KR100555762B1 - 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서 - Google Patents
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Abstract
에어갭형 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator:이하 "FBAR"이라 한다)를 제조하는 방법 및 그 방법으로 제조된 FBAR이 개시된다. 또한 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR을 이용한 필터 및 듀플렉서가 개시된다. 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR은, 에어갭형 FBAR은 상면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제1 기판, 제1 기판의 상부에 적층된 유전막층, 제1 기판 및 유전막층 사이에 형성되는 제1 에어갭, 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성되는 적층공진부, 하면의 소정영역에 공동부를 구비하고 제1 기판과 접합되는 제2 기판 및 적층공진부 및 제2 기판 사이에 형성되는 제2 에어갭을 포함하며, 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름이 사용된다. 본 발명에 따라 구현된 에어갭형 FBAR은, 공동부를 구비하는 실리콘 기판 위에 액정고분자(LCP) 박막필름을 적층하여, CMP 공정 및 희생층 제거 공정없이 간단히 에어갭을 형성함으로서, 공정 스텝 및 공정 오차를 줄일 수 있어 기존의 FBAR제조 공정에 비하여 제작이 간편하고, 제작에 드는 시간이 짧으며, 향상된 공진 특성을 가진다는 장점이 있다.
에어갭형 FBAR, LCP 박막, FBAR 필터, FBAR 듀플렉서
Description
도 1은 종래의 에어갭형 FBAR 제작과정의 단계별 공정도,
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 에어갭형 FBAR 제작과정의 단계별 공정도,
도3은 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR을 이용한 필터의 구조도, 그리고
도4는 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR을 이용한 듀플렉서의 개략적 구조도를 나타낸다.
본 발명은 RF(Radio Frequency) 대역의 통신을 위한 필터, 듀플렉서 등에 사용 가능한 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: 이하 "FBAR"이라 한다)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 액정고분자(LCP) 박막필름을 이용하여 보다 제작공정이 간단하고, 안정적인 에어갭(Air Gap)형 FBAR 및 그 제조 방법, 그리고 상기한 에어갭형 FBAR을 이용한 필터 및 듀플렉서에 관한 것이다.
최근 무선이동통신기술은 눈부시게 발전하고 있다. 이러한 이동통신기술은 한정된 주파수 대역에서 효율적으로 정보를 전달할 수 있는 다양한 RF 부품들이 요구된다. 특히, RF 부품들 중 필터는 이동통신기술에 사용되는 핵심 부품 중 하나로서, 무수히 많은 공중파 중에 이용자가 필요로 하는 신호를 선택하거나 전송하고자 하는 신호를 필터링 하여 줌으로서 고품질의 통신을 가능하게 한다.
현재 무선통신용 RF 필터로 가장 많이 사용되고 있는 것이 유전체 필터와 표면탄성파(Surface Acoustic wave: SAW) 필터이다. 유전체 필터는 높은 유전율, 저삽입 손실, 높은 온도에서의 안정성, 내진동, 내충격에 강한 장점을 가지고 있다. 그러나 유전체 필터는 최근의 기술 발전 동향인 소형화 및 MMIC(Monolithic Microwave IC)화에는 한계성을 가지고 있다. 또한, SAW 필터는 유전체 필터에 비해 소형이면서 신호처리가 용이하고 회로가 단순하며, 반도체 공정을 이용함으로써 대량생산이 가능한 이점을 가지고 있다. 또한, SAW 필터는 유전체 필터에 비해 통과 대역 내의 사이드 리젝션(Side Rejection)이 높아 고품위의 정보를 주고받을 수 있는 장점이 있다. 그러나 SAW 필터 공정에는 자외선(UV)을 사용하여 노광을 하는 공정이 포함되므로 IDT(InterDigital Transducer) 선폭이 0.5㎛ 정도가 한계라는 단점을 가지고 있다. 따라서 SAW필터를 이용하여 초고주파(5㎓ 이상) 대역을 커버하기는 불가능하다는 문제점이 있으며, 근본적으로 반도체기판에서 이루어지는 MMIC구조와 단일칩상으로 구성되기는 불가능하다는 문제점이 있다.
위와 같은 한계 및 문제점들을 극복하기 위하여 기존 반도체(Si, GaAs)기판에 다른 능동소자들과 함께 집적되어 주파수 제어회로를 완전히 MMIC화 할 수 있는 FBAR가 제안되었다.
FBAR는 박막(Thin Film)소자로 저가격, 소형이면서 고품질(High Q)계수의 특성이 가능하므로 각종 주파 대역(9백㎒∼10㎓)의 무선통신기기, 군용 레이더 등에 사용 가능하다. 또한, 유전체 필터 및 집중 정수(LC) 필터보다 수백 분의 1 크기로 소형화가 가능하고, SAW 필터보다 삽입손실이 매우 작다는 특성을 가지고 있다. 따라서 FBAR는 안정성이 높고 고품질계수를 요구하는 MMIC에 적용될 수 있다.
FBAR은 상부전극/압전체/하부전극의 샌드위치 구조를 이용한 반도체 공정으로 만들어지며 압전현상을 발생시켜 일정한 주파수 대역에서 공진을 발생, 이 공진에서 체적파를 이용하여 체적파의 주파수와 입력된 전기신호의 주파수가 같아지면 공진현상이 일어난다. 이 공진현상을 이용한 공진기를 전기적 커플링을 현상화하여 FBAR 필터를 구현하고 더 나아가 FBAR 필터를 이용한 듀플렉서가 가능하다.
한편, FBAR구조는 지금까지 다양한 형태로 연구되어 왔다. 멤브레인형 FBAR는 기판 위에 실리콘산화막(SiO2)을 증착하고, 기판 반대면을 이방성 에칭(Isotropic Etching)하여 형성된 공동부(Cavity)를 통해 멤브레인층을 형성한다. 그리고 실리콘산화막 상부로 하부전극을 형성하고, 이 하부전극층 상부로 압전물질을 RF 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering)방법으로 증착하여 압전층을 형성하며, 압전층 상부로 상부전극을 형성하고 있다.
위와 같은 멤브레인형 FBAR는 캐버티에 의해 기판 유전손실이 적으며, 전력손실이 작은 장점을 가지고 있다. 하지만, 멤브레인형 FBAR는 실리콘 기판의 방향성에 의하여 소자가 차지하는 면적이 크며, 후속 패키징 공정시 구조적 안정성이 낮아 파손에 의한 수율 저하가 문제점이 되고 있었다. 따라서, 최근 멤브레인에 의한 손실을 줄이고 소자 제조공정을 단순화하기 위해 에어갭(Air Gap)형과 브래그 리플렉터(Bragg Reflector)형 FBAR가 등장했다.
브레그 반사형 FBAR은 기판상에 탄성 임피던스차가 큰 물질을 격층으로 증착하여 반사층을 구성하고 하부전극, 압전층 및 상부전극을 차례로 적층한 구조로써, 압전층을 통과한 탄성파에너지가 기판 방향으로 전달되지 못하고 반사층에서 모두 반사되어 효율적인 공진을 발생시킬수 있게 한 것이다. 이러한 브레그 반사형 FBAR은 구조적으로 견고하며, 휨에 의한 stress가 없지만 전반사를 위한 두께가 정확한 4층 이상의 반사층을 형성하기가 어려우며, 제작을 위한 시간과 비용이 많이 필요하다는 단점이 있다.
한편, 반사층 대신에 에어갭을 이용하여 기판과 공진부를 격리시키는 구조를 가지는 종래의 에어갭형 FBAR은 도 1에 나타낸 바와 같이 실리콘 기판(100) 표면을 이방성 에칭하여 희생층(110)을 구현하고 CMP로 표면연마를 한 후, 절연층(120), 하부전극(133), 압전층(135), 및 상부전극(137)을 차례로 증착하고 비아홀을 통하여 희생층(110)을 제거, 에어갭(140)을 형성하여 FBAR을 구현하고 있다.
그러나 상기와 같은 종래의 FBAR제작은 CMP공정이 필요함으로써 공정상 번거로움과 단가 상승의 요인이 있으며 희생층을 제거하여 에어갭 형성시 습식 에칭을 이용하는데, 이 경우 에칭액의 제거가 어렵고, 만일 에칭액이 모두 제거되지 못하면 에칭액의 계속적인 작용으로 소자가 취약해지고, 공진 주파수의 변화가 유발된다는 문제점이 있었다. 한편, 건식 에칭 방법을 이용하는 경우에도, 기존의 플라즈 마 건식 에칭시 플라즈마 상태의 이온, 분자등이 소자에게 주는 물리적인 충격 및 고열에 의한 열화등의 문제점이 있었다.
본 발명은 에어갭형 FBAR을 제조함에 있어서, 공동부를 구비하는 실리콘 기판 위에 액정고분자(LCP) 박막필름을 적층하여, CMP 공정 및 희생층 제거 공정없이 에어갭을 형성함으로서, 기존의 건식 에칭과정에서 주는 소자에의 충격을 줄이고, 공정 스텝 및 공정 오차를 줄임으로써 간단하고 견고한 FBAR을 구현하는 것을 목적으로 한다. 또한 상기한 방식에 의한 에어갭형 FBAR을 이용하여 필터 및 듀플렉서를 구현할 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명, 에어갭형 FBAR은 상면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판의 공동부에 제1 에어갭을 형성하기 위해 상기 제1 기판 상부에 적층된 유전막층; 상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성되는 적층공진부; 및 하면의 소정영역에 공동부를 구비하고 상기 제1 기판과 접합되는 제2 기판을 포함한다.
상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용하거나 액정고분자(LCP)로 형성된 박막필름을 소정 두께로 식각하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 박막필름을 상기 제1 에어갭에 대응되는 소정영역만을 국부적으로 소정 두께로 식각하여 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 에어갭형 FBAR 제조 방법은, 상면의 소정영역에 공동부를 구 비하는 제1 기판 상에 유전막을 적층하여 제1 에어갭을 형성하는 단계; 상기 유전막층 상부표면에 적층공진부를 형성하는 단계; 및 상기 제1 기판 및 하면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제2 기판을 접합하여 제2 에어갭을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 적층공진부를 형성하는 단계는, 상기 유전막층 상부표면의 소정영역에 하부전극을 증착하는 단계; 상기 제1 기판의 공동부에 대응되는 상기 하부전극 상부 표면에 압전층을 증착하는 단계; 및 상기 압전층의 상부 표면 및 상기 하부전극이 증착되지 않은 유전막층 소정영역의 상부표면에 상부전극을 증착하는 단계를 포함한다.
바람직하게는 상기 제1 에어갭을 형성하는 단계에 있어 상기 유전막은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용한다.
본 발명에 따른 에어갭형 FBAR 필터는, 제1 공진 주파수를 가지는 복수개의 FBAR이 직렬 연결되어 형성되는 제1 공진부; 제2 공진 주파수를 가지며 상기 제1 공진부의 복수개의 FBAR과 병렬 연결되는 복수개의 FBAR로 형성되는 제2 공진부; 및 상기 제2 공진부를 이루는 복수개의 FBAR에 각각 직렬 연결된 복수개의 인덕터로 구성되며, 상기 제1 및 제2 공진부를 구성하는 각각의 FBAR은 상면에 복수개의 공동부를 구비하는 제1기판 상부에 적층된 유전막층; 상기 제1 기판 및 상기 유전막층 사이에 형성되는 제1 에어갭; 및 상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성된 적층공진부를 구비한다.
상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용한 다.
본 발명에 따른 에어갭형 FBAR 듀플렉서는, 안테나를 통해 송신단자로 입력되는 신호를 송신하기 위한 제1 FBAR 필터; 상기 안테나를 통해 수신되는 신호가 수신단자로 입력되도록 하는 제2 FBAR 필터; 및 상기 안테나와 상기 제2 필터 사이에 형성되고 송수신되는 신호의 위상을 변화시켜 상기 제1 필터와 상기 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지하는 위상변화부;를 구비하며, 상기 제1 및 제2 필터는 각각 서로 다른 소정의 공진주파수를 가지는 제1 및 제2 공진부를 구비하고, 상기 제1 및 제2 공진부에 형성되는 복수개의 FBAR 각각은 상면에 복수개의 공동부를 구비하는 제1기판 상부에 적층된 유전막층; 상기 제1 기판 및 상기 유전막층 사이에 형성되는 제1 에어갭; 및 상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성된 적층공진부를 포함한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 FBAR 및 그 제조공정에 대하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR의 제작공정을 단계별로 나타낸 단면도이다. 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR은 제1 기판(200), 제1 에어갭(210), 유전막층(220), 적층공진부(230), 제2 기판(240), 제2 에어갭(250)으로 구성된다.
먼저, 공동부를 구비하는 제1 기판(200)은 실리콘 기판 상면 소정영역, 즉 적층공진부(230)에 대응되는 영역을 2~3 μm의 깊이로 이방성 에칭함으로써 형성할 수 있다(도 2의 a).
제1 에어갭(210)은 제1 기판(200) 위에 소정 두께의 유전막층(200)을 적층함으로써 구현되는데, 이 유전막층(220)은 적층공진부(230)를 지지하고 절연층으로서의 역할을 하며, LCP(Liquid Crystal Polymer)와 같은 폴리머(Polymer)로 이루어진 박막을 이용한다(도 2의 b). 이경우 LCP 박막을 ~1μm 두께로 폴리싱(polishing)하여 사용하거나 처음부터 ~1μm 두께의 필름을 사용할 수 있다. 또는 5μm의 LCP 박막필름을 제1 기판(200)에 적층한 후 5~10μm 두께로 PR을 증착하고 제1 에어갭(210)에 대응하는 부분을 ~1μm 두께로 에칭하여 사용할 수도 있다(도 2의 c). 본 발명에서는 상기 PR이 증착되지 않은 유전막층을 건식 에칭 방법을 사용하여 식각한다.
적층공진부(230)는 유전막층(220) 위에 형성되며, 제1 에어갭(210)에 대응하는 부분을 포함하는 일정영역에 하부전극(233), 압전층(235), 상부전극(237)이 차례로 증착되어 구현된다(도 2의 d). 두 전극 사이에 외부에서 신호가 인가되면 두 전극 사이에 입력 전달된 전기적 에너지의 일부가 압전효과에 따른 기계적 에너지로 변환되고 이를 다시 전기적 에너지로 변환하는 과정에서 압전층(235)의 두께에 따른 고유진동의 주파수에 대하여 공진을 하게된다. 한편, LCP 박막필름의 두께를 달리함으로써 서로 다른 공진주파수를 얻을 수도 있다.
하부전극(233)을 증착하는 경우 하부전극은 유전막층(220)의 일단에서 공진이 직접적으로 발생하는 적층공진부(230) 아래에 제1 에어갭(210)이 위치하여야 기판의 격리가 이루어져 공진 효율이 양호하므로 제1 에어갭(210) 상층까지 덮도록 패터닝되어야 한다. 하부전극으로 사용되는 물질은 금속과 같은 통상의 도전물질을 사용하는데, 바람직하게는 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd) 및 몰리브덴(Mo)중 하나를 선택할수 있다.
다음 단계는, 상기 하부전극(233) 및 상기 유전막층(130)의 일정영역 위에 압전층(235)을 증착시키는 단계이다. 통상의 압전 물질로는 질화알루미늄(AlN) 또는 산화아연(ZnO)을 사용하는데 꼭 이에 한정되는 것은 아니다. 증착방법은 RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering)법 및 에바포레이션(Evaporation)법 등의 방법 중 어느하나가 이용될수 있다. 상기 압전층(235)은 하부전극(233)상에 증착된후, 하부전극(233)과 마찬가지로 하부에 에어갭(210)이 위치하는 부분의 상층을 덮도록 패터닝되어야 한다.
다음으로, 상기 압전층(235) 및 유전막(220)상에 상부전극(237)을 증착시키는 단계이다. 상기 상부전극(237)은 상기 하부전극(233)과 동일한 물질, 동일한 증착 방법, 및 패터닝 방법을 사용할 수도 있다.
다음으로 소정영역에 공동부를 가지는 제2 기판(240)을 적층 공진부가 형성된 제1 기판(200)과 접합한 후 외부 신호와의 연결을 위한 복수개의 비아를 형성한다(도 2의 e).
상기한 바와 같이 제작된 에어갭형 FBAR을 이용하여 직렬 FBAR 및 병렬 FBAR을 사다리형으로 회로화하여 FBAR 필터를 실현할 수 있다. 회로를 구성하는 각각의 FBAR의 공진특성에 의하여 필터의 통과대역이 정하여 진다.
FBAR 필터는 제1 공진 주파수를 가지는 복수개의 FBAR로 형성되는 제1 공진부, 제2 공진 주파수를 가지며 제1 공진부의 복수개의 FBAR과 병렬 연결되는 복수개의 FBAR로 형성되는 제2 공진부 및 제2 공진부를 이루는 복수개의 FBAR에 각각 직렬 연결된 복수개의 인덕터로 구성된다.
도 3은 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR 필터의 제1 공진부(3A) 및 제2 공진부(3B)의 단면도를 나타낸다. 본 필터는 복수개의 공동부를 구비하는 기판(300) 위에 LCP 박막필름(320)을 적층하여 제1 에어갭(310a, 310b)를 구현하고, 유전막층(320) 상부에 하부전극(333)/압전층(335a,335b)/상부전극(337a,337b)을 차례로 증착하여 적층공진부를 형성한 후 공동부를 구비하는 제2 기판(360)을 제1 기판 상부에 접합시키고 외부 신호와의 연결을 위한 비아(360a,360b)를 형성함으로써 구현할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 에어갭형 FBAR 듀플렉서의 간략한 구조도를 나타낸다. 도면에서 450b에 연결되는 하나의 안테나를 통하여 송수신되는 신호를 적절하게 분기하여 주는 FBAR 듀플렉서의 기본 구조는 크게 송신단 필터(410), 수신단 필터(420) 및 위상변화부(430)로 이루어진다. 송신단 필터(410) 및 수신단 필터(420)는 각각 송수신하고자 하는 주파수만을 통과시켜주는 밴드패스 필터이다. 이러한 송수신단 필터(410,420)를 통해 송수신되는 신호의 주파수는 그 차이가 미미하여 상호간의 간섭에 의해 민감하게 반응하게 되는바, 송수신단 필터(410,420)를 격리시켜서 상호 간섭을 방지하는 위상변화부(430)가 필요하다. 위상변화부(430)는 통상적으로 커패시터 및 인덕터를 이용하여 위상 쉬프트를 구현함으로써, 송수신 신호의 위상차가 90도를 가지도록 하여 상호 간섭을 방지 한다.
본 발명에 따라 구현된 에어갭형 FBAR은, 공동부를 구비하는 실리콘 기판 위에 액정고분자(LCP) 박막필름을 적층하여, CMP 공정 및 희생층 제거 공정없이 간단 히 에어갭을 형성함으로서, 공정 스텝 및 공정 오차를 줄일 수 있어 기존의 FBAR제조 공정에 비하여 제작이 간편하고, 제작에 드는 시간이 짧으며, 향상된 공진 특성을 가진다는 장점이 있다. 또한 본 발명에 의하여 제작된 에어갭형 FBAR을 이용하여 보다 공정이 간편하고 보다 향상된 FBAR 필터 및 듀플렉서를 구현할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능할 것이다.
Claims (10)
- 상면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제1 기판;상기 제1 기판의 공동부에 제1 에어갭을 형성하기 위해 상기 제1 기판 상부에 접합된 유전막층;상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성되는 적층공진부; 및하면의 소정영역에 공동부를 구비하고 상기 제1 기판과 접합되는 제2 기판; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator).
- 제 1항에 있어서,상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용하 는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR.
- 제 1항에 있어서,상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 박막필름을 소정 두께로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR.
- 제 1항에 있어서,상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 박막필름을 상기 제1 에어갭에 대응되는 소정영역만을 국부적으로 소정 두께로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR.
- 상면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제1 기판 상에 유전막을 적층하여 제1 에어갭을 형성하는 단계;상기 유전막층 상부표면에 적층공진부를 형성하는 단계; 및상기 제1 기판 및 하면의 소정영역에 공동부를 구비하는 제2 기판을 접합하여 제2 에어갭을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 제조 방법.
- 제 5항에 있어서,상기 적층공진부를 형성하는 단계는,상기 유전막층 상부표면의 소정영역에 하부전극을 증착하는 단계;상기 제1 기판의 공동부에 대응되는 상기 하부전극 상부 표면에 압전층을 증착하는 단계; 및상기 압전층의 상부 표면 및 상기 하부전극이 증착되지 않은 유전막층 소정영역의 상부표면에 상부전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR 제조 방법.
- 제 5항에 있어서,상기 제1 에어갭을 형성하는 단계에 있어 상기 유전막은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR 제조 방법.
- 제1 공진 주파수를 가지는 복수개의 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)이 직렬 연결되어 형성되는 제1 공진부;제2 공진 주파수를 가지며 상기 제1 공진부의 복수개의 FBAR과 병렬 연결되는 복수개의 FBAR로 형성되는 제2 공진부; 및상기 제2 공진부를 이루는 복수개의 FBAR에 각각 직렬 연결된 복수개의 인덕터를 포함하며,상기 제1 및 제2 공진부를 구성하는 각각의 FBAR은 상면에 복수개의 공동부를 구비하는 제1 기판 상부에 제1 에어갭을 형성하기 위해 상기 제1 기판 상부에 접합된 유전막층; 및상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성된 적층공진부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR 필터.
- 제 8항에 있어서,상기 유전막층은 액정고분자(LCP)로 형성된 소정 두께의 박막필름을 이용하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR 필터.
- 안테나를 통해 송신단자로 입력되는 신호를 송신하기 위한 제1 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 필터;상기 안테나를 통해 수신되는 신호가 수신단자로 입력되도록 하는 제2 FBAR 필터; 및상기 안테나와 상기 제2 필터 사이에 형성되고 송수신되는 신호의 위상을 변화시켜 상기 제1 필터와 상기 제2 필터에서 신호의 간섭을 방지하는 위상변화부;를 구비하며,상기 제1 및 제2 필터는 각각 서로 다른 소정의 공진주파수를 가지는 제1 및 제2 공진부를 구비하고, 상기 제1 및 제2 공진부에 형성되는 복수개의 FBAR 각각은 상면에 복수개의 공동부를 구비하는 제1기판 상부에 제1 에어갭을 형성하기 위해 상기 제1 기판 상부에 접합된 유전막층; 및상기 유전막층 상부에 하부전극/압전층/상부전극으로 형성된 적층공진부;를 구비하는 것을 특징으로 하는 에어갭형 FBAR 듀플렉서.
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