JPS63283053A - 半導体装置のリ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置のリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS63283053A JPS63283053A JP11675187A JP11675187A JPS63283053A JP S63283053 A JPS63283053 A JP S63283053A JP 11675187 A JP11675187 A JP 11675187A JP 11675187 A JP11675187 A JP 11675187A JP S63283053 A JPS63283053 A JP S63283053A
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のリードフレームに関する。
従来、半導体素子ペレットを搭載して電気的な接続を行
うためのリードフレームは、エンチング法やプレス法に
より金属板を所要形状に成形して作られている。この場
合、プレス法では打抜き残り部の肩部がダレるために、
インナリード先端部にボンディングエリアを確保するこ
とが難しく、このためプレスにより1度叩き、平坦に仕
上げている。
うためのリードフレームは、エンチング法やプレス法に
より金属板を所要形状に成形して作られている。この場
合、プレス法では打抜き残り部の肩部がダレるために、
インナリード先端部にボンディングエリアを確保するこ
とが難しく、このためプレスにより1度叩き、平坦に仕
上げている。
上述した従来のリードフレームでは、リードフレームの
アイランドに搭載した半導体素子ベレ・ントを金ワイヤ
によりインナリードに電気接続する際に、ボンディング
の機構により金ワイヤがリード側で垂れ易く、半導体素
子ペレ・ントのポンディングパッドからインナリードま
での距離1位置関係によっては、金ワイヤがペレ・ント
の一部番こ接触し、或いはリードフレームのアイランド
に接触することがある。このため、金ワイヤの長さ範囲
を限定せざるを得す、そのため同型のリードフレームに
対し、少しでも異なったサイズや異なったポンディング
パッドを持つペレ・ントの搭載を不可能としている。
アイランドに搭載した半導体素子ベレ・ントを金ワイヤ
によりインナリードに電気接続する際に、ボンディング
の機構により金ワイヤがリード側で垂れ易く、半導体素
子ペレ・ントのポンディングパッドからインナリードま
での距離1位置関係によっては、金ワイヤがペレ・ント
の一部番こ接触し、或いはリードフレームのアイランド
に接触することがある。このため、金ワイヤの長さ範囲
を限定せざるを得す、そのため同型のリードフレームに
対し、少しでも異なったサイズや異なったポンディング
パッドを持つペレ・ントの搭載を不可能としている。
本発明は金ワイヤの垂れを抑制して金ワイヤがペレット
或いはアイランドに接触することを防止し、かつリード
フレームへの異なるペレットの搭載を可能とするリード
フレームを提供することを目的としている。
或いはアイランドに接触することを防止し、かつリード
フレームへの異なるペレットの搭載を可能とするリード
フレームを提供することを目的としている。
本発明の半導体装置のリードフレームは、半導体素子ペ
レットを搭載するアイランドの周囲に配置したインナリ
ードの先端部近傍に凹部を形成し、この凹部によりイン
ナリード先端に相対的な凸部を構成するとともに凹部内
に金属ワイヤをボンディングするようにし、金属ワイヤ
を凸部において支持してその下方への垂れを抑制するよ
うな構成としている。
レットを搭載するアイランドの周囲に配置したインナリ
ードの先端部近傍に凹部を形成し、この凹部によりイン
ナリード先端に相対的な凸部を構成するとともに凹部内
に金属ワイヤをボンディングするようにし、金属ワイヤ
を凸部において支持してその下方への垂れを抑制するよ
うな構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例の断面図であり、金属板を
プレス法或いはエツチング法により所要形状に成形して
リードフレーム1を形成しである。
プレス法或いはエツチング法により所要形状に成形して
リードフレーム1を形成しである。
このリードフレーム1は、中央部に半導体素子ペレット
10を搭載するアイランド2を有し、この周囲に複数本
のインナリード3を配設している。
10を搭載するアイランド2を有し、この周囲に複数本
のインナリード3を配設している。
このインナリード3の先端部近傍、即ち金ワイヤ11を
接続する箇所には凹部4を形成し、この凹部4によって
インナリード3の先端には相対的に高くされた凸部5を
形成している。なお、この実施例では各インナリード3
の夫々に凹部4を適宜間隔おいて複数個設けており、こ
れにより凸部5も複数箇所に形成されている。また、こ
の凹部4はプレス加工によって形成される。
接続する箇所には凹部4を形成し、この凹部4によって
インナリード3の先端には相対的に高くされた凸部5を
形成している。なお、この実施例では各インナリード3
の夫々に凹部4を適宜間隔おいて複数個設けており、こ
れにより凸部5も複数箇所に形成されている。また、こ
の凹部4はプレス加工によって形成される。
そして、前記ペレット10のポンディングパッドとイン
ナリード3に夫々金ワイヤ11をボンディングして両者
を電気的に接続している。このとき、インナリード側で
は、前記凹部4内に金ワイヤ11をボンディングしてい
る。
ナリード3に夫々金ワイヤ11をボンディングして両者
を電気的に接続している。このとき、インナリード側で
は、前記凹部4内に金ワイヤ11をボンディングしてい
る。
したがって、この構成によれば、ボンディングされた金
ワイヤ11は、インナリード3の先端に構成された凸部
5によって下側が支持されることになり、この部分にお
いて金ワイヤ11の垂れを抑制できる。これにより、金
ワイヤ11全体の下方への変形も抑制され、金ワイヤ1
1がペレット10やアイランド2に接触されることが防
止でき、電気的な短絡を防止して半導体装置の信頼性を
向上できる。また、ワイヤの長さを限定する必要もな(
なり、異なるサイズやポンディングパッドを有するペレ
ットの搭載を可能とし、その利用範囲を拡大できる。
ワイヤ11は、インナリード3の先端に構成された凸部
5によって下側が支持されることになり、この部分にお
いて金ワイヤ11の垂れを抑制できる。これにより、金
ワイヤ11全体の下方への変形も抑制され、金ワイヤ1
1がペレット10やアイランド2に接触されることが防
止でき、電気的な短絡を防止して半導体装置の信頼性を
向上できる。また、ワイヤの長さを限定する必要もな(
なり、異なるサイズやポンディングパッドを有するペレ
ットの搭載を可能とし、その利用範囲を拡大できる。
また、凹部4及び凸部5を複数個設けることにり、樹脂
封止型半導体装置の場合には、リードフレーム1と図外
の封止樹脂との密着度を向上でき、耐湿性等を向上する
ことも可能である。
封止型半導体装置の場合には、リードフレーム1と図外
の封止樹脂との密着度を向上でき、耐湿性等を向上する
ことも可能である。
第2図は本発明の第2実施例の断面図であり、第1図と
同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
この実施例では、インナリード3の先端近傍に先端側か
ら傾斜する斜面形状の凹部4Aを形成し、この凹部によ
って相対的に構成される凸部5Aを先端位置に構成して
いる。そして、金ワイヤ11はこの凹部4Aの斜面にボ
ンディングしている。
ら傾斜する斜面形状の凹部4Aを形成し、この凹部によ
って相対的に構成される凸部5Aを先端位置に構成して
いる。そして、金ワイヤ11はこの凹部4Aの斜面にボ
ンディングしている。
この構成によれば、金ワイヤ11は、凹部4Aの斜面に
沿って支持されることになり、凸部5Aにおいて下方へ
の垂れが抑制される。これにより、金ワイヤ11がペレ
ット10やアイランド2への接触が防止され、種々の効
果が得られることは前記実施例と同じである。
沿って支持されることになり、凸部5Aにおいて下方へ
の垂れが抑制される。これにより、金ワイヤ11がペレ
ット10やアイランド2への接触が防止され、種々の効
果が得られることは前記実施例と同じである。
以上説明したように本発明は、半導体素子ペレットを搭
載するアイランドの周囲に配置したインナリードの先端
部近傍に凹部を形成し、この凹部によりインナリード先
端に相対的な凸部を構成するとともに、前記凹部内に金
属ワイヤをボンディングするように構成しているので、
ボンディングされた金属ワイヤは凸部において支持され
てその下方への垂れが抑制され、これにより金ワイヤの
ペレットへの接触、アイランドへの接触を防ぎ、半導体
装置の信頼性を向上できる。また、これによりリードフ
レームへの異なるベレ・ントの搭載を可能とし、その利
用範囲の拡大を図ることもできる。
載するアイランドの周囲に配置したインナリードの先端
部近傍に凹部を形成し、この凹部によりインナリード先
端に相対的な凸部を構成するとともに、前記凹部内に金
属ワイヤをボンディングするように構成しているので、
ボンディングされた金属ワイヤは凸部において支持され
てその下方への垂れが抑制され、これにより金ワイヤの
ペレットへの接触、アイランドへの接触を防ぎ、半導体
装置の信頼性を向上できる。また、これによりリードフ
レームへの異なるベレ・ントの搭載を可能とし、その利
用範囲の拡大を図ることもできる。
第1図は本発明の第1実施例の断面図、第2図は本発明
の第2実施例の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・インナリード、4,4A・・・凹部、5,5A・・・
凸部、10・・・半導体素子ペレット、11・・・金ワ
イヤ。 第1図 10 さSし、/L 第2図
の第2実施例の断面図である。 1・・・リードフレーム、2・・・アイランド、3・・
・インナリード、4,4A・・・凹部、5,5A・・・
凸部、10・・・半導体素子ペレット、11・・・金ワ
イヤ。 第1図 10 さSし、/L 第2図
Claims (1)
- (1)半導体素子ペレットを搭載するアイランドと、こ
のアイランドの周囲に配置したインナリードとを有し、
アイランドに搭載したペレットとインナリードとを金属
ワイヤによりボンディングする半導体装置のリードフレ
ームにおいて、前記インナリードの先端部近傍に凹部を
形成し、この凹部によりインナリード先端に相対的な凸
部を構成するとともに前記凹部内に金属ワイヤをボンデ
ィングするように構成したことを特徴とする半導体装置
のリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11675187A JPS63283053A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11675187A JPS63283053A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63283053A true JPS63283053A (ja) | 1988-11-18 |
Family
ID=14694859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11675187A Pending JPS63283053A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63283053A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0448942A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-10-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package |
US6002164A (en) * | 1992-09-09 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor lead frame |
JP2010283252A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN114759004A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11675187A patent/JPS63283053A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0448942A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-10-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package |
US6002164A (en) * | 1992-09-09 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor lead frame |
JP2010283252A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN114759004A (zh) * | 2021-01-08 | 2022-07-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP2022107327A (ja) * | 2021-01-08 | 2022-07-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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