JPS63186345A - アドレス多重化制御回路 - Google Patents
アドレス多重化制御回路Info
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- JPS63186345A JPS63186345A JP62017193A JP1719387A JPS63186345A JP S63186345 A JPS63186345 A JP S63186345A JP 62017193 A JP62017193 A JP 62017193A JP 1719387 A JP1719387 A JP 1719387A JP S63186345 A JPS63186345 A JP S63186345A
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- G11C7/1021—Page serial bit line access mode, i.e. using an enabled row address stroke pulse with its associated word line address and a sequence of enabled column address stroke pulses each with its associated bit line address
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- G11C8/12—Group selection circuits, e.g. for memory block selection, chip selection, array selection
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、アドレスを多重化して与えてアクセスするメ
モリを制御するアドレス多重化方式に係わり、特に複数
種のメモリに共通して使えるアドレス多重化制御回路に
関する。
モリを制御するアドレス多重化方式に係わり、特に複数
種のメモリに共通して使えるアドレス多重化制御回路に
関する。
(従来の技術)
アドレスを多重化して与えてアクセスするメモリの代表
例として、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
(以下DRAMと称する)がある。このDRAMのアク
セス制御回路を例にしてアドレス多重化方式の従来技術
を説明する。
例として、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ
(以下DRAMと称する)がある。このDRAMのアク
セス制御回路を例にしてアドレス多重化方式の従来技術
を説明する。
DRAMは、アクセスするセルを指定するためのアドレ
ス20ビツトを、まずnビットの行アドレス、次に残り
のnビ・ントを列アドレス、の順に多重化して入力する
。例えば、18ビツトのアドレスが必要な256にビッ
トのDRAMでは、ます行アドレスとして9ビツト、次
に列アドレスとして9ビツトを入力してアクセスするセ
ルを選択する。従来は、この20ビツトのアドレスを、
上位側からnビットを行アドレス、下位側からnビット
を列アドレス、と云うように分けて多重化していた。
ス20ビツトを、まずnビットの行アドレス、次に残り
のnビ・ントを列アドレス、の順に多重化して入力する
。例えば、18ビツトのアドレスが必要な256にビッ
トのDRAMでは、ます行アドレスとして9ビツト、次
に列アドレスとして9ビツトを入力してアクセスするセ
ルを選択する。従来は、この20ビツトのアドレスを、
上位側からnビットを行アドレス、下位側からnビット
を列アドレス、と云うように分けて多重化していた。
このように分けると、連続してDRAMをアクセスする
場合に、もしアクセスするアドレスの上位nビットが同
じ場合には、行アドレスの人力をしないで、より短い時
間でアクセスすることが可能な、所謂ページモードアク
セスと云うアクセス方式を採用することができる。
場合に、もしアクセスするアドレスの上位nビットが同
じ場合には、行アドレスの人力をしないで、より短い時
間でアクセスすることが可能な、所謂ページモードアク
セスと云うアクセス方式を採用することができる。
ところが、このような多重化方式では、容量の異なる複
数のメモリに共通に使えるアドレス多重化制御回路を作
り難いと云う問題がある。例えば、18ビツトのアドレ
スが必要な256にビットのDRAMと、20ビツトの
アドレスが必要な1MビットのDRAMに共通に使える
アドレス多重化制御回路を作ろうとすれば、多重化され
た出力アドレスは9ビット或いは10ビツト必要になる
から、出力として10ビット分を用意し、第5図に示す
ような多重化をしなければならない。このためには、出
力の下位9ビット分については3対1のセレクタが必要
になる。例えば、出力アドレスの最下位ビットM。では
、256に対応モードであるか1M対応モードであるか
により、また行アドレス出力であるか列アドレス出力で
あるかにより、人力アドレスの第θビットA 、第9ビ
ットA 或いは第10ビツトA1oのうちの一つを選択
するセレクタが必要である。
数のメモリに共通に使えるアドレス多重化制御回路を作
り難いと云う問題がある。例えば、18ビツトのアドレ
スが必要な256にビットのDRAMと、20ビツトの
アドレスが必要な1MビットのDRAMに共通に使える
アドレス多重化制御回路を作ろうとすれば、多重化され
た出力アドレスは9ビット或いは10ビツト必要になる
から、出力として10ビット分を用意し、第5図に示す
ような多重化をしなければならない。このためには、出
力の下位9ビット分については3対1のセレクタが必要
になる。例えば、出力アドレスの最下位ビットM。では
、256に対応モードであるか1M対応モードであるか
により、また行アドレス出力であるか列アドレス出力で
あるかにより、人力アドレスの第θビットA 、第9ビ
ットA 或いは第10ビツトA1oのうちの一つを選択
するセレクタが必要である。
ここで、第5図に示す多重化を実現するには、第6図に
示す如く、人力アドレス線61と出力アドレス線62と
の間に、3対1のセレクタ63を10個fIiiえた回
路が考えられる。そして、このセレクタ63の一つは、
第7図に示す如(3つのANDゲート71,72,73
.1つのORゲート74及び2つのインバータ75.7
6で構成され、セレクタの構成としては極めて複雑なも
のとなる。
示す如く、人力アドレス線61と出力アドレス線62と
の間に、3対1のセレクタ63を10個fIiiえた回
路が考えられる。そして、このセレクタ63の一つは、
第7図に示す如(3つのANDゲート71,72,73
.1つのORゲート74及び2つのインバータ75.7
6で構成され、セレクタの構成としては極めて複雑なも
のとなる。
また、16ビツトのアドレスが必要な64にビットのD
RAMにも対応しようとすれば、第8図に示すような多
重化をしなければならず、出力の下位8ビット分につい
ては4対1のセレクタが必要になる。この場合、セレク
タの構成は第7図に示すものよりも更に複雑となる。こ
のように多くの種類のメモリに対応するには、アドレス
多重化制御回路が複雑で大規模な回路構成になってしま
うと云う欠点がある。
RAMにも対応しようとすれば、第8図に示すような多
重化をしなければならず、出力の下位8ビット分につい
ては4対1のセレクタが必要になる。この場合、セレク
タの構成は第7図に示すものよりも更に複雑となる。こ
のように多くの種類のメモリに対応するには、アドレス
多重化制御回路が複雑で大規模な回路構成になってしま
うと云う欠点がある。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来、2nビツトのアドレスを単純に、上位
側からnビットを行アドレス、下位側からnビット(残
り全部)を列アドレスと云うように分けて多重化したア
ドレス多重化制御回路は、容量の異なる多くのメモリに
対応するには、tx SINで大規模な回路構成になっ
てしまう。さらに、互いに隣合うビット同志を多重化し
て2対1のセレクタを用いることも考えられるが、この
場合、ページモードアクセスが不可能になる等の問題が
あった。
側からnビットを行アドレス、下位側からnビット(残
り全部)を列アドレスと云うように分けて多重化したア
ドレス多重化制御回路は、容量の異なる多くのメモリに
対応するには、tx SINで大規模な回路構成になっ
てしまう。さらに、互いに隣合うビット同志を多重化し
て2対1のセレクタを用いることも考えられるが、この
場合、ページモードアクセスが不可能になる等の問題が
あった。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、複雑で大規模な回路構成にならず、容
゛量の異なる複数種のメモリに対応することができ、且
つページモードアクセスも可能なアドレス多重化制御回
路を提供することにある。
とするところは、複雑で大規模な回路構成にならず、容
゛量の異なる複数種のメモリに対応することができ、且
つページモードアクセスも可能なアドレス多重化制御回
路を提供することにある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明の骨子は、アドレスを多重化する際に、2nビツ
トの入力アドレスを、下位側2pビツトと上位側の2n
〜2pビツトに分けて、この2つのグループに対して別
々の方式で多重化を行うことにある。
トの入力アドレスを、下位側2pビツトと上位側の2n
〜2pビツトに分けて、この2つのグループに対して別
々の方式で多重化を行うことにある。
即ち本発明は、アドレスを多重化して与えてアクセスす
るメモリを制御する回路であって、下位ビットをA と
し順次A、A2.・・” A2n−1(nは正の整数)
と名付けられた2n本の人力アドレス線と、下位ビット
をM とし順次M1゜M2.・・・9M と名付けら
れたn本の出力アドn−ル ス線とを備え、入力アドレス線2本の信号を行アドレス
、列アドレスの順に多重化して1本の出力アドレス線に
出力するアドレス多重化制御回路において、入力アドレ
スA1、A2、、A2.・・・。
るメモリを制御する回路であって、下位ビットをA と
し順次A、A2.・・” A2n−1(nは正の整数)
と名付けられた2n本の人力アドレス線と、下位ビット
をM とし順次M1゜M2.・・・9M と名付けら
れたn本の出力アドn−ル ス線とを備え、入力アドレス線2本の信号を行アドレス
、列アドレスの順に多重化して1本の出力アドレス線に
出力するアドレス多重化制御回路において、入力アドレ
スA1、A2、、A2.・・・。
A と出力アドレスM、M1.M2.・・・。
2n−10
M とを対応づける際に、人力アドレスを、人力アド
レス第1グループA 、・・・、A (pOp−t は正の整数: pan)と、入力アドレス第2グループ
A 、・・・、A と、入力アドレス第3グルp
2p−1 一ブA 、・・・、A との3つに分け、出力アド2
p 2n−ル スを、出力アドレス第1グループMO2・・・。
レス第1グループA 、・・・、A (pOp−t は正の整数: pan)と、入力アドレス第2グループ
A 、・・・、A と、入力アドレス第3グルp
2p−1 一ブA 、・・・、A との3つに分け、出力アド2
p 2n−ル スを、出力アドレス第1グループMO2・・・。
M と、出力アドレス第2グループM I Ip
−1p M との2つに分けて、入力アドレス第1グル一ブを
出力アドレス第1グループに列アドレスとして出力し、
入力アドレス第2グループを出力アドレス第1グループ
に行アドレスとして出力し、且つ入力アドレス第3グル
ープを下位側より2本ずつ出力アドレス第2グループに
多重化して出力するようにしたものである。
−1p M との2つに分けて、入力アドレス第1グル一ブを
出力アドレス第1グループに列アドレスとして出力し、
入力アドレス第2グループを出力アドレス第1グループ
に行アドレスとして出力し、且つ入力アドレス第3グル
ープを下位側より2本ずつ出力アドレス第2グループに
多重化して出力するようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、人力アドレスの下位側2pビツトのグ
ループについては、その中の上位側nビット(入力アド
レス第2グループ)が行アドレスに−、下位側nビット
(入力アドレス第1グループ)が列アドレスになるよう
に多重化される。さらに、上位側2n−2pビツトのグ
ループ(第3グループ)については、2pビツト目と2
p+1ビツト目、2p+2ビツト目と2p+3ビツト目
、と云うように互いに隣合うビット同志が多重化される
。
ループについては、その中の上位側nビット(入力アド
レス第2グループ)が行アドレスに−、下位側nビット
(入力アドレス第1グループ)が列アドレスになるよう
に多重化される。さらに、上位側2n−2pビツトのグ
ループ(第3グループ)については、2pビツト目と2
p+1ビツト目、2p+2ビツト目と2p+3ビツト目
、と云うように互いに隣合うビット同志が多重化される
。
そして、多重化された出力アドレスの下位側からpビッ
ト、p+1ビット、・・・、nビットのいずれの範囲を
取っても、その信号には入力アドレスのうち、下位側か
ら2pビウト、2p+2ビツト。
ト、p+1ビット、・・・、nビットのいずれの範囲を
取っても、その信号には入力アドレスのうち、下位側か
ら2pビウト、2p+2ビツト。
・・・、2nビツトが含まれる。このため、2pピツ)
、2p+2ビツト、・・・、2nビツトのいずれのビッ
ト数のアドレスを必要とするメモリでも問題なく使うこ
とができる。
、2p+2ビツト、・・・、2nビツトのいずれのビッ
ト数のアドレスを必要とするメモリでも問題なく使うこ
とができる。
さらに、このような多重化方式によれば、入力アドレス
の最下位側からpビットは必ず出力アドレスの列アドレ
スに含まれるから、連続してDRAMをアクセスする場
合に、もしアクセスするアドレスの上位2n’−pビッ
トが同じ場合には、行アドレスの入力をしないで、ペー
ジモードアクセスを使うことができる。
の最下位側からpビットは必ず出力アドレスの列アドレ
スに含まれるから、連続してDRAMをアクセスする場
合に、もしアクセスするアドレスの上位2n’−pビッ
トが同じ場合には、行アドレスの入力をしないで、ペー
ジモードアクセスを使うことができる。
(実施例)
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図はアドレス多重化の際のアドレスの組合わせ方を
示す模式図である。この例は、16ビツトのアドレスが
必要な64にビットのDRAMと、18ビツトのアドレ
スが必要な256にビットのDRAMと、20ビツトの
アドレスが必要なI MビットのDRAMとに共通に使
えるアドレス多重化制御回路を作る場合の多重化方式の
一例である。
示す模式図である。この例は、16ビツトのアドレスが
必要な64にビットのDRAMと、18ビツトのアドレ
スが必要な256にビットのDRAMと、20ビツトの
アドレスが必要なI MビットのDRAMとに共通に使
えるアドレス多重化制御回路を作る場合の多重化方式の
一例である。
即ち、20ビツトの入力アドレス(A o −A t
9)を、下位側16ビツト(Ao−A1.)と上位側4
ビツト(A16〜A19)の2つのグループに分けて、
下位側16ビツトのグループについては、0ビツト目〜
7ビツト目(A −A7)と、8ビット目〜15ビッ
ト目(A g〜A15)、というようにグループの中の
下位側(人力アドレス第1グループ)と上位側(入力ア
ドレス第1グループ)とを多重化して0ビット〜7ビツ
トの出力アドレス第1グループ(M −M7)に出力す
る。また、上位側4ビットのグループ(入力アドレス第
3グループ)については、16ビツト目と17ビツト目
(Are。
9)を、下位側16ビツト(Ao−A1.)と上位側4
ビツト(A16〜A19)の2つのグループに分けて、
下位側16ビツトのグループについては、0ビツト目〜
7ビツト目(A −A7)と、8ビット目〜15ビッ
ト目(A g〜A15)、というようにグループの中の
下位側(人力アドレス第1グループ)と上位側(入力ア
ドレス第1グループ)とを多重化して0ビット〜7ビツ
トの出力アドレス第1グループ(M −M7)に出力す
る。また、上位側4ビットのグループ(入力アドレス第
3グループ)については、16ビツト目と17ビツト目
(Are。
A )を8ビツト目の出力アドレス(M8)に出カし、
18ビツト目と19ビツト目(A、A)を9ビツト目の
出力アドレス(M9)に出力する、と云うように互いに
隣合うビット同志を多重化して、出力アドレス第2グル
ープ(M、M)に出力している。
18ビツト目と19ビツト目(A、A)を9ビツト目の
出力アドレス(M9)に出力する、と云うように互いに
隣合うビット同志を多重化して、出力アドレス第2グル
ープ(M、M)に出力している。
第1図を見て判るように、どの出力も2対1のセレクタ
で実現でき、且つ出力の下位側8ビツト(Mo−M7)
には入力の下位側16ビツト(A −A t 5)が
、出力の下位側9ビツト(M。
で実現でき、且つ出力の下位側8ビツト(Mo−M7)
には入力の下位側16ビツト(A −A t 5)が
、出力の下位側9ビツト(M。
〜Ms)には人力の下位側18ビツト(Ao〜A17)
かそれぞれ含まれているから、64にビットのDRAM
(アドレス16ビツトでアクセス)や256にビット
のDRAM (アドレス18ビツトでアクセス)の場合
でも、それぞれAO””A15及びAO=A17の連続
したアドレスでアクセスされ、問題なく使用することが
できる。
かそれぞれ含まれているから、64にビットのDRAM
(アドレス16ビツトでアクセス)や256にビット
のDRAM (アドレス18ビツトでアクセス)の場合
でも、それぞれAO””A15及びAO=A17の連続
したアドレスでアクセスされ、問題なく使用することが
できる。
また、アクセスアドレスの上位側12ビツト(A1゜〜
A8)が同じであれば、変化(したかもしれない)最下
位側8ビツト(Ao−A7)は、全て列アドレスに含ま
れているから、行アドレスを与えることなく、ページモ
ードアクセスすることができる。256にビットのDR
AMでは上位側9ビツトが、1MビットDRAMでは」
二位側10ビットが、それぞれ同じであればページモー
ドアクセスすることが可能である。従って、この多重化
方式をとれば、上位側12ビツトが同じ場合に限定する
から、ページモードアクセスが使える場合が少し狭い範
囲に限定されるが、実用上は殆ど問題にならない。
A8)が同じであれば、変化(したかもしれない)最下
位側8ビツト(Ao−A7)は、全て列アドレスに含ま
れているから、行アドレスを与えることなく、ページモ
ードアクセスすることができる。256にビットのDR
AMでは上位側9ビツトが、1MビットDRAMでは」
二位側10ビットが、それぞれ同じであればページモー
ドアクセスすることが可能である。従って、この多重化
方式をとれば、上位側12ビツトが同じ場合に限定する
から、ページモードアクセスが使える場合が少し狭い範
囲に限定されるが、実用上は殆ど問題にならない。
ここで、本実施例の多重化を実現する回路は第2図に示
す如く構成される。即ち、20本の入力アドレス線21
.10本の出力アドレス線22及びこれらのアドレス線
21.22間に配置された10個の2対1セレクタ23
で構成される。セレクタ23を出力アドレスM o −
M 9に対応してS −8とすると、Soの入力端には
入力アドレスA 、A か、S にはA 、A
が、さらにS にはA 、At5が与えられる。つ
まり、S −S の入力端には1、A2、、A
(i−0071f+8 〜7)がそれぞれ与えられる。また、S8の入力端には
入力アドレスA 、A が与えられ、59にはA1
8.A19が与えられるものとなっている。
す如く構成される。即ち、20本の入力アドレス線21
.10本の出力アドレス線22及びこれらのアドレス線
21.22間に配置された10個の2対1セレクタ23
で構成される。セレクタ23を出力アドレスM o −
M 9に対応してS −8とすると、Soの入力端には
入力アドレスA 、A か、S にはA 、A
が、さらにS にはA 、At5が与えられる。つ
まり、S −S の入力端には1、A2、、A
(i−0071f+8 〜7)がそれぞれ与えられる。また、S8の入力端には
入力アドレスA 、A が与えられ、59にはA1
8.A19が与えられるものとなっている。
また、セレクタ23の任意の一つ、例えばS。
の回路構成は、第3図に示す如く、2つのANDゲート
31,32.1つのORゲート33及び1つのインバー
タ34で実現される。この第3図と前記第7図とを比較
して判るように、本実施例ではセレクタの構成が大幅に
簡略化される。さらに、このセレクタ(14成の簡略化
は、Soのみでなく全てのセレクタS −89に対して
言えるので、全体構成の大幅な簡略化につながるもので
ある。
31,32.1つのORゲート33及び1つのインバー
タ34で実現される。この第3図と前記第7図とを比較
して判るように、本実施例ではセレクタの構成が大幅に
簡略化される。さらに、このセレクタ(14成の簡略化
は、Soのみでなく全てのセレクタS −89に対して
言えるので、全体構成の大幅な簡略化につながるもので
ある。
なお、多重化された信号(出力アドレスM。〜M9)は
、第4図に示す如<、DRAMチップ40の行及び列の
各デコーダ41.42に供給される。そして、RAS/
CASによりデコーダ41.42が選択され、DRAM
セル43の所定アドレスが選択されるものとなっている
。
、第4図に示す如<、DRAMチップ40の行及び列の
各デコーダ41.42に供給される。そして、RAS/
CASによりデコーダ41.42が選択され、DRAM
セル43の所定アドレスが選択されるものとなっている
。
かくして本実施例によれば、64にビット。
256にビット及び1Mビットの容量の異なる3種のD
RAMに共通して使えるアドレス多重化制御回路を実現
することができる。そしてこの場合、ページモードアク
セスが使える範囲が少し狭い範囲に限定されるが、短時
間のページモードアクセスすることが可能である。さら
に、セレクタとしては2対1のセレクタを用いればよい
ので、回路構成の大幅な簡略化をはかることができる。
RAMに共通して使えるアドレス多重化制御回路を実現
することができる。そしてこの場合、ページモードアク
セスが使える範囲が少し狭い範囲に限定されるが、短時
間のページモードアクセスすることが可能である。さら
に、セレクタとしては2対1のセレクタを用いればよい
ので、回路構成の大幅な簡略化をはかることができる。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記第1図に示す多重化は一つの例であり
、次の条件を満たせば全く同じ効果が得られる。即ち、
■入力アドレスのOビット目〜7ビツト目が列アドレス
の下位8ビツトに現われ、■入力アドレスの8ビツト目
〜15ビツト目が行アドレスの下位8ビツトに現われ、
■入力アドレスの16ビツト目と17ビツト目が出力ア
ドレスの8ビツト目に多重化され、■入カアドレスの1
8ビツト目と19ビツト目が出力アドレスの9ビツト目
に多重化されていればよい。
い。例えば、前記第1図に示す多重化は一つの例であり
、次の条件を満たせば全く同じ効果が得られる。即ち、
■入力アドレスのOビット目〜7ビツト目が列アドレス
の下位8ビツトに現われ、■入力アドレスの8ビツト目
〜15ビツト目が行アドレスの下位8ビツトに現われ、
■入力アドレスの16ビツト目と17ビツト目が出力ア
ドレスの8ビツト目に多重化され、■入カアドレスの1
8ビツト目と19ビツト目が出力アドレスの9ビツト目
に多重化されていればよい。
また、アドレスを多重化して与えてアクセスするメモリ
の代表例としてDRAMを用いて説明したが、他のメモ
リ(ROMやSRAM)でも同じ方式を用いて、同様の
効果が得られるのは云うまでもない。さらに、入力アド
レス及び出力アドレスのグループ分け(ni pの値
)は、使用するメモリの種類に応じて適宜変更可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
の代表例としてDRAMを用いて説明したが、他のメモ
リ(ROMやSRAM)でも同じ方式を用いて、同様の
効果が得られるのは云うまでもない。さらに、入力アド
レス及び出力アドレスのグループ分け(ni pの値
)は、使用するメモリの種類に応じて適宜変更可能であ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、アドレスを多重化
する際に、2nビツトの入力アドレスを、下位側2pビ
ツトと上位側2n−2pビツトの2グループに分け、下
位側2pビツトのグループについては、その中の上位側
pビットが行アドレスに、下位側pビットが列アドレス
になるように多重化し、また上位側2n−2pビツトの
グループについては、互いに隣合うビット同志を多重化
すると云う方式にしているので、簡単な回路構成で容量
の異なる多くの種類のメモリに対応できるようなアドレ
ス多重化制御回路を実現することができる。
する際に、2nビツトの入力アドレスを、下位側2pビ
ツトと上位側2n−2pビツトの2グループに分け、下
位側2pビツトのグループについては、その中の上位側
pビットが行アドレスに、下位側pビットが列アドレス
になるように多重化し、また上位側2n−2pビツトの
グループについては、互いに隣合うビット同志を多重化
すると云う方式にしているので、簡単な回路構成で容量
の異なる多くの種類のメモリに対応できるようなアドレ
ス多重化制御回路を実現することができる。
第1図乃至第4図はそれぞれ本発明の一実施例を説明す
るためのもので、第1図はアドレス多重化の際のアドレ
スの組合わせ方を示す模式図、第2図は第1図のアドレ
ス多重化を実現するアドレス多重化制御回路の一例を示
す回路構成図、第3図は第2図の回路に用いたセレクタ
の内部構成を示す回路(1■成図、第4図はDRAMチ
ップの基本構成を示すブロック図、第5図乃至第8図は
それぞれ従来例を説明するためのもので、第5図は25
6K及び1M対応のアドレスの組合わせ方を示す模式図
、第6図は第5図の多重化を実現するアドレス多重化回
路の一例を示す回路構成図、第7図は第6図の回路に用
いたセレクタの内部構成を示す回路構成図、第8図は6
4に、256K及び1M対応のアドレスの組合わせ方を
示す模式図である。 21・・・入力アドレス線、22・・・出力アドレス線
、23・・・セレクタ、31.32・・・ANDゲート
、33・・・ORゲート、34・・・インノ(−夕、4
0・・・D RA Mチップ、41・・・カラムデコー
ダ、42・・・ローデコーダ、43・・・DRAMセル
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 RAS/CAS 第2図
るためのもので、第1図はアドレス多重化の際のアドレ
スの組合わせ方を示す模式図、第2図は第1図のアドレ
ス多重化を実現するアドレス多重化制御回路の一例を示
す回路構成図、第3図は第2図の回路に用いたセレクタ
の内部構成を示す回路(1■成図、第4図はDRAMチ
ップの基本構成を示すブロック図、第5図乃至第8図は
それぞれ従来例を説明するためのもので、第5図は25
6K及び1M対応のアドレスの組合わせ方を示す模式図
、第6図は第5図の多重化を実現するアドレス多重化回
路の一例を示す回路構成図、第7図は第6図の回路に用
いたセレクタの内部構成を示す回路構成図、第8図は6
4に、256K及び1M対応のアドレスの組合わせ方を
示す模式図である。 21・・・入力アドレス線、22・・・出力アドレス線
、23・・・セレクタ、31.32・・・ANDゲート
、33・・・ORゲート、34・・・インノ(−夕、4
0・・・D RA Mチップ、41・・・カラムデコー
ダ、42・・・ローデコーダ、43・・・DRAMセル
。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 RAS/CAS 第2図
Claims (3)
- (1)アドレスを多重化して与えてアクセスするメモリ
を制御する回路であって、下位ビットをA_0とし順次
A_1、A_2、・・・、A_2_n_−_1(nは正
の整数)と名付けられた2n本の入力アドレス線と、下
位ビットをM_0とし順次M_1、M_2、・・・、M
_n_−_1と名付けられたn本の出力アドレス線とを
備え、入力アドレス線2本の信号を行アドレス、列アド
レスの順に多重化して1本の出力アドレス線に出力する
アドレス多重化制御回路において、 前記入力アドレスA_0、A_1、A_2、・・・、A
_2_n_−_1と前記出力アドレスM_0、M_1、
M_2、・・・、M_n_−_1とを対応づける際に、 入力アドレスを、入力アドレス第1グループA_0、・
・・、A_p_−_1(pは正の整数:p<n)と、入
力アドレス第2グループA_p、・・・、A_2_p_
−_1と、入力アドレス第3グループA_2_p、・・
・A_2_n_−_1との3つに分け、 出力アドレスを、出力アドレス第1グループM_0、・
・・、M_p_−_1と、出力アドレス第2グループM
_p、・・・、M_n_−_1との2つに分けて、上記
入力アドレス第1グループを上記出力アドレス第1グル
ープに列アドレスとして出力し、上記入力アドレス第2
グループを上記出力アドレス第1グループに行アドレス
として出力し、且つ上記入力アドレス第3グループを下
位側より2本ずつ上記出力アドレス第2グループに多重
化して出力することを特徴とするアドレス多重化制御回
路。 - (2)前記入力アドレスと前記出力アドレスとを対応づ
けるものとして、2本の入力アドレス線を1本の出力ア
ドレス線に選択的に接続するn個の2対1のセレクタを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のア
ドレス多重化制御回路。 - (3)前記アクセスするメモリは、64Kビット、25
6Kビット及び1Mビットの3種のメモリであり、前記
n、pをn=10、p=8に設定してなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項又は第2項記載のアドレス多
重化制御回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62017193A JPS63186345A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アドレス多重化制御回路 |
EP88300694A EP0277763A3 (en) | 1987-01-29 | 1988-01-27 | Address multiplexing apparatus |
US07/759,202 US5276812A (en) | 1987-01-29 | 1991-09-11 | Address multiplexing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62017193A JPS63186345A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アドレス多重化制御回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63186345A true JPS63186345A (ja) | 1988-08-01 |
Family
ID=11937097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62017193A Pending JPS63186345A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | アドレス多重化制御回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0277763A3 (ja) |
JP (1) | JPS63186345A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3024767B2 (ja) * | 1989-08-29 | 2000-03-21 | 株式会社日立製作所 | アドレス供給システム |
WO1991011007A2 (en) * | 1990-01-19 | 1991-07-25 | Dallas Semiconductor Corporation | Serial dram controller with transparent refresh |
US5280601A (en) * | 1990-03-02 | 1994-01-18 | Seagate Technology, Inc. | Buffer memory control system for a magnetic disc controller |
US5652723A (en) * | 1991-04-18 | 1997-07-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory device |
JPH1031885A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Winbond Electron Corp | アドレスピンを減少させた集積回路及びその集積回路への信号の入力方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713561A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Hitachi Ltd | Memory device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2948159C2 (de) * | 1979-11-29 | 1983-10-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierter Speicherbaustein mit wählbaren Betriebsfunktionen |
JPS57118599U (ja) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | ||
US4675808A (en) * | 1983-08-08 | 1987-06-23 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Multiplexed-address interface for addressing memories of various sizes |
JPS60147992A (ja) * | 1984-01-12 | 1985-08-05 | Nec Corp | 記憶回路 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP62017193A patent/JPS63186345A/ja active Pending
-
1988
- 1988-01-27 EP EP88300694A patent/EP0277763A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713561A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-23 | Hitachi Ltd | Memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0277763A2 (en) | 1988-08-10 |
EP0277763A3 (en) | 1990-05-23 |
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