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JPWO2004111297A1 - 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法 - Google Patents

処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法 Download PDF

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JPWO2004111297A1
JPWO2004111297A1 JP2005506906A JP2005506906A JPWO2004111297A1 JP WO2004111297 A1 JPWO2004111297 A1 JP WO2004111297A1 JP 2005506906 A JP2005506906 A JP 2005506906A JP 2005506906 A JP2005506906 A JP 2005506906A JP WO2004111297 A1 JPWO2004111297 A1 JP WO2004111297A1
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河西　　繁
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紀彦 山本
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Abstract

本発明は、有機金属化合物ガスを用いた成膜において、安定した流量で処理容器内に均一に有機金属化合物原料ガスの供給を可能とすることを目的とする。そのため、本発明は、成膜装置の処理容器上に設けられ、前記処理容器内に設けられた基板保持台に保持される被処理基板に有機金属化合物ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構であって、前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、前記処理ガス拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする処理ガス供給機構を用いる。

Description

本発明は、成膜装置の処理ガス導入機構、当該処理ガス導入機構を有する成膜装置および成膜方法に関し、特には成膜装置に有機金属材料を供給する処理ガス導入機構、当該処理ガス導入機構を有する成膜装置および成膜方法に関する。
近年の高度化・高集積化された半導体装置を製造する工程において、微細パターンに良好なカバレッジで成膜できるＣＶＤ法（化学気相体積法）は重要な技術の一つとなっている。また、スパッタリングなどのＰＶＤ法では形成することが困難な種類の膜を形成することが可能であり、今後の高性能半導体装置製造においては必須の技術である。
例えば、原料ガスに有機金属化合物を用いたＣＶＤ法では、金属カルボニル原料である、Ｗ（ＣＯ）６、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、Ｃｏ２（ＣＯ）８、Ｒｈ４（ＣＯ）１２、Ｒｅ２（ＣＯ）１０を用いてそれぞれ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅなどの金属膜を成膜することができる。また、有機金属化合物材料を用いたＣＶＤでは金属膜の他にも、金属酸化膜、金属窒化膜、金属シリサイド膜及び金属シリコン窒化膜などを形成することが可能であり、半導体装置の製造に関して有用な技術である。
しかし、前記したような有機金属化合物材料は一般に蒸気圧が低く、有機金属化合物材料を気化させて、さらに気化した有機金属化合物材料を凝縮・凝固させることなく安定に成膜装置に供給することは困難であった。
図１には、従来の成膜装置の例である成膜装置１０を示す。図１を参照するに、成膜装置１０は、排気口１１Ｃにより排気される処理容器１１を備え、前記処理容器１１中には被処理基板Ｗｆを保持する、ヒータ１１ａを内蔵した基板保持台１１Ａが設けられている。
さらに前記処理容器１１上には有機金属化合物ガスを含む処理ガスを導入するシャワーヘッド１１Ｂが設けられており、前記シャワーヘッド１１Ｂには、例えばＷ（ＣＯ）６などの有機金属化合物よりなる原料を保持するバブラ１３から、前記有機金属化合物ガスが、Ａｒなどのキャリアガスと共に、処理ガスとして、バルブ１２Ａおよびライン１２を介して供給される。前記バブラ１３にはＡｒなどよりなるキャリアガスがライン１３Ｂより供給され、バブリングを生じる構造となっている。
このようにして供給された処理ガスは、前記シャワーヘッド１１Ｂから当該シャワーヘッド１１Ｂに形成されたガス穴１１Ｄから処理容器１１に、図中に矢印で示すように供給され、前記被処理基板Ｗｆの表面に熱分解によって形成される金属膜が堆積する。
この場合、原料となる有機金属化合物を気化させるため、また気化した有機金属化合物を安定に前記処理容器１１に供給するために、前記バブラ１３、前記ライン１２、前記バルブ１２Ａ、前記シャワーヘッド１１Ｂなどは、例えば図示を省略したヒータなどにより、加熱されている。
しかし、このようなバブリングにより前記処理ガスを供給する場合は、低蒸気圧の有機金属化合物原料などは原料の気化効率が悪く、大流量を供給することが困難となり、安定な有機金属化合物ガスの供給が困難となる場合がある。
また、一般的に成膜装置に用いられるシャワーヘッド構造では前記被処理基板Ｗｆ上にガスを均一に供給するため、当該シャワーヘッド構造に形成されるガス穴の径を小さくしている。そのために、シャワーヘッド構造内で圧力が大きくなる。前記成膜装置１０の場合、前記ガス穴１１Ｄの径を小さくしているために、前記シャワーヘッド１１Ｂ内での圧力が上昇し、低蒸気圧である有機金属化合物ガスの供給量が減少し、安定なガスの供給が困難となる場合があった。
また、有機金属化合物ガスの供給量を増大させるために前記ガス穴の径を大きくすると、前記被処理基板Ｗｆ上に供給されるガスの量が不均一になる問題が生じていた。（例えば、特開平４−２１１１１５号公報、特開昭５６−９１４３５号公報、特開昭５９−２０７６３１号公報）。
本発明では、上記の問題を解決した、処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法を提供することを目的としている。
本発明の具体的な課題は、有機金属化合物ガスを用いた成膜において、安定した流量で処理容器内に均一に有機金属化合物原料ガスの供給を可能とする処理ガス導入機構、成膜装置および成膜方法を提供することである。
本発明の第１の観点では、上記の課題を解決するために、成膜装置の処理容器上に設けられ、前記処理容器内に設けられた基板保持台に保持される被処理基板に有機金属化合物ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構であって、前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、前記処理ガス拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする処理ガス供給機構を用いる。
本発明の第２の観点では、上記の課題を解決するために、処理容器と、前記処理容器内に設けられた被処理基板を保持する基板保持台と、前記処理容器内を排気する排気口と、前記処理容器上に設けられ、前記被処理基板に有機金属化合物を含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構とを有する成膜装置であって、前記処理ガス供給機構は、前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、前記拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と、前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする成膜装置を用いる。
本発明の第３の観点では、成膜装置によって被処理基板上に成膜する成膜方法であって、前記成膜装置は、処理容器と、前記処理容器内に設けられた被処理基板を保持する基板保持台と、前記処理容器上に設けられ、前記被処理基板に有機金属化合物を含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構とを有し、前記処理ガス供給機構は、前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、前記拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と、前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴とを有し、前記処理空間に前記処理ガスを供給する処理ガス供給工程を含み、前記処理ガス供給工程では前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となる工程を含むことを特徴とする成膜方法を用いる。
本発明によれば、有機金属化合物ガスを用いた被処理基板への成膜において、有機金属化合物ガスを含む処理ガスの供給経路の圧力損失を小さくした処理ガス供給機構を有する成膜装置を用いる。そのため、処理ガスの供給経路における圧力上昇を抑制し、蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを、被処理基板に安定に供給することが可能となる。
［図１］従来の成膜装置の概略図である。
［図２］低蒸気圧の有機金属化合物の蒸気圧曲線の例である。
［図３］本発明による処理ガス導入機構および成膜装置を示す概略図である。
［図４］本発明による処理ガス導入機構の詳細を示す断面図である。
［図５］図４の処理ガス導入機構に用いる拡散部品を示す斜視図である。
［図６］（Ａ），（Ｂ）は、図４の処理ガス導入機構に用いるシャワープレートの断面図である。
［図７］図４の処理ガス導入機構に用いるシャワープレートの平面図である。
［図８］図７のシャワープレートのガス穴部分の拡大断面図である。
［図９］ガス穴のペクレ数を変化させた場合の、複数のガス穴間での処理ガス供給量の均一性と、ガス穴での圧力上昇を示した図である。
［図１０］有機金属化合物材料と、形成される膜の例である。
 符号の説明
１０，２０ 成膜装置
１００ 処理容器
１００Ａ 処理空間
１００Ｂ 排気口
１０１ 上部容器
１０２ 蓋部
１０３ 下部容器
１０４ 基板保持台
１０５ 支持部
１０６ 固定具
１０８ 取付台
１１１ カバー
１１Ａ フランジ
１１Ｂ 排気管
１１２ リフトピン取付台
１１３ リフトピン
１１４ 上下機構
１１５ 配線
１１６ 電源
１１７ 排気配管
１１８ ゲートバルブ
２００ 処理ガス供給部
２００Ａ 拡散室
２０１ シャワープレート
２０１Ａ ガス穴
２０１Ｂ 流路
２０１Ｃ 流路蓋
２０１Ｄ ネジ穴
２０１Ｅ 熱交換媒体導入口
２０１Ｇ 熱交換媒体排出口
２０１Ｈ 配管
２０３ 上部本体
２０４ ネジ
２０５，２０８ 拡散部品
２０５Ａ，２０８Ａ 上部板
２０５Ｂ，２０８Ｂ ガス通路
２０５Ｃ，２０８Ｃ 下部板
２０６ 処理ガス導入口
２０７ ネジ
３００ 原料供給部
Ｇ ガスボックス
３０１ 原料容器
３０１Ａ 固体原料
３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０７ ガスライン
３０２Ａ，３０２Ｂ，３０３Ａ，３０４Ａ，３０５Ａ，３０６Ａ，３０７Ａ バルブ
３０２Ｃ 質量流量コントローラ
３０４Ｂ 圧力計
Ｄ 拡散係数
Ｌ 長さ
Ｖ 流速
Ｐ１，Ｐ２ 圧力
まず、本発明の概要に関して説明する。
図２には、ＣＶＤ法による成膜に用いる有機金属化合物原料の例として、Ｗ（ＣＯ）６の蒸気圧曲線を示す。有機金属化合物の蒸気圧は、概ね１Ｔｏｒｒ以下であり、本発明は蒸気圧が１Ｔｏｒｒ以下の、有機金属化合物を気化して、処理ガスとして用いる場合に適用する。
図２を参照するに、Ｗ（ＣＯ）６の常温での蒸気圧は、０．０１Ｔｏｒｒ以下と低く、気化させて供給することが困難である。そのため、有機金属化合物原料および供給系を加熱して用いることが多く、例えば、図２に示すようにおよそ３１０〜３５０Ｋ程度の温度に加熱する。しかし、この場合でもＷ（ＣＯ）６の蒸気圧はおよそ０．１〜３Ｔｏｒｒ（２６．７〜３９９．９Ｐａ）であり、有機金属化合物ガスの供給経路をこの蒸気圧以下の圧力とする必要がある。
そのため、有機金属化合物ガスの供給経路における圧力損失を小さくし、圧力上昇が生じることの少ない、コンダクタンスが大きい供給経路を形成する必要がある。
本発明では、気化させた有機金属化合物を供給する供給経路の圧力損失を少なくして圧力上昇を抑制して、有機金属化合物ガスの蒸気圧以下にすることで、安定な流量で有機金属化合物ガスの供給を行う処理ガス供給機構、当該処理ガス供給機構を有する成膜装置および成膜方法を提案する。
図３は、本発明による処理ガス供給機構および当該処理ガス供給機構を有する成膜装置２０の概略を示す図である。
図３を参照するに、成膜装置２０の概略は、大別して被処理基板Ｗｆを保持する基板保持台１０４を含む処理容器１００と、前記処理容器１００上に設置され、前記処理容器１００内の被処理基板Ｗｆ上に有機金属化合物を含む処理ガスを供給する処理ガス供給部２００と、前記処理ガス供給部２００に、有機金属化合物原料を気化させて供給する原料供給部３００からなる。
まず、前記処理容器１００についてみると、前記処理容器１００は、略円筒状の上部容器１０１と、当該上部容器１０１の底部の中央部に形成された開口部に取り付けられた当該上部容器１０１より小さい略円筒状の下部容器１０３が接続された構成となっており、さらに前記処理ガス供給部２００は、前記上部容器１０１上に設置された蓋部１０２に嵌合して設置され、前記蓋部１０２を前記上部容器１０１より装脱着することで、前記処理ガス供給部２００を前記処理容器１００より装脱着することが可能な構造となっている。
前記上部容器１０１内には前記基板保持台１０４が支持部１０５に支持されて設置されており、前記支持部１０５は前記上部容器１０１の底部の中央部に形成された穴を貫通して起立するように設置されている。
また、被処理基板Ｗｆを保持する基板保持台１０４は、例えばＡｌＮやＡｌ２Ｏ３などのセラミック材料からなり、内部にヒータ１０４Ａが埋設され、被処理基板Ｗｆを加熱する構造になっている。前記支持部１０５は略円筒状であり、当該支持部１０５の内部には、前記ヒータ１０４Ａと接続する配線１１５が挿通され、前記配線１１５に接続される電源１１６より電力が供給される。
また、前記支持部１０５は、当該支持部１０５の底部を、Ａｌなどの金属部材からなる取付台１０８上にＡｌなどの金属部材からなる固定具１０６によって面接触で取り付けられている。また前記取付台１０８は、前記下部容器１０３の底部の開口部にフランジ１１１Ａを有するカバー１１１を介してＯリングなどのシール材で気密に支持されるように取り付けられている。
また、前記カバー１１１には排気手段に接続される排気管１１１Ｂが設けられ、当該排気管１１１Ｂを介して前記支持部１０５の内部が真空排気される。前記排気管１１１Ｂに、たとえばＡｒや窒素などの不活性気体を導入して、前記支持部１０５内部をパージして前記配線１１５および端子などの酸化防止を行うことも可能である。
前記カバー１１１内には、前記配線１１５を固定するために、また前記配線１１５を前記下部容器１０３より絶縁する目的で、例えばＡｌ２Ｏ３などからなる絶縁部材１０７が設けられている。
前記下部容器１０３の側壁部分には、開口部１００Ｂが設けられ、例えばポンプなどの排気手段が、排気配管１１７を介して接続され、成膜装置２０内の空間を真空排気する構造となっている。
次に、前記処理ガス供給部２００は、偏平な略円筒形状を有する上部本体２０３と、前記上部本体２０３と接続して設けられる略円盤状のシャワープレート２０１とで構成されており、当該上部本体２０３と当該シャワープレート２０１の間の隙間はシールリング２０３Ｃにより密封され、内部に処理ガスが拡散する拡散室２００Ａが画成されている。
前記上部本体２０３の外側壁には、略環状の突起部があり、当該突起部を前記蓋部１０２に気密に係合させて、ネジ２０４によって前記処理容器１００に固定されている。また、その際に前記シャワープレート２０１の下面と被処理基板Ｗｆが略平行となるようにし、処理ガスが均一に前記被処理基板Ｗｆに供給される処理空間１００Ａが形成される。
前記シャワープレート２０１には、前記拡散室２００Ａから前記処理空間１００Ａに連通するガス穴２０１Ａが複数形成されている。そして、処理ガス導入口２０６から供給される処理ガスを、前記拡散室２００Ａを介してガス穴２０１Ａより前記処理空間１００Ａに均一に供給するようになっている。また、その際、図４以下で後述する拡散部品２０５を用いることも可能である。
従来の成膜装置では、処理室内に均一に処理ガスを供給するために、例えばシャワープレートに形成されたガス穴が略１．０ｍｍ以下と小さくしているのでガス供給経路内で圧力損失が大きくなって、処理ガスの圧力が上昇してしまい、蒸気圧の低い有機金属化合物を気化させることが困難となる問題があった。本発明においては、前記ガス穴２０１Ａの径を大きくし、さらに最適化することで、蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを供給する際のガス供給経路内の圧力損失を小さくし、安定にかつ均一に有機金属化合物ガスを被処理基板Ｗｆ上に供給することが可能になっている。前記シャワープレート２０１および前記ガス穴２０１Ａの構造については後述する。
また、前記処理ガス供給部２００は、前記拡散室２００Ａに供給された有機金属化合物の蒸気圧を高く維持し、また再凝固を防ぐために加熱機構が設けられている。前記加熱機構は、前記上部本体２０３の上部に設けられ、前記上部本体２０３には、流路２０３Ａが形成され、図示しない媒体導入手段より加熱された熱交換媒体を流すことで前記上部本体２０３が室温〜１５０℃、好ましくは２０〜１００℃、より好ましくは３０〜５０℃程度に維持される。
さらに、前記シャワープレート２０１にも図示しない熱交換媒体を流す流路が形成され、前記シャワープレート２０１が、例えば３０〜５０℃維持されて、前記拡散室２００Ａが３０〜５０℃に維持される。
前記処理ガス供給部２００には、有機金属化合物を気化させて処理ガスを供給する原料供給部３００が接続されている。当該原料供給部３００は、ガスボックスＧに、有機金属化合物原料からなる固体原料３０１Ａを保持する原料容器３０１が収納され、当該原料容器３０１内で気化された前記固体原料３０１Ａは、ガスライン３０３から前記原料容器３０１へ供給されるキャリアガスと共に、処理ガスとしてガスライン３０５を介して前記処理ガス導入口２０６へ供給される構造になっている。
前記キャリアガスは、例えばＡｒなどの不活性ガスからなり、例えばＡｒなどの不活性ガスの供給源となるガス源３０９が、ガスライン３０３に接続されている。
前記ガスライン３０３についてみると、当該ガスライン３０３には、バルブ３０３Ａ、３０３Ｃが設けられ、また質量流量コントローラ３０３ａおよびフィルタ３０３Ｂが設けられている。
前記バルブ３０３Ａおよび３０３Ｃを開放することで、Ａｒからなるキャリアガスが前記原料容器３０１に導入され、その際キャリアガスは前記質量流量コントローラ３０３ａにより流量が制御され、キャリアガスの流量を制御して前記処理容器中に供給される気相原料中における有機金属化合物の濃度を制御することができる。
前記原料容器３０１に導入されたキャリアガスは、気化した前記固体原料３０１Ａと共に処理ガスとして、バルブ３０５Ａおよび３０５Ｂを開放することで、ガスライン３０５より前記処理ガス導入口２０６を介して前記処理ガス供給部２００内に供給される。また、前記ガスライン３０５と３０３は、バルブ３０７Ｂを設けたガスライン３０７と接続され、当該バルブ３０７Ｂを開にして、ガスライン３０５内をパージすることができる。また、前記ガスライン３０５には、圧力計３０８が設けられ、バルブ３０８Ａを開放することで前記ガスライン３０５の圧力を測定することができ、原料ガスの気化状態が最適に制御される。
また、前記ガスライン３０５にはバルブ３０６Ａを付したガスライン３０６が接続されており、当該ガスライン３０６は、例えば排気ポンプなどの排気手段に接続されて、処理ガスを排気することが可能な構造になっている。
これは、例えば処理ガスを前記拡散室２００Ａに供給する場合に、処理ガスの供給を開始した直後は処理ガスの流量は不安定であるため、前記バルブ３０５Ｂを開放する前に、前記バルブ３０６Ａを開放することで、供給される流量が不安定な状態で処理ガスを排気し、流量が安定した後、前記バルブ３０６Ａを閉じてから、或いは当該バルブ３０６Ａを閉じると同時に、前記バルブ３０５Ｂを開放することで、安定した流量の処理ガスを前記拡散室２００Ａに供給する。
また、前記ガスライン３０５には、前記ガス源３０９に接続されたガスライン３０４が接続されている。前記ガスライン３０４には、バルブ３０４Ａ、３０４Ｃ、フィルタ３０４Ｂおよび質量流量コントローラ３０４ａが設置され、前記バルブ３０４Ａおよび３０４Ｃを開放することで、前記質量流量コントローラで流量を調整しながら、Ａｒなどの不活性ガスによってガスライン３０５や前記処理ガス供給部２００をパージすることが可能となっている。
また、前記ガスライン３０４には、前記質量流量コントローラ３０４ａが目詰まりなどの故障の際に、前記質量流量コントローラ３０４ａを介さずに、不活性ガスによってガスラインや前記処理ガス供給部２００をパージするためのガスライン３０４’がバルブ３０４’Ａを介して接続されている。
同様に、前記ガスライン３０５には、前記ガス源３０９に接続されたガスライン３０２が接続されている。前記ガスライン３０２には、バルブ３０２Ａ、３０２Ｃ、フィルタ３０２Ｂおよび質量流量コントローラ３０２ａが設置され、前記バルブ３０２Ａおよび３０２Ｃを開放することで、前記質量流量コントローラ３０２ａで流量を調整しながら、Ａｒなどの不活性ガスによってガスライン３０５や前記処理ガス供給部２００をパージすることが可能となっている。
また、常温では有機金属化合物の蒸気圧が低いため、前記ガスボックスＧ内の斜線で示す範囲にはヒータＨＴが取り付けられて、例えば前記原料容器３０１、前記ガスライン３０５、３０６、３０７、前記ガスライン３０２、３０３、３０４は、前記ヒータＨＴにより、例えば３０〜５０℃程度に加熱され、有機金属化合物の蒸気圧を高く維持して有機金属化合物の気化を容易にしている。
このように、有機金属化合物ガスを含む処理ガスを処理容器内に供給する際、ガスライン内の圧力上昇を少なくするために、前記原料ガス供給部３００は、前記処理ガス供給部２００に、できるだけ近づけるようにして設置することが好ましい。例えば、前記処理ガス供給部２００の直上に設置した、前記原料ガス供給部３００と、前記処理ガス供給部２００を接続するライン３０５は、可能な限り短くなるようにし、処理ガスの供給路のコンダクタンスを大きくして処理ガスの供給路中での圧力上昇を抑えるようにすることが好ましい。例えば、処理ガス導入口２０６から前記原料容器３０１間のガスラインの長さは１５００ｍｍ以内が好ましいが、装置スペースを考慮すると１１００ｍｍ以内がより好ましい。
また、前記ガスライン３０５は配管の内径は、例えば好ましくは略１５〜１００ｍｍ、より好ましくは１６〜４０ｍｍとして、従来の配管より大きくし、圧力損失を小さくすることにより、処理ガスを供給する際の圧力上昇を抑えて、蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを含む処理ガスを大流量で、安定に供給することが可能になっている。また、このようにバルブや配管の内径を大きくした場合、パーティクルが発生しにくい構成とすることが好ましい。
次に、前記処理ガス供給部２００の詳細について、図４を用いて説明する。
図４は、図３に示した成膜装置２０の前記処理ガス供給部２００の拡大図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図４を参照するに、前記処理ガス供給部２００は、前記シャワープレート２０１が、前記上部本体２０３に、ネジ２０７によって取り付けられ、内部に処理ガスが拡散する拡散室２００Ａが画成される構造となっている。また、シャワープレートと上部本体は一体で形成してもよい。前記原料供給部３００から供給される、例えばＷ（ＣＯ）６などの有機金属化合物ガスを含む処理ガスは、前記処理ガス導入口２０６から導入されて前記拡散室２００Ａ内を拡散し、前記ガス穴２０１Ａから前記処理空間１００Ａに供給される。その際、前記したように、前記ガス穴２０１Ａの径を、大きくしているため、前記ガス穴２０１Ａにおける圧力損失、すなわち圧力上昇を抑制して蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを安定して供給することを可能としている。
しかし、前記ガス穴２０１Ａの径を大きくすると、供給される処理ガスの複数のガス穴２０１の間での流量が不均一となり、その結果被処理基板上に形成される膜の均一性が悪化する。これは、前記拡散室２００Ａと、前記処理空間１００Ａの圧力差が小さくなるために、処理ガスが前記拡散室２００Ａに十分拡散されず、例えば、前記処理ガス導入口２０６に対向する前記シャワープレート２０１の中心付近に形成されたガス供給穴２０１Ａから噴出される処理ガスの流量が多く、前記シャワープレート２０１の周縁部に形成されたガス供給穴２０１Ａから噴出される処理ガスの流量は少なくなってしまう傾向がより顕著になる。
そのため、処理ガスの圧力上昇を抑制しながら、処理ガスの複数のガス穴２０１Ａ間の供給量の均一性を維持するたに、前記ガス穴２０１Ａの径を最適化する必要があるが、この方法については、図８，９において後述する。
また、前記ガス穴２０１Ａは、前記被処理基板Ｗｆの中心と対応する、前記シャワープレート２０１の中心部分を中心とするとする複数の同心円上に複数形成されており、前記被処理基板Ｗｆに対応する領域と、さらに当該領域よりも大きい領域上にも前記ガス穴２０１Ａが形成されており、そのために前記被処理基板Ｗｆの外縁部付近においても、中心付近と同様の膜厚の金属膜が形成され、前記被処理基板Ｗｆの面内での、金属膜の膜厚の均一性が良好となる。
また、前記したような、供給される処理ガスを前記拡散室２００Ａ内に均一に拡散させるために、前記処理ガス導入口２０６付近にガス拡散部品２０５を取り付けて、供給される処理ガスの流れる方向を変更して、前記拡散室２００Ａ内で前記シャワープレート２０１の周縁部まで処理ガスが十分に拡散するようにして用いることも可能である。
図５（Ａ），（Ｂ）は、拡散部品の形状の例を示す斜視図である。まず図５（Ａ）に示す拡散部品２０５についてみると、前記拡散部品２０５は、ドーナツ状の上部板２０５Ａ、円盤状の下部板２０５Ｃおよび当該上部板２０５Ａと当該下部板２０５Ｃに挟まれた、略円筒状で、側壁に略長方形の開口部を有するガス通路２０５Ｂからなる。
処理ガスが上部板２０５Ａの開口部から供給されて、下部板２０５Ｃによって流れの方向が変更され、前記ガス通路２０５Ｂに形成された、例えばスリット状の開口部から前記拡散室２００Ａに供給される構造になっている。そのため、処理ガスは前記シャワープレート２０１の周縁部まで到達する割合が多くなり、前記処理ガス供給機構２００から供給される処理ガスの流量の、複数のガス穴２０１間での均一性が良好となる。
また、図５（Ａ）の変更例である、図５（Ｂ）についてみると、拡散部品２０８は、ドーナツ状の上部板２０８Ａ、円盤状の下部板２０８Ｃおよび当該上部板２０８Ａと当該下部板２０８Ｃに挟まれた、側壁に開口部を有する略円筒状のガス通路２０８Ｂからなる。前記図５（Ｂ）の場合は、前記ガス通路２０８Ｂの側壁に形成された開口部が、略円形であるが、前記図５（Ａ）の場合と同様に、処理ガスは前記シャワープレート２０１の周縁部まで到達する割合が多くなり、前記処理ガス供給機構２００から供給される処理ガスの流量の、複数のガス穴２０１間での均一性が良好となる。
また、以下に示すように、前記上部本体２０３およびシャワープレート２０１には、流路が形成され、当該流路に熱交換媒体が流されることにより、前記処理ガス供給部２００全体を例えば３０〜５０℃程度に保持して、気化した有機金属化合物が安定に供給されるようにしている。
まず、前記上部本体２０３についてみると、前記上部本体２０３の上面には流路２０３Ａが形成され、熱交換媒体が流される構造になっている。前記流路２０３Ａを形成するには、まず前記上部本体２０３の外側から流路２０３Ａとなる溝を形成し、当該溝を流路蓋２０３Ｂによって塞ぎ、例えばビーム溶接などによって前記流路蓋２０３Ｂを前記上部本体２０３に固定して、流路２０３Ａを形成している。
次に、前記シャワープレート２０１についてみると、前記シャワープレート２０１内部には流路２０１Ｂが、前記ガス供給穴２０１Ａの間に形成され、熱交換媒体が流される構造になっている。前記流路２０１Ｂを形成するには、まず前記シャワープレート２０１の外側から流路２０１Ｂとなる溝を形成し、当該溝を流路蓋２０１Ｃによって塞ぎ、例えばビーム溶接などによって前記流路蓋２０１Ｃを前記シャワープレート２０１に固定して、流路２０１Ｂを形成している。また、前記流路２０１Ｂには、前記上部本体２０３側に形成された、管状の熱交換媒体導入部品２０１Ｈが、流路２０１ＢＨを介して接続されている。この構造の詳細と、前記流路２０１Ｂの構造に関しては、次に図６（Ａ），（Ｂ）を用いて説明する。
図６（Ａ）は、図４における前記シャワープレート２０１のＡ−Ａ断面図である。但し、本図では前記ガス穴２０１Ａは図示を省略している。
図６（Ａ）を参照するに、前記流路２０１Ｂは、略円盤状のシャワープレート２０１の中に大別して３つの環状に形成されており、周縁部付近に形成された流路２０１ａと、当該流路２０１ａの内側に形成された流路２０１ｂ、さらに当該流路２０１ｂの内側へ形成された流路２０１ｃからなる。
また、前記流路２０１ａと２０１ｂは流路２０１ｄ、２０１ｃによって流路が接続され、前記流路２０１ｂと２０１ｃは、流路２０１ｆ、２０１ｇによって流路が接続されている。
また、前記流路２０１ａが、前記流路２０１ｄおよび流路２０１ｃと接続する部分の間には、熱交換媒体の流れを変えるストップピン２０１ｉが設けられている。また、前記流路２０１ａが熱交換媒体導入口２０１Ｅおよび熱交換媒体排出口２０１Ｆと接続する部分の間にはストップピン２０１ｈが挿入されている。
同様に、前記流路２０１ｂが、前記流路２０１ｄおよび流路２０１ｅと接続する部分の間には、ストップピン２０１ｊが挿入されている。また、前記流路２０１ｂが前記流路２０１ｆおよび流路２０１ｇと接続する部分の間にはストップピン２０１ｋが挿入されている。また、前記流路２０１ｃが、前記流路２０１ｆおよび流路２０１ｇと接続する部分の間には、ストップピン２０１ｌが挿入されている。
熱交換媒体は熱交換媒体導入口２０１Ｅから前記流路２０１ｂに導入され、そこで前記ストップピン２０１ｈがあるために、前記流路２０１ｂ中を反時計回りに流れ、さらに略半周前記流路２０１ｂを流れると、前記ストップピン２０１ｉがあるために、熱交換媒体は、前記流路２０１ｄに導入される。
前記流路２０１ｄが前記流路２０１ｂに接続される部分には、前記ストップピン２０１ｊおよび２０１ｋがあるため、熱交換媒体は、前記流路２０１ｄから前記流路２０１ｂを横切って前記流路前記流路２０１ｆに導入される。そこで前記流路２０１ｆから前記流路２０１ｃへと熱交換媒体が導入され、前記ストップピン２０１ｌがあるために熱交換媒体は前記流路２０１ｃを反時計回りに略１周流れたあと、前記流路２０１ｇから前記流路２０１ｂに導入される。
このように、熱交換媒体は前記流路２０１ｂを略一周時計回りに流れた後、前記流路２０１ｅを介して前記流路２０１ａに再び導入される。前記流路２０１ｂに導入された熱交換媒体は略半周前記流路２０１ｂを半時計方向に流れた後、熱交換媒体排出口２０１Ｆより排出される。また、前記流路２０１ａ、２０１ｂおよび２０１ｃの間隔は、前記シャワープレート２０１を均一に加熱するために最適に設計されており、このため、熱交換媒体によって前記シャワープレート２０１を均一に加熱することが可能となっている。また、前記流路２０１ａ〜２０１ｇは、前記ガス供給穴２０１Ａの間に形成されている。
なお、ネジ穴２０１Ｄは、前記ネジ２０７を挿通する穴である。
また、図６（Ａ）のＢ−Ｂ断面の拡大図を図６（Ｂ）に示す。前記熱交換媒体導入口２０１Ｅには、管状の熱交換媒体導入部品２０１Ｈが溶接され、また当該熱交換媒体導入部品２０１Ｈは、図示を省略した前記上部本体２０３に形成された穴に挿通され、さらに配管などの部品を介して熱交換媒体の循環装置に接続される。同様に、前記熱交換媒体排出口２０１Ｆにも管状の部品が接続され、配管部品などを介して熱交換媒体の循環装置に接続される構造になっている。
次に、前記シャワープレート２０１のガス穴２０１Ａについて、図７を用いて説明する。
図７は、前記シャワープレート２０１の平面図である。ただし図中、前記ガス穴２０１以外は図示を省略している。
図７を参照するに、円盤状のシャワープレートの中心を中心Ｃとすると、当該中心Ｃは、前記処理ガス供給部２００を前記処理容器１００上に設置した時に、前記被処理基板Ｗｆの略中心に対向する位置となっている。
前記ガス穴２０１Ａは、前記中心Ｃを中心とする同心円である円ｒ１〜１３上に複数形成されている。また、それぞれのｒ１〜１３の円上では、隣接する前記ガス穴２０１Ａの間隔が等しくなるように当該ガス穴２０１Ａが形成されている。例えば、半径ｒ１の円上には６個のガス穴２０１Ａが、それぞれ隣接するガス穴との間隔が等しくなるように形成されている。このような円ｒ１〜１３とその半径、およびガス穴２０１の個数の例を以下に示す。
Figure 2004111297
また、例えば、前記ガス穴２０１Ａを前記シャワープレート２０１上に均等に形成する方法として、以下の方法がある。前記中心Ｃを通る３本の直線ｌを考えた場合、３本の直線ｌにおいて、それぞれに隣接するｌによって形成される角度をＤｅとすると、Ｄｅが６０度になるようにする。
そこで、前記円ｒ１〜１３上に形成されたガス穴２０１Ａが、上記のように形成された直線ｌ上に形成されるようにする。
このように、前記ガス穴２０１Ａを被処理基板に対して均等に配置することにより、被処理基板の面内において、供給される処理ガスの量が均等となって、被処理基板上に形成される膜の均一性を良好にすることができる。ガス穴の配置は、被処理基板に対して均一にガスが吐出されるように適宜配置可能である。
次に、前記ガス穴２０１Ａの形状の最適化について、図８〜９を用いて説明する。
図８は、前記シャワープレート２０１の前記ガス穴２０１Ａの断面図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図８を参照するに、前記拡散室２００Ａに存在する処理ガスは、前記ガス穴２０１Ａを通過して前記処理空間１００Ａに供給される。その際に、前記シャワープレートの厚さ、すなわち前記ガス穴２０１Ａの長さを長さＬ、処理ガスが前記ガス穴２０１Ａを通過する際の流速をＶ、処理ガスの拡散係数をＤとすると、処理ガスの流れによる輸送速度に対する処理ガスの拡散による輸送速度の比であるペクレ数Ｐｅは、以下の式で表される。（速度論、小宮山宏著、朝倉書店、Ｐ６６）。
Figure 2004111297
例えば、前記ガス穴２０１の穴の径Ｈが大きくすると、処理ガスの流速Ｖが小さくなり、ペクレ数Ｐｅが小さくなる。この場合、処理ガスの拡散による処理ガス分子の輸送の影響が大きくなる。また前記径Ｈを小さくすると、処理ガスの流速Ｖが大きくなり、ペクレ数Ｐｅが大きくなる。この場合、処理ガスの流れによる処理ガス分子の輸送の影響が大きくなる。このように、ガス穴２０１の径Ｈの最適値は、処理ガスに応じたガス穴のペクレ数Ｐｅの最適値として表現することが可能である。
前記シャワープレート２０１の場合、ペクレ数を小さくとると、すなわち前記ガス穴２０１の径Ｈを大きくすると、前記がス穴２０１での圧力損失が減少して前記ガス穴２０１Ａの前記拡散室２００Ａに接する部分の圧力Ｐ１と、前記ガス穴２０１Ａの前記処理空間１００Ａに接する部分の圧力Ｐ２との差、ｄＰが小さくなる。このため、処理ガスを供給する際の圧力上昇を抑えて、蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを安定に被処理基板に供給することができる。
しかし、このようにペクレ数を小さくすると、すなわち前記ガス穴２０１の径Ｈを大きくすると、前記シャワープレート２０１に形成された複数のガス穴２０１Ａより供給される処理ガスの流量が不均一となり、その結果被処理基板上に形成される膜の均一性が悪化するという問題がある。例えば、前記処理ガス導入口２０６に対向する前記シャワープレート２０１の中心付近に形成されたガス供給穴２０１Ａから供給される処理ガスの流量が多く、また前記シャワープレート２０１の周縁部に形成されたガス供給穴２０１から供給される処理ガスの流量は少なくなってしまう傾向にある。
そのため、処理ガスを供給する場合の前記ガス穴２０１Ａでの圧力損失を小さくして処理ガスの圧力上昇を抑制しながら、複数の前記ガス穴２０１Ａから供給される処理ガスの供給量の均一性を維持するために、前記ガス穴２０１の径Ｈ、すなわちペクレ数Ｐｅを最適化する必要が有る。
図９は、前記ガス穴２０１のペクレ数Ｐｅを変化させた場合の、ガス穴２０１における圧力損失、すなわち圧力Ｐ１圧力Ｐ２の圧力差ｄＰと、供給されるガス供給量の複数のガス穴２０１間の均一性を示すガス供給量の分散値σの値を算定した結果である。この場合、前記ガス穴２０１は図７に示したように形成されるものとし、例えば、ガス穴の長さである前記長さＬは３１．８ｍｍ、処理ガスの流量は４８０ｓｃｃｍとして算定した。また、図５（Ａ），（Ｂ）に示した前記ガス拡散部品２０５および２０８は用いていない。
図９を参照するに、まず供給されるガスの流量の分散値は、ペクレ数の増加に従い小さくなるが、分散値が良好となる１％以下とするため、ペクレ数０．５以上とすることが望ましい。
また、例えば、原料として用いる有機金属化合物がＷ（ＣＯ）６である場合、蒸気圧が、図２に示したように、５０℃で３２０ｍＴｏｒｒ（４２．７Ｐａ）、６０℃で７４０ｍＴｏｒｒ（９８．７Ｐａ）程度を有する。そのため、前記ガス穴２０１Ａでの圧力を、Ｗ（ＣＯ）６の蒸気圧以下とする必要があり、前記ガス穴２０１Ａ以外のガスラインやシャワーヘッドの圧力損失を考慮して、圧力Ｐ１とＰ２の圧力差ｄＰを４００ｍＴｏｒｒ以下とすることが必要であり、そのためにペクレ数を２．５以下とすることが望ましい。
このため、有機金属化合物ガスを含む処理ガスを供給する場合の前記ガス穴２０１Ａのペクレ数は０．５〜２．５の範囲とすることが好ましく、また、ガス孔の径Ｈは、１．５〜６ｍｍの範囲とすることが好ましい。また、より好ましくは、ペクレ数は１〜２．５、ガス穴の径Ｈは１．５〜４．６ｍｍの範囲とすることが好ましい。
また、ペクレ数を最適化するために、ガス穴の形状として前記長さＬ、すなわちシャワープレートの厚さを適宜変更してもよい。例えば、ペクレ数を小さくするためには前記長さＬを小さくすればよく、好ましくは５０ｍｍ以下、より好ましくは３５ｍｍ以下とするのがよい。また、前記シャワープレート２０１に熱交換媒体の流路を形成することを考慮すると、前記長さＬは１０ｍｍ以上とするのが好ましい。
また、前記拡散部品２０５または２０８など前記拡散室２００Ａ内に、前記処理ガスの流れを変更する部品を設置することにより、前記処理ガス供給機構２００から供給される処理ガスの流量の、複数のガス穴２０１間での均一性が改善される。そのために、前記ガス穴２０１Ａで、用いることが望ましいペクレ数の領域を広げることができ、例えば、本実施例の場合にペクレ数が０．５以下の領域でも使用することが可能になる。
このような前記成膜装置２０で被処理基板に成膜処理を行う場合は、ゲートバルブ１１８を開放し、被処理基板を例えば図示しない搬送アームにより、前記基板保持台１０４上に搬送し、上下機構１１４によって複数のリフトピン１１３が取り付けられた略円盤状のピン取付板１１２を上昇させて、当該リフトピン１１３によって被処理基板が授受され、前記基板保持台１０４上に被処理基板が載置される。
次に、被処理基板Ｗｆに成膜を行うために、前記質量流量コントローラ３０３ａによって流量を制御された、例えばＡｒなどのキャリアガスが、前記ガスライン３０３から前記原料容器３０１に供給される。
そこで、気化した有機金属化合物、例えばＷ（ＣＯ）６とキャリアガスからなる処理ガスが前記ガスライン３０５から、さらに、前記処理ガス導入口２０６を介して、前記拡散室２００Ａに導入される。
前記拡散室２００Ａに供給された処理ガスである有機金属化合物ガスおよびキャリアガスは、前記ガス穴２０１Ａから、前記処理空間１００Ａへと供給される。このとき、典型的には、前記ヒータ１０４Ａによって３００〜６００℃程度に加熱された前記基板保持台１０４によって、被処理基板Ｗｆは、３００〜６００℃程度に加熱され、被処理基板上にＷ（ＣＯ）６の熱分解によってＷ膜（タングステン膜）が形成される。このときの、キャリアガスであるＡｒの流量は１００〜１０００ｓｃｃｍ、前記処理空間の圧力は１〜１００Ｐａとする。
なお、ここまで有機金属化合物としてＷ（ＣＯ）６を用いた例を示したが、他の有機金属化合物を用いる場合にも実施例中に記載した場合と同様の方法を適用することが可能であり、用いることが可能である有機金属材料と、形成することが可能な膜の種類の例を図１０に示す。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
本発明によれば、有機金属化合物ガスを用いた被処理基板への成膜において、有機金属化合物ガスを含む処理ガスの供給経路の圧力損失を小さくした処理ガス供給機構を有する成膜装置を用いる。そのため、処理ガスの供給経路における圧力上昇を抑制し、蒸気圧の低い有機金属化合物ガスを、被処理基板に安定に供給することが可能となる。

Claims (18)

  1. 成膜装置の処理容器上に設けられ、前記処理容器内に設けられた基板保持台に保持される被処理基板に有機金属化合物ガスを含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構であって、
    前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、
    前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、
    前記処理ガス拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と
    前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、
    前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする処理ガス供給機構。
  2. 前記有機金属化合物は、Ｗ（ＣＯ）６であることを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給機構。
  3. 前記処理ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスを含むことを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給機構。
  4. 前記処理ガス供給機構本体は、前記被処理基板に略平行なシャワープレート面を有し、前記処理ガス供給穴は前記シャワープレート面に複数形成されることを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給機構。
  5. 前記拡散室内に前記処理ガス導入口より導入された前記処理ガスの流れる方向を変更して前記処理ガスを前記拡散室内に拡散させる拡散部品を設けたことを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給機構。
  6. 前記処理ガス供給機構本体には加熱機構が設けられていることを特徴とする請求項１記載の処理ガス供給機構。
  7. 前記加熱機構は、前記処理ガス供給機構本体に形成される流路であり、当該流路には加熱された熱交換媒体が流される構造であることを特徴とする請求項６記載の処理ガス供給機構。
  8. 処理容器と、
    前記処理容器内に設けられた被処理基板を保持する基板保持台と、
    前記処理容器内を排気する排気口と、
    前記処理容器上に設けられ、前記被処理基板に有機金属化合物を含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構とを有する成膜装置であって、
    前記処理ガス供給機構は、
    前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、
    前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、
    前記拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と、
    前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴を有し、
    前記処理ガス供給穴の形状を、前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となるようにしたことを特徴とする成膜装置。
  9. 前記有機金属化合物は、Ｗ（ＣＯ）６であることを特徴とする請求項８記載の成膜装置。
  10. 前記処理ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスを含むことを特徴とする請求項８記載の成膜装置。
  11. 前記処理ガス供給機構本体は、前記被処理基板に略平行なシャワープレート面を有し、前記処理ガス供給穴は前記シャワープレート面に複数形成されることを特徴とする請求項８記載の成膜装置。
  12. 前記拡散室内に前記処理ガス導入口より導入された前記処理ガスの流れる方向を変更して前記処理ガスを前記拡散室内に拡散させる拡散部品を設けたことを特徴とする請求項８記載の成膜装置。
  13. 前記処理ガス供給機構本体には加熱機構が設けられていることを特徴とする請求項８記載の成膜装置。
  14. 前記加熱機構は、前記処理ガス供給機構本体に形成される流路であり、当該流路には加熱された熱交換媒体が流される構造であることを特徴とする請求項１３記載の成膜装置。
  15. 前記処理ガス供給機構には、原料を気化して前記処理ガスを形成し、当該処理ガスを当該処理ガス供給機構に供給する、原料供給部が、接続配管を介して接続され、当該接続配管の内径が、１５ｍｍ〜１００ｍｍであることを特徴とする成膜装置。
  16. 成膜装置によって被処理基板上に成膜する成膜方法であって、
    前記成膜装置は、
    処理容器と、
    前記処理容器内に設けられた被処理基板を保持する基板保持台と、
    前記処理容器上に設けられ、前記被処理基板に有機金属化合物を含む処理ガスを供給する処理ガス供給機構とを有し、
    前記処理ガス供給機構は、
    前記処理ガスを導入する処理ガス導入口と、
    前記処理ガス導入口から導入した前記処理ガスを拡散させる拡散室と、
    前記拡散室を画成する処理ガス供給機構本体と、
    前記処理ガスを前記拡散室から前記処理容器内の前記被処理基板上の処理空間へと供給する処理ガス供給穴とを有し、
    前記処理空間に前記処理ガスを供給する処理ガス供給工程を含み、
    前記処理ガス供給工程では前記処理ガスが前記処理ガス供給穴を通過する場合のペクレ数が０．５〜２．５となる工程を含むことを特徴とする成膜方法。
  17. 前記有機金属化合物は、Ｗ（ＣＯ）６であることを特徴とする請求項１６記載の成膜方法。
  18. 前記処理ガスは、不活性ガスからなるキャリアガスを含むことを特徴とする請求項１６記載の成膜方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070218200A1 (en) * 2006-03-16 2007-09-20 Kenji Suzuki Method and apparatus for reducing particle formation in a vapor distribution system
US8268078B2 (en) * 2006-03-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system
JP5074073B2 (ja) * 2007-03-30 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 粉体状ソース供給系の洗浄方法、記憶媒体、基板処理システム及び基板処理方法
JP2009084625A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 原料ガスの供給システム及び成膜装置
EP2227576B1 (en) * 2007-12-20 2015-06-03 Soitec Apparatus for delivering precursor gases to an epitaxial growth substrate
JP5223377B2 (ja) * 2008-02-29 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の電極、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5230225B2 (ja) * 2008-03-06 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
US20110180781A1 (en) * 2008-06-05 2011-07-28 Soraa, Inc Highly Polarized White Light Source By Combining Blue LED on Semipolar or Nonpolar GaN with Yellow LED on Semipolar or Nonpolar GaN
US8847249B2 (en) * 2008-06-16 2014-09-30 Soraa, Inc. Solid-state optical device having enhanced indium content in active regions
US20100006873A1 (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Soraa, Inc. HIGHLY POLARIZED WHITE LIGHT SOURCE BY COMBINING BLUE LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN WITH YELLOW LED ON SEMIPOLAR OR NONPOLAR GaN
US8259769B1 (en) 2008-07-14 2012-09-04 Soraa, Inc. Integrated total internal reflectors for high-gain laser diodes with high quality cleaved facets on nonpolar/semipolar GaN substrates
US8805134B1 (en) 2012-02-17 2014-08-12 Soraa Laser Diode, Inc. Methods and apparatus for photonic integration in non-polar and semi-polar oriented wave-guided optical devices
US8143148B1 (en) 2008-07-14 2012-03-27 Soraa, Inc. Self-aligned multi-dielectric-layer lift off process for laser diode stripes
US8284810B1 (en) 2008-08-04 2012-10-09 Soraa, Inc. Solid state laser device using a selected crystal orientation in non-polar or semi-polar GaN containing materials and methods
JP2011530194A (ja) 2008-08-04 2011-12-15 ソラア インコーポレーテッド 物質および蛍光体を含んだ非分極性あるいは半極性のガリウムを用いた白色灯デバイス
US8294179B1 (en) 2009-04-17 2012-10-23 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8254425B1 (en) 2009-04-17 2012-08-28 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
JP5780605B2 (ja) 2009-04-13 2015-09-16 ソラア レイザー ダイオード インク レーザ利用のためのｇａｎ基板を用いた光学素子構造
US8242522B1 (en) 2009-05-12 2012-08-14 Soraa, Inc. Optical device structure using non-polar GaN substrates and growth structures for laser applications in 481 nm
US8634442B1 (en) 2009-04-13 2014-01-21 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates for laser applications
US8837545B2 (en) 2009-04-13 2014-09-16 Soraa Laser Diode, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structures for laser applications
US8416825B1 (en) 2009-04-17 2013-04-09 Soraa, Inc. Optical device structure using GaN substrates and growth structure for laser applications
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8427590B2 (en) 2009-05-29 2013-04-23 Soraa, Inc. Laser based display method and system
US9829780B2 (en) 2009-05-29 2017-11-28 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US10108079B2 (en) 2009-05-29 2018-10-23 Soraa Laser Diode, Inc. Laser light source for a vehicle
US8247887B1 (en) 2009-05-29 2012-08-21 Soraa, Inc. Method and surface morphology of non-polar gallium nitride containing substrates
US20110056429A1 (en) * 2009-08-21 2011-03-10 Soraa, Inc. Rapid Growth Method and Structures for Gallium and Nitrogen Containing Ultra-Thin Epitaxial Structures for Devices
US8314429B1 (en) 2009-09-14 2012-11-20 Soraa, Inc. Multi color active regions for white light emitting diode
US8355418B2 (en) * 2009-09-17 2013-01-15 Soraa, Inc. Growth structures and method for forming laser diodes on {20-21} or off cut gallium and nitrogen containing substrates
US8750342B1 (en) 2011-09-09 2014-06-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with scribe structures
CN107256915A (zh) 2009-09-18 2017-10-17 天空公司 发光二极管器件
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110182056A1 (en) * 2010-06-23 2011-07-28 Soraa, Inc. Quantum Dot Wavelength Conversion for Optical Devices Using Nonpolar or Semipolar Gallium Containing Materials
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US9927611B2 (en) 2010-03-29 2018-03-27 Soraa Laser Diode, Inc. Wearable laser based display method and system
US20110247556A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-13 Soraa, Inc. Tapered Horizontal Growth Chamber
US8451876B1 (en) 2010-05-17 2013-05-28 Soraa, Inc. Method and system for providing bidirectional light sources with broad spectrum
US8816319B1 (en) 2010-11-05 2014-08-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of strain engineering and related optical device using a gallium and nitrogen containing active region
US9048170B2 (en) 2010-11-09 2015-06-02 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment
US8975615B2 (en) 2010-11-09 2015-03-10 Soraa Laser Diode, Inc. Method of fabricating optical devices using laser treatment of contact regions of gallium and nitrogen containing material
US9318875B1 (en) 2011-01-24 2016-04-19 Soraa Laser Diode, Inc. Color converting element for laser diode
US9595813B2 (en) 2011-01-24 2017-03-14 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a substrate member
US9025635B2 (en) 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
US9093820B1 (en) 2011-01-25 2015-07-28 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for laser devices using optical blocking regions
US9236530B2 (en) 2011-04-01 2016-01-12 Soraa, Inc. Miscut bulk substrates
US9287684B2 (en) 2011-04-04 2016-03-15 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters with color wheel
US9695510B2 (en) * 2011-04-21 2017-07-04 Kurt J. Lesker Company Atomic layer deposition apparatus and process
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US8971370B1 (en) 2011-10-13 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices using a semipolar plane
US9020003B1 (en) 2012-03-14 2015-04-28 Soraa Laser Diode, Inc. Group III-nitride laser diode grown on a semi-polar orientation of gallium and nitrogen containing substrates
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9343871B1 (en) 2012-04-05 2016-05-17 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9088135B1 (en) 2012-06-29 2015-07-21 Soraa Laser Diode, Inc. Narrow sized laser diode
TWI657164B (zh) * 2012-07-25 2019-04-21 應用材料股份有限公司 用於大面積電漿增強化學氣相沈積之系統及方法的製程氣體流動引導元件
US9184563B1 (en) 2012-08-30 2015-11-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser diodes with an etched facet and surface treatment
JP6123208B2 (ja) * 2012-09-28 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9166372B1 (en) 2013-06-28 2015-10-20 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium nitride containing laser device configured on a patterned substrate
US9520695B2 (en) 2013-10-18 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser device having confinement region
US9368939B2 (en) 2013-10-18 2016-06-14 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode formed on C-plane gallium and nitrogen material
US9362715B2 (en) 2014-02-10 2016-06-07 Soraa Laser Diode, Inc Method for manufacturing gallium and nitrogen bearing laser devices with improved usage of substrate material
US9379525B2 (en) 2014-02-10 2016-06-28 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable laser diode
TWI654333B (zh) 2013-12-18 2019-03-21 美商蘭姆研究公司 具有均勻性折流板之半導體基板處理設備
US9209596B1 (en) 2014-02-07 2015-12-08 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturing a laser diode device from a plurality of gallium and nitrogen containing substrates
US9520697B2 (en) 2014-02-10 2016-12-13 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable multi-emitter laser diode
US9871350B2 (en) 2014-02-10 2018-01-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB laser diode source
JP6379550B2 (ja) * 2014-03-18 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9564736B1 (en) * 2014-06-26 2017-02-07 Soraa Laser Diode, Inc. Epitaxial growth of p-type cladding regions using nitrogen gas for a gallium and nitrogen containing laser diode
JP6298383B2 (ja) * 2014-08-19 2018-03-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US12126143B2 (en) 2014-11-06 2024-10-22 Kyocera Sld Laser, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet emitting optoelectronic device
US9246311B1 (en) 2014-11-06 2016-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method of manufacture for an ultraviolet laser diode
US20160177442A1 (en) * 2014-12-18 2016-06-23 Ervin Beloni Gas shield for vapor deposition
US9666677B1 (en) 2014-12-23 2017-05-30 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable thin film gallium and nitrogen containing devices
US9653642B1 (en) 2014-12-23 2017-05-16 Soraa Laser Diode, Inc. Manufacturable RGB display based on thin film gallium and nitrogen containing light emitting diodes
EP3275008B1 (en) * 2015-03-25 2022-02-23 Applied Materials, Inc. Chamber components for epitaxial growth apparatus
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US11437775B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US9787963B2 (en) 2015-10-08 2017-10-10 Soraa Laser Diode, Inc. Laser lighting having selective resolution
US10453721B2 (en) 2016-03-15 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control
US10269600B2 (en) 2016-03-15 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods and assemblies for gas flow ratio control
US10771155B2 (en) 2017-09-28 2020-09-08 Soraa Laser Diode, Inc. Intelligent visible light with a gallium and nitrogen containing laser source
US10222474B1 (en) 2017-12-13 2019-03-05 Soraa Laser Diode, Inc. Lidar systems including a gallium and nitrogen containing laser light source
US10551728B1 (en) 2018-04-10 2020-02-04 Soraa Laser Diode, Inc. Structured phosphors for dynamic lighting
KR102556277B1 (ko) * 2018-04-23 2023-07-17 삼성디스플레이 주식회사 성막 장치 및 성막 방법
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
JP7321730B2 (ja) * 2019-03-14 2023-08-07 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法
US11228158B2 (en) 2019-05-14 2022-01-18 Kyocera Sld Laser, Inc. Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate
US10903623B2 (en) 2019-05-14 2021-01-26 Soraa Laser Diode, Inc. Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate
JP2022118634A (ja) * 2021-02-02 2022-08-15 東京エレクトロン株式会社 粉体搬送装置、ガス供給装置及び粉体除去方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000104172A (ja) * 1998-07-28 2000-04-11 Toshiba Corp 成膜方法，成膜装置及び固形原料
JP2000313961A (ja) * 1999-03-03 2000-11-14 Ebara Corp ガス噴射ヘッド
JP2001214272A (ja) * 1999-11-24 2001-08-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
JP2001525495A (ja) * 1997-12-02 2001-12-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理チャンバおよびプラズマを閉じ込めるための方法
JP2002124488A (ja) * 2000-07-31 2002-04-26 Applied Materials Inc Ｗ（ｃｏ）６からのタングステン膜の堆積方法
JP2002371361A (ja) * 2001-06-18 2002-12-26 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置及び気相成長方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4798165A (en) * 1985-10-07 1989-01-17 Epsilon Apparatus for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow
JPS63227011A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
JP3175189B2 (ja) * 1991-05-13 2001-06-11 ソニー株式会社 減圧ｃｖｄ装置
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JPH06336677A (ja) * 1993-05-28 1994-12-06 Koyo Rindobaagu Kk プラズマｃｖｄ装置
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JPH07115064A (ja) * 1993-08-25 1995-05-02 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法並びに成膜装置の洗浄方法
US5591268A (en) * 1994-10-14 1997-01-07 Fujitsu Limited Plasma process with radicals
US6106625A (en) * 1997-12-02 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Reactor useful for chemical vapor deposition of titanium nitride
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
JP3572211B2 (ja) * 1998-12-28 2004-09-29 京セラ株式会社 半導体製造装置用ガス導入ノズル
US6565661B1 (en) * 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
JP4890668B2 (ja) * 1999-07-13 2012-03-07 株式会社山形信越石英 半導体熱処理用反応装置の石英ガラス製蓋体およびその製造方法
US6364949B1 (en) * 1999-10-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
KR100332314B1 (ko) * 2000-06-24 2002-04-12 서성기 박막증착용 반응용기
JP4371543B2 (ja) * 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6302965B1 (en) * 2000-08-15 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces
US20030019428A1 (en) * 2001-04-28 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001525495A (ja) * 1997-12-02 2001-12-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 処理チャンバおよびプラズマを閉じ込めるための方法
JP2000104172A (ja) * 1998-07-28 2000-04-11 Toshiba Corp 成膜方法，成膜装置及び固形原料
JP2000313961A (ja) * 1999-03-03 2000-11-14 Ebara Corp ガス噴射ヘッド
JP2001214272A (ja) * 1999-11-24 2001-08-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置の排気系構造及び不純物ガスの除去方法
JP2002124488A (ja) * 2000-07-31 2002-04-26 Applied Materials Inc Ｗ（ｃｏ）６からのタングステン膜の堆積方法
JP2002371361A (ja) * 2001-06-18 2002-12-26 Japan Pionics Co Ltd 気相成長装置及び気相成長方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9484213B2 (en) 2008-03-06 2016-11-01 Tokyo Electron Limited Processing gas diffusing and supplying unit and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004111297A1 (ja) 2004-12-23
US20060086319A1 (en) 2006-04-27

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