KR100455350B1 - 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법에 관한 것으로서, 챔버 외측 벽에 영구 자석을 사용하던 기존의 방식 대신, 챔버 측벽에 유도 코일을 형성하되, 유도 코일에서 형성되는 자기장이 유도 코일의 중앙부위에서 서로 보강되도록 유도 코일을 설치함으로써, 챔버 내부에 생성된 하전입자를 챔버 측벽에 대하여 효과적으로 격리시켜, 고밀도 및 고균일도의 플라즈마를 생성할 수 있도록 한다. 또한, 유도 코일에 인가하는 전원의 세기 및 주파수를 조절함으로써, 플라즈마를 이용한 식각 혹은 증착 공정 등의 공정 특성이 요구하는 바에 따라, 챔버 내에서 생성되는 플라즈마의 밀도 및 균일도를 조절할 수 있기 때문에, 플라즈마를 이용한 공정에 유연성이 부여되고, 새로운 공정을 설계함에 있어서, 플라즈마의 밀도 및 균일도의 제약으로부터 자유로와 진다. 또한, 영구 자석을 사용하는 것보다 그 구조가 훨씬 단순해지기 때문에 생산비용을 현저하게 감소시킬 수 있다.
Description
본 발명은 건식 식각 혹은 박막 증착 장치에 사용되는 유도 결합형 고밀도 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유도 결합형 고밀도 플라즈마 발생 장치의 챔버 측벽에 자계가 보강되도록 유도 코일을 구성함으로써, 챔버 내의 플라즈마 밀도를 높이고, 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시키는 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정 중 식각 (etching) 공정은 감광성 수지인 포토레지스트층의 개구부를 통해 그 바로 하부의 박막을 선택적으로 제거하기 위한 것으로서, 크게 습식 식각 방식과 건식 식각 방식으로 구별된다. 습식 식각 방식은 웨이퍼를 보우트에 담아 에칭액이 담긴 수조에 침지하여, 개구부를 애칭액과 화학 반응시킴으로써 식각하는 방식이며, 식각의 정밀도가 떨어지는 단점이 있다. 이에 비하여 건식식각은 미세 패턴을 형성하기 위하여 개발된 방식으로서, 에칭액 대신 에칭 가스를 사용하는 방식이며, 반도체 공정에서 많이 사용되는 건식 식각 방식 중 하나로서 플라즈마를 이용한 플라즈마 식각 방식을 들 수 있다.
여기서, 플라즈마란 이온화된 기체로서, 양이온, 음이온, 및 중성 입자로 이루어지며, 전기적 성질 및 열적 성질이 정상 상태의 기체와는 매우 상이하기 때문에, 물질의 제 4 의 상태라고 칭하기도 한다. 즉, 플라즈마는 이온화된 기체를 포함하고 있기 때문에 전기장 혹은 자기장이 인가되면 플라즈마 내에서 혹은 플라즈마와 접하고 있는 고체 표면상으로 플라즈마 입자들이 가속되거나, 확산하여, 고체 표면에서 화학 반응 및 물리적 반응을 일으키게 된다.
플라즈마는 수만도 정도의 온도와 109~ 1010/cm-3정도의 밀도를 갖는 저온 글로우 방전 플라즈마와 수천만도 이상의 온도와 1013~ 1014/cm-3정도의 밀도를 갖는 초고온 핵융합 플라즈마로 대별되며, 반도체 식각 혹은 증착에 사용되는 플라즈마는 대략 90% 이상의 중성 기체를 포함하고 있는 이온화도가 낮은 저온 글로우 방전 플라즈마이다.
한편, 최근 반도체 공정에서는 고밀도 플라즈마를 생성하는 플라즈마 장치를 이용하여 건식 식각하는 경우가 점차로 증가하고 있다. 이는 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있기 때문이다. 즉, sub-micron급의 미세 패턴에 있어서는, 식각 단면의 수직성을 확보하기 위하여 플라즈마 내에서 평균 자유 행로(mean free path)가 길어야 하며, 이를 위해서는 고밀도 플라즈마가 요구되기 때문이다.
또한, 직경이 8 인치를 초과하는 대구경 웨이퍼의 사용이 증가함에 따라, 플라즈마 밀도의 균일성에 대한 요구도 커지고 있다. 특히, TFT-LCD를 비롯한 PDP, FED 등 여러 가지 형태의 평판 디스플레이의 제조 공정의 경우는 실리콘 웨이퍼에 비하여 대면적의 기판이 시편으로 사용되고 있을 뿐만 아니라, 원형기판이 아닌 사각형 등도 사용되고 있어서, 챔버 내의 중앙 영역 뿐만 아니라, 챔버 외곽 모서리 부분 등에서도 고밀도의 균일한 플라즈마가 유지되는 것이 매우 중요하여졌다.
고밀도 플라즈마로서는, 로렌츠의 법칙에 따라 자기장 내로 입사한 전자가 원형 궤도 회전운동을 할 때, 여기에 공진 주파수의 마이크로파를 인가함으로써, 야기되는 공명현상을 이용하는 ECR (electron cyclotron resonance) 플라즈마, 헬리콘 또는 휘슬러 파를 이용하는 헬리콘 플라즈마 및 고온 저압의 플라즈마를 이용하는 유도 결합형 플라즈마가 있다. 여기서, ECR 플라즈마는 저압하에서도 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있는 장점이 있으나, 플라즈마의 분포를 균일하게 형성하기가 곤란한 단점이 있으며, 헬리콘 플라즈마는 전기장과 자기장의 에너지를 복합하여 여기시킴으로써, 소규모의 플라즈마에서는 균일한 분포를 갖는 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있으나, 넓은 면적에서는 그다지 균일하지 않은 분포를 갖는 단점이 있다. 한편, 유도 결합 플라즈마는 코일 주위로 형성되는 자계를 이용하여 전자의 충돌 확률을 증대시켜 고밀도 플라즈마를 얻는 방식이다.
도 1 또는 도 2 를 참조하여 종래의 유도 결합 플라즈마의 구조 및 동작 원리를 살펴보면 다음과 같다. 플라즈마 발생 장치는 플라즈마가 생성되는 챔버 (108)를 포함하며, 이 챔버는 챔버 벽에 의해 대기와 차단되어 진공을 유지하도록 되어 있다. 이 챔버 (108)에는 반응 가스를 공급하기 위한 가스 주입구 (106)와 챔버 내부를 진공으로 유지하고 반응이 종료하면 반응 가스를 배출하기 위한 진공 펌프 (112) 및 가스 배출구 (114)가 형성된다. 또한, 챔버 (108) 내부에는 웨이퍼 또는 유리 기판 등의 시편 (110)를 탑재하기 위한 척 (chuck) (116)이 형성되어 있으며, 챔버 (108)의 상부 (도 1) 또는 챔버 (108) 의 측벽부 (도 2) 에는 고주파 전원 (100)이 접속된 안테나 (102)가 설치된다. 안테나 (102)와 챔버 (108)의 사이에는 쿼츠 플레이트 (quartz plate) (104) 를 설치하여 안테나와 플라즈마 사이의 용량성 결합을 차단함으로써, 고주파 전원 (100)으로부터의 에너지가 유도성 결합을 통해서만 플라즈마로 전달되도록 한다. 상술한 구조의 플라즈마 발생 장치는, 초기에 진공펌프 (112)를 가동하여 챔버 (108) 내부를 진공상태로 만든 후, 가스 주입구 (104)로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 반응 가스를 주입한 후, 안테나 (102)에 고주파 전원 (100)을 인가한다. 전원 (100)이 인가되면, 안테나 (102)가 이루는 평면과 수직 방향으로 시간에 따라 변화하는 자기장이 형성되고, 이 자기장은 챔버 (108) 내부에 유도 전기장을 형성한다. 유도 전기장은 챔버 내부의 가스 입자를 가속시키고, 가속된 입자들은 서로 충돌하여 이온 및 래디컬을 생성하고, 생성된 플라즈마 상태의 이온 및 래디컬은 시편의 식각 및 증착에 이용된다.
그러나, 챔버 내에서 생성된 플라즈마 상태의 이온 및 래디컬은 반응 챔버의 측벽과 충돌하여 소멸되므로, 일정한 정도 이상의 고밀도 플라즈마를 얻을 수 없다는 문제가 있다.
종래에는, 이러한 문제를 극복하기 위하여, 도 3 에 도시된 바와 같이, 반응 챔버 (108) 의 외벽에 영구 자석 (permanent magnet) (200)을 설치하고, 영구 자석 (200)에 의하여 형성되는 자계에 의해 챔버 내의 전자 또는 이온이 반응 챔버의 측벽과 충돌하지 않도록 함으로써, 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있도록 하였다. 이러한 방식에 의하여 챔버 내에 형성된 전자 또는 이온은 플라즈마 내에 머무르게 되고 그 결과 플라즈마 내에 형성된 입자들과 전자가 더 많이 충돌하게 되어 플라즈마 밀도는 더욱 증가하게 된다.
그러나 이러한 구조는 영구 자석을 추가로 사용하게 됨에 따라 구조가 복잡하여지고, 공정의 특성에 따라 플라즈마의 밀도 및 균일도를 조절할 필요가 있을 경우에도 영구 자석을 용이하게 교체할 수 없기 때문에, 다른 공정을 시도하거나, 새로운 공정을 개발하는데 있어서, 많은 제약이 따르는 문제가 있다.
상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은, 챔버의 측벽부에 영구 자석을 설치하지 않아 구조가 단순하면서도, 플라즈마 내의 하전 입자가 챔버 측벽과 충돌하는 것을 억제하여, 고밀도 플라즈마를 생성할 수 있는 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마 밀도가 위치에 따라 균일하게 유지될 수있도록, 챔버의 측벽부에 유도 결합형 코일을 설치한 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 챔버의 측벽부에 유도 결합형 코일을 설치하고, 유도 결합형 코일에 인가하는 전력을 조절하여 플라즈마 밀도를 조절할 수 있게 함으로써, 식각 혹은 증착 공정의 유연성을 향상시킬 수 있는 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 챔버의 상부에 위치한 안테나와 챔버의 측벽부에 위치한 코일을 서로 연결함으로써, 하나의 신호로 이들을 구동함으로써, 구조가 더욱 단순한 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 고밀도 고균일도의 플라즈마를 발생하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 챔버 내부의 플라즈마 밀도 또는 균일도를 조절함으로써, 플라즈마를 이용한 식각 및 증착 공정 등에 유연성을 제공하는 플라즈마 발생 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
도 2는 종래의 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
도 3은 영구 자석을 사용한 종래의 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
도 5는 도 4 에 도시된 유도 코일의 주위에서 자기장이 형성되는 방향을 도시한 도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 코일의 형태를 도시한 다이어그램이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라, 유도 코일을 복수 회 감은 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 도시한 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100....안테나에 인가되는 고주파 전원
102....챔버 상부에 설치된 안테나
104....쿼츠 플레이트 (Quartz plate)
106....가스 주입구
108....챔버 110....시편
112....배기 펌프 114....배기구
200....영구 자석
300....전원 302....유도 코일
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 고주파 전원, 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받는 안테나, 안테나에 의하여 생성된 전자기장에 의하여 발생되는 플라즈마를 형성하는 챔버, 챔버의 측벽에 설치된 유도 코일 및 유도 코일에 인가되는 전원을 포함하며, 유도 코일은 챔버 내에서 발생된 하전 입자가 챔버 측벽을 통해 소멸되지 않도록, 플라즈마 내의 하전 입자를 측벽으로부터 격리시키기위한 전자기장을 발생하는 유도 결합형 플라즈마 발생 장치를 제공한다.
본 발명은 챔버 측벽부에 유도 코일을 설치하고, 여기에 전원을 인가하여 전자기장을 발생시킴으로써, 플라즈마 내의 하전 입자가 반응 챔버의 벽을 통해 소멸되는 것을 억제하도록 한다. 이와 같이 하전 입자가 챔버와 충돌하여 소멸되는 현상이 억제되어 고밀도의 플라즈마를 생성할 수 있게 된다.
한편, 자기장의 세기는 유도 코일로부터의 거리의 제곱에 반비례하여 감소하므로, 유도 코일 부근의 챔버 측벽에서는 하전 입자의 접근이 강하게 억제되지만, 유도 코일이 위치하지 않은 부근의 챔버 측벽에서는 하전 입자가 상대적으로 용이하게 챔버 측벽과 충돌하여 소멸하게 된다. 따라서, 플라즈마 밀도가 위치에 따라 균일하지 않게 된다. 그러나, 본 발명에서는 유도 코일을 감는 형태를 구형, 원형, 삼각파형 또는 정현파형 등으로 함으로써, 유도 코일 사이에서 자기장의 세기가 약해지는 것을 보강할 수 있도록 유도 코일을 설치하여, 위치의 변화에도 불구하고 균일한 밀도의 플라즈마를 형성하도록 한다.
도 4 는 본 발명에 따른 일 실시예의 구성을 도시한 구성도이며, 도 5 는 도 4 에 도시된 형태의 유도 코일에 전원이 인가될 경우, 유도 코일 주위에 형성되는 자기장의 방향을 도시한 다이어그램이다. 이하에서는 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 구성 및 동작을 상세히 설명한다. 특히, 도 4 의 구성은 전원 (300) 과 유도 코일 (302)을 제외하고는 도 1 과 동일한 구성이므로, 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 전원 (300)과 유도 코일 (302)에 대해서만 설명하기로 한다.
고주파 전원 (100)과 안테나 (102)에 의하여 챔버 (108) 내부에 생성된 플라즈마는 확산을 통하여 챔버 (108) 측벽에 충돌한다. 그러나, 유도 코일 (302)에 전원 (300)을 인가하면, 도 5 에 도시된 바와 같은 자기장이 형성되고, 음극성 또는 양극성의 전기적 성질을 갖는 플라즈마 내의 하전입자는 자기장의 영향을 받아 챔버 (103) 측벽으로부터 격리되게 된다. 특히, 유도 코일이 위치하지 않은 영역 (400)에서, 인가 전원에 의한 전류가 예를 들어 도 5 에 도시된 방향으로 흐른다면, 영역 (400)에서의 자기장은 유도 코일의 일부인 도선 (A)에 의한 자기장과 도선 (B) 에 의한 자기장이 더해지기 때문에, 유도 코일로부터 이격되어 있는 위치라고 할지라도, 자기장의 세기가 크게 약화되지는 않게 된다. 이러한 이유로 인하여, 챔버 내부의 플라즈마는 고밀도 고균일도를 유지할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에서는 유도 코일에 인가하는 전원의 세기 및 주파수를 조절할 수 있기 때문에, 상기 플라즈마를 이용하는 식각 공정등의 공정 특성에 따라 플라즈마의 밀도 및 균일도를 조절할 수 있다. 이와 같이 플라즈마의 밀도 및 균일도를 조절할 수 있음으로써, 새로운 공정을 설계함에 있어서, 플라즈마 밀도나 균일도의 조건으로부터 자유로울 수 있기 때문에, 공정 설계가 보다 용이해진다는 장점이 있다. 특히, 이 점은 영구 자석을 사용하는 종래 기술로부터는 결코 구현될 수 없는 본 발명 특유의 효과라고 할 수 있다.
한편, 본 발명은 경우에 따라서는 도 6 에 도시된 바와 같이, 유도 코일 (302)과 안테나 (102)를 동일한 전원 (100)으로 구동함으로써, 유도 결합형 플라즈마 발생 장치의 구성을 더욱 단순화시킬 수도 있다. 그러나, 이와 같이 할 경우에는, 안테나 (102) 에 인가되는 전원 (100) 이 고주파 전원이어야 하기 때문에,유도 코일 (302) 에 DC 전원을 공급할 수는 없으며, 안테나 (102) 에 인가되는 것과 동일한 고주파 전원이 인가되게 된다. 즉, 안테나 (102) 와 유도 코일 (302)을 별개의 전원으로 구동하는 경우에는 유도 코일 (302) 에 인가되는 전원은 AC 및 DC 전원이 모두 가능하지만, 동일 전원으로 구동하게 되면, 유도 코일 (302) 에는 AC 전원만이 인가될 수 있게 된다.
도 7 에서는 유도 코일의 형태를 구형, 원형, 삼각파형 및 정상파형 등으로 다양하게 도시하고 있으며, 이러한 형태의 유도 코일은 도 5의 영역 (400)에서의 자기장 보강 효과와 동일한 효과를 낳을 수 있는 형태들이며, 공정의 조건이나, 챔버의 크기 등에 따라, 유도 코일의 크기 및 감는 회수 등이 결정될 수 있다.
도 8 에서는 공정 조건이나 챔버의 크기에 따라 유도 코일을 복수 회 감은 경우를 도시하고 있다.
이상은 본 발명을 예를 들어 설명한 것으로서, 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 본 발명의 권리는 첨부된 특허청구범위에 기재된 바에 따라 결정된다. 또한, 동 업계에 종사하는 자에 의하여 본 발명의 다양한 변형예 들이 실시될 수 있으나, 이는 모두 본 발명의 권리 범위에 속하는 것임을 명백히 한다.
본 발명은 종래의 영구 자석을 사용하는 대신에, 유도 코일에서 형성되는 자계가 영역 (400)에서 서로 보강되도록 유도 코일을 설치하고 있다. 그 결과 기존의 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에서 사용되는 영구 자석이 불필요하며, 유도 코일에 의해 플라즈마 밀도, 플라즈마 균일도를 향상시킬 수 있다. 또한, 유도 코일에인가하는 전원 (300)의 세기 및 주파수를 변화시켜 코일 주위에 형성되는 자기장을 변화시킬 수 있기 때문에, 식각 혹은 증착 장비의 공정 조건의 변화에 따른 플라즈마의 변화에 쉽게 대응할 수 있어, 식각 혹은 증착 공정의 유연성을 향상시킬 수 있다. 종래의 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에서 상부에 설치된 유도 코일과 측벽에 설치된 유도 코일을 연결하여 하나의 유도 코일로 만들 수 있어, 플라즈마 발생 장치의 구조를 더욱 간단하게 할 수도 있다.
Claims (12)
- 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에 있어서,제 1고주파 전원;상기 제 1고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받는 안테나;상기 안테나에 의하여 생성된 전자기장에 의하여 발생되는 플라즈마를 형성하는 챔버;상기 챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 설치되어, 자기장을 발생하는 유도 코일; 및상기 유도 코일에 인가되는 직류 전원을 구비하고,상기 챔버의 측벽에 설치된 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 유도 코일은, 상기 챔버의 외벽에 1회 이상 감기는 것을 특징으로 하는 장치.
- 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에 있어서,제 1고주파 전원;상기 제 1고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받는 안테나;상기 안테나에 의하여 생성된 전자기장에 의하여 발생되는 플라즈마를 형성하는 챔버; 및상기 챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 설치되고, 상기 제 1고주파 전원에 상기 안테나와 병렬 연결되어 구동되는 유도 코일을 구비하고,상기 챔버의 측벽에 설치된 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 유도 결합형 플라즈마 발생 방법에 있어서,챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 유도 코일을 설치하되 상기 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교되게 설치하고, 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위해 진공 펌프를 가동하여 챔버내의 가스를 배출하는 단계;가스 주입구를 통하여 반응 가스를 주입하는 단계;상기 챔버 상부의 안테나에 제 1고주파 전원을 인가하여 챔버내에 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 유도 코일에 직류 전원을 인가하고, 상기 직류 전원에 의해 형성되는 자기장의 크기가 챔버 주위를 따라 동일하게 형성되도록 하여, 상기 제 1고주파 전원에 의해 형성된 플라즈마내의 하전입자를 상기 챔버의 측벽으로부터 격리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 삭제
- 유도 결합형 플라즈마 발생 방법에 있어서,챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 유도 코일을 설치하되 상기 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교되게 설치하고, 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위해 진공 펌프를 가동하여 챔버내의 가스를 배출하는 단계;가스 주입구를 통하여 반응 가스를 주입하는 단계; 및상기 챔버 상부의 안테나 및 상기 유도 코일에 제 1고주파 전원을 병렬로 인가하여 플라즈마를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 유도 결합형 플라즈마 발생 장치에 있어서,제 1고주파 전원;상기 제 1고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급받는 안테나;상기 안테나에 의하여 생성된 전자기장에 의하여 발생되는 플라즈마를 형성하는 챔버; 및상기 챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 설치되어, 자기장을 발생하는 유도 코일; 및상기 안테나에 상기 제 1고주파 전원이 인가될 때 상기 유도 코일에 인가되며, 상기 제 1고주파 전원과는 주파수가 상이한 제 2교류전원을 구비하고,상기 챔버의 측벽에 설치된 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제 9항에 있어서,상기 제 2교류전원의 크기 및 주파수는 제 1고주파 전원에 의해 형성된 플라즈마 형성 특성에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 유도 결합형 플라즈마 발생 방법에 있어서,챔버의 측벽을 따라 구형파 형태, 원형, 정현파형 또는 삼각파형중에서 어느 한 형태로 유도 코일을 설치하되 상기 유도 코일이 이루는 평면과 상기 챔버내에 설치된 시료가 장착되는 전극면이 이루는 각이 직교되게 설치하고, 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위해 진공 펌프를 가동하여 챔버내의 가스를 배출하는 단계;가스 주입구를 통하여 반응 가스를 주입하는 단계;상기 챔버 상부의 안테나에 제 1고주파 전원을 인가하여 챔버내에 플라즈마를 형성하는 단계; 및상기 안테나에 상기 제 1고주파 전원이 인가될 때 상기 제 1고주파 전원과는 주파수가 상이한 제 2교류전원을 상기 유도 코일에 인가하고, 상기 제 2교류전원에 의해 형성되는 자기장의 크기가 챔버 주위를 따라 동일하게 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 11항에 있어서,상기 제 2교류전원의 크기 및 주파수는 제 1고주파 전원에 의해 형성된 플라즈마 형성 특성에 따라 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
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