KR100659103B1 - 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100659103B1 KR100659103B1 KR1020050100278A KR20050100278A KR100659103B1 KR 100659103 B1 KR100659103 B1 KR 100659103B1 KR 1020050100278 A KR1020050100278 A KR 1020050100278A KR 20050100278 A KR20050100278 A KR 20050100278A KR 100659103 B1 KR100659103 B1 KR 100659103B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- drain electrode
- source electrode
- electrode
- hydrophobic material
- layer
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 180
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 31
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 11
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 11
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 10
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 10
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 10
- -1 trichlorosilanyl moiety Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 7,18-bis[2,6-di(propan-2-yl)phenyl]-7,18-diazaheptacyclo[14.6.2.22,5.03,12.04,9.013,23.020,24]hexacosa-1(23),2,4,9,11,13,15,20(24),21,25-decaene-6,8,17,19-tetrone Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1N(C(=O)C=1C2=C3C4=CC=1)C(=O)C2=CC=C3C(C=C1)=C2C4=CC=C3C(=O)N(C=4C(=CC=CC=4C(C)C)C(C)C)C(=O)C1=C23 NAZODJSYHDYJGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 125000006160 pyromellitic dianhydride group Chemical group 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/125—Active-matrix OLED [AMOLED] displays including organic TFTs [OTFT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항이 대폭 감소되면서도 제조가 용이한 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 위하여, (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 배치된 소스 전극과 드레인 전극과, (iii) 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역을 덮도록 배치된 도전성 폴리머층과, (iv) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판 상의, 상기 도전성 폴리머층이 배치된 영역 외의 영역에 배치된 소수성 물질층과, (v) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 유기 반도체층과, (vi) 상기 유기 반도체층을 덮도록 배치된 게이트 절연막과, (vii) 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
Description
도 1 내지 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 5는 도 4에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 변형예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 다른 변형예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 도 4에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 또 다른 변형예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 21: 게이트 전극
22: 게이트 절연막 23: 소스 전극
24: 드레인 전극 25: 소수성 물질층
26: 도전성 폴리머층 27: 유기 반도체층
본 발명은 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항이 대폭 감소되면서도 제조가 용이한 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 특성을 나타내는 공액성 유기 고분자인 폴리아세틸렌이 개발된 이후, 유기물의 특징, 즉 합성 방법이 다양하고 섬유나 필름 형태로 용이하게 성형할 수 있다는 특징과, 유연성, 전도성 및 저렴한 생산비 등의 장점 때문에, 유기물을 이용한 트랜지스터에 대한 연구가 기능성 전자소자 및 광소자 등의 광범위한 분야에서 활발히 이루어지고 있다.
종래의 실리콘 박막 트랜지스터는 고농도의 불순물로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역과 상기 두 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 구비하며, 상기 반도체층과 절연되어 상기 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접하는 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다.
그러나 상기와 같은 구조의 기존의 실리콘 박막 트랜지스터에는 제조 비용이 많이 들고, 외부의 충격에 의해 쉽게 깨지며, 300℃ 이상의 고온 공정에 의해 생산되기 때문에 플라스틱 기판 등을 사용할 수 없다는 등의 문제점이 있었다.
특히 액정 디스플레이 장치나 유기발광 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이 장치에는 각 화소의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 각 화소의 구동 소자로 박막 트랜지스터가 사용되는 바, 이러한 평판 디스플레이 장치에 있어서 최근 요구되고 있는 대형화 및 박형화와 더불어 플렉서블(flexible) 특성을 만족시키기 위해, 기존의 글라스재가 아닌 플라스틱재 등으로 구비되는 기판을 사용하려는 시도가 계속되고 있다. 그러나 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 전술한 바와 같이 고온 공정이 아닌 저온 공정을 사용해야 한다. 따라서, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하기가 어려운 문제가 있었다.
반면, 박막 트랜지스터의 반도체층으로 유기막을 사용할 경우에는 이러한 문제점들을 해결할 수 있기 때문에, 최근 유기막을 반도체층으로 사용하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
그러나 유기 박막 트랜지스터의 경우 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉 저항이 크다는 문제점이 있었다.
즉, 종래의 실리콘 박막 트랜지스터에 구비된 실리콘 반도체층과 달리 유기 박막 트랜지스터에 구비된 유기 반도체층에는 고농도의 도핑을 실시할 수 없으며, 이에 따라 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 접촉 저항이 크다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항이 대폭 감소되면서도 제조가 용이한 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적 및 그 밖의 여러 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 배치된 소스 전극과 드레인 전극과, (iii) 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역을 덮도록 배치된 도전성 폴리머층과, (iv) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판 상의, 상기 도전성 폴리머층이 배치된 영역 외의 영역에 배치된 소수성 물질층과, (v) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 유기 반도체층과, (vi) 상기 유기 반도체층을 덮도록 배치된 게이트 절연막과, (vii) 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, (i) 기판과, (ii) 상기 기판 상에 배치된 게이트 전극과, (iii) 상기 게이트 전극을 덮도록 배치된 게이트 절연막과, (iv) 상기 게이트 절연막 상에 배치된 소스 전극과 드레인 전극과, (v) 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역을 덮도록 배치된 도전성 폴리머층과, (vi) 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 절연막 상의, 상기 도전성 폴리머층이 배치된 영역 외의 영역에 배치된 소수성 물질층과, (vii) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 유기 반도체층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층은 상기 소스 전극의 상기 드레인 전극 방향의 가장자리 및 상기 드레인 전극의 상기 소스 전극 방향의 가장자리를 덮도록 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 투명 전극으로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 실란 모이어티(silane moiety)에 한 개 이상 세 개 이하의 반응성이 있는 할로겐원자 또는 알콕시 모이어티(alkoxy moiety)를 가지며 한 개 이상 세 개 이하의 소수성 모이어티(moiety)를 갖는 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 말단에 트리클로로실란 모이어티(trichlorosilanyl moiety) 또는 트리알콕시실란 모이어티(trialkoxysilanyl moiety)가 붙어 있는 소수성 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 옥타데실트리클로로실란(OTS: octadecyltrichlorosilane)로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층은 PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 PANI(polyaniline)로 형성된 것으로 할 수 있다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 상기와 같은 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판의 전면에 소수성 물질층을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한 다.
본 발명은 또한 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판의 전면에 소수성 물질층을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극의 상기 드레인 전극 방향의 가장자리 상의 소수성 물질층과 상기 드레인 전극의 상기 소스 전극 방향의 가장자리 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극 상의 상기 소수성 물질층 및 상기 드레인 전극 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 투명 물질로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 실란 모이어티(silane moiety)에 한 개 이상 세 개 이하의 반응성이 있는 할로겐원자 또는 알콕시 모이어티(alkoxy moiety)를 가지며 한 개 이상 세 개 이하의 소수성 모이어티(moiety)를 갖는 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 말단에 트리클로로실란 모이어티(trichlorosilanyl moiety) 또는 트리알콕시실란 모이어티(trialkoxysilanyl moiety)가 붙어 있는 소수성 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층은 옥타데실트리클로로실란(OTS: octadecyltrichlorosilane)로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층은 PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 PANI(polyaniline)로 형성되는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법 또는 디핑(dipping)법을 이용하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소수성 물질층의 제거될 영역에 레이저빔을 조사함으로써 이루어지는 단계인 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법, 디핑(dipping)법 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 도전성 폴리머층을 형성하는 단계는, 스핀 코팅법, 디핑(dipping)법 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 잔존하는 도전성 폴리머층을 제거하는 단계를 구비하는 것으로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 잔존하는 도전성 폴리머층을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 레이저빔, 자외선 또는 전자빔을 조사함으로써 이루어지는 것으로 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
먼저 도 1에 도시된 것과 같이 기판(10) 상에 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 형성하고, 이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 덮도록 기판(10)의 전면에 소수성 물질층(25)을 형성한다. 여기서 기판(10)으로는 글라스재 기판뿐만 아니 라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다. 물론 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터가 구비되는 기판이 이에 한정되는 것은 아니다.
이 기판(10) 상에 다양한 도전성 재료로 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 형성하는데, 예컨대 도전층을 기판(10)의 전면에 증착하고 이를 패터닝하거나, 마스크를 이용하여 기판(10)의 소정 영역에 증착하여 패터닝된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하거나 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하는 등, 다양한 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
한편, 후술하는 바와 같이 유기 박막 트랜지스터는 평판 디스플레이 장치의 화소부에 구비될 수도 있는데, 이 경우 각 화소의 일 전극에 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극(23) 또는 드레인 전극(24)이 전기적으로 연결되게 된다. 이때, 필요에 따라 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극(23) 또는 드레인 전극(24)과 화소의 일 전극을 일체로 형성할 수도 있으며, 그 화소 전극이 투명해야 할 경우에는 소스 전극(23) 또는 드레인 전극(24) 역시 투명한 물질로 형성되게 된다. 이러한 투명한 물질로는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등을 들 수 있다.
소수성 물질층(25)은 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 덮도록 기판(10)의 전면에 형성되는데, 이러한 소수성 물질층(25)은 실란 모이어티(silane moiety)에 한 개 이상 세 개 이하의 반응성이 있는 할로겐원자 또는 알콕시 모이어티(alkoxy moiety)를 가지며 한 개 이상 세 개 이하의 소수성 모이어티(moiety)를 갖 는 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되도록 하는 것이 바람직하며, 특히 말단에 트리클로로실란 모이어티(trichlorosilanyl moiety) 또는 트리알콕시실란 모이어티(trialkoxysilanyl moiety)가 붙어 있는 소수성 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 물질로는 옥타데실트리클로로실란(OTS: octadecyltrichlorosilane) 등을 들 수 있다. 이러한 소수성 물질층(25)은 기판(10)의 전면에 형성되므로, 스핀 코팅(spin coating)법 또는 디핑(dipping)법 등을 통해 용이하게 형성될 수 있다.
이와 같이 소수성 물질층(25)을 형성한 후, 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24) 각각의 적어도 일 영역 상의 소수성 물질층을 제거하는데, 이는 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 소수성 물질층(25)의 제거될 영역에 레이저빔을 조사함으로써 이루어지도록 할 수 있다. 이때 레이저빔을 소수성 물질층(25)의 제거될 영역에만 조사하는 방법으로는 다양한 방법들이 있는데, 예컨대 도 1에 도시된 것과 같이 투명 플레이트(41) 상에 레이저빔이 투과하지 못하도록 차폐하는 차폐물(42)이 소정의 패턴으로 형성된 포토마스크(40)를 이용할 수도 있다.
이와 같이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24) 각각의 적어도 일 영역 상의 소수성 물질층을 제거하여 도 2에 도시된 것과 같이 소수성 물질층(25)에 형성된 개구부(25a)들을 통해 소스 전극(23)과 드레인 전극(24)의 일부분이 노출되도록 한다.
그 후, 도 3에 도시된 것과 같이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)의 소수 성 물질층(25)이 제거된 영역에 도전성 폴리머층(26)을 형성한다. 도전성 폴리머층(26)은 다양한 물질로 형성될 수 있는데, 예컨대 PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 PANI(polyaniline)로 형성할 수 있다.
이러한 도전성 폴리머층(26)을 형성하는 방법으로는 잉크젯 프린팅법 등을 비롯한 다양한 방법을 이용할 수 있는데, 특히 디핑법이나 스핀 코팅법 등을 이용하는 것이 공정의 단순화 및 소요시간의 단축 등의 면에서 바람직하다. 즉, 소수성 물질층(25)의 특성상 소수성 물질층(25) 상에는 도전성 폴리머층이 형성될 수 없으므로, 디핑법 또는 스핀 코팅법 등을 이용하면 자연스럽게 소수성 물질층(25)이 존재하지 않는 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)의 소수성 물질층(25)이 제거된 영역에만 도전성 폴리머층(26)이 형성된다.
이때, 유기 박막 트랜지스터가 완성된 후에는 소정의 조건에 따라 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 사이에 채널이 형성되는데, 이를 위해 도전성 폴리머층(26)을 형성할 때 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 사이에 도전성 폴리머 물질이 잔존하지 않는 것이 바람직하다. 물론 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 사이는 소수성 물질층(25)이 구비되어 있으므로 도전성 폴리머 물질층이 형성되지는 않으나, 경우에 따라 도전성 폴리머 물질이 잔존할 수도 있다. 따라서 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24) 사이의 영역에 잔존하는 도전성 폴리머 물질을 제거하는 단계를 필요에 따라 더 구비할 수도 있다. 이는 예컨대 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 사이의 영역에 레이저빔, 자외선 또는 전자빔을 조사함으로써 용이하게 이루어질 수 있다.
그 후, 도 4에 도시된 것과 같이 소스 전극(23)과 드레인 전극(24)에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층(27)을 형성하고, 유기 반도체층(27)을 덮도록 게이트 절연막(22)을 형성하며, 이 게이트 절연막(22) 상에 게이트 전극(21)을 형성함으로써 유기 박막 트랜지스터를 완성한다.
유기 반도체층(27)은 반도체 특성을 갖는 유기물로 이루어지는데, 예컨대 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 구비하는 물질일 수 있다. 이러한 유기 반도체층(27)은 잉크젯 프린팅법, 디핑법 또는 스핀 코팅법 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(22)은 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기물을 이용하여 형성될 수도 있고, 완성된 후의 박막 트랜지스터의 플렉서블 특성을 강화하기 위해 파릴렌(parylene), 에폭시(epoxy), PVC, BCB 또는 CYPE 등과 같은 유기물을 이용하여 형성될 수도 있다.
전술한 바와 같이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)과 유기 반도체층(27)은 컨택 저항이 높기에, 유기 박막 트랜지스터의 온 커런트의 크기가 작고 점멸비(on/off ratio)가 낮다는 문제점이 있었다. 따라서 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)과 유기 반도체층(27) 사이에 도전성 폴리머층(26)이 개재되도록 함으로써, 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)의 페르미 레벨(fermi level)과 유기 반도체층(27)의 호모(HOMO: highest occupied molecular orbit) 에너지 레벨 또는 루모(lowest unoccupied molecular orbit) 에너지 레벨의 차이에 기인한 포텐셜 장벽(potential barrier)을 줄일 수 있으며, 결과적으로 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)과 유기 반도체층(27) 사이의 컨택 저항을 낮춰 유기 박막 트랜지스터의 특성을 대폭 개선할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 유기 박막 트랜지스터의 변형예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 4에 도시된 유기 박막 트랜지스터에서는 소수성 물질층(25)에 형성된 개구부들이 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 각각의 중앙부에 대응되도록 형성되어 있으며, 그에 따라 도전성 폴리머층(26)이 소스 전극(23)과 드레인 전극(24)의 중앙부 상에 구비되어 있다. 이 소스 전극(23)과 드레인 전극(24)은 게이트 전극(21)에 인가되는 소정의 전기적 신호에 따라 유기 반도체층(27)에 형성된 채널을 통해 상호 전기적으로 소통되는데, 이때 전술한 바와 같이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)과 유기 반도체층(27) 사이의 컨택 저항을 감소시키기 위해 형성된 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 상의 도전성 폴리머층(26)을 통과하여 소스 전극(23)과 드레인 전극(24)이 상호 전기적으로 소통되는 것이 바람직하다.
따라서, 도 5에 도시된 것과 같이 도전성 폴리머층(26)이 소스 전극(23)의 드레인 전극 방향(24)의 가장자리 및 드레인 전극(24)의 소스 전극(23) 방향의 가장자리를 덮는 형태로 구비되도록 하는 것이 바람직하다. 여기서 가장자리라고 함은 필요에 따라 단부까지도 포함하는 것으로, 도 6에 도시된 것과 같이 소스 전극(23)의 드레인 전극 방향(24)의 단부 및 드레인 전극(24)의 소스 전극(23) 방향의 단부까지 덮도록 도전성 폴리머층(26)이 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능함은 물론이다. 또한 도, 7에 도시된 것과 같이 도전성 폴리머층(26)이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 덮도록 구비되게 할 수도 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.
전술한 실시예 및 그 변형예들에 따른 유기 박막 트랜지스터는 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 구비되고 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 유기 반도체층이 구비된 소위 스태거드(staggered)형 유기 박막 트랜지스터이나, 본 발명이 이에 한정되지 않음은 물론이다. 예컨대 게이트 전극의 상부에 소스 전극 및 드레인 전극이 구비되고 소스 전극 및 드레인 전극의 상부에 유기 반도체층이 구비되는 소위 인버티드 코플래나(inverted coplanar)형 유기 박막 트랜지스 터에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다.
즉, 도 8에 도시된 것과 같이 기판(10) 상에 게이트 전극(21)을 형성하고, 게이트 전극(21)을 덮도록 게이트 절연막(22)을 형성하며, 게이트 절연막(22) 상에 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 형성하고, 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)을 덮도록 기판(10)의 전면에 소수성 물질층(25)을 형성한다. 그 후 도 8에 도시된 것과 같은 포토마스크(40)를 이용한 레이저빔 조사 등의 다양한 방법을 이용하여, 도 9에 도시된 것과 같이 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24) 각각의 적어도 일 영역 상의 소수성 물질층(25)을 제거함으로써, 소스 전극(23)과 드레인 전극(24) 각각의 일부가 노출되도록 개구부(25a)들을 형성한다. 그 후, 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)의 소수성 물질층(25)이 제거된 영역에 도전성 폴리머층(26)을 형성하고, 소스 전극(23) 및 드레인 전극(24)에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층(27)을 형성함으로써, 도 10에 도시된 것과 같은 인버티드 코플래나형 유기 박막 트랜지스터를 완성하게 된다.
도 11은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 평판 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
전술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터들은 플렉서블 특성이 좋은 바, 따라서 박막 트랜지스터를 구비하는 다양한 플렉서블 평판 디스플레이 장치에 이용될 수 있다. 이러한 평판 디스플레이 장치로서 액정 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 등 다양한 디스플레이 장치들이 있는 바, 이하에서는 유기 발광 디스플레이 장치에 상술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터가 구비된 경우에 대해 도 11을 참조하여 간략히 설명한다.
상술한 실시예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들을 구비하는 발광 디스플레이 장치의 경우, 유기 박막 트랜지스터 및 발광 소자는 기판(110) 상에 구비된다.
유기 발광 디스플레이 장치는 다양한 형태의 것이 적용될 수 있는 데, 본 실시예에 따른 유기 발광 디스플레이 장치는 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형(AM: active matrix) 발광 디스플레이 장치이다.
각 부화소들은 도 11에서 볼 수 있는 바와 같은 적어도 하나의 유기 박막 트랜지스터(TFT)를 구비한다. 도 11을 참조하면, 기판(110) 상에 필요에 따라 SiO2 등으로 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있고, 그 상부로 전술한 바와 같은 유기 박막 트랜지스터가 구비된다. 물론 도 11에는 전술한 실시예들 및 그 변형예들 중 어느 하나의 경우의 유기 박막 트랜지스터가 도시된 것이며, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
유기 박막 트랜지스터의 상부로는 SiO2 등으로 이루어진 패시베이션막(128)이 형성되고, 패시베이션막(128)의 상부에는 아크릴, 폴리이미드 등에 의한 화소정의막(129)이 형성되어 있다. 패시베이션막(128)은 유기 박막 트랜지스터를 보호하는 보호막의 역할을 할 수도 있고, 그 상면을 평탄화시키는 평탄화막의 역할을 할 수도 있다.
그리고 비록 도면으로 도시하지는 않았지만, 유기 박막 트랜지스터에는 적어도 하나의 커패시터가 연결될 수 있다. 그리고, 이러한 유기 박막 트랜지스터를 포 함하는 회로는 반드시 도 11에 도시된 예에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형 가능함은 물론이다.
한편, 드레인 전극(124)에 유기 발광 소자가 연결된다. 유기 발광 소자는 상호 대향된 화소 전극(131) 및 대향 전극(134)과, 이 전극들 사이에 개재된 적어도 발광층을 포함하는 중간층(133)을 구비한다. 대향 전극(134)은 복수개의 화소들에 있어서 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
한편, 도 11에는 중간층(133)이 부화소에만 대응되도록 패터닝된 것으로 도시되어 있으나 이는 부화소의 구성을 설명하기 위해 편의상 그와 같이 도시한 것이며, 중간층(133)은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있음은 물론이다. 또한 중간층(133) 중 일부의 층은 각 부화소별로 형성되고, 다른 층은 인접한 부화소의 중간층과 일체로 형성될 수도 있는 등 그 다양한 변형이 가능하다.
화소 전극(131)은 애노드 전극의 기능을 하고, 대향 전극(134)은 캐소드 전극의 기능을 한다. 물론, 이 화소 전극(131)과 대향 전극(134)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
화소 전극(131)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명전극으로 사용될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3를 형성할 수 있다.
대향 전극(134)도 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있는데, 투명 전극으로 사용될 때는 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물이 중간층(133)을 향하도록 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 투명 전극 형성용 물질로 보조 전극이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 반사형 전극으로 사용될 때에는 위 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 및 이들의 화합물을 전면 증착하여 형성한다.
화소 전극(131)과 대향 전극(134) 사이에 구비되는 중간층(133)은 저분자 또는 고분자 유기물로 구비될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 유기 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기물은 마스크들을 이용하여 진공증착의 방법으로 형성될 수 있다.
고분자 유기물의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용한다.
기판(110) 상에 형성된 유기 발광 소자는, 대향 부재(미도시)에 의해 밀봉된다. 대향부재는 기판(110)과 동일하게 글라스재, 플라스틱재 또는 금속재등으로 형성되어 구비될 수 있다.
이와 같은 유기 발광 디스플레이 장치에 있어서 전술한 실시예들 및 그 변형예들에 따른 유기 박막 트랜지스터들이 구비되도록 함으로써, 입력된 영상신호에 따라 정확하게 이미지를 구현하는 발광 디스플레이 장치를 제조할 수 있게 된다.
또한, 본 실시예에 있어서 유기 발광 디스플레이 장치의 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 유기 박막 트랜지스터들이 구비되는 디스플레이 장치들이라면 어떠한 디스플레이 장치들에도 본 발명이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이에 도전성 폴리머층이 구비되도록 함으로써, 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이의 컨택 저항을 대폭 감소시킬 수 있다.
둘째, 소수성 물질층을 도입함으로써, 저렴한 비용으로 용이하게 소스 전극 및 드레인 전극과 유기 반도체층 사이에만 도전성 폴리머층이 구비되도록 할 수 있다.
셋째, 평판 디스플레이 장치에 특성이 향상된 유기 박막 트랜지스터가 구비 되도록 함으로써, 플렉서블 특성을 더욱 강화할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (26)
- 기판;상기 기판 상에 배치된 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역을 덮도록 배치된 도전성 폴리머층;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 기판 상의, 상기 도전성 폴리머층이 배치된 영역 외의 영역에 배치된 소수성 물질층;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층을 덮도록 배치된 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 기판;상기 기판 상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극을 덮도록 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 배치된 소스 전극과 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역을 덮도록 배치된 도전성 폴리머층;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 절연막 상의, 상기 도전 성 폴리머층이 배치된 영역 외의 영역에 배치된 소수성 물질층; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 유기 반도체층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도전성 폴리머층은 상기 소스 전극의 상기 드레인 전극 방향의 가장자리 및 상기 드레인 전극의 상기 소스 전극 방향의 가장자리를 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도전성 폴리머층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 구비되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 투명 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 5항에 있어서,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성 된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 소수성 물질층은 실란 모이어티(silane moiety)에 한 개 이상 세 개 이하의 반응성이 있는 할로겐원자 또는 알콕시 모이어티(alkoxy moiety)를 가지며 한 개 이상 세 개 이하의 소수성 모이어티(moiety)를 갖는 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 7항에 있어서,상기 소수성 물질층은 말단에 트리클로로실란 모이어티(trichlorosilanyl moiety) 또는 트리알콕시실란 모이어티(trialkoxysilanyl moiety)가 붙어 있는 소수성 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 8항에 있어서,상기 소수성 물질층은 옥타데실트리클로로실란(OTS: octadecyltrichlorosilane)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 도전성 폴리머층은 PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 PANI(polyaniline)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.
- 제 1항 또는 제 2항의 유기 박막 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이 장치.
- 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판의 전면에 소수성 물질층을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮도록 상기 기판의 전면에 소수성 물질층을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각의 적어도 일 영역 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되도록 유기 반도체층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극의 상기 드레인 전극 방향의 가장자리 상의 소수성 물질층과 상기 드레인 전극의 상기 소스 전극 방향의 가장자리 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극 상의 상기 소수성 물질층 및 상기 드레인 전극 상의 상기 소수성 물질층을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 투명 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 16항에 있어서,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소수성 물질층은 실란 모이어티(silane moiety)에 한 개 이상 세 개 이하의 반응성이 있는 할로겐원자 또는 알콕시 모이어티(alkoxy moiety)를 가지며 한 개 이상 세 개 이하의 소수성 모이어티(moiety)를 갖는 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 18항에 있어서,상기 소수성 물질층은 말단에 트리클로로실란 모이어티(trichlorosilanyl moiety) 또는 트리알콕시실란 모이어티(trialkoxysilanyl moiety)가 붙어 있는 소수성 자기 분자 조립체(self-assembled monolayer)를 갖는 표면처리제로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 19항에 있어서,상기 소수성 물질층은 옥타데실트리클로로실란(OTS: octadecyltrichlorosilane)로 형성되는 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 도전성 폴리머층은 PEDOT(polyethylene dioxythiophene) 또는 PANI(polyaniline)로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소수성 물질층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법 또는 디핑(dipping)법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 소수성 물질층을 제거하는 단계는, 상기 소수성 물질층의 제거될 영역에 레이저빔을 조사함으로써 이루어지는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 도전성 폴리머층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법, 디핑(dipping)법 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 도전성 폴리머층을 형성하는 단계는,스핀 코팅법, 디핑(dipping)법 또는 잉크젯 프린팅법을 이용하여 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상기 소수성 물질층이 제거된 영역에 도전성 폴리머층을 형성하는 단계; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 잔존하는 도전성 폴리머 물질을 제거하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제 25항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 잔존하는 도전성 폴리머 물질을 제거하는 단계는, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 영역에 레이저빔, 자외선 또는 전자빔을 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050100278A KR100659103B1 (ko) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| US11/282,633 US7719496B2 (en) | 2004-11-23 | 2005-11-21 | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor |
| JP2005337634A JP5025943B2 (ja) | 2004-11-23 | 2005-11-22 | 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びその有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置 |
| US11/546,342 US7692185B2 (en) | 2005-10-24 | 2006-10-12 | Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor |
| US12/706,836 US7910401B2 (en) | 2005-10-24 | 2010-02-17 | Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor |
| US12/662,192 US8318533B2 (en) | 2004-11-23 | 2010-04-05 | Method of manufacturing an organic thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050100278A KR100659103B1 (ko) | 2005-10-24 | 2005-10-24 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100659103B1 true KR100659103B1 (ko) | 2006-12-19 |
Family
ID=37814783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050100278A KR100659103B1 (ko) | 2004-11-23 | 2005-10-24 | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7692185B2 (ko) |
| KR (1) | KR100659103B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101325665B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2013-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| US10693069B1 (en) | 2019-03-29 | 2020-06-23 | Seoul National University R&Db Foundation | Method for manufacturing organic semiconductor transistor |
| US10707421B1 (en) | 2019-03-29 | 2020-07-07 | Seoul National University R&Db Foundation | Organic semiconductor transistor |
| KR20200114749A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 서울대학교산학협력단 | 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7719496B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-05-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor |
| KR101376896B1 (ko) * | 2007-11-28 | 2014-03-20 | 파나소닉 주식회사 | 플렉시블 반도체장치의 제조방법 및 플렉시블 반도체장치 |
| FR2934714B1 (fr) * | 2008-07-31 | 2010-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Transistor organique et procede de fabrication d'une couche dielectrique d'un tel transistor. |
| WO2010016206A1 (ja) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | パナソニック株式会社 | フレキシブル半導体装置の製造方法 |
| JP5608347B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
| KR101073552B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2011-10-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20140054033A (ko) * | 2011-08-12 | 2014-05-08 | 에스알아이 인터내셔널 | 수동 매트릭스 유기 발광 다이오드 |
| KR102620013B1 (ko) * | 2016-07-01 | 2024-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
| CN110752220B (zh) * | 2019-10-30 | 2022-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040067047A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 이종덕 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| KR20060084122A (ko) * | 2005-01-17 | 2006-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4360801B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2009-11-11 | シャープ株式会社 | トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
| KR100615216B1 (ko) * | 2004-04-29 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 억셉터막을 구비한 유기 박막 트랜지스터 |
| US7719496B2 (en) * | 2004-11-23 | 2010-05-18 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and flat panel display device with the organic thin film transistor |
-
2005
- 2005-10-24 KR KR1020050100278A patent/KR100659103B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-12 US US11/546,342 patent/US7692185B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-17 US US12/706,836 patent/US7910401B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040067047A (ko) * | 2003-01-21 | 2004-07-30 | 이종덕 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
| KR20060084122A (ko) * | 2005-01-17 | 2006-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101325665B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2013-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| US10693069B1 (en) | 2019-03-29 | 2020-06-23 | Seoul National University R&Db Foundation | Method for manufacturing organic semiconductor transistor |
| US10707421B1 (en) | 2019-03-29 | 2020-07-07 | Seoul National University R&Db Foundation | Organic semiconductor transistor |
| KR102145518B1 (ko) | 2019-03-29 | 2020-08-18 | 서울대학교 산학협력단 | 유기 반도체 트랜지스터 제조 방법 |
| KR20200114748A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 서울대학교산학협력단 | 유기 반도체 트랜지스터 |
| KR20200114749A (ko) | 2019-03-29 | 2020-10-07 | 서울대학교산학협력단 | 유기 반도체 박막에서의 도판트 분자 확산 억제 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7692185B2 (en) | 2010-04-06 |
| US7910401B2 (en) | 2011-03-22 |
| US20070090349A1 (en) | 2007-04-26 |
| US20100151622A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7692185B2 (en) | Organic thin film transistor, flat panel display apparatus comprising the same, and method of manufacturing the organic thin film transistor | |
| US8318533B2 (en) | Method of manufacturing an organic thin film transistor | |
| US8193527B2 (en) | Organic thin film transistor and flat panel display device including the same | |
| US8076733B2 (en) | Flat panel display device having an organic thin film transistor and method of manufacturing the same | |
| US7993958B2 (en) | Organic thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US20080048184A1 (en) | Method of forming contact for organic active layer, method of manufacturing flat panel display, organic thin film transistor display, and organic light emitting diode display | |
| KR100670379B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 구비한 유기발광 디스플레이 장치 | |
| KR100749502B1 (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 박막트랜지스터 및 이 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치 | |
| KR100730157B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 | |
| KR100787439B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 | |
| KR100670407B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 | |
| KR100696536B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 | |
| KR100670354B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 이에 의해 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 | |
| KR100719546B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이를 구비한 평판 디스플레이 장치및 유기 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR100730148B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 | |
| KR100670355B1 (ko) | 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 구비한 평판디스플레이 장치 | |
| KR100670353B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 | |
| KR100683800B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| KR100670378B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| KR100670370B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 | |
| KR101137382B1 (ko) | 평판 디스플레이 장치 | |
| KR100637250B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR100708735B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR100730193B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| KR100659124B1 (ko) | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 유기 발광디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131129 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141128 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |