JPS6312302A - 分離膜 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
±粟↓二且且五■
本発明は、多孔質膜の表面に均質なポリイミド薄膜を有
する複合分離膜に関する。さらに詳しくは、多孔質膜の
表面にラングミュア・プロジェット法により両性ポリイ
ミド前駆体を累積し、それに続くイミド化反応により製
造された多孔質膜の表面にポリイミドの均質な薄膜を有
する複合分離1臭に関する。
する複合分離膜に関する。さらに詳しくは、多孔質膜の
表面にラングミュア・プロジェット法により両性ポリイ
ミド前駆体を累積し、それに続くイミド化反応により製
造された多孔質膜の表面にポリイミドの均質な薄膜を有
する複合分離1臭に関する。
′ の ′ 。 占
複合分離膜特にポリイミド複合分離膜はポリイミドで合
成されているので耐熱性と機械的強度を有し、水素、−
酸化炭素などのガス成分の通過速度がすぐれており、し
かも各ガス成分の分離性能が非常に高い分離膜であり注
目されている。
成されているので耐熱性と機械的強度を有し、水素、−
酸化炭素などのガス成分の通過速度がすぐれており、し
かも各ガス成分の分離性能が非常に高い分離膜であり注
目されている。
従来、ポリイミド複合分離膜の製造法としては特開昭5
7−209608号に提案されているように、芳香族ポ
リイミド多孔質膜の表面に芳香族ポリアミック酸の有機
極性溶媒に均一に溶解している溶液を塗布し、塗布層を
150℃以上に加熱し、イミド化させてポリイミド多孔
質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する方法、
あるいは特開昭58−8!M3に提案されているように
、芳香族ポリイミド微多孔質膜に可溶性芳香族ポリイミ
ド希薄溶液を塗布し、その塗布層を乾燥し溶媒を徐々に
除去する方法がある。
7−209608号に提案されているように、芳香族ポ
リイミド多孔質膜の表面に芳香族ポリアミック酸の有機
極性溶媒に均一に溶解している溶液を塗布し、塗布層を
150℃以上に加熱し、イミド化させてポリイミド多孔
質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する方法、
あるいは特開昭58−8!M3に提案されているように
、芳香族ポリイミド微多孔質膜に可溶性芳香族ポリイミ
ド希薄溶液を塗布し、その塗布層を乾燥し溶媒を徐々に
除去する方法がある。
しかしながら、これら従来/i:コよ、芳香族ポリイミ
ド多孔質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する
ための溶液を塗布する工程を含んでいる。
ド多孔質膜の表面にポリイミド均質層の薄膜を形成する
ための溶液を塗布する工程を含んでいる。
一般的塗布法や精度の高いスピンコード法においても、
1μm以下の厚み、特に数千Aの厚みの薄膜を均一に塗
布するのは非常に難しい。
1μm以下の厚み、特に数千Aの厚みの薄膜を均一に塗
布するのは非常に難しい。
一般的塗布法では大面積化は可能であるが、膜厚精度が
よくない。一方スピンコート法では膜厚精度はよいが、
大きな面積に均一に塗布するのは困難であり、安定した
ガス分離性能をもち、大面積の複合分離膜を得るうえで
問題があった。
よくない。一方スピンコート法では膜厚精度はよいが、
大きな面積に均一に塗布するのは困難であり、安定した
ガス分離性能をもち、大面積の複合分離膜を得るうえで
問題があった。
本発明の目的は、大面積にわたって安定したガス分離性
能をもつ複合分離膜を提供することである。
能をもつ複合分離膜を提供することである。
。 占岑7ン るための
我々は、鋭意検討した結果、多孔質膜、好ましくは芳香
族ポリイミド多孔質膜の表面にラングミュア・プロジェ
ット法により両性ポリイミド前駆体を累積し、それに続
(イミド化反応により、多孔質膜の表面にポリイミドの
均質なi膜を形成することによって安定したガス分離性
能をもつ、大面積の複合分離膜となることが明らかにな
った。
族ポリイミド多孔質膜の表面にラングミュア・プロジェ
ット法により両性ポリイミド前駆体を累積し、それに続
(イミド化反応により、多孔質膜の表面にポリイミドの
均質なi膜を形成することによって安定したガス分離性
能をもつ、大面積の複合分離膜となることが明らかにな
った。
我々は先に特願昭60−157354等に両性ポリイミ
ド前駆体を提案し、これがラングミュア・プロジェット
法により各種基板上に製膜でき、しかもそれに続いてイ
ミド化させ、ポリイミドのピンホールの少ない薄膜を得
ることができることを明らかにしたが、本発明は、上記
発明の基板として多孔質膜を使用することができること
が見出されたことによってなされたものである。
ド前駆体を提案し、これがラングミュア・プロジェット
法により各種基板上に製膜でき、しかもそれに続いてイ
ミド化させ、ポリイミドのピンホールの少ない薄膜を得
ることができることを明らかにしたが、本発明は、上記
発明の基板として多孔質膜を使用することができること
が見出されたことによってなされたものである。
ラングミュア・プロジェット法は、膜厚制御が容易で、
均質なピンホールのない薄膜を得ることのできる方法で
あり、大きな面積の基板の表面に均一な厚さの薄膜を形
成できる特徴をもつ。また本発明に通した1μm以下、
好ましくは数千人の厚さの薄膜を形成することができる
。したがって本発明になる、多孔質膜の表面に膜厚が高
度に制御された、均質なピンホールのないポリイミド薄
膜を有する複合分離膜は、すぐれた耐熱性と機械的強度
を持つとともに水素、−酸化炭素などのガス成分の透過
速度が速く、しかも各ガス成分の分離性能が非常に高い
、すなわち水素の透過度と一酸化炭素の通過度の比(P
H2/PCO)が25以上、好ましくは50以上という
性能を持っており、大面積の複合分離膜を容易に製造で
きるという特徴を持っているのである。
均質なピンホールのない薄膜を得ることのできる方法で
あり、大きな面積の基板の表面に均一な厚さの薄膜を形
成できる特徴をもつ。また本発明に通した1μm以下、
好ましくは数千人の厚さの薄膜を形成することができる
。したがって本発明になる、多孔質膜の表面に膜厚が高
度に制御された、均質なピンホールのないポリイミド薄
膜を有する複合分離膜は、すぐれた耐熱性と機械的強度
を持つとともに水素、−酸化炭素などのガス成分の透過
速度が速く、しかも各ガス成分の分離性能が非常に高い
、すなわち水素の透過度と一酸化炭素の通過度の比(P
H2/PCO)が25以上、好ましくは50以上という
性能を持っており、大面積の複合分離膜を容易に製造で
きるという特徴を持っているのである。
以下本発明の複合分離膜について詳しく述べる。
本発明はポリアミック酸単位に疎水性を付与するための
置換基を導入し得ることが見出されたことによってなさ
れたものであり、例えば我々が先に特願昭60−157
354で提案した、一般式(1): (式中、R1は少なくとも2個の炭素原子を含有する4
価の基、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基、R3,R4,R5およびR6はいずれも炭素原
子数1〜30の1価の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の
基、芳香族の基と脂肪族の基との結合した1価の基、そ
れらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ
基、メトキシ基、アセトキシ基で置換された基または水
素原子であり、R2,R4,R5およびR6の少なくと
も2個は炭素原子数1〜11の前記の基または水素原子
ではない)で表される繰返し単位を有する両性ポリイミ
ド前・駆体をラングミュア・プロジェット法によって多
孔質膜の表面に累積し、それに続いてイミド化反応を行
うことによってなされる。
置換基を導入し得ることが見出されたことによってなさ
れたものであり、例えば我々が先に特願昭60−157
354で提案した、一般式(1): (式中、R1は少なくとも2個の炭素原子を含有する4
価の基、R2は少なくとも2個の炭素原子を含有する2
価の基、R3,R4,R5およびR6はいずれも炭素原
子数1〜30の1価の脂肪族の基、1価の環状脂肪族の
基、芳香族の基と脂肪族の基との結合した1価の基、そ
れらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ
基、メトキシ基、アセトキシ基で置換された基または水
素原子であり、R2,R4,R5およびR6の少なくと
も2個は炭素原子数1〜11の前記の基または水素原子
ではない)で表される繰返し単位を有する両性ポリイミ
ド前・駆体をラングミュア・プロジェット法によって多
孔質膜の表面に累積し、それに続いてイミド化反応を行
うことによってなされる。
本発明のポリイミド薄膜を形成するための両性ポリイミ
ド前駆体は、例えば一般式(1):で表される繰り返し
単位を有する数平均分子量が2,000〜300,00
0のものである。数平均分子量が2,000〜300.
000の範囲をはずれると、膜を作製したときの強度が
低すぎたり、粘度が高すぎて膜の作製がうまくいかない
などの傾向が生ずる。
ド前駆体は、例えば一般式(1):で表される繰り返し
単位を有する数平均分子量が2,000〜300,00
0のものである。数平均分子量が2,000〜300.
000の範囲をはずれると、膜を作製したときの強度が
低すぎたり、粘度が高すぎて膜の作製がうまくいかない
などの傾向が生ずる。
一般式(1)におけるR1は少なくとも2個の炭素原子
を含有する、好ましくは5〜20個の炭素原子を含有す
る4価の基であり、芳香族の基であってもよく、環状脂
肪族の基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との
結合した基であってもよく、さらにはこれらの基が炭素
数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香
族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロ
ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基
、アセトキシ基などの11ii[iの基で、あるいは該
1価の基が、−0−、−COO+、 −NHCO−;
−Co−。
を含有する、好ましくは5〜20個の炭素原子を含有す
る4価の基であり、芳香族の基であってもよく、環状脂
肪族の基であってもよく、芳香族の基と脂肪族の基との
結合した基であってもよく、さらにはこれらの基が炭素
数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香
族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロ
ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基
、アセトキシ基などの11ii[iの基で、あるいは該
1価の基が、−0−、−COO+、 −NHCO−;
−Co−。
−5−、−CSS −、−NHCS−、−C3−などに
結合した基で置換され誘導体となった基であってもよい
。しかし、R1が少なくとも6個の炭素原子数を有する
ベンゼノイド不飽和によって特徴づけられた基である場
合には、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好
ましい。
結合した基で置換され誘導体となった基であってもよい
。しかし、R1が少なくとも6個の炭素原子数を有する
ベンゼノイド不飽和によって特徴づけられた基である場
合には、耐熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好
ましい。
前記のごときR1の具体例としては、例えば、(以下余
白) などが挙げられる。
白) などが挙げられる。
本明細書にいうベンゼノイド不飽和とは、炭素環式化合
物の構造に関してキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の
構造をいう。
物の構造に関してキノイド構造と対比して用いられる術
語で、普通の芳香族化合物に含まれる炭素環と同じ形の
構造をいう。
p−キノイド構造 ペンゼノイド不飽和R1の4個
の結合手、すなわち一般式(1)で表される繰返しm位
において 結合する手の位置には特に限定はないが、4個の結合手
の各2個づつがR1を構成する隣接する2個の炭素原子
に存在する場合には、両性ポリイミド前駆体を用いて形
成した膜などをポリイミド化する際に5員環を形成しゃ
すくイミド化しやすいため好ましい。
の結合手、すなわち一般式(1)で表される繰返しm位
において 結合する手の位置には特に限定はないが、4個の結合手
の各2個づつがR1を構成する隣接する2個の炭素原子
に存在する場合には、両性ポリイミド前駆体を用いて形
成した膜などをポリイミド化する際に5員環を形成しゃ
すくイミド化しやすいため好ましい。
前記のごときR1の好ましい具体例としては、例えば、
ハ
などが挙げられろ。また
も好ましい。
一般式(11におけるR2は、少なくとも2個の炭素原
子を含有する2(il[iの基であり、芳香族の基であ
ってもよく、脂肪族の基であってもよく、環状脂肪族の
基であってもよ(、芳香族の基と脂肪族の基との結合し
た基であってもよく、さらにはこれらの2価の基が炭素
数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香
族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロ
ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基
、アセトキシ基などの1価の基で、あるいはこれらの1
価の基が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、
−Co−。
子を含有する2(il[iの基であり、芳香族の基であ
ってもよく、脂肪族の基であってもよく、環状脂肪族の
基であってもよ(、芳香族の基と脂肪族の基との結合し
た基であってもよく、さらにはこれらの2価の基が炭素
数1〜30の脂肪族の基、環状脂肪族の基あるいは芳香
族の基と脂肪族の基とが結合した基、それらの基がハロ
ゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基
、アセトキシ基などの1価の基で、あるいはこれらの1
価の基が、−0+、 −coo +、 −NHCO−、
−Co−。
−S −、−CSS −、−NHCS−、−CS−など
に結合した基で置換された基であってもよい、しかし、
R2が少な(とも6個の炭素原子数を有するベンゼノイ
ド不飽和によって特徴づけられた基である場合には、耐
熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい。
に結合した基で置換された基であってもよい、しかし、
R2が少な(とも6個の炭素原子数を有するベンゼノイ
ド不飽和によって特徴づけられた基である場合には、耐
熱性、耐薬品性や機械的特性などの点から好ましい。
前記のごときR2の具体例としては1
、二こてR9は
7H;
−(CI!=) m −(O= 1〜3の整数>、−C
+。
+。
H3
?F3
−C+、 −o −、−Co +、 −s +、
−502+。
−502+。
F3
RIORIG
ll
RIORIO
+ 1
一〇−p−o−,−p=
11!1
R1!lおよびRuはいずれも炭素原子数1〜30のア
ルキルまた1よアリール基 CHz C8ニ − (CH2)P−(1)= 2〜10) 、
−(C)+2)4− CM−(CHz) :! +。
ルキルまた1よアリール基 CHz C8ニ − (CH2)P−(1)= 2〜10) 、
−(C)+2)4− CM−(CHz) :! +。
CH3CH二
CH3CH2
CH2O
一(CH2)IOcH−CH3、−(CH2)3−C−
(CH2)2− 。
(CH2)2− 。
−(CH2)3−0− (CH2)2−0− (CH2
)3−。
)3−。
等てあり、前記のごときR2の好ましい具体例としでは
、例えば (式中、R9は−−fCHzf=r (m = 1〜
3の整数)。
、例えば (式中、R9は−−fCHzf=r (m = 1〜
3の整数)。
−S −、−5Oz +、 −:讐RIG−1R
1口 胛□ 一5i−、−〇−5i−〇−9 R′111 RllRl口
R10−o
−P−〇−,−p− OO (R]9およびR11はいずれも炭素原子数1〜30の
アルキルまたは了り−ル基) 等かあげられる。
1口 胛□ 一5i−、−〇−5i−〇−9 R′111 RllRl口
R10−o
−P−〇−,−p− OO (R]9およびR11はいずれも炭素原子数1〜30の
アルキルまたは了り−ル基) 等かあげられる。
一般式(1)におけるR3、R4、R5およびR6はい
ずれも炭素原子数1〜30、好ましくは1〜22の1価
の脂肪族の基、1 fiifの環状脂肪族の基、芳香族
の基と脂肪族の基との結合した1fii!iの基、それ
らの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基
、メトキシ基、アセトキシ基など+:ニブされそれらの
基の誘導体となった基または水素原子である。なお一般
式[11においてR3、R4、R5およびR6はいずれ
も一般式(8): (式中、R1,R2は前記と同じ)で表されるポリアミ
ック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るため
に導入される基であり、R’、 R’、 R5,R6の
うちの少なくとも2個が炭素原子数1〜11、好ましく
は1〜15の前記の基あるいは水素原子でないことが、
水面上に安定な凝縮膜が形成され、それがLB法により
基板上に累積されるために必要である。
ずれも炭素原子数1〜30、好ましくは1〜22の1価
の脂肪族の基、1 fiifの環状脂肪族の基、芳香族
の基と脂肪族の基との結合した1fii!iの基、それ
らの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基
、メトキシ基、アセトキシ基など+:ニブされそれらの
基の誘導体となった基または水素原子である。なお一般
式[11においてR3、R4、R5およびR6はいずれ
も一般式(8): (式中、R1,R2は前記と同じ)で表されるポリアミ
ック酸単位に疎水性を付与し、安定な凝縮膜を得るため
に導入される基であり、R’、 R’、 R5,R6の
うちの少なくとも2個が炭素原子数1〜11、好ましく
は1〜15の前記の基あるいは水素原子でないことが、
水面上に安定な凝縮膜が形成され、それがLB法により
基板上に累積されるために必要である。
前記のごときR3、R4、R5、R6の水素原子以外の
具体例としては、例えば CH3(CH2寸可、 (C)13)2CH(C
H2加:。
具体例としては、例えば CH3(CH2寸可、 (C)13)2CH(C
H2加:。
(以上のnはいずれも12〜30.好ましくは16〜2
2)などがあげられる。ただ本発明の目的を達成するた
めには、CH3(CH2Xゴで表される直鎖アルキル基
を利用するのが、性能的にもコスト的にも最も望ましい
。前述したようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、
シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などは必須ではな
い。しかしフッ素原子により疎水性は水素原子と比べ飛
躍的に改善されるので、)−ノ素原子を含むものを使用
するのが好ましい。
2)などがあげられる。ただ本発明の目的を達成するた
めには、CH3(CH2Xゴで表される直鎖アルキル基
を利用するのが、性能的にもコスト的にも最も望ましい
。前述したようなハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、
シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などは必須ではな
い。しかしフッ素原子により疎水性は水素原子と比べ飛
躍的に改善されるので、)−ノ素原子を含むものを使用
するのが好ましい。
R3、R4、R5、R6のうちの2個が水素原子の場合
の本発明の両性ポリイミド前5体の繰返し単位の具体例
としては、一般式(2): (式中、R1,R2、R3、R4;よ前記と同し、ただ
しR3およびR4は炭素原子数1〜11の基または水素
原子ではない)て表:れる繰返し単位や、一般式(3)
:(式中、R1、R2、R5、R6は前記と同じ、ただ
しR5およびR6は炭素原子数1〜11の基または水素
原子ではない)で表される繰返し単位などがあげられる
。本発明の両性ポリイミド前駆体の繰返し単位が一般式
(2)や一般式(3)で表されるものである場合には、
製造が容易である、コスト的にも安価であるなどの点か
ら好ましい。
の本発明の両性ポリイミド前5体の繰返し単位の具体例
としては、一般式(2): (式中、R1,R2、R3、R4;よ前記と同し、ただ
しR3およびR4は炭素原子数1〜11の基または水素
原子ではない)て表:れる繰返し単位や、一般式(3)
:(式中、R1、R2、R5、R6は前記と同じ、ただ
しR5およびR6は炭素原子数1〜11の基または水素
原子ではない)で表される繰返し単位などがあげられる
。本発明の両性ポリイミド前駆体の繰返し単位が一般式
(2)や一般式(3)で表されるものである場合には、
製造が容易である、コスト的にも安価であるなどの点か
ら好ましい。
一般式(L)〜(3)で示される繰返し単位を有する本
発明の両性ポリイミド前駆体の具体例としては、例えば (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
) u−1CH3(CHz) tz−1CH3(CHz
) 15−1C)13(CH2) 17−1C)Is(
CHz) 19−1Cth(CH2) 21−2CF3
(CH2) 1s−など)、 (式中のR5、R6の具体例としては、CHs(CH2
) u−1Ci(3(CHz) 13−5CH:(CH
z) +5−2CH3(CL) ’17−1CH3(C
I(2) 19−1CTo(CHz) 2l−1CF3
(CH2) l!I−など)、 (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
)’ u−1CH3(CH2) +3−1CH3(C)
Iz) 15−1CH3(CH2) +7−1CH3(
CH2) I!l−2CH3(CH2) 2l−1CF
3(CH2) 15−など)、R5、R6の具体例とし
ては、CH3−1CH3(CH2) 2−5CH3(C
H2) 3−1CH3(CH2) s −など)、 (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
) +1 − 、 CH3(CHz) +3 −
、 CH3(CH2) +5 − 、CH3(CH2
) IT−1CH3(CH2) 19−1CH3(C)
+2) =1−1CF3(CH2) +5−など)等の
繰返し単位を含むものがあげられる。
発明の両性ポリイミド前駆体の具体例としては、例えば (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
) u−1CH3(CHz) tz−1CH3(CHz
) 15−1C)13(CH2) 17−1C)Is(
CHz) 19−1Cth(CH2) 21−2CF3
(CH2) 1s−など)、 (式中のR5、R6の具体例としては、CHs(CH2
) u−1Ci(3(CHz) 13−5CH:(CH
z) +5−2CH3(CL) ’17−1CH3(C
I(2) 19−1CTo(CHz) 2l−1CF3
(CH2) l!I−など)、 (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
)’ u−1CH3(CH2) +3−1CH3(C)
Iz) 15−1CH3(CH2) +7−1CH3(
CH2) I!l−2CH3(CH2) 2l−1CF
3(CH2) 15−など)、R5、R6の具体例とし
ては、CH3−1CH3(CH2) 2−5CH3(C
H2) 3−1CH3(CH2) s −など)、 (式中のR3、R4の具体例としては、CH3(CH2
) +1 − 、 CH3(CHz) +3 −
、 CH3(CH2) +5 − 、CH3(CH2
) IT−1CH3(CH2) 19−1CH3(C)
+2) =1−1CF3(CH2) +5−など)等の
繰返し単位を含むものがあげられる。
式中−は異性を表す。例を次式
で説明すれば
および
を表す。
本発明は(al、 (blが単独である場合、(al、
(b)が共存する場合を含んでいる。
(b)が共存する場合を含んでいる。
前記のごとき本発明の両性ポリイミド前駆体は、一般に
N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホル
アミド、N、N−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチル
ホスホルアミドなどの有機極性溶剤に易溶、上記有機極
性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤などの混合
溶剤に溶、通常の有機溶剤、例エハベンゼル、エーテル
、クロロホルム、アセトン、メタノールなどにn溶〜不
溶で、赤外線吸収スペクトル分析でアミド、カルボン酸
(場合によってはカルボン酸エステル)および長鎖アル
キル基の特徴的な吸収が存在する。熱分析結果にも特徴
があり、約200℃で重量の急激な減少がはじまり、約
400℃で完結する。完結したのちには、アミド、カル
ボン酸(場合によってカルボン酸エステル)および長鎖
アルキル基の吸収が消失し、イミド環の吸収が表れる。
N、N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホル
アミド、N、N−ジエチルホルムアミド、ヘキサメチル
ホスホルアミドなどの有機極性溶剤に易溶、上記有機極
性溶剤とクロロホルムなどの通常の有機溶剤などの混合
溶剤に溶、通常の有機溶剤、例エハベンゼル、エーテル
、クロロホルム、アセトン、メタノールなどにn溶〜不
溶で、赤外線吸収スペクトル分析でアミド、カルボン酸
(場合によってはカルボン酸エステル)および長鎖アル
キル基の特徴的な吸収が存在する。熱分析結果にも特徴
があり、約200℃で重量の急激な減少がはじまり、約
400℃で完結する。完結したのちには、アミド、カル
ボン酸(場合によってカルボン酸エステル)および長鎖
アルキル基の吸収が消失し、イミド環の吸収が表れる。
これまでの説明は一般式(11で表される繰返し単位を
もつ両性ポリイミド前駆体についてであるが、これらか
ら容易に類推されるように種々の共重合体が存在する。
もつ両性ポリイミド前駆体についてであるが、これらか
ら容易に類推されるように種々の共重合体が存在する。
まず第1に一般式(1)におけるR1゜R2,R3,R
4,R5,R6の少なくとも1つが先に挙げられた具体
例から選ばれた少なくとも2種からなることによって実
現される。
4,R5,R6の少なくとも1つが先に挙げられた具体
例から選ばれた少なくとも2種からなることによって実
現される。
例えばR1として2種選ばれたとき
x、 yは比率を表し、0<x、<1.O<y<1x+
y=lである。(以下同じ) さらにR2として2種選ばれたとき などで、以上の例はほんの一例であり、またR3゜R4
,R5,R6についてはこれまでの説明でいくつもの例
が書けるが などである。
y=lである。(以下同じ) さらにR2として2種選ばれたとき などで、以上の例はほんの一例であり、またR3゜R4
,R5,R6についてはこれまでの説明でいくつもの例
が書けるが などである。
第2にさらに重要な共重合体は、R1,R2の少なくと
も一方あるいは両方の一部を価数の異なる基で置き換え
ることによって実現される。
も一方あるいは両方の一部を価数の異なる基で置き換え
ることによって実現される。
まずR1の一部を置換する基は少なくとも2個の炭素原
子を含有する4価以外の基から選ばれ、2゜3価が使え
るが、好ましい具体例は3価であり、この場合の一般式
は次のようになる。
子を含有する4価以外の基から選ばれ、2゜3価が使え
るが、好ましい具体例は3価であり、この場合の一般式
は次のようになる。
R1(〔〕X内) 、 R2,R3,R4,R5,R’
は前記に同じ。R1(()y内)は少なくとも2個の炭
素原子を含有するそれぞれ2価、3価の基である。
は前記に同じ。R1(()y内)は少なくとも2個の炭
素原子を含有するそれぞれ2価、3価の基である。
次にR2の一部を1換する基は少なくとも2個の炭素原
子を含有する2価以外の基から選ばR3(ヨ。
子を含有する2価以外の基から選ばR3(ヨ。
4価の基が好ましい。
これらの場合の一般式は次のようになる。
R”、R2(()X内) 、 R3,R4,R5,R6
は前記に間し。R2(()y内)は少なくとも2個の炭
素原子を有するそれぞれ3価、4価の基であるゆXはR
2に対する置換基で−N)IR,−C0NHI? (
Rはアルキル基または水素原子)等が好ましい例である
。
は前記に間し。R2(()y内)は少なくとも2個の炭
素原子を有するそれぞれ3価、4価の基であるゆXはR
2に対する置換基で−N)IR,−C0NHI? (
Rはアルキル基または水素原子)等が好ましい例である
。
これら共重合による両性ポリイミド前駆体の修飾は、該
前駆体のラングミュア・プロジェット法による累積特性
や、基板上に累積したあとイミド化して得られるポリイ
ミドゴ膜の物性改善のために重要であり、本発明の好ま
しい実、Sミ聾様の1つである。
前駆体のラングミュア・プロジェット法による累積特性
や、基板上に累積したあとイミド化して得られるポリイ
ミドゴ膜の物性改善のために重要であり、本発明の好ま
しい実、Sミ聾様の1つである。
R”、R2の少なくとも1方あるいは両方の1部を置換
する基の異本(列:よ、以下のとおりである。
する基の異本(列:よ、以下のとおりである。
(ここでR9は前出に同じ)
II IIo
0 RIOgよびR11はアルキルまたはアリール基H3 ■ 13 に82 CH; −(CH2)P−(p = 2〜10) 、
−(CH2)4−C−(C)+2)2−7H30 −(CH2)! −0−(CH2)2−0− (CH2
)3− 。
0 RIOgよびR11はアルキルまたはアリール基H3 ■ 13 に82 CH; −(CH2)P−(p = 2〜10) 、
−(CH2)4−C−(C)+2)2−7H30 −(CH2)! −0−(CH2)2−0− (CH2
)3− 。
(R9は前出に同じ)
(Rりは前出に同し)
以上の中からR1,R2のさらに好ましい例をあげれば
■
(R9は前出に同じ)である。
さらに詳しく共重合体について説明するために具体的な
例を挙げれば、 また、これまでの説明においては、前駆体の操返し単位
において、R3,R4,R5,RGの少なくとも2個は
炭素数1〜11の前記の基または水素原子ではない場合
であったが、繰返し単位のうちの30%以下の範囲であ
れば、一般式(9):(式中、R1,R2:よ前記と同
じ、Rは炭素原子数1〜11の1価の脂肪族の基、1価
の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂肪族の基が結合した
1価の基、これらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミ
ノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換
された基または水素原子であり、4fllil’)Rは
同じでもよく、異なっていてもよい)で表されるような
繰返し単位が含まれていてもよい。
例を挙げれば、 また、これまでの説明においては、前駆体の操返し単位
において、R3,R4,R5,RGの少なくとも2個は
炭素数1〜11の前記の基または水素原子ではない場合
であったが、繰返し単位のうちの30%以下の範囲であ
れば、一般式(9):(式中、R1,R2:よ前記と同
じ、Rは炭素原子数1〜11の1価の脂肪族の基、1価
の環状脂肪族の基、芳香族の基と脂肪族の基が結合した
1価の基、これらの基がハロゲン原子、ニトロ基、アミ
ノ基、シアノ基、メトキシ基、アセトキシ基などで置換
された基または水素原子であり、4fllil’)Rは
同じでもよく、異なっていてもよい)で表されるような
繰返し単位が含まれていてもよい。
次に本発明の前駆体の製法について説明する。
一般式(1)で表される繰返し単位を有する本発明の前
駆体は、まず一般式(4); (式中、R1は前記と同じ)で表されるテトラカルボン
酸ジ酸無水物に、R30HおよびR40H(R3および
R4は前記と同じ)を反応させて得られる一般式(5)
:(式中、R1,R3,R4は前記に同じ)で表される
化合物を製造し、実質的に無水の極性溶媒中、−10°
C以上、好ましくはO〜40℃程度でチオニルクロライ
ド、五塩化リン、ベンゼンスルホニルクロライドなどを
用いて酸ハライドにし、さらに一般式(6): %式%(61 (式中、R2,R5,RGは前記と同じ)で表される化
合物を添加するときは、−10〜+20℃、好ましくは
0〜+10℃で反応させるが、反応を完結させるために
は添加後20℃以上で反応させてもよい。
駆体は、まず一般式(4); (式中、R1は前記と同じ)で表されるテトラカルボン
酸ジ酸無水物に、R30HおよびR40H(R3および
R4は前記と同じ)を反応させて得られる一般式(5)
:(式中、R1,R3,R4は前記に同じ)で表される
化合物を製造し、実質的に無水の極性溶媒中、−10°
C以上、好ましくはO〜40℃程度でチオニルクロライ
ド、五塩化リン、ベンゼンスルホニルクロライドなどを
用いて酸ハライドにし、さらに一般式(6): %式%(61 (式中、R2,R5,RGは前記と同じ)で表される化
合物を添加するときは、−10〜+20℃、好ましくは
0〜+10℃で反応させるが、反応を完結させるために
は添加後20℃以上で反応させてもよい。
一般式(4)で表される化合物の具体例としては、例え
ば などがあげられる。
ば などがあげられる。
また、R30HおよびR40Hの具体例としては、たと
えばCH30H,CH3CH20H,CH3(CH2)
20H。
えばCH30H,CH3CH20H,CH3(CH2)
20H。
CH3(CH2) 30H,CH3(CH2) sOH
,CH3(CH2) 70H。
,CH3(CH2) 70H。
CH3(CH2) 90H,CH3(CH2) 110
H,CH3(CH2) l= OH。
H,CH3(CH2) l= OH。
CH3(CHz) +5O1(、CH3(CH2)+7
0H,C)13(CH2) +90H。
0H,C)13(CH2) +90H。
CHs(CHz) 210H,C!(3(CH2)
230H,CF3(CH2) +=OH。
230H,CF3(CH2) +=OH。
H(CF2) z(CHz) +508. H(CF
Z)4 (CH2) +フ0HF(CFz)3(CHz
)20H,F(CFz)a(CHz)40H。
Z)4 (CH2) +フ0HF(CFz)3(CHz
)20H,F(CFz)a(CHz)40H。
CHご
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ無水物とR
3QHおよびR40Hとから一般式(5)で表される化
合物を製造する際の反応条件などにはとくに限定はなく
、例えば約100℃でM素気流下、攪拌を数時間続ける
ことによっても得られるし、ヘキサメチレンホスホルア
ミドのような溶剤中、室温で約4日間攪拌を続けるとい
うような一般的な条件が採用され得る。
3QHおよびR40Hとから一般式(5)で表される化
合物を製造する際の反応条件などにはとくに限定はなく
、例えば約100℃でM素気流下、攪拌を数時間続ける
ことによっても得られるし、ヘキサメチレンホスホルア
ミドのような溶剤中、室温で約4日間攪拌を続けるとい
うような一般的な条件が採用され得る。
前記反応を約100℃、窒素気流下で攪拌しながら3時
間加熱することによって行い、冷却後へキサメチレンホ
スホルアミドに溶解し、引き続き行わしめる酸ハライド
化を行うのが反応時間の短縮化、すなわち生産性の向上
などの点から好ましい。
間加熱することによって行い、冷却後へキサメチレンホ
スホルアミドに溶解し、引き続き行わしめる酸ハライド
化を行うのが反応時間の短縮化、すなわち生産性の向上
などの点から好ましい。
前記酸ハライド化を行う際の極性溶媒の具体例としては
、たとえばヘキサメチレンホスホルアミド、N、N−ジ
メチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミドな
どがあげられ、これらの溶媒を実質的に無水の状態、す
なわち酸ハライド化の際に用いるチオニルクロライド、
五塩化リン、ベンゼンスルホニルクロライドなとが分解
せず、定量的に近い状態で酸ハライド化反応が行わしめ
られる。
、たとえばヘキサメチレンホスホルアミド、N、N−ジ
メチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミドな
どがあげられ、これらの溶媒を実質的に無水の状態、す
なわち酸ハライド化の際に用いるチオニルクロライド、
五塩化リン、ベンゼンスルホニルクロライドなとが分解
せず、定量的に近い状態で酸ハライド化反応が行わしめ
られる。
酸ハライド化の際の温度が、−10℃未満になると、長
鎖アルキル基の影響による凍結固化のため反応が不均一
系となるため好ましくないが、それ以上であれば酸ハラ
イドの沸点程度の温度までとくに限定されることなく用
いることができる。
鎖アルキル基の影響による凍結固化のため反応が不均一
系となるため好ましくないが、それ以上であれば酸ハラ
イドの沸点程度の温度までとくに限定されることなく用
いることができる。
このようにして製造された酸ハライドにさらに一般式(
6)で表される化合物が反応せしめられ、本発明の前駆
体が製造される。
6)で表される化合物が反応せしめられ、本発明の前駆
体が製造される。
この際使用される酸ハライドは、製造されたのちそのま
ま用いるのが作業性などの面で好ましい。
ま用いるのが作業性などの面で好ましい。
さらに核酸ハライドと一般式(6)で表される化合物と
を反応させる際には、それらの化合物に存在するR”、
R4、R5,R6などにより反応物および生成物のい
ずれも凍結固化する傾向があるなどするために、N、N
−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミ
ドなどの溶媒を用いるのが一般的であり、反応温度とし
ては一10℃〜+20℃。
を反応させる際には、それらの化合物に存在するR”、
R4、R5,R6などにより反応物および生成物のい
ずれも凍結固化する傾向があるなどするために、N、N
−ジメチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミ
ドなどの溶媒を用いるのが一般的であり、反応温度とし
ては一10℃〜+20℃。
好ましくはO〜+10℃である。反応温度が−1゜°C
未満になると凍結固化により反応が不均一系となり、+
20℃をこえると望ましくない反応がおこりやす(なる
と考えられ、いずれも好ましくない。勿論反応を完結さ
せるために添加後20”C以上の温度で続いて反応を行
ってもよい。
未満になると凍結固化により反応が不均一系となり、+
20℃をこえると望ましくない反応がおこりやす(なる
と考えられ、いずれも好ましくない。勿論反応を完結さ
せるために添加後20”C以上の温度で続いて反応を行
ってもよい。
前記一般式(6)で表される化合物の具体例としては、
例えば Hz (式中のR5,Rsの具体例としては、CH3+、 C
H3CH2+、 CH3(CH2)Z +、 CH
3(CH2)3 +。
例えば Hz (式中のR5,Rsの具体例としては、CH3+、 C
H3CH2+、 CH3(CH2)Z +、 CH
3(CH2)3 +。
CH3(C)+2)5 +、 OHコ(CH
z) u −、CHz(CHz) Ll −
。
z) u −、CHz(CHz) Ll −
。
CH3(CH2) 15 +、 CHs(CHz)
ty +、 CHs(CHz) L9+。
ty +、 CHs(CHz) L9+。
CH3(CH2) 21 +、 CHs(CHz)
23 +、 CF3(CH2) 15 +。
23 +、 CF3(CH2) 15 +。
H(CF2)Z (CH2) +5 − 、 H
(CF2)4 (CH2) 1コ −。
(CF2)4 (CH2) 1コ −。
F(CFz)e (C)+2)2− 、 F(CFZ
)8 (CH2)4−など)などがあげられる。
)8 (CH2)4−など)などがあげられる。
前記酸ハライドと一般式(6)で表される化合物との反
応比は、得られる本発明の前駆体の分子量などを所望の
値にするために適宜選択すればよいが、通常モル比で1
/ 0.8〜1.2である。高分子量のものを得るた
めには化学量論の精製した七ツマ−と精製した溶剤とを
用いるのが好ましい。
応比は、得られる本発明の前駆体の分子量などを所望の
値にするために適宜選択すればよいが、通常モル比で1
/ 0.8〜1.2である。高分子量のものを得るた
めには化学量論の精製した七ツマ−と精製した溶剤とを
用いるのが好ましい。
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物に
反応させるR30HおよびRaOHのR3およびRaが
いずれも炭素原子数1〜11の基または水素原子でない
場合には、一般式(6)で表される化合物のR5および
R6がいずれも水素原子であってもよく、この場合には
一般式(2)で表される繰返し単位を有する本発明の前
駆体が得られる。
反応させるR30HおよびRaOHのR3およびRaが
いずれも炭素原子数1〜11の基または水素原子でない
場合には、一般式(6)で表される化合物のR5および
R6がいずれも水素原子であってもよく、この場合には
一般式(2)で表される繰返し単位を有する本発明の前
駆体が得られる。
一般式(6)で表される化合物のR6およびR6がいず
れも水素原子の場合には、反応性が良好であり、原料コ
ストも安価となり好ましい。また得られる前駆体もカル
ボン酸のところがエステルとなっているため熱的に安定
で、単離乾燥という操作により反応がすすまないので固
体粉末として分離でき、またこれにより精製も容易であ
るという特徴を有するものとなる。
れも水素原子の場合には、反応性が良好であり、原料コ
ストも安価となり好ましい。また得られる前駆体もカル
ボン酸のところがエステルとなっているため熱的に安定
で、単離乾燥という操作により反応がすすまないので固
体粉末として分離でき、またこれにより精製も容易であ
るという特徴を有するものとなる。
以上説明したような方法により本発明の前駆体が製造さ
れるが、一般式+11で表される繰返し単位のR3およ
びR4がいずれも水素原子の場合には、前記のごとき方
法によらずに直接一般式(4)で表されるテトラカルボ
ン酸ジ酸無水物に、一般式(7):%式%(7) (式中、R7,R11は前記と同じ)で表される化合物
を反応させることにより、一般式(3)で表される繰返
し単位を有する本発明の前駆体が得られる。
れるが、一般式+11で表される繰返し単位のR3およ
びR4がいずれも水素原子の場合には、前記のごとき方
法によらずに直接一般式(4)で表されるテトラカルボ
ン酸ジ酸無水物に、一般式(7):%式%(7) (式中、R7,R11は前記と同じ)で表される化合物
を反応させることにより、一般式(3)で表される繰返
し単位を有する本発明の前駆体が得られる。
前記一般式(7)で表される化合物の具体例としては、
たとえば NHR8 (前記式中のR7,R11の具体例としては、CH3(
CH2)n−x (n −12〜30) 、CF3(
CH2)15−1)+(CF2)2 (CH2) 15
−1H(CFり4 (CH2) 13−1H(CFz)
s(CHz)z−2H(CF2 )a (CH,z )
a−など)などがあげられる。
たとえば NHR8 (前記式中のR7,R11の具体例としては、CH3(
CH2)n−x (n −12〜30) 、CF3(
CH2)15−1)+(CF2)2 (CH2) 15
−1H(CFり4 (CH2) 13−1H(CFz)
s(CHz)z−2H(CF2 )a (CH,z )
a−など)などがあげられる。
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物と
一般式(7)で表される化合物とを反応させる際の条件
は、通常のポリアミック酸を製造する際の条件とほぼ同
様でよく、たとえばN、N−ジメチルアセトアミド、N
、N−ジメチルホルムアミドなどの実質的に無水の有機
極性溶媒中、反応温度50℃以下、好ましくは室温で、
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物1
モルに対して一般式(7)で表される化合物を0.8〜
1,2モル反応せしめられる。
一般式(7)で表される化合物とを反応させる際の条件
は、通常のポリアミック酸を製造する際の条件とほぼ同
様でよく、たとえばN、N−ジメチルアセトアミド、N
、N−ジメチルホルムアミドなどの実質的に無水の有機
極性溶媒中、反応温度50℃以下、好ましくは室温で、
一般式(4)で表されるテトラカルボン酸ジ酸無水物1
モルに対して一般式(7)で表される化合物を0.8〜
1,2モル反応せしめられる。
このようにして得られる一般式(3)で表される繰返し
単位を有する本発明の前駆体は、製造が容易であるだけ
でなく、LB法で製膜でき、加熱によりポリイミドを与
えるという特徴を有するものである。
単位を有する本発明の前駆体は、製造が容易であるだけ
でなく、LB法で製膜でき、加熱によりポリイミドを与
えるという特徴を有するものである。
また、先に説明された共重合体にっていは、両性ポリイ
ミド前駆体の製法と同様の方法によって作ることができ
る。
ミド前駆体の製法と同様の方法によって作ることができ
る。
次にこれまで述べた前駆体を用い、ラングミュア・プロ
ジェット法によって基板主に累積し、それに続いてイミ
ド化反応を行う方法について述へる。本発明では基板は
多孔質膜が使われる。
ジェット法によって基板主に累積し、それに続いてイミ
ド化反応を行う方法について述へる。本発明では基板は
多孔質膜が使われる。
本発明の前駆体を用いたLB膜の製法としては、該前駆
体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子膜
を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるLB
法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法(新実験
化学講座第13巻、界面とコロイド、498〜508頁
)などがあげられ、通常行われている方法であれば特に
限定されることなく使用し得る。
体を水面上に展開し、一定の表面圧で圧縮して単分子膜
を形成し、その膜を基板上にうつしとる方法であるLB
法のほか、水平付着法、回転円筒法などの方法(新実験
化学講座第13巻、界面とコロイド、498〜508頁
)などがあげられ、通常行われている方法であれば特に
限定されることなく使用し得る。
一般にLB膜を形成させる物質を水面上に展開す゛る′
際に、水には解けないで気相中に蒸発してしまうベンゼ
ン、クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明の
前駆体の場合には、溶解度をあげるために有機極性溶媒
を併用することが望ましい。このような有機極性溶媒と
しては、たとえばN、N−ジメチルホルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチルホルムア
ミド、N、N−ジエチルアセトアミド、N、N−ジメチ
ルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−
メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン
、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホ
ン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどがあげられる
。
際に、水には解けないで気相中に蒸発してしまうベンゼ
ン、クロロホルムなどの溶媒が使用されるが、本発明の
前駆体の場合には、溶解度をあげるために有機極性溶媒
を併用することが望ましい。このような有機極性溶媒と
しては、たとえばN、N−ジメチルホルムアミド、N、
N−ジメチルアセトアミド、N、N−ジエチルホルムア
ミド、N、N−ジエチルアセトアミド、N、N−ジメチ
ルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−
メチル−2−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン
、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホ
ン、ジメチルテトラメチレンスルホンなどがあげられる
。
ベンゼン、クロロホルムなどと有機極性溶媒とを併用す
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。
る場合には、水面上へ展開するとベンゼン、クロロホル
ムなどは気相中に蒸発し、有機極性溶媒は大量の水に溶
解すると考えられる。
本発明の前駆体を水面上に展開する際に使用する溶液の
濃度には特に限定はないが、通常2〜5X 10−’
M程度が用いられ、良好な製膜性を得るために金属イオ
ンの添加やpH調整は必ずしも必要ではなく、金属イオ
ンの排除はエレクトロニクス分野等で使う際に有利な点
となると考えられる。
濃度には特に限定はないが、通常2〜5X 10−’
M程度が用いられ、良好な製膜性を得るために金属イオ
ンの添加やpH調整は必ずしも必要ではなく、金属イオ
ンの排除はエレクトロニクス分野等で使う際に有利な点
となると考えられる。
また、本発明のポリイミド前駆体を基板上に累積する際
に、我々が先に提案したように公知のラングミュア・プ
ロジェット膜化合物との混合物を使用すると製膜性能が
向上し、本発明の望ましい実施態様である。
に、我々が先に提案したように公知のラングミュア・プ
ロジェット膜化合物との混合物を使用すると製膜性能が
向上し、本発明の望ましい実施態様である。
公知のラングミュア・プロジェット膜化合物とは、先に
引用された文献などにも記載され、当業界で公知の化合
物である。特に炭素数が16から22ぐらいの炭化水素
基と親水基とからなる下式の化合物が好ましい。
引用された文献などにも記載され、当業界で公知の化合
物である。特に炭素数が16から22ぐらいの炭化水素
基と親水基とからなる下式の化合物が好ましい。
CH3(CHz)n −s Z
CH2= CH(CR2)n−22
CH3(CH2) pc = C−C= C(C)!2
) m Zここで、n=16〜22.r+m=n−5,
Z=OH,NR2、Cool(、CONH2、C0OR
” (R’は低級脂肪族炭化水素基)である。
) m Zここで、n=16〜22.r+m=n−5,
Z=OH,NR2、Cool(、CONH2、C0OR
” (R’は低級脂肪族炭化水素基)である。
製膜性の改善のためにはCH3(CH2)n−I 20
式で表されるものがコスト面ですぐれているが、不飽和
結合を含むものは光や放射線などを照射することによっ
て重合させることができる特徴を有する。
式で表されるものがコスト面ですぐれているが、不飽和
結合を含むものは光や放射線などを照射することによっ
て重合させることができる特徴を有する。
これらから選ばれた少なくとも1つの化合物と高分子化
合物との混合比率については特に限定はない。また先に
挙げたポリイミド前駆体あるいは共重合体から選ばれた
2種以上混合して製膜することもできる。
合物との混合比率については特に限定はない。また先に
挙げたポリイミド前駆体あるいは共重合体から選ばれた
2種以上混合して製膜することもできる。
次に本発明の多孔質膜について説明する。多孔質膜とし
ては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リサルホンポリイミドなどの高分子多孔質膜が公知であ
り、いずれも本発明の多孔質膜として使用可能である。
ては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポ
リサルホンポリイミドなどの高分子多孔質膜が公知であ
り、いずれも本発明の多孔質膜として使用可能である。
これらの多孔質膜は高分子の溶液をドープ液としてドー
プ液の薄膜(平膜状、中空糸状)を形成し、乾式法ある
いは湿式法で作成することができる。
プ液の薄膜(平膜状、中空糸状)を形成し、乾式法ある
いは湿式法で作成することができる。
本発明の望ましい実施態様である、芳香族ポリイミド多
孔質膜について説明すれば、一般式、(ただし、R1,
R2は両性ポリイミド前駆体での定義に同じで、同様に
共重合体も含む)で示される繰返し単位からポリイミド
で形成されている多孔質膜であり、ガス透過テスト(後
述する)において、例えば、水素ガスの透過度(PH2
)が約5×10 〜5xto c(/col・sec
・anllg、好ましく は 5 × 10 〜
l X I Q cal/coi −s
ec ・ cmHgであって、水素と一酸化炭素と
の透過度の比(P)12/PCO)が2〜10.好まし
くは2.5〜5程度であればよい。
孔質膜について説明すれば、一般式、(ただし、R1,
R2は両性ポリイミド前駆体での定義に同じで、同様に
共重合体も含む)で示される繰返し単位からポリイミド
で形成されている多孔質膜であり、ガス透過テスト(後
述する)において、例えば、水素ガスの透過度(PH2
)が約5×10 〜5xto c(/col・sec
・anllg、好ましく は 5 × 10 〜
l X I Q cal/coi −s
ec ・ cmHgであって、水素と一酸化炭素と
の透過度の比(P)12/PCO)が2〜10.好まし
くは2.5〜5程度であればよい。
該ポリイミド多孔質膜は、テトラカルボン酸無水物とジ
アミンとを重合して得られるポリアミック酸、あるいは
ポリイミドを有機極性溶媒に均一に溶解した溶液を使用
して乾式法あるいは湿式法によって製造することができ
る。
アミンとを重合して得られるポリアミック酸、あるいは
ポリイミドを有機極性溶媒に均一に溶解した溶液を使用
して乾式法あるいは湿式法によって製造することができ
る。
例えば特願昭55−59472.特願昭56−5496
5、特願昭56−54966および特願昭56−549
67に提案された方法を使用することができ、ポリイミ
ド多孔質膜が平膜状であっても中空糸状であってもよい
。
5、特願昭56−54966および特願昭56−549
67に提案された方法を使用することができ、ポリイミ
ド多孔質膜が平膜状であっても中空糸状であってもよい
。
本発明で使用するポリイミド多孔質膜は、少なくとも2
00℃の温度においてガス成分の透過性能が悪化するこ
とがなく、しかも約100kg/aJ程度までの圧力で
ガス透過性能が悪化することがないものであることが好
ましい。
00℃の温度においてガス成分の透過性能が悪化するこ
とがなく、しかも約100kg/aJ程度までの圧力で
ガス透過性能が悪化することがないものであることが好
ましい。
またポリイミド多孔質膜は、十分に使用に耐え得る機械
的強度を示すような膜厚であればどのような膜厚のもの
であってもよいが、特に、2〜500μ、さらに好まし
くは5〜300μ程度であることが好ましい。
的強度を示すような膜厚であればどのような膜厚のもの
であってもよいが、特に、2〜500μ、さらに好まし
くは5〜300μ程度であることが好ましい。
このポリイミド多孔質膜など多孔質膜の表面にLB法で
累積されるポリイミド前駆体の厚さは5戸以下、好まし
くはIP程度以下であることが生産性の面から望ましい
、イミド化の方法については特に限定はないが、あまり
高温の加熱になると多孔質膜のガス成分の透過速度が低
下して了うことがあるので好ましくなく、両性ポリイミ
ド前駆体のイミド化が進行する温度以上でできるだけ低
い温度で行うことが好ましい。例えば200〜350℃
、好ましくは200〜300℃程度である。
累積されるポリイミド前駆体の厚さは5戸以下、好まし
くはIP程度以下であることが生産性の面から望ましい
、イミド化の方法については特に限定はないが、あまり
高温の加熱になると多孔質膜のガス成分の透過速度が低
下して了うことがあるので好ましくなく、両性ポリイミ
ド前駆体のイミド化が進行する温度以上でできるだけ低
い温度で行うことが好ましい。例えば200〜350℃
、好ましくは200〜300℃程度である。
勿論ポリアミック酸のイミド化の際に使用される無水酢
酸やピリジンを使ってもよいし、またはそれらと熱反応
とを併用してもよい、この方法の場合には低温で行える
ので望ましい0例えば一般式(2)で表される繰返し単
位の場合には、なる反応がおこり、また一般式(3)で
表される繰返し単位の場合には、 なる反応が起こってポリイミド化物となる。もちろん一
般式(8)で表されるポリアミック@単位の場合にもH
xOが生成してポリイミド化物となるが、この場合には
LB膜用としての材料とはなり得ない。
酸やピリジンを使ってもよいし、またはそれらと熱反応
とを併用してもよい、この方法の場合には低温で行える
ので望ましい0例えば一般式(2)で表される繰返し単
位の場合には、なる反応がおこり、また一般式(3)で
表される繰返し単位の場合には、 なる反応が起こってポリイミド化物となる。もちろん一
般式(8)で表されるポリアミック@単位の場合にもH
xOが生成してポリイミド化物となるが、この場合には
LB膜用としての材料とはなり得ない。
また、R’、R2の少なくとも一方あるいは両方の一部
を価数の異なる基で置き換えた場合にもイミド化反応と
同様の条件で次のような反応が起こる。
を価数の異なる基で置き換えた場合にもイミド化反応と
同様の条件で次のような反応が起こる。
+ xR30H+ xR’OH
+R30H+ xR’0H
(X −C0NH2)
+ R30H+ R40H
(X = C0NHz)
+ R30)1 + R40H特に後半の2
例では耐熱性の高い骨格が導入されるので、耐熱性の改
善のために好ましい。
例では耐熱性の高い骨格が導入されるので、耐熱性の改
善のために好ましい。
以上のイミド化や閉環反応がおこるときに疎水化のため
に導入した基がアルコールとして脱離するが、この脱離
したアルコールは200℃〜350℃近辺の温度で必要
ならガスの流れの下に置くか、真空下に置くことによっ
て飛散させることができるので非常に耐熱性のよいポリ
イミド薄膜を得ることができる。
に導入した基がアルコールとして脱離するが、この脱離
したアルコールは200℃〜350℃近辺の温度で必要
ならガスの流れの下に置くか、真空下に置くことによっ
て飛散させることができるので非常に耐熱性のよいポリ
イミド薄膜を得ることができる。
また、製膜性を改善させるために使用された公知のラン
グミュア・プロジェット膜化合物も、イミド化や他の閉
環反応の条件化、飛散させることができるものを先に挙
げた例の中から選ぶことによって非常に耐熱性の良いポ
リイミド薄膜を得ることができる。
グミュア・プロジェット膜化合物も、イミド化や他の閉
環反応の条件化、飛散させることができるものを先に挙
げた例の中から選ぶことによって非常に耐熱性の良いポ
リイミド薄膜を得ることができる。
本発明の複合分離膜は多孔質膜とその表面にラングミュ
ア・プロジェット法により累積し、それに続くイミド化
により形成されたポリイミドの均質なN膜とからなる複
合分離膜であり、耐熱性の多孔質膜を選ぶことにより常
温から200℃程度の範囲で使用可能なものを製造する
ことができる。
ア・プロジェット法により累積し、それに続くイミド化
により形成されたポリイミドの均質なN膜とからなる複
合分離膜であり、耐熱性の多孔質膜を選ぶことにより常
温から200℃程度の範囲で使用可能なものを製造する
ことができる。
本発明の複合分離膜は、ガス透過テストにおいて、すぐ
れたガス透過速度とガス分離性能とを同時に有しており
、例えば、水素ガス透過度(PHz)が1×10−′a
lI/alI−3ec−clIIHg以上であって、水
素と一酸化炭素との分離性能(PH2/PCOで示す)
が25以上、好ましくは50以上と高く、大面積にわた
って安定したガス分離性能をもつのである。
れたガス透過速度とガス分離性能とを同時に有しており
、例えば、水素ガス透過度(PHz)が1×10−′a
lI/alI−3ec−clIIHg以上であって、水
素と一酸化炭素との分離性能(PH2/PCOで示す)
が25以上、好ましくは50以上と高く、大面積にわた
って安定したガス分離性能をもつのである。
以下参考例、実施例でさらに詳しく説明する。
参考例1
ピロメリット酸二無水物0.04モル、4,4゛−ジア
ミノジフェニルエーテル0.04モルおよびジメチルア
セタミド(DMAc) 178 gを攪拌機と窒素ガ
ス導入管とが付設されたセパラブルフラスコに入れて、
窒素ガスを流通しながら20℃の温度で8時間重合して
、芳香族ポリアミック酸を生成させた。そのポリアミッ
ク酸の対数粘度(30”C,0,5g/LiIDMAc
)は1.95であった。
ミノジフェニルエーテル0.04モルおよびジメチルア
セタミド(DMAc) 178 gを攪拌機と窒素ガ
ス導入管とが付設されたセパラブルフラスコに入れて、
窒素ガスを流通しながら20℃の温度で8時間重合して
、芳香族ポリアミック酸を生成させた。そのポリアミッ
ク酸の対数粘度(30”C,0,5g/LiIDMAc
)は1.95であった。
前述のようにして製造したポリイミド溶液を、ガラス板
上に25℃で流延し厚さ0.2flの液状の薄膜を形成
し、その液状の薄膜を室温(25℃)でメタノール凝固
液に約20時間浸漬し、凝固させて凝固膜を形成し、そ
の凝固膜をメタノール凝固液から取り出し、100℃で
1時間乾燥し、さらに200℃で2時間熱処理して、ポ
リイミド多孔質膜を得た。
上に25℃で流延し厚さ0.2flの液状の薄膜を形成
し、その液状の薄膜を室温(25℃)でメタノール凝固
液に約20時間浸漬し、凝固させて凝固膜を形成し、そ
の凝固膜をメタノール凝固液から取り出し、100℃で
1時間乾燥し、さらに200℃で2時間熱処理して、ポ
リイミド多孔質膜を得た。
そのポリイミド多孔質膜は、膜厚が約25μであり、ガ
ス透過テストによる水素の透過度(PH2)が約8 X
10 crA/crl−sec −aaHgであ
り、水素と一酸化炭素との透過度の比(PH2/PCO
)が約3であった。
ス透過テストによる水素の透過度(PH2)が約8 X
10 crA/crl−sec −aaHgであ
り、水素と一酸化炭素との透過度の比(PH2/PCO
)が約3であった。
ガス通過テストは、面積5dのステンレス製セルに30
℃で分離膜を設置し、水素、−酸化炭素を各々0.5〜
1kg/calに加圧して、分離膜を透過してくるガス
量を流量計で測定した。
℃で分離膜を設置し、水素、−酸化炭素を各々0.5〜
1kg/calに加圧して、分離膜を透過してくるガス
量を流量計で測定した。
各ガスの透過度は、次の式で算出した。
cat ・sec −aaHg)
なお、分離膜の分離性能は、水素の透過度(PHz)と
−酸化炭素の透過度(Pco)との比(PH2/Pco
)で示す。
−酸化炭素の透過度(Pco)との比(PH2/Pco
)で示す。
参考例2
とロメリット酸ジ無水物10.91gとステアリルアル
コール27.05gを120℃で3時間反応させ、生成
物を200献エタノールで再結晶して融点133〜13
7℃のジステアリルピロメリテートを得た。
コール27.05gを120℃で3時間反応させ、生成
物を200献エタノールで再結晶して融点133〜13
7℃のジステアリルピロメリテートを得た。
このジステアリルピロメリテート3.79 gを6Q
ccのへキサメチレンホスファミドに熔解して5℃で冷
却してチオニルクロライド1.19 gを約5℃で滴下
し、滴下後約1時間保持し、反応を終了させた。その後
ジメチルアセトアミド30ccに熔解させた1、2gの
ジアミノジフェニルエーテルを約10℃で滴下し、約2
0℃に反応温度をあげて2時間反応させた後、400
ccのエタノールに注いで反応生成物を析出させた。析
出物を口過、40℃で乾燥して約3.4gの両性ポリイ
ミド前駆体を得た。
ccのへキサメチレンホスファミドに熔解して5℃で冷
却してチオニルクロライド1.19 gを約5℃で滴下
し、滴下後約1時間保持し、反応を終了させた。その後
ジメチルアセトアミド30ccに熔解させた1、2gの
ジアミノジフェニルエーテルを約10℃で滴下し、約2
0℃に反応温度をあげて2時間反応させた後、400
ccのエタノールに注いで反応生成物を析出させた。析
出物を口過、40℃で乾燥して約3.4gの両性ポリイ
ミド前駆体を得た。
実施例1
参考例1で製造した芳香族ポリイミド多孔質膜上に参考
例2で調製した両性ポリイミド前駆体を使用してLB法
で201層累積した。展開液としては両性ポリイミド前
駆体をクロロ未ルム/ジメチルアセトアミド−8/2(
容量比)の混合液に、ン容かしたものがイ吏ねれた。
例2で調製した両性ポリイミド前駆体を使用してLB法
で201層累積した。展開液としては両性ポリイミド前
駆体をクロロ未ルム/ジメチルアセトアミド−8/2(
容量比)の混合液に、ン容かしたものがイ吏ねれた。
20℃の再蒸留水上、25 dyne/ effiの表
面圧に保ってLow/minの累積速度の条件で累積す
ると多孔質膜上にYタイプで累積された。
面圧に保ってLow/minの累積速度の条件で累積す
ると多孔質膜上にYタイプで累積された。
ついで300℃で1時間加熱してイミド化を行ってポリ
イミド複合分離膜を作成した。
イミド複合分離膜を作成した。
ガス透過テストによる結果は、
水素の透過度8.OX I Q’aa/cj ・sec
−anHg分離性能(PH2/PCO) 75 であり作成した分離膜IQcmXIQcmの全面におい
て安定した性能をもっていた。
−anHg分離性能(PH2/PCO) 75 であり作成した分離膜IQcmXIQcmの全面におい
て安定した性能をもっていた。
Claims (2)
- (1)多孔質膜の表面にラングミュア・プロジェット法
により両性ポリイミド前駆体を単積層または累積層し、
それに続くイミド化反応により製造された多孔質膜の表
面にポリイミドの均質な薄膜を有する複合分離膜。 - (2)多孔質膜が芳香族ポリイミド多孔質膜である特許
請求の範囲第1項の複合分離膜。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5325986 | 1986-03-10 | ||
JP61-53259 | 1986-03-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6312302A true JPS6312302A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=12937782
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61221216A Pending JPS6312302A (ja) | 1986-03-10 | 1986-09-18 | 分離膜 |
JP61246773A Pending JPS6312303A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 複合分離膜 |
JP61246772A Pending JPS6323131A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
JP61246774A Expired - Lifetime JPH0626704B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 基板との接着性が改良された超薄膜とその製法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61246773A Pending JPS6312303A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 複合分離膜 |
JP61246772A Pending JPS6323131A (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 液晶配向用ポリイミド薄膜 |
JP61246774A Expired - Lifetime JPH0626704B2 (ja) | 1986-03-10 | 1986-10-16 | 基板との接着性が改良された超薄膜とその製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JPS6312302A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5071452A (en) * | 1989-08-11 | 1991-12-10 | Institut Francais Du Petrole | Gas separation membrane |
US5076816A (en) * | 1989-08-14 | 1991-12-31 | Institut Francais Du Petrole | Gas separation membrane |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0648338B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1994-06-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示素子用配向処理剤 |
JPH06100756B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1994-12-12 | 日産化学工業株式会社 | 液晶セル用配向処理剤 |
JPH0648339B2 (ja) * | 1988-01-12 | 1994-06-22 | 日産化学工業株式会社 | 液晶表示セル用配向処理剤 |
JPH0299925A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子 |
JPH0299926A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶素子 |
JP2760022B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1998-05-28 | ジェイエスアール株式会社 | 液晶配向膜用材料 |
JP2649730B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1997-09-03 | 宇部興産株式会社 | 無機物水溶液の浸透気化分離法 |
JPH052169A (ja) * | 1991-06-24 | 1993-01-08 | Casio Comput Co Ltd | 液晶配向膜の製造方法 |
US5286280A (en) * | 1992-12-31 | 1994-02-15 | Hoechst Celanese Corporation | Composite gas separation membrane having a gutter layer comprising a crosslinked polar phenyl-containing - organopolysiloxane, and method for making the same - |
JP3024297U (ja) * | 1995-11-01 | 1996-05-17 | 株式会社アートアンドクラフト | 髪束ね止具 |
JP5050190B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-10-17 | 国立大学法人 香川大学 | 微粒子とその製造方法 |
WO2007119690A1 (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Panasonic Corporation | 有機分子膜構造体の形成方法及び有機分子膜構造体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61168794A (ja) * | 1985-01-23 | 1986-07-30 | Hitachi Ltd | 熱交換器 |
JPS62144141A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子 |
JP2573824B2 (ja) * | 1986-03-10 | 1997-01-22 | 株式会社リコー | 液晶セルおよびその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221216A patent/JPS6312302A/ja active Pending
- 1986-10-16 JP JP61246773A patent/JPS6312303A/ja active Pending
- 1986-10-16 JP JP61246772A patent/JPS6323131A/ja active Pending
- 1986-10-16 JP JP61246774A patent/JPH0626704B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5071452A (en) * | 1989-08-11 | 1991-12-10 | Institut Francais Du Petrole | Gas separation membrane |
US5076816A (en) * | 1989-08-14 | 1991-12-31 | Institut Francais Du Petrole | Gas separation membrane |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63141673A (ja) | 1988-06-14 |
JPH0626704B2 (ja) | 1994-04-13 |
JPS6312303A (ja) | 1988-01-19 |
JPS6323131A (ja) | 1988-01-30 |
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