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KR100467943B1 - 유기 전계발광소자와 그 제조방법 - Google Patents

유기 전계발광소자와 그 제조방법 Download PDF

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KR100467943B1
KR100467943B1 KR10-2001-0087398A KR20010087398A KR100467943B1 KR 100467943 B1 KR100467943 B1 KR 100467943B1 KR 20010087398 A KR20010087398 A KR 20010087398A KR 100467943 B1 KR100467943 B1 KR 100467943B1
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Abstract

본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 특히 균일한 휘도를 가지는 유기전계 발광소자의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.
상세히 설명하면, 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 발광부를 전압인가배선(power line)과 구동용 박막트랜지스터의 드레인전극 사이에 구성한다.
이와 같이 하면, 구동용 박막랜지스터 통해 발광부에 전류를 공급받는 것보다는 안정된 전류 공급이 이루어지며, 이로 인해 각 화소마다 균일한 휘도를 가지는 유기전계 발광소자를 제작할 수 있다.

Description

유기 전계발광소자와 그 제조방법{The organic electroluminescence device and method of fabricating the same}
본 발명은 유기전계 발광소자에 관한 것으로 특히, 안정된 전류구동을 통해 균일한 화질을 가지는 유기전계 발광소자의 구성과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자는 전자(electron) 주입전극(cathode)과 정공(hole) 주입전극(anode)으로부터 각각 전자(electron)와 정공(hole)을 발광층 내부로 주입시켜, 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 결합한 엑시톤(exciton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광하는 소자이다.
이러한 원리로 인해 종래의 박막 액정표시소자와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 소자의 부피와 무게를 줄일 수 있는 장점이 있다.
상기 유기전계 발광소자를 구동하는 방식은 수동 매트릭스형(passive matrix type)과 능동 매트릭스형(active matrix type)으로 나눌 수 있다.
상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자는 그 구성이 단순하여 제조방법 또한 단순 하나 높은 소비전력과 표시소자의 대면적화에 어려움이 있으며, 배선의 수가 증가하면 할 수록 개구율이 저하되는 단점이 있다.
따라서, 소형의 표시소자에 적용할 경우에는 상기 수동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 사용하는 반면, 대면적의 표시소자에 적용할 경우에는 상기 능동매트릭스형 유기전계 발광소자를 사용한다.
이하, 도 1은 스위칭 소자와 구동소자로 구성된 유기전계 발광소자의 한 화소에 대한 등가 회로도이다.
도시한 바와 같이, 기판(10)상에 서로 소정간격 이격하여 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(12)과, 상기 게이트 배선(12)과 평행하게 소정간격 이격하여 전압인가배선(9)이 구성되며, 상기 게이트배선(12)과 전압인가배선(9)의 상부에 위치하고 서로 소정간격 이격 하여 일 방향으로 구성된 다수의 데이터배선(14)이 교차하여 구성된다.
상기 두 배선이 교차하여 정의되는 영역을 화소라 한다.
이때, 상기 단일 화소는 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)와 스토리지부(S)로 구성되며, 상기 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)로 게이트전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)를 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 스위칭 소자(T1)의 게이트전극은 상기 게이트배선(12)과 연결되어 있고, 상기 소스전극은 상기 데이터배선(14)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 스위칭 소자(T1)의 드레인전극은 상기 구동 소자(T2)의 게이트전극과 전기적으로 연결하여 구성한다.
상기 화소에는 상기 구동소자의 드레인전극과 접촉하는 제 1 전극(anode)과, 상기 제 1 전극의 상부에 구성된 제 2 전극(cathode)과 발광체인 유기막을 구성하여 PN접한 다이오드인 발광부(D)를 형성하는데, 상기 제 1 전극은 홀(hole)주입전극으로 상기 구동 소자(T2)의 드레인전극과 전기적으로 연결한다.
상기 구동소자(T2)의 소스전극은 상기 전압인가배선(9)과 전기적으로 연결된다.
상기 스위칭 소자(T1)의 신호에 의해 상기 구동소자가 동작하게 되며, 상기구동소자의 동작으로 인해 상기 발광부(D)의 제 1 전극을 통해 신호전류가 흐르게 된다.
이와 같은 구성에서, 상기 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)는 상기 스토리지부(S)와 연결하여 구성하며, 신호의 손실이 발생하였을 경우 상기 스토리지부(S)로 부터 보상받도록 한다
즉, 화소에 인가된 전압이 스토리지부(S)에 충전되어 있어, 그 다음 프레임(frame) 신호가 인가될 때까지 전원을 인가해 주도록 함으로써, 주사선의 수에 관계없이 한 화면 동안 계속해서 구동한다.
전술한 구성에서, 상기 발광부(D)를 구동하는 전류는 상기 발광부(D)의 저항 변화에 의한 발광부의 전압변화에 의해 상기 구동박막트랜지스터에서의 전압상승이 변화함에 따라 전류의 변화가 발생하는 특성이 있다.
종래에는 상기 스위칭 소자(T1)와 구동 박막트랜지스터(T2)로 P-타입 폴리실리콘을 액티브층으로 사용한 박막트랜지스터를 사용하였다.
그러나, 상기 폴리실리콘을 레이저 결정화 방법으로 만드는 방법은 화질의 균일도에 많은 문제를 가져왔다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 도 1에 도시한 2개의 트랜지스터를 이용한 구성 이외에도 4개의 트랜지스터를 이용한 많은 보상 방법들을 제시되고 있으나, 상기 4개의 트랜지스터를 제작하는 공정은 수율 저하에 많은 영향을 주게 된다. 또한 결정화 공정을 이용함으로써 공정수의 증가로 인한 생산비용을 증가하도록 한다.
이러한 문제점들을 해결하기 위해 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 사용한 방법이 한국특허 "P99-39695"에 제안되고 있다.
이하, 도 2는 도 1의 A를 확대한 도면으로 N형 비정질 실리콘을 구동 박막트랜지스터로 구성한 도면이다.
일반적으로, 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자에 사용되는 구동 박막트랜지스터는 동작 특성상 포화영역(saturation)에서 사용된다.
이는 유기전계 발광소자에 안정적인 전류를 공급하기 위함이다.
도시한 바와 같이 n타입 박막트랜지스터(T2)일 경우는 포화영역에서 사용하기 위해, 상기 구동박막트랜지스터에 인가되는 게이트-소스전압(VGS)에서 상기 구동전압의 문턱전압(Vth)을 감한 값이 드레인-소스전압(VDS)보다 작아야 한다.
그런데, 상기 발광소자(D)의 열화에 의해 상기 발광부의 저항이 바뀌게 되고 이에 따라 상기 발광소자의 전압(VEL)이 바뀌게 된다.
상기 발광소자(D)의 전압이 바뀌게 되면 상기 구동 박막트랜지스터(T2)에 걸리는 전압 또한 바뀌게 되기 때문에, 상기 발광소자(D)에 인가되는 전류를 일정하게 하기 위해서는 상기 구동소자(T2)의 VDS와 VGS가 계속 바뀌어야 하기 때문에 구동상 문제점을 가진다.
또한, 상기 발광소자(D)를 구동 박막트랜지스터(T2)의 드레인전극에 연결하는 구성임으로, 상기 발광부의 열화에 의해 높은 전압이 발생하게 된다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터(T2)에 걸리는 전압을 항상 일정하기 때문에, 상기 발광소자(D)에서 필요한 전압만큼 더 큰 전압을 인가하기 위해서는, 상기 데이터 배선(도1의 14)으로부터 상기 발광소자에서 필요한 전압만큼 더 큰 전압을 인가해야 한다.
이와 같은 경우에는 상기 데이터 배선(14)을 구동하기 위한 새로운 구동 IC를 개발해야한 하는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 안출된 것으로, 유기전계 발광부를 상기 구동 박막트랜지스터와 전압인가 라인(power line) 사이에 구성하는 것이다.
이와 같이 하면, 상기 발광부에 열화가 발생하여 전압의 변동이 발생하더라도, 상기 구동 박막트랜지스터는 문턱전압값 이상의 전압만을 유지하면 되므로, 상기 유기전계 발광부의 구동전압 상승에 따른 새로운 구동 회로를 개발할 필요가 없고, 또한 상기 유기발광 소자에 의해 발생되는 상기 구동박막트랜지스터의 게이트 전압이 변화하는 문제점을 줄일 수 있다.
도 1은 종래의 유기전계 발광소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이고,
도 2는 도 1의 A를 확대한 도면이고,
도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이고,
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조방법을 공정 순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트배선
104 : 데이터배선 106 : 파워라인
T1 : 스위칭 소자 T2 : 구동소자
전술한 바와 같은 목적을 해결하기 위한 본 발명에 따른 유기전계 발광소자는 다수의 화소를 정의한 투명한 제 1 기판과; 상기 제 1 기판의 가로방향으로 구성된 다수의 게이트배선과; 상기 게이트배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과; 상기 게이트 배선과 소정간격 이격된 전압인가 배선과; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되고 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭 소자와; 상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 구성된 액티브층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극은 그라운드와 접지된 것이 특징인 구동소자와; 상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소에 구성된 전자 주입전극인 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 상부에 구성되고 상기 파워라인과 접촉한 홀 주입전극인 제 2 전극과; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하고, 전계가 인가되면 상기 제 1 전극으로부터 주입된 전자와 상기 제 2 전극으로부터 주입된 홀이 결합하면서 빛을 발광하는 발광층을 포함한다.
상기 발광층과 상기 제 1 전극 사이에는 전자 수송층이 구성되고, 상기 발광층과 제 2 전극 사이에는 홀 수송층이 더욱 구성한다.
상기 제 1 전극은 칼슘, 알루미늄, 마그네슘을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 물질그룹 중 선택된 하나로 형성하고, 상기 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide)를 포함한 일 함수가 큰 투명 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.
본 발명의 특징에 따른 유기전계 발광소자 제조방법은 다수의 화소를 정의한 투명한 제 1 기판 상에 다수의 게이트배선과, 상기 게이트 배선과 평행하게 소정간격 이격된 전압인가 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계와; 상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 액티브층과 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극은 그라운드(ground)와 접지되는 구동소자를 형성하는 단계와; 상기 구동소자의 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 전자 주입전극인 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상부에 전계에 의해 빛을 발광하는 발광층을 형성하는 단계와; 상기 발광층의 상부에 상기 전압인가 배선과 접촉한 홀 주입전극인 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명의 특징은 유기전계 발광소자를 구성하는 유기전계 발광부를 구동소자의 드레인전극과 전압인가 배선 사이에 구성하는 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 한 화소에 해당하는 등가회로도이다.
기판(100)상에 서로 소정간격 이격하여 일 방향으로 구성된 다수의 게이트배선(102)과, 상기 게이트배선(102)의 상부에 위치하고 서로 소정간격 이격하여 일 방향으로 구성된 다수의 데이터배선(104)이 교차하여 구성된다.
상기 두 배선이 교차하여 정의되는 영역을 화소(P)라 한다.
이때, 상기 단일 화소는 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)와 스토리지부(Stg)로 구성되며, 상기 스위칭 소자(T1)와 구동 소자(T2)로 게이트전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 사용한다.
전술한 구성에서, 상기 스위칭 소자(T1)의 게이트전극(G)은 상기게이트배선(102)과 연결되어 있고, 상기 소스전극(S)은 상기 데이터배선(104)과 전기적으로 연결되어 있다.
상기 스위칭 소자(T1)의 드레인전극(D)은 상기 구동 소자(T2)의 게이트전극(G)과 전기적으로 연결하여 구성한다.
상기 스위칭 소자(T1)의 신호에 의해 상기 구동소자가 동작하게 되면, 상기 발광부(LED)에 먼저 신호전류가 흐르게 된다.
전술한 구성의 특징은 상기 유기전계 발광부(LED)는 상기 구동소자(T2)와 전압인가 배선(106) 사이에 구성하는 것이며, 이때 상기 구동소자의 소스 전극(S)은 그라운드(GND)와 접지되고 있는 것이 특징이다.
전술한 바와 같은 등가회로를 가지는 본 발명에 따른 유기전계 발광소자의 제조공정을 이하 도 4a 내지 도 4c참조하여 설명한다.
(도 4의 공정은 상기 등가회로도의 구성 중 구동소자와 발광부를 나타낸다.)
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 투명한 플라스틱 기판 또는 유리기판(100)상에 박막트랜지스터(T)어레이를 구성한다.
상기 박막트랜지스터(T)어레이의 대략적인 구성은 다수의 화소(P)와, 화소(P)의 일 측에는 스위칭 소자(미도시)와, 스위칭 소자의 신호에 따라 화소(P)를 구동하는 구동소자(T2)로 구성된다.
상기 스위칭 소자와 구동 소자는 게이트전극(102)과 소스전극 및 드레인전극(116,114)과 액티브층(108)으로 이루어진 박막트랜지스터(T)를 사용한다.
상기 게이트 전극(102)은 알루미늄(Al), 알루미늄합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr)을 포함한 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여 형성한다.
상기 액티브층(108)은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)을 증착한 후 패턴하여 형성하며, 상기 액티브층(108)의 상부에는 불순물 비정질 실리콘(n+ 또는 p+ a-Si:H)을 증착하고 패턴한 오믹 콘택층(109)을 형성한다.
상기 오믹콘택층(109)의 상부에는 전술한 바와 같은 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여 소스전극(116)과 드레인전극(114)을 형성한다.
전술한 바와 같은 방법으로, 기판 상에 다수의 박막트랜지스터(T2)를 형성한다.
다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 박막트랜지스터(T2)가 형성된 기판(100)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 보호막(118)을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극(114)의 일부를 노출하는 드레인콘택홀(120)을 형성한다.
다음으로, 보호막(118)이 형성된 기판의 전면에 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg)을 포함한 일 함수(work function)가 낮은 도전성 금속물질을 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(114)과 접촉하면서 화소영역(P)에 형성된 제 1 전극(122)을 형성한다.
다음으로, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 전극(122)의 상부에는 다층의 유기막(124)을 형성한다.
상기 유기막(124)은 상기 제 1 전극(122)과 접촉한 전자 수송층(EL)(124a)과, 제 2 전극(126)과 접촉하는 홀 수송층(Hole Transporting Layer : HTL)(124b)과 , 상기 홀 수소층(124b)과 전자 수송층(124a)사이에서 빛을 발광하는 전계발광 유기막(이하 "발광층"이라 칭함)(124c)으로 구성한다.
전술한 바와 같은 구조로 유기막(124)을 구성하게 되면, 양자효율(photon out per charge injected)을 높일 수 있고, 캐리어(carrier)들이 직접 주입되지 않고 수송층 통과의 2단계 주입과정을 통해 구동전압을 낮출 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 발광층(124b)에 주입된 전자(electron)와 홀(hole)이 발광층을 거쳐 반대편 전극으로 이동시 반대편 수송층에 막힘으로써 재결합 조절이 가능하다. 이를 통해 발광효율을 향상시킬 수 있다.
이를 통해 소자의 발광효율을 증가시킬 수 있게 된다.
상기 제 2 전극(anode)(126)은 홀 주입을 위한 전극으로 일 함수(work function)가 높고 발광된 빛이 소자 밖으로 나올 수 있도록 투명한 금속 산화물을 사용하며, 가장 널리 사용되는 홀 주입전극으로는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : 이하"ITO"라 칭함)를 사용한다.
전술한 구성에서, 본 발명은 종래와는 달리 구동소자와 전압인가배선(power line)사이에 발광부가 위치하는 구성이다.
이와 같은 구성은 상기 다층의 유기막에 열화가 발생하여, 상기 유기막의 저항 변화에 의한 전압의 변화가 발생하더라도, 상기 구동 박막트랜지스터의 전압 변화에 의한 박막트랜지스터의 구동전압 상승이 필요치 않다.
따라서, 상기 구동소자의 게이트 전압에 높은 전압을 인가하기 위해 상기 도 3의 구성에서, 상기 데이터 배선에 고전압을 인가할 필요가 없다.
결과적으로, 상기 고전압인가에 필요한 별도의 구동 회로를 필요로 하지 않아 별도의 개발 비용을 생략할 수 있도록 한다.
전술한 바와 같은 방법으로 본 발명에 따른 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자를 제작하게 되면, 유기전계 발광소자의 열화에 의한 저항변화에 의해 전압이 변동되어도 발광소자를 구동하는 전류는 일정함으로 유기전계 발광소자의 휘도를 개선할 수 있다.

Claims (12)

  1. 다수의 화소를 정의한 투명한 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판의 가로방향으로 구성된 다수의 게이트배선과;
    상기 게이트배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선과;
    상기 게이트 배선과 소정간격 이격된 전압인가 배선과;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 구성되고 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭 소자와;
    상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 구성된 액티브층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극은 그라운드와 접지된 것이 특징인 구동소자와;
    상기 구동소자의 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소에 구성된 전자 주입전극인 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극의 상부에 구성되고 상기 파워라인과 접촉한 홀 주입전극인 제 2 전극과;
    상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 위치하고, 전계가 인가되면 상기 제 1 전극으로부터 주입된 전자와 상기 제 2 전극으로부터 주입된 홀이 결합하면서 빛을 발광하는 발광층
    을 포함하는 능동 매트릭스형 컬러 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 제 1 전극 사이에는 전자 수송층이 구성되고, 상기 발광층과 제 2 전극 사이에는 홀 수송층이 더욱 구성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 홀 수송층과 상기 전자 수송층은 유기막인 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 칼슘, 알루미늄, 마그네슘을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 물질그룹 중 선택된 하나로 형성한 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide)를 포함한 일 함수가 큰 투명 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자.
  6. 다수의 화소를 정의한 투명한 제 1 기판 상에 다수의 게이트배선과, 상기 게이트 배선과 평행하게 소정간격 이격된 전압인가 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 다수의 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 스위칭 소자를 형성하는 단계와;
    상기 스위칭 소자의 드레인 전극과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 상부에 액티브층과 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 소스 전극은 그라운드(ground)와 접지되는 구동소자를 형성하는 단계와;
    상기 구동소자의 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역에 전자 주입전극인 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극 상부에 전계에 의해 빛을 발광하는 발광층을 형성하는 단계와;
    상기 발광층의 상부에 상기 전압인가 배선과 접촉한 홀 주입전극인 제 2 전극
    을 형성하는 단계를 포함한 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 제 1 전극 사이에는 전자 수송층이 구성되고, 상기 발광층과 제 2 전극 사이에는 홀 수송층을 더욱 형성하는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 홀 수송층과 상기 전자 수송층은 유기물질로 형성된 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 칼슘, 알루미늄, 마그네슘을 포함하는 일 함수가 작은 도전성 물질그룹 중 선택된 하나로 형성한 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide)를 포함하는 일함수가 큰 투명 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 액티브층을 비정질실리콘으로 형성하여 n형 박막 트랜지스터인 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 스위칭 소자와 구동소자는 액티브층을 비정질실리콘으로 형성하여 n형 박막트랜지스터를 이루는 능동 매트릭스형 유기전계 발광소자 제조방법.
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