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KR100690524B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 및 장치 Download PDF

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KR100690524B1
KR100690524B1 KR1020040066732A KR20040066732A KR100690524B1 KR 100690524 B1 KR100690524 B1 KR 100690524B1 KR 1020040066732 A KR1020040066732 A KR 1020040066732A KR 20040066732 A KR20040066732 A KR 20040066732A KR 100690524 B1 KR100690524 B1 KR 100690524B1
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KR
South Korea
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firing
zone
display panel
plasma display
catalyst
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KR1020040066732A
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Inventor
기후네모토나리
오카노히데키
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후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드
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Publication date
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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 제조방법은 복수개의 소성 구역을 갖는 장치로 제조중의 PDP를 운반하는 단계, 및 개별 소성 구역에 공급된 고온공기를 순환시키면서 소성 공정 및/또는 건조공정을 실행하는 단계를 포함한다. 소성 공정 및/또는 건조 공정에서 발생된 유기성분은 고온 공기의 순환 경로 내에서 산화 분해된다.
소성 로, 소성 구역, 가열 영역, 고온 유지 영역, 냉각영역, 순환 경로

Description

플라즈마 디스플레이 패널 제조방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 제조장치의 전체 구성의 개략도.
도 2 는 도 1 의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 취한 단면도.
도 3 은 도 1 의 선 Ⅱ-Ⅱ 을 따라 취한 단면도.
도 4 는 도 1 의 장치의 각 영역내 온도 분포를 나타낸 도면.
도 5 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 제조장치의 단면도.
도 6 은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 제조장치의 단면도.
도 7 은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 제조장치의 단면도.
도 8 은 종래의 평면 유리 기판용 연속식 소성 로(firing oven)의 전체 구성도.
도 9 는 도 8 의 종래 평면 유리 기판용 연속식 소성 로의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
1 : 소성 구역 11 : 챔버
11a : 공급구 11b : 배출구
12 : 순환경로 13 : 가열기
14 : 팬 15 : 산화 수단
16 : 롤러 17 : 입구
18 : 출구 100 : 평면 유리기판
본 발명은 강제 대류방식에 의해 향상된 소성 및/또는 건조 공정을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 제조 방법에 관한 것이다.
강제 대류방식에 의한 PDP 제조 방법에 채택된 장치로서, 종래에는 PDP의 평면 유리 기판상에 형성된 유전체층, 격벽, 형광층 및 밀봉 프릿(sealing frit) 을 소성하는 평면 유리 소성 로가 공지되어 있다. 유전체층, 격벽, 형광층, 및 밀봉 프릿은 유리 분말 및 바인더 수지를 함유하는 페이스트(paste) 및 그린 시이트(green sheet)의 준비, 및 페이스트 또는 그린 시이트를 소성 로에서 소성되도록 소정의 형상으로 성형함으로써 형성된다.
종래 PDP 제조장치인 일본 공개공보 제 2002-243368 호에 개시된 평면 유리 기판용 연속식 소성 로가 도 8 및 9 에 도시되었다. 상기 도면에서, 종래의 연속식 소성 로는 그 내면상에 스테인리스 금속재를 사용한 기밀(air-tight) 구조를 가진다. 소성 로는 서로 독립적으로 온도를 제어할 수 있는 복수개의 구역으로 이루어진다. 각각의 구역은 공기 공급량을 제어하는 댐퍼 (116) 를 갖는 청정 공기 공급관 (101a) 과 분위기 배기량을 제어하는 댐퍼(117) 를 갖는 로내 분위기 배기관 (101b) 에 연결되어 있다. 소성 로의 로딩(loading) 및 배출측상의 구역내부 온도는 250 내지 300℃ 이하이다. 적어도 로딩측의 구역은 분위기 순환경로 (109) 를 형성하기 위해 그 안에 설치된 배플 (107) 을 각각 가진다. 분위기 순환경로 (109) 는 순환 팬 (111) 및 가열 수단 (110) 을 가지고 있다. 배플 (107) 은 그 안의 순환 분위기 입구에 설치된 내열 필터 (112) 를 가진다.
상술한 바와 같이, 종래의 평면 유리 기판용 연속식 소성 로는 수지 바인더로부터 다량의 입자를 발생하는 로의 로딩측의 구역에만 설치된 고가의 내열 필터 (112) 를 가진다. 내열 필터가 다른 구역에서는 설치되지 않기 때문에, 장치가 더욱 저렴하다.
상술한 바와 같이, 내열 필터 (112) 가 배플 (107) 의 순환 분위기 입구에 배치되는 경우, 유통 저항(flow resistance)이 증가하며, 따라서, 순환 팬 (111) 의 능력을 증대시킬 필요가 있다. 그러나, 내열 필터 (112) 가 대부분의 구역에 설치되지 않기 때문에, 연속식 소성 로에 채택된 순환 팬(111) 이 저렴해 질 수 있다. 또한, 평면 유리기판 (100) 은 수평으로 유지되고 소성 로를 통해 각 구역마다 공급됨으로써, 유리 기판 (100) 이 2 개의 인접 구역위에 위치하지 않는다. 이는 유리기판 (100) 을 로내에서 균일하게 가열되도록 한다.
종래의 PDP 제조 장치로서 역할을 하는 평면 유리 기판용 연속식 소성 로가 상술한 바와 같이 구성됨으로써, 격벽, 형광층, 유전체층, 및 밀봉 프릿을 소성함으로써 발생하는 입자를 소성 로에 설치된 내열 필터가 제거한다. 그러나, 연속식 소성 로는 소성시에 격벽, 형광층, 유전체층, 및 밀봉 프릿에 함유된 바인더 수지로부터 발생된 유기 성분 가스 (유기 가스) 를 제거하지 못한다는 문제점을 가진다. 또한, 유기 성분이 소정의 입자 크기로 형성되는 경우에, 입자 크기를 미소화하면 필터의 여과율도 감소시킬 필요가 있다. 이는 내열 필터의 유통 저항을 증가시키고 따라서 로내에 고온 공기의 공급을 불충하게 한다.
더욱 낮은 유통 저항을 갖도록 필터의 여과율이 증가하는 경우에, 미세 입자가 제거될 수 없다. 다시 말하면, 로의 가열 시스템이 강제 대류 시스템인 경우에, 평면 유리 기판 (100) 으로부터 분리 및 배출되는 제거 불가능한 미세입자를 함유하는 유기 가스는 순환되고 다시 로에 유입된다. 따라서, 로내 유기 가스에 함유된 유기 성분의 농도는 특정값에 머무르는 것이 아니라 점차적으로 증가한다. 로내 유기 성분의 농도가 더욱 높아질 때, PDP 구성물 (유전체층, 격벽, 형광층, 밀봉 프릿) 에 포함된 수지 바인더의 소성 분해율이 감소한다 (즉, 수지 바인더의 제거가 불완전해진다). 결과적으로, 수지 바인더 또는 그의 불완전 연소분이 심지어 소성후에도 기판상에 잔류하기 때문에, 유전체층의 투과율 저하 및 형광층의 발광율 저하와 같은 문제점을 야기한다.
로내 유기 가스에 함유된 유기 성분의 농도를 더욱 낮게함으로써, 연속적으로 로내로 다량의 신선한 공기를 투입하는 방법이 사용될 수 있을 것이다. 그러나, 상기 방법에서는, 로내에 투입된 신선한 공기량을 보정하기 위해 여분의 열에너지가 로내로 공급되는 것을 필요로 하기 때문에, 결과적으로 에너지 효율이 나빠진다.
본 발명은 상술한 관점에서 이루어졌으며, 또한 그 목적은 장치내에서 순 환하는 고온 공기에 함유된 유기 가스의 제거를 보장하고, 또한 장치내에 공급되는 고온 공기량 및 고온 공기의 열 에너지를 감소함이 없이 장치내에서 순환하는 고온 공기에 함유된 유기 성분을 제거할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 복수개의 소성 구역을 갖는 장치로 제조중의 PDP를 운반하는 단계; 및 개별 소성 구역내로 공급된 고온공기를 순환시키면서 소성 공정 및/또는 건조공정을 실행하는 단계를 포함하고, 소성 공정 및/또는 건조 공정에서 발생되는 유기성분이 고온공기의 순환경로내에서 산화 분해되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
삭제
본 발명에 따르면, PDP 의 유전체층, 격벽, 형광층 또는 밀봉 프릿등의 건조 및/또는 소성시에 발생하는 유기성분이 산화분해되어, 소성 구역에 공급된 고온 공기량의 감소 (즉, 고온 공기 공급압력의 증가) 및 고온 공기의 열 에너지의 감소없이, 고온 공기에 함유된 유기 성분을 제거한다.
본 발명의 방법에 있어서, 유기성분의 산화 분해는, 필요에 따라서, 촉매의 존재하에서 실행될 수 있다. 촉매를 사용하여 유기 성분의 산화분해를 실행함으로써, 소성 및 건조공정 모두 고온의 조건하에서 더 나은 촉매작용이 활성화되어, 유기 성분의 분해 및 제거가 효율적으로 행해진다.
또한, 본 발명의 방법에서, 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃ 의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각영역으로 분포되며, 또한 필요에 따라서 유기성분의 산화 분해가 가열영역에서 행해진다. 산화분해가 200 내지 500℃ 의 가열영역에서 실행되기 때문에, 유기 성분이 최대한도로 발생될 때 유기성분이 제거된다. 이는 고온 유지영역 및 냉각영역의 소성 구역내의 유기성분의 존재에 의해 야기되는 소성효율의 감소를 방지한다.
또한, 본 발명의 방법에서, 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃ 의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각영역으로 분포되며, 또한 바람직하게는 유기성분의 산화 분해가 냉각 영역에서 행해진다. 산화분해가 400℃ 이하의 냉각영역에서 실행되기 때문에, 소성 구역내 분위기에 함유된 유기가스의 제거가 보장되어, 각각의 소성 구역내에서 순환하는 고온 공기가 유기 성분을 함유하는 것을 확실히 방지한다.
또한, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 을 제조하는 장치에 관한 것으로써, 상기 장치는 복수개의 소성 구역을 가지고, 제조중의 PDP 가 복수개의 소성 구역으로 운반되며, 또한 소성 공정 및/또는 건조 공정이 복수개의 소성 구역에서 실행되며, 장치는 각각의 소성 구역에 공급된 고온 공기를 순환시키는 순환 수단과 소성 공정 및/또는 건조공정에서 발생된 유기 성분을, 고온 공기를 순환하는 경로내에서, 산화분해하는 산화 수단으로 구성되어 있다.
본 발명의 장치에서, 산화 수단은 필요에 따라서 촉매의 존재하에서 유기 성분을 산화 분해할 수 있다.
또한, 본 발명의 장치에서, 복수개의 소성 구역은 적어도 200 내지 500℃ 의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각영역으로 분포되며, 또한 필요에 따라서 산화 수단이 가열 영역에서 유기성분을 산화 분해할 수 있다.
또한, 본 발명의 장치에서, 복수개의 소성 구역은 적어도 200 내지 500℃ 의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각영역으로 분포되며, 또한 필요에 따라서 산화 수단이 냉각 영역에서 유기성분을 산화 분해할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적이 이하의 상세한 설명에 의해 분명하게 밝혀질 것이다. 그러나, 상세한 설명과 특정의 실시예가 본 발명의 소정의 실시태양을 나타내기는 하지만, 본 발명의 범위내에서의 다양한 변화와 변경이 상세한 설명으로부터 당업자에게 분명하게 될 것이므로, 상세한 설명과 실시예는 단지 일예에 불과하다.
실시예 1
도 1 내지 도 4 를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 제조 방법 및 장치를 이하에서 설명한다. 도 1 은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 제조 장치의 전체 구성을 도시한 개략도이다. 또한, 도 2 및 3 은 각각 도 1 의 선 Ⅰ-Ⅰ 및 Ⅱ-Ⅱ 를 따라 취해진 단면도이다. 도 4 는 도 1 의 장치의 각 영역에서의 온도 분포를 나타낸 도면이다.
상술한 도면에서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 제조 장치는 소성 로이다. 소성 로는 가열 영역 Ⅰ, 고온 유지영역 Ⅱ, 및 냉각영역 Ⅲ으로 구분되는 복수개의 소성 구역 (1) (예를 들어 도 1 에 도시된 바와 같이 6개의 소성 구역)으로 구성되어 있다. 이 각각의 소성 구역 (1) 은 서로 독립적이고 고온 공기를 강제 대류에 의해 순환시킨다.
각각의 소성 구역 (1) 은 PDP 의 평면 유리 기판(100) 을 수납하여 소성 또는 건조시키는 챔버 (11), 챔버(11) 를 통해 고온 공기를 순환시키는 순환 경로 (12), 순환 경로 (12) 에 설치되어 고온 가스를 발생시켜 챔버 (11) 로 보내는 가열기 (13), 순환 경로 (12) 에서 가열기에 의해 발생된 고온 가스를 강제 대류에 의해 순환시키는 팬 (14), 및 순환 경로 (12) 에서 가열기 (13) 와 팬 (14) 사이에 설치되어 챔버 (11) 내 평면 유리기판 (100) 을 소성 또는 건조시킴으로써 발생되는 유기 성분을 산화 분해하는 산화 수단 (15) 으로 구성되어 있다. 산화 수단 (15) 은 산화 분해를 촉진시키기 위해 활성 성분으로서 촉매를 사용한다. 촉매는 백금(Pt), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), Al2O3, CeO2, NiO, Fe2 O3, 및 MnO 등을 사용한다.
챔버 (11) 는 순환 경로 (12) 로부터 챔버 (11) 로 청정 고온가스를 공급하는 공급구 (11a), 및 평면 유리 기판 (100) 의 소성 또는 건조후에 발생된 유기 성분으로 오염된 고온 가스를 배출하는 배출구(11b) 로 구성되어 있다. 순환 경로 (12) 는 가열기 (13) 와 산화 수단 (15) 사이에 설치되어 신선한 공기를 흡입하는 입구 (17), 및 배출구 (11b) 의 후단에 위치하여 오염된 고온 가스의 일부를 배기하는 출구 (18) 를 가진다.
또한, 소성 구역 (1) 은 각 소성 구역의 챔버 (11) 의 하단부에 설치되어 그 위에 놓여져 있는(loaded) 평면 유리 기판 (100) 을 운반하는 롤러 (16) 로 구 성되어 있다. 롤러 (16) 는 각각의 소성 구역의 하단부에 설치하여 각각의 소성 구역이 인접하는 다른 소성 구역과 연통하도록 한다. 롤러 (16) 는 평면 유리 기판 (100) 을 장치의 반입측 (도 1 의 좌측에 위치함) 상의 최선단의 소성 구역으로부터 다음단의 소성 구역까지 연속적으로 운반하여 유리 기판 (100) 을 소성 또는 건조시킨다.
다음으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 제조 장치의 동작을 상술한 장치의 구성과 결합하여 설명한다. 먼저, 평면 유리 기판 (100) 이 최선단의 소성 구역으로 운반되며, 또한 가열기 (13) 에 의해 가열된 청정 고온 가스가 챔버 (11) 에 공급되어 유리 기판 (100) 을 소성 또는 건조하기 시작한다. 가열 영역Ⅰ 의 소성 구역 (1) 에서, 유리 기판 (100) 이 가열기 (13) 에 의해 가열된 청정 고온 가스에 의해 500℃ 근처까지 가열된다. 그런 후, 유리 기판 (100) 이 롤러 (16) 에 의해 다음의 고온 유지 영역 Ⅱ 의 소성 구역으로 운반된다.
가열 영역Ⅰ 의 소성 구역 (1) 에서 유리 기판 (100) 을 소성 또는 건조시킬 때, 유전체층, 격벽, 형광층, 또는 밀봉 프릿에 함유된 바인더 수지가 증발되어 유기 가스 (CxHyOz) 가 된다. 유기 가스는 고온 가스와 혼합되고 오염된 고온 가스로서 배출구 (11b) 로부터 배기된다. 이 오염된 고온 가스의 일부가 출구 (18) 로부터 외부로 배출되고, 또한 나머지 오염된 고온 가스가 팬 (14) 에 의해 순환 경로 (12) 를 통해 산화 수단 (15) 으로 도입된다.
도 4 에 도시된 바와 같이, 200 내지 500℃ 의 가열 영역Ⅰ 의 동작 기간동안, 산화 수단 (15) 은 그 안에 도입된 오염된 고온 가스를 촉매를 사용하여 이 산화 탄소 및 물로 산화 분해할 수 있다. 오염된 고온 가스가 분해되는 동안, 분해 작용에 의해 발생된 반응열에 의해 온도는 증가된다. 유기 성분의 분해작용에 의해 발생된 청정 고온 가스는 입구 (17) 로부터 도입된 신선한 공기와 혼합된 후, 가열기 (13) 에 의해 재가열되어 챔버 (11) 로 공급된다.
일반적으로, 오염된 고온 가스는, 약 500℃ 이상의 고온으로 가스를 가열함으로써, 무독성 및 무취의 가스로 산화분해된다. 그러나, 상술한 바와 같이 연소시 산화분해용 촉매로서 백금 및 팔라듐의 사용은, 500℃ 이하의 가스 온도에서 직접 연소시의 산화분해용 촉매와 동일한 수준의 분해를 가능하게 한다.
촉매가 산화 분해 반응에 사용되는 경우, 산소 및 유기 성분이 촉매에 부착되어 활성화됨으로써, 유기성분의 가연성 물질이 저온에서 연소 (산화분해) 되어 무독성 유기 성분이 된다.
산화분해용 촉매는 워시코트(washcoat)라고 불리는 100㎡/g 이상의 고표면적을 갖는 세라믹 표면과 워시코트상에 분산된 약 100Å 의 크기를 갖는 촉매성분의 미립자로 이루어져 있다. 구체적으로는, 금속 허니콤(honeycomb)이라 불리는 Fe-Cr-Al 스테인리스 구조체가 워시코트에 의해 피복되어 담체(supporter)를 만들며, 또한 촉매의 미세입자가 담체에 의해 분산되고 담지되어 금속 허니콤 촉매를 제조한다. 제조된 금속 허니콤 촉매가 산화 분해용 촉매로서 이용될 수 있다.
고분산성을 갖는 미립자화된 귀금속 촉매 성분은 그의 표면상에 특정의 물리적 특성을 가지며, 또한 유기 성분은 미립자화된 촉매성분의 표면상에 저온에서 산화분해될 수 있다.
상술한 금속 허니콤 구조에 더하여, 촉매를 담지하는 담체는 펠렛, 세라믹 허니콤, 금속 리본 또는 발포 금속 형상으로 될 수 있다.
분산된 촉매의 미세입자를 담지하는 촉매 담체는 그 자체로 또는 순환 경로의 단면 형상에 대응하는 촉매 유닛으로 제공될 수 있다.
촉매가 그 자체로 이용되는 경우, 표준 크기의 상기 복수개의 촉매 담체가 대용량의 가스를 처리하기 위해 적층될 수 있다. 담체의 표면이 마스킹에 의해 약화되는 경우, 담체는 다양한 방법으로 물로써 세척될 수 있다.
촉매가 촉매 유닛으로 이용되는 경우, 촉매 유닛은 예열형 유닛(pre-heat type unit) 또는 전열형 유닛(electric-heat type unit)이 될 수 있다.
예열형 유닛은 외장된(sheathed) 가열기에 의해 가스를 가열하고 촉매를 통과시키는 촉매 유닛이다. 이 유닛은 대량의 습기를 함유하는 가스 분위기에 사용될 수 있다.
전열형 유닛은, 전류가 스테인리스 담체에 직접 공급되도록 하여 담체가 자기발열되어 촉매기능을 수행하게 하는 촉매 유닛이다. 이 유닛의 사용은 열효율을 향상시키고 반응 효율을 높게한다.
상술한 바와 같이, 산화 수단 (15) 에 의한 오염된 고온 가스의 산화 분해는 각각의 소성 구역에 공급되는 고온 가스량의 감소 및 고온 가스의 열에너지의 감소를 방지한다. 또한, 오염된 고온 가스의 일부는 외부로 배출되고 단지 나머지 오염된 고온가스가 산화 수단에서 산화분해된다. 산화수단 (15) 에 의 해 처리된 청정 고온 공기가 입구 (17) 로부터 도입된 신선한 공기와 혼합된다. 이는 산화 수단에 의해 처리되는 오염 가스량을 최소화하고 가열기 (13) 에서 가열시 요구되는 열에너지를 감소시킨다.
실시예 2
도 5 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 제조장치의 단면도이다. 제 1 실시예와 마찬가지로, 각각의 소성 구역 (1) 은 챔버 (11), 순환 경로 (12), 가열기 (13), 팬 (14), 산화수단 (15), 롤러 (16), 입구(17) 및 출구 (18) 로 구성되어 있다. 본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 산화 수단 (15) 은 가열기 (13) 의 후단에 위치되어 있다.
이러한 산화 수단 (15) 의 배치로 인해, 오염된 고온 가스는 가열기 (13) 에 의해 매우 높은 온도로 가열된 후 산화 수단에 도입되고, 이는 산화 수단 (15) 에서 산화 분해를 고온에서 효율적으로 수행가능하게 한다.
실시예 3
도 6 및 7 은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 제조 장치의 단면도이다. 제 1 실시예와 마찬가지로, 각각의 소성 구역 (1) 은 챔버 (11), 순환 경로 (12), 가열기 (13), 팬 (14), 산화수단 (15), 롤러 (16), 입구(17) 및 출구 (18) 로 구성되어 있다. 본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 산화 수단 (15) 은 챔버 (11) 의 배출구 (11b) 와 출구 (18) 사이에 배치된다.
이러한 산화 수단 (15) 의 배치로 인해, 챔버 (11) 의 내부에서 발생된 유기 성분을 함유하는 오염된 고온 가스는 산화 수단 (15) 에서 정화되고, 이는 정 화된 고온 가스를 출구 (18) 로부터 배출가능하게 하고 강제 대류에 의해 순환 경로 (12) 를 통해 순환가능하게 한다.
다른 실시예
상술한 실시예에 따르면, 유리 기판 (100) 은 인접한 소성 구역과 연통되는 각각의 소성 구역 (1) 을 통해 설치된 롤러 (16) 상에 직접 놓여진다. 대안으로, 유리 기판 (100) 은 정반(定盤)에 의해 면 또는 복수개의 핀에 의해 점위에 지지될 수 있다. 대안으로, 유리기판 (100) 은 복수개의 선형 지지 부재에 의해 선위에 지지될 수 있다.
상술한 실시예에 따르면, 유리 기판 (100) 은 롤러 (16) 상에 하나씩 놓여진다. 대안으로, 복수개의 유리 기판 (100) 은 랙 (rack) 등으로 이루어져 배치되며, 또한 소정의 간격으로 롤러 (16) 상에 놓여진다.
또한, 상술한 실시예에 따르면, 산화 수단 (15) 은 3개의 모든 영역 (Ⅰ, Ⅱ 및 Ⅲ) 의 소성 구역 (1) 에 설치된다. 그러나, 산화 수단 (15) 은 바람직하게는 200 내지 500℃ 의 가열 영역 Ⅰ 의 소성 구역 (1) 에 설치되는 것이다. 대안으로, 산화 수단 (15) 은 400℃ 의 냉각 영역 Ⅲ 의 소성 구역 (1) 에 설치되거나, 또는 고온 유지 영역 Ⅱ의 소성 구역 (1) 에 설치될 수 있다.
또한, 상술한 실시예에 따르면, 소성 또는 건조시에 발생하는 유기 가스를 제거하기 위해 설치된 산화 수단에서 산화 분해가 행해진다. 산화 수단에 더하여, 내열 필터가 소정크기의 입자를 제거하기 위해 설치될 수 있다. 이 경우에, 입자에 의해 야기되는 산화 분해의 방해를 최소한도로 줄일 수 있도록 순 환 경로내 내열 필터의 후단에 산화 수단이 위치될 수 있다.
본 발명에 의하면, PDP 의 유전체층, 격벽, 형광층, 밀봉 프릿등의 건조 및/또는 소성시에 발생되는 유기 성분이 산화 분해됨으로써, 소성 구역에 공급되는 고온 공기량의 감소 (다시 말하면, 고온 공기 공급 압력을 증가) 및 고온 공기의 열에너지의 감소없이 유기 성분의 제거를 가능하게 한다.
유기 성분의 산화 분해가 촉매 반응에 의해 실행되기 때문에, 소성 및 건조 공정 모두 고온 조건하에서 더 나은 촉매작용이 활성화됨으로써, 유기성분의 분해 및 제거가 효율적으로 행해진다.
또한, 유기성분의 산화 분해가 200 내지 500℃ 의 가열 영역에서 수행되기 때문에, 유기성분이 최대로 발생되는 경우에 유기 성분이 제거된다. 이는 고온 유지 영역 및 냉각 영역에서 유기성분에 의해 야기되는 소성효율의 감소를 방지한다.
또한, 유기 성분의 산화 분해가 400℃ 이하의 냉각 영역에서 수행되기 때문에, 소성 구역의 내부 분위기에 함유된 유기 가스의 제거가 보장된다. 이는 각각의 소성 구역 내부를 순환하는 고온 공기가 유기성분으로 오염되는 것을 방지한다.

Claims (10)

  1. 미리 표면 상에 미소성 상태의 요소 부재를 형성한 플라즈마 디스플레이 패널용 유리 기판을 소성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법으로서,
    제조중의 플라즈마 디스플레이 패널을 복수개의 소성 구역(firing zone)을 갖는 장치로 운반하는 단계;
    개별 소성 구역 내로 공급된 고온공기를 순환시키면서 소성 공정을 실행하는 단계; 및
    상기 소성 공정에서 상기 유리 기판의 요소 부재로부터 발생하는 유기 성분을 고온공기의 순환경로의 일부를 횡단하여 배치된 촉매에 의해 산화 분해하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각 영역으로 분포되고, 또한 상기 유기성분의 산화 분해가 상기 가열 영역에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각 영역으로 분포되고, 또한 상기 유기성분의 산화 분해가 상기 냉각 영역에서 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 촉매가 백금, 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 산화 알루미늄, 산화 세륨, 산화 니켈, 산화 철, 산화 망간 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 산화 촉매인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법.
  6. 미리 표면 상에 미소성 상태의 요소 부재를 형성한 플라즈마 디스플레이 패널용 유리 기판을 복수개의 소성 구역을 갖는 장치로 운반하여, 복수개의 소성 구역에서 소성하기 위한 플라즈마 디스플레이 패널 제조 장치로서,
    각 소성 구역에서 공기의 입구와 출구를 갖는 순환 경로;
    공급구와 배출구를 갖고 각 소성 구역 내에 설치된, 소성하고자 하는 상기 유리 기판을 수용하는 챔버;
    상기 공급구 및 배출구를 통하여 챔버의 안과 밖을 도는 상기 순환 경로에서 공기를 순환시키는 팬;
    상기 입구와 공급구 사이에 배치되어, 입구로부터 각 소성 구역의 상기 순환 경로에 도입된 공기를 가열하는 가열기; 및
    상기 챔버 주위에서의 순환 경로의 일부를 횡단하여 배치된, 소성 중에 상기 유리 기판의 요소 부재로부터 발생하는 유기 성분을 산화 분해하는 기능을 갖는 촉매
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조장치.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각 영역으로 분포되며, 또한 상기 산화수단이 가열 영역에서 유기성분을 산화 분해하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조장치.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 복수개의 소성 구역이 적어도 200 내지 500℃의 가열 영역, 고온 유지영역 및 400℃ 이하의 냉각 영역으로 분포되고, 또한 상기 산화 수단이 냉각 영역에서 유기 성분을 산화 분해하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조장치.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 촉매가 백금, 로듐, 팔라듐, 산화 알루미늄, 산화 세륨, 산화 니켈, 산화 철, 산화 망간 및 그들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 산화 촉매인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제조장치.
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