JPWO2008126329A1 - ハニカムフィルタ - Google Patents
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 391
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims abstract description 273
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 claims abstract description 62
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 45
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 413
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 313
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 101
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 101
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 88
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 76
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 70
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 70
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 32
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 28
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 20
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 20
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 18
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 12
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 12
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 12
- -1 silicate compound Chemical class 0.000 description 12
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 8
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 8
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 8
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 8
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 6
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 6
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 6
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 6
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 6
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910000505 Al2TiO5 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000010881 fly ash Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N propan-2-yl (e)-but-2-enoate Chemical compound C\C=C\C(=O)OC(C)C AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 2
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 2
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 2
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- IXSUHTFXKKBBJP-UHFFFAOYSA-L azanide;platinum(2+);dinitrite Chemical compound [NH2-].[NH2-].[Pt+2].[O-]N=O.[O-]N=O IXSUHTFXKKBBJP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003090 carboxymethyl hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 2
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
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Abstract
多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、セルのいずれか一方の端部が封止された柱状のハニカム焼成体からなり、一方の端面側から流入したガスが他方の端面側から流出するハニカムフィルタであって、ハニカムフィルタのガスが流入する側が開口したセルの長手方向に垂直な断面の総和が、ハニカムフィルタのガスが流出する側が開口したセルの長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高い。
Description
本発明は、ハニカムフィルタに関する。
バス、トラック等の車両や建設機械等の内燃機関から排出されるスス等のパティキュレート(以下、PMともいう)が、環境や人体に害を及ぼすことが近年問題となっている。そこで、排ガス中のPMを捕集して、排ガスを浄化するフィルタとして多孔質セラミックからなるハニカム構造体を用いたハニカムフィルタが種々提案されている。
また、このようなハニカムフィルタにおいては、排ガスを浄化するための触媒が担持されることがあるが、この場合、触媒を担持させる領域に触媒担持層が形成され、この触媒担持層に触媒が担持される。
特許文献1には、排ガスを流入させる側(ガス流入側)に触媒が多く担持され、排ガスを流出させる側(ガス流出側)に触媒が少なく担持されているか、あるいは、ガス流入側にのみ触媒が担持され、ガス流出側に触媒が担持されていない炭化ケイ素製ハニカムフィルタ及びこのようなハニカムフィルタが排ガス流路に設置された排ガス浄化システムが開示されている。
また、特許文献2には、ハニカムフィルタのガス流入側からガス流出側に向かって段階的又は連続的に、触媒担持量が順次小さくなるように構成したハニカムフィルタが開示されている。
また、このようなハニカムフィルタにおいては、排ガスを浄化するための触媒が担持されることがあるが、この場合、触媒を担持させる領域に触媒担持層が形成され、この触媒担持層に触媒が担持される。
特許文献1には、排ガスを流入させる側(ガス流入側)に触媒が多く担持され、排ガスを流出させる側(ガス流出側)に触媒が少なく担持されているか、あるいは、ガス流入側にのみ触媒が担持され、ガス流出側に触媒が担持されていない炭化ケイ素製ハニカムフィルタ及びこのようなハニカムフィルタが排ガス流路に設置された排ガス浄化システムが開示されている。
また、特許文献2には、ハニカムフィルタのガス流入側からガス流出側に向かって段階的又は連続的に、触媒担持量が順次小さくなるように構成したハニカムフィルタが開示されている。
特許文献1、2に開示されたハニカムフィルタは、通常、ハニカムフィルタでは高温の排ガスを流した際にガス流入側の温度に比べてガス流出側の温度が高温になる傾向にあるため、ハニカムフィルタのガス流出側に担持させた触媒の量が少なくてもPMの燃焼が充分に行われることに着目して作製されたハニカムフィルタである。
特許文献1、2に開示されたハニカムフィルタにおいては、ガス流出側に担持させる触媒の量を減らしてコストダウンを図ることができる。
また、担持させる触媒の量を減らすことによって、初期圧力損失を低下させることができる。
また、担持させる触媒の量を減らすことによって、初期圧力損失を低下させることができる。
また、ハニカムフィルタでは、通常、高い再生限界値(PMを補集して燃焼させた場合にフィルタにクラックが生じることのない、PMの補集量の最大値)を備えることが望ましいと考えられている。なぜなら、再生限界値が低いハニカムフィルタを用いた排ガス浄化システムでは、頻繁に再生処理を行う必要があり、内燃機関の燃費が悪化するという問題があるためである。
よって、従来のハニカムフィルタは再生限界値の点で改善の必要があった。
よって、従来のハニカムフィルタは再生限界値の点で改善の必要があった。
そこで、本発明者らは、さらに高い再生限界値を備えるハニカムフィルタを提供すべく、鋭意検討を重ねた。
その結果、まず、ハニカムフィルタのガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の少なくとも10%の領域に触媒担持層を形成せず、この少なくとも10%の領域の熱伝導率をハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱が確実に進行し、この場合、ガス流出側の温度上昇が抑制されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
その結果、まず、ハニカムフィルタのガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の少なくとも10%の領域に触媒担持層を形成せず、この少なくとも10%の領域の熱伝導率をハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱が確実に進行し、この場合、ガス流出側の温度上昇が抑制されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
また、ハニカムフィルタに触媒を担持させた場合、触媒が担持されている領域では、流入したガスの反応により熱が発生するため、触媒が担持されている領域における発熱量は、触媒が担持されていない領域に比べて大きくなる。そして、触媒が担持されている領域が狭すぎると、狭い領域で大量に熱が発生することとなる。さらに、触媒担持層が形成されている領域は、触媒担持層が形成されていない領域に比べて熱伝導率が低いため、放熱が起こりにくい状態にある。
そのため、触媒が担持された触媒担持層が形成された領域が狭いと、その領域と他の領域との温度差が非常に大きくなり、その結果、ハニカムフィルタに大きな熱衝撃が加わることとなる。
これに対して、本発明者らは、触媒担持層を形成する領域を、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域とすることにより、狭い領域で大量の熱が発生し、大きな熱衝撃がハニカムフィルタに加わることが防止され、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
そのため、触媒が担持された触媒担持層が形成された領域が狭いと、その領域と他の領域との温度差が非常に大きくなり、その結果、ハニカムフィルタに大きな熱衝撃が加わることとなる。
これに対して、本発明者らは、触媒担持層を形成する領域を、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域とすることにより、狭い領域で大量の熱が発生し、大きな熱衝撃がハニカムフィルタに加わることが防止され、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
さらに、本発明者らは、上述したような所定の領域にのみ触媒担持層が形成されたハニカムフィルタについて、PMを補集した後のハニカムフィルタの状態を観察した。すると、驚くべきことに、ガス流入側に比べてガス流出側にPMが多く補集されている現象が認められた。
そして、本観察結果のようにハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積された状態でハニカムフィルタの再生処理を行うと、ガス流出側の温度がガス流入側に比べて高くなり、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差が大きくなるため、ハニカムフィルタに加わる熱衝撃が大きくなってクラックが生じやすくなるものと考えられた。
このことから、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積されることは、ハニカムフィルタの再生限界値を低下させる原因となると推定された。
このことから、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積されることは、ハニカムフィルタの再生限界値を低下させる原因となると推定された。
これらを踏まえて、本発明者らは、ハニカムフィルタの再生限界値を高めるには、ガス流出側のセル壁にPMが多く捕集されることを防止し、ハニカムフィルタの構成をガス流入側からガス流出側に向かって、PMができるだけ均一に捕集されるようにすればよいことに想到し、本発明を完成した。
即ち、請求項1に記載の発明は、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止された柱状のハニカム焼成体からなり、一方の端面側から流入したガスが他方の端面側から流出するハニカムフィルタであって、
上記ハニカムフィルタの上記ガスが流入する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、上記ハニカムフィルタの上記ガスが流出する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、
上記ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面から上記ハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、
上記ハニカムフィルタのガス流入側端面から上記ハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、上記ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、
上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高いことを特徴とする。
上記ハニカムフィルタの上記ガスが流入する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、上記ハニカムフィルタの上記ガスが流出する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、
上記ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面から上記ハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、
上記ハニカムフィルタのガス流入側端面から上記ハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、上記ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、
上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高いことを特徴とする。
請求項1に記載のハニカムフィルタでは、流入側(ガスが流入する側)が開口したセル(以下、単にガス流入セルともいう)の上記長手方向に垂直な断面の面積(以下、単に断面積ともいう)の総和が、流出側(ガスが流出する側)が開口したセル(以下、単にガス流出セルともいう)の上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、このような構成を備えるため、ガスがハニカム構造体に流入した際に、ガス流入セルを流れるススの流速は、ガス流出セルを流れるガスの流速よりも遅くなる傾向にある。
そのため、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが略同一のハニカムフィルタと比較すると、ハニカムフィルタの流入側において、パティキュレート(PM)を含む排ガスがセル壁を通過しやすくなり、ハニカムフィルタの流入側において捕集されるPMの量が多くなり、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かってPMが均一に捕集されやすくなる。
そのため、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが略同一のハニカムフィルタと比較すると、ハニカムフィルタの流入側において、パティキュレート(PM)を含む排ガスがセル壁を通過しやすくなり、ハニカムフィルタの流入側において捕集されるPMの量が多くなり、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かってPMが均一に捕集されやすくなる。
そして、このように、PMがハニカムフィルタの流出側に偏って捕集されず、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かって均一に捕集される傾向にあると、PMを燃焼させた際(再生処理を行った際)に、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差が小さくなり、再生処理において、ハニカムフィルタにクラックが発生しにくくなると考えられる。そのため、請求項1に記載のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることとなる。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の約1.5倍未満では、ガス流入セル内を流れるPMの流速が充分に遅くならず、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが偏って捕集されやすいため、再生限界値が低くなりやすい。
一方、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の3.0倍を超えると、ガス流入セルからガス流出セルへガスが流れにくくなるため、PMが偏って捕集されやすく、再生限界値が低くなりやすい。
一方、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の3.0倍を超えると、ガス流入セルからガス流出セルへガスが流れにくくなるため、PMが偏って捕集されやすく、再生限界値が低くなりやすい。
また、請求項1に記載のハニカムフィルタにおいては、ハニカムフィルタのガス流出側の端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くなっている。
このようにガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域を熱伝導率の高い部材からなる領域とすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱を促進させることができる。その結果、ハニカムフィルタのガス流出側の温度上昇が防止されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
このようにガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域を熱伝導率の高い部材からなる領域とすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱を促進させることができる。その結果、ハニカムフィルタのガス流出側の温度上昇が防止されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
また、触媒が担持されているとガスの反応による発熱が生じるため、触媒が担持されている領域は、触媒が担持されていない領域と比べて発熱量が大きくなる。さらに、触媒担持層が形成された領域は、触媒担持層が形成されていない領域に比べて、熱伝導率が低くいため、放熱が起こりにくくなっている。そのため、触媒が担持されている領域が狭すぎる場合には、狭い領域で大量の熱が発生し、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差がより大きくなり、ハニカムフィルタに加わる熱衝撃が大きくなる。
これに対し、請求項1に記載のハニカムフィルタのように、流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成した場合には、触媒を担持させた際に触媒が担持されている領域が狭すぎず、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差が大きくなりすぎないため、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
これに対し、請求項1に記載のハニカムフィルタのように、流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成した場合には、触媒を担持させた際に触媒が担持されている領域が狭すぎず、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差が大きくなりすぎないため、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
このように、請求項1に記載のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和と、ガス流出セルの断面積の総和とが、所定の比率で形成されており、さらに、触媒担持層が所定の領域に形成されている。そのため、請求項1に記載のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることとなる。
請求項2に記載の発明は、上記触媒担持層に触媒が担持されている。
請求項2に記載の発明では、上記触媒担持層に担持された触媒によって排ガスの浄化を行うことができる。
請求項2に記載の発明では、上記触媒担持層に担持された触媒によって排ガスの浄化を行うことができる。
請求項3に記載の発明は、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
請求項3に記載の発明では、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成されていない領域は、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍の熱伝導率を有しているため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側の温度差に起因する熱衝撃の発生が抑制されることとなる。そのため、請求項3に記載のハニカムフィルタは、より高い再生限界値を備えることとなる。
請求項4に記載の発明は、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化物セラミックス、窒化物セラミックス、金属と炭化物セラミックスの複合体、金属と窒化物セラミックスとの複合体のいずれかからなる。
また、請求項5に記載の発明は、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化ケイ素からなる。
ハニカムフィルタの主成分となる上記材料はいずれも熱伝導率が高いため、請求項4及び5に記載のハニカムフィルタは、きわめて高い再生限界値を備えることとなる。
また、請求項5に記載の発明は、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化ケイ素からなる。
ハニカムフィルタの主成分となる上記材料はいずれも熱伝導率が高いため、請求項4及び5に記載のハニカムフィルタは、きわめて高い再生限界値を備えることとなる。
(第一実施形態)
以下、本発明の一実施形態である第一実施形態について説明する。
図1は、本発明のハニカムフィルタの一例を模式的に示す斜視図であり、図2(a)は、本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、(b)はそのA−A線断面図である。
以下、本発明の一実施形態である第一実施形態について説明する。
図1は、本発明のハニカムフィルタの一例を模式的に示す斜視図であり、図2(a)は、本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、(b)はそのA−A線断面図である。
ハニカムフィルタ100では、図2(a)、(b)に示すようなハニカム焼成体110がシール材層(接着剤層)101を介して複数個結束されてセラミックブロック103を構成し、さらに、このセラミックブロック103の外周にシール材層(コート層)102が形成されている。
ハニカム焼成体110は、多孔質炭化ケイ素を主成分とし、ハニカム焼成体110には、多数のセル111A、111Bがセル壁113を隔てて長手方向(図2(a)中、矢印aの方向)に並設されており、セル111A、111Bはいずれか一方の端部が封止材112で封止されている。具体的には、セル111Aは、排ガスGの流出側の端部が封止されており、セル111Bは、排ガスGの流入側の端部が封止されている。
ここで、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の形状は8角形であり、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の形状は4角形である。
また、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の面積は、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の面積の約1.5倍である。また、ハニカム焼成体110において、セル111Aの個数とセル111Bの個数とは同数である。
従って、ハニカム焼成体110が複数個結束されたハニカムフィルタ100では、排ガスGが流入する側が開口したセルの断面積の総和が、排ガスGが流出する側が開口したセルの断面積の総和の約1.5倍である。
ここで、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の形状は8角形であり、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の形状は4角形である。
また、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の面積は、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の面積の約1.5倍である。また、ハニカム焼成体110において、セル111Aの個数とセル111Bの個数とは同数である。
従って、ハニカム焼成体110が複数個結束されたハニカムフィルタ100では、排ガスGが流入する側が開口したセルの断面積の総和が、排ガスGが流出する側が開口したセルの断面積の総和の約1.5倍である。
また、ハニカム焼成体110では、図2(b)に示すように、ガス流入側端面21側が開口したセル111Aに流入した排ガスGは、必ずセル同士を隔てるセル壁113を通過した後、ガス流出側端面22側が開口した他のセル111Bから流出するようになっている。
従って、ハニカム焼成体110(ハニカムフィルタ110)では、セル壁113がPM等を補集するためのフィルタとして機能する。
従って、ハニカム焼成体110(ハニカムフィルタ110)では、セル壁113がPM等を補集するためのフィルタとして機能する。
また、ハニカムフィルタ100では、ハニカムフィルタ100の所定の領域に、白金(Pt)触媒が担持されたアルミナからなる触媒担持層10が形成されている。従って、ハニカムフィルタ100の触媒担持層10が形成されていない領域の熱伝導率は、ハニカムフィルタ100の触媒担持層10が形成された領域の熱伝導率に比べて高いこととなる。
また、触媒を担持させることにより、排ガス中の有害成分の浄化、及び、PMの燃焼を促進することができる。
また、触媒を担持させることにより、排ガス中の有害成分の浄化、及び、PMの燃焼を促進することができる。
ここで、触媒担持層を形成する所定の領域について、図面を参照しながら説明しておく。
図3(a)〜(d)は、それぞれ所定の領域に触媒担持層が形成されたハニカム焼成体の一例を模式的に示す断面図である。
詳細には、ハニカム焼成体の全長Lに対して(a)は、ガス流入側端面21から50%の領域に触媒担持層10が形成され、(b)は、ガス流入側端面21から25%の領域に触媒担持層20が形成され、(c)は、ガス流入側端面21から25〜50%の領域に触媒担持層30が形成され、(d)は、ガス流入側端面21から90%の領域に触媒担持層40が形成されたハニカム焼成体を示している。
なお、ハニカムフィルタの全長はハニカム焼成体の全長と等しい。
図3(a)〜(d)は、それぞれ所定の領域に触媒担持層が形成されたハニカム焼成体の一例を模式的に示す断面図である。
詳細には、ハニカム焼成体の全長Lに対して(a)は、ガス流入側端面21から50%の領域に触媒担持層10が形成され、(b)は、ガス流入側端面21から25%の領域に触媒担持層20が形成され、(c)は、ガス流入側端面21から25〜50%の領域に触媒担持層30が形成され、(d)は、ガス流入側端面21から90%の領域に触媒担持層40が形成されたハニカム焼成体を示している。
なお、ハニカムフィルタの全長はハニカム焼成体の全長と等しい。
図3(a)〜(d)に示すハニカム焼成体110、120、130、140においては、いずれもハニカム焼成体の全長Lに対してガス流出側端面22から10%の領域(図3(a)〜(d)中、領域B)には触媒担持層が形成されていない。そして、ハニカム焼成体の全長Lに対してガス流入側端面21から90%の領域(図3(a)中、領域A)のうち、ハニカム焼成体の全長Lの25%〜90%の領域(図3(a)〜(d)中、領域C)には、触媒担持層が形成されている。
触媒担持層が形成されている領域Cは、図3(a)、(b)、(d)のようにガス流入側端面21から連続して設けられていてもよいし、図3(c)のようにガス流入側端面21から離間した位置から連続して設けられていてもよい。
なお、図3(a)〜(d)に示したハニカム焼成体では、触媒担持層10はセル壁113の内部に形成されているが、上記触媒担持層は、上記セル壁の表面に形成されていてもよい。
なお、図3(a)〜(d)に示したハニカム焼成体では、触媒担持層10はセル壁113の内部に形成されているが、上記触媒担持層は、上記セル壁の表面に形成されていてもよい。
次に、本実施形態に係る触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造する方法について説明する。
(1)セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを乾式混合して混合粉末を調製するとともに、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合して混合液体を調製し、続いて、上記混合粉末と上記混合液体とを湿式混合機を用いて混合することにより、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
(1)セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを乾式混合して混合粉末を調製するとともに、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合して混合液体を調製し、続いて、上記混合粉末と上記混合液体とを湿式混合機を用いて混合することにより、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
(2)上記湿潤混合物を押出成形機に投入し、上記湿潤混合物を押出成形することにより所定の形状のハニカム成形体を作製する。ここでは、各セルが所定の形状となるよう押出成形用金型を選定する。
さらに、ハニカム成形体を所定の長さに切断した後、乾燥機を用いて乾燥させ、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体と略同形状のハニカム成形体とする。
さらに、ハニカム成形体を所定の長さに切断した後、乾燥機を用いて乾燥させ、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体と略同形状のハニカム成形体とする。
さらに、各セルの所定の端部に、封止材となる封止材ペーストを所定量充填し、各セルを目封じする。セルを目封じする際には、ハニカム成形体の端面に目封じ用のマスクを当てて、目封じの必要なセルにのみ封止材ペーストを充填する。
(4)各セルの一方の端部が目封じされたハニカム成形体中を脱脂炉中で加熱し、ハニカム成形体中の有機物を分解除去する脱脂処理を行い、ハニカム脱脂体を作製する。
続いて、上記ハニカム脱脂体を焼成炉内に投入し、所定の温度(例えば、2200〜2300℃)で焼成処理を行い、ハニカム焼成体を作製する。
続いて、上記ハニカム脱脂体を焼成炉内に投入し、所定の温度(例えば、2200〜2300℃)で焼成処理を行い、ハニカム焼成体を作製する。
(5)上記ハニカム焼成体の側面に、シール材層(接着剤層)となるシール材ペーストを塗布してシール材ペースト層を形成し、このシール材ペースト層の上に、順次他のハニカム焼成体を積層する工程を繰り返して所定数のハニカム焼成体が結束されたハニカム焼成体の集合体を作製する。ここで、シール材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機繊維及び/又は無機粒子とからなるものを使用する。
(6)上記ハニカム焼成体の集合体を加熱してシール材ペースト層を乾燥、固化させてシール材層(接着剤層)とする。その後、ダイヤモンドカッターを用いてハニカム焼成体の集合体に切削加工を施してセラミックブロックとし、セラミックブロックの外周面にシール材ペーストを塗布し、シール材ペーストを乾燥固化させてシール材層(コート層)を形成することによりハニカムフィルタとする。
(7)次に、上記ハニカムフィルタの所定の領域にアルミナからなる触媒担持層を形成し、さらに上記触媒担持層に白金触媒を担持させる。具体的には、下記(a)及び(b)の処理を行う。
(a)アルミナ粒子を含むアルミナ溶液中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成する所定の領域がアルミナ溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、ハニカムフィルタの所定の領域に選択的にアルミナ粒子を付着させる。
その後、ハニカムフィルタを110〜200℃で2時間程度乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを500〜1000℃で加熱焼成することにより、ハニカムフィルタの所定の領域に触媒担持層を形成する。
(a)アルミナ粒子を含むアルミナ溶液中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成する所定の領域がアルミナ溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、ハニカムフィルタの所定の領域に選択的にアルミナ粒子を付着させる。
その後、ハニカムフィルタを110〜200℃で2時間程度乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを500〜1000℃で加熱焼成することにより、ハニカムフィルタの所定の領域に触媒担持層を形成する。
(b)次に、白金を含有する金属化合物の溶液中に、ガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成した所定の領域が溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、浸積後のハニカムフィルタを乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを不活性雰囲気下、500〜800℃で加熱焼成することにより触媒担持層に触媒を担持させる。
なお、(a)及び(b)に示した方法は、ハニカムフィルタのガス流入側端面から連続して設けられた触媒担持層を形成し、この触媒担持層に触媒を担持する方法であるが、図3(c)に示したようなガス流入側端面から離間した位置から連続して設けられた触媒担持層を形成し、この触媒担持層に触媒を担持させる場合には、例えば、下記のような方法を用いればよい。
即ち、上記(a)の工程を行う前に、ハニカムフィルタのガス流入側の触媒担持層を形成しない領域を、シリコーン樹脂でコーティングしておき、アルミナ粒子として白金付きアルミナ粒子を用いて上記(a)の工程の乾燥処理までを行い、その後、さらに300℃程度まで加熱してシリコーン樹脂を融解させて除去し、続いて、上記(a)の工程の加熱焼成処理を行った後、ハニカムフィルタに残留したシリコーン樹脂を酸で溶解除去する。
即ち、上記(a)の工程を行う前に、ハニカムフィルタのガス流入側の触媒担持層を形成しない領域を、シリコーン樹脂でコーティングしておき、アルミナ粒子として白金付きアルミナ粒子を用いて上記(a)の工程の乾燥処理までを行い、その後、さらに300℃程度まで加熱してシリコーン樹脂を融解させて除去し、続いて、上記(a)の工程の加熱焼成処理を行った後、ハニカムフィルタに残留したシリコーン樹脂を酸で溶解除去する。
以下、本実施形態のハニカムフィルタの作用効果について列挙する。
(1)ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の約1.5倍と、ガス流入セルの断面積の総和の方が、ガス流出セルの断面積の総和よりも大きいため、パティキュレートがセル壁に均一に捕集されすやく、高い再生限界値を備えることとなる。
これは、ガス流入セル内を流れる排ガスの流速が、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが同一のハニカムフィルタに比べて遅くなるためと考えられる。
(1)ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の約1.5倍と、ガス流入セルの断面積の総和の方が、ガス流出セルの断面積の総和よりも大きいため、パティキュレートがセル壁に均一に捕集されすやく、高い再生限界値を備えることとなる。
これは、ガス流入セル内を流れる排ガスの流速が、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが同一のハニカムフィルタに比べて遅くなるためと考えられる。
(2)ガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が設けられておらず、上記領域は、触媒担持層が形成された領域よりも熱伝導率が高いため、ガス流出側端面近傍は放熱性に優れる。そのため、再生処理を行った際に、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタは高い再生限界値を備えることとなる。
(3)ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に、触媒が担持された触媒担持層が形成されているため、触媒が担持された領域は充分に広く、再生処理において、ハニカムフィルタの狭い領域で大量の発熱が生じることがないため、再生限界値が高くなる。
以下、本発明の第一実施形態をより具体的に開示した実施例を示すが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1)
(ハニカム焼成体の作製)
平均粒径22μmを有する炭化ケイ素の粗粉末52.8重量%と、平均粒径0.5μmの炭化ケイ素の微粉末22.6重量%とを湿式混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂2.1重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日本油脂社製 ユニルーブ)2.8重量%、グリセリン1.3重量%、及び、水13.8重量%を加えて混練し、原料組成物を調製した。
次に、この原料組成物を用いて押出成形を行い、図2(a)に示した形状と略同形状の生のハニカム成形体を作製した。
(ハニカム焼成体の作製)
平均粒径22μmを有する炭化ケイ素の粗粉末52.8重量%と、平均粒径0.5μmの炭化ケイ素の微粉末22.6重量%とを湿式混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂2.1重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日本油脂社製 ユニルーブ)2.8重量%、グリセリン1.3重量%、及び、水13.8重量%を加えて混練し、原料組成物を調製した。
次に、この原料組成物を用いて押出成形を行い、図2(a)に示した形状と略同形状の生のハニカム成形体を作製した。
次いで、マイクロ波乾燥機を用いて上記生のハニカム成形体を乾燥させ、ハニカム成形体の乾燥体とした後、上記原料組成物と同様の組成の封止材ペーストを所定のセルに充填し、再び乾燥機を用いて乾燥させた。
ハニカム成形体の乾燥体を400℃で脱脂し、常圧のアルゴン雰囲気下2200℃、3時間の条件で焼成を行うことにより、ガス流入セルの断面形状が8角形、ガス流出セルの断面形状が4角形で、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の1.5倍、気孔率が45%、平均気孔径が15μm、大きさが34.3mm×34.3mm×150mm、セルの数(セル密度)が46.5個/cm2(300個/inch2)、セル壁の厚さが0.3mmの炭化ケイ素焼結体からなるハニカム焼成体を製造した。
(ハニカムフィルタの製造)
平均繊維長20μmのアルミナファイバ30重量%、平均粒径0.6μmの炭化ケイ素粒子21重量%、シリカゾル15重量%、カルボキシメチルセルロース5.6重量%、及び、水28.4重量%を含む耐熱性のシール材ペーストを用いてハニカム焼成体を多数接着させ、さらに、120℃で乾燥させ、続いて、ダイヤモンドカッターを用いて切断することにより、シール材層(接着剤層)の厚さ1mmの円柱状のセラミックブロックを作製した。
平均繊維長20μmのアルミナファイバ30重量%、平均粒径0.6μmの炭化ケイ素粒子21重量%、シリカゾル15重量%、カルボキシメチルセルロース5.6重量%、及び、水28.4重量%を含む耐熱性のシール材ペーストを用いてハニカム焼成体を多数接着させ、さらに、120℃で乾燥させ、続いて、ダイヤモンドカッターを用いて切断することにより、シール材層(接着剤層)の厚さ1mmの円柱状のセラミックブロックを作製した。
次に、上記シール材ペーストを用いて、ハニカムブロックの外周部に厚さ0.2mmのシール材ペースト層を形成した。そして、このシール材ペースト層を120℃で乾燥して、外周にシール材層(コート層)が形成された直径143.8mm×長さ150mmの円柱状のハニカムフィルタを製造した。
(触媒担持層の形成)
γ−アルミナ粉末を充分量の水と混合して攪拌し、アルミナスラリーを作製した。このアルミナスラリー中にハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに700℃で1時間焼成する焼成工程を行って、ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に触媒担持層を形成した。
このとき、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたり40gとなるように、アルミナスラリーへの浸漬と乾燥工程、焼成工程を繰り返し行った。
γ−アルミナ粉末を充分量の水と混合して攪拌し、アルミナスラリーを作製した。このアルミナスラリー中にハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに700℃で1時間焼成する焼成工程を行って、ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に触媒担持層を形成した。
このとき、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたり40gとなるように、アルミナスラリーへの浸漬と乾燥工程、焼成工程を繰り返し行った。
(白金触媒の担持)
ジニトロジアンミン白金硝酸溶液([Pt(NH3)2(NO2)2]HNO3、白金濃度4.53重量%)中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で2時間乾燥し、窒素雰囲気中500℃で1時間焼成することによって触媒担持層に白金触媒を担持させた。
触媒の担持量は、触媒担持層であるアルミナ20gに対して白金が3g担持されるようにした。
以上の工程によって、アルミナからなる触媒担持層がハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に形成され、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
ジニトロジアンミン白金硝酸溶液([Pt(NH3)2(NO2)2]HNO3、白金濃度4.53重量%)中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で2時間乾燥し、窒素雰囲気中500℃で1時間焼成することによって触媒担持層に白金触媒を担持させた。
触媒の担持量は、触媒担持層であるアルミナ20gに対して白金が3g担持されるようにした。
以上の工程によって、アルミナからなる触媒担持層がハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に形成され、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例2〜4)
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(実施例2:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例3:同25〜50%の領域、実施例4:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(実施例2:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例3:同25〜50%の領域、実施例4:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
なお、実施例3では、図3(c)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、全長の25%の領域に下記の方法で触媒担持層を形成した。
ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%の領域をシリコーン樹脂を用いてコーティングした後、アルミナスラリーにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%である位置まで浸漬した。
次に、110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに300℃まで加熱することによってシリコーン樹脂を融解させて除去した。その後700℃で焼成して触媒担持層を形成して、最後に残存したシリコーン樹脂を1%塩酸で溶解させた。
上記手順によって、図3(b)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、ハニカムフィルタの全長の25%の領域に触媒担持層を形成した。
ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%の領域をシリコーン樹脂を用いてコーティングした後、アルミナスラリーにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%である位置まで浸漬した。
次に、110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに300℃まで加熱することによってシリコーン樹脂を融解させて除去した。その後700℃で焼成して触媒担持層を形成して、最後に残存したシリコーン樹脂を1%塩酸で溶解させた。
上記手順によって、図3(b)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、ハニカムフィルタの全長の25%の領域に触媒担持層を形成した。
(比較例1、2)
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例1:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例2:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例1:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例2:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(熱伝導率の測定)
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、ハニカムフィルタのセル壁の一部分(例えば、図2(b)中、破線で囲んだ部分)を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31及びガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。
結果を表1に示した。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、ハニカムフィルタのセル壁の一部分(例えば、図2(b)中、破線で囲んだ部分)を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31及びガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。
結果を表1に示した。
(再生限界値の測定)
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、再生限界値を測定した。ここでは、図4に示したようなハニカムフィルタをエンジンの排気通路に配置した排ガス浄化装置を用いて測定した。
排ガス浄化装置220は、主に、ハニカムフィルタ100、ハニカムフィルタ100の外方を覆うケーシング221、ハニカムフィルタ100とケーシング221との間に配置された保持シール材222から構成されており、ケーシング221の排ガスが導入される側の端部には、エンジン等の内燃機関に連結された導入管224が接続されており、ケーシング221の他端部には、外部に連結された排出管225が接続されている。なお、図4中、矢印は排ガスの流れを示している。
上記エンジンを回転数3000min−1、トルク50Nmで所定の時間運転し、所定量のPMを捕集した。その後、エンジンを回転数4000min−1、フルロードにして、フィルタ温度が700℃付近で一定になったところで、エンジンを回転数1050min−1、トルク30NmにすることによってPMを強制燃焼させた。
そして、この再生処理を行う実験を、PMの捕集量を変化させながら行い、フィルタにクラックが発生するか否かを調査した。そして、クラックが発生しない最大PM量を再生限界値とした。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、再生限界値を測定した。ここでは、図4に示したようなハニカムフィルタをエンジンの排気通路に配置した排ガス浄化装置を用いて測定した。
排ガス浄化装置220は、主に、ハニカムフィルタ100、ハニカムフィルタ100の外方を覆うケーシング221、ハニカムフィルタ100とケーシング221との間に配置された保持シール材222から構成されており、ケーシング221の排ガスが導入される側の端部には、エンジン等の内燃機関に連結された導入管224が接続されており、ケーシング221の他端部には、外部に連結された排出管225が接続されている。なお、図4中、矢印は排ガスの流れを示している。
上記エンジンを回転数3000min−1、トルク50Nmで所定の時間運転し、所定量のPMを捕集した。その後、エンジンを回転数4000min−1、フルロードにして、フィルタ温度が700℃付近で一定になったところで、エンジンを回転数1050min−1、トルク30NmにすることによってPMを強制燃焼させた。
そして、この再生処理を行う実験を、PMの捕集量を変化させながら行い、フィルタにクラックが発生するか否かを調査した。そして、クラックが発生しない最大PM量を再生限界値とした。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表1にまとめて示した。
なお、触媒担持層の形成位置はガス流入側端面の位置を0%、ガス流出側端面の位置を100%としたときのハニカムフィルタの全長に対するガス流入側からの位置(%)で示しており、実施例1においてはガス流入側端面から50%の領域に触媒担持層が形成されているため、「0〜50」と示している。
また、触媒担持層の形成量は、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの形成量として示した。
なお、触媒担持層の形成位置はガス流入側端面の位置を0%、ガス流出側端面の位置を100%としたときのハニカムフィルタの全長に対するガス流入側からの位置(%)で示しており、実施例1においてはガス流入側端面から50%の領域に触媒担持層が形成されているため、「0〜50」と示している。
また、触媒担持層の形成量は、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの形成量として示した。
図5は、実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表1及び図5に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例1)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例2)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表1及び図5に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例1)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例2)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(実施例5)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例6〜8)
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例6:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例7:同25〜50%の領域、実施例8:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例6:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例7:同25〜50%の領域、実施例8:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(比較例3、4)
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5〜8、比較例3、4で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表2にまとめて示した。
実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表2にまとめて示した。
図6は、実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表2及び図6に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例3)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例4)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表2及び図6に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例3)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例4)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(実施例9)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.0倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.0倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例10〜12)
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例10:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例11:同25〜50%の領域、実施例12:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例10:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例11:同25〜50%の領域、実施例12:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(比較例5、6)
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9〜12、比較例5、6で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表3にまとめて示した。
実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表3にまとめて示した。
図7は、実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表3及び図7に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例5)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例6)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表3及び図7に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例5)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例6)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
以上、実施例1〜12、及び、比較例1〜6に示した結果より、本実施形態のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることが明らかとなった。
(第二実施形態)
次に、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本発明の本実施形態のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和は、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍である。
また、各セルの具体的な断面形状は、第一の実施形態のように、ガス流入セルの断面形状が8角形で、ガス流出セルの断面形状が4角形である形状に限定されず、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればどのような形状であってもよい。
次に、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本発明の本実施形態のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和は、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍である。
また、各セルの具体的な断面形状は、第一の実施形態のように、ガス流入セルの断面形状が8角形で、ガス流出セルの断面形状が4角形である形状に限定されず、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればどのような形状であってもよい。
具体的には、例えば、図8(a)〜(f)に示すような断面形状等が挙げられる。
図8(a)〜(f)は、それぞれ本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の長手方向に垂直な断面を示した模式図である。
図8(a)〜(f)は、それぞれ本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の長手方向に垂直な断面を示した模式図である。
図8(a)に示すハニカム焼成体150は、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体110と同じく、断面形状が8角形のガス流入セル151Aと、断面形状が4角形のガス流出セル151Bとを備えており、ガス流入セル151Aの断面積は、ガス流出セル151Bの断面積の約2.8倍である。
なお、図8(a)中、153はセル壁である。
なお、図8(a)中、153はセル壁である。
図8(b)に示すハニカム焼成160は、断面形状が4角形のガス流入セル161Aと、断面形状が4角形のガス流出セル161Bとを備えており、ガス流入セル161Aの断面積は、ガス流出セル161Bの断面積の約1.8倍である。
なお、図8(b)中、163はセル壁である。
なお、図8(b)中、163はセル壁である。
図8(c)に示したハニカム焼成体170は、断面の形状が異なる4種類のセル、即ち、断面形状が4角形のガス流出セル171B、断面形状が6角形のガス流入セル174A、175A、及び、断面形状が8角形のガス流入セル171Aを備えており、各セルをセル壁173の厚さが均一となるように配設している。このハニカム焼成体170では、ガス流入セルの断面積は、ガス流出セルの断面積の約1.8〜2.8倍である。
図8(d)に示すハニカム焼成体180では、ガス流入セル181Aの断面形状は5角形であり、そのうちの3つの角がほぼ直角となっており、一方、ガス流出セル181Bの断面形状は4角形であり、それぞれ大きな四角形の斜めに対向する部分を占めるように構成されている。そして、ガス流入セル181Aの断面積は、ガス流出セル181Bの断面積の約2.1倍である。
なお、図8(d)中、183はセル壁である。
なお、図8(d)中、183はセル壁である。
図8(e)に示すハニカム焼成体190は、図8(a)に示した断面形状を変形したものであって、ガス流入セル191Aとガス流出セル191Bとが共有するセル壁を小容積セル側にある曲率を持って広げた形状である。そして、ガス流入セル191Aの断面積は、ガス流出セル191Bの断面積の約3.0倍である。
なお、図8(e)中、193はセル壁である。
なお、図8(e)中、193はセル壁である。
図8(f)に示すハニカム焼成体200は、いずれも4角形(長方形)のガス流入セル201Aとガス流出セル201Bとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成しており、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている。そして、ガス流入セル201Aの断面積は、ガス流出セル201Bの約2.9倍である。
なお、図8(f)中、203はセル壁である。
なお、図8(f)中、203はセル壁である。
以上のように、本発明のハニカムフィルタは、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればよい。
また、図8(a)〜(f)に示したような形状のセルを備えるハニカムフィルタは、押出成形用金型をセルの形状に応じて選定する以外は、第一実施形態のハニカムフィルタを製造する方法と同様の方法により製造することができる。
また、本実施形態のハニカムフィルタにおいても、第一実施形態のハニカムフィルタと同様の作用効果(1)〜(3)を発揮することができる。
以下、本発明の第二実施形態をより具体的に開示した実施例を示すが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
(実施例13)
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(e)に示したようなガス流入セルとガス流出セルとが共有するセル壁を小容積セル側にある曲率を持って広げた形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(e)に示したようなガス流入セルとガス流出セルとが共有するセル壁を小容積セル側にある曲率を持って広げた形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例14)
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(f)に示したような、いずれも長方形のガス流入セルとガス流出セルとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成し、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(f)に示したような、いずれも長方形のガス流入セルとガス流出セルとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成し、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例7)
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例1と同様にして、ガス流入側端面から0〜50%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例1と同様にして、ガス流入側端面から0〜50%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例8)
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例4と同様にして、ガス流入側端面から0〜90%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例4と同様にして、ガス流入側端面から0〜90%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例9)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例10)
実施例4で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例4と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例4で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例4と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表4にまとめて示した。
また、表4には、参考のため、実施例1、4、5、8、9、12のハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果についても付記した。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表4にまとめて示した。
また、表4には、参考のため、実施例1、4、5、8、9、12のハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果についても付記した。
表4に示した結果から明らかなように、ガス流入セルの断面積の総和をガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍にすることにより、ハニカムフィルタの再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍未満の場合、及び、3.0場合を超える場合には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍未満の場合、及び、3.0場合を超える場合には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(第三実施形態)
次に、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
ここで、触媒担持層が形成されていない領域、及び、触媒担持層が形成された領域のそれぞれの熱伝導率は、図2(b)に示すように、セル壁113のうち触媒担持層が形成された領域の一部を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31とし、触媒担持層が形成されていない領域の一部を切り出してガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率を測定することにより求める。
次に、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
ここで、触媒担持層が形成されていない領域、及び、触媒担持層が形成された領域のそれぞれの熱伝導率は、図2(b)に示すように、セル壁113のうち触媒担持層が形成された領域の一部を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31とし、触媒担持層が形成されていない領域の一部を切り出してガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率を測定することにより求める。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍であるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側の温度差に起因する熱衝撃の発生が抑制されることとなり、より高い再生限界値を備えることとなる。また、本実施形態のハニカムフィルタにおいても、第一実施形態のハニカムフィルタと同様の作用効果(1)〜(3)を発揮することができる。
(他の実施形態)
本発明のハニカムフィルタの構成は、ガス流出セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であれば、第一〜第三の実施形態のように、必ずしもガス流入セルのそれぞれの断面積が、ガス流出セルのそれぞれの断面積の1.5〜3.0倍である必要はなく、各セルの断面積はすべて同一で、ガス流入側が開口したセルの断面積の総和が、ガス流出側が開口したセルの断面積の総和の1.5〜3.0倍となるように各セルが封止された構成を備えていてもよい。
本発明のハニカムフィルタの構成は、ガス流出セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であれば、第一〜第三の実施形態のように、必ずしもガス流入セルのそれぞれの断面積が、ガス流出セルのそれぞれの断面積の1.5〜3.0倍である必要はなく、各セルの断面積はすべて同一で、ガス流入側が開口したセルの断面積の総和が、ガス流出側が開口したセルの断面積の総和の1.5〜3.0倍となるように各セルが封止された構成を備えていてもよい。
本発明のハニカムフィルタの構成は、第一〜第三実施形態のように、複数のハニカム焼成体がシール材層(接着剤層)を介して複数個結束された構成に限定されず、1つのハニカム焼成体から構成されていてもよい。
このような1つのハニカム焼成体から構成されるハニカムフィルタを製造する場合には、押出成形により成形するハニカム成形体の大きさ、形状をハニカムフィルタと略同形状とする以外は第一実施形態と同様の方法により、ハニカム焼成体を作製し、その後、必要に応じて、ハニカム焼成体の周囲にシール材層(コート層)を形成し、さらに、触媒担持層の形成、触媒の担持を行う。
本発明のハニカムフィルタの形状は、図1に示した円柱状に限定されるものではなく、楕円柱状、多角柱状等の任意の柱形状であればよい。
本発明のハニカムフィルタの気孔率は、30〜70%であることが望ましい。ハニカムフィルタの強度を維持することが可能であるとともに、排ガスがセル壁を通過する際の抵抗を低く保つことができるからである。
これに対し、上記気孔率が30%未満であると、セル壁が早期に目詰まりを起こすことがあり、一方、上記気孔率が70%を超えると、ハニカムフィルタの強度が低下して容易に破壊されることがある。
なお、上記気孔率は、例えば、水銀圧入法、アルキメデス法、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定等、従来公知の方法により測定することができる。
これに対し、上記気孔率が30%未満であると、セル壁が早期に目詰まりを起こすことがあり、一方、上記気孔率が70%を超えると、ハニカムフィルタの強度が低下して容易に破壊されることがある。
なお、上記気孔率は、例えば、水銀圧入法、アルキメデス法、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定等、従来公知の方法により測定することができる。
上記ハニカムフィルタの長手方向に垂直な断面におけるセル密度は特に限定されないが、望ましい下限は、31.0個/cm2(200個/in2)、望ましい上限は、93個/cm2(600個/in2)、より望ましい下値は、38.8個/cm2(250個/in2)、より望ましい上限は、77.5個/cm2(500個/in2)である。
上記ハニカムフィルタの構成材料の主成分は、炭化ケイ素に限定されるわけではなく、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等の窒化物セラミック、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の炭化物セラミック、金属と窒化物セラミックの複合体、金属と炭化物セラミックの複合体等であってもよい。
また、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料の主成分として挙げられる。また、コージェライトやチタン酸アルミニウム等であってもよい。
また、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料の主成分として挙げられる。また、コージェライトやチタン酸アルミニウム等であってもよい。
上記ハニカムフィルタの構成材料の主成分は、第一〜第三実施形態のような、複数のハニカム焼成体がシール材層(接着剤層)を介して結束されたハニカムフィルタでは、炭化ケイ素が特に好ましい。耐熱性、機械強度、熱伝導率等に優れるからである。また、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたもの(ケイ素含有炭化ケイ素)も望ましい。
また、ハニカムフィルタが1つのハニカム焼成体から構成される場合、その構成材料の主成分は、コージェライトやチタン酸アルミニウムが望ましい。
また、ハニカムフィルタが1つのハニカム焼成体から構成される場合、その構成材料の主成分は、コージェライトやチタン酸アルミニウムが望ましい。
湿潤混合物を調製する際に使用する炭化ケイ素粉末の粒径は特に限定されないが、後の焼成工程で収縮の少ないものが望ましい。例えば、1.0〜50μmの平均粒径を有する粉末100重量部と0.1〜1.0μmの平均粒径を有する粉末5〜65重量部とを使用することが望ましい。
上記範囲で炭化ケイ素粉末の粒径を調節することが、ハニカム焼成体の気孔径を調節するのに適している。なお、ハニカム焼成体の気孔径の調節は、焼成温度の調節によっても行うことができる。
上記範囲で炭化ケイ素粉末の粒径を調節することが、ハニカム焼成体の気孔径を調節するのに適している。なお、ハニカム焼成体の気孔径の調節は、焼成温度の調節によっても行うことができる。
湿潤混合物における有機バインダは特に限定されず、例えば、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール等が挙げられる。このなかでは、メチルセルロースが望ましい。有機バインダの配合量は、通常、炭化ケイ素粉末等100重量部に対して、1〜10重量部が望ましい。
湿潤混合物を調製する際に使用する可塑剤や潤滑剤は、特に限定されず、可塑剤としては、例えば、グリセリン等が挙げられる。また、潤滑剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレン系化合物等が挙げられる。
潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
なお、可塑剤、潤滑剤は、場合によっては、湿潤混合物に含まれていなくてもよい。
潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
なお、可塑剤、潤滑剤は、場合によっては、湿潤混合物に含まれていなくてもよい。
また、湿潤混合物を調製する際には、分散媒液を使用してもよく、分散媒液としては、例えば、水、ベンゼン等の有機溶媒、メタノール等のアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物中には、成形助剤が添加されていてもよい。
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物中には、成形助剤が添加されていてもよい。
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物には、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等の造孔剤を添加してもよい。
バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
また、湿潤混合物中の有機分の含有量は10重量%以下であることが望ましく、水分の含有量は8〜30重量%であることが望ましい。
セルを封止する封止材ペーストとしては特に限定されないが、後工程を経て製造される封止材の気孔率が30〜75%となるものが望ましく、例えば、湿潤混合物と同様のものを用いることができる。
シール材ペーストにおける無機バインダとしては、例えば、シリカゾル、アルミナゾル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機バインダのなかでは、シリカゾルが望ましい。
シール材ペーストにおける有機バインダとしては、例えば、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。有機バインダのなかでは、カルボキシメチルセルロースが望ましい。
シール材ペーストにおける無機繊維としては、例えば、シリカ−アルミナ、ムライト、アルミナ、シリカ等のセラミックファイバー等を挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機繊維のなかでは、アルミナファイバが望ましい。
シール材ペーストにおける無機粒子としては、例えば、炭化物、窒化物等を挙げることができ、具体的には、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる無機粉末等を挙げることができる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機粒子のなかでは、熱伝導性に優れる炭化ケイ素が望ましい。
さらに、シール材ペーストには、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等の造孔剤を添加してもよい。バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
上記触媒担持層を形成する材料としては、比表面積が高く触媒を高分散させて担持させることのできる材料であることが望ましく、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ等の酸化物セラミックが挙げられる。これらの材料は、単独で使用してもよいし、2種以上併用してもよい。
この中でも、250m2/g以上の高い比表面積を有するものを選択することが望ましく、γ−アルミナが特に望ましい。
この中でも、250m2/g以上の高い比表面積を有するものを選択することが望ましく、γ−アルミナが特に望ましい。
上記アルミナからなる触媒担持層を形成する方法は、第一の実施形態において説明した方法に特に限定されるものではなく、ハニカムフィルタをアルミニウムを含有する金属化合物の溶液、例えば、硝酸アルミニウムの水溶液などに含浸して、ゾル−ゲル法によりセル壁にアルミナ膜を被膜させ、ハニカムフィルタを乾燥、焼成する方法を用いてもよい。
上記触媒担持層の表面に担持させる触媒としては、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等の貴金属が望ましく、このなかでは、白金がより望ましい。また、その他の触媒として、例えば、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属、バリウム等のアルカリ土類金属を用いることもできる。これらの触媒は、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
10、20、30、40 触媒担持層
21 ガス流入側端面
22 ガス流出側端面
100 ハニカムフィルタ
110、120、130、140 ハニカム焼成体
111 セル
112 封止材
113 セル壁
G 排ガス
21 ガス流入側端面
22 ガス流出側端面
100 ハニカムフィルタ
110、120、130、140 ハニカム焼成体
111 セル
112 封止材
113 セル壁
G 排ガス
本発明は、ハニカムフィルタに関する。
バス、トラック等の車両や建設機械等の内燃機関から排出されるスス等のパティキュレート(以下、PMともいう)が、環境や人体に害を及ぼすことが近年問題となっている。そこで、排ガス中のPMを捕集して、排ガスを浄化するフィルタとして多孔質セラミックからなるハニカム構造体を用いたハニカムフィルタが種々提案されている。
また、このようなハニカムフィルタにおいては、排ガスを浄化するための触媒が担持されることがあるが、この場合、触媒を担持させる領域に触媒担持層が形成され、この触媒担持層に触媒が担持される。
特許文献1には、排ガスを流入させる側(ガス流入側)に触媒が多く担持され、排ガスを流出させる側(ガス流出側)に触媒が少なく担持されているか、あるいは、ガス流入側にのみ触媒が担持され、ガス流出側に触媒が担持されていない炭化ケイ素製ハニカムフィルタ及びこのようなハニカムフィルタが排ガス流路に設置された排ガス浄化システムが開示されている。
また、特許文献2には、ハニカムフィルタのガス流入側からガス流出側に向かって段階的又は連続的に、触媒担持量が順次小さくなるように構成したハニカムフィルタが開示されている。
また、このようなハニカムフィルタにおいては、排ガスを浄化するための触媒が担持されることがあるが、この場合、触媒を担持させる領域に触媒担持層が形成され、この触媒担持層に触媒が担持される。
特許文献1には、排ガスを流入させる側(ガス流入側)に触媒が多く担持され、排ガスを流出させる側(ガス流出側)に触媒が少なく担持されているか、あるいは、ガス流入側にのみ触媒が担持され、ガス流出側に触媒が担持されていない炭化ケイ素製ハニカムフィルタ及びこのようなハニカムフィルタが排ガス流路に設置された排ガス浄化システムが開示されている。
また、特許文献2には、ハニカムフィルタのガス流入側からガス流出側に向かって段階的又は連続的に、触媒担持量が順次小さくなるように構成したハニカムフィルタが開示されている。
特許文献1、2に開示されたハニカムフィルタは、通常、ハニカムフィルタでは高温の排ガスを流した際にガス流入側の温度に比べてガス流出側の温度が高温になる傾向にあるため、ハニカムフィルタのガス流出側に担持させた触媒の量が少なくてもPMの燃焼が充分に行われることに着目して作製されたハニカムフィルタである。
特許文献1、2に開示されたハニカムフィルタにおいては、ガス流出側に担持させる触媒の量を減らしてコストダウンを図ることができる。
また、担持させる触媒の量を減らすことによって、初期圧力損失を低下させることができる。
また、担持させる触媒の量を減らすことによって、初期圧力損失を低下させることができる。
また、ハニカムフィルタでは、通常、高い再生限界値(PMを補集して燃焼させた場合にフィルタにクラックが生じることのない、PMの補集量の最大値)を備えることが望ましいと考えられている。なぜなら、再生限界値が低いハニカムフィルタを用いた排ガス浄化システムでは、頻繁に再生処理を行う必要があり、内燃機関の燃費が悪化するという問題があるためである。
よって、従来のハニカムフィルタは再生限界値の点で改善の必要があった。
よって、従来のハニカムフィルタは再生限界値の点で改善の必要があった。
そこで、本発明者らは、さらに高い再生限界値を備えるハニカムフィルタを提供すべく、鋭意検討を重ねた。
その結果、まず、ハニカムフィルタのガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の少なくとも10%の領域に触媒担持層を形成せず、この少なくとも10%の領域の熱伝導率をハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱が確実に進行し、この場合、ガス流出側の温度上昇が抑制されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
その結果、まず、ハニカムフィルタのガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の少なくとも10%の領域に触媒担持層を形成せず、この少なくとも10%の領域の熱伝導率をハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱が確実に進行し、この場合、ガス流出側の温度上昇が抑制されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
また、ハニカムフィルタに触媒を担持させた場合、触媒が担持されている領域では、流入したガスの反応により熱が発生するため、触媒が担持されている領域における発熱量は、触媒が担持されていない領域に比べて大きくなる。そして、触媒が担持されている領域が狭すぎると、狭い領域で大量に熱が発生することとなる。さらに、触媒担持層が形成されている領域は、触媒担持層が形成されていない領域に比べて熱伝導率が低いため、放熱が起こりにくい状態にある。
そのため、触媒が担持された触媒担持層が形成された領域が狭いと、その領域と他の領域との温度差が非常に大きくなり、その結果、ハニカムフィルタに大きな熱衝撃が加わることとなる。
これに対して、本発明者らは、触媒担持層を形成する領域を、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域とすることにより、狭い領域で大量の熱が発生し、大きな熱衝撃がハニカムフィルタに加わることが防止され、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
そのため、触媒が担持された触媒担持層が形成された領域が狭いと、その領域と他の領域との温度差が非常に大きくなり、その結果、ハニカムフィルタに大きな熱衝撃が加わることとなる。
これに対して、本発明者らは、触媒担持層を形成する領域を、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域とすることにより、狭い領域で大量の熱が発生し、大きな熱衝撃がハニカムフィルタに加わることが防止され、ハニカムフィルタの再生限界値が高いものとなることを見出した。
さらに、本発明者らは、上述したような所定の領域にのみ触媒担持層が形成されたハニカムフィルタについて、PMを補集した後のハニカムフィルタの状態を観察した。すると、驚くべきことに、ガス流入側に比べてガス流出側にPMが多く補集されている現象が認められた。
そして、本観察結果のようにハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積された状態でハニカムフィルタの再生処理を行うと、ガス流出側の温度がガス流入側に比べて高くなり、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差が大きくなるため、ハニカムフィルタに加わる熱衝撃が大きくなってクラックが生じやすくなるものと考えられた。
このことから、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積されることは、ハニカムフィルタの再生限界値を低下させる原因となると推定された。
このことから、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが多く蓄積されることは、ハニカムフィルタの再生限界値を低下させる原因となると推定された。
これらを踏まえて、本発明者らは、ハニカムフィルタの再生限界値を高めるには、ガス流出側のセル壁にPMが多く捕集されることを防止し、ハニカムフィルタの構成をガス流入側からガス流出側に向かって、PMができるだけ均一に捕集されるようにすればよいことに想到し、本発明を完成した。
即ち、請求項1に記載のハニカムフィルタは、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止された柱状のハニカム焼成体からなり、一方の端面側から流入したガスが他方の端面側から流出するハニカムフィルタであって、
上記ハニカムフィルタの上記ガスが流入する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、上記ハニカムフィルタの上記ガスが流出する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、
上記ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面から上記ハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、
上記ハニカムフィルタのガス流入側端面から上記ハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、上記ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、
上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高いことを特徴とする。
上記ハニカムフィルタの上記ガスが流入する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、上記ハニカムフィルタの上記ガスが流出する側が開口したセルの上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、
上記ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面から上記ハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、
上記ハニカムフィルタのガス流入側端面から上記ハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、上記ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、
上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高いことを特徴とする。
請求項1に記載のハニカムフィルタでは、ガスが流入する側が開口したセル(以下、ガス流入セルともいう)の上記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、ガスが流出する側が開口したセル(以下、ガス流出セルともいう)の上記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、このような構成を備えるため、ガスがハニカム構造体に流入した際に、ガス流入セルを流れるガスの流速は、ガス流出セルを流れるガスの流速よりも遅くなる傾向にある。
以下、上記ハニカムフィルタのセルの上記長手方向に垂直な断面の面積を断面積ともいう。
そのため、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが略同一のハニカムフィルタと比較すると、ハニカムフィルタの流入側において、パティキュレート(PM)を含む排ガスがセル壁を通過しやすくなり、ハニカムフィルタの流入側において捕集されるPMの量が多くなり、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かってPMが均一に捕集されやすくなる。
以下、上記ハニカムフィルタのセルの上記長手方向に垂直な断面の面積を断面積ともいう。
そのため、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが略同一のハニカムフィルタと比較すると、ハニカムフィルタの流入側において、パティキュレート(PM)を含む排ガスがセル壁を通過しやすくなり、ハニカムフィルタの流入側において捕集されるPMの量が多くなり、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かってPMが均一に捕集されやすくなる。
そして、このように、PMがハニカムフィルタの流出側に偏って捕集されず、ハニカムフィルタの流入側から流出側に向かって均一に捕集される傾向にあると、PMを燃焼させた際(再生処理を行った際)に、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差が小さくなり、再生処理において、ハニカムフィルタにクラックが発生しにくくなると考えられる。そのため、請求項1に記載のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることとなる。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の1.5倍未満では、ガス流入セル内を流れるPMの流速が充分に遅くならず、ハニカムフィルタのガス流出側にPMが偏って捕集されやすいため、再生限界値が低くなりやすい。
一方、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の3.0倍を超えると、ガス流入セルからガス流出セルへガスが流れにくくなるため、PMが偏って捕集されやすく、再生限界値が低くなりやすい。
一方、ガス流入セルの断面積の総和がガス流出セルの断面積の総和の3.0倍を超えると、ガス流入セルからガス流出セルへガスが流れにくくなるため、PMが偏って捕集されやすく、再生限界値が低くなりやすい。
また、請求項1に記載のハニカムフィルタにおいては、ハニカムフィルタのガス流出側の端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高くなっている。
このようにガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域を熱伝導率の高い部材からなる領域とすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱を促進させることができる。その結果、ハニカムフィルタのガス流出側の温度上昇が防止されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
このようにガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域を熱伝導率の高い部材からなる領域とすることにより、ガス流出側端面近傍からの放熱を促進させることができる。その結果、ハニカムフィルタのガス流出側の温度上昇が防止されるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
また、触媒が担持されているとガスの反応による発熱が生じるため、触媒が担持されている領域は、触媒が担持されていない領域と比べて発熱量が大きくなる。さらに、触媒担持層が形成された領域は、触媒担持層が形成されていない領域に比べて、熱伝導率が低くいため、放熱が起こりにくくなっている。そのため、触媒が担持されている領域が狭すぎる場合には、狭い領域で大量の熱が発生し、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差がより大きくなり、ハニカムフィルタに加わる熱衝撃が大きくなる。
これに対し、請求項1に記載のハニカムフィルタのように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成した場合には、触媒を担持させた際に触媒が担持されている領域が狭すぎず、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差が大きくなりすぎないため、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
これに対し、請求項1に記載のハニカムフィルタのように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成した場合には、触媒を担持させた際に触媒が担持されている領域が狭すぎず、触媒担持層の上に触媒が担持された領域と、触媒担持層が形成されていない領域との温度差が大きくなりすぎないため、再生限界値の高いハニカムフィルタとなる。
このように、請求項1に記載のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和と、ガス流出セルの断面積の総和とが、所定の比率で形成されており、さらに、触媒担持層が所定の領域に形成されている。そのため、請求項1に記載のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることとなる。
請求項2に記載のハニカムフィルタは、上記触媒担持層に触媒が担持されている。
請求項2に記載のハニカムフィルタでは、上記触媒担持層に担持された触媒によって排ガスの浄化を行うことができる。
請求項2に記載のハニカムフィルタでは、上記触媒担持層に担持された触媒によって排ガスの浄化を行うことができる。
請求項3に記載のハニカムフィルタは、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、上記ハニカムフィルタの上記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
請求項3に記載のハニカムフィルタでは、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成されていない領域は、ハニカムフィルタの触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍の熱伝導率を有しているため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側の温度差に起因する熱衝撃の発生が抑制されることとなる。そのため、請求項3に記載のハニカムフィルタは、より高い再生限界値を備えることとなる。
請求項4に記載のハニカムフィルタは、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化物セラミックス、窒化物セラミックス、金属と炭化物セラミックスの複合体、金属と窒化物セラミックスとの複合体のいずれかからなる。
また、請求項5に記載のハニカムフィルタは、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化ケイ素からなる。
ハニカムフィルタの主成分となる上記材料はいずれも熱伝導率が高いため、請求項4及び5に記載のハニカムフィルタは、きわめて高い再生限界値を備えることとなる。
また、請求項5に記載のハニカムフィルタは、上記ハニカムフィルタの主成分が、炭化ケイ素からなる。
ハニカムフィルタの主成分となる上記材料はいずれも熱伝導率が高いため、請求項4及び5に記載のハニカムフィルタは、きわめて高い再生限界値を備えることとなる。
(第一実施形態)
以下、本発明の一実施形態である第一実施形態について説明する。
図1は、本発明のハニカムフィルタの一例を模式的に示す斜視図であり、図2(a)は、本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、(b)はそのA−A線断面図である。
以下、本発明の一実施形態である第一実施形態について説明する。
図1は、本発明のハニカムフィルタの一例を模式的に示す斜視図であり、図2(a)は、本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、(b)はそのA−A線断面図である。
ハニカムフィルタ100では、図2(a)、(b)に示すようなハニカム焼成体110がシール材層(接着剤層)101を介して複数個結束されてセラミックブロック103を構成し、さらに、このセラミックブロック103の外周にシール材層(コート層)102が形成されている。
ハニカム焼成体110は、多孔質炭化ケイ素を主成分とし、ハニカム焼成体110には、多数のセル111A、111Bがセル壁113を隔てて長手方向(図2(a)中、矢印aの方向)に並設されており、セル111A、111Bはいずれか一方の端部が封止材112で封止されている。具体的には、セル111Aは、排ガスGの流出側の端部が封止されており、セル111Bは、排ガスGの流入側の端部が封止されている。
ここで、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の形状は8角形であり、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の形状は4角形である。
また、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の面積は、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の面積の1.5倍である。また、ハニカム焼成体110において、セル111Aの個数とセル111Bの個数とは同数である。
従って、ハニカム焼成体110が複数個結束されたハニカムフィルタ100では、排ガスGが流入する側が開口したセルの断面積の総和が、排ガスGが流出する側が開口したセルの断面積の総和の1.5倍である。
ここで、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の形状は8角形であり、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の形状は4角形である。
また、セル111Aの上記長手方向に垂直な断面の面積は、セル111Bの上記長手方向に垂直な断面の面積の1.5倍である。また、ハニカム焼成体110において、セル111Aの個数とセル111Bの個数とは同数である。
従って、ハニカム焼成体110が複数個結束されたハニカムフィルタ100では、排ガスGが流入する側が開口したセルの断面積の総和が、排ガスGが流出する側が開口したセルの断面積の総和の1.5倍である。
また、ハニカム焼成体110では、図2(b)に示すように、ガス流入側端面21側が開口したセル111Aに流入した排ガスGは、必ずセル同士を隔てるセル壁113を通過した後、ガス流出側端面22側が開口した他のセル111Bから流出するようになっている。
従って、ハニカム焼成体110(ハニカムフィルタ100)では、セル壁113がPM等を補集するためのフィルタとして機能する。
従って、ハニカム焼成体110(ハニカムフィルタ100)では、セル壁113がPM等を補集するためのフィルタとして機能する。
また、ハニカムフィルタ100では、ハニカムフィルタ100の所定の領域に、白金(Pt)触媒が担持されたアルミナからなる触媒担持層10が形成されている。従って、ハニカムフィルタ100の触媒担持層10が形成されていない領域の熱伝導率は、ハニカムフィルタ100の触媒担持層10が形成された領域の熱伝導率に比べて高いこととなる。
また、触媒を触媒担持層に担持させることにより、排ガス中の有害成分の浄化、及び、PMの燃焼を促進することができる。
また、触媒を触媒担持層に担持させることにより、排ガス中の有害成分の浄化、及び、PMの燃焼を促進することができる。
ここで、触媒担持層を形成する所定の領域について、図面を参照しながら説明しておく。
図3(a)〜(d)は、それぞれ所定の領域に触媒担持層が形成されたハニカム焼成体の一例を模式的に示す断面図である。
詳細には、ハニカム焼成体の全長Lに対して(a)は、ガス流入側端面21から50%の領域に触媒担持層10が形成され、(b)は、ガス流入側端面21から25%の領域に触媒担持層20が形成され、(c)は、ガス流入側端面21から25〜50%の領域に触媒担持層30が形成され、(d)は、ガス流入側端面21から90%の領域に触媒担持層40が形成されたハニカム焼成体を示している。
なお、ハニカムフィルタの全長はハニカム焼成体の全長と等しい。
図3(a)〜(d)は、それぞれ所定の領域に触媒担持層が形成されたハニカム焼成体の一例を模式的に示す断面図である。
詳細には、ハニカム焼成体の全長Lに対して(a)は、ガス流入側端面21から50%の領域に触媒担持層10が形成され、(b)は、ガス流入側端面21から25%の領域に触媒担持層20が形成され、(c)は、ガス流入側端面21から25〜50%の領域に触媒担持層30が形成され、(d)は、ガス流入側端面21から90%の領域に触媒担持層40が形成されたハニカム焼成体を示している。
なお、ハニカムフィルタの全長はハニカム焼成体の全長と等しい。
図3(a)〜(d)に示すハニカム焼成体110、120、130、140においては、いずれもハニカム焼成体の全長Lに対してガス流出側端面22から10%の領域(図3(a)〜(d)中、領域B)には触媒担持層が形成されていない。そして、ハニカム焼成体の全長Lに対してガス流入側端面21から90%の領域(図3(a)中、領域A)のうち、ハニカム焼成体の全長Lの25%〜90%の領域(図3(a)〜(d)中、領域C)には、触媒担持層が形成されている。
触媒担持層が形成されている領域Cは、図3(a)、(b)、(d)のようにガス流入側端面21から連続して設けられていてもよいし、図3(c)のようにガス流入側端面21から離間した位置から連続して設けられていてもよい。
なお、図3(a)〜(d)に示したハニカム焼成体では、触媒担持層はセル壁113の内部に形成されているが、上記触媒担持層は、セル壁113の表面に形成されていてもよい。
なお、図3(a)〜(d)に示したハニカム焼成体では、触媒担持層はセル壁113の内部に形成されているが、上記触媒担持層は、セル壁113の表面に形成されていてもよい。
次に、本実施形態に係る触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造する方法について説明する。
(1)セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを乾式混合して混合粉末を調製するとともに、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合して混合液体を調製し、続いて、上記混合粉末と上記混合液体とを湿式混合機を用いて混合することにより、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
(1)セラミック原料として平均粒子径の異なる炭化ケイ素粉末と有機バインダとを乾式混合して混合粉末を調製するとともに、液状の可塑剤と潤滑剤と水とを混合して混合液体を調製し、続いて、上記混合粉末と上記混合液体とを湿式混合機を用いて混合することにより、成形体製造用の湿潤混合物を調製する。
(2)上記湿潤混合物を押出成形機に投入し、上記湿潤混合物を押出成形することにより所定の形状のハニカム成形体を作製する。ここでは、各セルが所定の形状となるよう押出成形用金型を選定する。
さらに、ハニカム成形体を所定の長さに切断した後、乾燥機を用いて乾燥させ、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体と略同形状のハニカム成形体とする。
さらに、ハニカム成形体を所定の長さに切断した後、乾燥機を用いて乾燥させ、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体と略同形状のハニカム成形体とする。
(3)さらに、各セルの所定の端部に、封止材となる封止材ペーストを所定量充填し、各セルを目封じする。セルを目封じする際には、ハニカム成形体の端面に目封じ用のマスクを当てて、目封じの必要なセルにのみ封止材ペーストを充填する。
(4)各セルの一方の端部が目封じされたハニカム成形体を脱脂炉中で加熱し、ハニカム成形体中の有機物を分解除去する脱脂処理を行い、ハニカム脱脂体を作製する。
続いて、上記ハニカム脱脂体を焼成炉内に投入し、所定の温度(例えば、2200〜2300℃)で焼成処理を行い、ハニカム焼成体を作製する。
続いて、上記ハニカム脱脂体を焼成炉内に投入し、所定の温度(例えば、2200〜2300℃)で焼成処理を行い、ハニカム焼成体を作製する。
(5)上記ハニカム焼成体の側面に、シール材層(接着剤層)となるシール材ペーストを塗布してシール材ペースト層を形成し、このシール材ペースト層の上に、順次他のハニカム焼成体を積層する工程を繰り返して所定数のハニカム焼成体が結束されたハニカム焼成体の集合体を作製する。ここで、シール材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機繊維及び/又は無機粒子とからなるものを使用する。
(6)上記ハニカム焼成体の集合体を加熱してシール材ペースト層を乾燥、固化させてシール材層(接着剤層)とする。その後、ダイヤモンドカッターを用いてハニカム焼成体の集合体に切削加工を施してセラミックブロックとし、セラミックブロックの外周面にシール材ペーストを塗布し、シール材ペーストを乾燥固化させてシール材層(コート層)を形成することによりハニカムフィルタとする。
(7)次に、上記ハニカムフィルタの所定の領域にアルミナからなる触媒担持層を形成し、さらに上記触媒担持層に白金触媒を担持させる。具体的には、下記(a)及び(b)の処理を行う。
(a)アルミナ粒子を含むアルミナ溶液中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成する所定の領域がアルミナ溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、ハニカムフィルタの所定の領域に選択的にアルミナ粒子を付着させる。
その後、ハニカムフィルタを110〜200℃で2時間乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを500〜1000℃で加熱焼成することにより、ハニカムフィルタの所定の領域に触媒担持層を形成する。
(a)アルミナ粒子を含むアルミナ溶液中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成する所定の領域がアルミナ溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、ハニカムフィルタの所定の領域に選択的にアルミナ粒子を付着させる。
その後、ハニカムフィルタを110〜200℃で2時間乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを500〜1000℃で加熱焼成することにより、ハニカムフィルタの所定の領域に触媒担持層を形成する。
(b)次に、白金を含有する金属化合物の溶液中に、ガス流入側端面とする面を下にして、触媒担持層を形成した所定の領域が溶液中に漬かるようにハニカムフィルタを浸漬し、浸積後のハニカムフィルタを乾燥させ、乾燥後のハニカムフィルタを不活性雰囲気下、500〜800℃で加熱焼成することにより触媒担持層に触媒を担持させる。
なお、(a)及び(b)に示した方法は、ハニカムフィルタのガス流入側端面から連続して設けられた触媒担持層を形成し、この触媒担持層に触媒を担持する方法であるが、図3(c)に示したようなガス流入側端面から離間した位置から連続して設けられた触媒担持層を形成し、この触媒担持層に触媒を担持させる場合には、例えば、下記のような方法を用いればよい。
即ち、上記(a)の工程を行う前に、ハニカムフィルタのガス流入側の触媒担持層を形成しない領域を、シリコーン樹脂でコーティングしておき、アルミナ粒子として白金付きアルミナ粒子を用いて上記(a)の工程の乾燥処理までを行い、その後、さらに300℃程度まで加熱してシリコーン樹脂を融解させて除去し、続いて、上記(a)の工程の加熱焼成処理を行った後、ハニカムフィルタに残留したシリコーン樹脂を酸で溶解除去する。
即ち、上記(a)の工程を行う前に、ハニカムフィルタのガス流入側の触媒担持層を形成しない領域を、シリコーン樹脂でコーティングしておき、アルミナ粒子として白金付きアルミナ粒子を用いて上記(a)の工程の乾燥処理までを行い、その後、さらに300℃程度まで加熱してシリコーン樹脂を融解させて除去し、続いて、上記(a)の工程の加熱焼成処理を行った後、ハニカムフィルタに残留したシリコーン樹脂を酸で溶解除去する。
以下、本実施形態のハニカムフィルタの作用効果について列挙する。
(1)本実施形態のハニカムフィルタは、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍と、ガス流入セルの断面積の総和の方が、ガス流出セルの断面積の総和よりも大きいため、パティキュレートがセル壁に均一に捕集されやすく、高い再生限界値を備えることとなる。
これは、ガス流入セル内を流れる排ガスの流速が、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが同一のハニカムフィルタに比べて遅くなるためと考えられる。
(1)本実施形態のハニカムフィルタは、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍と、ガス流入セルの断面積の総和の方が、ガス流出セルの断面積の総和よりも大きいため、パティキュレートがセル壁に均一に捕集されやすく、高い再生限界値を備えることとなる。
これは、ガス流入セル内を流れる排ガスの流速が、ガス流入セルの断面積の総和とガス流出セルの断面積の総和とが同一のハニカムフィルタに比べて遅くなるためと考えられる。
(2)ガス流出側端面からハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が設けられておらず、上記領域は、触媒担持層が形成された領域よりも熱伝導率が高いため、ガス流出側端面近傍は放熱性に優れる。そのため、再生処理を行った際に、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側との温度差に起因する熱衝撃が発生しにくく、ハニカムフィルタは高い再生限界値を備えることとなる。
(3)ハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に、触媒が担持された触媒担持層が形成されているため、触媒が担持された領域は充分に広く、再生処理において、ハニカムフィルタの狭い領域で大量の発熱が生じることがないため、再生限界値が高くなる。
以下、本発明の第一実施形態をより具体的に開示した実施例を示すが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
(実施例1)
(ハニカム焼成体の作製)
平均粒径22μmを有する炭化ケイ素の粗粉末52.8重量%と、平均粒径0.5μmの炭化ケイ素の微粉末22.6重量%とを湿式混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂2.1重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日本油脂社製 ユニルーブ)2.8重量%、グリセリン1.3重量%、及び、水13.8重量%を加えて混練し、原料組成物を調製した。
次に、この原料組成物を用いて押出成形を行い、図2(a)に示した形状と略同形状の生のハニカム成形体を作製した。
(ハニカム焼成体の作製)
平均粒径22μmを有する炭化ケイ素の粗粉末52.8重量%と、平均粒径0.5μmの炭化ケイ素の微粉末22.6重量%とを湿式混合し、得られた混合物に対して、アクリル樹脂2.1重量%、有機バインダ(メチルセルロース)4.6重量%、潤滑剤(日本油脂社製 ユニルーブ)2.8重量%、グリセリン1.3重量%、及び、水13.8重量%を加えて混練し、原料組成物を調製した。
次に、この原料組成物を用いて押出成形を行い、図2(a)に示した形状と略同形状の生のハニカム成形体を作製した。
次いで、マイクロ波乾燥機を用いて上記生のハニカム成形体を乾燥させ、ハニカム成形体の乾燥体とした後、上記原料組成物と同様の組成の封止材ペーストを所定のセルに充填し、再び乾燥機を用いて乾燥させた。
ハニカム成形体の乾燥体を400℃で脱脂し、常圧のアルゴン雰囲気下2200℃、3時間の条件で焼成を行うことにより、ガス流入セルの断面形状が8角形、ガス流出セルの断面形状が4角形で、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の1.5倍、気孔率が45%、平均気孔径が15μm、大きさが34.3mm×34.3mm×150mm、セルの数(セル密度)が46.5個/cm2(300個/inch2)、セル壁の厚さが0.3mmの炭化ケイ素焼結体からなるハニカム焼成体を製造した。
(ハニカムフィルタの製造)
平均繊維長20μmのアルミナファイバ30重量%、平均粒径0.6μmの炭化ケイ素粒子21重量%、シリカゾル15重量%、カルボキシメチルセルロース5.6重量%、及び、水28.4重量%を含む耐熱性のシール材ペーストを用いてハニカム焼成体を多数接着させ、さらに、120℃で乾燥させ、続いて、ダイヤモンドカッターを用いて切断することにより、シール材層(接着剤層)の厚さ1mmの円柱状のセラミックブロックを作製した。
平均繊維長20μmのアルミナファイバ30重量%、平均粒径0.6μmの炭化ケイ素粒子21重量%、シリカゾル15重量%、カルボキシメチルセルロース5.6重量%、及び、水28.4重量%を含む耐熱性のシール材ペーストを用いてハニカム焼成体を多数接着させ、さらに、120℃で乾燥させ、続いて、ダイヤモンドカッターを用いて切断することにより、シール材層(接着剤層)の厚さ1mmの円柱状のセラミックブロックを作製した。
次に、上記シール材ペーストを用いて、セラミックブロックの外周部に厚さ0.2mmのシール材ペースト層を形成した。そして、このシール材ペースト層を120℃で乾燥して、外周にシール材層(コート層)が形成された直径143.8mm×長さ150mmの円柱状のハニカムフィルタを製造した。
(触媒担持層の形成)
γ−アルミナ粉末を充分量の水と混合して攪拌し、アルミナスラリーを作製した。このアルミナスラリー中にハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに700℃で1時間焼成する焼成工程を行って、ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に触媒担持層を形成した。
このとき、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたり40gとなるように、アルミナスラリーへの浸漬と乾燥工程、焼成工程を繰り返し行った。
γ−アルミナ粉末を充分量の水と混合して攪拌し、アルミナスラリーを作製した。このアルミナスラリー中にハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに700℃で1時間焼成する焼成工程を行って、ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に触媒担持層を形成した。
このとき、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたり40gとなるように、アルミナスラリーへの浸漬と乾燥工程、焼成工程を繰り返し行った。
(白金触媒の担持)
ジニトロジアンミン白金硝酸溶液([Pt(NH3)2(NO2)2]HNO3、白金濃度4.53重量%)中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で2時間乾燥し、窒素雰囲気中500℃で1時間焼成することによって触媒担持層に白金触媒を担持させた。
触媒の担持量は、触媒担持層であるアルミナ20gに対して白金が3g担持されるようにした。
以上の工程によって、アルミナからなる触媒担持層がハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に形成され、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
ジニトロジアンミン白金硝酸溶液([Pt(NH3)2(NO2)2]HNO3、白金濃度4.53重量%)中に、ハニカムフィルタをガス流入側端面を下にして、その全長の50%の領域まで浸漬し、1分間保持した。
続いて、このハニカムフィルタを110℃で2時間乾燥し、窒素雰囲気中500℃で1時間焼成することによって触媒担持層に白金触媒を担持させた。
触媒の担持量は、触媒担持層であるアルミナ20gに対して白金が3g担持されるようにした。
以上の工程によって、アルミナからなる触媒担持層がハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%の領域に形成され、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例2〜4)
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(実施例2:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例3:同25〜50%の領域、実施例4:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(実施例2:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例3:同25〜50%の領域、実施例4:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
なお、実施例3では、図3(c)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、全長の25%の領域に下記の方法で触媒担持層を形成した。
ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%の領域をシリコーン樹脂を用いてコーティングした後、アルミナスラリーにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%である位置まで浸漬した。
次に、110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに300℃まで加熱することによってシリコーン樹脂を融解させて除去した。その後700℃で焼成して触媒担持層を形成して、最後に残存したシリコーン樹脂を1%塩酸で溶解させた。
上記手順によって、図3(b)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、ハニカムフィルタの全長の25%の領域に触媒担持層を形成した。
ハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%の領域をシリコーン樹脂を用いてコーティングした後、アルミナスラリーにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の50%である位置まで浸漬した。
次に、110℃で1時間加熱する乾燥工程を行い、さらに300℃まで加熱することによってシリコーン樹脂を融解させて除去した。その後700℃で焼成して触媒担持層を形成して、最後に残存したシリコーン樹脂を1%塩酸で溶解させた。
上記手順によって、図3(b)に示すようにハニカムフィルタのガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の25%である位置から50%の位置まで、ハニカムフィルタの全長の25%の領域に触媒担持層を形成した。
(比較例1、2)
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例1:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例2:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例1と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表1に示す領域(比較例1:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例2:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表1に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(熱伝導率の測定)
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、ハニカムフィルタのセル壁の一部分(例えば、図2(b)中、破線で囲んだ部分)を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31及びガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。
結果を表1に示した。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、ハニカムフィルタのセル壁の一部分(例えば、図2(b)中、破線で囲んだ部分)を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31及びガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した。
結果を表1に示した。
(再生限界値の測定)
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、再生限界値を測定した。ここでは、図4に示したようなハニカムフィルタをエンジンの排気通路に配置した排ガス浄化装置を用いて測定した。
排ガス浄化装置220は、主に、ハニカムフィルタ100、ハニカムフィルタ100の外方を覆うケーシング221、ハニカムフィルタ100とケーシング221との間に配置された保持シール材222から構成されており、ケーシング221の排ガスが導入される側の端部には、エンジン等の内燃機関に連結された導入管224が接続されており、ケーシング221の他端部には、外部に連結された排出管225が接続されている。なお、図4中、矢印は排ガスの流れを示している。
上記エンジンを回転数3000min−1、トルク50Nmで所定の時間運転し、所定量のPMを捕集した。その後、エンジンを回転数4000min−1、フルロードにして、フィルタ温度が700℃付近で一定になったところで、エンジンを回転数1050min−1、トルク30NmにすることによってPMを強制燃焼させた。
そして、この再生処理を行う実験を、PMの捕集量を変化させながら行い、フィルタにクラックが発生するか否かを調査した。そして、クラックが発生しない最大PM量を再生限界値とした。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、再生限界値を測定した。ここでは、図4に示したようなハニカムフィルタをエンジンの排気通路に配置した排ガス浄化装置を用いて測定した。
排ガス浄化装置220は、主に、ハニカムフィルタ100、ハニカムフィルタ100の外方を覆うケーシング221、ハニカムフィルタ100とケーシング221との間に配置された保持シール材222から構成されており、ケーシング221の排ガスが導入される側の端部には、エンジン等の内燃機関に連結された導入管224が接続されており、ケーシング221の他端部には、外部に連結された排出管225が接続されている。なお、図4中、矢印は排ガスの流れを示している。
上記エンジンを回転数3000min−1、トルク50Nmで所定の時間運転し、所定量のPMを捕集した。その後、エンジンを回転数4000min−1、フルロードにして、フィルタ温度が700℃付近で一定になったところで、エンジンを回転数1050min−1、トルク30NmにすることによってPMを強制燃焼させた。
そして、この再生処理を行う実験を、PMの捕集量を変化させながら行い、フィルタにクラックが発生するか否かを調査した。そして、クラックが発生しない最大PM量を再生限界値とした。
実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表1にまとめて示した。
なお、触媒担持層の形成位置はガス流入側端面の位置を0%、ガス流出側端面の位置を100%としたときのハニカムフィルタの全長に対するガス流入側からの位置(%)で示しており、実施例1においてはガス流入側端面から50%の領域に触媒担持層が形成されているため、「0〜50」と示している。
また、触媒担持層の形成量は、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの形成量として示した。
なお、触媒担持層の形成位置はガス流入側端面の位置を0%、ガス流出側端面の位置を100%としたときのハニカムフィルタの全長に対するガス流入側からの位置(%)で示しており、実施例1においてはガス流入側端面から50%の領域に触媒担持層が形成されているため、「0〜50」と示している。
また、触媒担持層の形成量は、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの形成量として示した。
図5は、実施例1〜4、及び、比較例1、2で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表1及び図5に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例1)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例2)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表1及び図5に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例1)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例2)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(実施例5)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例6〜8)
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例6:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例7:同25〜50%の領域、実施例8:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(実施例6:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例7:同25〜50%の領域、実施例8:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(比較例3、4)
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(比較例3:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例4:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表2に示す領域(比較例3:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例4:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表2に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例5〜8、比較例3、4で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表2にまとめて示した。
実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表2にまとめて示した。
図6は、実施例5〜8、及び、比較例3、4で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表2及び図6に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例3)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例4)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表2及び図6に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例3)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例4)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(実施例9)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.0倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.0倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例10〜12)
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表3に示す領域(実施例10:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例11:同25〜50%の領域、実施例12:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表3に示す領域(実施例10:ガス流入側端面から0〜25%の領域、実施例11:同25〜50%の領域、実施例12:同0〜90%の領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
(比較例5、6)
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表3に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9と同様にしてハニカムフィルタを作製した後、触媒担持層を形成する際にハニカムフィルタをスラリー中に浸漬する深さを変更して表3に示す領域(比較例5:ガス流入側端面から0〜20%の領域、比較例6:全領域)に触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを作製した。
この際、アルミナスラリーの濃度を調整して、ハニカムフィルタのうち触媒担持層が形成されている領域の体積1リットルあたりの触媒担持層の形成量が、表3に示す量となるようにした。
これは、触媒担持層の形成量が、ハニカムフィルタ全体の体積1リットルあたり20gとなるように定めた形成量である。
実施例9〜12、比較例5、6で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表3にまとめて示した。
実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表3にまとめて示した。
図7は、実施例9〜12、及び、比較例5、6で製造したハニカムフィルタについて、触媒担持層の形成範囲と再生限界値との関係を示すグラフである。
表3及び図7に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例5)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例6)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
表3及び図7に示した結果から明らかなように、ガス流入側端面からハニカムフィルタの全長の90%の領域のうちハニカムフィルタの全長の25%以上の領域に触媒担持層を形成することにより、再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。これに対し、触媒担持層の形成範囲が20%と狭い場合(比較例5)や、ハニカムフィルタの全体に触媒担持層を形成した場合(比較例6)には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
以上、実施例1〜12、及び、比較例1〜6に示した結果より、本実施形態のハニカムフィルタは、高い再生限界値を備えることが明らかとなった。
(第二実施形態)
次に、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本発明の本実施形態のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和は、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍である。
また、各セルの具体的な断面形状は、第一の実施形態のように、ガス流入セルの断面形状が8角形で、ガス流出セルの断面形状が4角形である形状に限定されず、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればどのような形状であってもよい。
次に、本発明の一実施形態である第二実施形態について説明する。
本発明の本実施形態のハニカムフィルタでは、ガス流入セルの断面積の総和は、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍である。
また、各セルの具体的な断面形状は、第一の実施形態のように、ガス流入セルの断面形状が8角形で、ガス流出セルの断面形状が4角形である形状に限定されず、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればどのような形状であってもよい。
具体的には、例えば、図8(a)〜(f)に示すような断面形状等が挙げられる。
図8(a)〜(f)は、それぞれ本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の長手方向に垂直な断面を示した模式図である。
図8(a)〜(f)は、それぞれ本発明のハニカムフィルタを構成するハニカム焼成体の長手方向に垂直な断面を示した模式図である。
図8(a)に示すハニカム焼成体150は、図2(a)、(b)に示したハニカム焼成体110と同じく、断面形状が8角形のガス流入セル151Aと、断面形状が4角形のガス流出セル151Bとを備えており、ガス流入セル151Aの断面積は、ガス流出セル151Bの断面積の2.8倍である。
なお、図8(a)中、153はセル壁である。
なお、図8(a)中、153はセル壁である。
図8(b)に示すハニカム焼成160は、断面形状が4角形のガス流入セル161Aと、断面形状が4角形のガス流出セル161Bとを備えており、ガス流入セル161Aの断面積は、ガス流出セル161Bの断面積の1.8倍である。
なお、図8(b)中、163はセル壁である。
なお、図8(b)中、163はセル壁である。
図8(c)に示したハニカム焼成体170は、断面の形状が異なる4種類のセル、即ち、断面形状が4角形のガス流出セル171B、断面形状が6角形のガス流入セル174A、175A、及び、断面形状が8角形のガス流入セル171Aを備えており、各セルをセル壁173の厚さが均一となるように配設している。このハニカム焼成体170では、ガス流入セルの断面積は、ガス流出セルの断面積の1.8〜2.8倍である。
図8(d)に示すハニカム焼成体180では、ガス流入セル181Aの断面形状は5角形であり、そのうちの3つの角がほぼ直角となっており、一方、ガス流出セル181Bの断面形状は4角形であり、それぞれ大きな四角形の斜めに対向する部分を占めるように構成されている。そして、ガス流入セル181Aの断面積は、ガス流出セル181Bの断面積の2.1倍である。
なお、図8(d)中、183はセル壁である。
なお、図8(d)中、183はセル壁である。
図8(e)に示すハニカム焼成体190は、図8(a)に示した断面形状を変形したものであって、ガス流入セル191Aとガス流出セル191Bとが共有するセル壁をガス流出セル側にある曲率を持って広げた形状である。そして、ガス流入セル191Aの断面積は、ガス流出セル191Bの断面積の3.0倍である。
なお、図8(e)中、193はセル壁である。
なお、図8(e)中、193はセル壁である。
図8(f)に示すハニカム焼成体200は、いずれも4角形(長方形)のガス流入セル201Aとガス流出セル201Bとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成しており、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている。そして、ガス流入セル201Aの断面積は、ガス流出セル201Bの断面積の2.9倍である。
なお、図8(f)中、203はセル壁である。
なお、図8(f)中、203はセル壁である。
以上のように、本発明のハニカムフィルタは、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であればよい。
また、図8(a)〜(f)に示したような形状のセルを備えるハニカムフィルタは、押出成形用金型をセルの形状に応じて選定する以外は、第一実施形態のハニカムフィルタを製造する方法と同様の方法により製造することができる。
また、本実施形態のハニカムフィルタにおいても、第一実施形態のハニカムフィルタと同様の作用効果(1)〜(3)を発揮することができる。
以下、本発明の第二実施形態をより具体的に開示した実施例を示すが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
(実施例13)
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(e)に示したようなガス流入セルとガス流出セルとが共有するセル壁をガス流出セル側にある曲率を持って広げた形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(e)に示したようなガス流入セルとガス流出セルとが共有するセル壁をガス流出セル側にある曲率を持って広げた形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(実施例14)
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(f)に示したような、いずれも長方形のガス流入セルとガス流出セルとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成し、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例5で押出成形を行う際に金型を変更して、セルの形状が、図8(f)に示したような、いずれも長方形のガス流入セルとガス流出セルとが上下に隣接して設けられて長方形の構成単位を形成し、上記構成単位が上下方向に連続し、左右方向に互い違いになって構成されている形状であり、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の2.3倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例5と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例7)
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例1と同様にして、ガス流入側端面から0〜50%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例1と同様にして、ガス流入側端面から0〜50%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例8)
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例4と同様にして、ガス流入側端面から0〜90%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
ハニカム焼成体を作製する際に、全てのセルの断面形状が、同一の正方形であるハニカム焼成体を作製した以外は実施例4と同様にして、ガス流入側端面から0〜90%の領域に白金触媒が担持された触媒担持層が形成されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例9)
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例1で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例1と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
(比較例10)
実施例4で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例4と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例4で押出成形を行う際に金型を変更して、ガス流入セルの断面積がガス流出セルの断面積の3.5倍であるハニカム焼成体を製造した以外は、実施例4と同様にして、触媒担持層に白金触媒が担持されたハニカムフィルタを製造した。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタについて、既に説明した方法により、熱伝導率の測定と再生限界値の測定とを行った。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表4にまとめて示した。
また、表4には、参考のため、実施例1、4、5、8、9、12のハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果についても付記した。
実施例13、14、比較例7〜10で製造したハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果について表4にまとめて示した。
また、表4には、参考のため、実施例1、4、5、8、9、12のハニカムフィルタのセル形状、セル壁厚、触媒担持層の形成範囲、形成位置及び形成量、並びに、熱伝導率及び再生限界値の測定結果についても付記した。
表4に示した結果から明らかなように、ガス流入セルの断面積の総和をガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍にすることにより、ハニカムフィルタの再生限界値を6.0g/L以上と高くすることができる。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍未満の場合、及び、3.0場合を超える場合には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
これに対し、ガス流入セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5倍未満の場合、及び、3.0場合を超える場合には、ハニカムフィルタの再生限界値は低くなってしまう。
(第三実施形態)
次に、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
ここで、触媒担持層が形成されていない領域、及び、触媒担持層が形成された領域のそれぞれの熱伝導率は、図2(b)に示すように、セル壁113のうち触媒担持層が形成された領域の一部を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31とし、触媒担持層が形成されていない領域の一部を切り出してガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率を測定することにより求める。
次に、本発明の一実施形態である第三実施形態について説明する。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である。
ここで、触媒担持層が形成されていない領域、及び、触媒担持層が形成された領域のそれぞれの熱伝導率は、図2(b)に示すように、セル壁113のうち触媒担持層が形成された領域の一部を切り出してガス流入側熱伝導率測定部位31とし、触媒担持層が形成されていない領域の一部を切り出してガス流出側熱伝導率測定部位32とし、各熱伝導率測定部位のセル壁の熱伝導率を測定することにより求める。
本実施形態のハニカムフィルタでは、触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率が、前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍であるため、ハニカムフィルタのガス流入側とガス流出側の温度差に起因する熱衝撃の発生が抑制されることとなり、より高い再生限界値を備えることとなる。また、本実施形態のハニカムフィルタにおいても、第一実施形態のハニカムフィルタと同様の作用効果(1)〜(3)を発揮することができる。
(他の実施形態)
本発明のハニカムフィルタの構成は、ガス流出セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であれば、第一〜第三の実施形態のように、必ずしもガス流入セルのそれぞれの断面積が、ガス流出セルのそれぞれの断面積の1.5〜3.0倍である必要はなく、各セルの断面積はすべて同一で、ガス流入側が開口したセルの断面積の総和が、ガス流出側が開口したセルの断面積の総和の1.5〜3.0倍となるように各セルが封止された構成を備えていてもよい。
本発明のハニカムフィルタの構成は、ガス流出セルの断面積の総和が、ガス流出セルの断面積の総和の1.5〜3.0倍であれば、第一〜第三の実施形態のように、必ずしもガス流入セルのそれぞれの断面積が、ガス流出セルのそれぞれの断面積の1.5〜3.0倍である必要はなく、各セルの断面積はすべて同一で、ガス流入側が開口したセルの断面積の総和が、ガス流出側が開口したセルの断面積の総和の1.5〜3.0倍となるように各セルが封止された構成を備えていてもよい。
本発明のハニカムフィルタの構成は、第一〜第三実施形態のように、複数のハニカム焼成体がシール材層(接着剤層)を介して複数個結束された構成に限定されず、1つのハニカム焼成体から構成されていてもよい。
このような1つのハニカム焼成体から構成されるハニカムフィルタを製造する場合には、押出成形により成形するハニカム成形体の大きさ、形状をハニカムフィルタと略同形状とする以外は第一実施形態と同様の方法により、ハニカム焼成体を作製し、その後、必要に応じて、ハニカム焼成体の周囲にシール材層(コート層)を形成し、さらに、触媒担持層の形成、触媒の担持を行う。
本発明のハニカムフィルタの形状は、図1に示した円柱状に限定されるものではなく、楕円柱状、多角柱状等の任意の柱形状であればよい。
本発明のハニカムフィルタの気孔率は、30〜70%であることが望ましい。ハニカムフィルタの強度を維持することが可能であるとともに、排ガスがセル壁を通過する際の抵抗を低く保つことができるからである。
これに対し、上記気孔率が30%未満であると、セル壁が早期に目詰まりを起こすことがあり、一方、上記気孔率が70%を超えると、ハニカムフィルタの強度が低下して容易に破壊されることがある。
なお、上記気孔率は、例えば、水銀圧入法、アルキメデス法、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定等、従来公知の方法により測定することができる。
これに対し、上記気孔率が30%未満であると、セル壁が早期に目詰まりを起こすことがあり、一方、上記気孔率が70%を超えると、ハニカムフィルタの強度が低下して容易に破壊されることがある。
なお、上記気孔率は、例えば、水銀圧入法、アルキメデス法、走査型電子顕微鏡(SEM)による測定等、従来公知の方法により測定することができる。
上記ハニカムフィルタの長手方向に垂直な断面におけるセル密度は特に限定されないが、望ましい下限は、31.0個/cm2(200個/in2)、望ましい上限は、93個/cm2(600個/in2)、より望ましい下値は、38.8個/cm2(250個/in2)、より望ましい上限は、77.5個/cm2(500個/in2)である。
上記ハニカムフィルタの構成材料の主成分は、炭化ケイ素に限定されるわけではなく、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等の窒化物セラミック、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の炭化物セラミック、金属と窒化物セラミックの複合体、金属と炭化物セラミックの複合体等であってもよい。
また、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料の主成分として挙げられる。また、コージェライトやチタン酸アルミニウム等であってもよい。
また、上述したセラミックに金属ケイ素を配合したケイ素含有セラミック、ケイ素やケイ酸塩化合物で結合されたセラミック等のセラミック原料も構成材料の主成分として挙げられる。また、コージェライトやチタン酸アルミニウム等であってもよい。
上記ハニカムフィルタの構成材料の主成分は、第一〜第三実施形態のような、複数のハニカム焼成体がシール材層(接着剤層)を介して結束されたハニカムフィルタでは、炭化ケイ素が特に好ましい。耐熱性、機械強度、熱伝導率等に優れるからである。また、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたもの(ケイ素含有炭化ケイ素)も望ましい。
また、ハニカムフィルタが1つのハニカム焼成体から構成される場合、その構成材料の主成分は、コージェライトやチタン酸アルミニウムが望ましい。
また、ハニカムフィルタが1つのハニカム焼成体から構成される場合、その構成材料の主成分は、コージェライトやチタン酸アルミニウムが望ましい。
湿潤混合物を調製する際に使用する炭化ケイ素粉末の粒径は特に限定されないが、後の焼成工程で収縮の少ないものが望ましい。例えば、1.0〜50μmの平均粒径を有する粉末100重量部と0.1〜1.0μmの平均粒径を有する粉末5〜65重量部とを使用することが望ましい。
上記範囲で炭化ケイ素粉末の粒径を調節することが、ハニカム焼成体の気孔径を調節するのに適している。なお、ハニカム焼成体の気孔径の調節は、焼成温度の調節によっても行うことができる。
上記範囲で炭化ケイ素粉末の粒径を調節することが、ハニカム焼成体の気孔径を調節するのに適している。なお、ハニカム焼成体の気孔径の調節は、焼成温度の調節によっても行うことができる。
湿潤混合物における有機バインダは特に限定されず、例えば、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール等が挙げられる。このなかでは、メチルセルロースが望ましい。有機バインダの配合量は、通常、炭化ケイ素粉末等100重量部に対して、1〜10重量部が望ましい。
湿潤混合物を調製する際に使用する可塑剤や潤滑剤は、特に限定されず、可塑剤としては、例えば、グリセリン等が挙げられる。また、潤滑剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレン系化合物等が挙げられる。
潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
なお、可塑剤、潤滑剤は、場合によっては、湿潤混合物に含まれていなくてもよい。
潤滑剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル等が挙げられる。
なお、可塑剤、潤滑剤は、場合によっては、湿潤混合物に含まれていなくてもよい。
また、湿潤混合物を調製する際には、分散媒液を使用してもよく、分散媒液としては、例えば、水、ベンゼン等の有機溶媒、メタノール等のアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物中には、成形助剤が添加されていてもよい。
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物中には、成形助剤が添加されていてもよい。
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
さらに、湿潤混合物には、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等の造孔剤を添加してもよい。
バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
また、湿潤混合物中の有機分の含有量は10重量%以下であることが望ましく、水分の含有量は8〜30重量%であることが望ましい。
セルを封止する封止材ペーストとしては特に限定されないが、後工程を経て製造される封止材の気孔率が30〜75%となるものが望ましく、例えば、湿潤混合物と同様のものを用いることができる。
シール材ペーストにおける無機バインダとしては、例えば、シリカゾル、アルミナゾル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機バインダのなかでは、シリカゾルが望ましい。
シール材ペーストにおける有機バインダとしては、例えば、ポリビニルアルコール、メチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。有機バインダのなかでは、カルボキシメチルセルロースが望ましい。
シール材ペーストにおける無機繊維としては、例えば、シリカ−アルミナ、ムライト、アルミナ、シリカ等のセラミックファイバー等を挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機繊維のなかでは、アルミナファイバが望ましい。
シール材ペーストにおける無機粒子としては、例えば、炭化物、窒化物等を挙げることができ、具体的には、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素からなる無機粉末等を挙げることができる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。無機粒子のなかでは、熱伝導性に優れる炭化ケイ素が望ましい。
さらに、シール材ペーストには、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等の造孔剤を添加してもよい。バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン(FAバルーン)、ムライトバルーン等が挙げられる。これらのなかでは、アルミナバルーンが望ましい。
上記触媒担持層を形成する材料としては、比表面積が高く触媒を高分散させて担持させることのできる材料であることが望ましく、例えば、アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカ等の酸化物セラミックが挙げられる。これらの材料は、単独で使用してもよいし、2種以上併用してもよい。
この中でも、250m2/g以上の高い比表面積を有するものを選択することが望ましく、γ−アルミナが特に望ましい。
この中でも、250m2/g以上の高い比表面積を有するものを選択することが望ましく、γ−アルミナが特に望ましい。
上記アルミナからなる触媒担持層を形成する方法は、第一の実施形態において説明した方法に特に限定されるものではなく、ハニカムフィルタをアルミニウムを含有する金属化合物の溶液、例えば、硝酸アルミニウムの水溶液などに含浸して、ゾル−ゲル法によりセル壁にアルミナ膜を被膜させ、ハニカムフィルタを乾燥、焼成する方法を用いてもよい。
上記触媒担持層の表面に担持させる触媒としては、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等の貴金属が望ましく、このなかでは、白金がより望ましい。また、その他の触媒として、例えば、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属、バリウム等のアルカリ土類金属を用いることもできる。これらの触媒は、単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。
10、20、30、40 触媒担持層
21 ガス流入側端面
22 ガス流出側端面
100 ハニカムフィルタ
110、120、130、140 ハニカム焼成体
111 セル
112 封止材
113 セル壁
G 排ガス
21 ガス流入側端面
22 ガス流出側端面
100 ハニカムフィルタ
110、120、130、140 ハニカム焼成体
111 セル
112 封止材
113 セル壁
G 排ガス
Claims (5)
- 多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、前記セルのいずれか一方の端部が封止された柱状のハニカム焼成体からなり、一方の端面側から流入したガスが他方の端面側から流出するハニカムフィルタであって、
前記ハニカムフィルタの前記ガスが流入する側が開口したセルの前記長手方向に垂直な断面の面積の総和が、前記ハニカムフィルタの前記ガスが流出する側が開口したセルの前記長手方向に垂直な断面の面積の総和の1.5〜3.0倍であり、
前記ハニカムフィルタには、そのガス流出側端面から前記ハニカムフィルタの全長の10%の領域には触媒担持層が形成されておらず、
前記ハニカムフィルタのガス流入側端面から前記ハニカムフィルタの全長の90%の領域のうち、前記ハニカムフィルタの全長の25%〜90%の領域には触媒担持層が形成され、
前記ハニカムフィルタの前記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、前記ハニカムフィルタの前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率に比べて高いことを特徴とするハニカムフィルタ。 - 前記触媒担持層には触媒が担持されている請求項1に記載のハニカムフィルタ。
- 前記ハニカムフィルタの前記触媒担持層が形成されていない領域の熱伝導率は、前記ハニカムフィルタの前記触媒担持層が形成された領域の熱伝導率の1.3〜5.0倍である請求項1又は2に記載のハニカムフィルタ。
- 前記ハニカムフィルタは、主成分が炭化物セラミックス、窒化物セラミックス、金属と炭化物セラミックスの複合体、金属と窒化物セラミックスとの複合体のいずれかからなる請求項1〜3のいずれかに記載のハニカムフィルタ。
- 前記ハニカムフィルタは、主成分が炭化ケイ素からなる請求項1〜3のいずれかに記載のハニカムフィルタ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2007/057295 WO2008126329A1 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | ハニカムフィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008126329A1 true JPWO2008126329A1 (ja) | 2010-07-22 |
Family
ID=39092675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008505538A Pending JPWO2008126329A1 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | ハニカムフィルタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080247918A1 (ja) |
EP (1) | EP1977813B1 (ja) |
JP (1) | JPWO2008126329A1 (ja) |
AT (1) | ATE437691T1 (ja) |
WO (1) | WO2008126329A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1320943C (zh) * | 2002-03-25 | 2007-06-13 | 揖斐电株式会社 | 废气净化用过滤器 |
US7510588B2 (en) * | 2002-03-29 | 2009-03-31 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic filter and exhaust gas decontamination unit |
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JP5063604B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-10-31 | イビデン株式会社 | ハニカムフィルタ |
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-
2007
- 2007-03-30 JP JP2008505538A patent/JPWO2008126329A1/ja active Pending
- 2007-03-30 WO PCT/JP2007/057295 patent/WO2008126329A1/ja active Application Filing
- 2007-11-14 EP EP07022101A patent/EP1977813B1/en not_active Not-in-force
- 2007-11-14 AT AT07022101T patent/ATE437691T1/de not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-03-27 US US12/056,691 patent/US20080247918A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008126329A1 (ja) | 2008-10-23 |
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US20080247918A1 (en) | 2008-10-09 |
EP1977813B1 (en) | 2009-07-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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