that the orientation of an orientation film may mutually become 180 degrees. Next, a fluorine-based negative dielectric anisotropic liquid crystal ("MLC-6610", manufactured by Merck Co., Ltd.) was injected into the inner space formed by joining two substrates by a vacuum injection method. Next, the liquid crystal injection hole was cured by irradiating 3000 mJ / cm 2 of UV at a wavelength of 365 nm using an acrylic UV adhesive (manufactured by Henkel Japan, "LPD-204"), and sealing the liquid crystal injection hole. As described above, the liquid crystal panel was manufactured.

실시예 2Example 2

샘플 No.2의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 2 was used.

실시예 3Example 3

샘플 No.3의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 3 was used.

실시예 4Example 4

샘플 No.4의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1, except that the electronic device substrate of Sample No. 4 was used.

실시예 5Example 5

샘플 No.5의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 5 was used.

실시예 6Example 6

샘플 No.6의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 6 was used.

비교예 1Comparative Example 1

샘플 No.7의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 7 was used.

비교예 2Comparative Example 2

샘플 No.8의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 8 was used.

비교예 3Comparative Example 3

샘플 No.9의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 9 was used.

비교예 4Comparative Example 4

샘플 No.10의 전자 디바이스용 기판을 이용한 것 이외에는, 상기 실시예 1과 같이 하여, 액정패널을 제조했다. A liquid crystal panel was produced in the same manner as in Example 1 except that the substrate for electronic device of Sample No. 10 was used.

4. 액정패널의 내광성시험4. Light resistance test of liquid crystal panel

각 실시예 및 각 비교예에서 제조한 액정패널을, 각각, 도 8에 나타내는 투사형 표시장치의 청색용의 액정 라이트 밸브로서 설정하고, 액정패널의 표면온도를 70℃로 유지하면서, 광원을 연속 점등하여, 표시 이상이 발생하기까지의 시간을 측정하였다. 한편, 광원으로는 130WUHP 램프(필립스사 제품)를 이용했다. 이 결과를 하기 표 2에 나타낸다. The liquid crystal panel manufactured in each Example and each comparative example was set as the blue liquid crystal light valve of the projection display device shown in FIG. 8, respectively, and light source is continuously lighted, maintaining the surface temperature of a liquid crystal panel at 70 degreeC. Then, the time until display abnormality occurred was measured. On the other hand, a 130 WUHP lamp (manufactured by Philips) was used as the light source. The results are shown in Table 2 below.

Figure 112006026863117-pat00005
Figure 112006026863117-pat00005

한편, 표 2에는, 비교예 2의 액정패널에 있어서 표시 이상이 발생하기까지의 시간을 「1.0」으로 하여, 실시예 1 내지 5 및 비교예 1의 액정패널에 있어서 표시 이상이 발생하기까지의 시간을 각각 상대치로 나타내었다. 또한, 비교예 4의 액정패널에 있어서 표시 이상이 발생하기까지의 시간을 「1.0」으로 하여, 실시예 6 및 비교예 3의 액정패널에 있어서 표시 이상이 발생하기까지의 시간을 각각 상대치로 나타내었다. On the other hand, in Table 2, the time until display abnormality arises in the liquid crystal panel of the comparative example 2 is set to "1.0", and the display abnormality arises in the liquid crystal panels of Examples 1-5 and Comparative Example 1. The times are shown in relative values, respectively. In addition, the time until display abnormality generate | occur | produces in the liquid crystal panel of Comparative Example 4 is set to "1.0", and the time until display abnormality occurs in the liquid crystal panels of Example 6 and Comparative Example 3 is shown by a relative value, respectively. It was.

표 2에 나타낸 바와 같이, 각 실시예의 액정패널은 어느 것이나, 각 비교예의 액정패널에 대하여 표시 이상이 발생하기까지의 시간이 길게 되는 것이 분명하였다. 또한, 알코올로서, 그 탄소수가 3 내지 5의 것을 이용하는 것에 의해, 표시 이상이 발생하기까지의 시간이 길어지는 경향을 나타내었다. 이것은, 알코올의 탄소수가 적어지는 것에 의해, 사방 증착막의 세공의 심부까지 알코올이 침투하여, 사방 증착막의 세공의 내면에 화학결합한 알코올의 양이 증대한 것을 시사하는 결과이다. 또한, 알코올로서, 상술한 바와 같은 각종 알코올의 불소 치환체를 이용하여, 상기와 같은 전자 디바이스용 기판 및 액정패널을 제조하여, 상기와 같이 평가를 한 바, 같은 결과가 얻어졌다. As shown in Table 2, it was evident that any of the liquid crystal panels of each example was long for display abnormality to occur for the liquid crystal panels of each comparative example. In addition, the use of those having 3 to 5 carbon atoms as the alcohol showed a tendency to increase the time until display abnormality occurred. This is a result of suggesting that alcohol has penetrated to the deep part of the pores of the evaporation film by decreasing the carbon number of the alcohol, and the amount of the alcohol chemically bonded to the inner surface of the pores of the evaporation film is increased. Moreover, as an alcohol, when the above-mentioned board | substrate for electronic devices and a liquid crystal panel were manufactured using the above-mentioned fluorine substituents of the various alcohols, and evaluation was performed as mentioned above, the same result was obtained.

본 발명의 무기 산화물막의 처리방법 및 전자 디바이스용 기판의 제조방법은 알코올을 무기 산화물막의 표면 뿐만 아니라 세공의 내면에도 확실히 화학결합시킬 수 있고, 이러한 처리방법을 이용하여 얻어지는 전자 디바이스용 기판은 액정분자 등의 배향성이 시간의 경과에 따라 저하되기 어려우며, 이러한 기판을 사용함으로써 신뢰성이 높은 액정패널 및 전자기기가 얻어진다.In the method for treating an inorganic oxide film and the method for manufacturing a substrate for an electronic device according to the present invention, alcohol can be reliably chemically bonded not only to the surface of the inorganic oxide film but also to the inner surface of the pores. Orientation, etc., hardly falls with time, and, by using such a board | substrate, highly reliable liquid crystal panels and electronic devices are obtained.

Claims (12)

사방(斜方) 증착법에 의해 형성되고, 복수의 세공을 갖는 무기 산화물막을, 알코올을 함유하는 처리액 중에 침지하는 공정; Forming an inorganic oxide film having a plurality of pores by a vapor deposition method and immersing it in a processing liquid containing alcohol; 상기 처리액이 설치된 공간을 감압함으로써 상기 무기 산화물막의 세공내에 상기 처리액을 침투시키는 공정; 및Infiltrating the processing liquid into pores of the inorganic oxide film by reducing the space in which the processing liquid is installed; And 상기 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 상기 알코올을 화학결합시키는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 무기 산화물막의 처리방법. And a step of chemically bonding the alcohol to the surface of the inorganic oxide film and the inner surface of the pores. 삭제delete 기판, 및 상기 기판의 한쪽 면에 설치된 배향막을 갖는 전자 디바이스용 기판을 제조하는 방법으로서, A method of manufacturing a substrate for an electronic device having a substrate and an alignment film provided on one surface of the substrate, 상기 기판의 한쪽 면에 사방 증착법에 의해 복수의 세공을 갖는 무기 산화물막을 형성하는 제 1 공정; A first step of forming an inorganic oxide film having a plurality of pores on one surface of the substrate by a vapor deposition method; 상기 무기 산화물막이 형성된 기판을, 알코올을 함유하는 처리액 중에 침지하는 제 2 공정; A second step of immersing the substrate on which the inorganic oxide film is formed in a processing liquid containing alcohol; 상기 처리액이 설치된 공간을 감압함으로써 상기 무기 산화물막의 세공내에 상기 처리액을 침투시키는 제 3 공정; 및 A third step of allowing the treatment liquid to penetrate into pores of the inorganic oxide film by reducing the space in which the treatment liquid is installed; And 상기 무기 산화물막의 표면 및 세공의 내면에 상기 알코올을 화학결합시켜 상기 배향막을 얻는 제 4 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스용 기판의 제조방법. And a fourth step of chemically bonding the alcohol to the surface of the inorganic oxide film and the inner surface of the pores to obtain the alignment film. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 알코올이 2 내지 30의 탄소수를 갖는 것인 전자 디바이스용 기판의 제조방법. The said alcohol has the carbon number of 2-30, The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 알코올이 지방족 알코올 또는 그의 불소 치환체인 전자 디바이스용 기판의 제조방법. The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices whose said alcohol is an aliphatic alcohol or its fluorine substituent. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 제 3 공정에 있어서, 상기 공간의 진공도가 10-4 내지 104 Pa 인 전자 디바이스용 기판의 제조방법. The said 3rd process WHEREIN: The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices whose vacuum degree of the said space is 10 <-4> -10 <4> Pa. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 제 4 공정이 상기 기판을 가열하는 것에 의해 실시되는 전자 디바이스용 기판 의 제조방법. A method for manufacturing a substrate for an electronic device, wherein the fourth step is performed by heating the substrate. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판의 가열온도가 80 내지 250℃인 전자 디바이스용 기판의 제조방법. The manufacturing method of the board | substrate for electronic devices whose heating temperature of the said board | substrate is 80-250 degreeC. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판의 가열시간이 20 내지 180분인 전자 디바이스용 기판의 제조방법. A method for manufacturing a substrate for an electronic device, wherein the heating time of the substrate is 20 to 180 minutes. 한 쌍의 기판 사이에 액정층을 협지한 액정 패널로서, 상기 한 쌍의 기판 중 적어도 한쪽은, 제 3 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 전자 디바이스용 기판인 것을 특징으로 하는 액정패널. A liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, wherein at least one of the pair of substrates is a substrate for an electronic device manufactured by the manufacturing method according to claim 3. 삭제delete 제 10 항에 기재된 액정패널을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.An electronic device comprising the liquid crystal panel according to claim 10.
KR1020060034939A 2005-04-19 2006-04-18 Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus KR100845364B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2005-00120766 2005-04-19
JP2005120766A JP4670452B2 (en) 2005-04-19 2005-04-19 Manufacturing method of liquid crystal panel

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080019813A Division KR100880079B1 (en) 2005-04-19 2008-03-03 Electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060110222A KR20060110222A (en) 2006-10-24
KR100845364B1 true KR100845364B1 (en) 2008-07-10

Family

ID=37107658

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060034939A KR100845364B1 (en) 2005-04-19 2006-04-18 Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus
KR1020080019813A KR100880079B1 (en) 2005-04-19 2008-03-03 Electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080019813A KR100880079B1 (en) 2005-04-19 2008-03-03 Electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7632553B2 (en)
JP (1) JP4670452B2 (en)
KR (2) KR100845364B1 (en)
CN (1) CN100429571C (en)
TW (1) TW200639540A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4561871B2 (en) * 2008-05-15 2010-10-13 セイコーエプソン株式会社 Manufacturing method of liquid crystal device
JP6221254B2 (en) * 2013-02-25 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus
JP6263944B2 (en) * 2013-10-09 2018-01-24 セイコーエプソン株式会社 Liquid crystal device, method for manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0892400A (en) * 1994-09-26 1996-04-09 Mitsubishi Chem Corp Surface treatment for thermoplastic resin sheet
JPH11223813A (en) * 1998-02-06 1999-08-17 Sony Corp Liquid crystal element and its production
JP2000047211A (en) * 1998-07-31 2000-02-18 Sony Corp Liquid crystal element and its production
JP2000347189A (en) * 1999-06-09 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal element and its manufacture

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4030997A (en) * 1975-04-21 1977-06-21 Hughes Aircraft Company Method of aligning liquid crystals
US5011267A (en) * 1986-10-14 1991-04-30 Hughes Aircraft Company Method for tilted alignment of liquid crystals with improved photostability
EP0518333B1 (en) * 1991-06-14 2002-08-28 Hughes Aircraft Company Method for inducing tilted perpendicular alignment in liquid crystals
JP3132193B2 (en) 1991-11-08 2001-02-05 日本ビクター株式会社 Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device
JPH07159788A (en) * 1993-12-03 1995-06-23 Victor Co Of Japan Ltd Manufacture of spatial optical modulation element
JPH11160711A (en) 1997-11-25 1999-06-18 Victor Co Of Japan Ltd Production of liquid crystal alignment layer and apparatus therefor
JP3537709B2 (en) * 1999-07-05 2004-06-14 松下電器産業株式会社 Liquid crystal alignment film and liquid crystal display device using the same
JP4544048B2 (en) * 2005-06-20 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 LCD panel and electronic equipment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0892400A (en) * 1994-09-26 1996-04-09 Mitsubishi Chem Corp Surface treatment for thermoplastic resin sheet
JPH11223813A (en) * 1998-02-06 1999-08-17 Sony Corp Liquid crystal element and its production
JP2000047211A (en) * 1998-07-31 2000-02-18 Sony Corp Liquid crystal element and its production
JP2000347189A (en) * 1999-06-09 2000-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal element and its manufacture

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006301156A (en) 2006-11-02
US20060231839A1 (en) 2006-10-19
KR20060110222A (en) 2006-10-24
US7632553B2 (en) 2009-12-15
KR100880079B1 (en) 2009-01-23
CN1854868A (en) 2006-11-01
KR20080027475A (en) 2008-03-27
TW200639540A (en) 2006-11-16
TWI360004B (en) 2012-03-11
CN100429571C (en) 2008-10-29
JP4670452B2 (en) 2011-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100847161B1 (en) Liquid crystal panel, method for prducing liquid crystal panel, and electronic apparatus
KR100682202B1 (en) Method for forming inorganic alignment film
JP3739001B2 (en) Method for forming inorganic alignment film, inorganic alignment film, substrate for electronic device, liquid crystal panel and electronic apparatus
US7320815B2 (en) Method for forming oriented film, oriented film, substrate for electronic device, liquid crystal panel, and electronic device
KR100845364B1 (en) Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus
KR100866668B1 (en) Liquid crystal panel and electronic apparatus
KR100845365B1 (en) Electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus
KR100722073B1 (en) Method for forming inorganic alignment film
KR100682201B1 (en) Method for forming inorganic alignment film
JP2005078034A (en) Method for forming inorganic oriented film, inorganic oriented film, substrate for electronic device, liquid crystal panel, and electronic device
JP4701888B2 (en) Substrates for electronic devices, liquid crystal panels, and electronic equipment
JP3823962B2 (en) Method for forming inorganic alignment film, inorganic alignment film, substrate for electronic device, liquid crystal panel and electronic apparatus
JP3838512B2 (en) Method for forming inorganic alignment film, inorganic alignment film, substrate for electronic device, liquid crystal panel and electronic apparatus
JP2007033743A (en) Substrate for electronic device, liquid crystal panel, and electronic apparatus
JP2006251701A (en) Liquid crystal panel and electronic appliance
JP2006251700A (en) Inorganic alignment layer, inorganic alignment layer forming method, substrate for electronic device, liquid crystal panel and electronic appliance

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130603

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140626

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150619

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160617

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180619

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 12