JP2573824B2 - 液晶セルおよびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、液晶表示素子、液晶ライトバルブ、液晶シ
ャッターなどの液晶の電気光学効果を利用した液晶光ス
イッチング素子に用いられる液晶セルの製造方法であ
り、詳しくは液晶セルの配向膜の形成方法に関する。

従来技術 液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子、液晶シ
ャッター、液晶ライトバルブ、光情報処理用スイッチン
グ素子などの液晶スイッチング素子では、一般に液晶を
一方向に優先的に配向させる必要がある。この配向処理
はこれらの液晶スイッチング素子の品質に大きな影響を
与えることから多くの研究がなされている。液晶の基板
表面での配向状態には、基板面に平行に配向するホモジ
ニアス配向と、基板面に垂直に配向するホメオトロピッ
ク配向とに大きくわけられる。

実際の光スイッチングは、このように配向された液晶
に電界や熱を印加することにより、液晶の配向状態を変
化させ、複屈折、施光性、光散乱等の変化を利用して、
光のON−OFFを行う。

本発明は、新規なホモジニアス配向法に関するもの
で、液晶分子にホモジニアス配向を取らせる方法には、
以下の方法が知られていた。

SiO,SiO₂,Auなどの無機化合物の斜方蒸着法。

シランカップリング剤を塗布し、その塗膜を綿布等
で一方向にラビングする方法。

ナイロン等の有機高分子塗膜をラビング処理する方
法。

ポリイミドの塗膜をラビングする方法。

しかしながら、斜方蒸着は、バッチ処理であり、ま
た、１バッチ処理するのに時間がかかるため生産性が悪
い。さらに用いる液晶の種類により配向性能に差を生
じ、液晶の選択性が大きい。

シランカップリング剤を用いる方法は、素子を作製す
る際の加熱、例えば、液晶を封ずるための外周シールの
接着剤を硬化させる際の加熱により配向性が低下または
消失してしまったり、高温環境下での保存の際に経時劣
化してしまったりする。

ナイロン等の高分子被膜でも同様に耐熱性が悪く、配
向性能が低下してしまう。

ポリイミド膜をラビングする方法は、上記のような欠
点は少ないものの下記のような欠点を有する。

（１）ポリイミドは、一般に不溶、不融であるため、そ
の前駆体であるポリアミック酸の溶液を基板に塗布した
後、加熱により閉環してポリイミドとする。しかし、こ
の際に300℃以上の高温を要するため、素子と構成する
部材、例えば基板が著しく制約される。たとえば、ガラ
ス等は支障ないが、プラスチックフィルム等では基板
が、溶融、変形、分解したりしてしまう。また、カラー
フィルターを設けたカラー液晶表示素子では、フィルタ
ーを構成する染料や高分子バインダーが劣化してしま
う。さらに、基板に薄膜トランジスタやダイオードアレ
イが形成された基板では、素子の特性が変化してしま
う。

（２）最低数百Åの厚さがないと塗膜の不均一さに起因
する配向欠陥を生ずるため、数百Å以上の厚さで使用さ
れる。そのため、ポリイミド特有の黄色の着色を生じ、
素子を透過性で使用した場合には透過率が、反射型では
反射率が低下する。また、表示素子として使用した場
合、着色のため外観の損ねてしまう。さらに、絶縁体で
あるため電極引き出し部のポリイミドを除去したり、あ
るいは電極部にポリイミドが塗布されないように部分塗
布を行う必要があり、工程が煩雑となる。

（３）ラビング工程を要するため工程が多くなるととも
に、ラビング時に綿布等からゴミが発生し歩留りが低下
する。

発明の目的 本発明は、液晶に対する選択性がなく、耐熱性が高
く、しかも着色が少なく、ラビング処理を行わない場合
にも配向性の良好な液晶セルを簡便に製造する方法を提
供するものである。

発明の構成 本発明の液晶表示セルの製造方法は、基板上に配向膜
を形成して液晶セルを製造するに際し、ポリアミック酸
と疎水性を有する長鎖アルキルアミン化合物とを反応さ
せてポリアミック酸誘導体とする工程；該ポリアミック
酸誘導体を水面に展開して単分子膜を形成する工程；液
晶セルの基板に該ポリアミック酸誘導体単分子を付着さ
せる工程；および該基板に付着したポリアミック酸誘導
体を基板上で脱水閉環させてポリイミド配向膜とする工
程を含むことを特徴とする。

以下、添付図面に沿って本発明を詳細に説明する。

第１図は、本発明の液晶セルの構成例を示す断面図で
ある。

上記基板11と下側基板21とが対向して配設され、シー
ル剤31でシールされ液晶33が封入されて液晶セル10を構
成している。下側基板21の表面には透明電極23が設けら
れ、さらにその上に配向膜25が形成されている。また、
上側基板11の対向面には透明電極13が設けられ、さらに
その上に配向膜15が形成されている。

配向膜15,25はラングミュア・ブロジェット法を用い
て形成されたポリイミド単分子層または単分子層累積膜
である。

このポリイミド膜は以下のようにして形成される。ま
ず、テトラカルボン酸二無水物（１）とジアミン（２）
とから合成されるポリアミック酸（３）の溶液に長鎖ア
ルキルアミン（４）を加え、ポリアミック酸アルキルア
ミン塩（５）を合成する。このポリアミック酸アルキル
アミン塩は、熱または酸無水物によりポリイミド（６）
に変換される。

ここで、Ar¹,Ar²は、それぞれテトラカルボン酸二無
水物、ジアミンの骨格となる連結基であり、ｎは１以上
の整数であり、R¹,R²は低級アルキル基または水素原
子、R³は長鎖アルキル基を表わす。

ポリアミック酸アルキルアミン塩の合成に用いること
のできるテトラカルボン酸としては、ピロメリット酸二
無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,3,2′,3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）メタン二無水
物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）エーテル二無
水物、ビス（3,4−ジカルボキシフェニル）スルホン二
無水物、2,2−ビス（3,4−カルボキシフェニル）プロパ
ン二無水物、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、1,
2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸無水物、チオフェ
ン−2,3,4,5−テトラカルボン酸無水物、ペリレン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸無水物、エチレンテトラカル
ボン酸無水物などを例示することができる。

ジアミンとしては、メタフェニレンジアミン、パラフ
ェニレンジアミン、3,3′−ジアミノビフェニル、4,4′
−シアノアミノビフェニル、4,4′−ジアミノビフェニ
ル、3,3′−メチレンジアニリン、4,4′−メチレンジア
ニリン、4,4′−エチレンジアニリン、4,4′−イソプロ
ピリデンジアニリン、3,3′−オキシジアニリン、4,4′
−オキシジアニリン、3,4′−オキシジアニリン、3,3′
−チオジアニリン、4,4′−チオジアニリン、3,3′−カ
ルボニルジアニリン、4,4′−カルボニルジアニリン、
3,3′−スルホニルジアニリン、4,4′−スルホンジアニ
リン、1,4−ナフタレンジアミン、1,5−ナフタレンジア
ミン、2,2−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、ベ
ンジン、3,3′−ジメチルベンジジン、3,3′−ジメトキ
シベンジジン、2,4−ビス（β−アミノ−tert−ブチ
ル）トルエン、ビス（４−β−アミノ−tert−ブチルフ
ェニル）エーテル、1,4−ビス（２−メチル−４−アミ
ンペンチル）ベンゼン、１−イソプロピル−2,4−フェ
ニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ｐ−キシリ
レンジアミン、ジ（４−アミノシクロヘキシル）メタ
ン、ヘキサメチレンジアミン、2,2−ジメチルプロピレ
ジアミン、1,4−ジアミノシクロヘキサンなどを例示す
ることができる。

テトラカルボン酸およびアミンはそれぞれ単独もしく
は２種以上混合して使用することもできる。

重合度ｎは好ましくは10〜500の整数であり、10より
小さいと、膜の機械的特性や基板に対する密着力が低下
したり、液晶中への溶出などにより液晶分子の配向を阻
害する。ｎが500を超えるとポリアミック酸の溶解度が
低下する。

長鎖アルキルアミンとしては、N,N−ジメチル−ｎ−
オクチルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−オクチルアミン、N,
N−ジメチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−デ
シルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−オクチルアミン、
N,N−ジメチル−ｎ−ドデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ
−ドデシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、N,N−ジメチ
ル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ−テトラデシルアミ
ン、Ｎ−メチルテトラデシルアミン、N,N−ジメチル−
ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキサデシ
ルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、N,N−ジメチル−
ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−オクタデシ
ルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、N,N−ジメチルベ
ヘニルアミン、アラキジルアミン、ベヘニルアミン、N,
N−ジメチルベヘニルアミン等が例示できる。良好なラ
ングミュア・ブロジェット膜を得、優れた配向性を実現
するためには、長鎖アルキル基の炭素数が８〜25である
ことが好ましく、さらに12〜25であることがより好まし
い。

水面上への成膜性、液晶に対する配向性から、長鎖ア
ルキルアミンの使用量は、ポリアミック酸の繰り返し単
位に対して0.5当量〜４当量であることが好ましい。

上記、ポリアミック酸アルキルアミン酸の生成に使用
できる溶媒としては、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホン、
クレゾール、フェノール等を例示することができる。ま
た、溶解性を改善するために、ベンゼン等を添加するこ
ともできる。

このようにして作製されたポリアミック酸アルキルア
ミン塩は疎水性のアルキル基と親水性のカルボン酸アミ
ン塩を分子内にもつ両親媒性の分子であるので、Langmu
irの開発によるラングミュア・ブロジェット法による単
分子膜を形成することができる。以下、これについて説
明する。上記ポリアミック酸溶液を水面上に展開する
と、ポリイミド主鎖を水面に向けて配向する。水面に仕
切り板を設け、展開面積を小さくしていくと、水面に展
開された分子は、二次元固体である、いわゆる固体膜と
なる。この状態での表面圧を保ちながら水槽に液晶セル
の基板を垂直に浸漬し、上下させることにより、基板上
にポリアミック酸の単分子膜を一層づつ移しとる。な
お、単分子膜を基板に移しとる方法は、上述の方法に限
定されず、円筒型の担体に基板を保持して、水面上を回
転させる回転円筒法等を採用することもできる。また、
用いる基板は漏れを良くするための前処理を行うことも
できる。

このようにして得られたポリアミック酸アルキルアミ
ン塩の単分子膜またはその累積膜は、基板の引き上げ方
向に主鎖が配向した一軸性配向を示す。

次に、基板を無水酢酸、プロピオン酸無水物、酪酸無
水物などの酸無水物中に浸漬するか、加熱により脱水閉
環させるとともに長鎖アルキル基をもつアミンを脱離さ
せてポリイミド（６）とする。この際、加熱閉環は200
℃程度の高温を必要とする上、配向性能が低下するた
め、好ましくは酸無水物を用いる方法が適している。こ
の際、トリエチルアミン、ピリジン等の３級アミンを添
加すると、反応が促進される。また、必要に応じて溶媒
を添加することもできる。なお、溶媒はポリアミック酸
を溶解させるものは使用することができない。酸無水物
による閉環では、20℃〜60℃程度の温度で十分であり、
例えば、無水酢酸−ピリジン−ベンゼン（1:1:3）の系
では、室温で数時間、40℃では、１時間程度で、反応は
完結し、極めて低温で処理することが可能である。

このようにして得られたポリイミドの単分子膜または
その累積膜は電子顕微鏡観察から、極めて均一な膜であ
ることが明らかとなった。また、従来公知の長鎖脂肪酸
等の長鎖アルキル基を有する単分子膜や累積膜と異な
り、長鎖アルキル基が膜成形後、脱離するためポリイミ
ド特有の高い耐熱性を示し、200℃〜350℃まで化学的、
物理変化を示さず、液晶光スイッチング素子の液晶セル
における配向膜として用いるのに好適な被膜である。

このラングミュア・ブロジェット法を用いて作製され
たポリイミドの単分子膜や累積膜を液晶セルの配向膜と
して使用するには、上記のようにして、使用する基板、
例えば透明導電膜の形成されたガラスやプラスチック、
カラーフィルターの形成された基板、薄膜トランジスタ
の形成されタ基板などにポリイミド累積（単分子）膜を
形成し、次いで、従来公知の方法により、スペーサー等
を界して、対向する基板と貼り合わせ、液晶を基板間の
空間に注入すれば良い。なお、この場合、対向基板側の
配向処理は、ポリイミド累積膜（単分子膜）でなくとも
良いことは明らかである。

本発明によるポリイミド膜は、液晶分子を基板に対し
て略水平（ホモジアス）配向させる能力を有する。さら
に、ラビング等の処理なしに、液晶分子を、ラングミュ
ア・ブロジェット法で作製する際の基板の引き上げ方向
に優先的に一軸配向させる能力を有する。例えば、液晶
表示素子として現在広く用いられているツイステッドネ
マティックモードの場合には、上下基板の引き上げ方向
が直交するように液晶表示素子を作製すれば良い。もち
ろん、さらにラビングを施することもできる。液晶に対
する選択性はなく、例えば以下の液晶を例示することが
できる。

ここで、R,R′はアルキル基、アルコキシ基、シアノ
基、アルキルアリール基、アルキルシクロヘキシル基、
アルコキシアリール基、アルコキシシクロヘキシル基、
アルキルアリールカルボキシルオキシ基、アルキルアリ
ールオキシカルボキシル基、アルコキシアリールカルボ
キシルオキシル基、アルコキシアリールオキシカルボキ
シル基、フッ素原子、塩素原子などである。

これらの液晶は、２色性色素を含有していてもよく、
コレステロール誘導体等のコレステリック液晶を添加し
ても良い。

本発明のポリイミド膜を用いて実現できる液晶の動作
モードにはツイステッド・ネマティックモード（TN）、
動的散乱モード（DSM）、コレステリックネマティック
相転移モード、電界制御複屈折モード、ゲストホストモ
ード等の電界または電流制御の電気光学効果を利用した
動作方式、熱による散乱、屈折率変化を利用した熱光学
効果を利用した動作方式、電界と熱双方を利用した散
乱、屈折率を制御する電気熱光学効果を利用した動作方
式等を例示することができる，また、これらの表示モー
ドにおいて、基板としてカラーフィルターを形成した基
板、薄膜トランジスタを形成した基板、金属−絶縁膜−
金属（MIM）等の非線形素子を形成した基板等を用いる
こともできる。これらの場合、配向膜形成時の熱履歴が
ほとんどないので、性能、動作特性を変化させることが
なく、特に有効である。

本発明のポリイミド膜が液晶の配向膜として機能する
単分子層の累積回数は、好ましくは１〜500回であり、
より好ましくは、１〜300回、さらに好ましくは２〜100
回である。これは、ポリイミドの単分子層の厚さが使用
する材料により異なり2.5Å〜６Åであるため、膜厚に
して2.5Åないし６Åから、750Åないし1800Åに相当す
る。膜厚が厚くなるとポリイミド特有の黄色の着色が顕
著となるとともに、液晶の配向の一軸性に乱れを生じや
すくなるため好ましくない。

単分子膜や数層の累積層であっても、液晶の配向性は
極めて良好であるため、通常のスピンコートや印刷法に
よるポリイミド膜の膜厚（数百Å〜2000Å）に比べ、極
めて薄膜化することが可能である。したがって、着色が
なく、透過型で用いた場合にはoff時の透過率の高く、
反射型で用いた場合には反射率の高い液晶スイッチング
素子を提供することができる。また、このように薄膜化
した場合、第１図に見られるように電極引き出し部23a
に絶縁膜である配向膜25があっても駆動電圧のほとんど
が液晶層に印加されるため、従来行われていた配向膜の
部分塗布または電極引き出し部の配向膜除去工程が省略
できるなど極めて生産性が高い。

SiOなどの無機物質の斜方蒸着法では、大面積の基板
の蒸着角度、蒸着膜厚を均一にすることができなかっ
た。また、従来のコーティング−ラビングによるポリイ
ミド配向膜でも、大面積にわたって均一な塗膜を得るこ
とは難しく、またさらにラビング時の荷重を全面積にわ
たって均一にすることも困難であり、大面積化の際、障
害となっていた。それに対し、本発明になるポリイミド
膜は大面積の処理が容易に均一に行え、大面積表示素子
の作製に好適である。

また、本発明の配向処理方法は、ラビング工程が不要
であるので工程が簡略化されるとともに、ラビング時に
発生するゴミの問題もなく、歩留りが向上する。

本発明のポリイミド膜は高い耐熱性を有し、高温保
存、高温高湿保存等の環境でも配向性の劣化がない高信
頼性の配向膜を与える。また、外周シール等の作製時の
加熱にも十分耐える特性を有している。

次に、本発明をガラス基板を用いた電界制御複屈折モ
ードおよびツイストネマティックもードを例にとり説明
するが、本発明は特にこれに限定されるものではない。

実施例 （１）配向膜の形成 3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とｐ−フェニレンジアミンとから合成されたポリアミッ
ク酸の1m mol/L N,N−ジメチルアセトアミドとベンゼン
の混合溶媒（1:1）溶液に、同一濃度同一溶媒のN,N−ジ
メチル−ｎ−ヘキサデシルアミン溶液をポリアミック酸
のくり返し単位に対して２倍当量となるように加えて、
ポリアミック酸アルキルアミン塩溶液を調製した。この
溶液を20℃に保ったイオン交換水上に滴下して広げ、水
槽中に設けられた仕切り板により25dyne/cmの表面圧を
保ちながら、水面に垂直に基板を上下させ基板に２層の
累積膜を形成した。基板としては、ソーダガラスにSiO₂
を500Åの厚さ蒸着し、さらに表示用電極としてITO（イ
ンジウム−錫酸化物）を部分的に形成したものを用い
た。また、基板の引き上げ速度は3mm/minである。な
お、引き上げ速度を10cm/min程度まで上げても、形成さ
れる膜の膜厚や配向性に大きな変化はなかった。次に、
累積膜の形成された基板を、無水酢酸−ピリジン−ベン
ゼン（1:1:3）の混合液に20℃で６時間浸漬し、長鎖ア
ルキル基を脱離させるとともにイミド化を完結した。イ
ミド環の形成は1780cm^-1のカルボニル基に起因する赤外
吸収で確認した。次に基板を純水で洗浄し、真空乾燥し
て、残留水分を除去した。得られたポリイミドの膜厚は
８Åと極めて薄いものである。

（２）セルの作製 以上のようにして得られた基板の外周に20μｍのスペ
ーサー粒子を含むエポキシ系接着剤を印刷し、同じよう
に配向処理のほどこされた対向基板と基板の引き上げ方
向が逆平行となるようにして貼り合わせ、接着剤を硬化
させた。次に、接着剤層に形成されている空隙から、真
空封入法によりＥ−Merck社製のフェニルシクロヘキサ
ン系液晶混合であるZLI 1132を封入し、次いで封入口を
エポキシ系接着剤で封入した。このセルは偏光顕微鏡の
観察から、液晶が基板の引き上げ方向に一軸配向してい
ることが確認された。第３図は、第２図のような配向方
法と、偏光子27、検光子17の組み合わせのときの（第１
図参照）、セルの白色光に対する透過率を配向方向と検
光子となす角αを横軸にして示したものである。透過率
は、本実施例で用いたポリアミック酸をスピンコート法
で1000Å塗布し、250℃１時間焼成してポリイミドとな
したものを綿布でラビングして、配向処理した基板を用
いて同じように作製したセルの最大透過率を100に、最
小透過率を０に規格化して示してある。この結果から、
本発明のポリイミドはラビングセルと同様にすぐれた配
向性を示すことがあり、また、配向膜の透過率が高いた
め透過率がラビングと比均して約５％高く、明るい背景
となる。なお、スピンコート法で８Åの膜厚を得ること
は困難であるので、50Åの膜厚で形成して、ラビング
し、セルを作製したところ、ラビング時に配向膜が剥離
を起こしてしまい良好な配向を得ることができなかっ
た。

上記の本発明になるセルの静電容量を、横河ヒューレ
ットパッカード社製、4262A LCRメーターを用いて、1KH
z 50mVの測定信号で測定し、液晶層の比誘電率を算出し
たところ4.9という値を得た。用いたZLI−1132の比誘電
率は、分子長軸方向で14.8、短軸方向で4.7であるの
で、液晶分子は基板に対してほぼ水平に配向しているこ
とが明らかである。

実施例２ 実施例１と同様に配向処理した基板を用いて、基板引
き上げ方向が直交するようにして、液晶層が10μｍのセ
ルを作製した。このセルは、基板引き上げ方向と平行に
偏光板の透過軸をもってくると（上下の偏光板は直
交）、無色透明となり、上下偏光板を平行すると、暗黒
となり、ツイステッド・ネマティック型の配向が形成さ
れた。なお、液晶はZLI−1132を用いた。配向性は良好
であり、64Hzの方形波印加で約1.8Vで動作した。

一方、実施例１に記載したポリイミド膜厚1000Åのラ
ビング処理基板を用いて同様のセルを作製し、電極引き
出し部のポリイミドを除去せずに動作させたところ、接
触抵抗のため動作電圧は約2.5Vに上昇してしまった。

本発明の配向膜の耐熱信頼性をみるためにポリイミド
膜形成後、150℃２時間加熱してから、セルを作製した
が、その配向性は熱処理を行なわないものと比較して変
化はなかった。

実施例３ 液晶をビフェニル系のブリティッシュ・ドラッグ・ハ
ウス社製E8にかえ、実施例２と同様にしてツイステッド
ネマティック型の液晶表示素子を作製した。配向性は実
施例２と同等で、液晶選択性はみられなかった。

実施例４ 累積膜数を50層として、実施例１と同様にして平行配
向型のセルを作製した。セルの透過率は２層のものにく
らべやや低下するが配向性は実用上問題はないものであ
った。

実施例５〜10 下表に示すテトラカルボン酸とジアミンから得られる
ポリアミック酸を原料として、ラングミュア・ブロジェ
ット法により累積膜数２のポリイミド膜を形成し、これ
を用いて、実施例１の平行配向型セルを作製したが、い
ずれも実施例１は同様に良好な配向性を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の液晶セルをTN型の光スイッチング素
子として応用した場合について示す断面図である。 第２図は基板の引き上げ角αと、検光子および偏光子の
関係を説明する図であり、第３図は基板の引き上げ角α
と透過率との関係を示すグラフである。 11……上側基板、13,23……透明電極 15,25……配向膜、21……下側基板

フロントページの続き (72)発明者 日野 太郎 横浜市港北区篠原西町37番地18 (72)発明者 岩本 太郎 東京都大田区北千束３丁目34番12号 (72)発明者 柿本 雅明 横浜市中区池袋61番地の９ (72)発明者 鈴木 正明 東京都品川区小山５丁目18番10号 (56)参考文献 特開 昭62−275135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−144141（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に配向膜を形成して液晶セルを製造
   するに際し、ポリアミック酸と疎水性基を有する長鎖ア
   ルキルアミン化合物とを反応させてポリアミック酸誘導
   体とする工程；該ポリアミック酸誘導体を水面に展開し
   て単分子膜を形成する工程；液晶セルの基板に該ポリア
   ミック酸誘導体単分子膜を付着させる工程；および該基
   板に付着したポリアミック酸誘導体を基板上で脱水閉環
   させてポリイミド配向膜とする工程を含むことを特徴と
   する液晶セルの製造方法。