KR100369895B1 - Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereof - Google Patents
Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereofInfo
- Publication number
- KR100369895B1 KR100369895B1 KR10-2000-0044801A KR20000044801A KR100369895B1 KR 100369895 B1 KR100369895 B1 KR 100369895B1 KR 20000044801 A KR20000044801 A KR 20000044801A KR 100369895 B1 KR100369895 B1 KR 100369895B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thermistor element
- layer
- thermistor
- temperature
- electrode
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
내환경 특성을 증진시키고 제조시에 특성의 변화를 최소화하여 제조 수율을 향상시키고 고정밀 고감도 특성을 갖도록, 온도변화에 대하여 특정 저항값의 변화를 나타내는 써미스터 소자와, 써미스터 소자의 양측면에 접속하여 설치되는 단자선과, 단자선과 써미스터 소자를 접합시키는 전극층과, 써미스터 소자와 전극층을 감싸며 완충층의 역할을 하고 열전도가 좋은 알루미나, 지르코니아, 마그네시아 등의 금속으로 이루어지는 다공질층과, 다공질층을 감싸며 치밀한 막을 형성하는 치밀유리층으로 이루어지는 중고온용 써미스터를 제공한다.It is installed by connecting the thermistor element showing the change of specific resistance value against temperature change and the both sides of the thermistor element so as to improve the environmental resistance, minimize the change of the characteristic at the time of manufacture, and improve the manufacturing yield and have high precision and high sensitivity characteristic. An electrode layer for joining the terminal line, the terminal line and the thermistor element, a porous layer made of alumina, zirconia, magnesia, etc., which surrounds the thermistor element and the electrode layer, serves as a buffer layer, and has a high thermal conductivity, and forms a dense film surrounding the porous layer. It provides a high temperature thermistor made of a glass layer.
또 써미스터 소자를 선정하여 전극용 페이스트를 사용하여 단자선을 부착한 다음 건조시키고, 그 위에 열전도가 좋은 금속분말 페이스트를 도포하고, 다시 유리분말 페이스트를 도포하여 건조하고, 전극의 접합과 도포막의 치밀화를 위하여 650∼850℃ 정도의 온도범위에서 대략 15∼50분 정도 열처리를 행하는 중고온용 써미스터 제조방법.In addition, thermistor element is selected, the terminal wire is attached using an electrode paste, followed by drying. Then, a metal powder paste having good thermal conductivity is applied thereon, and the glass powder paste is applied again to dry, and the electrode is bonded and the coating film is densified. The high temperature thermistor manufacturing method for heat treatment for about 15 to 50 minutes in the temperature range of about 650 ~ 850 ℃.
Description
본 발명은 중고온용 써미스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 치밀유리층에 의하여 내환경 특성을 증진시키고 다공질층을 형성시키므로 열처리시에 유리층과 써미스터 소자의 반응을 방지하여 제조시에 특성의 변화를 최소화하여 제조 수율을 향상시키고 고정밀 고감도 특성을 갖는 중고온용 써미스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a medium-temperature thermistor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to improve environmental resistance and to form a porous layer by means of a dense glass layer, thereby preventing reaction between the glass layer and thermistor element during heat treatment. It relates to a high-temperature thermistor having a high precision and high sensitivity characteristics by minimizing the change in characteristics, and a manufacturing method thereof.
일반적으로 써미스터는 온도변화에 대응하여 반도체의 저항율이 변화하는 성질을 이용한 반도체 소자로서, 특정한 온도에서 저항값이 급격히 증가하는 정온도 특성을 나타내는 PTC 써미스터와 특정한 온도에서 저항값이 완만하게 감소하는 부온도 특성을 나타내는 NTC 써미스터 등이 있다.In general, a thermistor is a semiconductor device using a property in which the resistivity of a semiconductor changes in response to a temperature change.A PTC thermistor which exhibits a positive temperature characteristic in which a resistance value is rapidly increased at a specific temperature and a part in which the resistance value is gradually decreased at a specific temperature is used. NTC thermistors exhibiting temperature characteristics.
상기에서 써미스터 소자는 온도변화에 대하여 큰 저항변화를 가지는 감온 반도체로서, 대부분 3종류이상의 금속산화분말을 혼합하여 고온에서 소결한다.The thermistor element is a thermosensitive semiconductor having a large resistance change with respect to temperature change, and most of three or more kinds of metal oxide powders are mixed and sintered at high temperature.
상기한 써미스터는 저항의 온도계수가 크기 때문에 미세한 온도변화에 대한 측정이 가능하며, 정밀한 계측이 가능하고, 경시변화가 적으며, 온도 이외의 전기·자기 등의 기타 요인에 둔감하여 가전제품용 온도센서, 사무자동화기기용 온도센서, 자동차 및 산업용 기기의 온도검출 및 온도제어용 센서 등으로 널리 사용한다.Since the thermistor has a large temperature coefficient of resistance, it is possible to measure minute temperature changes, precise measurement is possible, and there is little change over time, and it is insensitive to other factors such as electric and magnetic temperature other than temperature. It is widely used as temperature sensor for office automation equipment, sensor for temperature detection and temperature control of automobile and industrial equipment.
최근에는 산업의 자동화 및 온도영역 고성능화 추세에 따라 200℃ 이상의 온도영역에서 안정적으로 사용할 수 있는 중고온용 써미스터의 활용이 급격히 늘어나고 있다.Recently, the use of high-temperature thermistors that can be stably used in a temperature range of 200 ° C or higher is rapidly increasing according to the trend of industrial automation and high temperature range.
그런데 150℃ 이내에서 사용하는 일반용 써미스터의 경우에는 단자를 땜납으로 접합한 다음 내환경을 위하여 에폭시수지로 보호막을 형성시키고 있지만, 150℃ 이상의 온도영역에서 사용하는 중고온용 써미스터의 경우에는 열적변화를 방지하기 위하여 단자의 부착과 보호막의 재질과 형성을 다르게 하여야 한다.In the case of general thermistors used within 150 ℃, the terminals are joined with solder and then a protective film is formed with epoxy resin for the internal environment.However, in the case of the high temperature thermistors used in the temperature range above 150 ℃, the thermal change is prevented. In order to do this, the attachment of the terminal and the material and formation of the protective film should be different.
일반적으로 중고온용 써미스터의 경우에는 유리튜브를 이용한 유리봉입형 써미스터, 유리페이스트를 이용한 비드형 써미스터, 보호막을 형성하지 않는 전극일체형 써미스터로 구분한다.In general, the medium-temperature thermistors are classified into glass encapsulated thermistors using glass tubes, bead-type thermistors using glass pastes, and electrode integrated thermistors that do not form a protective film.
상기한 종래 중고온용 써미스터에 있어서, 유리봉입형 써미스터는 유리막이 써미스터 소자와 직접 접촉되지 않아 보호막 형성시에 특성의 변화가 작지만, 공기중간층에 의해 감지특성이 저하된다.In the above-described conventional high temperature thermistor, the glass encapsulated thermistor has a small change in characteristics when the protective film is formed because the glass film does not directly contact the thermistor element, but the sensing characteristic is deteriorated by the air intermediate layer.
또 비드형 써미스터는 제조시에 조건에 따른 특성 편차와 유리막 형성에 따른 특성의 변화가 커서 제조 수율이 크게 저하된다.In addition, the bead-type thermistor has a large variation in characteristics depending on the conditions at the time of manufacture and a change in characteristics due to the formation of a glass film, so that the production yield is greatly reduced.
그리고 전극일체형 써미스터는 보호막을 형성하지 않고 케이스에 넣어 조립하므로 내환경특성이 저하된다.In addition, since the electrode integrated thermistor is assembled into a case without forming a protective film, environmental characteristics are deteriorated.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 치밀유리층에 의하여 내환경 특성을 증진시키고 다공질층을 형성시키므로 열처리시에 치밀유리층과 써미스터 소자의 반응을 방지하여 제조시에 특성의 변화를 최소화하여 제조 수율을 향상시키고 고정밀 고감도 특성을 갖는 중고온용 써미스터 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to solve the above problems, by improving the environmental properties and forming a porous layer by the dense glass layer to prevent the reaction of the dense glass layer and thermistor element during heat treatment, The purpose of the present invention is to provide a high-temperature thermistor having a high precision and high sensitivity and a method of manufacturing the same by minimizing change to improve production yield.
도 1은 본 발명에 따른 중고온용 써미스터의 일실시예를 개략적으로 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a high-temperature thermistor according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 제조방법의 일실시예를 개략적으로 나타내는 블럭도.Figure 2 is a block diagram schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a high temperature thermistor according to the present invention.
본 발명이 제안하는 중고온용 써미스터는 온도변화에 대하여 특정 저항값의 변화를 나타내는 써미스터 소자와, 상기한 써미스터 소자의 양측면에 접속하여 설치되는 단자선과, 상기한 단자선과 써미스터 소자를 접합시키는 전극층과, 상기한 써미스터 소자와 전극층을 감싸며 완충층의 역할을 하는 다공질층과, 상기한 다공질층을 감싸며 치밀한 막을 형성하는 치밀유리층으로 이루어진다.The high temperature thermistor proposed by the present invention includes a thermistor element showing a change in a specific resistance value with respect to temperature change, a terminal line connected to both sides of the thermistor element, an electrode layer for joining the terminal line and the thermistor element, A porous layer serving as a buffer layer surrounding the thermistor element and the electrode layer, and a dense glass layer covering the porous layer to form a dense film.
상기한 다공질층은 열전도가 좋은 알루미나, 지르코니아, 마그네시아 등의 금속으로 이루어진다.The porous layer is made of a metal such as alumina, zirconia, and magnesia having good thermal conductivity.
상기한 치밀유리층은 유리분말을 페이스트로 도포한 다음 소정의 온도에서 열처리하는 것에 의하여 형성된다.The dense glass layer is formed by applying a glass powder with a paste and then heat-treating at a predetermined temperature.
또 본 발명이 제안하는 중고온용 써미스터 제조방법은 온도변화에 대하여 특정 저항특성을 갖는 써미스터 소자를 선정하여 전극용 페이스트를 사용하여 단자선을 부착한 다음 건조시키고, 그 위에 열전도가 좋은 금속분말 페이스트를 도포하고, 다시 유리분말 페이스트를 도포하여 건조하고, 전극의 접합과 도포막의 치밀화를 위하여 소정의 온도에서 소정의 시간동안 열처리를 행한다.In addition, the method for manufacturing a high-temperature thermistor proposed by the present invention selects a thermistor element having a specific resistance against temperature change, attaches a terminal line using an electrode paste, and then dries the metal powder paste having good thermal conductivity thereon. After coating, the glass powder paste is further coated and dried, and heat treatment is performed at a predetermined temperature for a predetermined time for bonding the electrodes and densifying the coating film.
상기에서 열처리는 대략 650∼850℃ 정도의 온도범위에서 대략 15∼50분 정도 행한다.The heat treatment is performed for about 15 to 50 minutes in the temperature range of about 650 to 850 ° C.
다음으로 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Next, a preferred embodiment of the high-temperature thermistor and its manufacturing method according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
먼저 본 발명에 따른 중고온용 써미스터의 일실시예는 도 1에 나타낸 바와 같이, 온도변화에 대하여 특정 저항값의 변화를 나타내는 써미스터 소자(2)와, 상기한 써미스터 소자(2)의 양측면에 접속하여 설치되는 단자선(4)과, 상기한 단자선(4)과 써미스터 소자(2)를 접합시키는 전극층(6)과, 상기한 써미스터 소자(2)와 전극층(6)을 감싸며 완충층의 역할을 하는 다공질층(8)과, 상기한 다공질층(8)을 감싸며 치밀한 막을 형성하는 치밀유리층(10)으로 이루어진다.First, one embodiment of the high-temperature thermistor according to the present invention is connected to both sides of the thermistor element 2 and the thermistor element 2, which show a change in a specific resistance value with respect to temperature change, as shown in FIG. The terminal line 4 to be provided, the electrode layer 6 for joining the terminal line 4 and the thermistor element 2, and the above-mentioned thermistor element 2 and the electrode layer 6, and acts as a buffer layer It consists of a porous layer 8 and a dense glass layer 10 which surrounds the porous layer 8 and forms a dense film.
상기한 다공질층(8)은 열전도가 좋은 알루미나, 지르코니아, 마그네시아 등의 금속으로 이루어진다.The porous layer 8 is made of a metal such as alumina, zirconia, magnesia, which has good thermal conductivity.
상기한 다공질층(8)은 알루미나, 지르코니아, 마그네시아 등의 금속분말을 페이스트 형태로 제조하여 이를 도포하는 것으로 이루어진다.The porous layer 8 is made of a metal powder such as alumina, zirconia, magnesia, etc. in the form of a paste to apply it.
상기한 치밀유리층(10)은 상기한 써미스터 소자(2)의 사용온도 범위에서 연화가 일어나지 않고 충분히 안정적인 특성을 갖는 유리분말을 페이스트로 도포한 다음 소정의 온도에서 열처리하는 것에 의하여 형성된다.The dense glass layer 10 is formed by applying a paste of glass powder having a sufficiently stable property without softening in the operating temperature range of the thermistor element 2 and then heat-treating at a predetermined temperature.
상기한 전극층(6)은 사용온도에 맞추어 도전성이 우수한 은, 금, 백금 등을 페이스트 형태로 제조하여 이를 도포하는 것으로 이루어진다.The electrode layer 6 is made of silver, gold, platinum and the like excellent in conductivity in accordance with the use temperature in the form of a paste and apply it.
상기한 단자선(4)은 사용목적에 따라 적당한 굵기의 은, 금, 백금 등의 금속선을 사용한다.As the terminal wire 4, a metal wire such as silver, gold, platinum, or the like having a suitable thickness is used depending on the purpose of use.
또 본 발명에 따른 중고온용 써미스터의 일실시예는 상기한 전극층(6)과 다공질층(8) 및 치밀유리층(10)을 차례로 도포한 다음, 대략 650∼850℃ 정도의 온도범위에서 대략 15∼50분 정도 열처리를 행하여 제조한다.In addition, one embodiment of the high-temperature thermistor according to the present invention is applied to the electrode layer 6, the porous layer 8 and the dense glass layer 10 in sequence, and then about 15 in a temperature range of about 650 ~ 850 ℃ It manufactures by heat-processing about -50 minutes.
상기와 같이 열처리를 행하면, 상기한 전극층(6)은 서로 밀착하여 단자선(4)과 써미스터 소자(2)를 접합하게 되고, 상기한 다공질층(8)으로는 치밀유리층(10)의 유리질이 침투하여 다소의 침리화가 이루어지며, 상기한 치밀유리층(10)은 치밀한 막으로 형성된다.When the heat treatment is performed as described above, the electrode layer 6 is in close contact with each other to bond the terminal line 4 and the thermistor element 2, and the porous layer 8 is a glassy material of the dense glass layer 10. It penetrates to some extent, and the said dense glass layer 10 is formed in a dense film | membrane.
그리고 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 제조방법의 일실시예는 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 온도변화에 대하여 특정 저항특성을 갖는 써미스터 소자(2)를 선정하고(P10), 상기한 써미스터 소자(2)에 단자선(4)을 접속하고(P20), 상기한 써미스터 소자(2)와 단자선(4)이 접속된 부분에 전극용 페이스트를 도포하고 건조시키는 것에 의하여 전극층(6)을 형성하고(P30), 상기한 전극층(6) 위에 열전도가 좋은 금속분말 페이스트를 도포하여 다공질층(8)을 형성하고(P40), 다시 상기한 다공질층(8) 위에 유리분말 페이스트를 도포하여 건조하는 것에 의하여 치밀유리층(10)을 형성하고(P50), 상기한 써미스터 소자(2)와 단자선(4)의 접합 및 상기한 다공질층(8)과 치밀유리층(10)의 치밀화를 위하여 소정의 온도에서 소정의 시간동안 열처리를 행한다(P60).And one embodiment of the high-temperature thermistor manufacturing method according to the present invention, as shown in Figure 1 and 2, selects the thermistor element (2) having a specific resistance to temperature changes (P10), the thermistor element The electrode layer 6 is formed by connecting the terminal line 4 to (2) (P20) and applying and drying the electrode paste to a portion where the thermistor element 2 and the terminal line 4 are connected. (P30), apply a thermally conductive metal powder paste on the electrode layer (6) to form a porous layer (8) (P40), and again apply a glass powder paste on the porous layer (8) to dry By forming the dense glass layer 10 (P50), bonding the thermistor element 2 to the terminal line 4, and densifying the porous layer 8 and the dense glass layer 10. The heat treatment is performed for a predetermined time at the temperature of (P60).
상기한 전극층(6)을 형성하는 단계(P30)에서 사용하는 전극용 페이스트는 사용온도에 맞추어 은, 금, 백금 등을 페이스트 형태로 제조하여 사용한다.The electrode paste used in the step (P30) of forming the electrode layer 6 is prepared by using a paste, such as silver, gold, platinum, etc. in accordance with the use temperature.
상기한 열처리를 행하는 단계(P60)는 대략 650∼850℃ 정도의 온도범위에서 대략 15∼50분 정도 행하는 것으로 이루어진다.The step (P60) of performing the above heat treatment is performed for about 15 to 50 minutes in a temperature range of about 650 to 850 ° C.
상기에서 650℃이하로 열처리를 행하면, 전극층(6)을 형성하는 은, 금 등의 전극용 페이스트가 용융되지 않으므로 써미스터 소자(2)와 단자선(4) 사이의 접합이 불완전하게 이루어진다.When the heat treatment is performed at 650 ° C. or lower, the electrode pastes, such as silver and gold, which form the electrode layer 6 do not melt, so that the bonding between the thermistor element 2 and the terminal line 4 is incomplete.
또 열처리를 850℃이상에서 행하면, 치밀유리층(10)의 유리질이 다공질층(8)을 투과하여 써미스터 소자(2)에 영향(유리질이 써미스터 소자와 반응)을 미치므로 특성의 산포가 크게 된다.When the heat treatment is performed at 850 ° C. or higher, the glass of the dense glass layer 10 penetrates the porous layer 8 and affects the thermistor element 2 (the glass quality reacts with the thermistor element). .
따라서 열처리를 대략 650∼850℃의 범위에서 행하는 것이 제조 수율이 안정적으로 향상되어 바람직하다.Therefore, performing heat treatment in the range of about 650-850 degreeC is preferable because the manufacturing yield improves stably.
다음으로 상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 제조방법에 의하여 써미스터 소자를 제조하여 특성 변화를 측정하였다.Next, the thermistor element was manufactured by the method for manufacturing a high temperature thermistor according to the present invention made as described above, and the characteristic change was measured.
먼저 25℃에서 9.7㏀의 저항특성을 갖는 1.3×1.3×0.5㎜의 써미스터 소자(2)를 선정하고, 은선을 단자선(4)으로 하여 750℃의 은 페이스트를 사용하여 부착한 후 잘 건조하여 전극층(6)을 형성하였다.First, a 1.3 x 1.3 x 0.5 mm thermistor element 2 having a resistance of 9.7 kPa at 25 ° C was selected, and the silver wire was used as the terminal line 4, and then attached using a silver paste at 750 ° C and dried well. The electrode layer 6 was formed.
그 위에 알루미나 페이스트(알루미나 : PVA 5% 용액 = 50중량% : 50중량%)를 도포한 다음 잘 건조하여 다공질층(8)을 형성하였다.An alumina paste (alumina: PVA 5% solution = 50% by weight: 50% by weight) was applied thereon, and then dried well to form a porous layer 8.
이어서 연화온도 550℃의 유리분말 페이스트(유리분말 : PVA 5% 용액 = 60중량% : 40중량%)를 도포하고 잘 건조하여 치밀유리층(10)을 형성하였다.Subsequently, a glass powder paste (glass powder: PVA 5% solution = 60% by weight: 40% by weight) having a softening temperature of 550 ° C. was applied and dried well to form a dense glass layer 10.
그리고 750℃에서 30분간 열처리를 행한 후 25℃의 저항값과 산포를 측정하였다.And after performing heat processing for 30 minutes at 750 degreeC, the resistance value and dispersion of 25 degreeC were measured.
비교를 위하여 종래의 유리봉입형 써미스터와 비드형 써미스터, 전극일체형 써미스터를 각각 10개씩 선정하여 25℃ 저항(㏀) 및 특성 산포(%)를 측정하여 표 1에 정리하였다.For comparison, 10 conventional glass encapsulated thermistors, bead type thermistors, and electrode integrated thermistors were selected, respectively, and 25 ° C. resistance and characteristic dispersion (%) were measured and summarized in Table 1 below.
상기한 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예의 중고온용 써미스터는 열처리의 영향에 의해 25℃ 저항값이 소폭으로 감소하나 다공질층(8)을 형성하므로 써미스터 소자(2)와 치밀유리층(10) 사이의 반응을 막아 특성의 산포가 매우 양호하다.As can be seen from Table 1, the high-temperature thermistor of the embodiment according to the present invention has a small decrease in the resistance value of 25 ℃ due to the effect of heat treatment, but forms a porous layer 8, so that the thermistor element 2 and the dense The reaction between the glass layers 10 is prevented, so that the dispersion of properties is very good.
따라서 본 발명에 따른 중고온용 써미스터의 실시예는 열전도가 좋은 금속분말로 다공질층(8)을 형성하므로 써미스터 소자(2)로의 열전달을 도와주므로 감지 특성이 종래 유리봉입형 써미스터에 비하여 크게 향상되고, 특성의 산포가 크게 나타나는 비드형 써미스터에 비하여 매우 작으므로 제조 수율이 증가하고, 보호막을형성하지 않으므로 내환경특성이 저하되는 전극일체형 써미스터에 비하여 다공질층(8) 및 치밀유리층(10)을 형성하므로 충분한 내환경특성이 얻어진다.Therefore, the embodiment of the high-temperature thermistor according to the present invention forms a porous layer 8 of metal powder having good thermal conductivity, thereby helping to transfer heat to the thermistor element 2, and thus the sensing characteristics are greatly improved as compared with conventional glass-enclosed thermistors. Compared to the bead thermistor, which exhibits a large dispersion of properties, the production yield is increased and the protective layer is not formed. Therefore, the porous layer 8 and the dense glass layer 10 are formed as compared to the electrode integrated thermistor having low environmental resistance. Therefore, sufficient environmental resistance is obtained.
그리고 열처리 온도에 따른 특성의 변화를 측정하기 위하여 열처리 온도를 650℃부터 단계적으로 850℃까지 상승시켜 각각 30분간 열처리를 행하고, 그 결과를 표 2에 정리하였다. 상기에서 다공질층(8)을 알루미나 페이스트 대신에 지르코니아 페이스트(지르코니아나 : PVA 5% 용액 = 50중량% : 50중량%)를 사용하였다.And in order to measure the change of the characteristic according to the heat processing temperature, the heat processing temperature was raised from 650 degreeC to 850 degreeC stepwise, and it heat-processed for 30 minutes, respectively, and the result is put in Table 2. In the above, a zirconia paste (zirconia: PVA 5% solution = 50% by weight: 50% by weight) was used instead of the alumina paste for the porous layer 8.
상기한 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 650℃에서 열처리하는 경우 전극층(6)에 의한 써미스터 소자(2)와 단자선(4) 사이의 접합 불완전성에 의하여 특성 산포가 크며, 850℃에서 열처리하는 경우 치밀유리층(10)의 유리질이 다공질층(8)을 투과하여 써미스터 소자(2)에 영향을 미치므로 특성 산포가 크다.As can be seen from Table 2, when the heat treatment at 650 ℃, the characteristic dispersion is large due to the incomplete bonding between the thermistor element 2 and the terminal line 4 by the electrode layer 6, the heat treatment at 850 ℃ In this case, since the glass of the dense glass layer 10 penetrates the porous layer 8 and affects the thermistor element 2, the characteristic distribution is large.
따라서 열처리 온도가 650℃이하 또는 850℃이상인 경우에는 특성의 산포가 커서 제조 수율이 저하됨을 알 수 있다.Therefore, when the heat treatment temperature is less than 650 ℃ or more than 850 ℃ it can be seen that the dispersion of properties is large, the production yield is lowered.
상기에서는 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.In the above description of the preferred embodiment of the high-temperature thermistor and its manufacturing method according to the present invention, the present invention is not limited thereto, and the present invention is not limited thereto, and the present invention may be modified in various ways within the scope of the claims and the accompanying drawings. It is possible and this also belongs to the scope of the present invention.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 및 그 제조방법에 의하면, 치밀유리층에 의하여 내환경특성이 향상되며, 중간에 다공질층을 형성하므로 열처리시에 치밀유리층과 써미스터 소자 사이의 반응을 방지하여 제조시에 발생하는 특성의 변화를 최소화할 수 있다.According to the high temperature thermistor and the method of manufacturing the same according to the present invention made as described above, the environmental resistance is improved by the dense glass layer, and the porous layer is formed in the middle, so that the reaction between the dense glass layer and the thermistor element during heat treatment is performed. It is possible to minimize the change in characteristics occurring during manufacturing.
따라서 제조수율을 높일 수 있으며, 다공질층 및 치밀유리층에 의하여 써미스터 소자로의 열전달을 도와주므로 감지특성이 향상된다.Therefore, the manufacturing yield can be increased, and the sensing characteristic is improved because it helps heat transfer to the thermistor element by the porous layer and the dense glass layer.
또 본 발명에 따른 중고온용 써미스터 제조방법에 의하면, 사용전극의 형성온도와 유리질의 치밀화 온도를 일치시키므로 한번의 열처리 과정을 통하여 제조가 가능하여 생산성이 크게 향상된다.In addition, according to the method for manufacturing a high-temperature thermistor according to the present invention, since the forming temperature of the electrode used and the densification temperature of the glass are matched, the production is possible through a single heat treatment process, thereby greatly improving productivity.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0044801A KR100369895B1 (en) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0044801A KR100369895B1 (en) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020011498A KR20020011498A (en) | 2002-02-09 |
| KR100369895B1 true KR100369895B1 (en) | 2003-01-30 |
Family
ID=19681406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0044801A KR100369895B1 (en) | 2000-08-02 | 2000-08-02 | Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100369895B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040007936A (en) * | 2002-07-15 | 2004-01-28 | 기아자동차주식회사 | A Thermistor for Preventing Core Icing and Migration of Evaporator in Airconditioner's Operation |
| KR100475213B1 (en) * | 2002-07-29 | 2005-03-10 | 유니썸테크놀로지 주식회사 | High Reliability Chip-in-Glass Type NTC Thermistor and fabricating method therefor |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299201A (en) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Toshiba Corp | Glass-enclosed thermistor |
| JPH01146304A (en) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Tdk Corp | High temperature sensor |
| KR950029411A (en) * | 1994-04-08 | 1995-11-22 | 이헌조 | How to control washing time of washing machine |
| JPH09260107A (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element and manufacturing method thereof |
| JPH10149903A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element and its manufacture |
-
2000
- 2000-08-02 KR KR10-2000-0044801A patent/KR100369895B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63299201A (en) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Toshiba Corp | Glass-enclosed thermistor |
| JPH01146304A (en) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Tdk Corp | High temperature sensor |
| KR950029411A (en) * | 1994-04-08 | 1995-11-22 | 이헌조 | How to control washing time of washing machine |
| JPH09260107A (en) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element and manufacturing method thereof |
| JPH10149903A (en) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Mitsubishi Materials Corp | Thermistor element and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020011498A (en) | 2002-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7832616B2 (en) | Methods of securing a thermocouple to a ceramic substrate | |
| KR970705012A (en) | Temperature sensor element and method of manufacturing temperature sensor and temperature sensor element having same | |
| KR20020063121A (en) | Thermistor and method of manufacture | |
| JPS629239A (en) | High-speed response type temperature sensor | |
| KR100734788B1 (en) | Ntc thermistor temperature sensor and manufacturing method thereof | |
| JP2012508870A (en) | Sensor element and method for manufacturing sensor element | |
| US6368734B1 (en) | NTC thermistors and NTC thermistor chips | |
| US20030000938A1 (en) | Ceramic heater, and ceramic heater resistor paste | |
| KR100369895B1 (en) | Thermistor for Middle-High Temperature and Manufacturing Method thereof | |
| KR101646708B1 (en) | Temperature sensor element and method for manufacturing the same | |
| US4344062A (en) | Humidity sensor element | |
| US6515572B2 (en) | Circuit arrangement comprising an SMD-component, in particular a temperature sensor, and a method of manufacturing a temperature sensor | |
| US6636142B2 (en) | Sensor element, in particular a temperature sensor | |
| JPS622726Y2 (en) | ||
| CN213366295U (en) | Dual-redundancy platinum film thermistor | |
| CN85102991A (en) | high-temperature thermistor with high reproducibility | |
| JPH02124456A (en) | Connecting structure of solid-state electrolyte element | |
| JP6098208B2 (en) | THERMISTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | |
| JP2819536B2 (en) | Glass sealed thermistor element for high temperature | |
| CN218584710U (en) | Catalytic combustion type gas sensor | |
| KR101848764B1 (en) | Micro temperature sensor and fabrication method of the same | |
| CN106568521A (en) | Vacuum-packaged ceramic-armored high temperature thermocouple and manufacturing method thereof | |
| JPS6337587A (en) | Ceramic heater | |
| WO1999061870A1 (en) | Method of manufacturing sensor and resistor element | |
| JPH07167715A (en) | Composite thermistor temperature sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |