KR100808701B1 - 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 장치 및 그 패턴 생성장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (40)
- 노광 장비에서 사용하기 위한 표면에 패턴을 기록하기 위한 방법에 있어서,- 패턴 발생 장치의 스테이지 위에 한개의 표면을 가진 일정 두께의 대상 목적물을 배치하고,- 상기 표면에 다수의 측정 포인트들을 제공하며, 이때, 두 개의 인접한 측정 포인트가 예정된 최대 거리를 초과하지 않고 일정 거리(P) 떨어져 있고,- 각 측정 포인트에서 상기 표면의 기울기를 결정하며,- 상기 기울기의 함수로서 그리고 대상 목적물의 두께(T)의 함수로서 각 측정 포인트에 대한 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)을 계산하고, 그리고- 2-차원 로컬 오프셋(d)을 사용하여 상기 표면 위에 기록될 패턴을 교정함을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 패턴을 교정하기 위한 단계가- 각 측정 포인트에 대한 계산된 2-차원 로컬 오프셋(d)을 사용하여 상기 표면에 대한 한개의 교정 함수를 결정하고, 그리고- 패턴 발생 장치로 상기 교정 함수를 사용하여 상기 표면 위에 패턴을 기록함을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기울기를 결정하기 위한 단계가 각 측정 포인트에서 상기 표면의 높이 변동을 측정함을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 표면의 높이 변동을 측정하기 위한 단계가- 한개의 기준 표면을 결정하며,- 상기 기준 표면과 각 측정 포인트에서의 대상 목적물의 표면 간의 높이(H)를 측정함을 포함하고,이에 의해 상기 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋이 상기 측정된 높이(H), 한개 이상의 인접 측정 포인트 각각으로부터의 거리(P), 그리고 상기 대상 목적물의 두께(T)의 함수로 계산됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 측정 포인트들이 x 방향으로 제 1 예정 피치 그리고 y 방향으로 제 2 예정 피치를 갖는 그리드(grid)로 배열됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 기준 표면과 대상 목적물 표면 간의 높이(H)가 상기 스테이지의 불균형, 상기 대상 목적물의 표면의 불균형, 또는, 상기 스테이지와 상기 대상 목적물 사이에 배열되는 불필요한 물체로부터 발생되는 것을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 불필요한 물체가 트랩된 공기 또는 파티클임을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 대상 목적물의 상부 표면이 상기 패턴을 지니도록 선택됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 제 1항에 있어서, 패턴 교정을 위한 교정 함수가 차후 처리 단계들 중 노광 장비로부터 예측된 변형을 보상함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 패턴 발생 방법.
- 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 방법에 있어서,- 한개의 표면을 가진 두께(T)의 대상 목적물을 측정 장치의 스테이지에 배열하고,- 상기 대상 목적물의 표면에 다수의 측정 포인트를 제공하며, 이때, 두 인접한 측정 포인트가 예정된 최대 거리를 초과하지 않는 거리로 떨어져 있으며,- 각 측정 포인트에서 상기 표면의 기울기를 결정하고,- 상기 기울기와, 상기 대상 목적물의 두께(T)의 함수로, 각 측정 포인트에 대한 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)을 계산하고, 그리고- 각 측정 포인트에 대한 상기 계산된 2-차원 로컬 오프셋을 사용하여 상기 표면에 대한 교정 함수를 결정함을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 기울기를 결정하기 위한 단계가 각 측정 포인트에서 상기 표면의 높이 변동을 측정함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 방법.
- 제 12항에 있어서, 상기 표면의 높이 변동을 측정하는 단계가 ;- 한개의 기준 표면을 결정하고,- 각 측정 포인트에서 상기 기준 표면과 대상 목적물 표면 간의 높이(H)를 측정하며, 이에 의해 x-y 평면 내 상기 2-차원 로컬 오프셋(d)이 측정된 높이(H), 하나 이상의 인접 측정 포인트 각각으로부터의 거리(P), 그리고 상기 대상 목적물의 두께(T)의 함수로서 계산될 수 있음을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 대상 목적물이 한개의 기준 대상 목적물이고, 그리고 상기 대상 목적물의 표면에는 각 측정 포인트의 마크들이 제공됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 방법.
- - 한개의 표면을 가진 두께(T)의 대상 목적물을 지지하는 스테이지로서, 상기 표면에는 다수의 측정 포인트들이 제공되고, 두 인접한 측정 포인트가 예정된 최대 거리를 초과하지 않는 거리만큼 떨어져 있는 스테이지,- 각 측정 포인트에서 상기 표면의 기울기를 결정하기 위한 수단,- 상기 기울기와, 상기 대상 목적물의 두께의 함수로, 각 측정 포인트에 대한 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋을 계산하기 위한 수단, 그리고- 각 측정 포인트에 대한 상기 계산된 2-차원 로컬 오프셋(d)를 사용하여 상기 표면에 대한 교정 함수를 결정하기 위한 수단을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 기울기를 결정하기 위한 수단이 각 측정 포인트에서 상기 표면의 높이 변동을 측정하기 위한 수단을 포함함을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- 제 16항에 있어서, 상기 표면의 높이 변동을 측정하기 위한 수단이- 한개의 기준 표면을 결정하기 위한 수단,- 상기 기준 표면 그리고 각 측정 포인트에서의 대상 목적물의 표면 간의 높이(H)를 측정하기 위한 수단을 포함하며, 그에 의해 상기 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)이, 측정된 높이(H), 한개 이상의 인접 측정 포인트로부터의 거리(P), 그리고 상기 대상 목적물의 두께(T)의 함수로서 계산될 수 있음을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 대상 목적물이 한개의 기준 대상 목적물이며, 상기 대상 목적물의 표면에 각 측정 포인트의 마크들이 제공됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 대상 목적물에서의 측정 포인트들이 x 방향으로 제 1 예정 피치 그리고 y 방향으로 제 2 예정 피치를 가지는 그리드 패턴으로 배열됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- 제 15항에 있어서, 상기 대상 목적물 상에서 측정 포인트들이 임의로 배열됨을 특징으로 하는 표면의 물리적 특성을 측정하기 위한 측정 장치.
- - 한개의 표면을 가진 두께(T)의 대상 목적물을 지지하는 스테이지로서, 상기 표면에는 다수의 측정 포인트들이 제공되고, 두 인접한 측정 포인트가 예정된 최대 거리를 초과하지 않는 거리만큼 떨어져 있는 스테이지,- 각 측정 포인트에서 상기 표면의 기울기를 결정하기 위한 수단,- 상기 기울기와, 상기 대상 목적물의 두께(T)의 함수로, 각 측정 포인트에 대한 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)을 계산하기 위한 수단, 그리고- 상기 2-차원 로컬 오프셋(d)를 사용하여 상기 표면에 기록되어질 패턴을 교정하기 위한 수단을 포함함을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 패턴을 교정하기 위한 수단이,- 각 측정 포인트에 대해 상기 계산된 2-차원 로컬 오프셋(d)을 사용하여 상기 표면에 대한 한 교정 함수를 결정하기 위한 수단, 그리고- 상기 패턴 생성 장치와 함께, 상기 교정 함수를 사용하여 상기 표면에 패턴을 기록하기 위한 수단을 포함함을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 기울기를 결정하기 위한 수단이 각 측정 포인트에서 상기 표면의 높이 변동을 측정하기 위한 수단을 포함함을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 23항에 있어서, 상기 표면의 높이 변동을 측정하기 위한 수단이;- 한개의 기준 표면을 결정하기 위한 수단, 그리고- 상기 기준 표면과 각 측정 포인트에서의 대상 목적물 표면 간의 높이(H)를 측정하기 위한 수단을 포함하며, 이에 의해 상기 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)이 상기 측정된 높이(H), 한개 이상의 인접한 측정 포인트로부터의 거리(P), 그리고 대상 목적물의 두께(T)의 함수로 계산될 수 있음을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 대상 목적물의 측정 포인트들이 x 방향으로 제 1 예정 피치, 그리고 y 방향으로 제 2 예정 피치를 갖는 그리드 패턴으로 배열됨을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 대상 목적물의 측정 포인트들이 임의로 배열됨을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 24항에 있어서, 상기 기준 표면과 대상 목적물 표면 간의 높이(H)가 상기 스테이지 불균형으로부터 발생되거나, 대상 목적물의 한개 또는 두개의 표면의 불균형, 또는, 상기 스테이지와 대상 목적물 사이에 배열된 바람직하지 않은 물체들로부터 발생됨을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 28항에 있어서, 상기 바람직하지 않은 물체가 트랩된 공기 또는 파티클들임을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 대상 목적물의 상부 표면이 패턴을 가짐을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 차후 처리 단계들 중 노광 장비로부터 예측된 변형을 또한 보정하기 위한 교정 함수를 계산하기 위한 수단이 상기 패턴 생성 장치에 제공됨을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 대상 목적물이 노광 장비에서 사용되기 위한 것임을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 32항에 있어서, 상기 대상 목적물이 유리 플레이트이고, 상기 유리 플레이트에 패턴을 생성하여, 노광 장비를 사용하여 반도체 재료에 패턴을 기록할 때 사용될 수 있도록 함을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- 제 21항에 있어서, 상기 대상 목적물이 반도체 재료이고, 상기 반도체 재료의 표면에 패턴이 직접 생성됨을 특징으로 하는 대상 목적물 표면에 패턴을 기록하기 위한 패턴 생성 장치.
- - 일정 두께(T)를 갖는 대상 목적물의 표면에 제공되는 각 측정 포인트에서의 표면 기울기를 결정하고,- 상기 기울기의 함수로서 그리고 대상 목적물의 두께(T)의 함수로서 각 측정 포인트에 대한 x-y 평면 내 2-차원 로컬 오프셋(d)를 계산하며, 그리고- 각 측정 포인트에 대한 상기 계산된 2-차원 로컬 오프셋(d)를 사용하여, 상기 표면에 대한 교정 함수를 결정하거나, 상기 표면에 기록되어질 패턴을 교정하는 단계를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 저장된 기록 매체.
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- 평판 디스플레이 생산을 위해 제 1항 내지 14항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 발생된 패널을 갖는 하나 이상의 마스크.
- 제 37항에 있어서, 상기 평판 디스플레이가 박막 트랜지스터(TFT) 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 하나 이상의 마스크.
- 제 37항에 있어서, 상기 패턴을 가진 여러 개의 마스크가 평판 디스플레이의 각기 다른 시스템 생산을 제공하도록 만들어짐을 특징으로 하는 하나 이상의 마스크.
- 제 38항에 있어서, 상기 패턴을 가진 여러 개의 마스크가 평판 디스플레이의 각기 다른 시스템 생산을 제공하도록 만들어짐을 특징으로 하는 하나 이상의 마스크.
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