KR100489652B1 - Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing - Google Patents
Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing Download PDFInfo
- Publication number
- KR100489652B1 KR100489652B1 KR10-1998-0028995A KR19980028995A KR100489652B1 KR 100489652 B1 KR100489652 B1 KR 100489652B1 KR 19980028995 A KR19980028995 A KR 19980028995A KR 100489652 B1 KR100489652 B1 KR 100489652B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- circulation tank
- mixing
- tank
- manufacturing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼의 침지에 사용되는 화학물질을 순환시키면서 그에 포함된 효과적으로 이물질을 제거할 수 있는 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing foreign substances contained therein while circulating a chemical used for immersion of a wafer.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치는, 화학물질을 소정의 조성 및 농도로 혼합, 조절 및 순환시키는 혼합순환조(31), 공급라인(32)을 경유하여 상기 혼합순환조(31)에 연결된 다수의 액조(33, 34)들 및 상기 다수의 액조(33, 34)들과 상기 혼합순환조(31)를 재연결하는 제1회수라인(35)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 3, the mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a mixing circulation tank 31 and a supply line 32 for mixing, controlling, and circulating chemicals in a predetermined composition and concentration. A plurality of liquid tanks 33 and 34 connected to the mixing circulation tank 31 and a first recovery line 35 for reconnecting the plurality of liquid tanks 33 and 34 to the mixing circulation tank 31. It is configured to include.
따라서, 반도체장치의 제조를 위한 청정실 중에서 비교적 제한된 좁은 공간내에 설치되어도 효율적으로 침지공정을 수행할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 웨이퍼의 대구경화 및 반도체장치의 생산성을 위한 작업성 개선을 위한 복수의 액조(33, 34)의 설치 등의 현재 추세를 고려하여 볼 때 매우 효율적인 침지공정의 수행을 가능하게 하는 효과가 있다.Therefore, even when installed in a relatively limited narrow space in the clean room for manufacturing a semiconductor device, it is effective to perform the immersion process efficiently, and also a plurality of for improving the workability for the large diameter of the wafer and the productivity of the semiconductor device Considering the current trend, such as the installation of the liquid tanks 33 and 34, there is an effect that enables to perform a very efficient immersion process.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 웨이퍼의 침지에 사용되는 화학물질을 순환시키면서 그에 포함된 효과적으로 이물질을 제거할 수 있는 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device. More particularly, the present invention relates to a mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of effectively removing foreign substances contained therein while circulating a chemical used for immersion of a wafer.
반도체 산업에서는 목적물, 가령 웨이퍼의 표면의 세척, 포토레지스트의 제거 또는 습식식각 등과 같이 목적물을 화학물질 속에 침지시켜 화학물질로 처리하는 공정을 다수 포함하고 있으며, 여기에 사용되는 화학물질을 효과적으로 사용하기 위하여는 불량을 유발할 수 있는 이물질의 수준을 일정 수준 이하로 관리하여야 한다.The semiconductor industry includes many processes in which a target is immersed in a chemical and treated with a chemical, such as cleaning the surface of a wafer, removing a photoresist, or wet etching. To do this, the level of foreign substances that can cause defects should be controlled below a certain level.
그러나, 공정이 진행될수록, 즉 처리 단위가 증가할수록 공정에 사용된 화학물질에는 이물질의 농도가 높아지게 된다.However, as the process proceeds, that is, as the processing unit increases, the concentration of foreign substances in the chemicals used in the process increases.
한편, 최근에는 공정에 사용되는 화학물질 중에 포함되는 이물질을 계수할 수 있는 파티클카운터(Particle counter)가 개발되어 사용되면서 이들 화학물질 중의 이물질의 농도를 보다 정확하게 관리할 수 있게 되었다.On the other hand, in recent years, the particle counter (Particle counter) that can count the foreign substances contained in the chemicals used in the process has been developed and used, it is possible to more accurately manage the concentration of the foreign substances in these chemicals.
도 1에 나타낸 것과 같이 종래의 딥형 화학물질 침적장치는, 화학물질을 소정의 조성 및 농도로 혼합하고, 조절하는 혼합조(11)로부터 공급라인(12)을 경유하여 실질적으로 웨이퍼의 침지가 이루어지는 액조(13)로 공급되고, 공정의 수행 중 또는 수행 후, 방출라인(14)을 통하여 외부로 방출되도록 구성되며, 특히 혼합조(11)에서 액조(13)로 화학물질이 공급라인(12)을 경유하여 공급될 때, 화학물질은 상기 공급라인(12)에 취부된 필터(121)를 경유하여 공급되어 화학물질 중에 포함된 이물질을 여과하면서 액조(13)로 공급되도록 구성되어 있다. 이 경우 화학물질이 1회 사용되고 즉시로 방출되기 때문에 액조(13)내의 화학물질의 이물질 농도는 낮은 수준으로 관리될 수 있는 장점이 있기는 하나, 화학물질의 소모량이 심하여, 비효율적이며, 특히 대량의 폐기 화학물질을 발생시켜 환경적인 측면에서도 바람직하지 못하다는 단점이 있다.As shown in FIG. 1, the conventional dip chemical deposition apparatus substantially immerses a wafer via a supply line 12 from a mixing tank 11 that mixes and regulates chemicals to a predetermined composition and concentration. It is supplied to the liquid tank 13, and is configured to be discharged to the outside through the discharge line 14 during or after the performance of the process, in particular the chemical supply line 12 from the mixing tank 11 to the liquid tank 13 When supplied via the chemicals, the chemicals are supplied via the filter 121 attached to the supply line 12 to be supplied to the liquid tank 13 while filtering foreign substances contained in the chemicals. In this case, because the chemical is used once and is released immediately, the foreign substance concentration of the chemical in the liquid tank 13 can be managed at a low level, but the consumption of the chemical is severe and inefficient, especially in large quantities. It generates disadvantageous chemicals, which are undesirable from an environmental point of view.
한편, 이를 개선한 것으로서, 도 2에 도시한 바와 같은 순환형 웨이퍼 침지장치가 개발되어 현재 널리 사용되고 있다. 이는 화학물질을 소정의 조성 및 농도로 혼합하고, 조절하는 혼합조(21), 공급라인(22)을 경유하여 상기 혼합조(21)에 연결된 액조(23), 제1회수라인(24)을 경유하여 상기 액조(23)에 연결되어 액조(23)내의 화학물질을 수용하고, 순환시키면서 여과하는 순환조(25)를 포함하여 구성된다. 따라서, 상기 혼합조(21)내의 화학물질은 공급라인(22)을 경유하면서 상기 공급라인(22)에 취부된 제1펌프(221)와 제1필터(222)를 통하여 가압, 여과되어 실질적으로 공정이 수행되는 상기 액조(23)로 공급되고, 일단 액조(23)에 공급된 화학물질은 상기 액조(23)내에서 웨이퍼와 접촉하여 공정을 수행하고, 계속해서 오버플로우에 의하여 일부가 분리되어 배출부(231)와 그에 연결된 제1회수라인(24)을 통하여 순환조(25)로 회수된다. 순환조(25)에는 제2순환라인(251)이 형성되어 있으며, 이 제2순환라인(251)에 취부된 제2펌프(252)에 의하여 순환되고, 제2필터(253)에 의하여 여과되어 이물질이 제거된 후, 다시 순환조(25)로 공급되어 저장될 수 있으며, 순환조(25)내의 화학물질은 상기 제1펌프(221) 및 제1필터(222)를 경유하여 다시 상기 액조(23)로 공급되어 재사용될 수 있다.On the other hand, as an improvement, a circular wafer immersion apparatus as shown in FIG. 2 has been developed and is currently widely used. This is a liquid tank 23, the first recovery line 24 connected to the mixing tank 21 via the mixing tank 21, the supply line 22 to mix and adjust the chemical to a predetermined composition and concentration It is configured to include a circulation tank 25 connected to the liquid tank 23 via the liquid tank 23 to receive and circulate chemicals in the liquid tank 23. Accordingly, the chemicals in the mixing tank 21 are pressurized and filtered through the first pump 221 and the first filter 222 attached to the supply line 22 while passing through the supply line 22. The process is supplied to the liquid tank 23 to be carried out, once the chemical substance supplied to the liquid tank 23 is in contact with the wafer in the liquid tank 23 to perform the process, and part of it is subsequently separated by overflow The discharge unit 231 is recovered to the circulation tank 25 through the first recovery line 24 connected thereto. A second circulation line 251 is formed in the circulation tank 25, circulated by the second pump 252 attached to the second circulation line 251, and filtered by the second filter 253. After the foreign matter is removed, it can be supplied to the circulation tank 25 and stored again, and the chemicals in the circulation tank 25 are again returned to the liquid tank via the first pump 221 and the first filter 222. 23) and can be reused.
상기 액조(23)와 상기 순환조(25) 사이에는 제2회수라인(26)이 더 연결되어 상기 액조(23)내의 화학물질을 일시에 제거하여 상기 순환조(25)로 회수할 수도 있다.A second recovery line 26 may be further connected between the liquid tank 23 and the circulation tank 25 to remove chemicals in the liquid tank 23 at once and recover them to the circulation tank 25.
또한, 상기 혼합조(21)에도 자체적으로 순환여과가 가능하도록 제1순환라인(211)이 더 연결되며, 이 제1순환라인(211)에는 상기 혼합조(21)내의 화학물질의 순환과 여과를 위한 제2펌프(212)와 제2필터(213)이 취부된다.In addition, the first circulation line 211 is further connected to the mixing tank 21 so as to allow circulation filtration itself, and the first circulation line 211 is circulated and filtered of the chemicals in the mixing tank 21. The second pump 212 and the second filter 213 is mounted for.
상기 액조(23)와 상기 순환조(25) 사이에는 제2회수라인(26)이 더 연결되어 상기 액조(23)내의 화학물질을 일시에 제거하여 순환조(25)로 회수할 수도 있다.A second recovery line 26 may be further connected between the liquid tank 23 and the circulation tank 25 to remove the chemicals in the liquid tank 23 at once and recover the circulation tank 25.
이러한 구성을 갖는 종래의 순환형 웨이퍼 침지장치는, 도 2에도 나타난 바와 같이, 실질적으로 공정이 수행되는 매 액조(23)마다 그에 직결되는 혼합조(21)와 순환조(25) 및 이들을 서로 연결하는 라인들 그리고 그 라인들에 취부되는 다수의 펌프 및 필터들을 포함하기 때문에 대량생산을 위하여 다수의 액조(23)가 필요한 경우, 상당히 넓은 공간을 차지하여야만 소정의 이물질 농도를 유지하면서 침지공정을 수행할 수 있으며, 이를 위하여는 그 설치 및 유지에 많은 노력과 시간 및 비용이 소요되는 청정실의 상당한 공간을 차지하는 문제점이 있었다.In the conventional circulation type wafer immersion apparatus having such a configuration, as shown in FIG. 2, the mixing tank 21 and the circulation tank 25 directly connected to each of the liquid tanks 23 in which the process is performed are connected to each other. In the case where a large number of liquid tanks 23 are required for mass production because they include a plurality of lines and a plurality of pumps and filters attached to the lines, the immersion process is performed while maintaining a predetermined foreign matter concentration only when a large amount of the liquid tank 23 is required. To do this, there was a problem that occupies a considerable amount of space in the clean room, which takes a lot of effort, time and cost to install and maintain.
본 발명의 목적은 다수의 액조들에 사용되는 화학물질을 공급하고, 여과를 위하여 순환시키는 데 필요한 각종 조들을 하나의 혼합순환조에 연결하여 청정실내에서 차지하는 공간을 줄이면서도 화학물질 중의 이물질의 농도를 충분히 낮은 수준으로 유지할 수 있도록 한 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to supply the chemicals used in a plurality of liquid tanks, and to connect the various tanks necessary for circulating for filtration to one mixed circulation tank to reduce the concentration of foreign matter in the chemical while reducing the space occupied in the clean room The present invention provides a mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device that can be maintained at a sufficiently low level.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치는, 화학물질을 소정의 조성 및 농도로 혼합, 조절 및 순환시키는 혼합순환조, 공급라인을 경유하여 상기 혼합순환조에 연결된 다수의 액조들 및 상기 다수의 액조들과 상기 혼합순환조를 재연결하는 제1회수라인을 포함하여 구성된다.The mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a mixing circulation tank for mixing, controlling, and circulating chemicals in a predetermined composition and concentration, a plurality of liquid tanks connected to the mixing circulation tank via a supply line, and the plurality of liquid tanks. And a first recovery line for reconnecting the liquid tanks and the mixed circulation tank.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치는, 화학물질을 소정의 조성 및 농도로 혼합, 조절 및 순환시키는 혼합순환조(31), 공급라인(32)을 경유하여 상기 혼합순환조(31)에 연결된 다수의 액조(33, 34)들 및 상기 다수의 액조(33, 34)들과 상기 혼합순환조(31)를 재연결하는 제1회수라인(35)을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.As shown in FIG. 3, the mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a mixing circulation tank 31 and a supply line 32 for mixing, controlling, and circulating chemicals in a predetermined composition and concentration. A plurality of liquid tanks 33 and 34 connected to the mixing circulation tank 31 and a first recovery line 35 for reconnecting the plurality of liquid tanks 33 and 34 to the mixing circulation tank 31. Characterized in that configured to include.
따라서, 우선 상기 혼합순환조(31)로 원료가 되는 화학물질들이 유량제어밸브(301)가 취부되어 그 속을 통과하는 화학물질의 통과량을 조절할 수 있는 화학물질공급라인(30)을 경유하여 상기 혼합순환조(31)로 공급되면 여기에서 침지공정에 적절한 조성 및 농도로 혼합 및 조절이 이루어진다. 혼합된 화학물질은 공급라인(32)에 취부된 제1펌프(321)에 의하여 공급라인(32)을 경유하여 제1액조(33) 및 제2액조(34) 등으로 표시된 다수의 액조들에 공급된다. 액조(33, 34)에 공급된 화학물질은 상기 액조(33, 34)내에서 웨이퍼와 접촉하여 공정을 수행하고, 계속해서 오버플로우에 의하여 일부가 분리되어 제1액조(33)의 제1배출부(331) 및 제2액조(34)의 제2배출부(341)에 연결된 제1회수라인(35)을 통하여 상기 혼합순환조(31)로 회수된다. 따라서, 재차 공급라인(32)을 통하여 상기 제1액조(33) 또는 제2액조(34)로 화학물질을 재공급할 때 상기 공급라인(32)에 취부된 제1필터(322)에 의하여 여과되어 이물질이 제거되면서 상기 다수의 액조(33, 34)들로 화학물질을 공급하는 과정에서 자동적으로 이물질이 여과에 의하여 제거되면서 공급될 수 있으며, 또한 상기 혼합순환조(31)로는 사용하지 않은 새로운 화학물질들이 공급되기 때문에 여과 및 희석효과에 의하여 이물질의 농도가 낮은 상태로 유지할 수 있다.Therefore, first of all, the chemicals that are used as raw materials in the mixing circulation tank 31 are provided with a flow rate control valve 301 through a chemical supply line 30 which can adjust the passage amount of the chemicals passing therethrough. When supplied to the mixing circulation tank 31 is mixed and adjusted to the composition and concentration suitable for the immersion process. The mixed chemicals are supplied to the plurality of liquid tanks represented by the first liquid tank 33, the second liquid tank 34, and the like via the supply line 32 by the first pump 321 attached to the supply line 32. Supplied. The chemicals supplied to the liquid tanks 33 and 34 are in contact with the wafer in the liquid tanks 33 and 34 to perform a process, and partly separated by an overflow, so that the first discharge of the first liquid tank 33 is performed. Through the first recovery line 35 connected to the second discharge portion 341 of the portion 331 and the second liquid tank 34 is recovered to the mixed circulation tank (31). Therefore, when the chemical material is resupplied to the first liquid tank 33 or the second liquid tank 34 through the supply line 32 again, it is filtered by the first filter 322 attached to the supply line 32. In the process of supplying the chemicals to the plurality of liquid tanks 33 and 34 while the foreign matters are removed, the foreign matters may be supplied while being removed by filtration, and the new chemical which is not used as the mixed circulation tank 31 is also used. Since the substances are supplied, the concentration of foreign substances can be kept low due to the filtration and dilution effect.
더욱이, 상기 혼합순환조(31)에는 상기 제1회수라인(35)과 공급라인(32)에 의한 상기 액조(33, 34)를 경유하는 순환 이외에도 별도의 순환라인(37)이 더 연결될 수 있으며, 이 순환라인(37)에는 화학물질의 순환을 위한 제2펌프(371)와 순환 중의 화학물질의 여과를 위한 제2필터(372)가 취부된다. 따라서, 침지공정 중 또는 공정 중단 중에도 상기 순환라인(37)에 의한 화학물질의 순환과 순환 중의 상기 제2필터(372)에 의한 이물질의 여과가 가능하며, 그에 따라 항상 상기 혼합순환조(31)내의 화학물질의 이물질 농도를 소정의 수준으로 유지할 수 있다.In addition, a separate circulation line 37 may be further connected to the mixing circulation tank 31 in addition to the circulation via the liquid tanks 33 and 34 by the first recovery line 35 and the supply line 32. In this circulation line 37, a second pump 371 for circulating chemicals and a second filter 372 for filtration of chemicals in circulation are mounted. Accordingly, the circulation of the chemicals by the circulation line 37 and the filtering of the foreign substances by the second filter 372 during the circulation are possible even during the immersion process or the process stop, and thus the mixing circulation tank 31 is always available. It is possible to maintain the foreign matter concentration of the chemical in the predetermined level.
상기 다수의 액조(33, 34)들과 상기 혼합순환조(31) 사이에는 제2회수라인(36)이 더 연결되어 상기 액조(33, 34)내의 화학물질을 일시에 제거하여 상기 혼합순환조(31)로 회수할 수도 있다.A second recovery line 36 is further connected between the plurality of liquid tanks 33 and 34 and the mixed circulation tank 31 to temporarily remove chemicals in the liquid tanks 33 and 34 to temporarily remove the mixed circulation tank. It can also collect | recover in (31).
상기 순환라인(37)에는 적절한 이물질의 농도의 관리와 화학물질의 적절한 농도유지를 위하여 파티클카운터(40) 및 농도측정기(41)가 더 취부될 수 있다.In the circulation line 37, a particle counter 40 and a concentration meter 41 may be further mounted to manage appropriate concentrations of foreign substances and maintain appropriate concentrations of chemicals.
상기 파티클카운터(40) 및 농도측정기(41)는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 상용적으로 구입하여 사용할 수 있을 정도로 공지된 것으로 이해될 수 있는 것들이다.The particle counter 40 and the concentration meter 41 are those that can be understood to be well known to those skilled in the art can be easily purchased and used commercially.
상기 혼합순환조(31)에는 상한수위센서(311)와 하한수위센서(312)가 취부될 수 있으며, 이들 상한수위센서(311)와 하한수위센서(312)에 의하여 상기 혼합순환조(31)의 내부에는 일정한 양의 화학물질이 유지될 수 있도록 한다.An upper limit water level sensor 311 and a lower limit water level sensor 312 may be mounted on the mixing circulation tank 31, and the mixing circulation tank 31 may be installed by the upper limit water level sensor 311 and the lower limit water level sensor 312. To ensure that a certain amount of chemicals are maintained inside the chamber.
상기 혼합순환조(31)에는 상기한 수위센서들 이외에도 통상의 온도센서(313)들이 취부될 수 있으며, 또한 화학물질의 완전한 배출을 위한 방출라인(38) 및 혼합순환조(31)내로 과다한 양의 화학물질이 유입되는 경우 이를 적절히 배출할 수 있는 오버플로우관(39)이 더 연결될 수 있다.In addition to the above-mentioned water level sensors, the mixing circulation tank 31 may be equipped with conventional temperature sensors 313, and an excessive amount into the discharge line 38 and the mixing circulation tank 31 for complete discharge of chemicals. If the chemicals of the inflow can be further connected to the overflow pipe 39 can be properly discharged.
따라서, 상기한 바와 같은 구성에 의하여 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치는 반도체장치의 제조를 위한 청정실 중에서 비교적 제한된 좁은 공간내에 설치되어도 효율적으로 침지공정을 수행할 수 있는 효과가 있으며, 또한, 웨이퍼의 대구경화 및 반도체장치의 생산성을 위한 작업성 개선을 위한 복수의 액조들의 설치 등의 현재 추세를 고려하여 볼 때 매우 효율적인 침지공정의 수행을 가능하게 하는 효과가 있다.Therefore, the mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention has the effect of performing the immersion process efficiently even when installed in a relatively limited narrow space in a clean room for manufacturing a semiconductor device. In view of the current trends such as the large diameter of wafers and the installation of a plurality of liquid baths for improving workability for productivity of semiconductor devices, there is an effect of enabling a very efficient immersion process.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도 1은 종래의 반도체장치 제조용 딥형 웨이퍼 침지장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a block diagram schematically illustrating a conventional dip type wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device.
도 2는 종래의 반도체장치 제조용 순환형 웨이퍼 침지장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.FIG. 2 is a schematic view showing a conventional circular wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device.
도 3은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 혼합형 웨이퍼 침지장치를 개략적으로 도시한 구성도이다.3 is a schematic view showing a mixed wafer immersion apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing
11 : 혼합조 12 : 공급라인11 mixing tank 12 supply line
13 : 액조 14 : 방출라인13 liquid tank 14 discharge line
21 : 혼합조 22 : 공급라인21: mixing tank 22: supply line
23 : 액조 24 : 제1회수라인 23: liquid tank 24: first recovery line
25 : 순환조 26 : 제2회수라인 25: circulation tank 26: second recovery line
30 : 화학물질공급라인 31 : 혼합순환조30: chemical supply line 31: mixed circulation tank
32 : 공급라인 33 : 제1액조32: supply line 33: the first liquid tank
34 : 제2액조 35 : 제1회수라인34: 2nd liquid tank 35: 1st recovery line
36 : 제2회수라인 37 : 순환라인36: second recovery line 37: circulation line
38 : 방출라인 39 : 오버플로우관38 discharge line 39 overflow tube
40 : 파티클카운터 41 : 농도측정기40: particle counter 41: concentration measuring instrument
121 : 필터 211 : 제1순환라인121: filter 211: first circulation line
212 : 제2펌프 213 : 제2필터212: second pump 213: second filter
221 : 제1펌프 222 : 제1필터221: first pump 222: first filter
231 : 배출부 251 : 제2순환라인231: discharge part 251: second circulation line
252 : 제3펌프 253 : 제3필터252: third pump 253: third filter
301 : 유량제어밸브 311 : 상한수위센서301: flow control valve 311: upper limit water level sensor
312 : 하한수위센서 313 : 온도센서312 lower limit water level sensor 313 temperature sensor
321 : 제1펌프 322 : 제1필터321: first pump 322: first filter
331 : 제1배출부 341 : 제2배출부331: first discharge unit 341: second discharge unit
371 : 제2펌프 372 : 제2필터371: second pump 372: second filter
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0028995A KR100489652B1 (en) | 1998-07-18 | 1998-07-18 | Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0028995A KR100489652B1 (en) | 1998-07-18 | 1998-07-18 | Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000008912A KR20000008912A (en) | 2000-02-15 |
| KR100489652B1 true KR100489652B1 (en) | 2005-08-01 |
Family
ID=19544543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1998-0028995A KR100489652B1 (en) | 1998-07-18 | 1998-07-18 | Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100489652B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240111706A (en) | 2023-01-10 | 2024-07-17 | 형진랜드주식회사 | Soil support structure |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639124A (en) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor etching apparatus |
| JPH0521415A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | Semiconductor processor |
| JPH09219386A (en) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning equipment |
| KR19990065084A (en) * | 1998-01-07 | 1999-08-05 | 윤종용 | Photoresist removing device for semiconductor device manufacturing |
| KR100273204B1 (en) * | 1993-12-04 | 2000-12-15 | 김영환 | Filter cleaning apparatus for wet-station |
-
1998
- 1998-07-18 KR KR10-1998-0028995A patent/KR100489652B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639124A (en) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Nissan Motor Co Ltd | Semiconductor etching apparatus |
| JPH0521415A (en) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | Semiconductor processor |
| KR100273204B1 (en) * | 1993-12-04 | 2000-12-15 | 김영환 | Filter cleaning apparatus for wet-station |
| JPH09219386A (en) * | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Ltd | Cleaning equipment |
| KR19990065084A (en) * | 1998-01-07 | 1999-08-05 | 윤종용 | Photoresist removing device for semiconductor device manufacturing |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20240111706A (en) | 2023-01-10 | 2024-07-17 | 형진랜드주식회사 | Soil support structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000008912A (en) | 2000-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5855792A (en) | Rinse water recycling method for semiconductor wafer processing equipment | |
| US20180358241A1 (en) | Substrate treating apparatus and methods | |
| KR100489652B1 (en) | Hybrid wafer immersion apparatus for semiconductor device manufacturing | |
| JP3538470B2 (en) | Downward rectification type immersion cleaning device | |
| KR100441249B1 (en) | Toc measure apparatus for a semiconductor device fabrication installation and toc measure method for using the apparatus | |
| KR100801656B1 (en) | Method for supplying treating liquid | |
| US6488039B1 (en) | State of the art constant flow device | |
| KR100598914B1 (en) | System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system | |
| JP2000183024A (en) | Substrate-processing apparatus | |
| KR0174986B1 (en) | Liquid Circulation System of Semiconductor Process | |
| KR100794585B1 (en) | Apparatus and method for wet cleaning | |
| KR20060030689A (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| KR20050003896A (en) | Cleaning solution circulation apparatus in semiconductor manufacturing equipment | |
| TWI830345B (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| KR100683273B1 (en) | Apparatus for supplying chemical liquor | |
| JPH07218186A (en) | Method and apparatus for treating circulating cooling water | |
| JPH08167546A (en) | Wet treatment device | |
| KR100694571B1 (en) | Method and apparatus for chemical filter cleaning | |
| KR100187443B1 (en) | Chemical recycling apparatus for semiconductor process | |
| KR100872887B1 (en) | Substrate processing apparatus being capable of using multiple chemicals | |
| JP2000093906A (en) | Apparatus for producing semiconductor | |
| KR20240076451A (en) | Wastewater treatment apparatus and method for cleaning the apparatus | |
| JP3673400B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| KR100874902B1 (en) | Liquid supply unit and substrate processing apparatus including the same | |
| JPH0831789A (en) | Surface treatment apparatus for substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |