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JP2000223444A - 半導体製造方法 - Google Patents

半導体製造方法

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Publication number
JP2000223444A
JP2000223444A JP1926199A JP1926199A JP2000223444A JP 2000223444 A JP2000223444 A JP 2000223444A JP 1926199 A JP1926199 A JP 1926199A JP 1926199 A JP1926199 A JP 1926199A JP 2000223444 A JP2000223444 A JP 2000223444A
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JP
Japan
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adhesive sheet
semiconductor
semiconductor elements
semiconductor wafer
adhesive
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JP1926199A
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Koichi Miyazaki
公一 宮崎
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハをへき開した後、粘着シートか
ら半導体素子を取り外す作業が非常に困難で多くの時間
を要していた。 【解決手段】 半導体ウエハを粘着シート2の表面に貼
り付けた後、半導体ウエハをへき開して複数の半導体素
子1aに分割する第1の工程と、半導体ウエハをへき開
後、粘着シート2を延伸することで複数の半導体素子1
aを互いに分離する第2の工程と、粘着シート2に対し
てその裏面側から紫外線を照射することにより、粘着シ
ート2の粘着力を低下させる第3の工程と、粘着シート
2から真空吸着治具4を用いて複数の半導体素子1aを
取り外す第4の工程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造方法に
係り、特に、粘着シートを用いて半導体ウエハをへき開
する際に用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体レーザなどを作り込んだ半
導体ウエハをへき開するにあたっては、半導体ウエハや
これからへき開された複数の半導体素子を保持するため
に粘着シートが用いられている。粘着シートを用いて半
導体ウエハをへき開する場合、へき開直後に粘着シート
を延伸させて上記複数の半導体素子を互いに分離し、素
子同士の接触を防止している。
【0003】ところで、半導体ウエハからへき開された
個々の半導体素子は、全体が微小で細長い棒状をなして
いるため、非常に脆い状態となっている。また、各々の
半導体素子は粘着シートの粘着力によりシート表面に貼
り付いた状態となっている。これに対して、粘着シート
から半導体素子を取り外す作業は、ピンセットを用いて
行うのが一般的になっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来にお
いては、半導体ウエハの厚みが100μm程度と非常に
薄いため、これをへき開した時に生じる割れ,欠け等が
発生し、これによって生じた微細なゴミが、ピンセット
による取り外し作業中に半導体素子の端面等に付着する
という問題があった。また、粘着シート上の半導体素子
をピンセットで摘むときにエッジ部等を破損してしまう
虞れがあった。さらに、粘着シート上の半導体素子をピ
ンセットで一個ずつ取り外すことになるため、全ての半
導体素子を取り外すまでに多くの時間を要するうえ、個
々の半導体素子が粘着シートに貼り付いているため、そ
の取り外し作業が非常に困難で且つ作業ミス(例えば、
半導体素子を落下させてしまうなど)が発生し易い状況
となっていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
方法は、半導体ウエハを粘着シートの表面に貼り付けた
後、半導体ウエハをへき開して複数の半導体素子に分割
する第1の工程と、半導体ウエハをへき開後、粘着シー
トを延伸することで複数の半導体素子を互いに分離する
第2の工程と、粘着シートに所定の処理を施すことによ
り、粘着シートの粘着力を低下させる第3の工程と、粘
着シートから複数の半導体素子を取り外す第4の工程と
を有する。
【0006】この半導体製造方法においては、半導体ウ
エハからへき開された複数の半導体素子を互いに分離し
た後、所定の処理を施すことで粘着シートの粘着力を低
下させることにより、粘着シートに対する半導体素子の
貼り付き力も低下する。これにより、粘着シートからの
半導体素子の取り外しが容易になる。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体レーザなどを作
り込んだ、ガリウム砒素等から成る半導体ウエハを、樹
脂製等の粘着シートを用いてへき開する際に用いられる
もので、以下にその具体的な実施の形態につき、図1及
び図2を用いて説明する。
【0008】先ず、図1(a)に示すように、所定の位
置に敷設された粘着シート1に対して、その表面に半導
体ウエハ1を貼り付ける。粘着シート1は、例えば透明
または半透明のような光透過性を有するシートフィルム
の表面(片面)に、例えば紫外線の照射によって粘着力
が低下する性質を持つ粘着層を有するもので、この時点
ではシート表面(粘着層)の粘着力により半導体ウエハ
1が貼り付けられる。また、粘着シート1に貼り付けら
れる半導体ウエハ1には、予めへき開位置に対応したケ
ガキ処理がされている。ちなみに、粘着シート2として
は、日東電気工業(株)製のエレップホルダー(商品
名)などを用いることができる。
【0009】次に、粘着シート2上に貼り付けた半導体
ウエハ1に外圧を加えてへき開し、これによって1枚の
半導体ウエハ1を複数の半導体素子に分離する。このと
き、各々の半導体素子は、互いに近接した状態で棒状に
細断される。
【0010】続いて、上述のように半導体ウエハ1をへ
き開したら、その直後に、図1(b)に示すように、粘
着シート2の両端を外側に引き延ばして延伸することに
より、複数の半導体素子1aを互いに分離する。このと
き、粘着シート2を引き延ばす方向を、上述のように棒
状に細断された半導体素子1aの整列方向(図中矢印方
向)とすることで、各々の半導体素子1aが分離され
る。これにより、各々の半導体素子1aが離間した状態
となるため、粘着シート2上で半導体素子1a同士が接
触するのを防止することができる。
【0011】次いで、上述のように延伸された粘着シー
ト2を、図1(c)に示すように、支持台3に載せて固
定する。この支持台3は、粘着シート2の延伸形状(矩
形)に対応した四角い枠型構造をなすもので、これに粘
着シート2を固定した状態では、その枠内に複数(全
て)の半導体素子1aが配置される。よって、粘着シー
ト2を固定した支持台3を下から見ると、図2(a)に
示すように、支持台3の枠内に複数の半導体素子1aが
収まった状態となる。
【0012】続いて、図2(b)に示すように、支持台
3に固定された粘着シート2に対して、その裏面側つま
り半導体ウエハ1が貼り付けられる面と反対側から、例
えば紫外線ランプ等を用いて紫外線を照射することによ
り、粘着シート2(粘着層)の粘着力を低下させる。こ
のとき、粘着シート2と各半導体素子1aとの貼り付き
部分にも紫外線が照射されるため、シート粘着力の低下
とともに、各半導体素子1aの貼り付き力も低下するこ
とになる。
【0013】ちなみに、粘着シート2の粘着力について
は、紫外線照射によって所定のレベル(後述する半導体
素子1aの取り外し作業に支障のないレベル)まで低下
させるようにしてもよいし、粘着力がなくなるまで低下
させるようにしてもよい。また、粘着シート2の粘着力
をどの程度まで低下させるかは、紫外線の照射時間等に
よって適宜調整することができる。
【0014】その後、図2(b)に示すように、粘着シ
ート2上に配列された複数の半導体素子1aを真空吸着
治具4を用いて取り外す。このとき、先程の紫外線照射
により、粘着シート2に対する各半導体素子1aの貼り
付け力が低下していることから、粘着シート2上に存在
する各々の半導体素子1aを真空吸着治具4で容易に取
り外すことができる。
【0015】ちなみに、紫外線照射を行わずに、粘着シ
ート2上の半導体素子1aを真空吸着治具4で取り外す
場合は、粘着シート2の粘着力よりも強い力で半導体素
子1aを真空吸着する必要があるため、半導体素子1a
に過大なダメージを与える虞れがある。これに対して、
本実施形態のように半導体素子1aの取り外しに先立っ
て粘着シート2の粘着力を低下させるようにすれば、半
導体素子1aにダメージを与えない程度の弱い力で真空
吸着しても、粘着シート2から確実に半導体素子1aを
取り外すことができる。
【0016】これにより、個々の半導体素子1aを1本
ずつピンセットで取り外す場合に比較して、半導体素子
1aの取り外しに要する時間を大幅に削減することがで
きる。また、全ての半導体素子1aを真空吸着治具4で
一括して取り外すようにすれば、半導体素子1aの取り
外し所要時間をより一層短縮することができる。
【0017】さらに、真空吸着治具4を用いることによ
り、ウエハへき開時に生じた欠け,割れ等のゴミが、ピ
ンセットによる取り外し作業中に半導体素子1aの端面
に付着することを回避することができる。また仮に、半
導体素子1aをピンセットで取り外す場合でも、粘着シ
ート2の粘着力が作業の妨げにならないことから、取り
外し作業が容易になる。したがって、取り外し作業にお
ける、作業ミスの低減と作業効率の向上を同時に図るこ
とができる。
【0018】なお、上記実施形態においては、使用する
粘着シート2の性質として、紫外線の照射により粘着力
が低下するものとしたが、これ以外にも、例えば熱を加
えることによって粘着力が低下するものを採用し、実際
の製造工程では、紫外線の照射に代えて粘着シート2を
ヒータ等で加熱するようにしても同様の効果が得られ
る。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体ウエハからへき開された複数の半導体素子を互いに
分離した後、所定の処理を施すことで粘着シートの粘着
力を低下させ、その後、粘着シートから複数の半導体素
子を取り外すようにしているため、粘着シートの粘着力
に邪魔されることなく、半導体素子を容易に取り外すこ
とができる。これにより、半導体素子にダメージを与え
ることなく、例えば真空吸着治具を用いて半導体素子を
取り外すことができるため、半導体素子の取り外し所要
時間を大幅に短縮することができる。また、ピンセット
で半導体素子を摘む必要がなくなるため、ウエハへき開
時に発生する割れ,欠け等の微細なゴミが半導体素子の
端面等に付着することを回避することができる。その結
果、半導体ウエハの貼り付けから半導体素子の取り外し
に至るウエハへき開工程において、作業効率の向上と歩
留りの向上を同時に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体製造方法の実施形態を説明
する図(その1)である。
【図2】本発明に係る半導体製造方法の実施形態を説明
する図(その3)である。
【符号の説明】
1…半導体ウエハ、1a…半導体素子、2…粘着シー
ト、3…支持台、4…真空吸着治具

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハを粘着シートの表面に貼り
    付けた後、前記半導体ウエハをへき開して複数の半導体
    素子に分割する第1の工程と、 前記半導体ウエハをへき開後、前記粘着シートを延伸す
    ることで前記複数の半導体素子を互いに分離する第2の
    工程と、 前記粘着シートに所定の処理を施すことにより、該粘着
    シートの粘着力を低下させる第3の工程と、 前記粘着シートから前記複数の半導体素子を取り外す第
    4の工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
  2. 【請求項2】 前記第4の工程においては、前記複数の
    半導体素子を真空吸着治具を用いて前記粘着シートから
    一括して取り外すことを特徴とする請求項1記載の半導
    体製造方法。
  3. 【請求項3】 前記第3の工程においては、前記粘着シ
    ートに対してその裏面側から紫外線を照射する、或いは
    前記粘着シートを加熱することにより、該粘着シートの
    粘着力を低下させることを特徴とする請求項1記載の半
    導体製造方法。
JP1926199A 1999-01-28 1999-01-28 半導体製造方法 Pending JP2000223444A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343995A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Sony Corp 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2013009016A (ja) * 2012-10-10 2013-01-10 Sony Corp 集積型薄膜素子の製造方法
JP2013009015A (ja) * 2012-10-10 2013-01-10 Sony Corp 集積型薄膜素子の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002343995A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Sony Corp 集積型薄膜素子およびその製造方法
JP2013009016A (ja) * 2012-10-10 2013-01-10 Sony Corp 集積型薄膜素子の製造方法
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