JPWO2008047860A1 - 高純度末端不飽和オレフィン系重合体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

触媒の存在下に、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合して得られ、以下の（１）〜（４）を満足する高純度末端不飽和オレフィン系重合体及び触媒残渣が少なく末端不飽和度の高いオレフィン系重合体を効率的に製造する方法を提供する。（１）上記触媒に起因する、遷移金属の含有量が１０質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が１０質量ｐｐｍ以下である。（２）末端不飽和基としてビニリデン基を一分子当たり０．５〜１．０個を有する。（３）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度［η］が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇである。（４）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下である。

Description

本発明は、高純度末端不飽和オレフィン系重合体及びその製造方法に関し、詳しくは、末端不飽和基を有し、極性官能基の導入が容易であるため、マクロモノマーとしての機能を有し、ランダム構造やブロック構造に対する構造制御性が高く、変性重合体を効率的に製造するための反応性前駆体として好適な高純度末端不飽和オレフィン系重合体、及びこのオレフィン系重合体を高活性で製造し得る製造方法に関する。

従来、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィンは、化学的安定性が高く、更には機械的物性に優れるため、広く自動車、家電、雑貨、電子電気機器等の分野で用いられている。また、高分子反応によって不飽和カルボン酸等の極性基を導入し、接着性や異種材料との相溶性を向上することが一般的に行われているが、化学的安定性が高いことが障害となり所望の機能を付与するには限界があった。ポリオレフィンの利点を保持しつつ、化学的安定性を損なわない範囲で、更なる反応性の向上を行うことにより、異種材料との複合材や樹脂改質材等に用途範囲を拡大することが可能となることが期待される。
低立体規則性ポリプロピレンとしては、マルチブロック構造、立体規則性分布、立体規則性などによって特徴付けられるポリプロピレンが開示されている（例えば、特許文献１〜６参照）。これらの低立体規則性ポリプロピレンは、重合に用いる触媒の活性が低く、触媒残渣が多いため、不純物を多量に含むという問題がある。また、特許文献１〜６には、末端構造に関する記載はない。特許文献７には、トリアッド分率［ｍｍ］の高い高立体規則性ポリプロピレン及びアタクチックプロピレン共重合体が開示されている。特許文献７には、開示されているポリプロピレンは、末端不飽和度が高いことが記載されているが、触媒残渣が多い。
特許文献８〜１０には、二重架橋触媒／ＭＡＯ（メチルアルミノキサン）触媒系に関する技術が開示されている。特許文献９の実施例３には、ＭＡＯを用い、かつ分子量調節剤として水素を用いたプロピレンの重合例が記載されており、その実施例には末端構造に関する記述はないが、追試の結果、末端不飽和基は一分子当たり０．０５程度で、水素への連鎖移動による飽和末端が主であった。また、特許文献１０の実施例５には、ＭＡＯを用い、連鎖移動剤である水素を用いないプロピレンの重合例が記載されているが、追試の結果、プロピレンの分子量が増大し、末端濃度が極端に減少したため、末端構造は解析不能であった。また、触媒活性が低く、触媒残渣が多いため不純物を多量に含むという問題があった。

特表平９−５０９９８２号公報 特表平９−５１０７４５号公報 特開２００５−２２６０７８号公報 特表２００４−５１５５８１号公報 特表２００２−５１１４９９号公報 特表２００２−５１１５０３号公報 特開平４−２２６５０６号公報 国際公開第９６／３０３８０号パンフレット 国際公開第０２／２４７１４号パンフレット 特開２０００−２５６４１１号公報

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、反応性前駆体として好適な、触媒残渣が少なく末端不飽和度の高い高純度オレフィン系重合体、及びこのものを効率良く製造する方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、特定のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは特定のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合して得られ、特定の条件を満たす高純度末端不飽和オレフィン系重合体により、その目的を達成し得ることを見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち本発明は、以下の高純度末端不飽和オレフィン系重合体及びその製造方法を提供するものである。
１． 触媒の存在下に、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合して得られ、以下の（１）〜（４）を満足することを特徴とする高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
（１）上記触媒に起因する、遷移金属の含有量が１０質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が１０質量ｐｐｍ以下である。
（２）末端不飽和基としてビニリデン基を一分子当たり０．５〜１．０個を有する。
（３）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度［η］が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇである。
（４）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下である。
２． 末端不飽和基としてビニリデン基を一分子当たり０．８〜１．０個を有する上記１に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
３． オレフィン系重合体が、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上と、エチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％以下との共重合体であり、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が３０〜８０モル％の範囲にある上記１記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
４． 以下の（ａ）及び（ｂ）を満足する上記３記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
（ａ）［ｒｍｒｍ］＞２．５モル％
（ｂ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）と［ｍｍｍｍ］とが下記の関係を満たす。
１．７６［ｍｍｍｍ］−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋５．０
５． オレフィン系重合体が、１−ブテン単独重合体、あるいは１−ブテン９０質量％以上と、エチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％以下との共重合体であり、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が２０〜９０モル％の範囲にある上記１記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
６． 以下の（ｐ）及び（ｑ）を満足する上記５記載の高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体。
（ｐ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）による融点（Ｔｍ）が観測されないか又は融点（Ｔｍ）が０〜１００℃の結晶性樹脂である。
（ｑ）｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝≦２０
７． 下記（Ａ）と（Ｂ）又は（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）からなる触媒の存在下、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合するに際し、水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜５０００の範囲において重合反応を行うことを特徴とする上記１に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。
（Ａ）シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基を有する周期律表第３〜１０族の金属元素を含む遷移金属化合物
（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物
（Ｃ）有機アルミニウム化合物
８． 水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜１００００の範囲において重合反応を行うことを特徴とする上記７に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。
９． 遷移金属化合物が一般式（Ｉ）で表される二架橋錯体である上記７記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。

〔式中、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、Ｅ¹及びＥ²はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミド基，ホスフィン基，炭化水素基及びケイ素含有基の中から選ばれた配位子を示し、Ａ¹及びＡ²を介して架橋構造を形成している。Ｅ¹及びＥ²は互いに同一でも異なっていてもよく、また、Ｅ¹及びＥ²のうちの少なくとも一つは、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基である。Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよく、他のＸ，Ｅ¹，Ｅ²又はＹと架橋していてもよい。Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよく、他のＹ，Ｅ¹，Ｅ²又はＸと架橋していてもよい。Ａ¹及びＡ²は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｓｅ−、−ＮＲ¹−、−ＰＲ¹−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ¹−、−ＢＲ¹−又は−ＡｌＲ¹−を示し、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。〕

本発明によれば、末端にビニリデン構造を持つ高分子反応に最適な高純度末端不飽和オレフィン系重合体を提供することができる。本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体は、触媒残渣が少なく、高純度の反応性前駆体として多様な反応に応用が可能である。

本発明の高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体は、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合して得られる。
炭素数３〜２８のα−オレフィンとしては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチルペンテン−１、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−ノナデセン及び１−イコセンなどが挙げられる。これらは単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。

α−オレフィンを単独で重合する場合、炭素数３〜８のα−オレフィンが好ましく、特にプロピレン及び１−ブテンが好ましい。また、炭素数３〜２８のα−オレフィンの二種以上を共重合する場合や炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合する場合のモノマーの組み合わせとしては、プロピレンとエチレン、プロピレンと１−ブテン、プロピレンと炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上、１−ブテンとエチレン、１−ブテンと炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上、炭素数１６〜２８のα−オレフィンから選ばれる二種以上六種以下などが挙げられる。
本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体がプロピレン系重合体や１−ブテン系重合体の場合、コモノマーの含有量は１０質量％以下とすることが、末端ビニリデン基を高濃度に維持する点で好ましい。

本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体は、触媒の存在下、上記α−オレフィンの重合により得られたものであって、以下の（１）〜（４）を満足することを要する。
（１）上記触媒に起因する、遷移金属の含有量が１０質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が１０質量ｐｐｍ以下である。
これは、触媒残渣に基づく金属成分の存在量を規定したものである。遷移金属としては、チタン、ジルコニウム及びハフニウムなどが挙げられ、これらの合計量が１０質量ｐｐｍ以下であることを要する。好ましくは５質量ｐｐｍ以下である。また、アルミニウムの含有量は、好ましくは２８０質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量は好ましくは５質量ｐｐｍ以下である。これらの金属成分は、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ分光分析）測定装置により測定することができる。

（２）末端不飽和基として末端ビニリデン基を一分子当たり０．５〜１．０個を有する。
末端ビニリデン基の個数は、常法に従い¹Ｈ−ＮＭＲの測定により求められる。¹Ｈ−ＮＭＲ測定から得られたδ４．８〜４．６（２Ｈ）に出現する末端ビニリデン基に基づいて、定法により末端ビニリデン基の含有量（Ｃ）（モル％）を算出する。更にゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）より求めた数平均分子量（Ｍｎ）とモノマー分子量（Ｍ）から、次式によって一分子当たり末端ビニリデン基の個数を算出する。
一分子当たりの末端ビニリデン基（個）＝（Ｍｎ／Ｍ）×（Ｃ／１００）
上記の方法以外に、¹³Ｃ−ＮＭＲを利用して末端ビニリデン基の個数を求めてもよい。当該方法においては全末端基種を決定し、更にその存在量を測定する。全末端基量に対する末端ビニリデン基の存在割合から一分子当たりの末端ビニリデン基数を、全不飽和基に対する末端ビニリデン基の存在割合から末端ビニリデン基の選択性を決定することが出来る。以下にプロピレン重合体の場合を例にして、説明する。
（¹Ｈ−ＮＭＲによる不飽和末端量の分析）
本願プロピレン重合体には＜２＞末端ビニリデン基のメチレン基（４．８〜４．６ｐｐｍ）、＜１＞末端ビニル基のメチレン基（５．１０〜４．９０ｐｐｍ）が観測される。全プロピレンに対する割合は次式で計算できる。また、＜３＞はプロピレン連鎖（０．６〜２．３ｐｐｍ）のメチン、メチレン、メチル基に相当するピーク強度に対応する。
末端ビニリデン基量（Ａ）＝（＜２＞／２）／［（＜３＞＋４×＜１＞／２＋３×＜２＞／２）／６］×１００ 単位：ｍｏｌ％
末端ビニル基量（Ｂ）＝（＜１＞／２）／［（＜３＞＋４×＜１＞／２＋３×＜２＞／２）／６］×１００ 単位：ｍｏｌ％
（¹³Ｃ−ＮＭＲによる末端分率の分析）
本願プロピレン重合体は＜５＞ｎ−プロピル末端の末端メチル基（１４．５ｐｐｍ付近）、＜６＞ｎ−ブチル基末端の末端メチル基（１４．０ｐｐｍ付近）、＜４＞ｉｓｏ−ブチル末端のメチン基（２５．９ｐｐｍ付近）、＜７＞末端ビニリデン基のメチレン基（１１１．７ｐｐｍ付近）が観察される。¹³Ｃ−ＮＭＲでの末端ビニル基量のピーク強度は¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルで求めた（Ａ）（Ｂ）を用いて以下のようにして算出される。
¹³Ｃ−ＮＭＲの末端ビニル基量ピーク強度＝（Ｂ）／（Ａ）×＜７＞
ここで末端基の全濃度（Ｔ）は以下のように表わされる。
Ｔ＝（Ｂ）／（Ａ）×＜７＞＋＜４＞＋＜５＞＋＜６＞＋＜７＞
従って、各末端の割合は
（Ｃ）末端ビニリデン基＝＜７＞／Ｔ×１００ 単位：ｍｏｌ％
（Ｄ）末端ビニル基＝（Ｂ）／（Ａ） ×＜７＞×１００
（Ｅ）ｎ−プロピル末端＝＜５＞／Ｔ ×１００
（Ｆ）ｎ−ブチル基末端＝＜６＞／Ｔ ×１００
（Ｇ）ｉｓｏ−ブチル末端＝＜４＞／Ｔ ×１００
となる。
一分子当たりの末端ビニリデン基の個数は２×（Ｃ） ／１００ 単位： 個／分子
となる。
本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体において、一分子当たりの末端ビニリデン基の個数は、好ましくは０．６〜１．０個、更に好ましくは０．７〜１．０個、更に好ましくは０．８〜１．０個、更に好ましくは０．８２〜１．０個、更に好ましくは０．８５〜１．０個、最も好ましくは０．９０〜１．０個である。一分子当たりの末端ビニリデン基の個数が０．５個以上であると、反応性前駆体としての性能が発揮される。

（３）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度［η］が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇである。
極限粘度［η］は、１３５℃のデカリン中、ウベローデ型粘度計で還元粘度（η_SP／ｃ）を測定し、下記一般式（ハギンスの式）を用いて算出する。
η_SP／ｃ＝［η］＋Ｋ［η］²ｃ
η_SP／ｃ（ｄｌ／ｇ）：還元粘度
［η］（ｄｌ／ｇ）：極限粘度
ｃ（ｇ／ｄｌ）：ポリマー濃度
Ｋ＝０．３５（ハギンス定数）
本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体において、極限粘度［η］は、好ましくは０．０５〜２．３ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．０７〜２．２ｄｌ／ｇ、更に好ましくは０．１〜２．０ｄｌ／ｇである。極限粘度［η］が０．０１ｄｌ／ｇ以上であると、低分子量となりすぎることがないので、オレフィン系重合体の化学的安定性が保持され、２．５ｄｌ／ｇ以下であると、末端不飽和基の濃度の低下が抑制されるため、反応性前駆体の特性が保持される。

（４）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下である。
本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体において、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下であると、分子鎖長が均一となるため、反応性前駆体としての均一性が高く、極限粘度の大きい領域において、べたつき成分が少なくなる。
この分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、下記の装置及び条件で、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）測定することにより求めることができる。

ＧＰＣ測定装置
検出器 ：液体クロマトグラフィー用ＲＩ検出器 ウオーターズ １５０Ｃ
カラム ：ＴＯＳＯ ＧＭＨＨＲ−Ｈ（Ｓ）ＨＴ
測定条件
溶媒 ：１，２，４−トリクロロベンゼン
測定温度 ：１４５℃
流速 ：１．０ｍｌ／分
試料濃度 ：０．３質量％
重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）はポリスチレン換算分子量を対応するポリマーの分子量に換算するため、Mark-Houwink-桜田の式の定数Ｋ及びａを用いてUniversal Calibration法により求めた。具体的には「「サイズ排除クロマトグラフィー」」森定雄著、Ｐ６７〜６９、１９９２年、共立出版」に記載の方法によって決定した。なお、Ｋ及びαは、「「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ」 Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ， Ｉｎｃ．」に記載されている。また、新たに算出する絶対分子量に対する極限粘度の関係から定法によって決定することができる。

本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体のうちのプロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上と、エチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％以下との共重合体（以下、これらを「プロピレン系重合体」と称することがある。）は、上記（１）〜（４）に加えて、立体規則性であるメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が３０〜８０モル％の範囲にあることが好ましい。
このメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は、より好ましくは３０〜７５モル％、更に好ましくは３２〜７０モル％である。メソペンタッド分率が３０モル％以上であると、上記プロピレン系重合体が結晶性のものとなるので、耐熱性を示す。また、８０モル％以下であると、上記プロピレン系重合体が適度に軟質となるので、溶媒への溶解性が良好となり、溶液反応等へ広く適用することができる。

上記のメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］、後述するラセミペンタッド分率［ｒｒｒｒ］及びラセミメソラセミメソ分率［ｒｍｒｍ］は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）等により「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，６，９２５（１９７３）」で提案された方法に準拠し、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルのメチル基のシグナルにより測定されるポリプロピレン分子鎖中のペンタッド単位でのメソ分率、ラセミ分率及びラセミメソラセミメソ分率である。メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が大きくなると、立体規則性が高くなる。
なお、¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルの測定は、エイ・ザンベリ（Ａ．Ｚａｍｂｅｌｌｉ）等により「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，８，６８７（１９７５）」で提案されたピークの帰属に従い、下記の装置及び条件にて行うことができる。また、後述するメソトリアッド分率［ｍｍ］、ラセミトリアッド分率［ｒｒ］及びメソラセミ分率［ｍｒ］も上記方法により算出した。

装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型¹³Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２２０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回

＜計算式＞
Ｍ＝（ｍ／Ｓ）×１００
Ｒ＝（γ／Ｓ）×１００
Ｓ＝Ｐββ＋Ｐαβ＋Ｐαγ
Ｓ：全プロピレン単位の側鎖メチル炭素原子のシグナル強度
Ｐββ：１９．８〜２２．５ｐｐｍ
Ｐαβ：１８．０〜１７．５ｐｐｍ
Ｐαγ：１７．５〜１７．１ｐｐｍ
γ：ラセミペンタッド連鎖：２０．７〜２０．３ｐｐｍ
ｍ：メソペンタッド連鎖 ：２１．７〜２２．５ｐｐｍ

上記プロピレン系重合体は、更に下記（ａ）及び（ｂ）を満足することが好ましく、下記（ｃ）、（ｄ）及び（ｅ）も満足することがより好ましい。
（ａ）［ｒｍｒｍ］＞２．５モル％
上記プロピレン系重合体の［ｒｍｒｍ］が２．５モル％を超えると、ランダム性が増加し透明性が更に向上する。
（ｂ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）と［ｍｍｍｍ］とが下記の関係を満たす。
１．７６［ｍｍｍｍ］−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋５．０
［ｍｍｍｍ］は平均値として測定されるものであり、立体規則性分布が広い場合と狭い場合とでは明確に区別することはできないが、融点（Ｔｍ）との関係を特定範囲に限定することによって、好ましい均一性の高い反応性ポリプロピレンを規定することができる。
上記関係式は、より好ましくは
１．７６［ｍｍｍｍ］−２０．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋３．０
更に好ましくは
１．７６［ｍｍｍｍ］−１５．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋２．０
である。
融点（Ｔｍ）が（１．７６［ｍｍｍｍ］＋５．０）を超える場合は、部分的に高い立体規則性部位と、立体規則性を持たない部位が存在することを示す。また、融点（Ｔｍ）が（１．７６［ｍｍｍｍ］−２５．０）に達しない場合、耐熱性が十分ではないおそれがある。
（ｃ）［ｒｒｒｒ］／（１−［ｍｍｍｍ］）≦０．１
上記プロピレン系重合体の［ｒｒｒｒ］／（１−［ｍｍｍｍ］）が０．１以下であると、べたつきが抑制される。
なお、融点（Ｔｍ）は、ＤＳＣ測定により求める。すなわち、示差走査型熱量計（パーキン・エルマー社製、ＤＳＣ−７）を用い、試料１０ｍｇを窒素雰囲気下、３２０℃／分で２５℃から２２０℃に昇温し、２２０℃で５分間保持した後、３２０℃／分で２５℃まで降温し、２５℃で５０分間保持した。１０℃／分で２５℃から２２０℃まで昇温した。この昇温過程で検出される溶解熱吸収カーブの最も高温側に観測される吸熱ピークのピークトップを融点（Ｔｍ）とした。

（ｄ）［ｍｍ］×［ｒｒ］／［ｍｒ］²≦２．０
上記プロピレン系重合体の［ｍｍ］×［ｒｒ］／［ｍｒ］²の値が２．０以下であると、透明性の低下が抑制され、柔軟性と弾性回復率のバランスが良好となる。［ｍｍ］×［ｒｒ］／［ｍｒ］²は、好ましくは１．８〜０．５、より好ましくは１．５〜０．５の範囲である。
（ｅ）昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出する成分量（Ｗ２５）が２０〜１００質量％である。
上記プロピレン系重合体において、昇温クロマトグラフィーにおける２５℃以下で溶出するプロピレン系重合体の成分量（Ｗ２５）は、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％である。
Ｗ２５は、プロピレン系重合体が軟質であるか否かを表す指標であり、この値が小さくなると、弾性率の高い成分が多くなったり、立体規則性分布の不均一さが広がる。上記プロピレン系重合体においては、Ｗ２５が２０質量％以上であると、柔軟性が保たれる。
なお、Ｗ２５とは、以下のような操作法、装置構成及び測定条件の昇温クロマトグラフィにより測定して求めた溶出曲線におけるＴＲＥＦ（昇温溶出分別）のカラム温度２５℃において充填剤に吸着されないで溶出する成分の量（質量％）である。

（１）操作法
試料溶液を温度１３５℃に調節したＴＲＥＦカラムに導入し、次いで降温速度５℃／時間にて徐々に０℃まで降温し、３０分間ホールドし、試料を充填剤表面に結晶化させる。その後、昇温速度４０℃／時間にてカラムを１３５℃まで昇温し、溶出曲線を得る。
（２）装置構成
ＴＲＥＦカラム ：ＧＬサイエンス社製 シリカゲルカラム（４．６φ×１５０ｍｍ）
フローセル ：ＧＬサイエンス社製 光路長１ｍｍ ＫＢｒセル
送液ポンプ ：センシュウ科学社製 ＳＳＣ−３１００ポンプ
バルブオーブン ：ＧＬサイエンス社製 ＭＯＤＥＬ５５４オーブン（高温型）
ＴＲＥＦオーブン：ＧＬサイエンス社製
二系列温調器 ：理学工業社製 ＲＥＸ−Ｃ１００温調器
検出器 ：液体クロマトグラフィー用赤外検出器 ＦＯＸＢＯＲＯ社製 ＭＩＲＡＮ １Ａ ＣＶＦ
１０方バルブ ：バルコ社製 電動バルブ
ループ ：バルコ社製 ５００μｌループ
（３）測定条件
溶媒 ：ｏ−ジクロロベンゼン
試料濃度 ：７．５ｇ／Ｌ
注入量 ：５００μｌ
ポンプ流量 ：２．０ｍｌ／分
検出波数 ：３．４１μｍ
カラム充填剤 ：クロモソルブＰ（３０〜６０メッシュ）
カラム温度分布 ：±０．２℃以内

本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体のうちの１−ブテン単独重合体、あるいは１−ブテン９０質量％以上と、エチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％との共重合体（以下、これらを「１−ブテン系重合体」と称することがある。）は、上記（１）〜（４）に加えて、立体規則性であるメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が２０〜９０モル％の範囲にあることが好ましい。
このメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は、より好ましくは３０〜８５モル％、更に好ましくは３０〜８０モル％である。メソペンタッド分率が２０モル％以上であると、上記１−ブテン系重合体を成形してなる成形体表面におけるべたつきが抑制され、透明性が良好となる。また、９０モル％以下であると、柔軟性の低下、低温ヒートシール性の低下、ホットタック性の低下が抑制される。

上記１−ブテン系重合体のメソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は、朝倉らにより報告された「Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ，１６，７１７（１９８４）」、Ｊ．Ｒａｎｄａｌｌらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９，２０１（１９８９）」及びＶ．Ｂｕｓｉｃｏらにより報告された「Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１９８，１２５７（１９９７）」で提案された方法に準拠して求めた。すなわち、¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトルを用いてメチレン基、メチン基のシグナルを測定し、ポリ（１−ブテン）分子中のメソペンタッド分率を求めた。後述する立体規則性指数｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝は、上記方法により、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］、メソメソラセミラセミ分率［ｍｍｒｒ］及びラセミメソメソラセミ分率［ｒｍｍｒ］を測定した値から算出した。
¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトルの測定は、下記の装置及び条件にて行った。

装置：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型¹³Ｃ−ＮＭＲ装置
方法：プロトン完全デカップリング法
濃度：２３０ｍｇ／ｍｌ
溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼンと重ベンゼンの９０：１０（容量比）混合溶媒
温度：１３０℃
パルス幅：４５°
パルス繰り返し時間：４秒
積算：１００００回

上記１−ブテン系重合体は、更に下記（ｐ）及び（ｑ）を満足することが好ましい。
（ｐ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）による融点（Ｔｍ）が観測されないか又は融点（Ｔｍ）が０〜１００℃の結晶性樹脂である。本発明の１−ブテン系重合体において、融点（Ｔｍ）が観測される場合、この融点は０〜８０℃であることが好ましい。なお、融点は、上述した測定法により求める。
（ｑ）｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝≦２０
上記１−ブテン系重合体の立体規則性指数｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝が２０以下であると、柔軟性の低下、低温ヒートシール性の低下、ホットタック性の低下が抑制される。この立体規則性指数は、好ましくは１８以下、さらに好ましくは１５以下である。

本発明の高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体は、下記（Ａ）と（Ｂ）又は（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）からなる触媒の存在下、水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜１００００の範囲、より好ましくは０〜５０００の範囲において重合反応を行うことにより製造することができる。ここで、上記（Ａ）成分は、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基を有する周期律表第３〜１０族の金属元素を含む遷移金属化合物、（Ｂ）成分は、遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物、（Ｃ）成分は、有機アルミニウム化合物である。
（Ａ）成分のシクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基を有する周期律表第３〜１０族の金属元素を含む遷移金属化合物としては、下記一般式（Ｉ）で表される二架橋錯体が挙げられる。

上記一般式（Ｉ）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、具体例としてはチタン，ジルコニウム，ハフニウム，イットリウム，バナジウム，クロム，マンガン，ニッケル，コバルト，パラジウム及びランタノイド系金属などが挙げられる。これらの中ではオレフィン重合活性などの点からチタン，ジルコニウム及びハフニウムが好適であり、末端ビニリデン基の収率及び触媒活性の点から、ジルコニウムが最も好適である。
Ｅ¹及びＥ²はそれぞれ、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミド基（−Ｎ＜），ホスフィン基（−Ｐ＜），炭化水素基〔＞ＣＲ−，＞Ｃ＜〕及びケイ素含有基〔＞ＳｉＲ−，＞Ｓｉ＜〕（但し、Ｒは水素又は炭素数１〜２０の炭化水素基あるいはヘテロ原子含有基である）の中から選ばれた配位子を示し、Ａ¹及びＡ²を介して架橋構造を形成している。Ｅ¹及びＥ²は互いに同一でも異なっていてもよい。このＥ¹及びＥ²としては、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基，インデニル基及び置換インデニル基が好ましく、Ｅ¹及びＥ²のうちの少なくとも一つは、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基である。
Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよく、他のＸ，Ｅ¹，Ｅ²又はＹと架橋していてもよい。このＸの具体例としては、ハロゲン原子，炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコキシ基，炭素数６〜２０のアリールオキシ基，炭素数１〜２０のアミド基，炭素数１〜２０のケイ素含有基，炭素数１〜２０のホスフィド基，炭素数１〜２０のスルフィド基，炭素数１〜２０のアシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。炭素数１〜２０の炭化水素基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル基、シクロヘキセニル基などのアルケニル基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基などのアリールアルキル基；フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントラセニル基、フェナントニル基などのアリール基などが挙げられる。なかでもメチル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基やフェニル基などのアリール基が好ましい。

炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等のアルコキシ基、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基等が挙げられる。炭素数１〜２０のアミド基としては、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、ジブチルアミド基、ジシクロヘキシルアミド基、メチルエチルアミド基等のアルキルアミド基や、ジビニルアミド基、ジプロペニルアミド基、ジシクロヘキセニルアミド基などのアルケニルアミド基；ジベンジルアミド基、フェニルエチルアミド基、フェニルプロピルアミド基などのアリールアルキルアミド基；ジフェニルアミド基、ジナフチルアミド基などのアリールアミド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のケイ素含有基としては、メチルシリル基、フェニルシリル基などのモノ炭化水素置換シリル基；ジメチルシリル基、ジフェニルシリル基などのジ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリシクロヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基、トリナフチルシリル基などのトリ炭化水素置換シリル基；トリメチルシリルエーテル基などの炭化水素置換シリルエーテル基；トリメチルシリルメチル基などのケイ素置換アルキル基；トリメチルシリルフェニル基などのケイ素置換アリール基などが挙げられる。なかでもトリメチルシリルメチル基、フェニルジメチルシリルエチル基などが好ましい。

炭素数１〜２０のホスフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。

炭素数１〜２０のスルフィド基としては、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、ヘキシルスルフィド基、シクロヘキシルスルフィド基、オクチルスルフィド基などのアルキルスルフィド基；ビニルスルフィド基、プロペニルスルフィド基、シクロヘキセニルスルフィド基などのアルケニルスルフィド基；ベンジルスルフィド基、フェニルエチルスルフィド基、フェニルプロピルスルフィド基などのアリールアルキルスルフィド基；フェニルスルフィド基、トリルスルフィド基、ジメチルフェニルスルフィド基、トリメチルフェニルスルフィド基、エチルフェニルスルフィド基、プロピルフェニルスルフィド基、ビフェニルスルフィド基、ナフチルスルフィド基、メチルナフチルスルフィド基、アントラセニルスルフィド基、フェナントニルスルフィド基などのアリールスルフィド基が挙げられる。
炭素数１〜２０のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、パルミトイル基、テアロイル基、オレオイル基等のアルキルアシル基、ベンゾイル基、トルオイル基、サリチロイル基、シンナモイル基、ナフトイル基、フタロイル基等のアリールアシル基、シュウ酸、マロン酸、コハク酸等のジカルボン酸からそれぞれ誘導されるオキサリル基、マロニル基、スクシニル基等が挙げられる。

一方、Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよく、他のＹやＥ¹，Ｅ²又はＸと架橋していてもよい。このＹのルイス塩基の具体例としては、アミン類，エーテル類，ホスフィン類，チオエーテル類などを挙げることができる。アミンとしては、炭素数１〜２０のアミンが挙げられ、具体的には、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、シクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルエチルアミン等のアルキルアミン；ビニルアミン、プロペニルアミン、シクロヘキセニルアミン、ジビニルアミン、ジプロペニルアミン、ジシクロヘキセニルアミンなどのアルケニルアミン；フェニルアミン、フェニルエチルアミン、フェニルプロピルアミンなどのアリールアルキルアミン；ジフェニルアミン、ジナフチルアミンなどのアリールアミンが挙げられる。

エーテル類としては、メチルエーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブチルエーテル、イソブチルエーテル、ｎ−アミルエーテル、イソアミルエーテル等の脂肪族単一エーテル化合物；メチルエチルエーテル、メチルプロピルエーテル、メチルイソプロピルエーテル、メチル−ｎ−アミルエーテル、メチルイソアミルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルイソプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、エチルイソブチルエーテル、エチル−ｎ−アミルエーテル、エチルイソアミルエーテル等の脂肪族混成エーテル化合物；ビニルエーテル、アリルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルアリルエーテル、エチルビニルエーテル、エチルアリルエーテル等の脂肪族不飽和エーテル化合物；アニソール、フェネトール、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、フェニルベンジルエーテル、α−ナフチルエーテル、β−ナフチルエーテル等の芳香族エーテル化合物、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化トリメチレン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等の環式エーテル化合物が挙げられる。

ホスフィン類としては、炭素数１〜２０のホスフィンが挙げられる。具体的には、メチルホスフィン、エチルホスフィン、プロピルホスフィン、ブチルホスフィン、ヘキシルホスフィン、シクロヘキシルホスフィン、オクチルホスフィンなどのモノ炭化水素置換ホスフィン；ジメチルホスフィン、ジエチルホスフィン、ジプロピルホスフィン、ジブチルホスフィン、ジヘキシルホスフィン、ジシクロヘキシルホスフィン、ジオクチルホスフィンなどのジ炭化水素置換ホスフィン；トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィンなどのトリ炭化水素置換ホスフィン等のアルキルホスフィンや、ビニルホスフィン、プロペニルホスフィン、シクロヘキセニルホスフィンなどのモノアルケニルホスフィンやホスフィンの水素原子をアルケニルが２個置換したジアルケニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルケニルが３個置換したトリアルケニルホスフィン；ベンジルホスフィン、フェニルエチルホスフィン、フェニルプロピルホスフィンなどのアリールアルキルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアリール又はアルケニルが３個置換したジアリールアルキルホスフィン又はアリールジアルキルホスフィン；フェニルホスフィン、トリルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルフェニルホスフィン、エチルフェニルホスフィン、プロピルフェニルホスフィン、ビフェニルホスフィン、ナフチルホスフィン、メチルナフチルホスフィン、アントラセニルホスフィン、フェナントニルホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが２個置換したジ（アルキルアリール）ホスフィン；ホスフィンの水素原子をアルキルアリールが３個置換したトリ（アルキルアリール）ホスフィンなどのアリールホスフィンが挙げられる。チオエーテル類としては、前記のスルフィドが挙げられる。

次に、Ａ¹及びＡ²は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｓｅ−、−ＮＲ¹−、−ＰＲ¹−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ¹−、−ＢＲ¹−又は−ＡｌＲ¹−を示し、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。
このような架橋基のうち、少なくとも一つは炭素数１以上の炭化水素基からなる架橋基であることが好ましい。このような架橋基としては、例えば一般式（ａ）

（Ｄは周期律表第１４族元素であり、例えば炭素，ケイ素，ゲルマニウム及びスズが挙げられる。Ｒ²及びＲ³はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基で、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに結合して環構造を形成していてもよい。ｅは１〜４の整数を示す。）
で表されるものが挙げられ、その具体例としては、メチレン基，エチレン基，エチリデン基，プロピリデン基，イソプロピリデン基，シクロヘキシリデン基，１，２−シクロヘキシレン基，ビニリデン基（ＣＨ₂＝Ｃ＝），ジメチルシリレン基，ジフェニルシリレン基，メチルフェニルシリレン基，ジメチルゲルミレン基，ジメチルスタニレン基，テトラメチルジシリレン基，ジフェニルジシリレン基などを挙げることができる。これらの中で、エチレン基，イソプロピリデン基及びジメチルシリレン基が好適である。

一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物の具体例としては、（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−エチレン）（２，１'−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−エチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−メチレン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−イソプロピリデン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチルシクロペンタジエニル）（３'−メチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，

（１，２'−エチレン）（２，１'−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−エチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−メチレン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−イソプロピリデン）（２，１'−イソプロピリデン）（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）（３'，４'−ジメチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−ジメチルシリレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンジエニル）（３'−メチル−５'−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，

（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−フェニルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−エチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−エチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−エチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−エチルシクロペンジエニル）ジルコニウムジクロリド，

（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−ジメチルシリレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−フェニルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−フェニルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−エチレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−エチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−メチレン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド，（１，２'−メチレン）（２，１'−イソプロピリデン）（３−メチル−５−イソプロピルシクロペンタジエニル）（３'−メチル−５'−イソプロピルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドなど及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したもの、及び後述する一般式（II）で表される化合物を挙げることができる。また、他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。
上記一般式（Ｉ）で表される遷移金属化合物の中では、一般式（II）で表される化合物が好ましい。

上記一般式（II）において、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、Ａ^1a及びＡ^2aは、それぞれ上記一般式（Ｉ）における一般式（ａ）で表される架橋基を示し、ＣＨ₂，ＣＨ₂ＣＨ₂，（ＣＨ₃）₂Ｃ，（ＣＨ₃）₂Ｃ（ＣＨ₃）₂Ｃ，（ＣＨ₃）₂Ｓｉ及び（Ｃ₆Ｈ₅）₂Ｓｉが好ましい。Ａ^1a及びＡ^2aは、互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ⁴〜Ｒ¹³はそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基又はヘテロ原子含有基を示す。ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基及びケイ素含有基としては、上記一般式（Ｉ）において説明したものと同様のものが挙げられる。炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基としては、ｐ−フルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、３，５−ビス（トリフルオロ）フェニル基、フルオロブチル基などが挙げられる。ヘテロ原子含有基としては、炭素数１〜２０のヘテロ原子含有基が挙げられ、具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの窒素含有基；フェニルスルフィド基、メチルスルフィド基等の硫黄含有基；ジメチルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基などの燐含有基；メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基などの酸素含有基などが挙げられる。なかでも、Ｒ⁴及びＲ⁵としてはハロゲン、酸素、ケイ素等のヘテロ原子を含有する基が、重合活性が高く好ましい。Ｒ⁶〜Ｒ¹³としては、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましい。Ｘ及びＹは一般式（Ｉ）と同じである。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。

上記一般式（II）で表される遷移金属化合物のうち、両方のインデニル基が同一である場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４，７−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（５，６−ジメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−エトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、

（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−メトキシエチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−フェニルメチルシリレン）（２，１’−フェニルメチルシリレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−イソプロピリデン）ビス（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、

（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−ｎ−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジフェニルシリレン）（２，１’−メチレン）ビス（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。

一方、上記一般式（II）で表される遷移金属化合物のうち、Ｒ⁵が水素原子で、Ｒ⁴が水素原子でない場合、周期律表第４族の遷移金属化合物としては、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−トリメチルシリルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェニルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ベンジルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−ネオペンチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−エチレン）（２，１’−エチレン）（インデニル）（３−フェネチルインデニル）ジルコニウムジクロリドなど、及びこれらの化合物におけるジルコニウムをチタン又はハフニウムに置換したものを挙げることができるがこれらに限定されるものではない。また、第４族以外の他の族の金属元素の類似化合物であってもよい。好ましくは周期律表第４族の遷移金属化合物であり、中でもジルコニウムの化合物が好ましい。

本発明で用いる触媒を構成する（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物としては、比較的低分子量の高純度末端不飽和オレフィン系重合体が得られる点、及び触媒高活性の点でボレート化合物が好ましい。ボレート化合物としては、テトラフェニルホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸ジメチルジフェニルアンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラフェニルホウ酸トリメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸メチルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラフェニルホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラエチルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（トリ−ｎ−ブチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルジフェニルアンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニル（メチル）アンモニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリメチルアニリニウム，

テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジルピリジニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸メチル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ベンジル（２−シアノピリジニウム），テトラキス（ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチル(４−シアノピリジニウム) ，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルホスホニウム，テトラキス［ビス（３，５−ジトリフルオロメチル）フェニル］ホウ酸ジメチルアニリニウム，テトラフェニルホウ酸フェロセニウム，テトラフェニルホウ酸銀，テトラフェニルホウ酸トリチル，テトラフェニルホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム，テトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸フェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸（１，１'−ジメチルフェロセニウム)，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸デカメチルフェロセニウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸銀、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリチル，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸リチウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ナトリウム，テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸テトラフェニルポルフィリンマンガン，テトラフルオロホウ酸銀などを挙げることができる。これらは一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。後述する水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０である場合、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウム及びテトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウムなどが好ましい。

本発明の製造方法で用いる触媒は、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分との組み合わせでもよく、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を用いてもよい。
（Ｃ）成分の有機アルミニウム化合物としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム、トリノルマルオクチルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジメチルアルミニウムフルオリド、ジイソブチルアルミニウムヒドリド、ジエチルアルミニウムヒドリド及びエチルアルミニウムセスキクロリドなどが挙げられる。これらの有機アルミニウム化合物は一種用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのうち、本発明においては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウムが好ましく、トリイソブチルアルミニウム、トリノルマルへキシルアルミニウム及びトリノルマルオクチルアルミニウムがより好ましい。

（Ａ）成分の使用量は、通常０．１×１０^-6〜１．５×１０^-5ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．１５×１０^-6〜１．３×１０^-5ｍｏｌ／Ｌ、より好ましくは０．２×１０^-6〜１．２×１０^-5ｍｏｌ／Ｌ、特に好ましくは０．３×１０^-6〜１．０×１０^-5ｍｏｌ／Ｌである。（Ａ）成分の使用量が０．１×１０^-6ｍｏｌ／Ｌ以上であると、触媒活性が十分に発現され、１．５×１０^-5ｍｏｌ／Ｌ以下であると、重合熱を容易に除去することができる。
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｂ）は、モル比で好ましくは１０／１〜１／１００、より好ましくは２／１〜１／１０である。（Ａ）／（Ｂ）が１０／１〜１／１００の範囲にあると、触媒としての効果が得られると共に、単位質量ポリマー当たりの触媒コストを抑えることができる。また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にホウ素が多量に存在するおそれがない。
（Ａ）成分と（Ｃ）成分との使用割合（Ａ）／（Ｃ）は、モル比で好ましくは１／１〜１／１００００、より好ましくは１／５〜１／２０００、さらに好ましくは１／１０〜１／１０００である。（Ｃ）成分を用いることにより、遷移金属当たりの重合活性を向上させることができる。（Ａ）／（Ｃ）が１／１〜１／１００００の範囲にあると、（Ｃ）成分の添加効果と経済性のバランスが良好であり、また、目的とする末端不飽和オレフィン系重合体中にアルミニウムが多量に存在するおそれがない。
本発明の製造方法においては、上述した（Ａ）成分及び（Ｂ）成分、あるいは（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いて予備接触を行うこともできる。予備接触は、（Ａ）成分に、例えば（Ｂ）成分を接触させることにより行うことができるが、その方法に特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。このような予備接触により触媒活性の向上や、助触媒である（Ｂ）成分の使用割合の低減など、触媒コストの低減に効果的である。

本発明の末端不飽和オレフィン系重合体は、上記触媒の存在下、水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜１００００の範囲において重合反応を行うことにより得ることができる。水素／遷移金属が０である場合、上述したように（Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物としては、特にテトラキス（パーフルオロフェニル）ホウ酸メチルアニリニウム、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸ジメチルアニリニウム及びテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸トリフェニルカルベニウムなどが好ましい。
通常、水素は分子量調整剤や連鎖移動剤として機能し、重合鎖末端は飽和構造となることが知られている。すなわち、水素が分子量調整剤や連鎖移動剤として機能するため、添加量にしたがって単調に分子量が低下すると共に、ポリマー末端の不飽和度は極端に低下する。また、水素はドーマントの再活性化を行い、触媒活性を高めることができるという機能を有することが知られている。通常これらの目的で水素を使用する際は、水素と遷移金属化合物とのモル比は１３０００〜１０００００の範囲で使用される。
本願発明において、微量の水素（水素／遷移金属化合物モル比が１００００以下）が触媒性能に与える影響は不明であるが、上記のようにある特定の範囲で水素を用いることで、末端ビニリデン基選択性および活性を向上させることができる。すなわち、本願発明は（１）水素を添加しても分子量が変化しない微量水素添加領域の存在、（２）触媒活性が向上し、ポリマー中の触媒残渣が低下し、高純度体が得られる微量水素添加領域の存在、および（３）末端不飽和基のビニリデン基純度が向上する微量水素添加領域の存在を見出すしたことにより完成したものである。
水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）は、好ましくは１０〜９０００、より好ましくは２０〜８０００、より好ましくは４０〜７０００、より好ましくは２００〜４５００、より好ましくは３００〜４０００、最も好ましくは４００〜３０００である。このモル比が１００００以下であると、末端不飽和度の極端に低いポリオレフィン系重合体の生成が抑制され、目的とする高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体を得ることができる。また、当該モル比が０である場合に比べると、微量水素が存在することで、末端ビニリデン基の含有量を増加させることができる。また、末端ビニリデン基以外の末端不飽和基としては末端ビニル基が挙げられるが、末端ビニル基を含む重合体は、ラジカル重合変性によって変性重合体を製造する際の反応性前駆体として使用すると、変性率が低下する等の問題が生じやすい。このような場合には微量の水素を存在させることで、末端ビニル基数の上昇とともに末端ビニル基の生成量を低下させることができるため好ましい。
末端ビニル基は、段落〔００１２〕に示した方法で定量することができ、不飽和基に占める末端ビニル基の割合（％）は以下の式から計算される。
（Ｄ）／〔（Ｃ）＋（Ｄ）〕×１００ 単位：％
不飽和基に占める末端ビニル基の割合は、好ましくは１５％以下、より好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、最も好ましくは０〜５％の範囲である。

上記のように、末端ビニリデン基選択性及び触媒活性を高めるためには、微量の水素の存在下で重合反応を行うことが好ましい。微量水素の添加による効果は、実施例において示され、従来の予測に反して分子量の低下は認められず、活性の大幅な向上と末端ビニリデン基選択性の向上が顕著に現れた。また、末端ビニル基の生成量の低下が認められた。一方、大量に水素を用いた場合は、通常の挙動を示した。
末端不飽和オレフィン系重合体を製造する際の重合方法については特に制限ないが、溶液重合及びバルク重合が好ましい。また、バッチ法及び連続法のどちらの重合方法も適用することができる。溶液重合に用いる溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ブタン、オクタン及びイソブタンなどの飽和炭化水素系溶媒、シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。

本発明の高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体における極限粘度［η］、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］及び融点（Ｔｍ）は、下記の方法により制御することができる。
極限粘度［η］の制御は、一般的な重合条件の変更により可能である。極限粘度を増大させるためには、重合温度の低下、重合圧力上昇等によるオレフィンモノマー濃度の増加、遷移金属触媒量の低下の何れか一つ以上の因子によってなされ、極限粘度を低下させるためには、それぞれの制御因子を上記とは逆に設定する。
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、使用する触媒によってほぼ決定され、Ｍｗ／Ｍｎは１．５〜２．５程度の範囲である。分子量分布を制御するには、重合を多段ステージで行い、各々のステージの生成分子量を変化させればよい。すなわち、分子量分布を拡大するには、製造を多段で行い、各々の重合温度、モノマー濃度を変更し、高分子量の重合体および、より低分子量の重合体を反応器内で製造することでなされる。上記製造法で得られる本願発明の重合体の分子量分布は４以下である。
メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］は、触媒の選択及び重合条件の選定によって制御することができる。低メソペンタッド分率の重合体は、後述する実施例１に記載の触媒のように、置換基種及び置換位置が同一の配位子を有する対称性の高い触媒を用いて製造することができる。置換基種及び置換位置が異なる場合や、一方の配位子のみが置換基を有する場合は、立体規則性がより高い重合体を製造することができる。更に、配位子が架橋基以外の置換基を有さない場合、最も高い立体規則性を有する重合体を製造することができる。さらに詳しく説明すると以下のとおりである。すなわち、［ｍｍｍｍ］＜５０にするには、一般式（ＩＩ）で示された遷移金属化合物のうち、両方のインデニル基が同一の置換基を有するものが好ましく、特に好ましくは、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−イソプロピルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（３−ブチルインデニル）ジルコニウムジクロリド、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（４−メチルインデニル）ジルコニウムジクロリドである。また、［ｍｍｍｍ］を５０〜６５にするには、一般式（ＩＩ）で示された遷移金属化合物のうち、Ｒ⁵が水素原子であり、Ｒ⁴が水素原子以外の置換基を有するものが好ましく、特にＲ⁴が嵩高い置換基であることが好ましい。嵩高い置換基としては、トリメチルシリルメチル基、トリメチルシリル基、フェニル基、ベンジル基、ネオペンチル基、フェネチル基等が挙げられる。また、[ｍｍｍｍ]＞６５にするには、一般式（ＩＩ）で示された遷移金属化合物のうち、両方のインデニル基が無置換のものが好ましく、特に好ましくは（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビス（インデニル）ジルコニウムジクロリドおよび当該化合物の架橋基であるジメチルシリレン基をフェニルメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基およびメチレン基から選ばれる基に置換したものである。
また、重合条件の因子としては、重合温度とオレフィンモノマー濃度が挙げられる。メソペンタッド分率は、重合温度を低下すること、重合圧力を増加することによってオレフィンモノマー濃度を大きくすることにより、増加させることができる。
融点（Ｔｍ）は、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］と、
１．７６［ｍｍｍｍ］−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋５．０
の関係を有し、メソペンタッド分率が融点の支配因子である。従って、概ねメソペンタッド分率を制御することによって融点を制御することができる。当該関係式は、重合体の立体規則性[ｍｍｍｍ]と融点（Ｔｍ）の関係から導き出したものである。一般に、立体規則性の高い部位と立体規則性の低い又は立体規則性を有しない部位を有するポリオレフィンや、立体規則性を有するポリオレフィンと立体規則性の低い又は立体規則性を有しないポリオレフィンとの混合物では、観測される平均の立体規則性と融点（Ｔｍ）との関係は、低立体規則性でありながら高融点を示す傾向にある。一方、上記関係式を満たす重合体は均一性の高い立体規則性分布を有する重合体であるため、上記関係式は立体規則性分布の均一性の指標となる。
また、置換基種及び置換位置が異なるか、一方の配位子のみが置換基を有する触媒を用いた場合は、２，１−挿入や１，３−挿入のような異種結合を生成すること、更に多段重合により立体規則性を変化させ、立体規則性分布を拡大させることが可能であることから、これらの制御因子により、同一の立体規則性で融点を制御することができる。

本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体において、上記触媒に起因する、遷移金属の含有量が１０質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が１０質量ｐｐｍ以下であることを達成するためには、触媒活性が高いことが必要である。
選定した（Ａ）と（Ｂ）又は（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）を触媒とし、水素／（Ａ）を０〜１００００の範囲で、重合条件を選定することにより、触媒活性を高めることができる。その因子は、通常、重合温度、オレフィンモノマー温度及び重合時間である。重合温度は、通常２０〜１５０℃であり、この範囲を外れると触媒活性が低下するおそれがある。重合温度は、好ましくは３０〜１３０℃、より好ましくは４０〜１００℃である。
オレフィンモノマー濃度は高いほど好ましく、通常０．０５ｍｏｌ／Ｌ以上からオレフィンモノマーを溶媒とするバルク重合が含まれる。オレフィンモノマー濃度が０．０５ｍｏｌ／Ｌ未満では、触媒活性が低下するおそれがある。
高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造は、触媒活性が十分に発現する条件を予め設定し、その後、上記の極限粘度［η］、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］及び融点（Ｔｍ）の制御因子を変更することによって行われる。製造条件決定過程の一例は以下のとおりである。
（１）触媒の選択
所望の立体規則性をその制御範囲にもつと予想される（Ａ）成分を選択する。
（２）微量水素添加量の決定
上記（１）で選択された（Ａ）成分を用い、所望の末端ビニリデン基を満足する水素添加量を決定する。
（３）立体規則性の制御
水素添加量を固定し、所望の立体規則性を満足する重合条件を２点決定する。具体的には、重合温度およびモノマー濃度が異なる条件の組み合わせで所望の立体規則性を有する重合体の製造条件を決定する。その際、所望の分子量が上記の２点の範囲に存在するように設定する。
（４）分子量の制御
上記（３）の重合条件を基に、反応条件を調整し分子量を制御する。分子量を増加させる場合は、製造温度の低下、モノマー濃度の増加または両者の組み合わせで制御することができる。また、分子量を低下させる場合は、製造温度の上昇、モノマー濃度の低下または両者の組み合わせで制御することができる。
上記の方法により得られた製造条件を用い、重合時間を調整することで本願発明の重合体を製造することができる。重合時間は、通常１分〜２０時間程度、好ましくは５分〜１５時間、より好ましくは１０分〜１０時間、特に好ましくは２０分〜８時間である。重合時間が１分未満であると、末端不飽和オレフィン系重合体の生成量が少なく、また、触媒残渣が増加するおそれがある。また、２０時間を超えると、触媒活性が低下し、実質的に末端不飽和オレフィン系重合体の生成が停止するおそれがある。

次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１（プロピレン単独重合体の製造）
（１）金属錯体の合成:
以下のようにして（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドを合成した。
シュレンク瓶に（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（インデン）のリチウム塩３．０ｇ（６．９７ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）５０ｍｌに溶解し−７８℃に冷却した。ヨードメチルトリメチルシラン２．１ｍｌ（１４．２ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し室温で１２時間撹拌した。
溶媒を留去し、エーテル５０ｍｌを加えて飽和塩化アンモニウム溶液で洗浄した。分液後、有機相を乾燥し溶媒を除去して（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン）３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）を得た（収率８４％）。
次に、窒素気流下においてシュレンク瓶に上記で得られた（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン)−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデン)３．０４ｇ（５．８８ｍｍｏｌ）とエーテル５０ｍｌを入れた。−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．５４Ｍ、７．６ｍｌ（１．７ｍｍｏｌ））を滴下した。室温に上げ１２時間撹拌後、エーテルを留去した。得られた固体をヘキサン４０ｍｌで洗浄することによりリチウム塩をエーテル付加体として３．０６ｇ（５．０７ｍｍｏｌ）を得た（収率７３％）。
¹Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ₈）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：0.04(s,18H，トリメチルシリル）,0.48(s,12H，ジメチルシリレン），1.10(t,6H，メチル）,2.59(s,4H，メチレン）,3.38(q,4H，メチレン）,6.2-7.7(m,8H,Ar-H)

窒素気流下で、上記で得られたリチウム塩をトルエン５０ｍｌに溶解した。−７８℃に冷却し、ここへ予め−７８℃に冷却した四塩化ジルコニウム１．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）のトルエン（２０ｍｌ）懸濁液を滴下した。滴下後、室温で６時間撹拌した。その反応溶液の溶媒を留去した。得られた残渣をジクロロメタンにより再結晶化することにより、（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル) ジルコニウムジクロライド０．９ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）を得た（収率２６％)。
¹Ｈ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）による測定の結果は、以下のとおりである。
δ：0.0(s,18H,トリメチルシリル）,1.02,1.12(s,12H，ジメチルシリレン）,2.51(dd,4H，メチレン）,7.1-7.6(m,8H,Ar-H)

（２）プロピレンの重合：
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、トリイソブチルアルミニウム０．５ｍｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌ、メチルアニリニウムテトラキス（パーフルオロフェニル）ボレート１．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを加え、５０℃に制御しながら１０分間、攪拌した。ここに、上記（１）で調製した（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライド０．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを投入した。
次に、攪拌しながら温度を７０℃に昇温し、全圧で０．８ＭＰａまでプロピレンガスを導入した。重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１２０分間重合し、その後冷却し、未反応プロピレンを脱圧により除去し、内容物を取り出した。内容物を風乾した後、更に８０℃で減圧乾燥を８時間行うことによってポリプロピレン１２３ｇを得た。得られたポリプロピレンについて、下記の方法により物性を測定した。重合条件を表１に、重合評価結果を表２に示す。なお、表２において「ｐｐｍ」は「質量ｐｐｍ」を意味する。

（１）極限粘度［η］
株式会社離合社製のＶＭＲ−０５３型自動粘度計を用い、テトラリン溶媒中１３５℃において測定した。
極限粘度［η］は、１３５℃のデカリン中、ウベローデ型粘度計で還元粘度（η_SP／ｃ）を測定し、下記一般式（ハギンスの式）を用いて算出した。
η_SP／ｃ＝［η］＋Ｋ［η］²ｃ
η_SP／ｃ（ｄｌ／ｇ）：還元粘度
［η］（ｄｌ／ｇ）：極限粘度
ｃ（ｇ／ｄｌ）：ポリマー濃度
Ｋ＝０．３５（ハギンス定数）
（２）分子量分布
上述したように、ゲルパーミエイションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）測定し、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
（３）一分子当たりの末端ビニリデン基含有量
上述した方法により算出した。
（４）メソペンタット分率［ｍｍｍｍ］、ラセミメソラセミメソ分率［ｒｍｒｍ］、メソメソラセミラセミ分率［ｍｍｒｒ］及びラセミメソメソラセミ分率［ｒｍｍｒ］
上述した方法により測定した。
（５）融点（Ｔｍ）
上述したＤＳＣ測定により求めた。
（６）遷移金属、アルミニウム及びホウ素の含有量
電気炉を用いてポリマーを灰化し、硫酸／フッ酸混合水溶液に溶解した後、２ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液で一定容量とした後、必要に応じて希釈し、ＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ分光分析）測定装置により測定した。検出限界を超えた場合は１質量ｐｐｍ未満とし、また、触媒成分が全てポリマーに残存したと仮定して、計算値として示した。
（７）不飽和基に占める末端ビニル基の割合（％）
上述した方法により算出した。

実施例２〜５
表１に示す重合条件によって重合温度、重合圧力による分子量の制御を行い、高純度末端不飽和ポリプロピレンを合成し、上記の方法により評価した。評価結果を表２に示す。

実施例６及び７
微量の水素の存在下、表１に示す条件で高純度末端不飽和ポリプロピレンを合成し、上記の方法により評価した。評価結果を表２に示す。なお、重合は実施例１に準じて実施したが、水素は、遷移金属触媒成分を投入した後に、予め室温常圧で採取した所定量をオートクレーブの気密性を保ちつつ、注射器を用いて投入した。

実施例８
実施例１においてプロピレンを１−ブテン２００ｍｌに替えて、トリブチルアルミニウムの使用量、遷移金属化合物の使用量、重合温度及び時間を表１に示すとおりとした以外実施例１と同様の重合反応を行い、高純度末端不飽和ポリプロピレンを合成した。なお、上記１−ブテンは、耐圧ガラス容器からオートクレーブに投入した。得られた高純度末端不飽和ポリプロピレンを、上記の方法により評価した。評価結果を表２に示す。また、｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝は９．０であった。

比較例１及び２
大量の水素存在下、表１に示す条件で、実施例６及び７と同様にしてポリプロピレンを合成し、上記の方法により評価した。評価結果を表２に示す。

実施例１〜７において、遷移金属及びホウ素は検出限界以下であったが、触媒成分が全てポリマーに取り込まれたと仮定して計算した場合、遷移金属（ジルコニウム）は０．３２〜０．８８質量ｐｐｍ、ホウ素は０．１１〜０．３２質量ｐｐｍであった。

実施例９〜１３
加熱乾燥した内容積１．４Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン０．４Ｌ、トリイソブチルアルミニウム０．５ｍｍｏｌのヘプタン溶液１ｍｌ、メチルアニリニウムテトラキス（パーフルオロフェニル）ボレート４μｍｏｌのヘプタンスラリー４ｍｌを加え、１０分間、攪拌した。ここに、実施例１の（１）で調製した（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−ビス（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライド１．５μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを投入した。
次に、室温で表３に示した所定量の水素を注入し、攪拌しながら温度を８０℃に昇温し、プロピレン分圧を０．５ＭＰａでプロピレンガスを導入した。重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して４０分間重合し、その後冷却し、未反応プロピレンを脱圧により除去し、内容物を取り出した。内容物は実施例１（２）と同様にしてポリプロピレンを得た。得られたポリプロピレンの結果を表３に示す。

実施例１４
（１）金属錯体の合成
以下のようにして（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−(インデニル)（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドを合成した。
窒素気流下、２００ミリリットルのシュレンク瓶にエーテル５０ミリリットルと（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）ビスインデン３．５ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）を加え、ここに−７８℃でｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）のヘキサン溶液（１．６０モル／リットル、１２．８ミリリットル）を滴下した。室温で８時間攪拌した後溶媒を留去し、得られた固体を減圧乾燥することにより白色固体５．０ｇを得た。この固体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ミリリットルに溶解させ、ここへヨードメチルトリメチルシラン１．４ミリリットルを室温で滴下した。水１０ミリリットルで加水分解し、有機相をエーテル５０ミリリットルで抽出したのち、有機相を乾燥し溶媒を留去した。ここへエーテル５０ミリリットルを加え、−７８℃でｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（１．６０モル／リットル、１２．４ミリリットル）を滴下したのち、室温に上げ３時間攪拌後、エーテルを留去した。得られた固体をヘキサン３０ミリリットルで洗浄した後減圧乾燥した。この白色固体５．１１ｇをトルエン５０ミリリットルに懸濁させ、別のシュレンク瓶中でトルエン１０ミリリットルに懸濁した四塩化ジルコニウム２．０ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）を添加した。室温で１２時間攪拌後溶媒を留去し、残渣をヘキサン５０ミリリットルで洗浄した後、残渣をジクロロメタン３０ミリリットルから再結晶化させることにより黄色微結晶１．２ｇを得た（収率２５％）。

（２）プロピレンの重合
加熱乾燥した内容積５Ｌのステンレス鋼製オートクレーブに、乾燥ヘプタン２．５Ｌ、トリイソブチルアルミニウム１．４ｍｍｏｌのヘプタン溶液１．４ｍｌ、メチルアニリニウムテトラキス（パーフルオロフェニル）ボレート１５．４μｍｏｌのヘプタンスラリー２ｍｌを加え、５０℃に制御しながら１０分間攪拌した。
更に、上記（１）で調製した遷移金属化合物錯体の（１，２’−ジメチルシリレン）（２，１’−ジメチルシリレン）−(インデニル)（３−トリメチルシリルメチルインデニル）ジルコニウムジクロライドの３．８μｍｏｌのヘプタンスラリー６ｍｌを投入した。
更に水素を投入後、攪拌しながら温度を６０℃に昇温し、分圧で０．４９ＭＰａまでプロピレンガスを導入した。
重合反応中、圧力が一定になるように調圧器によりプロピレンガスを供給して１００分
間重合し、その後冷却し、未反応プロピレンを脱圧により除去し内容物を取り出した。
内容物を風乾後、更に８０℃で減圧乾燥を８時間行なうことによって反応性ポリプロピレン５２５ｇを得た。結果を表３に示す。

実施例１５
実施例９において、Ｈ₂／Ｚｒを４０にした以外は、同様にしてポリプロピレンを製造した。結果を表３に示す。

本発明の高純度末端不飽和オレフィン系重合体は、変性重合体を効率的に製造するための反応性前駆体として好適である。

Claims (9)

1. 触媒の存在下に、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合して得られ、以下の（１）〜（４）を満足することを特徴とする高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
   （１）上記触媒に起因する、遷移金属の含有量が１０質量ｐｐｍ以下、アルミニウムの含有量が３００質量ｐｐｍ以下、ホウ素の含有量が１０質量ｐｐｍ以下である。
   （２）末端不飽和基としてビニリデン基を一分子当たり０．５〜１．０個を有する。
   （３）デカリン中、１３５℃において測定した極限粘度［η］が０．０１〜２．５ｄｌ／ｇである。
   （４）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が４以下である。
2. 末端不飽和基としてビニリデン基を一分子当たり０．８〜１．０個を有する請求項１に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
3. オレフィン系重合体が、プロピレン単独重合体、あるいはプロピレン９０質量％以上と、エチレン及び炭素数４〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％以下との共重合体であり、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が３０〜８０モル％の範囲にある請求項１記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
4. 以下の（ａ）及び（ｂ）を満足する請求項３記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
   （ａ）［ｒｍｒｍ］＞２．５モル％
   （ｂ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）で観測される融点（Ｔｍ、単位：℃）と［ｍｍｍｍ］とが下記の関係を満たす。
   １．７６［ｍｍｍｍ］−２５．０≦Ｔｍ≦１．７６［ｍｍｍｍ］＋５．０
5. オレフィン系重合体が、１−ブテン単独重合体、あるいは１−ブテン９０質量％以上と、エチレン、プロピレン及び炭素数５〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上１０質量％との共重合体であり、メソペンタッド分率［ｍｍｍｍ］が２０〜９０モル％の範囲にある請求項１記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体。
6. 以下の（ｐ）及び（ｑ）を満足する請求項５記載の高純度末端不飽和ポリオレフィン系重合体。
   （ｐ）示差走査型熱量計（ＤＳＣ）による融点（Ｔｍ）が観測されないか又は融点（Ｔｍ）が０〜１００℃の結晶性樹脂である。
   （ｑ）｛［ｍｍｍｍ］／［ｍｍｒｒ］＋［ｒｍｍｒ］｝≦２０
7. 下記（Ａ）と（Ｂ）又は（Ａ）と（Ｂ）と（Ｃ）からなる触媒の存在下、炭素数３〜２８のα−オレフィンの一種を単独重合または二種以上を共重合、あるいは炭素数３〜２８のα−オレフィンから選ばれる一種以上とエチレンとを共重合するに際し、水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜５０００の範囲において重合反応を行うことを特徴とする請求項１に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。
   （Ａ）シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基を有する周期律表第３〜１０族の金属元素を含む遷移金属化合物
   （Ｂ）遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成しうる化合物
   （Ｃ）有機アルミニウム化合物
8. 水素と遷移金属化合物とのモル比（水素／遷移金属化合物）が０〜１００００の範囲において重合反応を行うことを特徴とする請求項７に記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。
9. 遷移金属化合物が一般式（Ｉ）で表される二架橋錯体である請求項７記載の高純度末端不飽和オレフィン系重合体の製造方法。
   

   

   〔式中、Ｍは周期律表第３〜１０族の金属元素を示し、Ｅ¹及びＥ²はそれぞれシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基，置換インデニル基，ヘテロシクロペンタジエニル基，置換ヘテロシクロペンタジエニル基，アミド基，ホスフィン基，炭化水素基及びケイ素含有基の中から選ばれた配位子を示し、Ａ¹及びＡ²を介して架橋構造を形成している。Ｅ¹及びＥ²は互いに同一でも異なっていてもよく、また、Ｅ¹及びＥ²のうちの少なくとも一つは、シクロペンタジエニル基、置換シクロペンタジエニル基、インデニル基又は置換インデニル基である。Ｘはσ結合性の配位子を示し、Ｘが複数ある場合、複数のＸは同じでも異なっていてもよく、他のＸ，Ｅ¹，Ｅ²又はＹと架橋していてもよい。Ｙはルイス塩基を示し、Ｙが複数ある場合、複数のＹは同じでも異なっていてもよく、他のＹ，Ｅ¹，Ｅ²又はＸと架橋していてもよい。Ａ¹及びＡ²は二つの配位子を結合する二価の架橋基であって、炭素数１〜２０の炭化水素基、炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基、スズ含有基、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ₂−、−Ｓｅ−、−ＮＲ¹−、−ＰＲ¹−、−Ｐ（Ｏ）Ｒ¹−、−ＢＲ¹−又は−ＡｌＲ¹−を示し、Ｒ¹は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又は炭素数１〜２０のハロゲン含有炭化水素基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。ｑは１〜５の整数で〔（Ｍの原子価）−２〕を示し、ｒは０〜３の整数を示す。〕