KR100408906B1 - 제로전위단결정의수율을향상시키는방법 - Google Patents
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Abstract
초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료를 포함하는 도가니를 보강하는 방법 및 이 공정으로 성장된 단결정 내에서 전위의 형성을 방지하는 방법. 도가니는 저벽 및 저벽으로부터 연장되고 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함한다. 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는다. 제 1 실투화 촉진제를 약 600 ℃ 이하의 온도에서 측벽 구조물의 내부표면 상에 증착시킨다. 이 증착은, 도가니를 약 600 ℃ 이상으로 가열했을 때, 결정이 용융된 반도체 재료로부터 인상됨에 따라 내부표면의 실질적으로 균일한 용해를 촉진시키고, 결정성 실리카 미립자가 용융된 반도체 재료로 배출되는 것을 감소시킬 수 있는 실질적으로 실투화된 실리카 제 1 층이 내부표면 상에 형성되는 것이다. 제 2 실투화 촉진제는 약 600 ℃ 이하의 온도에서 측벽 구조물의 외부표면 상에 증착된다. 이 증착은, 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열했을 때, 실질적으로 실투화된 실리카 제 2 층이 유리질 실리카 본체를 보강할 수 있는 외부표면 상에 형성되는 것이다.
Description
본 발명은 일반적으로 초크랄스키 방법에 의해 도가니에서 성장된제로전위(zero dislocation) 실리콘 단결정의 수율 및 처리량을 개선시키는 공정에 관한 것이다. 본 발명은 특히 실투화 촉진제로 처리된 한 개 이상의 표면을 갖는 용융 석영 도가니를 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체 전자 소자의 제조시 대부분의 공정에 대한 시료인 단결정 실리콘은 일반적으로 소위 초크랄스키 공정으로 제조된다. 이 공정에서는, 다결정 실리콘 (폴리실리콘) 을 도가니에 장입시키고, 폴리실리콘을 용융시키고, 시드결정을 용융된 실리콘에 넣고, 단결정 실리콘 잉곳을 느린 적출로 성장시킨다.
초크랄스키 공정용으로 선택된 도가니는 일반적으로 용융 석영 도가니 또는 간단한 석영 도가니로 칭해지며 유리질 실리카로써 알려진 실리카의 비정질형태로 이루어진다. 유리질 실리카의 사용과 관련된 단점은, 폴리실리콘이 용융되고 단결정 잉곳이 성장됨에 따라, 도가니의 내부표면 상에 있는 오염물질이 핵을 이루며 유리질 실리카 표면에 있는 크리스토발릿 섬 (cristobalite island; 섬은 일반적으로 오염물 면에 대해 중앙에 놓임) 의 형성을 촉진시킬 수 있다. 크리스토발릿 섬은 언더컷되고 실리콘 용융액으로 미립자로서 배출되어, 실리콘 잉곳내 전위를 형성할 수 있다. 크리스토발릿 섬은 예를 들면, Liu 등에 의해 "액상 실리콘과 유리질 실리카 사이의 반응" J. Master Res., 7(2), p.352 (1992 년) 에 기재된 바와 같이 유리질 실리카와 크리스토발릿 사이의 경계면에서 형성된 낮은 공융액체의 작용에 의해 언더컷 될 수 있다. 크리스토발릿 섬이 언더컷되고 용융액으로 배출되는 다른 기구가 당해 기술에 또한 알려져 있다.
유리질 실리카로 형성된 도가니는 폴리실리콘 장입물의 용융시 또는 실리콘잉곳의 성장시 가해진 최고 온도에 노출될 때 구조적 완전성을 상실함을 보여줄 수 있다. 일반적으로, 이러한 도가니는 온도증가와 함께 연화되어 도가니 벽 온도가 1817 °K를 초과할 경우 인가된 응력하에서 쉽게 흐를 수 있을 정도로 연화된다. 즉, 흑연 서셉터는 도가니를 지지하기 위해 종종 사용된다. 그러한 보강에도 불구하고, 폴리실리콘이 용융시 및 공정 중 결정성장 단계시 결정인상기에 기기적 결함이 발생하여 고온에서 연장하여 유지시키는 동안에 석영도가니가 휘어질 수 있다. 휘어짐 (buckling) 은 불완전한 결정의 재용융시 또는 비드 폴리실리콘 (즉, 유동층에서 형성된 입상 폴리실리콘) 의 용융시 대부분 자주 발생한다.
Paster 등은 미합중국 특허 제 4,429,009 호에서 표면의 안정성을 부식시키지 않고 보강시킬 목적으로 도가니의 유리질 실리카 표면을 크리스토발릿으로 전환시키는 방법을 개시한다. 이 방법에서, 유리질 실리카 표면을 약 24 시간동안 1200 ℃ 내지 1400 ℃ 의 온도에서 요오드 원자를 함유한 대기에 노출시켜 표면을 β-크리스토발릿으로 전환시킨 후, 260 ℃ 이하의 온도로 냉각시키면, β-크리스토발릿이 α-크리스토발릿으로 변형된다. 그후 결정성장 공정에서 사용하기 위해 도가니를 상승된 온도로 재가열하면 α-크리스토발릿 층은 β-크리스토발릿으로 변형된다. α-크리스토발릿의 β-크리스토발릿 상으로 변형은 실투화된 표면에 균열을 일으키고 표면상에 미립자를 형성하게 한다는 것이 알려져 있다. 이들 미립자는 실투화된 표면으로부터 실리콘 용융액으로 배출되어 실리콘 잉곳내에 전위를 형성한다.
도가니 표면을 처리하는 다른 방법이 또한 제안된다. 일본국 특개소 52/038873 호는 정전기적으로 부착된 금속 오염물을 제거하여 실리콘 단결정내의 산화유도적층결함 (oxidation induced stacking faults) 형성을 감소시키기 위해 제논 램프를 사용하여 내부 도가니 표면에 주사시키는 방법을 개시한다. 일본국 특개소 60/137892 호는 격자결함과 도가니 변형의 발생을 감소시키기 위해 제공된 도가니에서 알칼리 금속을 제거하기 위해서 도가니에 전기분해를 행하는 방법을 기재한다. 미합중국 특허 제 4,956,208 호 및 제 4,935,046 호는 산소의 실리콘 용융액으로의 전달을 제어하기 위해 불투명한 외피 및 기포가 거의 없는 투명한 내부 석영층을 갖는 도가니를 기재한다. 내부층은 또한 도가니 용융액 경계면에서 크리스토발릿의 성장을 억제하고, 크리스토발릿이 용융액으로 적하하는 것을 방지하며, 결정의 성장을 방해하는 데 효과적인 것으로써 기재된다. 이러한 처리의 대부분은 매우 높은 온도에서의 변형에 대해 도가니 벽을 강화시키지 못하며, 용융 실리콘의 실투화 공정을 제어하지도 못한다.
미합중국 특허 제 4,102,666 호는 열적 치수 안정성을 향상시키는 확산튜브의 외부표면에 있는 얇은 결정성 실리카층의 형성을 기재한다. 튜브의 외부표면은 붕소, 알루미늄, 인, 안티몬, 아연, 마그네슘, 칼슘, 갈륨 또는 주기율표 4 족 원소의 산화물, 탄화물, 또는 질화물과 같은 결정화 촉진 핵 (nuclei) 으로 처리된다. 결정핵은 확산튜브의 유효수명을 증가시키는 것으로 언급되는 매우 느린 실투화를 촉진시킨다. 확산튜브는 유리질 실리카의 연화점보다 아주 낮은 약 1300 ℃ 정도의 온도에서 반도체 웨이퍼를 처리하는데 사용된다.
도가니의 유효수명을 연장시키고 용융시 및 결정성장시 도가니의 변형과 휘어짐을 방지하기 위해 더 높은 구조적인 안정성을 갖는 석영도가니가 필요하다. 초크랄스키 공정에 의해 성장된 제로전위 (즉, 전위없음) 단결정의 수율 및 처리량을 향상시키기 위해 실리콘 용융액으로 더 적은 미립자 오염물질을 배출하는 도가니가 또한 필요하다.
그러므로, 본 발명의 목적중 구조적 안정성을 증가시킨 도가니의 제공, 실리콘 용융액으로 더 적은 오염물질을 배출시키는 도가니의 제공 및 초크랄스키 공정에 의해 성장된 제로전위 단결정의 개선된 수율 및 처리량을 제공하는 도가니의 제공에 주목할 수 있다.
제 1 도 및 제 2 도는 본 발명을 구체화한 내부적 및 외부적으로 처리된 도가니의 개략적인 수직단면도.
제 3 도는 제 2 도의 도가니의 평면도.
제 4 도 및 제 5 도는 본 발명을 구체화한 내부적 및 외부적으로 실투화된 도가니의 개략적인 수직단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 도가니 12 : 저벽
14 : 측벽 구조물 18 : 내부표면
20, 22 : 외부표면 24, 26 : 코팅부
28 : 실투화되지 않은 층 36 : 실리콘 용융액
32 : 실투화된 외부층 34 : 실투화된 내부층
본 발명은 초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료의 오염물에 대해 도가니를 보강하는 방법 및 공정에 의해 성장된 단결정 내에서 전위의 형성을 방지하는 방법을 지시한다. 도가니는 저벽 (bottom wall) 과 저벽으로부터 연장되어 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물 (sidewall formation) 을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함한다. 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는다. 제 1 실투화 촉진제가 약 600 ℃ 이하의 온도에서 측벽 구조물의 내부표면상에 증착된다. 이 증착은 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층이 내부면에 형성되어 실질적으로 균일한 용해를 촉진시킬 수 있고 결정이 용융된 반도체 재료로부터 인상시키면서,결정성 실리카 미립자가 용융된 반도체 재료로 배출되는 것을 감소시킬 수 있게 된다. 제 2 실투화 촉진제가 약 600 ℃ 이하의 온도에서 측벽 구조물의 외부표면상에 증착된다. 이 증착은 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 실질적으로 실투화된 제 2 실리카층이 유리질 실리카 본체를 보강할 수 있는 외부표면 상에서 형성되는 것이다.
본 발명의 또다른 실시예는 초크랄스키 공정에 의해 성장된 단결정 내에서 공간 결함 (void defect) 을 최소화시키는 방법이다. 이러한 결함은 도가니의 내부표면에서의 아르곤 가스 포획에 의해 발생된다. 도가니의 직경은 35.56 cm (14 인치) 를 초과하고, 저벽 및 저벽으로부터 연장되어 용융된 실리콘을 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함한다. 측벽 구조물 및 저벽은 각각 내부표면과 외부표면을 갖는다. 실리콘 용융액은 입상 폴리실리콘으로부터 형성된다. 제 1 실투화 촉진제가 약 600 ℃ 이하의 온도에서 측벽 구조물의 내부표면에 증착된다. 이 증착은 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층이 내부표면 상에 형성되는 것이다. 저벽 및 내부표면은 제 1 실투화 촉진제가 결핍되어 결정이 용융된 실리콘으로부터 인상되기 전에 아르곤 가스가 내부표면으로부터 용융액으로 배출된다.
본 발명의 또다른 실시예는 초크랄스키 방법으로 단결정을 인상시키는데 사용되는 실리콘 용융액을 제조하는 방법이다. 저벽과 저벽으로부터 연장되어 용융된 실리콘 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카본체를 포함하는 도가니에 다결정 실리콘을 채운다. 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는다. 제 1 실투화 촉진제는 측벽 구조물의 내부표면 상에 있으며 제 2 실투화 촉진제는 측벽 구조물의 외부표면 상에 있다. 도가니 내에 있는 다결정 실리콘은 용융되어, 용융된 실리콘과 접촉하는 도가니의 내부표면상에 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층 및 도가니의 외부 표면상에서 실질적으로 실투화된 제 2 실리카층을 형성한다. 실질적으로 결정이 인상됨에 따라 실투화된 제 1 실리카층은 내부표면의 균일한 용해를 촉진시키고 결정성 실리카 미립자의 용융된 실리콘으로의 배출을 방해한다. 실질적으로 실투화된 제 2 실리카층은 유리질 실리카 본체를 강화시킨다.
본 발명은 또한 초크랄스키법에 의해 단결정을 인상시키는데 사용되는 실리콘 용융액을 제조하는 공정을 지시한다. 저벽 및 저벽으로부터 연장되어 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 구비하는 도가니에 입상 다결정 실리콘을 채운다. 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는다. 제 1 실투화 촉진제는 측벽 구조물의 내부표면 상에 있다. 저벽의 내부표면은 제 1 실투화 촉진제가 결핍된다. 다결정 실리콘은 도가니 내에서 용융되어, 용융된 실리콘에 접촉하는 도가니의 내부표면 상에서 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층을 형성한다. 아르곤 가스는 저벽의 내부표면으로부터 용융액으로 배출된다.
본 발명의 다른 목적 및 장점은 후술하는 상세한 기재로부터 명백해질 것이다.
실시예
본 발명에 의하면, 전위없는 실리콘 단결정의 수율 및 처리량은 도가니를 초크랄스키 공정에 사용되는 실리콘이나 다른 것들을 채우기 전에 실투화 촉진제로 종래의 용융 석영 도가니의 한개의 표면이상을 균일하게 코팅함으로서 현저하게 개선된다. 증착된 실투화 촉진제는 도가니의 표면상에 결정핵생성 부위를 제공한다. 일반적으로 초크랄스키 공정시 및 특히 폴리실리콘 용융시에는, 안정적인 결정시드 핵은 이러한 결정핵생성 부위에서 형성되고, 도가니 표면에서 유리질 실리카가 결정화되어, 도가니의 표면상에 β-크리스토발릿의 실질적으로 균일하고 연속적으로 실투화된 외피가 형성된다. 실투화된 외피가 도가니의 외부표면상에 형성될 때, 그 외피는 도가니을 강화시키고 도가니의 형태를 유지시킨다. 실투화된 외피는 초크랄스키 공정에서 사용된 최대온도와 유리질 실리카의 연화점 (1817 °K) 을 초과하는 약 2000 °K 인 용융점을 가지기 때문에, 표면 처리된 도가니는 변형되거나 휘어지지 않는다. 도가니의 내부표면상에 형성된 실질적으로 균일하고 연속적으로 실투화된 외피는 실리콘 용융액과 접촉할 때 균일하게 용해한다. β-크리스토발릿 미립자가 실투화된 외피로 인해 용융액으로 배출되지 않기 때문에 내부적으로 표면처리된 도가니가 사용될 때 성장하는 결정내에 형성된 전위가 최소화된다.
제 1 도를 참조하여, 저벽 (12) 및 저벽 (12) 으로부터 연장되어 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물 (14) 을 갖는 도가니 (10) 가 도시된다. 측벽 구조물 (14) 및 저벽 (12) 은 각각 내부표면 (16, 18) 및 외부표면 (20, 22) 을 갖는다. 외부코팅부 (벗겨지지 않음)(24) 는 외부표면 (20) 상에 있으며 이 외부 코팅은 측벽 구조물 (14) 의 외부를 둘러싸는 고밀도의 결정핵생성 부위를 가진 층을 형성한다. 내부코팅부 (벗겨지지 않음)(26) 는 내부 표면 (16, 18) 상에 있으며 도가니 (10) 의 내부를 덮는 고밀도의 결정핵생성 부위를 가진 층을 형성한다. 코팅부 (24, 26) 는 실투화 촉진제를 포함한다.
초크랄스키 공정시 도가니를 가열하여 폴리실리콘을 용융시킬 때, 실투화 촉진제는 유리질 실리카와 반응하여 도가니의 표면상에 결정성 핵을 형성한다. 예를 들어, 바륨을 함유한 촉진제는 유리질 실리카와 반응하여 도가니를 약 600 ℃ 이상의 온도로 가열시, 도가니 표면상에 결정성 핵을 형성한다. 용융 공정이 진행됨에 따라, 실리콘 용융액과 흑연 서셉터는 환원제로 작용하여 결정핵생성 부위로부터 방사 방향으로 표면에서의 이러한 결정핵의 빠른 성장을 촉진시킨다. 실리콘 용융액 또는 흑연 서셉터의 존재하에, 이러한 결정성 핵은 융합점까지 성장하며 즉, 연속적인 세라믹 외피가 도가니상에 형성된다.
바륨과 같은 몇몇 실투화 촉진제는 촉진제가 접촉하는 실리콘 용융액으로 배출된다. 그러나, 실투화 촉진제의 잔유물은 내부표면 (16) 의 상부에 부착되어 잔존하므로, 제 4 도 및 제 5 도에 도시된 바와 같이 실투화되지 않은 층 (28)을 형성한다.
측벽 구조물 (30) 의 외부표면이 실투화된 표면 (32) 을 포함할 때, 이 표면은 용융 석영 도가니를 강화시킨다. 또한, 실리콘 용융액 (36) 과 접촉하는 측벽 구조물 (30) 의 일부를 형성하는 실투화된 내부표면 (34) 은 실리콘 단결정이성장하는 동안 용융물 생성 결정성 실리카 미립자의 형성을 방지한다.
실투화된 외부표면 (32) 과 실투화된 내부표면 (34) 은 실질적으로 실투화된 실리카 층이다. 본 발명의 목적상, 실질적으로 실투화된 실리카는 전체적으로 실투화된 실리카로 구성될 수 있다. 도가니의 내부표면을 실투화 촉진제로 균일하게 코팅했을 때, 이러한 층이 형성된다. 또한, 실질적으로 실투화된 실리카는 다른 연속적으로 실투화된 층에 유리질 실리카의 몇몇 노출된 섬 (islands) 과 함께 실투화된 실리카를 주로 포함할 수 있다. 코팅공정시 도가니의 내부 표면의 작은 부분이 실투화 촉진제로 코팅되지 않을 때, 이러한 층이 형성된다. 유리질 섬이 주위의 실투화된 실리카를 파고들지 않아서 그 실투화된 실리카는 용융액으로 배출되기 않기 때문에 유리질 실리카 섬은 결정성 미립자로 용융액을 심하게 오염시키지는 않을 것이다.
제 2 도 및 제 3 도에 도시된 또다른 실시예에서, 내부코팅부 (벗겨지지 않음)(26) 는 측벽 구조물 (14) 의 내부표면 (16) 을 피복한다. 저벽 (12) 의 내부표면 (18) 은 코팅되지 않는다. 입상 다결정 실리콘이 도가니내에서 적층될 때, 주위 대기로부터의 아르곤 가스가 실리콘 비드사이에 존재한다. 실리콘이 용융됨에 따라, 아르곤 가스는 용융액에 의해 도가니 표면에서 포획된다. 도가니의 내부표면이 코팅되지 않았을 때, 결정성장에 앞서 기포가 배출되고 용융액 표면으로 이동한다. 그러나, 도가니가 측벽 구조물 (14) 및 저벽 (12) 상에 내부코팅부를 가질 때, 결정성장시 기포는 용융액으로 배출되고 용융액 결정 경계면에 도달함에 따라 결정과 결합한다. 코팅된 표면이 코팅되지 않은 저벽표면보다 더 높은 표면 장력을 가지기 때문에, 아르곤 기포는 장시간동안 코팅된 저벽상 용융액내에 포획된 채 남아있다. 성장하는 결정내부에 포획된 아르곤 가스는 결정내에 공간 결함을 형성한다. 측벽 구조물(14) 의 내부표면 (16) 을 코팅하고 저벽 (12) 의 내부표면 (18) 을 코팅하지 않고 남겨둘 경우, 직경이 큰 도가니 (즉, 45.72 cm (18 인치) 및 55.88 cm (22 인치) 인 직경) 내에서 결정 성장시 결정내에 아르곤이 포획되지 않는다는 것이 밝혀졌다. 도가니의 외부 표면 (20) 은 코팅할 수도 있고 코팅하지 않을 수도 있다. 직경이 35.56 cm (14 인치) 또는 30.48 cm (12 인치) 인 작은 도가니에서, 도가니의 내부표면 (16, 18) 을 코팅하지 않았을 때 결정성장시 아르곤 거품이 결정내부에 포획된다는 것이 밝혀졌다. 외부표면 (20) 을 코팅하여 작은 도가니가 휘어지는 것을 막는 것이 바람직하다.
제 1 도 및 제 2 도에 도시된 바와 같이, 도가니 (10) 가 코팅부 (24, 26) 를 포함하더라도, 내부코팅 (26) 또는 외부코팅 (24) 만이 도가니에 적용되었을 때, 제로전위 수율 및 처리량은 또한 개선된다. 저벽 (12) 의 외부표면 (22)은 제 1 도 및 제 2 도에 도시바와 같이 코팅되지 않고 남아 있는 것이 바람직하다. 외부표면 (22) 을 코팅하는 것은 도가니 성능을 개선시키지 않으면서 도가니 비용을 증가시키게 된다.
코팅부 (24, 26) 각각은 도가니 (10) 의 표면 (16, 18, 20, 22) 상에 결정핵 생성 부위를 제공하는 하나이상의 실투화 촉진제를 포함한다. 본 발명의 도가니의 내부표면 또는 외부표면을 코팅하기에 적당한 실투화 촉진제는 알칼리토금속산화물, 탄산염, 수산화물, 옥살산염, 규산염, 플루오르화물, 염화물, 과산화물, 삼산화붕소, 및 오산화인을 포함한다. 이산화티탄늄, 이산화지르코늄, 산화철, 알칼리토금속 양이온 같은 실투화 촉진제, 알칼리토금속 포름산염, 아세트산염, 프로피온산염, 살리실산염, 스테아르산염 및 타르타르산염을 포함하는 유기음이온 및 전이금속, 내화성금속, 란탄족 원소 또는 악티늄족 원소를 포함하는 촉진제는 외부표면 (20, 22) 을 코팅하는데 사용될 수 있지만 내부표면을 코팅하는 데는 바람직하지는 않다. 이러한 촉진제가 도가니의 내부표면 (16, 18) 에 사용되면 결정결함을 초래하거나 장치수명을 단축시킬수 있다. 구리, 나트륨 및 알칼리 금속은 특히 도가니의 내부표면 또는 외부표면을 코팅하는데 부적합하다. 본 발명의 도가니를 제조하는데 이러한 실투화 촉진제를 사용할 수 있지만, 결정에 결합될 때 결정내에 결함을 만들지 않거나 장치 수명을 단축시키지 않는 다른 촉진제들이 바람직하다.
실투화 촉진제는 칼슘, 바륨, 마그네슘, 스트론튬 및 베릴륨으로 구성되는 족으로부터 선택된 알칼리토금속이 바람직하다. 알칼리토금속은 도가니의 표면에 부착하는 어떠한 형태로 가능하다. 알칼리토금속은 분자 (예를 들면, Ba), 자유이온 (예를 들면, Ba2+), 또는 산화물, 수산화물, 과산화물, 탄산염, 규산염, 옥살산염, 포름산염, 아세트산염, 프로피온산염, 살리실산염, 스테아르산염, 타르타르산염, 플루오르, 또는 염소와 같은 유기 음이온을 가진 이온쌍의 형태일 수 있다. 바람직하게는, 실투화 촉진제는 알칼리토금속 산화물, 수산화물, 탄산염 또는 규산염이다.
코팅부 (24, 26) 는 충분한 실투화 촉진제를 함유하여 실질적으로 실투화된 실리카 층에 결정핵을 생성시킨다. 1000 cm2당 0.10 mM 이상의 알칼리토금속 농도가 일반적으로 실투화를 향상시킬수 있는 균일한 코팅을 제공한다. 더 낮은 농도가 사용되면, 핵이 너무 작아서 용융액에 의한 용해를 초과하는 속도로 성장시킬 수 없다. 결과적으로, 도가니 벽에서 고온의 용융물이 있는 특히, 직경이 큰 (예를 들면, 55.88 cm) 도가니에서 결정화가 발생하기 전에, 핵은 용해된다. 도가니의 내부표면이 코팅되었을 때, 그 농도는 코팅조성 내의 불순물이 용융액을 오염시키고 부족한 소수 캐리어 수명 및 산소유도적층결함 (oxygen induced stacking faults) 의 발생시키는 것을 방지하도록 충분히 낮아야 한다. 따라서, 일반적으로 도가니의 내부에 도포된 알칼리토금속의 농도는 코팅될 표면 영역의 1000 cm2당 약 50 mM 을 초과하지 않는 것이 바람직하다. 1000 cm2당 50 mM 알칼리토금속 농도를 초과하는 농도가 용융액을 오염시키는데 크게 상관없이, 도가니의 외부에 도포될 수 있다고 하더라도, 도가니의 성능은 더 높은 농도에서는 개선되지 않는다는 것을 경험상 알 수 있었다. 바람직하게, 도가니의 내부표면상에 증착된 알칼리토금속의 농도는 약 0.10 mM/1000 cm2내지 약 0.60 mM/1000 cm2범위이고, 더 바람직하게는, 약 0.15 mM/1000 cm2내지 약 0.30 mM/1000 cm2범위이다. 외부적으로 코팅된 도가니는 바람직하게는 약 0.10 mM/1000 cm2내지 약 1.2 mM/1000 cm2범위, 더 바람직하게는 약 0.30 mM/1000 cm2내지 약 0.60 mM/1000 cm2범위의 알칼리토금속 농도를 갖는다. 도가니의 내부를 코팅할 때, 이 실투화 촉진제는 가장 바람직하게는 2.25 × 10-8이하의 분리계수를 가지며, 이것은 성장된 결정내부의 불순물의 농도가 1 조 원자당 0.05 부분 (2.5 × 109/cm3) 미만이 된다는 것을 나타낸다. 가장 바람직한 실투화 촉진제는 바륨이고, 이것은 상당한 양의 바륨이 실리콘 용융액내에 존재할 때에도 성장하는 결정과 쉽게 결합하지 않는다. 칼슘은 동일한 용융액 농도에서 바륨보다 더 높은 농도로 결정과 섞이고 그 결정내에 결함을 초래할 수 있기 때문에, 도가니의 내부를 코팅 하는데 사용되기에는 부적당한 실투화 촉진제일 수 있다.
도가니의 외부를 코팅할 때, 도가니 외부상의 불순물은 일반적으로 실리콘 단결정의 순도에 영향을 미치지 않기 때문에 실투화 촉진제의 분리계수는 중요하지 않다.
본 발명의 표면 처리된 도가니는 종래의 용융 석영 도가니의 표면에 실투화 촉진제를 포함하는 코팅을 하여 제조한다. 초크랄스키 공정에서 사용될 수 있는 임의의 용융 석영 도가니를 본 발명에 의해 표면처리할 수 있다. 적당한 도가니는 General Electric Company 와 Toshiba Ceramics 를 포함하는 제조업자에 의해 상업적으로 제조되거나, 미합중국 특허 제 4,416,680 호에 개시된 방법과 같이, 알려진 방법으로 제조될 수 있다. 많은 상업적으로 이용가능한 도가니는도가니내부의 알칼리금속 농도를 감소시키도록 처리가 되었다. 그러나, 몇몇의 도가니는 처리시의 불완전한 제거로 인하여 외부표면상에 농축된 나트륨, 칼륨 및 다른 알칼리 금속들을 갖는다. 알칼리금속은 도가니에 외부 코팅을 하기전에, 도가니의 외부표면에서 제거되는 것이 바람직하다. 알칼리 금속을 코팅 전에 제거하지 않으면, 본 발명에 의해 형성된 실투화된 외피가 저융점 규산염층에 의해 도가니에서 분리될 수 있다. 실투화는 결정이 성장될 때 매우 빨리 진행되고 도가니는 실투화 외피로부터 휘어질 수 있다.
도가니 표면을 적하 코팅 (drip coating) 또는 분사코팅 방법과 같이, 표면 상에 실투화 촉진제를 증착하는 공정으로 코팅할 수 있다. 촉진제를 도가니 표면에 부착한 후에, 도가니의 표면상에 실투화 촉진제의 수용성 용액 또는 용해성 염기 용액의 적하 및 물 또는 용매를 가만히 부어 (decanting) 도가니를 적하 코팅시킨다. 예를 들어, 산화바륨, 수산화물, 과산화물, 탄산염, 규산염, 옥살산염, 포름산염, 아세트산염, 프로피온산염, 살리실산염, 스테아르산염, 타르타르산염, 플루오르화물 또는 염화물 실투화 촉진제를 포함하는 수용액이 도가니 표면을 코팅하는데 사용될 수 있다. 적당한 용액은 물 21 ml 당 2 mM 의 수산화바륨 팔수화물을 포함한다. 도가니를 회전시켜 용액을 표면둘레에 고르게 분배시키면서, 이 용액을 도가니의 표면상에 적하시킨다. 이 수산화바륨은 대기내에서 이산화탄소와 반응하고 물과 가용성 불순물이 도가니에서 흘러내리면서 도가니 표면상에 탄화바륨으로 침전된다. 수산화바륨은 주위의 또는 인가된 이산화탄소와 반응하여 덜 용해되는 탄화바륨을 형성한다. 탄화바륨이 표면상에서 건조되면, 도가니는 초크랄스키 공정시 나중에 사용할 수 있다.
바람직하지는 않지만, 산성용액 및 염용액이 또한 도가니의 표면위에 적하 코팅될 수 있으며 실투화 촉진제가 표면위로 침전될 수 있다.
도가니 바닥의 내부표면 (제 2 도 및 제 3 도에서 도시됨) 을 코팅하지 않을 경우, 도가니를 용액이 내부면 위로 적하하지 않도록 놓는다. 또한, 도가니의 내부면 전체가 코팅될 수 있으며 바닥의 내부면을 염산과 물로 에칭하여, 물에서 잘 용해되는 염화바륨으로 된 바륨을 헹구어 제거한다.
적하 코팅법은 수용액에 있는 대부분의 불순물은 도가니 표면에서 떨어져 움직이고 도가니 표면에 부착되지 않기 때문에 도가니의 내부표면을 처리할 때 바람직하다.
도가니 표면을 코팅하는 다른 방법은 실투화 촉진제를 함유한 용액을 가열된 도가니에 분사시켜서 도가니 표면에 촉진제를 부착시키는 방법을 포함한다. 바람직한 분사 코팅방법에 있어서, 상술한 이산화탄소 가스와 수산화바륨 용액을 약 200 내지 300 ℃ 로 가열된 도가니 상에 동시에 분사한다. 수산화바륨은 즉시 도가니 표면에 부착되고 부분적으로는 이산화탄소와 접촉하여 탄화바륨으로 전환된다. 그리고 표면에 물과 이산화탄소 가스를 동시에 분사하여 수산화바륨을 탄화바륨으로 전환을 완성시킨다. 코팅된 표면의 pH 가 9.5 이하이거나 바람직하게는 약 8 이하일 경우 충분히 전환된다.
도가니의 외부코팅에는 분사코팅법이 바람직하다. 도가니의 가열은 실투화 촉진제의 더 나은 접착과, 촉진제의 흡입 및 섭취의 위험성을 감소시켜 안정성을 제공한다. 또한 분사코팅된 도가니는 더 균일한 코팅표면을 가지며, 운송시 코팅부분이 벗겨짐 없이 운반할 수 있다. 분사코팅법이 일반적으로 더 많은 불순물을 표면상에 주입시키지만, 도가니 외부의 이러한 오염은 실리콘 단결정의 순도에 영향을 미치지 않는다.
어느 방법으로 만들어진 도가니이건 초크랄스키 공정에서 사용할 때, 도가니에 폴리실리콘을 채우고 가열하여 폴리실리콘을 용융시킨다. 알칼리토금속이나 다른 실투화 촉진제는 도가니를 용융온도로 가열될 때 결정핵생성 부위를 만든다. 예를 들면, 탄화바륨은 도가니를 가열시킴에 따라 비안정적으로 되며 도가니 표면상에서 실리카와 쉽게 반응하는 산화바륨으로 전환되어 규산바륨을 형성한다. 일단 도가니를 약 600 ℃ 로 가열시키면 바륨은 결정핵생성 부위를 만든다. 규산염이 가열되면 결정핵생성 부위에서 결정화가 일어나며, 결정성장 공정 동안 계속되어 도가니의 표면상에 세라믹 외피를 형성한다.
알칼리토금속 수산화 용액이 본 발명의 도가니 코팅에 바람직하지만, 옥살산염, 산화물, 과산화물, 할로겐화물, 프로피온산염, 살리실산염, 포름산염, 아세트산염, 스테아르산염, 타르타르산염, 탄산염 및 규산염 용액들도 또한 분사코팅 또는 적하코팅법에 의해 도가니에 직접적으로 적용될 수 있다. 알칼리토금속 탄산염 또는 옥살산염이 표면에 주입될 경우, 탄산염 또는 옥살산염은 상술한 산화물로 전환된다. 산화물은 실리카 도가니와 반응하여 규산염을 형성한다. 알칼리토금속이나 금속산화물에 의해 형성된 결정핵생성 부위에서 규산염이 결정화 된다.
다음의 실시예는 바람직한 실시예 및 본 발명의 유용성을 기재하였고 첨부된 청구범위에서 언급되지 않았더라도 본 발명을 제한하는 것을 의미하는 것은 아니다.
실시예 1 : 덩어리 폴리실리콘이 장입된 내부적으로 처리된 직경 35.56 cm 의 도가니
표면처리된 도가니는 직경이 35.56 cm (14 인치) 이며 높이가 30.48 cm (12인치) 인 상업적으로 유용한 유리질 석영 도가니로부터 제조된다. 각 도가니는 도가니가 회전함에 따라 도가니의 내부표면 (즉, 측부 및 저부) 상에 수용성 수산화바륨 용액을 적하시켜 제조된다. 탄화바륨이 형성되고, 용액으로부터 분리되며, 도가니의 내부표면을 코팅한다. 과잉용액을 흘러버리고 도가니가 건조되면, 도가니의 내부표면상에 약 2 mM 바륨이 코팅된다.
표면처리된 도가니와 표준도가니를 덩어리 폴리실리콘 약 36 kg 과 p형 불순물 합금 1.4 g 으로 채우고 Kayex 주식회사의 Hamco Division 에서 제조된 표준 결정인상기 내에 위치시킨다. 각 도가니를 폴리실리콘이 용융될 때까지 약 1500℃ 로 가열시킨다. 그리고 종래 초크랄스키 결정인상 공정을 개시한다. 도가니는 회전하기 시작하며 종자 결정을 용융액으로 적하시킨다. 용융된 실리콘이 시드결정 상에서 결정화가 시작되면서, 시드를 충분한 속도로 들어올려 결정의 넥부분을 형성한다. 인상속도를 잉곳 직경이 약 152.4 mm (6 인치) 가 될 때까지 천천히 감소시킨다. 인상속도는 실리콘의 대부분이 소비될 때까지 유지된다. 다음에, 인상속도와 온도를 증가시켜 결정잉곳의 말단을 형성한다.다음에, 인상기에 전력공급을 중단시키고, 시스템을 냉각시키고 잉곳을 제거한다.
결정을 분석하여 그의 제로전위 길이를 결정한다. 제로전위 길이는 결정격자내에 전위없이 인상된 단결정 잉곳의 인치수이다. 제로전위 수율은 용융 전에 도가니에 장입된 폴리실리콘의 kg당 제로전위의 길이이다. 제로전위 처리량은 실행을 완수하기 위해 요구되는 시간 (즉, 시스템의 설치에서 냉각된 결정 잉곳을 얻기까지의 시간) 당 제로전위 길이로서 정의된다.
표 1 은 본 발명에 따라 표면처리된 도가니를 사용한 43 번의 실행 및 상업적으로 유용한 유리질 도가니를 사용한 44 번의 실행 동안 얻어진 평균 제로전위길이를 나타낸다. 정전이나 관계없는 공정 이상 때문에 표면처리된 도가니를 사용한 한 번의 실행 및 표준 도가니를 사용한 여섯 번의 실행은 표 1 에서는 고려되지 않았다. 또한, 인상장치가 가진 역학적인 문제점으로 인해 도가니내에 실질적으로 용융액이 남겨질 때 제로전위 손실이 발생되기 때문에 두 번의 표면처리된 도가니 실행과 한 번의 표준 도가니 실행을 제거했다. 성장된 결정은 결정 인상기로부터 때어내어 제거한다. 새로운 시드가 용융액으로 삽입되면 결정 성장이 다시 시작된다.
[표 1]
표 2 는 표면처리된 도가니와 표준 도가니에 대한 제로전위 수율 및 처리량을 비교한다. 수율 및 처리량은 사용하기 전에 내부적으로 처리하여 각각 17.5 - 24.6 % 및 15 - 21 % 가 개선된다.
[표 2]
1정전이나 관계없는 공정의 이상에 관계된 실행은 제거되었다.
2공정의 이상에 대해 조절되지 않은 표준도가니에 관한 것임.
실시예 2 : 덩어리 폴리실리콘이 장입된 외부적으로 처리된 직경 55.88 cm 의 도가니
외부적으로 표면처리된 도가니는 직경이 55.88 cm (22 인치) 이고 높이가 43.18 cm (17 인치) 인 상업적으로 유용한 유리질 석영 도가니로부터 제조된다. 각 도가니는 200 - 300 ℃ 로 도가니를 가열하고 도가니의 외부표면 (즉, 측부) 상에 이산화탄소 및 수산화바륨 수용액 (21 ml 의 물에 있는 2 mM 의 수산화바륨 팔 수화물) 을 분사시켜 제조한다. 각 도가니를 이산화탄소 및 수산화바륨 지지액으로 4 번 분사코팅한다. 외부표면에 물과 이산화탄소를 동시에 분사하여 코팅된 표면의 pH 가 9.5 이하가 될 때까지 수산화바륨을 탄화바륨으로 전환시킨다.
외부적으로 표면처리된 8개의 도가니와 17개의 표준 도가니에 각각 덩어리 폴리실리콘 약 100 kg 을 충전시켜 표준 결정인상기에 위치시키고 폴리실리콘이 용융될 때까지 약 1500 ℃ 로 가열된다. 실시예 1 에 기술된 종래 초크랄스키 결정인상 공정을 수행하여 직경이 210 mm (8 인치) 인 단결정 잉곳을 성장시킨다.
외부적으로 처리된 도가니로부터 성장된 결정에 대한 제로전위 수율은 표준 도가니로부터 성장된 결정에 대한 수율보다 25.8 % (신뢰도 98 %) 더 크다.
실시예 3 : 입상 폴리실리콘이 장입된 부분적으로 외부적으로 표면 처리된 직경 55.88 cm 의 도가니
직경이 55.88 cm (22 인치) 이며 높이가 43.18 cm (17 인치) 인 6개의 상업적으로 유용한 석영도가니를 실시예 1 에서 기술된 내부적으로 표면처리한다. 또한, 직경이 55.88 cm 인 부분적으로 표면처리된 6개의 도가니는 수산화바륨 용액으로 내부측벽을 적하코팅하여 제조되고, 저벽의 내부면은 코팅하지 않은 채로 남겨둔다. 각각의 도가니를 100 kg 의 입상 폴리실리콘으로 채운다. 직경 55.88 cm 인 20개의 표준 석영도가니를 100 kg 의 덩어리 폴리실리콘으로 채운다. 각각의 도가니 안에서 폴리실리콘을 용융시켜, 앞서 기술된 종래 초크랄스키 공정에 의해 용융액으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다.
잉곳을 종래 적외선 비디오 카메라 스캐너를 사용하여 적외선으로 분석하여 성장시 결정 내 포획된 아르곤 가스의 포켓으로 생긴 결정 내에서 큰 공간을 검출한다. 적외선 스캐너 테스트의 결과는 표 3에서 요약된다.
[표 3]
잉곳이 내부적으로 표면처리된 도가니에 보유된 입상 폴리실리콘으로부터 형성된 용융액으로부터 인상될 때, 큰 공간이 잉곳 내에서 검출된다. 그러나, 코팅된 내부측벽 표면과 코팅되지 않은 저벽 표면을 갖는 도가니로부터 성장된 결정은 내부적으로 표면처리된 도가니로부터 성장된 결정보다 약 6 배나 적은 공간을 갖는다.
실시예 4 : 입상 폴리실리콘이 장입된 내부적으로 표면처리된 직경 35.56 cm 의 도가니
직경이 35.56 cm (14 인치) 인 215 개의 표준 석영 도가니를 입상 폴리실리콘 26 kg 으로 채운다. 직경이 35.56 cm 인 내부표면처리된 130개의 도가니는 0.1 M 수산화바륨 용액 21 ml 로 내부 측벽면 및 저벽면을 적하 코팅하여 제조한다. 84 개의 도가니는 입상 폴리실리콘 21 kg와 덩어리 폴리실리콘 5 kg 으로 채우고, 나머지 44 개의 도가니는 각각 입상 폴리실리콘 26 kg 의 채운다. 폴리실리콘을 용융시킨 후에, 초크랄스키 공정으로 각 도가니 내의 폴리실리콘 용융액으로부터 단결정 실리콘 잉곳을 인상시킨다.
잉곳을 슬라이싱하고 시각적으로 분석하여 공간이 각 슬라이스 표면상에 존재하는지의 여부를 결정한다. 표면상에 공간을 갖는 슬라이스는 상업적으로 허용할 수 없기 때문에 제외한다. 제로전위 수율, 처리량 및 제외되는 슬라이스의 백분율은 표 4 에서 요약되었다.
[표 4]
결정을 입상 폴리실리콘 장입물에서 성장시킬 때, 표준 도가니에서 성장된 결정은 내부 처리된 도가니에서 성장된 결정의 0.1 배의 공간을 갖는다. 표준 및 내부적 처리된 도가니에 대해 제로전위수율과 처리량 사이에는 통계학적으로 커다란 차이점은 없다.
실시예 5 : 입상 폴리실리콘이 장입된 내부적으로 표면처리된 직경 35.56 cm 의 도가니
직경이 35.56 cm (14 인치) 인 5 개의 표준 석영 도가니를 입상 폴리실리콘 34 kg 으로 채운다. 폴리실리콘을 용융시켜 실시예 1 에서 기술된 초크랄스키 결정인상 작업을 개시한다. 이들 실행중 3번은, 결정성장시 도가니가 변형되고 휘어져, 결정성장을 중단했다.
직경이 35.56 cm 인 외부적으로 표면처리된 240 개의 석영도가니는 0.05 M 수산화바륨 수용액의 10.5 ml 로 표준 도가니의 외부 측벽 표면을 적하 코팅하여 제조한다. 각 도가니를 입상 폴리실리콘 34 kg 으로 채운다. 직경이 35.56 cm 인 내부표면처리된 129 개의 용융석영 도가니는 0.1 M 수산화바륨 수용액 21 ml 로 내부 측벽표면과 저벽표면을 적하 코팅하여 제조한다. 각각의 도가니는 24 kg 의 입상 폴리실리콘과 10 kg 의 덩어리 폴리실리콘으로 채운다. 각 폴리실리콘을 용융시키고, 각 도가니 내에서 폴리실리콘으로부터 단결정 잉곳을 인상시킨다. 제로전위 결정의 전체 길이, 제로전위 수율 및 처리량은 표 5 에서 요약되었다.
[표 5]
입상 폴리실리콘으로 채워진 초크랄스키 결정성장시 표준도가니는 일반적으로 휘어진다. 도가니를 외부표면처리하였을 때는 이러한 휘어짐은 발견되지 않는다. 외부 처리된 도가니에서 성장된 결정은 또한 도가니 내부를 처리하지않고 둘 경우 제로전위 수율이나 처리량의 손실없이 내부적 처리된 도가니에서 성장된 결정에 비교하여 아주 적은 공간을 갖는다는 것이 발견된다.
실시예 6 : 덩어리 폴리실리콘이 장입된 내부적 및 외부적으로 표면처리된 직경 55.88 cm 의 도가니
직경이 55.88 cm 인 48 개의 표준 도가니를 실시예 1 에 기재된 바와 같이 내부 처리한다. 16 개의 도가니를 실시예 2 에서 기재된 바와 같이 또한 외부 처리한다. 각 도가니를 덩어리 폴리실리콘 100 kg 으로 채운다. 직경이 200 mm 인 실리콘 단결정 잉곳을 상술한 종래 초크랄스키법으로 성장시킨다.
내부적으로 표면처리된 도가니와 내부표면과 외부표면이 처리된 도가니에 대한 상대적인 제로전위 수율은 각각 100 % 및 110 % 이다. 제로전위 수율은 내부적인 표면처리 뿐만 아니라 도가니를 외부 코팅함으로써 약 9.8 % 개선된다.
본 발명은 다양한 변형과 상당물을 허용할 수 있으며, 특별한 실시예는 도면에서 예로서 도시되며 상세하게 기재되었다. 또한, 개시된 특별한 형태로 본 발명을 제한하려는 의도는 아니며, 반대로 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 한정됨으로써 본 발명의 사상 및 범위 내에서 해당되는 모든 변경물과, 상당물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해된다.
Claims (6)
- 초크랄스키 공정으로 도가니 내에 함유된 용융된 반도체 재료로부터 성장된 단결정 내부의 전위형성 방지 방법으로서, 상기 도가니는 저벽 및 상기 저벽으로부터 연장되어 상기 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함하고, 상기 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는 상기 전위형성 방지 방법에 있어서,약 600 ℃ 이하의 온도에서 상기 측벽 구조물의 상기 내부표면 상에 제 1 실투화 촉진제를 증착시키는 단계; 및상기 결정을 상기 용융된 반도체 재료로부터 인상시키면서 결정성 실리카 미립자를 상기 용융된 반도체 재료로 배출시키는 것을 감소시키는 단계를 포함하고,상기 증착은 상기 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시, 상기 내부표면의 실질적으로 균일한 용해를 촉진시킬 수 있는 실질적으로 실투된 제 1 실리카층을 내부 표면에 형성시키는 것을 특징으로 하는 초크랄스키 공정으로 도가니에 함유된 용융된 반도체 재료로부터 성장된 단결정 내에서 전위형성 방지 방법.
- 초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료를 포함하는 도가니 보강방법으로서, 상기 도가니는 저벽 및 상기 저벽으로부터 연장하며 상기 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함하며, 상기 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는 용융된 반도체 재료를 포함하는 상기 도가니 보강방법에 있어서,약 600 ℃ 이하의 온도에서 상기 측벽 구조물의 상기 외부표면 상에 제 2 실투화 촉진제를 증착시키는 단계를 포함하고,상기 증착은 상기 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시, 유리질 실리카 본체를 보강할 수 있는 상기 외부표면 상에 실질적으로 실투화된 제 2 실리카층이 형성되는 것을 특징으로 하는 초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료의 도가니 보강방법.
- 초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료를 포함하는 도가니 보강방법으로서, 상기 도가니는 저벽 및 상기 저벽으로부터 연장하며 상기 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함하며, 상기 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 갖는 용융된 반도체 재료를 포함하는 상기 도가니 보강방법에 있어서,약 600 ℃ 이하의 온도에서 상기 측벽 구조물의 상기 내부표면 상에 제 1 실투화 촉진제를 증착시키는 단계; 및약 600 ℃ 이하의 온도에서 상기 측벽 구조물의 상기 외부표면 상에 제 2 실투화 촉진제를 증착시키는 단계를 포함하고,상기 증착은 상기 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 결정이 상기 용융된 반도체 재료로부터 인상되면서, 상기 내부표면의 균일한 용해를 촉진시키며 상기 용융된 반도체 재료로 결정성 실리카 미립자의 배출을 감소시킬 수 있는 상기내부표면 상에서 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층을 형성시키는 것이고,상기 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 상기 유리질 실리카 본체를 보강할 수 있는 상기 외부표면 상에서 실질적으로 실투화된 제 2 실리카층이 형성되는 상기 증착을 구비하는 것을 특징으로 하는 초크랄스키 공정에서 용융된 반도체 재료의 도가니 보강방법.
- 초크랄스키 공정으로 성장된 단결정 내에서 공간 결함을 최소화시키는 방법으로서, 상기 결함은 도가니의 내부표면에서 아르곤 가스 포획에 의해 발생되며, 상기 도가니는 직경이 35.56 cm 보다 크고, 저벽 및 상기 저벽으로부터 연장하며 상기 용융된 실리콘을 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 포함하며, 상기 측벽 구조물 및 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 가지며, 상기 실리콘 용융액은 입상 폴리실리콘으로부터 형성된, 상기 공간 결함을 최소화시키는 방법에 있어서,약 600 ℃ 이하의 온도에서 상기 도가니의 상기 측벽 구조물의 상기 내부표면 상에 제 1 실투화 촉진제를 증착시키는 단계를 포함하고,상기 증착은 상기 도가니를 600 ℃ 이상으로 가열시킬 때, 내부표면 상에 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층이 형성되며, 상기 저벽의 내부표면은 제 1 실투화 촉진제가 결핍되어 상기 결정이 상기 용융된 실리콘으로부터 인상되기 전에 아르곤 가스를 상기 내부표면으로부터 상기 용융액으로 배출시키는 것을 특징으로 하는 초크랄스키 공정에 의해 성장된 단결정 내에서 공간 결함을 최소화시키는 방법.
- 초크랄스키 방법으로 단결정을 인상시키는 실리콘 용융액 제조방법에 있어서,내부표면과 외부표면을 각각 갖는 저벽 및 상기 저벽으로부터 연장하며 상기 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 구비하는 도가니에 다결정실리콘을 채우는 단계; 및상기 도가니의 상기 내부표면 또는 외부표면 상에 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층을 형성하기 위해서 상기 도가니 내에서 상기 다결정성 실리콘을 용융시키는 단계를 포함하며,제 1 실투화 촉진제는 상기 측벽 구조물의 상기 내부표면 또는 상기 외부표면에 있고,상기 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층은, 상기 결정을 인상시키면서 상기 내부표면의 균일한 용해를 촉진시키고 상기 용융된 실리콘으로 결정성 실리카 미립자의 배출시키는 것을 지연시키거나 상기 유리질 실리카 본체를 보강하는 것을 특징으로 하는 초크랄스키법에 의해 단결정을 인상시키기 위한 실리콘 용융액 제조방법.
- 초크랄스키법으로 단결정을 인상시키는 실리콘 용융액 제조방법에 있어서,저벽 및 상기 저벽으로부터 연장되어 용융된 반도체 재료를 수용하는 구멍을 만드는 측벽 구조물을 갖는 유리질 실리카 본체를 구비하는 도가니에 입상 다결정실리콘을 채우는 단계; 및아르곤 가스가 상기 저벽의 상기 내부표면으로부터 상기 용융액으로 배출되도록, 상기 용융된 실리콘과 접촉하는 상기 도가니의 상기 내부표면 상에 실질적으로 실투화된 제 1 실리카층을 형성시켜, 상기 도가니 내에서 상기 다결정성 실리콘을 용융시키는 단계를 포함하고,상기 측벽 구조물 및 상기 저벽 각각은 내부표면과 외부표면을 가지며,제 1 실투화 촉진제는 상기 측벽 구조물의 상기 내부표면 상에 있으며, 상기 저벽의 상기 내부표면은 상기 제 1 실투화 촉진제가 결핍되어 있는 것을 특징으로 하는 초크랄스키법에 의해 단결정을 인상시키는 실리콘 용융액 제조방법.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101539385B1 (ko) * | 2011-05-25 | 2015-07-24 | 세인트-고바인 리서치 (상하이) 코포레이션 리미티드 | 실리카 도가니 및 이것을 제조하는 방법 |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0892091A1 (en) * | 1997-07-03 | 1999-01-20 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Graphite support vessels having a low concentration of calcium impurities and use thereof for production of single-crystal silicon |
| US6106610A (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Quartz glass crucible for producing silicone single crystal and method for producing the crucible |
| US6319313B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-11-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| US6350312B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-02-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Strontium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
| DE19943103A1 (de) | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Wacker Chemie Gmbh | Hochgefüllte SiO2-Dispersion, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung |
| US6302957B1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-10-16 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Quartz crucible reproducing method |
| US6344083B1 (en) | 2000-02-14 | 2002-02-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing a silicon melt |
| US6749683B2 (en) | 2000-02-14 | 2004-06-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for producing a silicon melt |
| US6632413B2 (en) | 2000-08-21 | 2003-10-14 | Astropower, Inc. | Method for purifying silicon |
| AUPR054000A0 (en) * | 2000-10-04 | 2000-10-26 | Austai Motors Designing Pty Ltd | A planetary gear apparatus |
| WO2002040183A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | G.T. Equipment Technologies Inc. | Improved crucible coating system |
| US6491971B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-12-10 | G.T. Equipment Technologies, Inc | Release coating system for crucibles |
| AU2001288566A1 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-27 | Gt Equipment Technologies Inc. | A protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
| US20040118156A1 (en) * | 2001-03-08 | 2004-06-24 | Gabriele Korus | Method of producing a quartz glass crucible |
| US6755049B2 (en) * | 2001-03-08 | 2004-06-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Method of producing a quartz glass crucible |
| US6641663B2 (en) | 2001-12-12 | 2003-11-04 | Heracus Shin-Estu America | Silica crucible with inner layer crystallizer and method |
| US7118789B2 (en) | 2001-07-16 | 2006-10-10 | Heraeus Shin-Etsu America | Silica glass crucible |
| US20030024467A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of eliminating near-surface bubbles in quartz crucibles |
| US6712901B2 (en) * | 2001-10-16 | 2004-03-30 | Japan Super Quartz Corporation | Surface modification process of quartz glass crucible |
| DE10156137B4 (de) * | 2001-11-15 | 2004-08-19 | Wacker-Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Kieselglastiegels mit kristallinen Bereichen aus einem porösen Kieselglasgrünkörper |
| US6875515B2 (en) * | 2002-05-10 | 2005-04-05 | General Electric Company | Fused quartz article having controlled devitrification |
| JP4086283B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-05-14 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
| JP4444559B2 (ja) * | 2002-10-09 | 2010-03-31 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボの強化方法とシリコン単結晶の引き上げ方法 |
| DE10339676A1 (de) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Wacker-Chemie Gmbh | SiO2-Formkörper, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung |
| US8105457B2 (en) * | 2003-12-22 | 2012-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Method for joining at least a first member and a second member, lithographic apparatus and device manufacturing method, as well as a device manufactured thereby |
| US7497907B2 (en) * | 2004-07-23 | 2009-03-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Partially devitrified crucible |
| JP4517953B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-08-04 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶の製造方法 |
| US7383696B2 (en) * | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with bubble-free and reduced bubble growth wall |
| US7427327B2 (en) * | 2005-09-08 | 2008-09-23 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Silica glass crucible with barium-doped inner wall |
| TW200730672A (en) * | 2005-11-29 | 2007-08-16 | Japan Super Quartz Corp | Quartz glass crucible, method of producing the same, and application thereof |
| JP4994647B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-08-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 結晶化し易い石英ガラス部材とその用途 |
| US7716948B2 (en) * | 2006-12-18 | 2010-05-18 | Heraeus Shin-Etsu America, Inc. | Crucible having a doped upper wall portion and method for making the same |
| US20090120353A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Reduction of air pockets in silicon crystals by avoiding the introduction of nearly-insoluble gases into the melt |
| JP2011088755A (ja) | 2008-03-14 | 2011-05-06 | Japan Siper Quarts Corp | 石英ガラスルツボおよびその製造方法 |
| JP4985554B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン溶融用ルツボ及びシリコン単結晶引上装置 |
| US20100095880A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Japan Super Quartz Corporation | Arc melting high-purity carbon electrode and application thereof |
| DE102009013715B4 (de) | 2009-03-20 | 2013-07-18 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglaskörpers, insbesondere eines Quarzglastiegels |
| EP2454398A2 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-23 | MEMC Singapore Pte. Ltd. | Coated crucibles and methods for preparing and use thereof |
| JP5058378B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2012-10-24 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 複合ルツボ |
| US20110210470A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 6N Silicon Inc. | Crucible and method for furnace capacity utilization |
| CN101811832B (zh) * | 2010-05-10 | 2012-10-03 | 宁波宝斯达坩埚保温制品有限公司 | 石英坩埚内表面处理工艺 |
| FR2963341B1 (fr) | 2010-07-27 | 2013-02-22 | Saint Gobain Quartz Sas | Creuset a ouverture polygonale |
| JP5053426B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-10-17 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコン単結晶製造方法 |
| JP5574534B2 (ja) | 2010-12-28 | 2014-08-20 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 複合ルツボ |
| JP4854814B1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-01-18 | Ｆｔｂ研究所株式会社 | シリコン結晶成長用石英坩堝のコーティング方法及びシリコン結晶成長用石英坩堝 |
| US9499924B2 (en) * | 2011-09-01 | 2016-11-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal |
| JP5509189B2 (ja) | 2011-12-26 | 2014-06-04 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | 単結晶シリコンの製造方法 |
| DE102012011793A1 (de) | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglastiegels |
| CN105849321B (zh) * | 2013-12-28 | 2019-04-12 | 胜高股份有限公司 | 石英玻璃坩埚及其应变测定装置 |
| DE102014107590B3 (de) * | 2014-05-28 | 2015-10-01 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung, Siliziumwafer und Verfahren zum Herstellen eines Siliziumwafers |
| CN105239159A (zh) * | 2015-09-10 | 2016-01-13 | 上海超硅半导体有限公司 | 直拉法生长单晶硅用石英坩埚的设计及制备方法 |
| KR102213151B1 (ko) | 2016-09-23 | 2021-02-05 | 가부시키가이샤 사무코 | 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법과 석영 유리 도가니를 이용한 실리콘 단결정의 제조 방법 |
| JP6743753B2 (ja) * | 2017-04-27 | 2020-08-19 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の引上げ方法 |
| EP3428132B1 (de) | 2017-07-10 | 2023-08-30 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Quarzglasbauteil mit hoher thermischer stabilität, halbzeug dafür und verfahren zur herstellung desselben |
| US10170304B1 (en) | 2017-10-25 | 2019-01-01 | Globalfoundries Inc. | Self-aligned nanotube structures |
| JP7014679B2 (ja) * | 2018-06-29 | 2022-02-01 | クアーズテック株式会社 | 石英ガラスルツボ |
| CN111850681B (zh) * | 2019-04-29 | 2021-09-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长方法和装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3240568A (en) * | 1961-12-20 | 1966-03-15 | Monsanto Co | Process and apparatus for the production of single crystal compounds |
| CH474032A (de) * | 1964-01-13 | 1969-06-15 | Siemens Ag | Quarztiegel zum Schmelzen von Silizium |
| US3508894A (en) * | 1966-09-29 | 1970-04-28 | Owens Illinois Inc | Method for metailizing a glass surface |
| US4102666A (en) * | 1968-02-22 | 1978-07-25 | Heraeus-Schott Quarzschmelze Gmbh | Method of surface crystallizing quartz |
| US3776809A (en) * | 1968-02-22 | 1973-12-04 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Quartz glass elements |
| DE1771305C3 (de) * | 1968-05-03 | 1974-07-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Reinigen eines für die Halbleiterherstellung dienenden Behandlungsgefäßes aus Quarz |
| DE2038564C3 (de) * | 1970-08-04 | 1973-09-13 | Heraeus Schott Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Quarzglasgeräteteil, insbesondere Quarzglasrohr, mit in seiner Außenoberflächenschicht enthaltenen, Kristallbildung fördernden Keimen zur Verwendung bei hohen Temperaturen, insbesondere für die Durchführung halbleitertechnologischer Verfahren |
| US4010064A (en) * | 1975-05-27 | 1977-03-01 | International Business Machines Corporation | Controlling the oxygen content of Czochralski process of silicon crystals by sandblasting silica vessel |
| JPS5238873A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electron gun |
| GB1577413A (en) * | 1976-03-17 | 1980-10-22 | Metals Research Ltd | Growth of crystalline material |
| US4047966A (en) * | 1976-04-26 | 1977-09-13 | Corning Glass Works | Method of enhancing the refractoriness of high purity fused silica |
| US4028124A (en) * | 1976-04-26 | 1977-06-07 | Corning Glass Works | Method of enhancing the refractoriness of high purity fused silica |
| JPS5328058A (en) * | 1976-08-27 | 1978-03-15 | Kubota Ltd | Method of producing rolling roll |
| NL7903842A (nl) * | 1979-05-16 | 1980-11-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het bereiden van gedoteerd kwartsglas en daaruit vervaardigde voorwerpen. |
| DE3014311C2 (de) * | 1980-04-15 | 1982-06-16 | Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US4429009A (en) * | 1981-10-30 | 1984-01-31 | Hughes Aircraft Company | Process for surface conversion of vitreous silica to cristobalite |
| JPS60137892A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-22 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ |
| US5053359A (en) * | 1989-03-24 | 1991-10-01 | Pyromatics, Inc. | Cristobalite reinforcement of high silica glass |
| US4935046A (en) * | 1987-12-03 | 1990-06-19 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor |
| JPH02107587A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-19 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体単結晶育成装置 |
| JP2933404B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-08-16 | 信越石英 株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法 |
| FR2704309B1 (fr) * | 1993-04-19 | 1995-06-09 | Quartz Silice Sa | Creuset comportant un revetement protecteur en couche mince, procede de fabrication et applications. |
| JP3100836B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2000-10-23 | 信越石英株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
| US5976247A (en) * | 1995-06-14 | 1999-11-02 | Memc Electronic Materials, Inc. | Surface-treated crucibles for improved zero dislocation performance |
| DE19916241C2 (de) * | 1999-04-10 | 2001-04-19 | Dental Kunstleder & Lederservi | Operationsleuchte, insbesondere für den Dentalbereich |
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