KR100576472B1 - Address latch circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리장치에서 사용하는 어드레스 래치회로에 관한 것으로, 특히 출력단에 래치된 이전 어드레스신호를 피드백받아 다음번 입력되는 입력 어드레스신호와 전위를 비교하여 동일 어드레스로 판단되면 회로동작이 디스에이블되도록 제어함으로써, 대기전류를 대폭 감소시켜 저전력을 실현하도록 한 어드레스 래치회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an address latch circuit for use in a semiconductor memory device. In particular, when a previous address signal latched at an output terminal is fed back and a potential is compared with a next input signal signal, the circuit operation is disabled. Thus, the present invention relates to an address latch circuit that significantly reduces standby current to realize low power.
Description
도 1 은 종래에 사용된 어드레스 래치회로의 일 예를 도시한 회로 구성도1 is a circuit diagram showing an example of a conventional address latch circuit;
도 2 는 도 1 에 도시된 어드레스 래치회로에 대한 전류변화를 시뮬레이션한 결과도FIG. 2 is a result of simulating a current change for the address latch circuit shown in FIG.
도 3 은 본 발명에 따른 어드레스 래치회로의 일 예를 도시한 회로 구성도3 is a circuit diagram showing an example of an address latch circuit according to the present invention;
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
10: 비교부 20: 전달부10: comparison unit 20: transmission unit
30, 50: 래치부 40: 클럭 동기부30, 50: latch portion 40: clock synchronization portion
60: 출력 구동부60: output driver
본 발명은 반도체 메모리장치에서 사용하는 어드레스 래치회로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 출력단에 래치된 이전 어드레스신호와 다음번 입력 어드레스신호와의 전위비교에 의해 동일 어드레스로 판단되는 경우 어드레스 래치동작을 디스에이블시킴으로써, 대기전류를 감소시켜 저전력을 실현하도록 한 어드레스 래치회로에 관한 것이다.The present invention relates to an address latch circuit used in a semiconductor memory device, and more particularly, to disable an address latch operation when it is determined to be the same address by a potential comparison between a previous address signal and a next input address signal latched at an output terminal. The present invention relates to an address latch circuit for reducing standby current to realize low power.
일반적으로, 동기식 디램(Synchronous DRAM)을 사용한 메모리 시스템의 경우에는 극히 적은 전류소비가 요구되며, 노트북 등과 같이 베터리를 장착하는 분야에서의 소비전류량은 매우 민감히 취급되는 주요 요소 중의 하나이다.In general, a memory system using synchronous DRAM requires very little current consumption, and the amount of current consumption in a battery-mounted field such as a notebook is one of the main factors to be treated very sensitively.
또한, 동기식 디램에서는 외부 클럭신호에 동기하여 내부 클럭신호를 발생시키게 되며, 이렇게 발생된 내부 클럭신호를 내부 어드레스의 래치에 사용하기 때문에 매 클럭마다 래치회로 출력노드의 전위방전 및 충전이 반복되면서 많은 전류를 소모하게 된다. In addition, in the synchronous DRAM, an internal clock signal is generated in synchronization with an external clock signal. Since the internal clock signal is used for latching an internal address, the potential discharge and charging of the latch circuit output node is repeated every clock. Current consumption.
도 1 은 종래에 사용된 어드레스 래치회로의 일 예를 도시한 회로 구성도로, 외부입력 어드레스신호의 상보 전위신호를 각각의 게이트단으로 입력받는 두 NMOS 트랜지스터(MN11, MN12)와; 전원전압 인가단과 상기 NMOS 트랜지스터 (MN11, MN12) 각각의 드레인단 사이에 노드(N1, N2)에 의해 각각 상호 직렬연결되며, 각각의 게이트단이 상기 두 노드(N1, N2)에 의해 크로스 커플구조로 연결된 두 MOS 트랜지스터쌍(MP11과 MN13, MP12와 MN14)과; 전원전압 인가단과 상기 두 노드(N1, N2)의 사이에 각각 접속되며, 각각의 게이트단에 내부 클럭신호(int_clk)가 공통으로 인가되는 두 PMOS 트랜지스터(MP13, MP14) 및; 상기 두 PMOS 트랜지스터(MP13, MP14)의 드레인단 사이에 접속되며 게이트단으로 상기 내부 클럭신호(int_clk)가 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP15)와; 상기 두 NMOS 트랜지스터의 공통 소오스단과 접지단 사이에 접속되며, 상기 내부 클럭신호(int_clk)가 게이트단으로 인가되는 NMOS 트랜지스터(MN15)와; 상기 두 노드(N1, N2) 각각의 전위를 반전시키는 각각의 인버터(IV11, IV12)와; 상기 두 인버터(IV11, IV12) 각각의 출력단(N3, N4) 전위신 호를 일측 입력신호로 하며, 서로의 출력신호를 피드백받아 타측 입력단으로 인가하는 두 노아게이트(NOR11, NOR12)로 이루어진 래치소자와; 상기 래치소자의 출력신호를 버퍼링하여 출력하는 버퍼링소자(IV13과 IV14)로 이루어진다. 1 is a circuit configuration diagram showing an example of an address latch circuit used in the related art, comprising: two NMOS transistors MN11 and MN12 that receive complementary potential signals of external input address signals to respective gate ends; The power supply voltage is applied between the drain terminals of the NMOS transistors MN11 and MN12 by the nodes N1 and N2, respectively, and the gates are cross-coupled by the two nodes N1 and N2. Two MOS transistor pairs MP11 and MN13 and MP12 and MN14 connected to each other; Two PMOS transistors MP13 and MP14 connected between a power supply voltage applying terminal and the two nodes N1 and N2, respectively, and having an internal clock signal int_clk commonly applied to each gate terminal; A PMOS transistor MP15 connected between the drain terminals of the two PMOS transistors MP13 and MP14 and to which the internal clock signal int_clk is applied to a gate terminal; An NMOS transistor MN15 connected between a common source terminal and a ground terminal of the two NMOS transistors, and to which the internal clock signal int_clk is applied as a gate terminal; Respective inverters IV11 and IV12 for inverting the potential of each of the two nodes N1 and N2; Latch element consisting of two NOR gates NOR11 and NOR12 which use the output signals of the output terminals N3 and N4 of each of the two inverters IV11 and IV12 as one input signal and receive the output signals of each other and apply them to the other input terminal. Wow; And buffering elements IV13 and IV14 for buffering and outputting the output signal of the latch element.
상기 구성을 갖는 어드레스 래치회로의 동작은 다음과 같다.The operation of the address latch circuit having the above configuration is as follows.
우선, 내부 클럭신호(int_clk)가 '로직로우'인 경우, 상기 두 노드(N1, N2)의 전위는 턴-온되는 PMOS 트랜지스터들(MP13 내지 MP15)에 의해 전원전압이 공급되어 '로직하이'로 프리차지되며, 각각의 인버터(IV11, IV12)를 거쳐 두 노드(N3, N4)의 전위를 '로직로우'로 만들어 출력단 전위를 이전값으로 래치시키게 된다.First, when the internal clock signal int_clk is 'logic low', the potentials of the two nodes N1 and N2 are supplied with a power supply voltage by the PMOS transistors MP13 to MP15 that are turned on, thereby 'logic high'. It is then precharged, and the potentials of the two nodes N3 and N4 are 'logic low' via the respective inverters IV11 and IV12 to latch the output terminal potential to the previous value.
이후, 외부입력 클럭신호가 '로직하이'로 라이징하여 입력 어드레스신호(add_in)로 인가되면, 상기 두 노드(N1, N2) 중 하나를 디스차지시켜 '로직로우' 레벨로 천이시키게 된다. 예를들어, 상기 입력 어드레스신호(add_in)가 '로직하이'이면 노드(N2)를 디스차지시키게 되며, 상기 입력 어드레스신호(add_in)가 '로직로우'이면 노드(N1)를 디스차지시키게 된다.Thereafter, when the external input clock signal rises to 'logic high' and is applied as the input address signal add_in, one of the two nodes N1 and N2 is discharged to transition to the 'logic low' level. For example, if the input address signal add_in is 'logic high', the node N2 is discharged. If the input address signal add_in is 'logic low', the node N1 is discharged.
상기 내부 클럭신호(int_clk)가 다시 '로직로우' 레벨로 스윙하면서 이전 어드레스 전위값을 래치시키게 된다.The internal clock signal int_clk swings back to the logic low level to latch the previous address potential value.
이렇듯, 입력 어드레스 신호값의 전위가 로직하이이거나 로직로우임에 상관없이 어드레스 래치를 위해 상기 NMOS 트랜지스터(MN15)를 통해 항상 전류가 흐르게 되면서 이 과정상의 불필요한 전류소모가 뒤따르게 되는 문제점이 있으며, 이러한 전력의 낭비는 어드레스 핀의 수가 급증함에 따라 더욱 큰 문제점으로 부각된다.As such, regardless of whether the potential of the input address signal value is logic high or logic low, current flows through the NMOS transistor MN15 for address latching at all times, resulting in unnecessary current consumption in this process. The waste of power becomes a bigger problem as the number of address pins increases rapidly.
도 2 는 도 1 에 도시된 어드레스 래치회로에 대한 전류변화를 시뮬레이션한 결과도로, 동 도면을 통해 알 수 있듯이 내부 클럭신호(int_clk)의 전위가 '로직로우'에서 '로직하이'로 천이되는 순간마다 큰 전류소모가 뒤따르게 되며, 이러한 현상은 고속동작의 경우 즉, 클럭 사이클이 짧아질수록 심화되어 전류소모를 증대시키게 된다. FIG. 2 is a simulation result of the current change of the address latch circuit shown in FIG. 1. As can be seen from the figure, the instant when the potential of the internal clock signal int_clk transitions from logic low to logic high is shown in FIG. Each time is followed by a large current consumption, this phenomenon is aggravated in the case of high-speed operation, that is, the shorter clock cycle to increase the current consumption.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 출력단에 래치되어 있는 이전의 어드레스신호를 피드백받아 이를 입력되는 다음번 어드레스신호와 비교하여 동일할 경우 어드레스 래치동작을 디스에이블시킴으로써 이 과정에서 요구되는 전류소모를 감소시켜 저전력을 실현하도록 한 어드레스 래치회로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problem, and an object of the present invention is to receive a previous address signal latched at an output terminal and compare the result with a next address signal inputted to disable the address latch operation if the address is the same. The present invention provides an address latch circuit that reduces current consumption required to realize low power.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 어드레스 래치회로는 외부입력 어드레스신호 및 출력 구동부로부터 피드백된 이전 어드레스신호의 전위를 비교하여 동일여부를 판단하는 비교부; 외부입력 어드레스신호를 인가받아 비교부의 출력에 따라 선택적으로 출력하는 전달부; 전달부의 출력을 인가받아 래치하여 출력하는 제1 래치부; 제1 래치부의 출력을 인가받아 내부 클럭신호에 동기시켜 출력하는 클럭 동기부; 클럭 동기부의 출력을 인가받아 래치하여 출력하는 제2 래치부; 및 제2 래치부의 출력을 인가받아 증폭하여 출력하는 출력 구동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the address latch circuit according to the present invention comprises a comparison unit for comparing the external input address signal and the potential of the previous address signal fed back from the output driver to determine whether or not the same; A transmission unit which receives an external input address signal and selectively outputs the output signal according to the output of the comparison unit; A first latch unit which receives the output of the transfer unit and latches the output; A clock synchronizer configured to receive an output of the first latch unit and to output the first latch unit in synchronization with an internal clock signal; A second latch unit which receives the output of the clock synchronizing unit and latches the output; And an output driver configured to receive and amplify the output of the second latch unit.
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상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.The above and other objects and features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 은 본 발명에 따른 어드레스 래치회로의 일 예를 도시한 회로 구성도로, 외부입력 어드레스신호(add_in)와 출력단에 래치된 이전 어드레스신호(add_out)를 피드백받아 이들 두 어드레스신호(add_in, add_out)의 전위를 비교하여 전위가 동일한지의 여부를 판단하는 비교부(10)와, 상기 비교부(10)의 출력결과에 따라 스위칭이 제어되어 그 스위칭여부에 따라 상기 외부입력 어드레스신호(add_in)를 선택적으로 전달하는 전달부(20)와, 상기 전달부(20)를 거친 어드레스신호를 일정하게 래치시키는 제1 래치부(30)와, 상기 제1 래치부(30)에 래치된 어드레스신호를 내부 클럭신호에 동기시켜 전달하는 클럭 동기부(40)와, 상기 클럭 동기부(40)를 거쳐 전달된 어드레스신호를 일정하게 래치시키는 제2 래치부(50)와, 상기 제2 래치부(50)에 래치된 어드레스신호를 증폭하여 출력하는 출력 구동부(60)를 구비하여 구성된다.FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an example of an address latch circuit according to an embodiment of the present invention, in which an external input address signal add_in and a previous address signal add_out latched at an output terminal are fed back to these two address signals add_in and add_out. The
상기 비교부(10)는 각각의 드레인단(N1)에 의해 상호 직렬연결되어 각각의 게이트단으로 상기 출력단에 래치된 이전 어드레스신호가 인가되며, 각각의 소오스 단으로는 상기 외부입력 어드레스신호의 진위 및 보수전위신호가 각각 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP31)와 NMOS트랜지스터(MN31)를 구비하여 구성한다.The
상기 전달부(20)는 상기 비교부의 출력단(N1) 신호에 의해 턴-온이 제어되는 전달 트랜지스터(MT31)로 구성한다.The
상기 제1 및 제2 래치부(30, 50)는 각각 상호 입·출력단이 고리형으로 연결된 2개의 인버터(IV31와 IV32, IV33와 IV34)로 연결된다. The first and
또한, 상기 클럭 동기부(40)는 전원전압 인가단과 접지단 사이에 상호 직렬연결되며, 각각의 게이트단으로 상기 내부 클럭신호의 보수 전위신호 및 진위 전위신호가 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP32)와 NMOS 트랜지스터(MN32) 및; 상기 두 MOS 트랜지스터(MP32, MN32)의 사이에 상호 직렬연결되며, 상기 제1 래치부(30)의 출력신호가 각각의 게이트단에 공통으로 인가되는 PMOS 트랜지스터(MP33)와 NMOS 트랜지스터(MN33)를 구비하여 구성한다. In addition, the
상기 출력 구동부(60)는 상기 제2 래치부의 출력신호를 입력받아 반전시켜 출력단으로 전달하는 인버터(IV35)로 구성한다.The
이하, 상기 구성으로 이루어지는 본 발명의 동작을 도면을 참조하며 자세히 살펴보기로 한다.Hereinafter, the operation of the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to the drawings.
우선, 출력단에 어드레스신호가 래치된 상태에서 외부로부터 다음 어드레스신호가 입력되면, 상기 비교부(10)는 상기 출력단에 래치된 이전 어드레스신호(add_out)를 피드백받아 상기 외부입력 어드레스신호(add_in)와 전위를 비교하게 된다.First, when the next address signal is input from the outside while the address signal is latched to the output terminal, the
예를들어, 출력단에 래치된 이전 어드레스신호(add_out)의 전위가 '로직하이'일때 외부로부터 입력되는 어드레스신호(add_in)의 전위가 '로직하이'의 상태로 인가되면, 상기 비교부(10)내 PMOS 트랜지스터(MP31)는 오프되는 한편, NMOS 트랜지스터가 턴-온되면서 그 출력노드(N1)의 전위를 '로직로우'로 만든다. 이에따라, 후단의 전달부(20)내 스위칭소자로서의 전달 트랜지스터(MT31)이 턴-오프되면서, 상기 외부입력 어드레스신호(add_in)가 출력단으로 전달되는 것을 차단시키게 된다.For example, when the potential of the address signal add_in input from the outside when the potential of the previous address signal add_out latched at the output terminal is 'logic high' is applied in the state of 'logic high', the
따라서, 내부 클럭신호(int_clk)가 어드레스 래치회로로 전달되더라도 상기 클럭 동기부(40)내 출력노드(N2)의 전위가 '로직하이'이기 때문에, 전원전압 인가단으로부터 상기 노드(N2)를 거쳐 접지단으로의 전류경로가 차단됨으로써, 전류소모를 막을 수 있게 되는 것이다.Accordingly, since the potential of the output node N2 in the
한편, 출력단에 래치된 이전 어드레스신호(add_out)의 전위가 '로직로우'인 상태에서 외부로부터 입력되는 어드레스신호(add_in)의 전위가 '로직로우'로 인가되면, 상기 비교부(10)내 PMOS 트랜지스터(MP31)는 턴-온되는 한편, NMOS 트랜지스터가 턴-오프되면서 그 출력노드(N1)로 '로직로우'의 외부입력 어드레스신호(add_in)의 전위가 전달되기 때문에, 후단의 전달부(20)내 스위칭소자로서의 전달 트랜지스터(MT31)를 마찬가지로 턴-오프시키게 되면서, 상기 외부입력 어드레스신호(add_in)가 출력단으로 전달되는 것을 차단시키게 된다.On the other hand, when the potential of the address signal add_in input from the outside is applied as 'logic low' while the potential of the previous address signal add_out latched at the output terminal is 'logic low', the PMOS in the
이 경우에도 마찬가지로, 내부 클럭신호(int_clk)가 어드레스 래치회로로 전달된다 하더라도 상기 클럭 동기부(40)내 출력노드(N2)의 전위가 '로직하이'가 되 기 때문에, 전원전압 인가단으로부터 상기 노드(N2)를 거쳐 접지단으로 형성되는 전류경로를 차단시켜 불필요하게 소모되는 전류소모를 막을 수 있게 된다.In this case as well, even if the internal clock signal int_clk is transmitted to the address latch circuit, the potential of the output node N2 in the
그러나, 상기 출력단으로부터 피드백된 이전 어드레스신호(add_out)의 전위와 외부입력 어드레스신호(add_in)의 전위가 다른 경우에는 즉, add_in = '로직하이' 이고, add_out = '로직로우'이거나 또는 add_in = '로직로우' 이고, add_out = '로직하이'인 경우에는 상기 비교부(10)의 출력단(N1) 전위를 '로직하이'로 만들어 후단의 전달부(20)내 스위칭소자인 전달 트랜지스터(MT31)를 턴-온시키게 된다.However, when the potential of the previous address signal add_out fed back from the output terminal and the potential of the external input address signal add_in are different, that is, add_in = 'logic high', add_out = 'logic low', or add_in = ' Logic low 'and add_out = logic high to make the output terminal N1 potential of the comparator 10' logic high 'to transfer the transfer transistor MT31 which is a switching element in the
이에따라, 외부입력 어드레스신호(add_in)를 출력단으로 상기 내부 클럭신호(int_clk)에 동기시켜 전달하게 된다. Accordingly, the external input address signal add_in is transmitted to the output terminal in synchronization with the internal clock signal int_clk.
따라서, 본 발명에 따른 어드레스 래치회로는 출력단에 래치된 어드레스신호(add_out)를 입력되는 다음번 어드레스신호와 비교하여 동일할 경우에는 그 전달을 막기위해 어드레스 래치회로를 디스에이블시켜 불필요한 전류소모를 막아 전류소모를 극소화하면서도 고속의 어드레스 스트로빙동작이 요구되는 어드레스에 대해서는 별도의 고속동작이 가능해져 칩의 성능저하도 막을 수 있게 되는 것이다.Therefore, the address latch circuit according to the present invention compares the address signal add_out latched to the output terminal with the next address signal inputted, and if it is the same, disables the address latch circuit to prevent unnecessary current consumption in order to prevent its transfer. Higher speed operation is possible for addresses requiring high speed address strobing operation while minimizing consumption, thereby preventing degradation of chip performance.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 어드레스 래치회로에 의하면, 출력단에 래치된 이전 어드레스신호를 피드백받아 다음번 입력되는 입력 어드레스신호와 전위를 비교하여 동일 어드레스로 판단되면 회로동작이 디스에이블되도록 제어함으로써, 대기전류를 대폭 감소시켜 저전력을 실현할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.As described above, according to the address latch circuit according to the present invention, by receiving a previous address signal latched at an output terminal and comparing the potential with an input address signal input next time, by controlling the circuit operation to be disabled when it is determined to be the same address, There is an excellent effect that can realize a low power by greatly reducing the standby current.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, preferred embodiments of the present invention are disclosed for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, additions, etc. within the spirit and scope of the present invention, such modifications and modifications belong to the scope of the claims You will have to look.
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