JPS63211644A - 半導体ペレットの製造方法 - Google Patents
半導体ペレットの製造方法Info
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- JPS63211644A JPS63211644A JP62115388A JP11538887A JPS63211644A JP S63211644 A JPS63211644 A JP S63211644A JP 62115388 A JP62115388 A JP 62115388A JP 11538887 A JP11538887 A JP 11538887A JP S63211644 A JPS63211644 A JP S63211644A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
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Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の1
本発明は半導体ウェハを個々の半導体素子毎に分割して
半導体ペレットを得る方法に関する。
半導体ペレットを得る方法に関する。
従】顎U支術−
従来より半導体装置に用いられる半導体ペレットは1枚
の半導体)エバに複数組の半導体素子を形成しておき、
各半導体素子の区画部分から分割して製造される。
の半導体)エバに複数組の半導体素子を形成しておき、
各半導体素子の区画部分から分割して製造される。
この分割方法として回転鋸(ダイシングソウ)を用いた
ダイシング法や、ダイヤモンドカッタやレーザ光により
半導体ウェハの表面を罫書き、その後ローラ等によって
個々の半導体ペレットに分割するスクライブ法等が一般
的に採用されている。
ダイシング法や、ダイヤモンドカッタやレーザ光により
半導体ウェハの表面を罫書き、その後ローラ等によって
個々の半導体ペレットに分割するスクライブ法等が一般
的に採用されている。
また、・半導体ウェハを分割する際に半導体ウェハを支
持する方法として、ガラス等の基板上にワックス等によ
り半導体ウェハを貼着支持する方法や、粘着シートに貼
着支持する方法等があり、半導体ウェハの厚みや半導体
素子のサイズ、分割方法等により半導体ウェハの支持方
法が適宜決定される。
持する方法として、ガラス等の基板上にワックス等によ
り半導体ウェハを貼着支持する方法や、粘着シートに貼
着支持する方法等があり、半導体ウェハの厚みや半導体
素子のサイズ、分割方法等により半導体ウェハの支持方
法が適宜決定される。
ここで粘着シートを用いた半導体ペレットの分別方法の
一例を第5図から説明する。図において1は半導体ウェ
ハで、複数組の半導体素子が方形又は矩形の小区画領域
毎に整列して形成されている。2は粘着シートで、伸延
性が良好なポリ塩化ビニル等のシート基材2aに下地層
(図示せず)を介し感圧粘着剤層2bを形成したもので
、粘着剤層2bは常温下で指圧で半導体ウェハ1を貼着
でき、半導体ウェハ1を分割した後、個々の半導体ペレ
ットを適当な力で剥離でき、また半導体ペレットに粘着
剤が残らない材料が適宜用いられる。
一例を第5図から説明する。図において1は半導体ウェ
ハで、複数組の半導体素子が方形又は矩形の小区画領域
毎に整列して形成されている。2は粘着シートで、伸延
性が良好なポリ塩化ビニル等のシート基材2aに下地層
(図示せず)を介し感圧粘着剤層2bを形成したもので
、粘着剤層2bは常温下で指圧で半導体ウェハ1を貼着
でき、半導体ウェハ1を分割した後、個々の半導体ペレ
ットを適当な力で剥離でき、また半導体ペレットに粘着
剤が残らない材料が適宜用いられる。
この粘着シート2上に半導体ウェハ1を貼着した粘着シ
ート2をXYテーブル(図示せず)上に配置し半導体素
子の区画領域に沿ってスクライブする。そして半導体ウ
ェハ1を罫書き線3に沿って押し割り、個々の半導体ペ
レッ)4,4.・・・に分割する。
ート2をXYテーブル(図示せず)上に配置し半導体素
子の区画領域に沿ってスクライブする。そして半導体ウ
ェハ1を罫書き線3に沿って押し割り、個々の半導体ペ
レッ)4,4.・・・に分割する。
そして、図示矢印に示すように粘着シート2を放射状に
引き伸ばして各半導体ペレッ)4.4゜・・・の間隔を
あけ、取り出しを容易にする。
引き伸ばして各半導体ペレッ)4.4゜・・・の間隔を
あけ、取り出しを容易にする。
なお、半導体ペレットの取り出しには一般的に真空吸着
コレットが用いられる。
コレットが用いられる。
1(L −a’
ところで、粘着シート2は半導体ウェハ1の分割作業時
に位置ずれしないように十分粘着力を大きくする必要が
ある反面、半導体ペレットの取り出しを容易にするため
に粘着力が制限される。
に位置ずれしないように十分粘着力を大きくする必要が
ある反面、半導体ペレットの取り出しを容易にするため
に粘着力が制限される。
また粘着シート2を放射状に引き伸ばす際に粘着シート
2の中央部と周縁部の伸び量が異なるため、半導体ペレ
ット4,4.・・・の間隔がばらつき、粘着シート2と
の接着力が著しく低下して半導体ペレット4,4が位置
ずれし、ペレットの取り出し作業の能率が低下する問題
があった。
2の中央部と周縁部の伸び量が異なるため、半導体ペレ
ット4,4.・・・の間隔がばらつき、粘着シート2と
の接着力が著しく低下して半導体ペレット4,4が位置
ずれし、ペレットの取り出し作業の能率が低下する問題
があった。
ム −の
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、複数組の
半導体素子を形成した半導体ウェハを、シート基材に紫
外線硬化型粘着剤層を形成した粘着シートに貼着して保
持し、前記半導体ウェーハを個々の半導体素子毎に分割
した後、粘着シートに紫外線を照射して粘着シートの粘
着力を低下させることにより、上記問題を解決すること
ができる。
半導体素子を形成した半導体ウェハを、シート基材に紫
外線硬化型粘着剤層を形成した粘着シートに貼着して保
持し、前記半導体ウェーハを個々の半導体素子毎に分割
した後、粘着シートに紫外線を照射して粘着シートの粘
着力を低下させることにより、上記問題を解決すること
ができる。
1皿
本発明による粘着シートは半導体ウェハの分割作業完了
までは十分な粘着強度で半導体ウェハを保持し、半導体
ペレットの取り出し時には容易に取り出しができるよう
に粘着強度を低下させることができ、各段階の作業を能
率よく行うことができる。
までは十分な粘着強度で半導体ウェハを保持し、半導体
ペレットの取り出し時には容易に取り出しができるよう
に粘着強度を低下させることができ、各段階の作業を能
率よく行うことができる。
実ILI
以下に本発明の実施例を第1図乃至第4図から説明する
。図において、第5図と同一符号は同一符号を示す。即
ち、1は複数組の半導体素子を整列して形成した半導体
ウェハ、5は粘着シートで、シート基材5aに下地層(
図示せず)を介して紫外線硬化型感圧粘着剤層5bを形
成したもので、シート基剤5a及び下地層は可及的に紫
外線透過性の良好なものを用い、粘着剤層5bは紫外線
強度が十分低い常温の環境下で十分な粘着性を保持し、
紫外線照射後、硬化して半導体ウェハ1との接着力が十
分低下する材料が用いられる。
。図において、第5図と同一符号は同一符号を示す。即
ち、1は複数組の半導体素子を整列して形成した半導体
ウェハ、5は粘着シートで、シート基材5aに下地層(
図示せず)を介して紫外線硬化型感圧粘着剤層5bを形
成したもので、シート基剤5a及び下地層は可及的に紫
外線透過性の良好なものを用い、粘着剤層5bは紫外線
強度が十分低い常温の環境下で十分な粘着性を保持し、
紫外線照射後、硬化して半導体ウェハ1との接着力が十
分低下する材料が用いられる。
例えばシート基材5aとして透明なポリ塩化ビニル樹脂
やポリプロピレン樹脂等を、粘着剤層5bとしてアクリ
ル系樹脂に可塑剤を混合して粘着性を持たせた紫外線硬
化型粘着剤を用いることができる。
やポリプロピレン樹脂等を、粘着剤層5bとしてアクリ
ル系樹脂に可塑剤を混合して粘着性を持たせた紫外線硬
化型粘着剤を用いることができる。
以下に半導体ペレットの製造方法を説明する。
先ず第2図に示すように粘着シート5上に半導体ウェハ
1を貼着する。この粘着シート5を図示しないがXYθ
テーブル上に支持固定し、第3図に示すようにダイシン
グソウ6により半導体素子の区画部分に沿って切り込み
を形成して完全カットし、これにより複数の半導体ペレ
ッ)4.4.・・・を整列状態で形成する。次いで、第
4図に示すように半導体ペレット4,4の裏面と対応す
る部分に露光窓7aを開口し、紫外線発生源である高圧
水銀灯8を収容した箱体7の窓7a上に粘着ンート5を
載せ、紫外線UVを照射する。
1を貼着する。この粘着シート5を図示しないがXYθ
テーブル上に支持固定し、第3図に示すようにダイシン
グソウ6により半導体素子の区画部分に沿って切り込み
を形成して完全カットし、これにより複数の半導体ペレ
ッ)4.4.・・・を整列状態で形成する。次いで、第
4図に示すように半導体ペレット4,4の裏面と対応す
る部分に露光窓7aを開口し、紫外線発生源である高圧
水銀灯8を収容した箱体7の窓7a上に粘着ンート5を
載せ、紫外線UVを照射する。
これにより粘着剤層5bが硬化して粘着性が低下する。
JIS規格Z0237に基づく粘着力試験の結果では、
初期粘着力が例えば98g/251であったものが、0
〜5g/25mm程度に低下することが確認されている
。
初期粘着力が例えば98g/251であったものが、0
〜5g/25mm程度に低下することが確認されている
。
ここで粘着力が完全に0とならないのは粘着剤層5bが
半硬化状態であったり、完全硬化していてもペレット4
と硬化した粘着剤層5bとが密着状態にあるためで、紫
外線照射と加熱手段とを併用して硬化を促進したり、公
知の突上げピン等でシート基剤5aの裏面から半導体ペ
レット4を突き上げる等の手段によりペレット4を粘着
シート5から容易に剥離できる。
半硬化状態であったり、完全硬化していてもペレット4
と硬化した粘着剤層5bとが密着状態にあるためで、紫
外線照射と加熱手段とを併用して硬化を促進したり、公
知の突上げピン等でシート基剤5aの裏面から半導体ペ
レット4を突き上げる等の手段によりペレット4を粘着
シート5から容易に剥離できる。
そのため真空吸着コレット(図示せず)により容易に吸
着して取り出すことができる。
着して取り出すことができる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることな(、例
えば紫外線照射を専用の光源により行うだけでなく、自
然外光等を照射してもよ(、これにより粘着性を低下さ
せることもできる。
えば紫外線照射を専用の光源により行うだけでなく、自
然外光等を照射してもよ(、これにより粘着性を低下さ
せることもできる。
また半導体ウェハ1を分割した後、粘着シート5を引き
伸ばして後、粘着剤層5bの粘着性を低下させるように
してもよい。
伸ばして後、粘着剤層5bの粘着性を低下させるように
してもよい。
欠じL
以上のように、本発明によれば半導体ウェハの粘着力を
大きくして半導体ウェハの位置ずれを防上できるため分
割作業が容易となり、また半導体ウェハを分割後、粘着
力を低下させることができるため、半導体ペレットの剥
離が容易となる。
大きくして半導体ウェハの位置ずれを防上できるため分
割作業が容易となり、また半導体ウェハを分割後、粘着
力を低下させることができるため、半導体ペレットの剥
離が容易となる。
また半導体ウェハを分割後、粘着シートを引き伸ばして
も、粘着力が十分大きいため、半導体ペレットが剥離す
ることなく、整列状態を保って半導体ペレット間をあけ
ることができ、ペレットの取り出し作業の能率が向上す
る。
も、粘着力が十分大きいため、半導体ペレットが剥離す
ることなく、整列状態を保って半導体ペレット間をあけ
ることができ、ペレットの取り出し作業の能率が向上す
る。
第1図は本発明の一工程を示す要部斜視図、第2図及び
第4図は本発明の一実施例を示す断面図、第5図は従来
の半導体ペレットの製造方法の一工程を示す要部斜視図
である。 1・・・・・・半導体ウェハ、 4・・・・・・半導体ペレット、 5・・・・・・粘着シート、 5a・・・・・・シート基剤、 5b・・・・・・紫外線硬化型粘着剤層、UV・・・・
・・紫外線光。
第4図は本発明の一実施例を示す断面図、第5図は従来
の半導体ペレットの製造方法の一工程を示す要部斜視図
である。 1・・・・・・半導体ウェハ、 4・・・・・・半導体ペレット、 5・・・・・・粘着シート、 5a・・・・・・シート基剤、 5b・・・・・・紫外線硬化型粘着剤層、UV・・・・
・・紫外線光。
Claims (2)
- (1)紫外線硬化型の粘着剤層をシート基材に形成した
粘着シートに、複数組の半導体素子を形成した半導体ウ
ェハを貼着し、前記半導体ウェハを個々の半導体素子毎
に分割した後、粘着シートに紫外線を照射して粘着シー
トの粘着力を低下させて個々の半導体ペレットを粘着シ
ートから剥離することを特徴とする半導体ペレットの製
造方法。 - (2)シート基材を介して半導体ペレットの貼着面に紫
外線を照射することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の半導体ペレットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62115388A JPS63211644A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 半導体ペレットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62115388A JPS63211644A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 半導体ペレットの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57130960A Division JPS5921038A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | ペレツト剥離方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63211644A true JPS63211644A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=14661309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62115388A Pending JPS63211644A (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | 半導体ペレットの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63211644A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0550014A2 (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-07 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film |
US7005650B2 (en) * | 1996-09-13 | 2006-02-28 | Fujitsu Limited | Apparatus for fabricating a semiconductor device |
CN101840855A (zh) * | 2009-03-18 | 2010-09-22 | 株式会社迪思科 | 紫外线照射装置 |
WO2015141555A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2015-09-24 | リンテック株式会社 | ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法 |
WO2017086582A1 (ko) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | (주)쎄미시스코 | 기판 손상 방지 광 소결장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49114345A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-31 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP62115388A patent/JPS63211644A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49114345A (ja) * | 1973-02-28 | 1974-10-31 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7279402B2 (en) | 1996-09-13 | 2007-10-09 | Fujitsu Limited | Method for fabricating a semiconductor device |
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JP2010219358A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 紫外線照射装置 |
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JPWO2015141555A1 (ja) * | 2014-03-17 | 2017-04-06 | リンテック株式会社 | ダイシングシートおよび当該ダイシングシートを用いるチップの製造方法 |
WO2017086582A1 (ko) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | (주)쎄미시스코 | 기판 손상 방지 광 소결장치 |
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