Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100801354B1 - 노광장치 및 디바이스의 제조방법 - Google Patents

노광장치 및 디바이스의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100801354B1
KR100801354B1 KR1020067011585A KR20067011585A KR100801354B1 KR 100801354 B1 KR100801354 B1 KR 100801354B1 KR 1020067011585 A KR1020067011585 A KR 1020067011585A KR 20067011585 A KR20067011585 A KR 20067011585A KR 100801354 B1 KR100801354 B1 KR 100801354B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon dioxide
exposure apparatus
fluid
optical system
substrate
Prior art date
Application number
KR1020067011585A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060101529A (ko
Inventor
토쿠유키 혼다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20060101529A publication Critical patent/KR20060101529A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100801354B1 publication Critical patent/KR100801354B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

노광장치는 마스크(2)의 패턴을 기판(5) 위에 투영하는 투영광학계(3) 및 상기 투영광학계와 상기 기판 사이에 유체를 공급하는 유체공급장치(6)를 포함하고, 상기 유체공급장치(6)는 상기 유체에 이산화탄소를 주입하는 주입장치(19)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

노광장치 및 디바이스의 제조방법{EXPOSURE APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 일반적으로 액침법(immersion method)을 이용하는 노광장치에 관한 것으로, 감광제가 도포된 기판 위에 마스크(또는 레티클)의 패턴을 전사함으로써, 예를 들면, IC나 LSI 등의 반도체 소자, CCD 등의 촬상소자, 액정 패널 등의 표시소자, 광도파로 등의 통신소자, 자기헤드 등의 고집적 디바이스를 제조하는 리소그라피 공정에 적합하다.
종래 반도체 소자나 액정패널의 제조에는 마스크 패턴을 감광제가 도포된 기판 위에 노광하는 노광장치가 사용되어 왔다. 디바이스의 집적도의 향상에 대해서 패턴의 더욱 미세화가 요구되므로, 미세한 패턴을 해상하기 위하여 노광장치가 개량되고 있었다.
노광장치에 있어서, 투영광학계의 해상도 R은 이하의 레일레이 방정식(Rayleigh equation)(1)에 의해 정의되며, 이 해상도는 해상될 수 있는 패턴의 크기의 지표이다:
R = k l (λ/NA) (1)
(식중, λ는 노광 파장, NA는 투영광학계의 상(像)측의 개구수, k1은 현상 프로세스 등에 의해 결정되는 상수이며, 통상 대략 0.5임).
상기 방정식(1)로부터 알 수 있는 바와 같이, 노광장치에 있어서의 광학계의 해상력은 노광파장이 짧을 수록 또 투영광학계의 상측 NA가 클수록 높아진다.
따라서, 수은램프 i선(파장이 대략 365㎚)에 이어서, KrF 엑시머 레이저(파장이 대략 248㎚) 및 ArF 엑시머 레이저(파장이 대략 193㎚)가 개발되었고, 더욱 최근에는 F2 엑시머 레이저(파장이 대략 157㎚)로 감축되어 실용화되고 있다. 그러나, 단파장을 지닌 노광광의 선택은 투과율, 균일성 및 내구성 등에 관한 재료의 요구를 만족시키기가 곤란하여, 장치의 비용증대를 초래한다.
또, NA가 0.85인 투영광학계를 지닌 노광장치는 상품화되어 있고, NA가 0.9 이상인 투영광학계도 연구 개발되고 있다. 이러한 고NA 노광장치에서는 대형 면적에 걸쳐 수차가 적은 양호한 결상성능을 유지하는 것이 곤란하므로, 노광 중에 마스크와 기판을 동기시키는 주사노광방식이 이용되고 있다.
그러나, 종래의 설계에서는, 투영광학계와 기판과의 사이에 굴절률이 약 1인 기체층에 의해 원리상 NA를 1보다 크게 할 수 없다.
한편, 등가적으로 노광파장을 짧게 해서 해상력을 향상시키는 수단으로서 액침법이 제안되어 있다. 이것은 투영광학계의 최종면과 기판과의 사이의, 종래에서는 기체로 채워지고 있던 공간을 액체로 채워 투영노광에 이용되는 방법이다. 상기 투영노광장치는, 액침법으로서, 투영광학계의 최종면과 함께 기판의 전체를 액체 탱크 속에 침지하는 방법(예를 들면, 일본국 공개특허 평 6-124873호 공보 참조) 및 투영광학계와 기판 사이의 공간에만 유체를 흐르게 하는 국부 충전(local fill) 방법(예를 들면, 국제특허공개공보 제WO 99/49504호 팸플릿 참조)을 이용한다.
액침법은 이용하는 액체의 굴절률을 n이라 할 때 등가적인 노광파장이 광원의 파장의 1/n배로 되는 점에서 이점을 지닌다. 이것은 동일한 파장을 지닌 광원을 이용할 경우에도 해상력이 종래의 해상력의 1/n배만큼 향상하는 것을 의미한다.
예를 들면, 광원의 파장이 193㎚이고 유체가 물인 경우, 굴절률은 약 1.44이다. 따라서, 이러한 액침법을 이용하면 종래법에 비해서 해상력을 1/1.44배만큼 향상시킬 수 있다.
액침법에 이용되는 가장 일반적인 유체는 물이다. 물은 190㎚ 부근까지의 자외광에 대해서 양호한 투과율을 지닌다. 또, 이미 반도체의 제조공정에 있어서 대량의 물이 이용되고 있고, 또한 물은 웨이퍼 및 감광제와의 상성(相性)이 양호하다는 이점이 있다.
액침노광장치에 있어서는 노광에 대한 기포의 영향을 줄이는 것이 중요하다. 투영광학계의 최종면과 기판 사이의 노광영역에 진입하는 이들 기포는 노광광을 산란시킨다. 따라서, 전사된 패턴의 임계 치수가 허용가능한 범위를 넘어서 변동하여, 최악의 경우에는 설계의도와는 반대로 절연 및 단락이 발생하게 된다. 기포의 노광에의 영향을 방지하기 위한 가장 효과적인 공지된 방법은 유체의 탈기를 행하는 것이다. 탈기된 유체에 있어서는 기포가 발생하기 어렵거나 발생된 기포가 단시간에 소멸되기 때문에, 노광에의 기포의 영향은 방지된다.
그러나, 액침법에 널리 이용되고 있는 물은 탈기를 행하면 비저항이 증가하여, 정전기가 발생하기 쉽다. 예를 들면, 반도체 제조공정에 이용하는 순수(예를 들면, 적은 불순물을 함유하는 물)는 탈기후의 비저항이 18㏁·㎝에 달한다. 또, 기판 표면에는 감광제가 도포되어 있기 때문에 전기적으로 절연된다. 따라서, 기판을 스테이지로 이동시키면, 기판 표면에 정전기가 발생하여, 기판 위의 디바이스에 결함을 생성시키게 된다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안해서, 기판 위의 정전기를 감소시키면서 액침법을 이용하는 노광장치를 제공하는 것을 예시적인 목적으로 한다.
본 발명의 일측면에 의한 노광장치는, 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계; 및 상기 투영광학계와 상기 기판 사이에 유체를 공급하는 유체공급장치를 포함하고, 상기 유체공급장치는 상기 유체에 이산화탄소를 주입하는 주입장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 의한 노광장치는 광원으로부터의 광을 이용해서 마스크를 조명하는 조명광학계; 및 상기 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계를 포함하고, 상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 공간에 공급되는 유체 중의 이산화탄소의 농도는 0.02ppm 내지 750ppm인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 또 다른 측면의 노광장치는, 광원으로부터의 광을 이용해서 마스크를 조명하는 조명광학계; 및 상기 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계를 포함하고, 상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 공간에 공급되는 유체의 비저항치는 0.02㏁·㎝ 내지 10㏁·㎝인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 측면에 의한 디바이스의 제조방법은 상기 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정; 및 노광된 물체를 현상하는 공정을 포함한다.
본 발명의 기타 목적과, 또 다른 특징들은 첨부도면을 참조한 실시형태의 이하의 설명으로부터 용이하게 명백해질 것이다.
도 1은 제 1실시예의 노광장치의 주요부의 개략도
도 2는 이산화탄소의 주입장치의 구성예를 표시한 개략도
도 3은 웨이퍼의 세정공정에 있어서의 웨이퍼 상의 전위와 순수(pure water)의 비저항 간의 관계를 표시한 설명도
도 4는 순수의 비저항과 이산화탄소의 농도 간의 관계를 표시한 설명도
도 5는 규격화한 기포의 수명과 규격화한 용존기체의 농도 간의 관계를 표시한 설명도
도 6은 물의 pH값과 이산화탄소의 농도 간의 관계를 표시한 설명도
도 7은 제 1실시예의 변형예로서의 노광장치의 주요부를 표시한 개략도
도 8은 디바이스의 제조 흐름을 표시한 도면
도 9는 도 8에 표시한 웨이퍼 프로세스를 표시한 도면.
이하에, 본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부도면에 의해 상세히 설명한다.
제 1실시예
도 1은 제 1실시예에 의한 노광장치의 주요부의 개략도이다. 본 실시예는 본 발명을 주사노광장치에 적용하고 있다.
도 1에 있어서, (1)은 광원으로부터의 광으로 레티클(또는 마스크)을 조명하는 조명광학계이다. 광원은 ArF 엑시머 레이저(파장이 193㎚), KrF 엑시머 레이저(파장이 248㎚) 또는 F2 레이저이고, 조명광학계(1)는 공지의 광학계 등(도시 생략)을 포함한다. (3)은 조명광학계(1)에 의해서 조명된 레티클(2)의 회로패턴을 제 2물체로서의 웨이퍼(5)(기판) 위에 투영하는 굴절형 또는 반사굴절형(catadioptric) 또는 기타 투영광학계이다. (15)는 참조미러(14)를 통해서 레티클 스테이지(12) 및 웨이퍼 스테이지(13)의 각각의 수평면 위의 2차원적인 위치를 계측하는 거리측정용 레이저 간섭계이다. 이 계측치에 의거해서 스테이지 제어기(17)가 레티클(2)과 웨이퍼(5)의 위치결정 및 동기제어를 행한다. 또, 웨이퍼 스테이지(13)는 웨이퍼의 길이방향의 위치, 회전각 및 경사를 조절하는 기능을 지니므로, 웨이퍼(5)의 표면을 투영광학계(3)의 상면과 합치시킨다.
본 실시예에서는, 액침법을 이용해서 등가적인 노광파장을 짧게 해서 노광 해상도를 향상시킨다. 따라서, 본 실시예에서는 투영광학계(3)의 최종면의 주위에 공급구(10)와 회수구(11)를 배치하고, 투영광학계(3)의 최종면과 웨이퍼(5) 사이에 물을 공급하여, 거기에 액막(4)을 형성한다. 투영광학계(3)의 최종면과 웨 이퍼(5) 사이의 간격은, 상기 액막(4)이 안정적으로 형성될 수 있는 정도로 충분히 작은 것이 바람직하고, 예를 들면, 0.5㎜로 하면 된다. 공급구(10)는 공급관(8)을 통해 물을 공급하는 유체공급장치(6)에 연결되어 있다. 또, 회수구(11)는 회수관(9)을 통해 물을 회수하는 액체회수장치(7)와 연결되어 있다. 유체공급장치(6)는 탈기장치(18) 및 해당 탈기장치(18)의 하류쪽에 설치된 이산화탄소의 주입장치(19)를 포함한다. 탈기장치(18)는 예를 들면, 공지의 막 모듈(도시생략)과 진공펌프(도시생략)를 지닐 수 있다. 액침제어기(16)는 유체공급장치(6) 및 액체회수장치(7)에 제어신호를 보내는 동시에, 스테이지 제어장치(17)와의 사이에서 데이터의 송수신을 행한다. 이것에 의해, 액침제어기(16)는 웨이퍼의 이동방향 및 속도에 따라서 액체의 공급량과 회수량을 조절하고 있다.
또, 본 실시예에 있어서는, 탈기된 물에 소정의 농도로 이산화탄소를 주입함으로써, 기포의 노광에의 영향을 방지하고, 또 기판 위의 정전기를 억제한다. 이산화탄소는 저렴하고 또 기판을 오염시키지 않는 점에서 유리하다. 도 2를 참조해서, 이산화탄소 주입장치(19)의 일구성예를 설명한다. 물의 유입구(20)와 유출구(21) 사이에 막 모듈(22)이 설치되어 있다. 막 모듈(22)은 밸브(23)를 통해서 예를 들면, CO2 실린더 등의 공급원(24)에 접속되어 있다. 상기 밸브(23)는 이산화탄소 제어기(25)에 의해 전기적으로 제어된다.
이 구성은 막 모듈(22)에의 이산화탄소의 유량을 밸브(23)를 통해서 변화시킴으로써, 수중의 이산화탄소 농도를 규제한다. 또, 이산화탄소 주입장치의 하류 쪽에는 비저항계(26)가 설치되어 있다. 상기 비저항계(26)의 출력을 이산화탄소 제어기(25)에 전기적으로 피드백함으로써 이산화탄소의 농도를 소정의 범위 내로 제어하는 것이 더욱 바람직하다. 또, 막 모듈을 이용하는 대신에, 노즐로부터 이산화 탄소가스를 수중에 주입해도 된다. 그 경우, 이산화 탄소가스 중에 존재하는 미소한 입자를 미리 필터를 이용해서 제거해두는 것이 바람직하다.
이하에, 최적의 이산화탄소의 농도에 대해서 설명한다.
먼저, 이산화탄소 농도의 하한은 웨이퍼 위의 정전기를 억제할 필요성으로부터 결정된다. 도 3은 노즐로부터의 순수에 의해 웨이퍼를 세정한 때의 웨이퍼 위의 전위와 물의 비저항 사이의 관계를 표시한다(이것에 대해서는, "순수 및 초순수의 분무, 접촉, 유동대전", 아사노 저, 일본의 전기학회논문지 108권, 1988년, pp. 362-366에 상세히 기재되어 있음). 도 3으로부터, 물의 비저항치가 10㏁·㎝를 초과하면, 웨이퍼 위에 큰 전위가 발생하기 쉬워지는 것을 알 수 있다. 한편, 물의 비저항이 5㏁·㎝ 이하이면, 정전기는 문제를 일으키지 않는다. 도 4에 순수에 있어서의 이산화탄소의 농도와 비저항의 관계를 표시한다. 이산화탄소의 농도가 높을수록 비저항이 낮아진다. 0.02ppm 및 0.06ppm의 이산화탄소의 농도는 각각 10㏁·㎝ 및 5㏁·㎝의 비저항에 상당한다. 이것은 웨이퍼 위의 정전기를 억제하기 위해, 수중의 이산화탄소 농도는 0.02ppm 이상으로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 0.06ppm 이상이다.
다음에, 이산화탄소 농도의 상한은 기포의 문제로부터 결정될 수 있다. 기포의 발생은, 수중의 압력변동이나 이산화탄소 주입장치에 있어서의 미소한 기포의 혼입에 기인된다. 어느 경우에도, 수중의 이산화탄소 농도가 높아지면 기포가 발생하기 쉬워지게 될 뿐만 아니라, 기포의 수명(또는 발생한 기포가 확산에 의해 소멸될 때까지의 시간)이 길어진다. 즉, 기포가 소멸되기 어려워, 기포의 노광에의 영향의 위험이 증대한다. 도 5는 규격화한 기포의 수명 τ/τ0를 규격화한 용존기체의 농도 C∞/Cs의 함수로서 표시한 것이다(C. E. Brennen, "Cavitation and Bubble Dynamics", Oxford University Press (1995), Chapter 2에 상세히 개시되어 있음). 여기서, C∞는 액체 중에 용해되어 있는 기체의 균일한 농도(uniform gas concentration)이며, τ0는 C∞ = 0.0일 경우의 수명이고, Cs는 포화농도이다. 규격화된 농도 C∞/Cs가 0.2 이하인 경우, 기포의 수명은 C∞ = 0.0에 가까우므로, 기포는 비교적 즉시 소멸된다. 한편, 규격화된 농도 C∞/Cs가 0.5 이상인 경우, 기포의 수명은 극적으로 증대하므로, 기포가 소멸되기 어렵다. 이 결과, 기포의 노광에의 영향을 방지하기 위해서는, 수중에 용존하는 기체의 농도를 포화농도의 50% 이하로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 포화농도의 20% 이하이다. 수중의 이산화탄소의 포화농도는 1기압에 있어서 약 1500ppm이다. 따라서, 기포의 노광에의 영향을 방지하기 위해서는, 이산화탄소의 농도를 바람직하게는 750ppm 이하, 더욱 바람직하게는, 300ppm 이하로 한다. 이들 값은 정전기의 억제를 위해 필요한 이산화탄소의 농도의 하한에 비해서 훨씬 크므로, 기포의 영향의 방지와 정전기의 억제를 양립시키는 것이 가능하다.
요약하면, 액막(4)에 공급되는 물의 이산화탄소의 농도의 범위는 바람직하게 는, 0.02ppm 내지 750ppm, 더욱 바람직하게는, 0.06ppm 내지 300ppm의 범위이다. 등가의 조건은 비저항이 바람직하게는 0.02㏁·㎝ 내지 10㏁·㎝, 더욱 바람직하게는 0.04 ㏁·㎝ 내지 5㏁·㎝인 경우이다. 이 구성에 의하면, 기포의 노광에의 영향을 방지하고 또 기판상의 정전기를 억제하는 것이 가능하다.
또, 본 실시형태에 있어서는 화학증폭형의 레지스트에 대해서 적합한 산성 환경을 실현할 수 있다. 화학증폭형의 레지스트는 KrF 레이저나 ArF레이저를 광원으로 이용하는 리소그래피에 최적인 고감도의 레지스트로서 널리 이용되고 있다. 한편, 화학증폭형의 레지스트에서는, 수중에 존재하는 암모니아 등의 알칼리성의 오염물질이 레지스트 표면으로 진입하면 화학반응이 억제되어 T-top 등의 패턴 상의 문제가 생긴다. 본 실시형태에서는 물에 이산화탄소를 용해시킴으로써 pH값을 낮추고, 알칼리성의 오염물질의 영향을 억제할 수 있다. 도 6에 물의 pH 값과 이산화탄소 농도 간의 관계를 나타낸다.
통상, 반도체 제조공장에는 순수설비가 구비되어 있고, 또, 그 순수설비의 다수가 탈기 기능을 지닌다. 노광장치의 외부의 순수설비로부터 탈기를 실시한 물을 투영노광장치에 공급한 경우, 투영노광장치는 탈기장치(18)를 생략하는 것이 가능하다. 탈기장치의 생략은 비용을 저감시킬 수 있다. 도 7은 이상의 개념을 실현하는 본 실시예의 노광장치의 변형예를 표시한 것이다. 이 변형예로서의 노광장치는 유체 공급장치(6)가 탈기장치를 지니지 않는 점에서 도 1의 노광장치와 다르다. 본 변형예의 노광장치에 있어서의 이산화탄소의 주입장치의 구성, 최적인 물의 이산화탄소 농도 및 비저항은, 상기 도 1에 표시한 노광장치에 있어서의 것들과 마찬가지이다.
이상, 본 실시예의 액침 노광장치에 의하면, 기포의 노광에의 영향을 방지하고, 또 기판상의 정전기를 억제할 수 있다.
제 2실시예
이하에 제 1실시예의 노광장치를 이용한 디바이스의 제조방법의 실시예에 대해서 설명한다.
도 8은 디바이스(예를 들면, IC 및 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널 및 CCD)의 제조 흐름을 설명하는 순서도이다. 스텝 1(회로설계)에서는, 디바이스 회로를 설계한다. 스텝 2(마스크 제작)에서는, 설계한 회로패턴을 지닌 레티클(즉, 마스크)을 작성한다. 스텝 3(웨이퍼 제조)에서는, 실리콘 등의 재료를 이용해서 웨이퍼를 제조한다. 전(前)공정이라고 불리는 스텝 4(웨이퍼 프로세스)에서는, 상기 마스크와 웨이퍼를 이용해서 포토리소그라피에 의해 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 이어서, 후공정이라고 불리는 스텝 5(조립)에서는, 스텝 4에서 제조된 웨이퍼를 이용해서 반도체칩을 형성하고, 또한, 이 공정은, 어셈블리 공정(예를 들면, 다이싱, 본딩)과 패키징 공정(칩봉인)을 포함한다. 스텝 6(검사)에서는, 스텝 5에서 작성된 반도체 디바이스에 대해 동작확인시험 및 내구성 시험 등의 검사를 행한다. 이들 공정을 통해서, 반도체 디바이스가 완성되어 출하된다(스텝 7).
도 9는 웨이퍼 프로세스의 상세한 흐름을 표시하고 있다. 스텝 11(산화)에서는, 웨이퍼 표면을 산화하고, 스텝 12(CVD)에서는, 웨이퍼 표면에 절연막을 형성하고, 스텝 13(전극형성)에서는 증착법 등에 의해 웨이퍼 위에 전극을 형성한다. 스텝 14(이온주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입하고, 스텝 15(레지스트 처리)에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 16(노광)에서는 상기 제 1실시예의 노광장치를 이용해서 웨이퍼 위에 마스크 위의 회로패턴을 전사한다. 스텝 17(현상)에서는 노광된 웨이퍼를 현상하고, 스텝 18(에칭)에서는 현상된 레지스트상 이외의 부분을 에칭하고, 스텝 19(레지스트 제거)에서는 에칭 후의 쓸모없는 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복함으로써, 웨이퍼 위에 다층의 회로패턴이 형성된다.
본 실시예의 제조방법에 의하면, 종래의 것보다 고품질의 디바이스를 제조하는 것이 가능하다.
본 명세서는 2003년 12월 19일자로 일본 특허출원 제2003-422932호로 출원된 청구범위, 상세한 설명, 도면 및 요약을 포함하는 그의 전체 개시내용을 온전히 그대로 참조하여 구체화되어 있다.
본 발명의 정신과 범위를 일탈함이 없이 본 발명의 다수의 명백하게 광범위한 다른 실시형태를 행할 수 있으므로, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위에 규정된 것을 제외하고 그의 구체적인 실시형태로 한정되지 않는다.
본 발명의 노광장치는 액침법에 이용되는 유체에 이산화탄소를 주입하여, 그렇지 않으면 기판표면상에 일어날 수도 있는 정전기를 억제한다.
본 발명의 디바이스의 제조방법은 마스크 위의 디바이스 패턴의 상을 디바이스 기판 위에 고정밀도로 전사하는 것이 가능하다.

Claims (13)

  1. 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계; 및
    상기 투영광학계와 상기 기판 사이에 유체를 공급하는 유체공급장치를 포함하고,
    상기 유체공급장치는 상기 유체에 이산화탄소를 주입하는 주입장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 유체공급장치는 상기 주입장치의 상류쪽에 상기 유체를 탈기하는 탈기장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 1에 있어서, 상기 주입장치는 이산화탄소를 주입하는 막 모듈(membrane module)을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 주입장치는 상기 유체 중의 이산화탄소의 농도가 0.02ppm 내지 750ppm으로 이산화탄소를 주입하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 주입장치는 상기 유체 중의 이산화탄소의 농도가 0.06ppm 내지 300ppm으로 이산화탄소를 주입하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 유체공급장치는 상기 유체의 비저항치를 계측하는 비저항계를 포함하고, 상기 주입장치는 상기 비저항계의 계측결과에 의거해서 이산화탄소를 주입하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 주입장치는 상기 유체의 비저항치가 0.02㏁·㎝ 내지 10㏁·㎝로 되도록 이산화탄소를 주입하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 주입장치는 상기 유체의 비저항치가 0.04㏁·㎝ 내지 5㏁·㎝로 되도록 이산화탄소를 주입하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 광원으로부터의 광을 이용해서 마스크를 조명하는 조명광학계; 및
    상기 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계를 포함하고,
    상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 공간에 공급되는 유체 중의 이산화탄소의 농도는 0.02ppm 내지 750ppm인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 이산화탄소의 농도는 0.06ppm 내지 300ppm인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  11. 광원으로부터의 광을 이용해서 마스크를 조명하는 조명광학계; 및
    상기 마스크의 패턴을 기판 위에 투영하는 투영광학계를 포함하고,
    상기 투영광학계와 상기 기판 사이의 공간에 공급되는 유체의 비저항치는 0.02㏁·㎝ 내지 10㏁·㎝인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 비저항치는 0.04㏁·㎝ 내지 5㏁·㎝인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 의한 노광장치를 이용해서 물체를 노광하는 공정; 및
    노광된 물체를 현상하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조방법.
KR1020067011585A 2003-12-19 2004-12-13 노광장치 및 디바이스의 제조방법 KR100801354B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2003-00422932 2003-12-19
JP2003422932A JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2003-12-19 露光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060101529A KR20060101529A (ko) 2006-09-25
KR100801354B1 true KR100801354B1 (ko) 2008-02-05

Family

ID=34708744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067011585A KR100801354B1 (ko) 2003-12-19 2004-12-13 노광장치 및 디바이스의 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7292309B2 (ko)
EP (1) EP1697974A4 (ko)
JP (1) JP4323946B2 (ko)
KR (1) KR100801354B1 (ko)
TW (1) TWI285796B (ko)
WO (1) WO2005062351A1 (ko)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7512523B2 (en) 2000-06-16 2009-03-31 Verisae, Inc. Refrigerant loss tracking and repair
EP1312003A4 (en) 2000-06-16 2005-12-21 Verisae SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING THE ASSETS OF AN ENTERPRISE
US7369968B2 (en) 2000-06-16 2008-05-06 Verisae, Inc. Enterprise energy management system
US7474218B2 (en) 2000-06-16 2009-01-06 Verisae, Inc. Method and system of asset identification and tracking for enterprise asset management
US7877235B2 (en) 2003-01-31 2011-01-25 Verisae, Inc. Method and system for tracking and managing various operating parameters of enterprise assets
US7440871B2 (en) 2002-12-09 2008-10-21 Verisae, Inc. Method and system for tracking and reporting emissions
DE602004024295D1 (de) * 2003-04-11 2010-01-07 Nippon Kogaku Kk Reinigungsverfahren für optik in immersionslithographie
EP3141953A3 (en) 2003-04-11 2017-06-07 Nikon Corporation Apparatus and method for maintaining immersion fluid in the gap under the projection lens during wafer exchange in an immersion lithography machine
TWI612556B (zh) * 2003-05-23 2018-01-21 Nikon Corp 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
WO2004112108A1 (ja) 2003-06-13 2004-12-23 Nikon Corporation 露光方法、基板ステージ、露光装置、及びデバイス製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
KR101674329B1 (ko) 2003-06-19 2016-11-08 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
WO2005055296A1 (ja) 2003-12-03 2005-06-16 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品
DE602004030481D1 (de) 2003-12-15 2011-01-20 Nippon Kogaku Kk Bühnensystem, belichtungsvorrichtung und belichtungsverfahren
JP4319189B2 (ja) 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN105911821B (zh) 2004-06-09 2019-03-15 株式会社尼康 曝光装置
JP4752473B2 (ja) 2004-12-09 2011-08-17 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2006222165A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
KR101211570B1 (ko) 2005-02-10 2012-12-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
EP1876635A4 (en) 2005-04-25 2010-06-30 Nikon Corp EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
JP2006319064A (ja) 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc 測定装置、露光方法及び装置
KR20080018158A (ko) * 2005-06-21 2008-02-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 메인터넌스 방법과 디바이스 제조방법
US20070085989A1 (en) * 2005-06-21 2007-04-19 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method
WO2007001848A2 (en) * 2005-06-24 2007-01-04 Sachem, Inc. High refractive index fluids with low absorption for immersion lithography
US7291569B2 (en) * 2005-06-29 2007-11-06 Infineon Technologies Ag Fluids for immersion lithography systems
US7420188B2 (en) * 2005-10-14 2008-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exposure method and apparatus for immersion lithography
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
WO2007072818A1 (ja) * 2005-12-19 2007-06-28 Nikon Corporation 液体製造装置、液浸露光装置、及びデバイス製造方法
JP2007180450A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Canon Inc 露光装置
US7843548B2 (en) * 2006-11-13 2010-11-30 Asml Netherlands B.V. Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system
SG143137A1 (en) 2006-11-13 2008-06-27 Asml Netherlands Bv Conduit system for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, pump, and method for substantially reducing vibrations in a conduit system
US8045135B2 (en) * 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
JP2008311372A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Nomura Micro Sci Co Ltd 超純水中の溶存窒素の測定方法及び溶存窒素測定装置
JP5180555B2 (ja) * 2007-10-04 2013-04-10 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
KR101712219B1 (ko) 2009-03-10 2017-03-03 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
TWI399620B (zh) * 2009-05-05 2013-06-21 Nat Synchrotron Radiation Res Ct 立體光阻微結構的製作方法
NL2005655A (en) 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP2012009596A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Nikon Corp 液体供給装置、露光装置、液体供給方法、メンテナンス方法、及びデバイス製造方法
NL2007453A (en) 2010-10-18 2012-04-19 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
NL2009899A (en) 2011-12-20 2013-06-24 Asml Netherlands Bv A pump system, a carbon dioxide supply system, an extraction system, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
WO2015152223A1 (ja) * 2014-03-31 2015-10-08 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体の製造方法およびウエハ基板の洗浄方法
JP6070784B2 (ja) * 2015-07-14 2017-02-01 株式会社ニコン 液体供給装置、露光装置、液体供給方法、及びデバイス製造方法
JP6505534B2 (ja) * 2015-07-22 2019-04-24 株式会社平間理化研究所 現像液の管理方法及び装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154659A (ja) 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JPH10303114A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
KR20060091307A (ko) * 2003-09-29 2006-08-18 가부시키가이샤 니콘 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5175124A (en) * 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
JP3817836B2 (ja) * 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP4608876B2 (ja) 2002-12-10 2011-01-12 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
KR101176817B1 (ko) 2003-04-07 2012-08-24 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10154659A (ja) 1996-10-07 1998-06-09 Nikon Corp リソグラフィーアライナー、製造装置、または検査装置用の焦点及びチルト調節システム
JPH10303114A (ja) 1997-04-23 1998-11-13 Nikon Corp 液浸型露光装置
KR20060091307A (ko) * 2003-09-29 2006-08-18 가부시키가이샤 니콘 투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4323946B2 (ja) 2009-09-02
US20060050257A1 (en) 2006-03-09
EP1697974A4 (en) 2009-07-29
EP1697974A1 (en) 2006-09-06
US7292309B2 (en) 2007-11-06
KR20060101529A (ko) 2006-09-25
WO2005062351A1 (en) 2005-07-07
JP2005183693A (ja) 2005-07-07
TW200532388A (en) 2005-10-01
TWI285796B (en) 2007-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100801354B1 (ko) 노광장치 및 디바이스의 제조방법
JP4295174B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8721803B2 (en) Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
KR101121260B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스의 제조 방법
JP2005197384A (ja) 露光装置
JP2005019615A (ja) 液浸式露光装置
JP2006019720A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009049406A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
KR20080026082A (ko) 노광장치 및 방법, 노광장치의 메인터넌스 방법 및디바이스 제조방법
WO2005048328A1 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006140459A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP5040653B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4490459B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
KR20080085874A (ko) 노광장치
US7894036B2 (en) Exposure apparatus
JP2006073906A (ja) 露光装置、露光システム及びデバイス製造方法
US7130015B2 (en) Inert-gas purge method, exposure apparatus, device fabrication method and devices
JP2009071124A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2009009954A (ja) 露光装置及び露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121221

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131226

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141226

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee