JPS62276933A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子部品、特に、組立時、超音波ワイヤボンデ
ィングが確実に行える構造を有する高周波特性が安定し
た光通信用の光電子装置等の電子部品に関する。

〔従来の技術〕

光通信用光源の一つとして、半導体レーザ装置が使用さ
れている。この光通信用レーザモジュール（半導体レー
ザ装置）については、たとえば、ｒＮＥＣ技報ＪＶｏ１
．３８、Ｎｏ、２／１９８５、Ｐ８４〜Ｐ８９に記載さ
れている。

この文献には、レーザ光を発光するレーザ素子、このレ
ーザ素子から発光される後方放射光をモニターするＱｅ
−ＰＤ（受光素子）、前記レーザ素子の温度をモニター
するサーミスタ、温度調整用のターラ（ベルチェ素子）
がそれぞれパッケージに内蔵されているとともに、レー
ザ光をパンケージ外に案内する光ファイバが配設されて
いる。前記ベルチェ素子の低温側はソルダーによって放
熱板に固定されている。また、外部端子となるリードは
デュアルインライン型となっている。前記デュアルイン
ライン型リードの構造の一つとして、リードが絶縁性の
ガラスを介してパッケージの底に貫通状態で取り付けら
れたものが記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

前記文献にも記載されているように、リードをデュアル
インライン型とする一つの構造としては、パッケージの
底に直径０．４５ｍｍのリードを配設する構造がある。

しかし、このような構造の半導体レーザ装置にあっては
、リードがパッケージ底を貫通するようにして取り付け
られているため、パッケージ底からリード上端迄のリー
ドの長さが長くなり、リード上端にワイヤを超音波ワイ
ヤボンディングによって接続する場合、リードが振動し
てワイヤボンディングが確実に行えないことが本発明者
によってあきらかにされた。

また、前述のようにリードが長くなることによってリー
ドの寄生インダクタン　スが大きくなり、高周波域での
特性が劣化することも本発明者によってあきらかにされ
た。

本発明の目的は超音波ワイヤボンディングが確実に行え
る構造の電子部品を提供することにある。

本発明の他の目的はリード等の寄生インダクタンスが軽
減できる構造の電子部品を提供することにある。

本発明の他の目的は高周波域での使用が可能な電子部品
を提供することにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明の光通信用光電子装置にあっては、パ
ッケージの内外に亘って延在するリードはパッケージの
外のリード部分は市場規格に合わせて直径φ０．４５ｍ
ｍとなっているが、パンケージ内部に延在するリードは
直径φ０．７５ｍｍと外方部分よりも太（しである。ま
た、パッケージの内部に配設されるレーザダイオードチ
ップはパッケージの中心線から外れてレーザダイオード
チップの電極と電気的に接続されるリード側に近接する
ように偏って配設されている。

〔作用〕

上記した手段によれば、光通信用光電子装置にあっては
、リードがパッケージ内部では太くなっていることから
、寄生インダクタンスが小さくなり、たとえば、５６５
Ｍｂｉｔ／ｓｅｃ以上の高周波域での特性が安定する。

また、前記リードとレーザダイオードチップとを接続す
るワイヤの長さは前記レーザダイオードチップがリード
側に近接するように配設されているため、短くなり寄生
インダクタンスが小さくなり、高周波特性が改善される
。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。

ここで、図面について簡単に説明する。第１図は本発明
の一実施例による光電子装置におけるリード固定状態を
示す模式図、第２図は同じく光電子装置の要部を示す斜
視図、第３図は同じくサブキャリアを示す斜視図、第４
図は同じくサブキャリアにおけるヒートシンクの平面図
、第５図は同じく位置決め固定体の内端の半田リングを
示す断面図、第６図は同じくサブキャリアにおけるレー
ザダイオードチップの搭載状態を示す斜視図、第７図は
同じく光ファイバの固定状態を示す模式図である。

この実施例では、波長が１．３μｍあるいは１゜５μｍ
となるレーザ光を発光するレーザダイオードチップを内
蔵した光通信における発信装置としての光電子装置に本
発明を適用した例について説明する。

ここで、本発明の光電子装置の構造について説明する。

光電子装置は、第２図に示されるように、パンケージ１
は箱型となるとともに、このパンケージ１の一端にパッ
ケージ１を取り付けるための取付孔２を設けたフランジ
３を有し、かつ他端にファイバ支持体４を有して光フア
イバケーブル５を案内する構造となっている。この光電
子装置は、前記パッケージ１の底から２列に亘ってリー
ド６を突出させ、デュアルインライン構造を構成してい
る。前記パッケージ１は、一端にフランジ３を有しかつ
上部が開口した箱型のパッケージ本体７と、このパッケ
ージ本体７の開口部を機密的に被うパッケージ蓋８とか
らなっている。また、前記パッケージ本体７の底上には
台座９が固定されているとともに、この台座９上にはベ
ルチェ素子１０が固定され、このベルチェ素子１０上に
はサブキャリア１１が固定されている。このサブキャリ
ア１１は、搭載部１２および支持部１３なる突部を主面
に有するヒートシンク１４を台座部材とし、このヒート
シンク１４上に、レーザダイオードチップ１５．このレ
ーザダイオードチップ１５から発光されるレーザ光を先
端（内端）から取り込む光ファイバ１６を案内する筒状
の位置決め固定体１７、前記レーザ光をモニターする受
光素子１８゜前記ヒートシンク１３の温度をモニターす
るサーミスタ１９が、それぞれ固定されている。そして
、前記光フアイバケーブル５のパッケージ１内における
部分は、ジャケットが除去されてコアとこのコアを被う
クラッドからなる光ファイバ１６となり、かつ前記位置
決め固定体１７に案内されてその先端を前記レーザダイ
オードチップ１５の一方の出射面に対面させている。ま
た、各素子の電極と所定のリード６間は導電性のワイヤ
２０によって電気的に接続されている。なお、この光電
子装置はそのパッケージ内に樹脂や半田付は用のフラッ
クスを内在させないものとし、これら樹脂等に起因する
特性劣化を生じさせないように配慮されている。

このような光電子装置は、前記レーザダイオードチップ
１５からレーザ光を発光させ、この発光させたレーザ光
を光フアイバケーブル５によって所望個所に伝送するこ
とによって光通信を行う。

この際、この光電子装置は、受光素子１８でレーザ光を
モニターし、この情報に基づいてレーザダイオードチッ
プ１５の出力を制御し、安定した光通信を行う。また、
この光電子装置は、前記サーミスタ１９でヒートシンク
１４の温度をモニターし、この情報に基づいてベルチェ
素子１０を制御して常時レーザダイオードチップ１５が
一定の温度域で駆動するようにし、光通信の安定を図る
ようになっている。

この光電子装置は鉄−二・７ケルーコバルト（Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ）合金からなるコバールによって形成された平
板なパッケージＭ８．光ファイバケーブル５．ベルチェ
素子１０のような個別部品といくつかのサブアセンブリ
部品によって構成されている。

つぎに、このような光電子装置の各部について説明する
。

パンケージ本体７を主要構成部品とするバ・７ケ一ジ本
体サブアセンブリ部品は、第２図に示されるように、パ
ッケージ本体７．フランジ３．ファイバ支持体４．リー
ド６、台座９からなっている。

パッケージ本体７は、その一端に取付孔２を有するフラ
ンジ３を張り付けた構造となっている。また、パンケー
ジ本体７の底には２列に亘ってそれぞれ７本のり一ド６
が配設されている。各リード６はパンケージ本体７の底
板を貫通するとともに、底板を構成するコバールと熱膨
張係数が略等しいコバールガラスからなる絶縁性支持体
２１によってパッケージ本体７に絶縁的に固定されてい
る。

これらのり一ド６は、これが本発明の特徴的な構造の一
つであるが、第１図に示されるように、パッケージ本体
７の内側に延在する部分は、直径φ０．７５ｍｍと太い
リード部分２２となっているとともに、パッケージ１か
ら突出する部分は、直径がφ０．４５ｍｍと細いリード
部分２３となっている。また、このリード６は、その製
造にあっては、前記細いリード部分２３の一端の直径が
０．７５ｍｍφからなる頭部２４の部分に溶接によって
前記太いリード部分２２の一端が固定されることによっ
て製造される。

これらのリード６にあって、前記ベルチェ素子１０と接
続されるワイヤ２０は溶接等によってす−ド６に接続さ
れるが、それ以外のワイヤ２０は、リード６に超音波ワ
イヤボンディングによって接続される。超音波ワイヤボ
ンディングは超音波振動を利用してワイヤボンディング
を行うが、この実施例のリード６は太くなっていること
からり一部６の上端にワイヤ２０を接続しても、リード
６は振動せず、ワイヤボンディングは確実に行える。

また、このようにリード６が部分的であっても、太く形
成されていることは、リード６の寄生インダクタンスを
低くすることとなり、５６５Ｍｂ　ｉｔ以上にも及ぶ高
周波域での光通信も安定して行えるようになる特長があ
る。

一方、前記リード６の接続形態は、第２図に示されるよ
うに、手前および後側のり一［列の左端のり−ド６がそ
れぞれ受光素子１８の外部端子となるとともに、手前側
のリード列の左から２木目および３木目のり一部６はレ
ーザダイオードチップ１５の外部端子となり、かつ、手
前側のリード列の左から４本口および５木目のり一部６
はサーミスタ１９の外部端子となる。また、手前および
後側のリード列の右端のり−ド６は、それぞれベルチェ
素子１０の外部端子となる。そして、他のリード６はこ
の実施例では使用しない空きリードとなる。

他方、このパッケージ本体サブアセンブリ部品は、パッ
ケージ本体７のフランジ３とは逆となる端面にファイバ
支持体４が取り付けられている。

このファイバ支持体４は、それぞれ筒体からなるアウタ
ー支持体２５と、このアウター支持体２５の内端に嵌合
されるインナー支持体２６とからなっている。アウター
支持体２５はその内端をパンケージ本体７の端に貫通状
態でかつ気密的に鑞接されている。また、このアウター
支持体２５の外端部は薄肉管構造となり、カシメによっ
て容易に潰れるようになっている。また、前記インナー
支持体２６は外端を前記アウター支持体２５の内端に嵌
合させる構造となるとともに、内端は細く延在しかつ先
端は傾斜面となっている。

このようなファイバ支持体４にあって、光フアイバケー
ブル５は、ファイバ支持体４に挿入されるに先立って、
その先端側は一定の長さに亘ってジャケットが除去され
るが、そのジャケットが除去された光フアイバ１６部分
が前記インナー支持体２６全域およびアウター支持体２
５の一部に亘って延在し、ジャケットが付いた部分がア
ウター支持体２５の外端部分に延在するようになる。光
ファイバ１６は、このファイバガイド４の外端のカシメ
によってジャケットのある部分が固定され、内端の半田
付けによって気密的に固定されている。

また、パッケージ本体サブアセンブリ部品は、その底上
に台座９が固定されている。この台座９はパッケージ本
体７のフランジ３側底面にフラフクスを必要としない鑞
付けによって固定されている。この台座９は前記ベルチ
ェ素子１０の上下の電極板２７が熱膨張係数が６．７Ｘ
１０−’／’Ｃ程度となるアルミナセラミックによって
構成されていることからこの電極板２７と熱膨張係数が
６゜０〜７．０ｘｌＯ−’／’Ｃとなる銅タングステン
（ＣｕＷ）によって構成されている。また、このＣｕＷ
は熱伝導度が０．　５〜０．　６７　ｃ　ａ　ｌ　７ｃ
ｍ−ｓｅｃ・０Ｃと高くなり、ベルチェ素子１０の熱放
散性を高めるようになっている。また、前記台座９の一
端はフランジ３例のパッケージ本体７の周壁に接触し、
台座９から周壁を介してフランジ３に熱が伝わるように
なっている。

サブアセンブリ部品としてのサブキャリア１１は、第３
図に示されるような構造となっている。

このサブキャリア１１は、第４図に示されるように、矩
形板からなるヒートシンク１４を主構成部品としている
。このヒートシンク１４はその主面に搭載部１２および
支持部１３を存している。これら搭載部１２および支持
部１３は突状となっている。搭載部１２はヒートシンク
１４の主面の中央領域を横切るように配設されるととも
に、支持部１３は一端側にかつ前記搭載部１２に平行に
延在している。また、これら搭載部１２および支持部１
３は、第４図に示されるように、ヒートシンク１４の中
心線に対してθはど傾斜した傾斜軸に直交する方向に延
在している。また、前記支持部１３には筒状の位置決め
固定体１７が貫通固定されている。この位置決め固定体
１７は、光ファイバ１６を案内する支持体軸となるとと
もに、光ファイバ１６の先端位置を調整できる調整可能
な軸となっている。このため、位置決め固定体１７は塑
性変形し易い材料、たとえば、キュプラニッケルで形成
されるとともに、第４図に示されるように、支持部１３
に挿嵌される細い変形可能な調整軸２８と、支持部１３
の外側壁に段付面が当接する大径の支持体軸２９とから
なっている。光ファイバ１６は、この位置決め固定体１
７に案内され、その先端をレーザダイオードチップ１５
の一方の出射面に対面させている。また、光ファイバ１
６は、調整軸２８のはすに切られた内端に半田３０によ
って固定されている。

一方、前記位置決め固定体１７の先端、すなわち、調整
軸２８の先端延長線上の搭載部１２上には、サブマウン
ト３２がフラックスレスの低融点半田、たとえば、Ｐｂ
−３ｎ−Ｉｎからなる半田で固定される。前記サブマウ
ント３２は、熱伝導度が高くかつ熱膨張係数αがＳｉや
化合物半導体に近似した絶縁性のＳｉＣ（α：３．７Ｘ
１０−”／＠Ｃ）で構成されている。また、第１図およ
び第６図に示されるように、前記サブマウント３２の主
面には、導電性のメタライズ層３３が設けられている。

そして、このメタライズ層３３上には、それぞれＡｕ−
３ｎ共晶層３４．３５を介してそれぞれ独立してレーザ
ダイオードチップ１５およびＡｕからなるペデスタル３
６が固定されている。

したがって、前記レーザダイオードチップ１５の下部電
極はメタライズ層３３を介して前記ペデスタル３６と電
気的に接続されている。前記レーザダイオードチップ１
５は、第６図に示されるように、レーザ光３７を出射す
る共振器３８がサブマウント３２から遠く離れる、いわ
ゆるｐ−ｕｐの状態でサブマウント３２に固定されてい
る。また、前記レーザダイオードチップ１５の上面の電
極は２本のワイヤ２０によって搭載部１２に電気的に接
続されるとともに、前記ペデスタル３６とり一部６とは
、第２図に示されるように、２本のワイヤ２０で電気的
に接続される。これは、前記レーザダイオードチップ１
５の上部電極の搭載部１２との接続、ペデスタル３６と
リード６とのワイヤ２０による接続は、この光電子装置
にあっては、レーザダイオードチップ１５をドライブす
る側を高速トランジスタの関係からマイナスとして使用
するための極性変更のためである。なお、前記レーザダ
イオードチップ１５はサブマウント３２に搭載された状
態で搭載部１２上に固定される。

また、この実施例の光電子装置では、レーザダイオード
チップ１５をヒートシンク１４の中心線から外して一方
に偏らせている。これは、前記ペデスタル３６とリード
６との間に張られるワイヤ２０の長さを短くするためで
あり、ワイヤ２０の長さを短くすることによって寄生イ
ンダクタンスの軽減を図り、光電子装置を高周波域でも
安定して駆動させるためである。

また、前記レーザダイオードチップ１５がヒートシンク
１４の中心線から外れ、かつ光ファイバ１６を案内する
位置決め固定体１７が中心線から外れていることから、
パンケージ本体サブアセンブリ部品のファイバ支持体４
の延長線上には位置決め固定体１７は位置しなくなる。

この結果、ファイバ支持体４から位置決め固定体１７に
亘って延在する光ファイバ１６を無理な力が加わらない
ように配設すると、第７図に示されるように、光ファイ
バ１６は曲線を描いて延在することになる。

このように、光ファイバ１６が固定される２点間で曲線
を描いて延在することは、温度変動に伴って固定２点間
距離が変化しても、光ファイバ１６に無理な力が加わら
なくなり、通信に支障を来さなくなる。すなわち、固定
２点間において光ファイバ１６が直線的にビンと張った
状態となっていると、熱膨張・熱収縮によって、前記光
ファイバ１６の２個所の相対的位置関係が変化した場合
、光ファイバ１６に力が加わり、あるいは光ファイバ１
６が破断したりするが、第７図に示されるように、光フ
ァイバ１６が曲線を描いて延在していることから、光フ
ァイバ１６の２点間の間隔が常温状態のＡ点から高温状
態のＢ点に延びたりあるいはＡ点から低温状態の０点に
縮んだりした場合、光ファイバ１６は一点鎖線あるいは
二点鎖線で示すように屈曲して変化対応するため、光フ
ァイバ１６に無理な応力が加わらなくなり、光ファイバ
１６の損傷は防止できるようになる。

また、前記ヒートシンク１４の主面には受光素子１８を
取り付けたチップキャリア３９がＡｕ　−３ｉ共品層を
介して固定されている。前記チップキャリア３９はセラ
ミックのブロックからなるとともに、その−側面（主面
）および上面に亘って素子固定用メタライズ層４０およ
びワイヤ固定用メタライズ層４１がそれぞれ設けられて
いる。受光素子１８は前記素子固定用メタライズ層４０
上にＡｕ−５ｉ共晶層を介して固定されている。また、
この受光素子１８の上面の電極と、前記ワイヤ固定用メ
タライズ層４１とはワイヤ４２で電気的に接続されてい
る。なお、前記チップキャリア３９はチップキャリア３
９の矩形の一辺がヒートシンク１４の一辺と一致するよ
うにヒートシンク１４に固定されるため、受光素子１８
の受光面は、レーザ光３７に対して垂直とはならず傾斜
する。

このため、受光素子１８の受光面での反射光がレーザダ
イオードチップ１５の出射面に戻らないことから、戻り
光による雑音の発生は防げる。

また、前記ヒートシンク１４の支持部１３の上面には、
ヒートシンク１４の温度をモニターするサーミスタ１９
がサーミスタ支持チップ４３を介して固定されている。

前記サーミスタ支持チップ４３はセラミックブロックか
らなるとともに、その表裏面に図示しないメタライズ層
を有している。

そして、サーミスタ１９はＡｕ−３ｎ共晶層によってサ
ーミスタ支持チップ４３の上面に固定される。この結果
、サーミスタ支持チップ４３の露出するメタライズ層部
分はサーミスタ１９の下部電極に導通状態となる。そこ
で、サーミスタ１９の電極とリード６との導通を図る場
合は、第２図に示されるように、所定のり一部６とサー
ミスタ１９の上部電極とが２本のワイヤ２０で接続され
、所定のリード６とサーミスタ支持チップ４３のメタラ
イズ層とが２本のワイヤ２０で接続されることになる。

また、前記ヒートシンク１４には、第３図に示されるよ
うに、窪み４４あるいは孔４５が設けられている。これ
らの窪み４４および孔４５には、レーザダイオードチッ
プ１５と光ファイバ１６との光軸合わせ時、同図の二点
鎖線に示されるように、位置調整用レバー４６等の先端
が入れられ、窪み４４や孔４５の周壁の一部を前記位置
調整用レバー４６の支点として動かし、位置調整用レバ
ー４６の他端側で位置決め固定体１７の調整軸２８を上
下左右に塑性変形させることによって光軸合わせが行わ
れるようになっている。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明によれば、光電子装置にあって、パンケー
ジの内外に亘って延在するリードは、パンケージの外の
部分は規格通りの直径寸法としであるが、パンケージの
中の部分は太くしであることから、リードの寄生インダ
クタンスが小さくなり、光電子装置の高周波域での特性
が安定するという効果が得られる。

（２）本発明によれば、光電子装置にあって、レーザダ
イオードチップはレーザダイオ−トチ１．プの電極と電
気的に接続されるリード側に偏って配設されているため
、レーザダイオードチップの電極とリードを電気的に接
続するワイヤの長さが短くなり、ワイヤの寄生インダク
タンスが小さくなるため、光電子装置の高周波域での特
性が安定するという効果が得られる。

（３）上記（１）および（２）により、本発明の光電子
装置は、高周波域での特性が安定するという効果が得ら
れる。

（４）上記（１）により、本発明の光電子装置にあって
は、ワイヤが接続されるリートはその直径が太いことか
ら、リードの上端に超音波ワイヤボンディングによって
ワイヤを接続する場合、リードが太い故に振動しないた
め、ワイヤボンディングが確実に行えるという効果が得
られる。

（５）本発明の光電子装置の組立に用いられる段付軸状
のリードは、細いリードと太いリードとを溶接によって
製造するため、製造コストが安価となるという効果が得
られる。

（６）本発明によれば、レーザダイオードチップ。

受光素子、サーミスタ、光ファイバを案内する位置決め
固定体はヒートシンクに一体的に組み込まれてサブキャ
リアとなっている。また、パッケージ本体、フランジ、
リード、台座、ファイバガイドは一体となってパッケー
ジ本体サブアセンブリ部品となっている。したがって、
光電子装置の組立にあっては、このサブキャリアをパッ
ケージ本体サブアセンブリ部品に固定されたペルチェ素
子上に固定すること、前記サブキャリアの位置決め固定
体に固定された光ファイバとレーザダイオードチップと
の光軸合わせを行うことによって、重要部分の組立が終
了するため、高精度の組立が可能となるという効果が得
られる。

（７）上記（６）により、本発明によれば、２つのサブ
アセンブリ部品と数個の個別部品による組立によるため
、生産性が高くなるという効果が得られる。

（８）本発明の光電子装置は、その組立において、レー
ザダイオードチップと光ファイバとの光軸合わせは、サ
ブキャリアの位置決め固定体の首振り状の位置調整で行
われるため高精度の光軸合わせが行えるため、品質が高
いという効果が得られる。

（９）本発明の光電子装置は、レーザダイオードチップ
と光ファイバとの光軸合わせ時、位置決め固定体を位置
変動させるが、この位置変動は位置決め固定体の塑性変
形によって行われるため、塑性変形させた後は、元に戻
ったりすることもないので、常に設定時の光結合状態を
維持できることになり信頬性が安定するという効果が得
られる。

（１０）本発明の光電子装置は、パッケージ内において
、光ファイバは固定２点間では曲線を描Ｘように延在し
ていることから、温度変動があっても、光ファイバはそ
の曲率を変えて延在するだけであることから光ファイバ
に損傷が一切発生せず特性が安定する。

（１１）上記（１）〜（１０）により、本発明によれば
、ワイヤボンディングが確実に行えるとともに、高周波
域で特性が安定した光電子装置を安価に提供することが
できるという相乗効果が得られる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない、たとえば、前記リードは
機械加工によって製造してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用光電子装置
の製造技術に適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではない。

本発明は少なくとも超音波によってワイヤボンディング
が行われる電子部品および高周波域で使用する電子部品
には適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明の光通信用光電子装置にあっては、パッケージの
内外に亘って延在するリードはパンケージの外のリード
部分は規格に合わせてφ０．４５ｍｍとなっているが、
パンケージ内部に延在するリードはφ０．７５ｍｍと外
方部分よりも太（しである。また、パンケージの内部に
配設されるレーザダイオードチップはパッケージの中心
線から外れてレーザダイオードチップの電極と電気的に
接続されるリード側に近接するように偏って配設されて
いる。したがって、リードがパッケージ内部では太くな
っていることから、寄生インダクタンスが小さくなり、
光電子装置の高周波域での特性が安定する。また、前記
リードとレーザダイオードチップとを接続するワイヤの
長さは前記レーザダイオードチップがリード側に近接す
るように配設されているため、短くなり寄生インダクタ
ンスが小さくなることから、光電子装置の高周波特性が
安定する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による光電子装置におけるリ
ード固定状態を示す模式図、 第２図は同じく光電子装置の要部を示す斜視図、第３図
は同じくサブキャリアを示す斜視図、第４図は同じくサ
ブキャリアにおけるヒートシンクの平面図、 第５図は同じく位置決め固定体の内端の半田リングを示
す断面図、 第６図は同じくサブキャリアにおけるレーザダイオード
チップの搭載状態を示す斜視図、第７図は同じく光ファ
イバの固定状態を示す模式図である。 １・・・パッケージ、２・・・取付孔、３・・・フラン
ジ、４・・・ファイバ支持体、５・・・光フアイバケー
ブル、６・・・リード、７・・・パッケージ本体、８・
・・パッケージ蓋、９・・・台座、１０・・・ペルチェ
素子、１１・・・サブキャリア、１２・・・搭載部、１
３・・・支持部、１４・・・ヒートシンク、１５・・・
レーザダイオードチップ、１６・・・光ファイバ、１７
・・・位置決め固定体、１８・・・受光素子、１９・・
・サーミスタ、２０・・・ワイヤ、２１・・・絶縁性支
持体、２２・・・太いリード部分、２３・・・細いリー
ド部分、２４・・・頭部、２５・・・アウター支持体、
２６・・・インナー支持体、２７・・・電極板、２８・
・・調整軸、２９・・・支持体軸、３０・・・半田、３
２・・・サブマウント、３３・・・メタライズ層、３４
゜３５・・・Ａｕ−３ｎ共晶層、３６・・・ペデスタル
、３７・・・レーザ光、３８・・・共振器、３９・・・
チップキャリア、４０・・・素子固定用メタライズ層、
４１・・・ワイヤ固定用メタライズ層、４２・・・ワイ
ヤ、４３・・・サーミスタ支持チップ、４４・・・窪み
、４５・・・孔、４６・・・位置調整用レバー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、パッケージと、このパッケージの内外に亘って延在
   するリードとを有する電子部品であって、前記リードの
   少なくともパッケージ内に延在する部分は他の部分より
   も太くなっていることを特徴とする電子部品。 ２、パッケージと、このパッケージの内外に亘って延在
   するリードと、前記パッケージに内蔵されるチップとを
   有する電子部品であって、前記リードの少なくともパッ
   ケージ内に延在する部分は他の部分よりも太くなってい
   るとともに、前記チップの電極とリードとを電気的に接
   続するワイヤの長さが短くなるように前記チップはパッ
   ケージの中心から外れてチップの電極と電気的に接続さ
   れるリード側に偏って配設されていることを特徴とする
   電子部品。